JP2006080182A - 配線基板と半導体素子の接続方法、半導体基板の製造方法、半導体基板の補修方法及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 素子を破損、損傷させることなく、素子と配線基板との導通を確実に得ることができる配線基板と半導体素子の接続方法を提供する。
【解決手段】 配線基板10上に半導体素子であるTFT13が実装されてなる配線基板10と半導体素子の接続方法であって、TFT13の外側に位置する配線基板10上の配線端子14と、TFT13の表面側の素子端子61の双方からNiめっきを成長させる成長工程と、Niめっき上に導電材としてAuめっきを析出させて積層させる積層工程とを含むことを特徴とする。
【選択図】 図5
【解決手段】 配線基板10上に半導体素子であるTFT13が実装されてなる配線基板10と半導体素子の接続方法であって、TFT13の外側に位置する配線基板10上の配線端子14と、TFT13の表面側の素子端子61の双方からNiめっきを成長させる成長工程と、Niめっき上に導電材としてAuめっきを析出させて積層させる積層工程とを含むことを特徴とする。
【選択図】 図5
Description
本発明は、配線基板と半導体素子の接続方法、半導体基板の製造方法、半導体基板の補修方法及び電気光学装置の製造方法に関する。
一般に、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス(以下、ELと称する)装置等の電気光学装置として、薄膜トランジスタ(以下、TFTと称する)等の半導体素子を基板上に備えた構成を含むものが知られている。このような半導体素子を含む半導体基板の製造に際しては、高温プロセスを必要とする場合が多いため、該半導体素子を基板上に形成して電気光学装置を構成すると、基板の熱変形や周辺の回路素子の破壊、寿命低下を招いてしまい、結果として当該電気光学装置の特性低下を引き起こす惧れがあった。
そこで、近年では、高温プロセスを含む従来の半導体製造技術を用いてTFT等の半導体素子を耐熱性の基礎基板上に形成した後に、当該基礎基板からTFTが形成されている素子形成膜(層)を剥離し、これを配線基板に貼り付けることによって電気光学装置を製造する転写技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。このような転写技術を用いることにより、比較的耐熱性の低いプラスチック基板等の上に半導体素子を形成することができ、当該電気光学装置の設計の幅が広がるとともに、周辺の回路素子を高温プロセスに曝すこともなく、結果的に基板の熱変形や回路素子の破壊を抑制し、好適な電気光学装置を提供することが可能となる。
特開2003−031778号公報
上述した転写技術において、半導体素子を配線基板に実装するには、配線基板上に形成したバンプ上に導電性粒子を印刷して配置し、さらに硬化性樹脂を介して半導体素子を転写した後に、加熱加圧により配線基板と半導体素子とを接合させている。しかしながら、オープン不良を回避すべく加熱加圧量を高めると、半導体素子が破損、損傷してしまう惧れがあった。
そこで、半導体素子の接続端子が上面を向くように配線基板上に転写する方法が提案されている。この場合の実装方法として、配線基板の接続端子および半導体素子の接続端子の両方から、無電解めっき法によりめっきを成長させ、両者の導通をとる方法が採用されている。
そこで、半導体素子の接続端子が上面を向くように配線基板上に転写する方法が提案されている。この場合の実装方法として、配線基板の接続端子および半導体素子の接続端子の両方から、無電解めっき法によりめっきを成長させ、両者の導通をとる方法が採用されている。
しかしながら、異なる接続端子から成長させためっきの出合部の低層領域では、両めっき間に微小な隙間が形成されるので、両めっきは接合されない。しかも、接続端子の狭ピッチ化に伴って、両めっきの出合部には、横からめっき液が流入にくくなっている。そして、出合部に隙間を保持したまま両めっきが成長すると、接続端子間の導通が得られないか、又は接続信頼性が確保できないという問題が発生する。
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたもので、素子と配線基板との導通を確実に得ることができる配線基板と半導体素子の接続方法、半導体基板の製造方法、半導体基板の補修方法さらには電気光学装置の製造方法を提供することを目的としている。
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたもので、素子と配線基板との導通を確実に得ることができる配線基板と半導体素子の接続方法、半導体基板の製造方法、半導体基板の補修方法さらには電気光学装置の製造方法を提供することを目的としている。
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の配線基板と半導体素子の接続方法は、配線基板上に半導体素子が実装されてなる配線基板と半導体素子の接続方法であって、前記配線基板上の配線端子と、前記半導体素子の素子端子とに無電解めっきを成長させ、前記無電解めっき上に導電材を積層させることで前記半導体素子と前記配線基板の導通をとることを特徴としている。
本発明の配線基板と半導体素子の接続方法は、配線基板上に半導体素子が実装されてなる配線基板と半導体素子の接続方法であって、前記配線基板上の配線端子と、前記半導体素子の素子端子とに無電解めっきを成長させ、前記無電解めっき上に導電材を積層させることで前記半導体素子と前記配線基板の導通をとることを特徴としている。
このようにすれば、配線側及び素子側の双方の端子から成長させた無電解めっきの間に界面やスペースが生じたとしても、積層する導電材によって各端子の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることができる。
また、前記積層工程において、前記無電解めっきであるNiめっき上に前記導電材となるAuめっきを析出させることを特徴としている。
このようにすれば、Niめっき上に析出させて積層させたAuめっきからなる導電材によって端子同士の確実な導通状態を確保することができる。
このようにすれば、Niめっき上に析出させて積層させたAuめっきからなる導電材によって端子同士の確実な導通状態を確保することができる。
また、前記積層工程において、前記無電解めっきであるNiめっき上に前記導電材としてはんだを積層させることを特徴としている。
このようにすれば、Niめっき上に積層させたはんだからなる導電材によって端子同士の確実な導通状態を確保することができる。
このようにすれば、Niめっき上に積層させたはんだからなる導電材によって端子同士の確実な導通状態を確保することができる。
また、前記積層工程において、前記無電解めっきであるNiめっきに対して僅かに置換Auめっき処理を行い、その後、前記導電材となるNiめっきを析出させることを特徴としている。
このようにすれば、Niめっき上に析出させて積層させたNiめっきからなる導電材によって端子同士の確実な導通状態を確保することができる。
このようにすれば、Niめっき上に析出させて積層させたNiめっきからなる導電材によって端子同士の確実な導通状態を確保することができる。
また、本発明の半導体基板の製造方法は、第1基板の表面に前記配線基板を製造する工程と、第2基板の表面に前記半導体素子を、前記素子端子が前記第2基板の表面に面するように形成して素子基板を製造する工程と、前記第1基板のうち前記配線端子が形成された面と、前記第2基板のうち前記半導体素子が形成された面とをそれぞれ対向させつつ、前記配線端子が基板面内において前記半導体素子の外側に位置するように、前記配線基板と前記素子基板とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わせの後に、前記第2基板を前記半導体素子から剥離する工程と、を具備し、上述した配線基板と半導体素子の接続方法を使用することを特徴としている。
このようにすれば、配線端子が上方(貼り合わせ面側)を向き、且つ素子端子が上方(貼り合わせ面の反対側)を向くように半導体素子を配線基板に転写した後、それぞれ上方を向いた配線端子と素子端子の間で無電解めっき及び導電材により電気的に接続をとるものとしているため、接続のために加熱加圧量を高めて素子を破損、損傷させるような不具合を伴うことなく、導通性を一層高めることが可能となる。また、各端子間の接続部が上方を向いているため、外観、触針式検査方法等による接続状況の確認を容易に行うことができるようになる。さらに、仮に接続不良が生じた場合にも、接続部が上方を向いているため、その修復作業も簡易なものとなる。
また、本発明の半導体基板の補修方法は、上記の半導体基板の製造方法によって得られた半導体基板の前記半導体素子の上部に補修用素子を重ね合わせ、この補修用素子の素子端子を前記導電材に接合することを特徴としている。
このようにすれば、基板上の半導体素子に不具合が生じた場合にも、極めて容易に補修して不具合を解消することができる。
このようにすれば、基板上の半導体素子に不具合が生じた場合にも、極めて容易に補修して不具合を解消することができる。
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、発光素子を駆動するためのスイッチング素子が配線基板に実装されてなる電気光学装置の製造方法であって、前記スイッチング素子として半導体素子を用い、該半導体素子を前記配線基板に実装する工程として、上記の半導体基板の製造方法を用いることを特徴としている。
このようにすれば、素子特性が良好で非常に信頼性の高い電気光学装置を得ることができる。
このようにすれば、素子特性が良好で非常に信頼性の高い電気光学装置を得ることができる。
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
まず、本発明に係る半導体基板の製造方法を用いて製造された電気光学装置の構成について、図1を参照して説明する。図1は電気光学装置の概略構成を示す断面図であって、電気光学装置1は少なくとも基板接合体2を具備しており、該基板接合体2は半導体基板3と有機EL基板4とが貼り合わされた構成を具備している。
半導体基板3は、配線基板10と、配線基板10に形成された所定形状の配線パターン11と、配線パターン11に接続された回路部12と、有機EL素子124を駆動させるTFT(半導体素子)13と、TFT13と配線パターン11とを電気的に接続させるための配線側の接続端子(TFT接続部)14と、有機EL素子124と配線パターン11とを接合する有機EL接続部15とによって構成されている。なお、接続端子14は、TFT13の端子パターンに応じて形成されるものである。
半導体基板3は、配線基板10と、配線基板10に形成された所定形状の配線パターン11と、配線パターン11に接続された回路部12と、有機EL素子124を駆動させるTFT(半導体素子)13と、TFT13と配線パターン11とを電気的に接続させるための配線側の接続端子(TFT接続部)14と、有機EL素子124と配線パターン11とを接合する有機EL接続部15とによって構成されている。なお、接続端子14は、TFT13の端子パターンに応じて形成されるものである。
有機EL基板4は、光が透過する透明基板120と、光を散乱させる光散乱部121と、ITO等の透明金属からなる陽極122と、正孔注入/輸送層123と、有機EL素子124と、陰極(カソード)125と、カソードセパレータ126とによって構成されている。ここで、陽極122と、正孔注入/輸送層123と、有機EL素子124と、陰極125は、有機EL素子124に対して正孔又は電子を供給して発光させる、いわゆる発光機能素子である。なお、このような発光機能素子の詳細な構造は、公知技術が採用される。また、有機EL素子124と陰極125との間に電子注入/輸送層を形成してもよい。
半導体基板3と有機EL基板4との間には、封止ペースト30が充填されており、さらに有機EL接続部15及び陰極125間を電気的に導通させる導電性ペースト31が設けられている。なお、本実施形態においては、発光素子基板として有機EL基板を採用した場合について説明するが、これに限定することなく、LED等の固体発光素子を有する発光素子基板を採用してもよい。
次に、図1に示す電気光学装置1の製造方法について説明する。
本実施の形態の電気光学装置1の製造方法は、主に半導体基板3の製造プロセスと、有機EL基板4の製造プロセスと、これら半導体基板3と有機EL基板4とを貼り合わせるプロセスとを有している。以下、各プロセスについて説明するが、本実施の形態は、特に半導体基板3の製造プロセスについて特徴を有するものである。
本実施の形態の電気光学装置1の製造方法は、主に半導体基板3の製造プロセスと、有機EL基板4の製造プロセスと、これら半導体基板3と有機EL基板4とを貼り合わせるプロセスとを有している。以下、各プロセスについて説明するが、本実施の形態は、特に半導体基板3の製造プロセスについて特徴を有するものである。
(1.半導体基板の製造プロセス)
まず、半導体基板3の製造プロセスにおいては、半導体素子の形成方法として、配線基板10に対して半導体素子たるTFT13を転写させる方法を採用している。つまり、接続端子14を有する配線基板10に対して、TFT13を有する基板(以下「素子基板」という)を貼り合わせ、該TFT13を配線基板10側に転写させることで、半導体基板3を得ている。そこで、これら配線基板10と素子基板20(図3参照)の製造工程を説明した後に、これら配線基板10と素子基板20との貼合せ工程、及びTFT13の転写工程等について、順を追って説明する。
まず、半導体基板3の製造プロセスにおいては、半導体素子の形成方法として、配線基板10に対して半導体素子たるTFT13を転写させる方法を採用している。つまり、接続端子14を有する配線基板10に対して、TFT13を有する基板(以下「素子基板」という)を貼り合わせ、該TFT13を配線基板10側に転写させることで、半導体基板3を得ている。そこで、これら配線基板10と素子基板20(図3参照)の製造工程を説明した後に、これら配線基板10と素子基板20との貼合せ工程、及びTFT13の転写工程等について、順を追って説明する。
図2は、配線基板10の構成を示す平面図(図2(a))及びそのA−A’断面図(図2(b))であり、図3は、素子基板20の構成を示す平面図(図3(a))及びそのB−B’断面図(図3(b))である。また、図4〜図5は、各基板10,20の貼合せ工程ないしTFT13の転写工程を断面にて示す図、図6〜図7は、図4〜図5で示した貼合せ工程ないし転写工程を平面にて示す図である。
(1−1.配線基板の製造工程)
まず、図2に示した配線基板10の製造工程について説明する。
はじめに、ガラス基板(第1基板)10aを用意する。ガラス基板10aとしては、石英ガラス、ソーダガラス等からなる透光性耐熱基板が好ましい。そして、このガラス基板10aの表面にCVD(化学的気相成長)法を用いて酸化シリコン膜(図示略)を形成した後、該酸化シリコン膜上に配線パターン11を形成する。
まず、図2に示した配線基板10の製造工程について説明する。
はじめに、ガラス基板(第1基板)10aを用意する。ガラス基板10aとしては、石英ガラス、ソーダガラス等からなる透光性耐熱基板が好ましい。そして、このガラス基板10aの表面にCVD(化学的気相成長)法を用いて酸化シリコン膜(図示略)を形成した後、該酸化シリコン膜上に配線パターン11を形成する。
次に、配線パターン11上に樹脂絶縁膜(図示略)を形成した後、該樹脂絶縁膜の一部を除去することにより開口部を形成し、配線パターン11の露出部を形成する。そして、開口部を接続端子14とする。以上の工程により、図2に示した配線基板10を得ることができる。
なお、接続端子14は、所定のパターンにて形成するものとし、具体的には図2(a)に示すように複数の接続端子(TFT接続部)14が平面視矩形環状の接続部群(端子群)を構成し、該接続部群の内側領域に貼合せ領域13aを有する形にて形成されている。
なお、接続端子14は、所定のパターンにて形成するものとし、具体的には図2(a)に示すように複数の接続端子(TFT接続部)14が平面視矩形環状の接続部群(端子群)を構成し、該接続部群の内側領域に貼合せ領域13aを有する形にて形成されている。
ここでは、接続端子14は、1チップ(1つのTFT13)あたり10個形成され、その配置は図2に示すように、5×2列の配置とされている。また、接続端子14の大きさは(5μm〜30μm)×(5μm〜30μm)とし、接続端子14,14間のスペースは、10〜25μmとした。
(1−2.素子基板の製造工程)
次に、図3に示した素子基板20の製造工程について説明する。
はじめに、ガラス基板(第2基板)20aを用意する。ガラス基板20aとしては、石英ガラス、ソーダガラス等からなる透光性耐熱基板が好ましい。そして、このガラス基板20aの表面にTFT13を形成する。TFT13の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略する。なお、ここではTFT13の接続端子61がガラス基板20aの直上に位置するように、つまりTFT13の接続端子61がガラス基板20aの表面に面するように、該TFT13を公知の高温プロセス技術にて形成するものとしている。
次に、図3に示した素子基板20の製造工程について説明する。
はじめに、ガラス基板(第2基板)20aを用意する。ガラス基板20aとしては、石英ガラス、ソーダガラス等からなる透光性耐熱基板が好ましい。そして、このガラス基板20aの表面にTFT13を形成する。TFT13の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略する。なお、ここではTFT13の接続端子61がガラス基板20aの直上に位置するように、つまりTFT13の接続端子61がガラス基板20aの表面に面するように、該TFT13を公知の高温プロセス技術にて形成するものとしている。
なお、ガラス基板20aのTFT13が形成された表面には、剥離層41が形成されている。剥離層41は、レーザ光等の照射により当該層内や界面において剥離(「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう)が生ずる材料からなる。即ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション(ablation)等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層41に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層41が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
剥離層41の組成としては、ここでは非晶質シリコン(a−Si)が採用され、また、当該非晶質シリコン中に水素(H)が含有されていてもよい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層41に内圧が発生し、これが剥離を促進するので好ましい。この場合の水素の含有量は、2at%程度以上であることが好ましく、2〜20at%であることが更に好ましい。水素の含有量は、成膜条件、例えば、CVD法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料(光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの)、金属、例えば、Al、Li、Ti、Mn、In、Sn、Y、La、Ce、Nd、Pr、GdもしくはSm、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
剥離層41の厚さとしては、1nm〜20μm程度であるのが好ましく、10nm〜2μm程度であるのがより好ましく、20nm〜1μm程度であるのが更に好ましい。剥離層41の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層41の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー(光量)を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層41の残渣を除去するのに時間を要したりする。
剥離層41の形成方法は、均一な厚みで剥離層41を形成可能な方法であればよく、剥離層41の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、CVD(MOCCVD、低圧CVD、ECR−CVD含む)法、蒸着、分子線蒸着(MB)、スパッタリング法、イオンドーピング法、PVD法等の各種気相成膜法、電気めっき、浸漬めっき(ディッピング)、無電解めっき法等の各種めっき法、ラングミュア・ブロジェット(LB)法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等が適用できる。これらのうち2種以上の方法を組み合わせてもよい。
特に剥離層41の組成が非晶質シリコン(a−Si)の場合には、CVD法、特に低圧CVDやプラズマCVDにより成膜するのが好ましい。また、剥離層41をゾル−ゲル法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
(1−3.貼り合わせ工程)
以上のような方法により製造した配線基板10と素子基板20の貼り合わせを行う。ここでは、まず、図4(a)及び図6(a)に示したように、配線基板10のガラス基板10a上であって、複数の接続端子14にて構成される接続部群の内側領域(貼合せ領域)13aに接着剤51を塗布する。接着剤51の塗布方法は、例えばディスペンス法、フォトリソグラフィ法、或いはインクジェット装置を用いた液滴吐出法等にて行うことができる。
以上のような方法により製造した配線基板10と素子基板20の貼り合わせを行う。ここでは、まず、図4(a)及び図6(a)に示したように、配線基板10のガラス基板10a上であって、複数の接続端子14にて構成される接続部群の内側領域(貼合せ領域)13aに接着剤51を塗布する。接着剤51の塗布方法は、例えばディスペンス法、フォトリソグラフィ法、或いはインクジェット装置を用いた液滴吐出法等にて行うことができる。
接着剤51の塗布部分は、ガラス基板10aの接続端子14が形成された領域を避けた位置であり、後述するTFT13を貼り合わせた際に、接着剤51が該接続端子14へ流れて濡れ広がらない位置としている。また、接着剤51の塗布量は、同じく接続端子14へ流れて濡れ広がらない程度の量としている。
なお、接着剤51の塗布は、素子基板20側にも行うことができ、さらには配線基板10及び素子基板20の双方に行うものとしても良い。また、接着剤51の塗布形状は、平面視角形状や円形状の他、点や線を散在させたものであっても良い。接着剤51としては熱可塑性樹脂のほか、光硬化型樹脂を用いても良く、さらに接着剤51中にフィラーや粒子を含有させたものを用いても良い。
次に、塗布した接着剤51を介して、配線基板10と素子基板20とを貼り合わせる。
具体的には、図4(b)及び図6(b)に示したように、配線基板10側のガラス基板10aのうち接続端子14が形成された面と、素子基板20側のガラス基板20aのうち接続端子61が形成された面とをそれぞれ対向させつつ各基板10,20を貼り合わせるものとしている。したがって、TFT13が配線基板10の表面に当接されることとなる。また、特に接続端子14が基板面内においてTFT13の外側に位置するように、つまり貼合せ領域13a内にTFT13が位置するように貼り合わせを行うものとしている。
具体的には、図4(b)及び図6(b)に示したように、配線基板10側のガラス基板10aのうち接続端子14が形成された面と、素子基板20側のガラス基板20aのうち接続端子61が形成された面とをそれぞれ対向させつつ各基板10,20を貼り合わせるものとしている。したがって、TFT13が配線基板10の表面に当接されることとなる。また、特に接続端子14が基板面内においてTFT13の外側に位置するように、つまり貼合せ領域13a内にTFT13が位置するように貼り合わせを行うものとしている。
(1−4.転写工程)
次に、ガラス基板20a側に形成されたTFT13をガラス基板10a側(配線基板10側)に転写するために、ガラス基板20aの剥離を行う。具体的には、図4(c)に示すように、ガラス基板20aの裏面側(素子基板20のTFT13が形成されていない側の面)から、レーザ光Lを照射する。そうすると、剥離層41の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層41内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、TFT13とガラス基板20aとの結合力が完全になくなり、レーザ光Lが照射された部分のガラス基板20aとTFT13との結合(接着)を容易に取り外すことが可能となる。
次に、ガラス基板20a側に形成されたTFT13をガラス基板10a側(配線基板10側)に転写するために、ガラス基板20aの剥離を行う。具体的には、図4(c)に示すように、ガラス基板20aの裏面側(素子基板20のTFT13が形成されていない側の面)から、レーザ光Lを照射する。そうすると、剥離層41の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層41内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、TFT13とガラス基板20aとの結合力が完全になくなり、レーザ光Lが照射された部分のガラス基板20aとTFT13との結合(接着)を容易に取り外すことが可能となる。
以上のようなレーザ光照射により、TFT13からガラス基板20aを剥離することで、図5(a)及び図7(a)に示したように、TFT13が配線基板10に転写される。そして、同図に示したように、配線基板10の接続端子(TFT接続部)14の表面と、素子基板20の接続端子61の表面とが、それぞれ同方向(上方向)を指向する形にて配置されるようになる。
(1−5.めっき成長工程)
以上の転写を行った後、各接続端子14,61間の電気的接続を行う。ここでは、無電解めっき処理法を用いて接続するものとしている。まず、各接続端子14,61の表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために処理液に浸漬する。本実施形態では、フッ酸が0.01%〜0.1%、及び硫酸が0.01%〜0.1%含有した水溶液中に1分〜5分間含浸する。あるいは0.1%〜10%の水酸化ナトリウム等のアルカリベースの水溶液に1分〜10分浸漬してもよい。
以上の転写を行った後、各接続端子14,61間の電気的接続を行う。ここでは、無電解めっき処理法を用いて接続するものとしている。まず、各接続端子14,61の表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために処理液に浸漬する。本実施形態では、フッ酸が0.01%〜0.1%、及び硫酸が0.01%〜0.1%含有した水溶液中に1分〜5分間含浸する。あるいは0.1%〜10%の水酸化ナトリウム等のアルカリベースの水溶液に1分〜10分浸漬してもよい。
次に、水酸化ナトリウムベースでpHが9〜13のアルカリ性水溶液を20℃〜60℃に加温した中に1秒〜5分間浸漬し、表面の酸化膜を除去する。あるいは5%〜30%硝酸をベースとしたpH1〜3の酸性水溶液を20℃〜60℃に加温した中に1秒〜5分間浸漬してもよい。
さらに、ZnOを含有したpH11〜13のジンケート液中に1秒〜2分間浸漬し、端子表面をZnに置換する。その後、5%〜30%の硝酸水溶液に1秒〜60秒浸漬し、Znを剥離する。そして、再度ジンケート浴中に1秒〜2分浸漬し、緻密なZn粒子をAl表面に析出させる。その後、無電解Niめっき浴に浸漬し、Niめっきを形成する。
めっき高さは2μm〜10μm程度析出させる。めっき浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であり、pH4〜5、浴温80℃〜95℃である。
さらに、ZnOを含有したpH11〜13のジンケート液中に1秒〜2分間浸漬し、端子表面をZnに置換する。その後、5%〜30%の硝酸水溶液に1秒〜60秒浸漬し、Znを剥離する。そして、再度ジンケート浴中に1秒〜2分浸漬し、緻密なZn粒子をAl表面に析出させる。その後、無電解Niめっき浴に浸漬し、Niめっきを形成する。
めっき高さは2μm〜10μm程度析出させる。めっき浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であり、pH4〜5、浴温80℃〜95℃である。
このような工程においては、次亜リン酸浴を行うので、リン(P)が共析する。めっき金属は、配線基板10の接続端子(TFT接続部)14及びTFT13の接続端子61の双方から等方成長するため、双方の接続端子14,61にて成長しためっき金属が各端子の高さギャップの半分の厚さまで成長することにより接合する。なお、接続面積を増やすために、接合後もある程度めっきを継続するものとしている。
全ての接続端子14,61同士が接続されたら、最後に置換Auめっき浴中に浸漬し、Ni表面をAuにする。Auは0.05μm〜0.3μm程度に形成する。Au浴はシアンフリータイプを用い、pH6〜8、浴温50℃〜80℃で、1分〜30分間の浸漬を行う。このようにして、双方の接続端子14,61上にNi−Auめっきバンプを形成する。
以上により、図5(b)及び図7(b)に示すように、双方の接続端子14,61は、無電解めっきによって成長したバンプ71,72によって互いに電気的に接続され、配線基板10上に半導体素子たるTFT13が実装された半導体基板3を得ることができる。
(1−6.積層工程)
次に、無電解めっきによって成長したバンプ71,72の接続の信頼性を高めるべく、Ni―Auめっきを析出させた上に、さらに、自己触媒型の無電解Auめっきを析出させて積層させる。
ここで、無電解Auめっき処理方法は、置換Auメッキ処理後に無電解Auめっき浴に浸漬し、置換Auめっき処理で0.05〜0.3μm程度形成したAu上に1μm程度形成する。無電解Auめっき浴は、シアンフリータイプを用いpH6〜8、浴温40〜70℃である。浸漬による処理時間は、30〜120分とする。このようにして、Ni―Auめっき上にAuを1μm程度析出させる。
次に、無電解めっきによって成長したバンプ71,72の接続の信頼性を高めるべく、Ni―Auめっきを析出させた上に、さらに、自己触媒型の無電解Auめっきを析出させて積層させる。
ここで、無電解Auめっき処理方法は、置換Auメッキ処理後に無電解Auめっき浴に浸漬し、置換Auめっき処理で0.05〜0.3μm程度形成したAu上に1μm程度形成する。無電解Auめっき浴は、シアンフリータイプを用いpH6〜8、浴温40〜70℃である。浸漬による処理時間は、30〜120分とする。このようにして、Ni―Auめっき上にAuを1μm程度析出させる。
これにより、図5(c)及び図7(c)に示すように、各バンプ71,72上に、導電材であるAuめっき73が積層される。
これにより、各接続端子14,61に形成されたバンプ71,72がAuめっき73によって確実に導通される。
つまり、例え、無電解めっきによって成長したバンプ71,72同士の間に界面やスペースが生じたとしても、これらバンプ71,72上に積層した導電材であるAuめっき73によって各接続端子14,61の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることができる。
これにより、各接続端子14,61に形成されたバンプ71,72がAuめっき73によって確実に導通される。
つまり、例え、無電解めっきによって成長したバンプ71,72同士の間に界面やスペースが生じたとしても、これらバンプ71,72上に積層した導電材であるAuめっき73によって各接続端子14,61の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることができる。
(1−7.TFTの補修工程)
ここで、配線基板10上に実装したTFT13は、強固に固定されていることより、実装後の取り外しは困難である。このため、TFT13からなる半導体素子自体の不良あるいは実装不良により、半導体素子のリペアが必要な場合は、図8及び図9に示すように、不具合を生じたTFT13の上方から補修TFT13Aを、フリップチップボンダなどを用いて下向きにして転写し、この補修TFT13Aの接続端子61aをAuめっき73に接続する。これにより、不具合を生じたTFT13を取り外すことなく、補修することができる。なお、不具合を生じたTFT13は、レーザを照射するなどして、全ての機能を不能とする。
ここで、配線基板10上に実装したTFT13は、強固に固定されていることより、実装後の取り外しは困難である。このため、TFT13からなる半導体素子自体の不良あるいは実装不良により、半導体素子のリペアが必要な場合は、図8及び図9に示すように、不具合を生じたTFT13の上方から補修TFT13Aを、フリップチップボンダなどを用いて下向きにして転写し、この補修TFT13Aの接続端子61aをAuめっき73に接続する。これにより、不具合を生じたTFT13を取り外すことなく、補修することができる。なお、不具合を生じたTFT13は、レーザを照射するなどして、全ての機能を不能とする。
このように、本実施の形態では、各接続端子14,61がそれぞれ上方を向くようにTFT13を配線基板10に転写した後、それぞれ上方を向いた接続端子14,61間で無電解めっき及びAuめっき73により電気的に接続をとるものとしているため、外観、触針式検査方法等による接続状況の確認を容易に行うことができるようになる。さらに、仮に接続不良が生じた場合にも、接続部が上方を向いているため、その修復作業も簡易なものとなる。
特に、各接続端子14,61に形成されたバンプ71,72がAuめっき73によって確実に導通されるので、例え、無電解めっきによって成長したバンプ71,72同士の間に界面やスペースが生じたとしても、これらバンプ71,72上に積層した導電材であるAuめっき73によって各接続端子14,61の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることができる。
また、半導体素子であるTFT13に不具合が生じた場合にも、不具合を生じたTFT13の上方から補修TFT13Aを下向きに転写して接続端子61aをAuめっき73に接続することにより、極めて容易に補修して不具合を解消することができる。
また、半導体素子であるTFT13に不具合が生じた場合にも、不具合を生じたTFT13の上方から補修TFT13Aを下向きに転写して接続端子61aをAuめっき73に接続することにより、極めて容易に補修して不具合を解消することができる。
(2.有機EL基板の製造プロセス)
次に、半導体基板3と対向して貼り合わせられる有機EL基板の製造プロセスについて説明する。ここでは、公知の有機EL基板の製造方法を採用することができ、具体的には、透明基板120上に陽極122、カソードセパレータ126、正孔注入輸送層123、有機EL素子124、陰極125をそれぞれ図1に示したように形成することで、有機EL基板4を得ている。
次に、半導体基板3と対向して貼り合わせられる有機EL基板の製造プロセスについて説明する。ここでは、公知の有機EL基板の製造方法を採用することができ、具体的には、透明基板120上に陽極122、カソードセパレータ126、正孔注入輸送層123、有機EL素子124、陰極125をそれぞれ図1に示したように形成することで、有機EL基板4を得ている。
(3.半導体基板と有機EL基板の貼合せプロセス)
次に、上記半導体基板3と有機EL基板4とを貼り合わせて、最終的に図1に示す電気光学装置1を形成する工程について説明する。
まず、半導体基板3上に、導電性材料にて構成される有機EL接続部15を形成し、該有機EL接続部15上には銀ペーストからなる導電性ペースト31を形成する。
次に、有機EL基板4の陰極125が、半導体基板3の導電性ペースト31と当接するように、有機EL基板4と半導体基板3とを貼り合わせる。なお、貼り合わせに際しては、両基板間の空間に封止ペースト30を封入し、更に、両基板の周辺を封止剤32によって封止している。
次に、上記半導体基板3と有機EL基板4とを貼り合わせて、最終的に図1に示す電気光学装置1を形成する工程について説明する。
まず、半導体基板3上に、導電性材料にて構成される有機EL接続部15を形成し、該有機EL接続部15上には銀ペーストからなる導電性ペースト31を形成する。
次に、有機EL基板4の陰極125が、半導体基板3の導電性ペースト31と当接するように、有機EL基板4と半導体基板3とを貼り合わせる。なお、貼り合わせに際しては、両基板間の空間に封止ペースト30を封入し、更に、両基板の周辺を封止剤32によって封止している。
以上のような各プロセスにより、図1に示した電気光学装置1が完成する。
この電気光学装置1は、有機EL基板4における半導体基板3側から、順に陰極125、有機EL素子124、正孔注入/輸送層123、陽極122が配置された、陽極122側から発光を取り出すトップエミッション型の有機EL装置となる。
この電気光学装置1は、有機EL基板4における半導体基板3側から、順に陰極125、有機EL素子124、正孔注入/輸送層123、陽極122が配置された、陽極122側から発光を取り出すトップエミッション型の有機EL装置となる。
次に、上記積層工程の他の例を説明する。
(積層工程の第2実施形態)
第2実施形態では、無電解めっきによって成長したバンプ71,72の接続の信頼性を高めるべく、Ni―Auめっきを析出させた上に、さらに、鉛フリータイプのはんだを積層させる。
ここで、Ni―Auめっき上へのはんだの積層方法としては、マスクを用いて印刷によってバンプ71,72上にはんだを配置するマスキング法、あるいは反転させた配線基板10をリフロー炉へ送り込むことにより、配線基板10をはんだにディップし、バンプ71,72へ選択的にはんだを付着させるディップ法などがある。
(積層工程の第2実施形態)
第2実施形態では、無電解めっきによって成長したバンプ71,72の接続の信頼性を高めるべく、Ni―Auめっきを析出させた上に、さらに、鉛フリータイプのはんだを積層させる。
ここで、Ni―Auめっき上へのはんだの積層方法としては、マスクを用いて印刷によってバンプ71,72上にはんだを配置するマスキング法、あるいは反転させた配線基板10をリフロー炉へ送り込むことにより、配線基板10をはんだにディップし、バンプ71,72へ選択的にはんだを付着させるディップ法などがある。
そして、上記の方法により、図10に示すように、各バンプ71,72にはんだ74を積層させる。
これにより、各接続端子14,61に形成されたバンプ71,72がはんだ74によって確実に導通される。
つまり、例え、無電解めっきによって成長したバンプ71,72同士の間に界面やスペースが生じたとしても、これらバンプ71,72上に積層した導電材であるはんだ74によって各接続端子14,61の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることができる。
これにより、各接続端子14,61に形成されたバンプ71,72がはんだ74によって確実に導通される。
つまり、例え、無電解めっきによって成長したバンプ71,72同士の間に界面やスペースが生じたとしても、これらバンプ71,72上に積層した導電材であるはんだ74によって各接続端子14,61の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることができる。
そして、上記第2実施形態の場合も、半導体素子であるTFT13に不具合が生じた際に、不具合を生じたTFT13の上方から補修TFT13Aを下向きに転写して接続端子61aを、はんだ74に接続することにより、極めて容易に補修して不具合を解消することができる。
(積層工程の第3実施形態)
第3実施形態では、無電解めっきによって成長したバンプ71,72の接続の信頼性を高めるべく、Ni―Auめっきを析出させた上に、さらに、Niめっきを析出させて積層させる。
なお、この実施形態では、接続端子14,61上に無電解めっきによってNiめっきからなるバンプ71,72を析出させた後の置換Auめっきの処理時間を短くし、不完全にNi―Auめっきを析出させる。これにより、バンプ71,72は、その表面にNiが残ったポーラスな置換Auめっきが施された状態となる。
第3実施形態では、無電解めっきによって成長したバンプ71,72の接続の信頼性を高めるべく、Ni―Auめっきを析出させた上に、さらに、Niめっきを析出させて積層させる。
なお、この実施形態では、接続端子14,61上に無電解めっきによってNiめっきからなるバンプ71,72を析出させた後の置換Auめっきの処理時間を短くし、不完全にNi―Auめっきを析出させる。これにより、バンプ71,72は、その表面にNiが残ったポーラスな置換Auめっきが施された状態となる。
そして、この状態にて、バンプ71,72上にさらにNiめっきを析出させる。このようにすると、不完全な置換Auめっき上においてNiめっきの析出が面内にてばらつくことにより、バンプ71,72同士の間に界面やスペースが生じたとしても、この接続界面部分にてNiめっきによる確実な金属接合が得られる。その後は、Niめっき上に酸化防止のため、置換Auメッキ処理を行う。
そして、上記の方法により、図11に示すように、各バンプ71,72をNi−Auめっき75を介して導電材であるNiめっき76が界面なく積層される。
これにより、各接続端子14,61に形成されたバンプ71,72を覆うNiめっき76によって確実に導通される。
つまり、例え、無電解めっきによって成長したバンプ71,72同士の間に界面やスペースが生じたとしても、これらバンプ71,72上に積層したNiめっき75によって各接続端子14,61の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることができる。
これにより、各接続端子14,61に形成されたバンプ71,72を覆うNiめっき76によって確実に導通される。
つまり、例え、無電解めっきによって成長したバンプ71,72同士の間に界面やスペースが生じたとしても、これらバンプ71,72上に積層したNiめっき75によって各接続端子14,61の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることができる。
そして、上記第3実施形態の場合も、半導体素子であるTFT13に不具合が生じた際に、不具合を生じたTFT13の上方から補修TFT13Aを下向きに転写して接続端子61aを、置換Auめっき77が施されたNiめっき76に接続することにより、極めて容易に補修して不具合を解消することができる。
以上、本実施の形態を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、例えば、接続端子14,61を構成する材料としては、例えばAl,Cu等の金属導電材料の他、TiN等の窒化膜を用いても良い。
また、各接続端子14,61のめっき接続を容易化するために、図12(a)に示すようにTFT13の形状を断面テーパ形状に構成するものとしても良い。つまり、配線基板10側に向けて、裾広がりの形状のTFT13とすることで、図12(b)に示すように、めっき70が各接続端子14,61間の段差を超えて接合し易くなり、一層信頼性の高い電気的接続を実現可能となる。
また、めっきはマッシュルーム型の等方成長であるため、配線基板10の接続端子14間ピッチが狭い場合や、接続端子14と接続端子61との距離が大きくめっき析出量を多くする必要がある場合は、図13に示すような絶縁壁91を形成すると良い。
また、本実施の形態では、矩形状のTFT(チップ)13を用いる場合を説明したが、例えば図14に示すように円形のTFT(チップ)を用いても良い。この場合も、各接続端子14,61を上方に指向させ、無電解めっきにより各接続端子14,61の電気的に接続を行うことができる。そして、このような円形のTFT(チップ)を用いることで、接着剤51が等方的に広がるようになり、接着剤51が貼り合わせ面からはみ出る不具合を効果的に抑制することができるようになる。
3…半導体基板、10…配線基板、10a…第1基板、13…TFT(半導体素子)、13A…補修TFT(補修用素子)、14…接続端子(配線端子)、20a…第2基板、61…接続端子(素子端子)、71,72…バンプ(Niめっき)、73…Auめっき(導電材)、74…はんだ(導電材)、76…Niめっき(導電材)
Claims (7)
- 配線基板上に半導体素子が実装されてなる配線基板と半導体素子の接続方法であって、
前記配線基板上の配線端子と、前記半導体素子の素子端子とに無電解めっきを成長させ、前記無電解めっき上に導電材を積層させることで前記半導体素子と前記配線基板の導通をとることを特徴とする配線基板と半導体素子の接続方法。 - 前記積層工程において、前記無電解めっきであるNiめっき上に前記導電材となるAuめっきを析出させることを特徴とする請求項1に記載の配線基板と半導体素子の接続方法。
- 前記積層工程において、前記無電解めっきであるNiめっき上に前記導電材としてはんだを積層させることを特徴とする請求項1に記載の配線基板と半導体素子の接続方法。
- 前記積層工程において、前記無電解めっきであるNiめっきに対して僅かに置換Auめっき処理を行い、その後、前記導電材となるNiめっきを析出させることを特徴とする請求項1に記載の配線基板と半導体素子の接続方法。
- 第1基板の表面に前記配線基板を製造する工程と、
第2基板の表面に前記半導体素子を、前記素子端子が前記第2基板の表面に面するように形成して素子基板を製造する工程と、
前記第1基板のうち前記配線端子が形成された面と、前記第2基板のうち前記半導体素子が形成された面とをそれぞれ対向させつつ、前記配線端子が基板面内において前記半導体素子の外側に位置するように、前記配線基板と前記素子基板とを貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせの後に、前記第2基板を前記半導体素子から剥離する工程と、
を具備し、請求項1〜4のいずれか1項に記載の配線基板と半導体素子の接続方法を使用することを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 請求項5に記載の半導体基板の製造方法によって得られた半導体基板の前記半導体素子の上部に補修用素子を重ね合わせ、この補修用素子の素子端子を前記導電材に接合することを特徴とする半導体基板の補修方法。
- 発光素子を駆動するためのスイッチング素子が配線基板に実装されてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記スイッチング素子として半導体素子を用い、該半導体素子を前記配線基板に実装する工程として、請求項1〜4のいずれか1項に記載の配線基板と半導体素子の接続方法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
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-
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