JP2005175170A - 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置、電子機器、並びにバンプ電極構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ショートなどの電気的な不具合を生じさせることなく、電気的に安定した基板接合体を製造する。
【解決手段】 電子素子２４と配線２２との少なくとも一方に、弾性粒子２７を含むバンプ電極２５ａを形成する。
【選択図】 図１
【解決手段】 電子素子２４と配線２２との少なくとも一方に、弾性粒子２７を含むバンプ電極２５ａを形成する。
【選択図】 図１
Description
本発明は、基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置、電子機器に関し、特に、電子素子と配線とを電気的に接続するためのバンプ電極構造に関する。
一般に、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称する。）装置等の半導体応用装置においては、変形や落下による壊れ防止、低コスト化等の理由等により下地基板にプラスチック基板を使用することが望ましい場合がある。
しかし、パネル型の表示装置に使用される薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）は、高温プロセスの製造工程によって製造されるので、当該高温プロセスによる製造方法を用いてプラスチック基板上にＴＦＴを形成したり、有機ＥＬ素子等の回路素子を形成したりすると、基板の熱変形や回路素子の破壊、素子寿命の低下を招いてしまい、結果として所望の半導体応用装置を製造するのが難しい。
そこで、近年では、高温プロセスを含む従来の半導体製造技術を用いてＴＦＴ等の電子素子（電子デバイス）を耐熱性の基礎基板上に製造した後に、当該基板から電子素子が形成されている素子形成膜（層）を剥離し、これを接合材を介してプラスチック基板等の配線基板に貼り付けることにより、プラスチック基板や有機ＥＬ素子等の回路素子等を高温プロセスに曝すのを回避する転写技術が提案されている。これらの転写技術は、例えば特許文献１〜特許文献３に詳細に説明されている。
特開平１０−１２５９２９号公報
特開平１０−１２５９３０号公報
特開平１０−１２５９３１号公報
上記した転写技術では、例えば、図１７に示すように、配線の電極端子部分に、導電性の突起部であるバンプ電極を形成し、導電粒子を含む接合材を介して、電子素子と配線とを接合している。この場合、接合材に含まれる導電粒子が配線及び電子素子の各電極間に配されることにより、配線と電子素子とが電気的に接続される。また、その導電粒子が弾性変形することにより、複数のバンプ電極の間の高さのバラツキや基板の反りの影響が緩和され、配線及び電子素子の各電極同士が良好に接触するようになっている。
導電粒子を含む接合材を用いて配線と電子素子とを接合する技術では、バンプ電極と電子素子との導通を確実に確保するために、接合材中の導電粒子の密度を高める必要がある。ところが、接合材中の導電粒子の密度が高いと、隣接するバンプ電極の間の領域（図１７に示す領域Ａ）にも多くの導電粒子が存在することになり、バンプ電極間のショートを招くおそれがある。また、接合の際に、接合材がバンプ電極上から流れ落ちやすく、これを回避するために接合材の配置量を多くすると、接合のための荷重が多大なものとなりやすい。
本発明は、上記した事情に鑑みてなされたものであり、ショートなどの電気的な不具合を生じさせることなく、電気的に安定した基板接合体を製造することが可能な方法を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、品質の向上が図られた基板接合体、電気光学装置、並びに電子機器を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、安定した電気接続が可能なバンプ電極構造を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、品質の向上が図られた基板接合体、電気光学装置、並びに電子機器を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、安定した電気接続が可能なバンプ電極構造を提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の基板接合体の製造方法は、第１基板上に形成された電子素子を第２基板上に形成された配線上に転写配置する工程を有する基板接合体の製造方法であって、前記電子素子と前記配線との少なくとも一方に、弾性粒子を含むバンプ電極を形成するバンプ電極形成工程を有することを特徴としてる。
本発明の基板接合体の製造方法は、第１基板上に形成された電子素子を第２基板上に形成された配線上に転写配置する工程を有する基板接合体の製造方法であって、前記電子素子と前記配線との少なくとも一方に、弾性粒子を含むバンプ電極を形成するバンプ電極形成工程を有することを特徴としてる。
本発明の基板接合体の製造方法によれば、電子素子と配線とを電気的に接続するバンプ電極が弾性粒子を含んで形成されていることから、電子素子と配線との接合の際にバンプ電極自身が弾性変形する。そして、このバンプ電極の弾性変形により、電子素子と配線との導通が確実に確保されるとともに、複数のバンプ電極の間の高さのバラツキや基板の反りの影響が緩和される。そのため、上記した従来技術のように、接合材中の導電粒子の密度を高める必要がなく、導電粒子の密度の低い接合材あるいは導電粒子を含まない接合材を用いることで、バンプ電極間のショートの発生を防止することができる。その結果、この製造法では、電気的に安定した基板接合体を製造することが可能となる。
上記の基板接合体の製造方法において、前記弾性粒子としては、例えば、樹脂製の粒子である樹脂ボールと、内部に空洞を有する樹脂製の粒子である中空ボールと、前記樹脂ボールまたは前記中空ボールの表面に導電性の膜を形成した導電粒子とのうちの少なくとも一種類を含むとよい。
この場合、前記バンプ電極が、複数種類の前記弾性粒子を含むことにより、バンプ電極の電気的あるいは物理的な機能の向上を図ることが可能となる。
例えば、樹脂ボールに比べ、中空ボールは弾性しやすい。したがって、これらが混在することにより、バンプ電極の弾性の調整が容易となる。これは、接合時の荷重を適正にする上で有利である。また、樹脂ボールや中空ボールの粒子密度が高くなるとバンプ電極自身の導電性が低下するものの、導電粒子が混在することにより、バンプ電極の導電性が高まる。
この場合、前記バンプ電極が、複数種類の前記弾性粒子を含むことにより、バンプ電極の電気的あるいは物理的な機能の向上を図ることが可能となる。
例えば、樹脂ボールに比べ、中空ボールは弾性しやすい。したがって、これらが混在することにより、バンプ電極の弾性の調整が容易となる。これは、接合時の荷重を適正にする上で有利である。また、樹脂ボールや中空ボールの粒子密度が高くなるとバンプ電極自身の導電性が低下するものの、導電粒子が混在することにより、バンプ電極の導電性が高まる。
また、上記の基板接合体の製造方法において、前記バンプ電極形成工程は、例えば、めっき処理により前記弾性粒子を含む弾性層を形成する工程を含むとよい。
めっき処理は、スタッド法等の他の電極形成方法等に比べて、微小領域への電極形成や、電極高さの均一化、処理タクトの短縮化等の面で有利である。
めっき処理は、スタッド法等の他の電極形成方法等に比べて、微小領域への電極形成や、電極高さの均一化、処理タクトの短縮化等の面で有利である。
この場合、前記めっき処理は、無電解めっき処理であるのがより好ましい。
無電解めっき処理は、下地電極やフォトリソグラフィ工程を省略でき、低コスト化、処理タクトの短縮化が図りやすい。
無電解めっき処理は、下地電極やフォトリソグラフィ工程を省略でき、低コスト化、処理タクトの短縮化が図りやすい。
また、前記バンプ電極形成工程は、前記弾性粒子を含まない難弾性層を形成する工程を含んでもよい。
難弾性層を形成することにより、バンプ電極を高く形成しやすいという利点がある。
難弾性層を形成することにより、バンプ電極を高く形成しやすいという利点がある。
この場合、例えば、前記弾性層は、前記難弾性層の上に重ねて配されることにより、バンプ電極の基礎部分の構造的な強度の向上が図られる。
また、前記バンプ電極形成工程は、前記弾性層を形成した後に、該弾性層に含まれる前記弾性粒子の一部を突出状態に露出させる工程を含んでもよい。
弾性粒子の一部が突出状態に露出することにより、バンプ電極が弾性変形しやすくなる。そのため、上記した弾性変形による利点をより得やすくなる。
弾性粒子の一部が突出状態に露出することにより、バンプ電極が弾性変形しやすくなる。そのため、上記した弾性変形による利点をより得やすくなる。
本発明の基板接合体は、電子素子が接合された配線が形成された配線基板と、前記電子素子に対応する発光機能素子が形成された発光素子基板とが接合された基板接合体であって、前記電子素子と前記配線とは、弾性粒子を含むバンプ電極を介して電気的に接続されていることを特徴としている。
本発明の基板接合体によれば、電子素子と配線とを電気的に接続するバンプ電極が弾性粒子を含んで形成されていることから、電子素子と配線との接合材として、導電粒子を含まない接合材あるいは導電粒子の密度の低い接合材を用いることが可能となり、バンプ電極間のショートの発生が防止される。その結果、この基板接合体は、品質の向上が図られる。
上記の基板接合体において、前記弾性粒子としては、例えば、樹脂製の粒子である樹脂ボールと、内部に空洞を有する樹脂製の粒子である中空ボールと、前記樹脂ボールまたは前記中空ボールの表面に導電性の膜を形成した導電粒子とのうちの少なくとも一種類を含むとよい。
この場合、前記バンプ電極が、複数種類の前記弾性粒子を含むことにより、バンプ電極の電気的あるいは物理的な機能の向上を図ることが可能となる。
例えば、樹脂ボールに比べ、中空ボールは弾性しやすい。したがって、これらが混在することにより、バンプ電極の弾性の調整が容易となる。また、樹脂ボールや中空ボールの粒子密度が高くなるとバンプ電極自身の導電性が低下するものの、導電粒子が混在することにより、バンプ電極の導電性が高まる。
例えば、樹脂ボールに比べ、中空ボールは弾性しやすい。したがって、これらが混在することにより、バンプ電極の弾性の調整が容易となる。また、樹脂ボールや中空ボールの粒子密度が高くなるとバンプ電極自身の導電性が低下するものの、導電粒子が混在することにより、バンプ電極の導電性が高まる。
また、上記の基板接合体において、前記バンプ電極は、多層構造からなってもよい。
バンプ電極が多層構造からなることによっても、バンプ電極の電気的あるいは物理的な機能の向上を図ることが可能となる。
バンプ電極が多層構造からなることによっても、バンプ電極の電気的あるいは物理的な機能の向上を図ることが可能となる。
例えば、前記バンプ電極は、前記弾性粒子を含む弾性層と、前記弾性粒子を含まない難弾性層とを含むとよい。
弾性層とは別に、難弾性層を形成することにより、バンプ電極を高く形成しやすいという利点がある。
この場合、例えば、前記弾性層が、前記難弾性層の上に重ねて配されることにより、バンプ電極の基礎部分の構造的な強度の向上が図られる。
弾性層とは別に、難弾性層を形成することにより、バンプ電極を高く形成しやすいという利点がある。
この場合、例えば、前記弾性層が、前記難弾性層の上に重ねて配されることにより、バンプ電極の基礎部分の構造的な強度の向上が図られる。
また、前記バンプ電極は、前記弾性粒子を含む複数の弾性層を含み、前記複数の弾性層は、粒子密度が互いに異なってもよい。
この場合、層ごとに弾性が変化することから、例えば、バンプ電極の構造的な強度を確保しつつ、バンプ電極の高さや硬度（弾性）を所望の状態に調整することが可能となる。
この場合、層ごとに弾性が変化することから、例えば、バンプ電極の構造的な強度を確保しつつ、バンプ電極の高さや硬度（弾性）を所望の状態に調整することが可能となる。
また、上記の基板接合体において、前記バンプ電極は、前記弾性粒子の一部が表面から突出して形成されたものであってもよい。
弾性粒子の一部が突出状態に露出することにより、バンプ電極が弾性変形しやすくなる。そのため、上記した弾性変形による利点をより得やすくなる。
弾性粒子の一部が突出状態に露出することにより、バンプ電極が弾性変形しやすくなる。そのため、上記した弾性変形による利点をより得やすくなる。
本発明の電気光学装置は、上記の基板接合体を備えることを特徴としている。
また、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴としている。
本発明の電気光学装置、並びに電子機器によれば、電気的に安定した品質を有する基板接合体を備えることにより、品質の向上が図られる。
また、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴としている。
本発明の電気光学装置、並びに電子機器によれば、電気的に安定した品質を有する基板接合体を備えることにより、品質の向上が図られる。
以下、本発明の実施の形態例について図面を参照して説明する。
ここで、図１は本発明の基板接合体及び電気光学装置の概略構成を示す断面図、図２から図１３は本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図、図１４及び図１５はバンプ電極の他の形態例を示す図、図１６は発明の電気光学装置を電子機器に適用した例を示す図である。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。
ここで、図１は本発明の基板接合体及び電気光学装置の概略構成を示す断面図、図２から図１３は本発明の基板接合体及び電気光学装置の製造工程を説明するための説明図、図１４及び図１５はバンプ電極の他の形態例を示す図、図１６は発明の電気光学装置を電子機器に適用した例を示す図である。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。
（電気光学装置及び基板接合体）
図１に示すように、電気光学装置１０は、少なくとも基板接合体１１を具備した構成となっている。当該基板接合体１１は、配線基板２０と、有機ＥＬ基板（発光素子基板）３０とを後述の貼り合わせ及び転写工程によって接合した構成となっている。
図１に示すように、電気光学装置１０は、少なくとも基板接合体１１を具備した構成となっている。当該基板接合体１１は、配線基板２０と、有機ＥＬ基板（発光素子基板）３０とを後述の貼り合わせ及び転写工程によって接合した構成となっている。
配線基板２０は、多層基板２１と、多層基板２１に形成された所定形状の配線パターン２２と、配線パターン２２に接続された回路部（ＩＣ）２３と、有機ＥＬ素子３１を駆動させるＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、ＴＦＴ２４と配線パターン２２とを接合するＴＦＴ接続部２５と、有機ＥＬ素子３１と配線パターン２２とを接合する有機ＥＬ接続部２６とによって構成されている。
ここで、ＴＦＴ接続部２５は、ＴＦＴ２４の電極端子パターンに応じて形成されるものであり、無電解めっき処理等によって形成されたバンプ電極（導電性突起部）２５ａと、バンプ電極２５ａを覆って配置される接合材２５ｂとから構成される。バンプ電極２５ａは、後述するように、弾性を有する粒子（弾性粒子）を含んで形成されている。
有機ＥＬ基板３０は、発光光が透過する透明基板３２と、ＩＴＯ等の透明金属からなる陽極３３と、正孔注入／輸送層３４と、有機ＥＬ層３５と、陰極（カソード）３６と、カソードセパレータ３７とを含んで構成されている。
ここで、陽極３３、正孔注入／輸送層３４、有機ＥＬ層３５、及び陰極３６等により、有機ＥＬ層３５に対して正孔及び電子を供給して発光させる、所謂発光機能素子（有機ＥＬ素子３１）が構成される。なお、このような発光機能素子の詳細な構造は、公知技術が採用される。また、有機ＥＬ層３５と陰極３６との間に電子注入／輸送層を形成してもよい。
さらに、配線基板２０と有機ＥＬ基板３０との間には、封止ペースト３８が充填されているとともに、有機ＥＬ接続部２６及び陰極３６間を電気的に導通させる導電性ペースト３９が設けられている。
なお、本実施形態においては、発光素子基板として有機ＥＬ基板を採用した場合について説明するが、これに限定することなく、ＬＥＤ等の固体発光素子を有する発光素子基板を採用してもよい。
なお、本実施形態においては、発光素子基板として有機ＥＬ基板を採用した場合について説明するが、これに限定することなく、ＬＥＤ等の固体発光素子を有する発光素子基板を採用してもよい。
（電気光学装置及び基板接合体の製造方法）
次に、図１に示す電気光学装置１０及び基板接合体１１の製造方法について図２から図１３を参照して説明する。
次に、図１に示す電気光学装置１０及び基板接合体１１の製造方法について図２から図１３を参照して説明する。
（基礎基板の製造方法）
まず、図２を参照し、ＴＦＴ２４を配線基板２０に貼り合わせ及び転写させる前工程として、基礎基板４０上にＴＦＴを形成する工程について説明する。
なお、ＴＦＴ２４の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略し、基礎基板４０と剥離層４１について詳述する。
まず、図２を参照し、ＴＦＴ２４を配線基板２０に貼り合わせ及び転写させる前工程として、基礎基板４０上にＴＦＴを形成する工程について説明する。
なお、ＴＦＴ２４の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略し、基礎基板４０と剥離層４１について詳述する。
基礎基板４０は、電気光学装置１０の構成要素ではなく、ＴＦＴ製造工程と、貼り合わせ及び転写工程にのみに用いられる部材である。具体的には、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましい。また、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱性ガラス等が使用可能である。
この基礎基板の厚さには、大きな制限要素はないが、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。基礎基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基台の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。ただし、基台の照射光の透過率が高い場合には、前記上限値を超えてその厚みを厚くすることができる。
この基礎基板の厚さには、大きな制限要素はないが、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。基礎基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基台の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。ただし、基台の照射光の透過率が高い場合には、前記上限値を超えてその厚みを厚くすることができる。
剥離層４１は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）が生じる材料からなる。即ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層４１に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層４１が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
剥離層４１の組成としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が採用され、また、当該非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層４１に内圧が発生し、これが剥離を促進するので好ましい。この場合の水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０ａｔ％であることが更に好ましい。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
剥離層４１の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。剥離層４１の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層４１の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層４１の残渣を除去するのに時間を要したりする。
剥離層４１の形成方法は、均一な厚みで剥離層４１を形成可能な方法であればよく、剥離層４１の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気めっき、浸漬めっき（ディッピング）、無電解めっき法等の各種めっき法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
特に剥離層４１の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層４１をゾル−ゲル（sol-gel）法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
（配線基板の製造方法）
次に、図２に示した基礎基板４０の製造工程と並行して、図３に示す配線基板２０の製造工程（配線基板の製造方法）が行われる。
ここで、図１２及び図１３を参照して、図３に示す配線基板の製造工程を詳細に説明する。なお、図１２は、配線基板２０を詳述するための断面拡大図、図１３は、バンプ電極の断面拡大図である。
次に、図２に示した基礎基板４０の製造工程と並行して、図３に示す配線基板２０の製造工程（配線基板の製造方法）が行われる。
ここで、図１２及び図１３を参照して、図３に示す配線基板の製造工程を詳細に説明する。なお、図１２は、配線基板２０を詳述するための断面拡大図、図１３は、バンプ電極の断面拡大図である。
図１２に示すように、まず、ガラス基板２０ａの表面に酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）２０ｂをＣＶＤ（化学的気相成長）法を用いて形成する。当該酸化シリコン膜２０ｂの膜厚は２００ｎｍ程度であることが好ましい。
次に、酸化シリコン膜２０ｂ上に第１の配線パターン２２ａを形成する。当該第１の配線パターン２２ａは、積層構造であることが好ましく、本実施形態では、チタニウム、アルミ銅合金、及び窒化チタニウムからなる３層構造（Ｔｉ／Ａｌ・Ｃｕ／ＴｉＮ）を採用している。また、各層膜の膜厚はそれぞれ２０ｎｍ、３００ｎｍ、１００ｎｍ程度であることが好ましい。
次に、第１の配線パターン２２ａ上に樹脂絶縁層２０ｃを形成する。当該樹脂絶縁層２０ｃは、アクリル樹脂によって形成されることが好ましく、その膜厚は２６００ｎｍ程度であることが好ましい。
次に、酸化シリコン膜２０ｂ上に第１の配線パターン２２ａを形成する。当該第１の配線パターン２２ａは、積層構造であることが好ましく、本実施形態では、チタニウム、アルミ銅合金、及び窒化チタニウムからなる３層構造（Ｔｉ／Ａｌ・Ｃｕ／ＴｉＮ）を採用している。また、各層膜の膜厚はそれぞれ２０ｎｍ、３００ｎｍ、１００ｎｍ程度であることが好ましい。
次に、第１の配線パターン２２ａ上に樹脂絶縁層２０ｃを形成する。当該樹脂絶縁層２０ｃは、アクリル樹脂によって形成されることが好ましく、その膜厚は２６００ｎｍ程度であることが好ましい。
次に、樹脂絶縁層２０ｃ上に第２の配線パターン２２ｂを形成する。当該第２の配線パターン２２ｂは、積層構造であることが好ましく、本実施形態では、チタニウム、窒化チタニウム、アルミ銅合金（銅含有量２％）、及び窒化チタニウムからなる４層構造（Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ・２％Ｃｕ／Ｈ−ＴｉＮ）を採用している。また、各層膜の膜厚はそれぞれ２０ｎｍ、５０ｎｍ、１６００ｎｍ、５０ｎｍ程度であることが好ましい。
次に、第２の配線パターン２２ｂ上に樹脂絶縁層２０ｃを形成する。当該樹脂絶縁層２０ｃは、先に記載した材料及び膜厚によって形成される。
次に、第２の配線パターン２２ｂ上に樹脂絶縁層２０ｃを形成する。当該樹脂絶縁層２０ｃは、先に記載した材料及び膜厚によって形成される。
次に、樹脂絶縁層２０ｃ上に第３の配線パターン２２ｃを形成する。当該第３の配線パターン２２ｃは、積層構造であることが好ましく、本実施形態では、チタニウム、窒化チタニウム、及びアルミ銅合金からなる３層構造（Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ・Ｃｕ）を採用している。また、各層膜の膜厚はそれぞれ２０ｎｍ、５０ｎｍ、８０００ｎｍ程度であることが好ましい。
次に、第３の配線パターン２２ｃ上に樹脂絶縁層２０ｃを形成する。当該樹脂絶縁層２０ｃは、先に記載した材料及び膜厚によって形成される。
次に、第３の配線パターン２２ｃ上に樹脂絶縁層２０ｃを形成する。当該樹脂絶縁層２０ｃは、先に記載した材料及び膜厚によって形成される。
このようにガラス基板２０ａ上に、酸化シリコン膜２０ｂと、３層の樹脂絶縁層２０ｃと、３層の配線パターン２２ａ、２２ｂ、２２ｃとが積層されることにより、図１２に示す多層基板２１が形成される。
更に、３層目に形成された樹脂絶縁層２０ｃの一部を除去することにより、第３の配線パターン２２ｃが部分的に露出状態となり、当該露出部分は後の工程でめっきを形成するためのパッド２０ｄ（Ａｌパッド）となる。
なお、本実施形態においては、３層構造の配線パターンを用いたが、２層構造であってもよい。
更に、３層目に形成された樹脂絶縁層２０ｃの一部を除去することにより、第３の配線パターン２２ｃが部分的に露出状態となり、当該露出部分は後の工程でめっきを形成するためのパッド２０ｄ（Ａｌパッド）となる。
なお、本実施形態においては、３層構造の配線パターンを用いたが、２層構造であってもよい。
（バンプ電極の形成方法）
次に、上記配線パターン２２上にＴＦＴ接続用のバンプ電極２５ａを形成する。
具体的には、無電解めっき処理法を用いて、配線パターン２２の露出部分であるパッド２０ｄ上にバンプ電極２５ａを突起状に形成する。めっき処理は、微小領域への電極形成や、電極高さの均一化、処理タクトの短縮化等の面で有利である。また、無電解めっき処理は、下地電極やフォトリソグラフィ工程を省略でき、低コスト化、処理タクトの短縮化が図りやすい。
次に、上記配線パターン２２上にＴＦＴ接続用のバンプ電極２５ａを形成する。
具体的には、無電解めっき処理法を用いて、配線パターン２２の露出部分であるパッド２０ｄ上にバンプ電極２５ａを突起状に形成する。めっき処理は、微小領域への電極形成や、電極高さの均一化、処理タクトの短縮化等の面で有利である。また、無電解めっき処理は、下地電極やフォトリソグラフィ工程を省略でき、低コスト化、処理タクトの短縮化が図りやすい。
ここで、本実施形態のバンプ電極２５ａは、図１３に示すように、複数の弾性粒子２７を含んで形成される。具体的には、バンプ電極２５ａは、複数の弾性粒子２７を含むＮｉめっき層（弾性層２８）を主体としている。Ｎｉめっき層（弾性層２８）の表面の一部は、Ｎｉの酸化防止、あるいは半田などの低融点金属を形成した場合の濡れ性の向上などを目的として、Ａｕに置換（被覆）されている。
弾性粒子２７としては、例えば、樹脂製の粒子である樹脂ボール、内部に空洞を有する樹脂製の粒子（バルーン構造粒子）である中空ボール、及び樹脂ボールまたは中空ボールの表面に導電性の膜（Ｎｉ膜など）を形成した導電粒子等が挙げられる。弾性粒子２７の粒径（中心粒径）は、例えば、直径１〜１０μｍ程度である。
弾性層２８は、これらの弾性粒子を一種類もしくは複数種類含む。弾性層２８に含まれる弾性粒子の密度（数）や種類、あるいは複数種類の弾性粒子の混在割合に応じて、バンプ電極２５ａの導電性や弾性など、電気的あるいは物理的な機能が定まる。例えば、樹脂ボールに比べ、中空ボールは弾性しやすいことから、これらの粒子の混在割合を調整することにより、バンプ電極の硬度（弾性）を制御することが可能である。また、樹脂ボールや中空ボールの粒子密度が高くなるとバンプ電極自身の導電性が低下する。したがって、導電粒子を混在させることにより、バンプ電極の導電性を高めることが可能である。
なお、本実施形態において、バンプ電極２５ａは、一つのＴＦＴ２４に１０個設けられている。また、５バンプ×２列配置とした。バンプの大きさは１０〜５０μｍ×１０〜５０μｍとし、バンプ間のスペースは５〜５０μｍとした。
バンプ電極２５ａの形成方法の一例について以下に詳述する。
まず、パッド２０ｄの表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために処理液に浸漬する。一例として、フッ酸が０．０１％〜０．１％、及び硫酸が０．０１％〜０．５％含有した水溶液中に１分〜５分間含浸する。あるいは０．１％〜１０％の水酸化ナトリウム等のアルカリベースの水溶液に１分〜１０分浸漬してもよい。
まず、パッド２０ｄの表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために処理液に浸漬する。一例として、フッ酸が０．０１％〜０．１％、及び硫酸が０．０１％〜０．５％含有した水溶液中に１分〜５分間含浸する。あるいは０．１％〜１０％の水酸化ナトリウム等のアルカリベースの水溶液に１分〜１０分浸漬してもよい。
次に、水酸化ナトリウムベースでｐＨが９〜１３のアルカリ性水溶液を２０℃〜６０℃に加温した中に１秒〜５分間浸漬し、表面の酸化膜を除去する。あるいは５％〜３０％硝酸をベースとしたｐＨ１〜３の酸性水溶液を２０℃〜６０℃に加温した中に１秒〜５分間浸漬してもよい。
次に、ＺｎＯを含有したｐＨ１１〜１３のジンケート液中に１秒〜２分間浸漬し、パッド表面をＺｎに置換する。その後、５％〜３０％の硝酸水溶液に１秒〜６０秒浸漬し、Ｚｎを剥離する。そして、再度ジンケート浴中に１秒〜２分浸漬し、緻密なＺｎ粒子をパット表面に析出させる（２ｎｄジンケート処理）。
次に、ＺｎＯを含有したｐＨ１１〜１３のジンケート液中に１秒〜２分間浸漬し、パッド表面をＺｎに置換する。その後、５％〜３０％の硝酸水溶液に１秒〜６０秒浸漬し、Ｚｎを剥離する。そして、再度ジンケート浴中に１秒〜２分浸漬し、緻密なＺｎ粒子をパット表面に析出させる（２ｎｄジンケート処理）。
次に、弾性粒子２７（平均粒径は例えば直径３μｍ）を分散させた無電解Ｎｉめっき浴に浸漬する。めっき浴をプロペラ等で攪拌し、弾性粒子を浴内で均一に共析させ、弾性粒子を均一に取り込んだＮｉ及び弾性粒子共析めっき層（図１３に示す弾性層２８）を形成する。めっき高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。
ここで、弾性粒子２７として、導電粒子を用いる場合は、異常析出の核となりうるため、異常析出が生じにくい条件（弾性粒子の表面活性度を低下させる条件）を選定する必要がある。なお、表面にＮｉ膜が形成された導電粒子は、その表面に表面活性度の低い酸化膜が形成されるため、異常析出の核となりにくい。
ここで、弾性粒子２７として、導電粒子を用いる場合は、異常析出の核となりうるため、異常析出が生じにくい条件（弾性粒子の表面活性度を低下させる条件）を選定する必要がある。なお、表面にＮｉ膜が形成された導電粒子は、その表面に表面活性度の低い酸化膜が形成されるため、異常析出の核となりにくい。
最後に、置換Ａｕめっき浴中に浸漬し、Ｎｉ表面をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。Ａｕ浴はシアンフリータイプを用い、ｐＨ６〜８、浴温５０℃〜８０℃で、１分〜３０分間の浸漬を行う。必要があれば、さらに化学還元Ａｕめっき浴中に浸漬し、Ａｕを厚く形成する。この場合、Ａｕは０．３μｍ〜２．０μｍ程度に形成する。Ａｕ浴はシアンフリータイプを用い、ｐＨ６〜８、浴温５０℃〜８０℃で、３０分〜３時間の浸漬を行う。
このようにしてパッド２０ｄ上にＮｉ（弾性粒子）−Ａｕめっきバンプ（バンプ電極２５ａ）を形成する。また、Ｎｉ−Ａｕめっきバンプ上に、半田やＰｂフリー半田を、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系等の半田をスクリーン印刷やディッピング等で形成してバンプとしてもよい。
なお、各化学処理の間には、水洗処理を行う。水洗槽はオーバーフロー構造あるいはＱＤＲ機構を有しており、最下面からＮ２バブリングを行う。バブリング方法は、テフロン（登録商標）製のチューブ等に穴を開け、Ｎ２を出す方法や、焼結体等を通じてＮ２を出す。以上の工程により、短時間で十分効果のあるリンスを行うことができる。
このような一連の無電解めっき処理を行うことにより、配線基板２０（多層基板２１）上に弾性粒子２７を含むバンプ電極２５ａが形成され、配線基板２０の製造方法が終了となる。
なお、各化学処理の間には、水洗処理を行う。水洗槽はオーバーフロー構造あるいはＱＤＲ機構を有しており、最下面からＮ２バブリングを行う。バブリング方法は、テフロン（登録商標）製のチューブ等に穴を開け、Ｎ２を出す方法や、焼結体等を通じてＮ２を出す。以上の工程により、短時間で十分効果のあるリンスを行うことができる。
このような一連の無電解めっき処理を行うことにより、配線基板２０（多層基板２１）上に弾性粒子２７を含むバンプ電極２５ａが形成され、配線基板２０の製造方法が終了となる。
（ＴＦＴの転写工程）
次に、図４から図８を参照して、上記の配線基板２０と基礎基板４０とを貼り合わせて、ＴＦＴ２４を配線基板２０に転写する方法について説明する。
ここで、ＴＦＴ２４の転写工程としては公知の技術が採用されるが、本実施形態では特にＳＵＦＴＬＡ（Surface Free Technology by Laser Ablation）（登録商標）と呼ばれる転写技術を用いる。
次に、図４から図８を参照して、上記の配線基板２０と基礎基板４０とを貼り合わせて、ＴＦＴ２４を配線基板２０に転写する方法について説明する。
ここで、ＴＦＴ２４の転写工程としては公知の技術が採用されるが、本実施形態では特にＳＵＦＴＬＡ（Surface Free Technology by Laser Ablation）（登録商標）と呼ばれる転写技術を用いる。
まず、図４に示すように、配線基板２０のバンプ電極２５ａ上に非導電性の接合材２５ｂを配置する。接合材２５ｂの配置方法としては、各種印刷法の他に、インクジェット法、粉末ジェット法、スキージング法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法の種々の公知技術、並びにこれらの塗布法を用いたフォトリソグラフィ法等が用いられる。なお、接合材の配置に先立って、接合材２５ｂと接合材２５ｂとの密着性を向上するための処理を行ってもよい。また、基礎基板４０のバンプ電極２５ａと重なる部分のＴＦＴ２４上側に接合材２５ｂを配置してもよい。
次に、図５に示すように、接合材２５ｂを介して基礎基板４０と配線基板２０とを貼り合わせる。そして、図６に示すように、配線基板２０に対して基礎基板４０を加圧して押し付けるとともに、接合材２５ｂを加熱して熱硬化させる。接合材２５ｂの加熱方法としては、温風供給法、赤外線加熱法など様々な加熱法が適用可能である。上記加圧によりＴＦＴ２４の電極と配線基板２０のバンプ電極２５ａとが接して電気的に接続されるとともに、接合材２５ｂが温度上昇して熱硬化することにより、ＴＦＴ２４（電極）とバンプ電極２５ａとが接合される。
この接合時、本実施形態では、バンプ電極２５ａが弾性粒子２７（図１３参照）を含んで形成されていることから、バンプ電極２５ａが弾性変形する。そして、このバンプ電極２５ａの弾性変形により、複数のバンプ電極２５ａの間の高さのバラツキや基板の反りの影響が緩和され、ＴＦＴ２４及び配線基板２０の各電極同士が良好に接触し、ＴＦＴ２４と配線基板２０との導通が確実に確保される。また、本実施形態では、非導電性の接合材２５ｂを用いていることから、バンプ電極２５ａ間のショートの発生が防止される。さらに、バンプ電極２５ａに含まれる弾性粒子の種類や量などによって、バンプ電極２５ａの硬度（弾性）を調整することが可能であるから、接合時の荷重の適正化を図ることで、処理あるいは装置上の不具合の発生も防止される。
次に、図７に示すように、接合材２５ｂが配置された部分のみを局所的に、かつ、基礎基板４０の裏面側（ＴＦＴ非形成面）から、レーザ光ＬＡを照射する。これにより、剥離層４１の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層４１内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、ＴＦＴ２４と基礎基板４０との結合力が完全になくなり、レーザ光ＬＡが照射された部分のＴＦＴ２４を容易に取り外すことが可能となる。
次に、図８に示すように、基礎基板４０と配線基板２０とを引き離すことにより、基礎基板４０上からＴＦＴ２４が除去されるとともに、当該ＴＦＴ２４が配線基板２０に転写される。なお、ＴＦＴ２４の端子は、上記のバンプ電極２５ａ及び接合材２５ｂを介して、配線パターン２２に電気的に接続されている。
（有機ＥＬ基板の貼り合わせ工程）
次に、図９から図１１を参照して、上記の配線基板２０と有機ＥＬ基板３０とを貼り合わせて、最終的に図１に示す電気光学装置１０を形成する工程について説明する。
図９に示すように、有機ＥＬ基板３０は、透明基板３２上に、順に陽極３３と、正孔注入／輸送層３４と、有機ＥＬ層３５と、陰極３６とが形成された構造となっている。また、陰極３６は、カソードセパレータ３７が形成された状態で成膜されるので、陰極３６は隣接する陰極と分離されている。
また、図１０に示すように、配線基板２０の有機ＥＬ接続部２６上には導電性ペースト３９が配置されている。ここで、導電性ペースト３９としては、例えば、Ａｇペースト、はんだペースト等が用いられる。なお、前記Ａｇペースト、はんだペーストなどに接合補助機能を有する異方性導電ペースト（ＡＣＰ）や非導電ペースト（ＮＣＰ）を加えてもよい。
次に、図９から図１１を参照して、上記の配線基板２０と有機ＥＬ基板３０とを貼り合わせて、最終的に図１に示す電気光学装置１０を形成する工程について説明する。
図９に示すように、有機ＥＬ基板３０は、透明基板３２上に、順に陽極３３と、正孔注入／輸送層３４と、有機ＥＬ層３５と、陰極３６とが形成された構造となっている。また、陰極３６は、カソードセパレータ３７が形成された状態で成膜されるので、陰極３６は隣接する陰極と分離されている。
また、図１０に示すように、配線基板２０の有機ＥＬ接続部２６上には導電性ペースト３９が配置されている。ここで、導電性ペースト３９としては、例えば、Ａｇペースト、はんだペースト等が用いられる。なお、前記Ａｇペースト、はんだペーストなどに接合補助機能を有する異方性導電ペースト（ＡＣＰ）や非導電ペースト（ＮＣＰ）を加えてもよい。
図１１に示すように、有機ＥＬ基板３０を反転し、陰極３６が導電性ペースト３９と接触するように、有機ＥＬ基板３０と配線基板２０とが貼り合わされる。更に、両基板間の空間に封止ペースト３８が封入され、更に、両基板の周辺を封止剤４２によって封止することにより、電気光学装置１０が完成となる。
なお、この電気光学装置１０は、有機ＥＬ基板３０における配線基板２０側から、順に陰極３６、有機ＥＬ層３５、正孔注入／輸送層３４、陽極３３が配置された、陽極３３側から発光光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置となる。
なお、この電気光学装置１０は、有機ＥＬ基板３０における配線基板２０側から、順に陰極３６、有機ＥＬ層３５、正孔注入／輸送層３４、陽極３３が配置された、陽極３３側から発光光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置となる。
（導通確認）
このように製造された基板接合体１１及び電気光学装置１０について、ＴＦＴ２４と配線との良好な導通が確認され、また、バンプ電極２５ａ間のショートは確認されなかった。
このように製造された基板接合体１１及び電気光学装置１０について、ＴＦＴ２４と配線との良好な導通が確認され、また、バンプ電極２５ａ間のショートは確認されなかった。
（比較例）
上述の実施形態で形成されたバンプ電極２５ａと、寸法を変更することなく、同一寸法で形成したバンプ電極との比較を行った。
バンプ形成方法は、２ｎｄジンケート処理まで上記実施形態と同様である。
無電解Ｎｉめっき浴に浸漬し、Ｎｉめっきを形成する。めっき高さは２〜１０μｍ程度析出させる。めっき浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であり、ｐＨ４〜５、浴温８０〜９５℃である。次亜リン酸浴のためリン（Ｐ）が共析する。
その後、上記実施形態で用いた置換Ａｕめっき処理を行い、Ａｌパッド上にＮｉ−Ａｕめっきバンプを形成する。
作製したバンプを用いた配線基板とＴＦＴとを異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含有する接合材を介して接合した。その結果、バンプ電極が小さい水準で導電粒子が介在できず、オープン不良が認められた。また、バンプ電極間スペースの小さい水準でバンプ間ショート不良が認められた。
上述の実施形態で形成されたバンプ電極２５ａと、寸法を変更することなく、同一寸法で形成したバンプ電極との比較を行った。
バンプ形成方法は、２ｎｄジンケート処理まで上記実施形態と同様である。
無電解Ｎｉめっき浴に浸漬し、Ｎｉめっきを形成する。めっき高さは２〜１０μｍ程度析出させる。めっき浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であり、ｐＨ４〜５、浴温８０〜９５℃である。次亜リン酸浴のためリン（Ｐ）が共析する。
その後、上記実施形態で用いた置換Ａｕめっき処理を行い、Ａｌパッド上にＮｉ−Ａｕめっきバンプを形成する。
作製したバンプを用いた配線基板とＴＦＴとを異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含有する接合材を介して接合した。その結果、バンプ電極が小さい水準で導電粒子が介在できず、オープン不良が認められた。また、バンプ電極間スペースの小さい水準でバンプ間ショート不良が認められた。
このように、上記実施形態では、バンプ電極２５ａが弾性変形することによって、ＴＦＴ２４が配線基板２０上に良好に接合され、また、非導電性の接合材２５ｂを用いることで、ショートが発生する可能性も低い。そのため、製造された電気光学装置１０は、電気的に安定した品質を有するものとなる。
（他の形態例）
図１４及び図１５は、バンプ電極２５ａの他の形態例を示している。
図１４及び図１５は、バンプ電極２５ａの他の形態例を示している。
図１４に示すバンプ電極２５ａは、弾性粒子２７を含む弾性層６０と、弾性粒子を含まない難弾性層６１とを含む多層構造からなる。具体的には、配線基板２０のパッド２０ｄ上にＮｉめっき層（難弾性層６１）が形成され、その上に複数の弾性粒子２７を含むＮｉめっき層（弾性層６０）が積層されている。Ｎｉめっき層（弾性層６０）の表面の一部は、Ｎｉの酸化防止、あるいは半田などの低融点金属を形成した場合の濡れ性の向上などを目的として、Ａｕに置換（被覆）されている。また、難弾性層６１の硬度は、例えば５００〜１０００ＨＶである。
図１４のバンプ電極２５ａの形成方法について説明する。
２ｎｄジンケート処理までは上記実施形態と同様である。次に、無電解Ｎｉめっき浴に浸漬し、Ｎｉめっき層（難弾性層６１）を形成する。めっき高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。めっき浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であり、ｐＨ４〜５、浴温８５℃〜９５℃である。次亜リン酸浴のためリン（Ｐ）が共析する。
そして、リンス後、乾かすことなく、弾性粒子２７（平均粒径は例えば直径３μｍ）を分散させた無電解Ｎｉめっき浴に浸漬する。めっき浴をプロペラ等で攪拌し、弾性粒子を浴内で均一に共析させ、弾性粒子を均一に取り込んだＮｉ及び弾性粒子共析めっき層（弾性層６０）を形成する。めっき高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。
最後に、上記実施形態と同様に、置換Ａｕめっき浴中に浸漬し、Ｎｉ表面をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。
このようにしてパッド２０ｄ上に、Ｎｉ−Ｎｉ（弾性粒子）−Ａｕめっきバンプ（バンプ電極２５ａ）を形成する。
２ｎｄジンケート処理までは上記実施形態と同様である。次に、無電解Ｎｉめっき浴に浸漬し、Ｎｉめっき層（難弾性層６１）を形成する。めっき高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。めっき浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であり、ｐＨ４〜５、浴温８５℃〜９５℃である。次亜リン酸浴のためリン（Ｐ）が共析する。
そして、リンス後、乾かすことなく、弾性粒子２７（平均粒径は例えば直径３μｍ）を分散させた無電解Ｎｉめっき浴に浸漬する。めっき浴をプロペラ等で攪拌し、弾性粒子を浴内で均一に共析させ、弾性粒子を均一に取り込んだＮｉ及び弾性粒子共析めっき層（弾性層６０）を形成する。めっき高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。
最後に、上記実施形態と同様に、置換Ａｕめっき浴中に浸漬し、Ｎｉ表面をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。
このようにしてパッド２０ｄ上に、Ｎｉ−Ｎｉ（弾性粒子）−Ａｕめっきバンプ（バンプ電極２５ａ）を形成する。
図１４のバンプ電極２５ａは、多層構造からなるので、電気的あるいは物理的な機能の向上を図りやすい。すなわち、硬度の低い弾性層６０とは別に、硬度の高い難弾性層６１を含むことから、バンプ電極２５ａの高さを高く形成しやすい。しかも、本例では、弾性層６０の下に難弾性層６１を配していることから、バンプ電極２５ａの基礎部分の構造的な強度の向上が図られている。
なお、バンプ電極２５ａを多層構造とする形態例は、例えば以下のような形態とするなど様々な変形が可能である。
（１）バンプ電極が弾性粒子を含む複数の弾性層を含み、それら複数の弾性層の粒子密度が互いに異なる。この場合、層ごとに弾性（硬度）が変化することから、例えば、バンプ電極の構造的な強度を確保しつつ、バンプ電極の高さや硬度（弾性）を所望の状態に調整することが可能となる。
（２）バンプ電極が弾性粒子を含む複数の弾性層を含み、それら複数の弾性層に含まれる弾性粒子の種類（あるいはその混合比）が異なる。この場合、層ごとに異なる機能を持たせることが可能となり、電気的あるいは物理的な機能の向上を図りやすい。
（１）バンプ電極が弾性粒子を含む複数の弾性層を含み、それら複数の弾性層の粒子密度が互いに異なる。この場合、層ごとに弾性（硬度）が変化することから、例えば、バンプ電極の構造的な強度を確保しつつ、バンプ電極の高さや硬度（弾性）を所望の状態に調整することが可能となる。
（２）バンプ電極が弾性粒子を含む複数の弾性層を含み、それら複数の弾性層に含まれる弾性粒子の種類（あるいはその混合比）が異なる。この場合、層ごとに異なる機能を持たせることが可能となり、電気的あるいは物理的な機能の向上を図りやすい。
図１５に示すバンプ電極２５ａは、先の図１３に示したものと同様に、複数の弾性粒子２７を含むＮｉめっき層（弾性層６５）を主体とした構造からなるとともに、弾性粒子２７の一部が表面から突出して形成されている。Ｎｉめっき層（弾性層６５）の表面及び突出した弾性粒子２７の表面の一部は、Ｎｉの酸化防止、あるいは半田などの低融点金属を形成した場合の濡れ性の向上などを目的として、Ａｕに置換（被覆）されている。
図１５のバンプ電極２５ａの形成方法について説明する。
２ｎｄジンケート処理、及び弾性粒子２７を含むＮｉめっき層（弾性層６５）の形成までは図１３のバンプ電極２５ａと同様である。次に、弾性層６５のＮｉ表面をエッチングする。エッチングは、１〜２０％の硝酸などの酸性溶液に浸漬し（ウェットエッチング）、Ｎｉめっき層（弾性層６５）に取り込まれている弾性粒子２７をある程度突出させる（例えば、粒子の半分以上が露出した状態にする）。
最後に、上記実施形態と同様に、置換Ａｕめっき浴中に浸漬し、Ｎｉ表面（弾性層６５及び弾性粒子２７の表面）をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。
このようにしてパッド２０ｄ上に、弾性粒子２７の一部が突出した状態の、Ｎｉ（弾性粒子）−Ａｕめっきバンプ（バンプ電極２５ａ）を形成する。
２ｎｄジンケート処理、及び弾性粒子２７を含むＮｉめっき層（弾性層６５）の形成までは図１３のバンプ電極２５ａと同様である。次に、弾性層６５のＮｉ表面をエッチングする。エッチングは、１〜２０％の硝酸などの酸性溶液に浸漬し（ウェットエッチング）、Ｎｉめっき層（弾性層６５）に取り込まれている弾性粒子２７をある程度突出させる（例えば、粒子の半分以上が露出した状態にする）。
最後に、上記実施形態と同様に、置換Ａｕめっき浴中に浸漬し、Ｎｉ表面（弾性層６５及び弾性粒子２７の表面）をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。
このようにしてパッド２０ｄ上に、弾性粒子２７の一部が突出した状態の、Ｎｉ（弾性粒子）−Ａｕめっきバンプ（バンプ電極２５ａ）を形成する。
図１５のバンプ電極２５ａは、弾性粒子２７の一部が突出状態に露出していることから、バンプ電極２５ａが弾性変形しやすい。すなわち、一部が突出した弾性粒子２７は、すべてがＮｉめっき層内に埋もれている状態に比べて、弾性変形しやすい。したがって、より少ない荷重での接合が可能となるとともに、弾性変形による利点（導通性の向上、バンプ電極高さのバラツキの吸収効果など）を得やすい。
次に、本発明の電気光学装置を電子機器に適用した例について説明する。
図１６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１６（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１６（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１６（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１６（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１６（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１６（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えたものであるので、電子素子の実装不良が少なく、高品質化が図られる。
なお、本実施形態の電子機器は有機ＥＬ装置を備えるものとしたが、液晶装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
図１６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１６（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１６（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１６（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１６（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１６（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１６（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えたものであるので、電子素子の実装不良が少なく、高品質化が図られる。
なお、本実施形態の電子機器は有機ＥＬ装置を備えるものとしたが、液晶装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
また、上記例では、電子素子としてＴＦＴを配線基板に転写する構成としたが、本発明における電子素子としては、ＴＦＴ素子以外にも、薄膜ダイオード、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：ＩＴＯ、メサ膜のような透明電極）、太陽電池やイメージセンサ等に用いられる光電変換素子、スイッチング素子、メモリー、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体等の記録媒体、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー、偏光素子等の光学薄膜、半導体薄膜、超伝導薄膜（例：ＹＢＣＯ薄膜）、磁性薄膜、金属多層薄膜、金属セラミック多層薄膜、金属半導体多層薄膜、セラミック半導体多層薄膜、有機薄膜と他の物質の多層薄膜等が挙げられる。
このなかでも、特に、薄膜デバイス、マイクロ磁気デバイス、マイクロ三次元構造物の構成、アクチュエータ、マイクロミラー等に適用することの有用性が高く、好ましい。
このなかでも、特に、薄膜デバイス、マイクロ磁気デバイス、マイクロ三次元構造物の構成、アクチュエータ、マイクロミラー等に適用することの有用性が高く、好ましい。
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
１０…電気光学装置、１１…基板接合体、２０…配線基板（第２基板）、３０…有機ＥＬ基板（発光素子基板）、２４…ＴＦＴ（電子素子、スイッチング素子）、２５…ＴＦＴ接続部、２５ａ…バンプ電極（導電性突起部）、２５ｂ…接合材、２７…弾性粒子、２８，６０，６５…弾性層、３１…有機ＥＬ素子（発光素子）、４０…基礎基板（第１基板）４１…剥離層、６１…難弾性層。
Claims (17)
- 第１基板上に形成された電子素子を第２基板上に形成された配線上に転写配置する工程を有する基板接合体の製造方法であって、
前記電子素子と前記配線との少なくとも一方に、弾性粒子を含むバンプ電極を形成するバンプ電極形成工程を有することを特徴とする基板接合体の製造方法。 - 前記弾性粒子は、樹脂製の粒子である樹脂ボールと、内部に空洞を有する樹脂製の粒子である中空ボールと、前記樹脂ボールまたは前記中空ボールの表面に導電性の膜を形成した導電粒子とのうちの少なくとも一種類を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板接合体の製造方法。
- 前記バンプ電極形成工程は、めっき処理により前記弾性粒子を含む弾性層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板接合体の製造方法。
- 前記めっき処理は、無電解めっき処理であることを特徴とする請求項３に記載の基板接合体の製造方法。
- 前記バンプ電極形成工程は、前記弾性粒子を含まない難弾性層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の基板接合体の製造方法。
- 前記弾性層は、前記難弾性層の上に重ねて配されることを特徴とする請求項５に記載の基板接合体の製造方法。
- 前記バンプ電極形成工程は、前記弾性層を形成した後に、該弾性層に含まれる前記弾性粒子の一部を突出状態に露出させる工程を含むことを特徴とする請求項３から請求項６のうちのいずれかに記載の基板接合体の製造方法。
- 電子素子が接合された配線が形成された配線基板と、前記電子素子に対応する発光機能素子が形成された発光素子基板とが接合された基板接合体であって、
前記電子素子と前記配線とは、弾性粒子を含むバンプ電極を介して電気的に接続されていることを特徴とする基板接合体。 - 前記弾性粒子は、樹脂製の粒子である樹脂ボールと、内部に空洞を有する樹脂製の粒子である中空ボールと、前記樹脂ボールまたは前記中空ボールの表面に導電性の膜を形成した導電粒子とのうちの少なくとも一種類を含むことを特徴とする請求項８に記載の基板接合体。
- 前記バンプ電極は、複数種類の前記弾性粒子を含むことを特徴とする請求項９に記載の基板接合体。
- 前記バンプ電極は、多層構造からなることを特徴とする請求項８から請求項１０のうちのいずれかに記載の基板接合体。
- 前記バンプ電極は、前記弾性粒子を含む弾性層と、前記弾性粒子を含まない難弾性層とを含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板接合体。
- 前記バンプ電極は、前記弾性粒子を含む複数の弾性層を含み、
前記複数の弾性層は、粒子密度が互いに異なることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の基板接合体。 - 前記バンプ電極は、前記弾性粒子の一部が表面から突出して形成されたものであることを特徴とする請求項８から請求項１３のうちのいずれかに記載の基板接合体。
- 請求項８から請求項１４のうちのいずれかに記載の基板接合体を備えることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項１５に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
- 弾性粒子を含む弾性層を有してなり、
前記弾性層に含まれる前記弾性粒子の一部が前記弾性層の表面から突出していることを特徴とするバンプ電極構造。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2003412374A JP2005175170A (ja) | 2003-12-10 | 2003-12-10 | 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置、電子機器、並びにバンプ電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2003412374A JP2005175170A (ja) | 2003-12-10 | 2003-12-10 | 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置、電子機器、並びにバンプ電極構造 |
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ID=34732835
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| JP2003412374A Withdrawn JP2005175170A (ja) | 2003-12-10 | 2003-12-10 | 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置、電子機器、並びにバンプ電極構造 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2005175170A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017032956A (ja) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| CN114613818A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-06-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置 |
| WO2023106177A1 (ja) * | 2021-12-06 | 2023-06-15 | 東レ株式会社 | Ｌｅｄ実装基板の製造方法 |
-
2003
- 2003-12-10 JP JP2003412374A patent/JP2005175170A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
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| WO2023106177A1 (ja) * | 2021-12-06 | 2023-06-15 | 東レ株式会社 | Ｌｅｄ実装基板の製造方法 |
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| CN114613818B (zh) * | 2022-03-02 | 2023-10-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置 |
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