KR100472854B1 - Dual Panel Type Organic Electroluminescent Device and Method for Fabricating the same - Google Patents

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KR100472854B1 KR10-2002-0041938A KR20020041938A KR100472854B1 KR 100472854 B1 KR100472854 B1 KR 100472854B1 KR 20020041938 A KR20020041938 A KR 20020041938A KR 100472854 B1 KR100472854 B1 KR 100472854B1
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Abstract

본 발명에서는, 화면을 구현하는 최소단위인 서브픽셀(sub-pixel) 영역이 정의된 제 1, 2 기판과; 상기 제 1 기판의 내부면에 서브픽셀 단위로 형성된 박막트랜지스터를 가지는 어레이 소자층과; 상기 어레이 소자층 상부 전면에 상기 박막트랜지스터의 일전극을 노출시키며 구비된 보호층과; 상기 제 2 기판의 내부면에 형성되며, 최하부에 서브픽셀 단위로 형성되는 제 2 전극이 구비된 유기전계발광 다이오드와; 상기 보호층 위로 상기 노출된 상기 박막트랜지스터의 일전극과 직접 접촉하며, 상기 제 2 전극의 하부면과 접촉되는 저융점 금속물질로 이루어진 연결패턴을 포함하며, 상기 연결패턴의 제 2 전극과 접촉되는 접촉 영역은, 상기 접촉 영역과 인접한 상기 연결패턴의 연결 영역보다 넓은 면적을 가지는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자를 제공함으로써, 첫째, 생산수율 및 생산관리 효율을 향상시킬 수 있고, 제품수명을 늘릴 수 있고, 둘째, 상부발광방식이기 때문에 박막트랜지스터 설계가 용이해지고 고개구율/고해상도 구현이 가능하며, 셋째, 상부발광방식이면서 인캡슐레이션 구조이기 때문에, 외기로부터 안정적인 제품을 제공할 수 있고, 넷째, 유기전계발광 다이오드 소자와 박막트랜지스터간의 접착력을 향상시킬 수 있어, 제품 불량을 최소화하면서 신뢰성이 향상된 제품을 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a display apparatus comprising: first and second substrates defining a sub-pixel area that is a minimum unit for implementing a screen; An array element layer having a thin film transistor formed on an inner surface of the first substrate in units of subpixels; A protective layer provided on the entire upper surface of the array element layer to expose one electrode of the thin film transistor; An organic light emitting diode formed on an inner surface of the second substrate and having a second electrode formed at a lowermost portion in subpixel units; A connection pattern made of a low melting metal material in direct contact with the one electrode of the exposed thin film transistor on the protective layer and in contact with a lower surface of the second electrode, and in contact with the second electrode of the connection pattern. By providing a dual panel type organic light emitting display device having a larger area than the connection area of the connection pattern adjacent to the contact area, the contact area can firstly improve production yield and production management efficiency and increase product life. Second, because of the top emitting method, it is easy to design thin film transistors and realize high opening ratio / high resolution. Third, because of the top emitting method and the encapsulation structure, it is possible to provide stable products from the outside air. Adhesion between the EL device and the thin film transistor can be improved, minimizing product defects While it is possible to provide an improved product reliability.

Description

듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법{Dual Panel Type Organic Electroluminescent Device and Method for Fabricating the same} Dual Panel Type Organic Electroluminescent Device and Method for Fabricating the same

본 발명은 유기전계발광 소자(Organic Electroluminescent Device)에 관한 것이며, 특히 듀얼패널타입(dual panel type) 유기전계발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to a dual panel type organic electroluminescent device.

새로운 평판 디스플레이(FPb ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계발광 소자는 자체발광형이기 때문에 액정표시장치에 비해 시야각, 콘트라스트 등이 우수하며 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부충격에 강하고 사용온도범위도 넓으며 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다. One of the new flat panel displays (FPb), the organic light emitting diode is self-luminous, so it has better viewing angle, contrast, etc. than the liquid crystal display, and it is light and thin because no backlight is required. Is also advantageous. In addition, since it is possible to drive DC low voltage, fast response speed, and all solid, it is strong against external shock, wide use temperature range, and especially inexpensive in terms of manufacturing cost.

특히, 상기 유기전계발광 소자의 제조공정에는, 액정표시장치나 PbP(Plasma Display Panel)와 달리 증착(deposition) 및 인캡슐레이션(encapsulation) 장비가 전부라고 할 수 있기 때문에, 공정이 매우 단순하다. In particular, unlike the liquid crystal display device or PbP (Plasma Display Panel), the process of manufacturing the organic light emitting device can be described as deposition and encapsulation equipment, so the process is very simple.

종래에는 이러한 유기전계발광 소자의 구동방식으로 별도의 스위칭 소자를 구비하지 않는 패시브 매트릭스형(passive matrix)이 주로 이용됐었다. In the related art, a passive matrix having no separate switching device has been mainly used as a driving method of the organic light emitting device.

그러나, 상기 패시브 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하므로, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것 만큼의 순간 휘도를 내야만 한다. However, in the passive matrix method, since the scan lines and the signal lines are configured to form a device in a matrix form, the scanning lines are sequentially driven over time in order to drive each pixel, thereby requiring the average luminance. In order to indicate, the instantaneous luminance is equal to the average luminance multiplied by the number of lines.

그러나, 액티브 매트릭스 방식에서는, 픽셀(pixel)을 온/오프(on/off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)가 서브픽셀(sub pixel)별로 위치하고, 이 박막트랜지스터와 연결된 제 1 전극은 서브픽셀 단위로 온/오프되고, 이 제 1 전극과 대향하는 제 2 전극은 공통전극이 된다. However, in the active matrix method, a thin film transistor, which is a switching element for turning on / off a pixel, is positioned for each subpixel, and the first electrode connected to the thin film transistor is The second electrode, which is turned on / off in subpixel units and faces the first electrode, becomes a common electrode.

그리고, 상기 액티브 매트릭스 방식에서는 픽셀에 인가된 전압이 스토리지 캐패시터(CST ; storage capacitance)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선 수에 관계없이 한 화면동안 계속해서 구동한다.In the active matrix method, a voltage applied to a pixel is charged in a storage capacitor (C ST ), so that power is applied until the next frame signal is applied, thereby relating to the number of scan lines. Run continuously for one screen without

따라서, 액티브 매트릭스 방식에 의하면 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가진다. Therefore, according to the active matrix method, since the same luminance is applied even when a low current is applied, it has the advantage of low power consumption, high definition, and large size.

이하, 이러한 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 기본적인 구조 및 동작특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the basic structure and operation characteristics of the active matrix organic electroluminescent device will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 기본 픽셀 구조를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a basic pixel structure of a general active matrix organic electroluminescent device.

도시한 바와 같이, 제 1 방향으로 주사선이 형성되어 있고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되며, 서로 일정간격 이격된 신호선 및 전력공급 라인(powersupply line)이 형성되어 있어, 하나의 서브픽셀 영역을 정의한다. As shown, a scanning line is formed in a first direction, and a signal line and a power supply line are formed in a second direction crossing the first direction and spaced apart from each other by a predetermined distance. Define the subpixel area.

상기 주사선과 신호선의 교차지점에는 어드레싱 엘리먼트(addressing element)인 스위칭 박막트랜지스터(switching TFT)가 형성되어 있고, 이 스위칭 박막트랜지스터 및 전력공급 라인과 연결되어 스토리지 캐패시터(CST)가 형성되어 있으며, 이 스토리지 캐패시터(CST) 및 전력공급 라인과 연결되어, 전류원 엘리먼트(current source element)인 구동 박막트랜지스터가 형성되어 있고, 이 구동 박막트랜지스터와 연결되어 유기전계발광 다이오드(Electroluminescent Diode)가 구성되어 있다.A switching TFT, which is an addressing element, is formed at the intersection of the scan line and the signal line, and is connected to the switching thin film transistor and the power supply line to form a storage capacitor C ST . A driving thin film transistor, which is connected to the storage capacitor C ST and a power supply line, is formed, and the driving thin film transistor is connected to the driving thin film transistor to form an organic electroluminescent diode.

이 유기전계발광 다이오드는 유기발광물질에 순방향으로 전류를 공급하면, 정공 제공층인 양극(anode electrode)과 전자 제공층인 음극(cathode electrode)간의 P(positive)-N(negative) 접합(Junction)부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하여, 상기 전자와 정공이 떨어져 있을 때보다 작은 에너지를 가지게 되므로, 이때 발생하는 에너지 차로 인해 빛을 방출하는 원리를 이용하는 것이다. When the organic light emitting diode is supplied with a current in the forward direction, the organic light emitting diode has a positive (N) junction between the anode electrode, which is a hole providing layer, and the cathode electrode, which is an electron providing layer. Electrons and holes recombine with each other as they move through the part, and thus have a smaller energy than when the electrons and holes are separated, thereby utilizing the principle of emitting light due to the energy difference generated.

상기 유기전계발광 소자는 유기전계발광 다이오드를 통해 발광된 빛의 투과방향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉜다. The organic light emitting device is classified into a top emission type and a bottom emission type according to a transmission direction of light emitted through the organic light emitting diode.

이하, 도 2는 종래의 하부발광방식 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도로서, 적, 녹, 청 서브픽셀로 구성되는 하나의 픽셀 영역을 중심으로 도시하였다. Hereinafter, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a conventional bottom emission type organic light emitting display device, and is illustrated based on one pixel area including red, green, and blue subpixels.

도시한 바와 같이, 제 1, 2 기판(10, 30)이 서로 대향되게 배치되어 있고, 제 1, 2 기판(10, 30)의 가장자리부는 씰패턴(40 ; seal pattern)에 의해 봉지되어 있는 구조에 있어서, 제 1 기판(10)의 투명 기판(1) 상부에는 서브 픽셀별로 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있고, 박막트랜지스터(T)와 연결되어 제 1 전극(12)이 형성되어 있고, 박막트랜지스터(T) 및 제 1 전극(12) 상부에는 박막트랜지스터(T)와 연결되어 제 1 전극(12)과 대응되게 배치되는 적(Red), 녹(Green), 청(Blue) 컬러를 띠는 발광물질을 포함하는 유기전계발광층(14)이 형성되어 있고, 유기전계발광층(14) 상부에는 제 2 전극(16)이 형성되어 있다. As illustrated, the first and second substrates 10 and 30 are disposed to face each other, and the edge portions of the first and second substrates 10 and 30 are sealed by a seal pattern 40. The thin film transistor T is formed on the transparent substrate 1 of the first substrate 10 for each subpixel, and is connected to the thin film transistor T to form the first electrode 12. Red, green, and blue colors are disposed on the transistor T and the first electrode 12 to be connected to the thin film transistor T so as to correspond to the first electrode 12. An organic light emitting layer 14 including a light emitting material is formed, and a second electrode 16 is formed on the organic light emitting layer 14.

상기 제 1, 2 전극(12, 16)은 유기전계발광층(14)에 전계를 인가해주는 역할을 한다. The first and second electrodes 12 and 16 serve to apply an electric field to the organic light emitting layer 14.

그리고, 전술한 씰패턴(40)에 의해서 제 2 전극(16)과 제 2 기판(30) 사이는 일정간격 이격되어 있으며, 도면으로 제시하지는 않았지만, 제 2 기판(30)의 내부면에는 외부로의 수분을 차단하는 흡습제 및 흡습제와 제 2 기판(30)간의 접착을 위한 반투성 테이프가 포함된다. The second electrode 16 and the second substrate 30 are spaced apart from each other by the seal pattern 40 described above, and although not shown in the drawing, the inner surface of the second substrate 30 may be moved outwardly. A moisture absorbent for blocking moisture of the semi-permeable tape for adhesion between the moisture absorbent and the second substrate 30 is included.

한 예로, 하부발광방식 구조에서 상기 제 1 전극(12)을 양극으로, 제 2 전극(16)을 음극으로 구성할 경우 제 1 전극(12)은 투명도전성 물질에서 선택되고, 제 2 전극(16)은 일함수가 낮은 금속물질에서 선택되며, 이런 조건 하에서 상기 유기전계발광층(14)은 제 1 전극(12)과 접하는 층에서부터 정공주입층(14a ; hole injection layer), 정공수송층(14b ; hole transporting layer), 발광층(14c ; emission layer), 전자수송층(14d ; electron transporting layer) 순서대로 적층된 구조를 이룬다. For example, when the first electrode 12 is an anode and the second electrode 16 is a cathode in a bottom emission structure, the first electrode 12 is selected from a transparent conductive material, and the second electrode 16 is formed. ) Is selected from a metal material having a low work function, and under these conditions, the organic light emitting layer 14 is formed from a layer in contact with the first electrode 12, a hole injection layer 14a, a hole transport layer 14b; A transporting layer), an emission layer 14c, and an electron transporting layer 14d are formed in this order.

이때, 상기 발광층(14c)은 서브픽셀별로 적, 녹, 청 컬러를 구현하는 발광물질이 차례대로 배치된 구조를 가진다. In this case, the light emitting layer 14c has a structure in which light emitting materials for implementing red, green, and blue colors are sequentially disposed for each subpixel.

도 3은 상기 도 2 하부발광방식 유기전계발광 소자의 하나의 서브픽셀 영역에 대한 확대 단면도이다. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of one subpixel area of the FIG. 2 bottom emission type organic electroluminescent device.

도시한 바와 같이, 투명 기판(1) 상에는 반도체층(62), 게이트 전극(68), 소스 및 드레인 전극(80, 82)이 차례대로 형성되어 박막트랜지스터 영역을 이루고, 소스 및 드레인 전극(80, 82)에는 미도시한 전원공급 라인에서 형성된 파워 전극(72) 및 유기전계발광 다이오드(E)가 각각 연결되어 있다. As illustrated, the semiconductor layer 62, the gate electrode 68, the source and drain electrodes 80 and 82 are sequentially formed on the transparent substrate 1 to form a thin film transistor region, and the source and drain electrodes 80, The power electrode 72 and the organic light emitting diode E formed in the power supply line (not shown) are respectively connected to 82.

그리고, 상기 파워 전극(72)과 대응하는 하부에는 절연체가 개재된 상태로 상기 반도체층(62)과 동일물질로 이루어진 캐패시터 전극(64)이 위치하여, 이들이 대응하는 영역은 스토리지 캐패시터 영역을 이룬다. In addition, a capacitor electrode 64 made of the same material as the semiconductor layer 62 is disposed under an insulator interposed between the power electrode 72 and the corresponding region forms a storage capacitor region.

상기 유기전계발광 다이오드(E)이외의 박막트랜지스터 영역 및 스토리지 캐패시터 영역에 형성된 소자들은 어레이 소자(A)를 이룬다. Elements formed in the thin film transistor region and the storage capacitor region other than the organic light emitting diode E form the array element A.

상기 유기전계발광 다이오드(E)는 유기전계발광층(14)이 개재된 상태로 서로 대향된 제 1 전극(12) 및 제 2 전극(16)으로 구성된다. 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 자체발광된 빛을 외부로 방출시키는 발광 영역에 위치한다. The organic light emitting diode E includes a first electrode 12 and a second electrode 16 facing each other with the organic light emitting layer 14 interposed therebetween. The organic light emitting diode E is positioned in a light emitting area for emitting self-emitting light to the outside.

이와 같이, 기존의 유기전계발광 소자는 어레이 소자(A)와 유기전계발광 다이오드(E)가 동일 기판 상에 적층된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하였다. As described above, the conventional organic light emitting display device has a structure in which the array device A and the organic light emitting diode E are stacked on the same substrate.

도 4는 종래의 유기전계발광 소자의 제조 공정에 대한 공정 흐름도이다.  4 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a conventional organic light emitting display device.

st1은 제 1 기판 상에 어레이 소자를 형성하는 단계로서, 상기 제 1 기판은 투명 기판을 지칭하는 것으로, 제 1 기판 상에 주사선과, 주사선과 교차되며 서로 일정간격 이격되는 신호선 및 전력 공급선과, 주사선 및 신호선과 교차되는 지점에 형성되는 스위칭 박막트랜지스터 및 주사선 및 전력 공급선이 교차되는 지점에 형성되는 구동 박막트랜지스터를 포함하는 어레이 소자를 형성하는 단계를 포함한다. st1 is a step of forming an array element on a first substrate, wherein the first substrate refers to a transparent substrate, a scan line on the first substrate, a signal line and a power supply line crossing the scan line and spaced apart from each other; And forming an array element including a switching thin film transistor formed at a point where the scan line and the signal line intersect, and a driving thin film transistor formed at the point where the scan line and the power supply line intersect.

st2는 유기전계발광 다이오드의 제 1 구성요소인 제 1 전극을 형성하는 단계로서, 제 1 전극은 구동 박막트랜지스터와 연결되어 서브픽셀별로 패턴화된다. st2 is a step of forming a first electrode which is a first component of the organic light emitting diode, and the first electrode is connected to the driving thin film transistor and patterned for each subpixel.

st3은 상기 제 1 전극 상부에 유기전계발광 다이오드의 제 2 구성요소인 유기전계발광층을 형성하는 단계로서, 상기 제 1 전극을 양극으로 구성하는 경우에, 상기 유기전계발광층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 순으로 적층구성될 수 있다. st3 is a step of forming an organic light emitting layer which is a second component of the organic light emitting diode on the first electrode, and when the first electrode is composed of an anode, the organic light emitting layer is a hole injection layer, a hole transport layer The light emitting layer, the electron transport layer may be laminated in order.

st4에서는, 상기 유기전계발광층 상부에 유기전계발광 다이오드의 제 3 구성요소인 제 2 전극을 형성하는 단계로서, 상기 제 2 전극은 공통 전극으로 기판 전면에 형성된다. In st4, the second electrode, which is a third component of the organic light emitting diode, is formed on the organic light emitting layer, and the second electrode is formed on the entire surface of the substrate as a common electrode.

st5에서는, 또 하나의 기판인 제 2 기판을 이용하여 제 1 기판을 인캡슐레이션하는 단계로서, 이 단계에서는 제 1 기판의 외부충격으로부터 보호하고, 외기(外氣) 유입에 따른 유기전계발광층의 손상을 방지하기 위해 제 1 기판의 외곽을 제 2 기판으로 인캡슐레이션하는 단계로서, 상기 제 2 기판의 내부면에는 흡습제가 포함될 수 있다. At st5, the first substrate is encapsulated using a second substrate, which is another substrate. In this step, the first substrate is protected from an external impact and the organic light emitting layer is exposed to the inflow of external air. Encapsulating the outer surface of the first substrate to the second substrate to prevent damage, the inner surface of the second substrate may include a moisture absorbent.

이와 같이, 기존의 하부발광방식 유기전계발광 소자는 어레이 소자 및 유기전계발광 다이오드가 형성된 기판과 별도의 인캡슐레이션용 기판의 합착을 통해 소자를 제작하였다. 이런 경우, 어레이 소자의 수율과 유기전계발광 다이오드의 수율의 곱이 유기전계발광 소자의 수율을 결정하기 때문에, 기존의 유기전계발광 소자 구조에서는 후반 공정에 해당되는 유기전계발광 다이오드 공정에 의해 전체 공정 수율이 크게 제한되는 문제점이 있었다. 예를 들어, 어레이 소자가 양호하게 형성되었다 하더라도, 1000 Å 정도의 박막을 사용하는 유기전계발광층의 형성시 이물이나 기타 다른 요소에 의해 불량이 발생하게 되면, 유기전계발광 소자는 불량 등급으로 판정된다. As described above, the conventional bottom emission type organic light emitting diode device is manufactured by bonding an array device and a substrate on which an organic light emitting diode is formed and a separate substrate for encapsulation. In this case, since the product of the yield of the array device and the yield of the organic light emitting diode determines the yield of the organic light emitting diode, the overall organic process of the organic light emitting diode structure yields the overall process yield by the organic electroluminescent diode process. There was a problem that is greatly limited. For example, even if the array element is well formed, when the organic electroluminescent layer using the thin film of about 1000 mW is defective by foreign matter or other factors, the organic electroluminescent element is determined to be a poor grade. .

이로 인하여, 양품의 어레이 소자를 제조하는데 소요되었던 제반 경비 및 재료비 손실이 초래되고, 생산수율이 저하되는 문제점이 있었다. This results in a loss of overall costs and material costs that were required to manufacture the array device of good quality, there was a problem that the production yield is lowered.

그리고, 하부발광방식은 인캡슐레이션에 의한 안정성 및 공정이 자유도가 높은 반면 개구율의 제한이 있어 고해상도 제품에 적용하기 어려운 문제점이 있고, 상부발광방식은 박막트랜지스터 설계가 용이하고 개구율 향상이 가능하기 때문에 제품수명 측면에서 유리하지만, 기존의 상부발광방식 구조에서는 유기전계발광층 상부에 통상적으로 음극이 위치함에 따라 재료선택폭이 좁기 때문에 투과도가 제한되어 광효율이 저하되는 점과, 광투과도의 저하를 최소화하기 위해 박막형 보호막을 구성해야 하는 경우 외기를 충분히 차단하지 못하는 문제점이 있었다. In addition, the bottom emission method has a high degree of freedom and stability due to the encapsulation process, and has a problem in that it is difficult to be applied to a high resolution product due to the limitation of the aperture ratio, and the top emission method is easy to design a thin film transistor and improves the aperture ratio. It is advantageous in terms of product life, but in the conventional top emission type structure, since the material selection range is narrow as the cathode is normally positioned on the organic light emitting layer, the transmittance is limited and the light efficiency is reduced, and the light transmittance is minimized. In order to configure a thin film type protective film, there was a problem in that it does not sufficiently block outside air.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명에서는 생산수율이 향상된 고해상도/고개구율 구조 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a high-resolution / high-throughput structure active matrix type organic electroluminescent device having improved production yield.

이를 위하여, 본 발명에서는 어레이 소자 및 유기전계발광 다이오드 소자를 서로 다른 기판 상에 형성하고, 어레이 소자의 구동 박막트랜지스터와 유기전계발광 다이오드 소자의 전극을 별도의 연결패턴을 통해 연결하고자 한다. To this end, in the present invention, the array element and the organic light emitting diode element are formed on different substrates, and the driving thin film transistor and the electrode of the organic light emitting diode element of the array element are connected through separate connection patterns.

본 발명의 또 하나의 목적은, 서로 다른 기판에 형성되는 유기전계발광 소자와 어레이 소자의 접촉특성을 향상시킬 수 있는 패턴구조를 가지는 연결패턴을 제공하는 것이다. It is still another object of the present invention to provide a connection pattern having a pattern structure capable of improving contact characteristics between an organic light emitting device and an array device formed on different substrates.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1 특징에서는 화면을 구현하는 최소단위인 서브픽셀(sub-pixel) 영역이 정의된 제 1, 2 기판과; 상기 제 1 기판의 내부면에 서브픽셀 단위로 형성된 박막트랜지스터를 가지는 어레이 소자층과; 상기 어레이 소자층 상부 전면에 상기 박막트랜지스터의 일전극을 노출시키며 구비된 보호층과; 상기 제 2 기판의 내부면에 형성되며, 최하부에 서브픽셀 단위로 형성되는 제 2 전극이 구비된 유기전계발광 다이오드와; 상기 보호층 위로 상기 노출된 상기 박막트랜지스터의 일전극과 직접 접촉하며, 상기 제 2 전극의 하부면과 접촉되는 저융점 금속물질로 이루어진 연결패턴을 포함하며, 상기 연결패턴의 제 2 전극과 접촉되는 접촉 영역은, 상기 접촉 영역과 인접한 상기 연결패턴의 연결 영역보다 넓은 면적을 가지는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자를 제공한다. 상기 연결패턴에는, 스페이서(spacer) 형태의 버퍼패턴이 포함되고, 상기 버퍼패턴은, 상기 어레이 소자층과 접하는 면을 편평한 면으로 하고, 상부면을 반구형상으로 가지는 패턴이며, 상기 버퍼패턴을 이루는 물질은, 감광성 고분자 물질 중 어느 하나에서 선택되는 것을 특징으로 한다. 상기 저융점 금속물질은, 갈륨/인듐 합금(Ga/In alloy), 납/주석 합금(Pb/Sn alloy), 납/주석/은 합금(Pb/Sn/Ag alloy), 주석/인듐 합금(Sn/In alloy), 주석/인듐/구리 합금(Sn/In/Cu alloy), 주석/인듐/은 합금(Sn/In/Ag alloy) 중 어느 하나에서 선택되고, 상기 박막트랜지스터는, 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극으로 이루어지고, 상기 연결패턴은 실질적으로 드레인 전극과 연결되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 제 2 특징에서는, 서브픽셀 영역이 정의된 제 1, 2 기판을 구비하는 단계와; 상기 제 1 기판 상에 서브픽셀 단위로 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 상부로 전면에 상기 박막트랜지스터의 일전극을 노출시키는 콘택홀을 구비한 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 위로 상기 콘택홀을 통해 박막트랜지스터의 일전극과 접촉하는 저융점 금속물질로 이루어진 연결패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 2 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 상부에 유기전계발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기전계발광층 상부에 서브픽셀 단위로 제 2 전극을 형성하여, 상기 제 1, 2 전극과, 제 1, 2 전극 사이에 개재된 유기전계발광층을 포함하는 유기전계발광 다이오드 소자를 완성하는 단계와; 상기 제 1, 2 기판 중 어느 한 기판에 씰패턴을 형성하는 단계와; 상기 씰패턴을 포함하여, 상기 제 1, 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며, 상기 합착하는 단계에서는 상기 제 2 전극과 접촉되는 연결패턴을 웰딩(welding)하는 단계를 더욱 포함함으로써, 상기 연결패턴의 제 2 전극과 접촉되는 접촉 영역이, 상기 접촉 영역과 인접한 연결패턴의 연결영역보다 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조방법을 제공한다. 상기 박막트랜지스터를 덮는 기판 전면에, 상기 박막트랜지스터를 일부 노출시키는 제 1 콘택홀을 가지는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하여, 상기 보호층 상부에서, 상기 제 1 콘택홀을 통해 박막트랜지스터와 전기적 연결패턴을 연결시키는 것을 특징으로 하고, 상기 연결패턴을 웰딩(welding)시키는 단계에서는, 상기 제 1 기판의 배면부에 100℃ ~ 160℃의 온도범위에서 열을 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 그리고, 상기 연결패턴을 형성하는 단계에서는, 스페이서 형태의 버퍼패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 버퍼패턴은, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 면을 편평한 면으로 하고 상부면을 반구형상으로 가지는 패턴이며, 상기 저융점 금속물질은, 갈륨/인듐 합금(Ga/In alloy), 납/주석 합금(Pb/Sn alloy), 납/주석/은 합금(Pb/Sn/Ag alloy), 주석/인듐 합금(Sn/In alloy), 주석/인듐/구리 합금(Sn/In/Cu alloy), 주석/인듐/은 합금(Sn/In/Ag alloy) 중 어느 하나에서 선택되는 것을 특징으로 한다. 상기 유기전계발광층으로부터 발광된 빛은 제 1 전극쪽으로 발광되는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, according to a first aspect of the present invention, there is provided a display apparatus comprising: first and second substrates having sub-pixel regions defined as minimum units for implementing a screen; An array element layer having a thin film transistor formed on an inner surface of the first substrate in units of subpixels; A protective layer provided on the entire upper surface of the array element layer to expose one electrode of the thin film transistor; An organic light emitting diode formed on an inner surface of the second substrate and having a second electrode formed at a lowermost portion in subpixel units; A connection pattern made of a low melting metal material in direct contact with the one electrode of the exposed thin film transistor on the protective layer and in contact with a lower surface of the second electrode, and in contact with the second electrode of the connection pattern. The contact region provides a dual panel type organic light emitting display device having an area larger than that of the connection pattern adjacent to the contact region. The connection pattern includes a spacer pattern buffer pattern. The buffer pattern is a pattern having a flat surface in contact with the array element layer and a top surface in a hemispherical shape, and forming the buffer pattern. The material is characterized in that selected from any one of the photosensitive polymer material. The low melting point metal material is a gallium / indium alloy (Ga / In alloy), lead / tin alloy (Pb / Sn alloy), lead / tin / silver alloy (Pb / Sn / Ag alloy), tin / indium alloy (Sn / In alloy), tin / indium / copper alloy (Sn / In / Cu alloy), tin / indium / silver alloy (Sn / In / Ag alloy), the thin film transistor is selected from the semiconductor layer, gate Comprising an electrode, a source electrode and a drain electrode, the connection pattern is characterized in that substantially connected to the drain electrode. In a second aspect of the invention, there is provided a method comprising the steps of: providing a first and a second substrate with defined subpixel regions; Forming a thin film transistor on the first substrate in subpixel units; Forming a protective layer on the front surface of the thin film transistor, the protective layer having a contact hole exposing one electrode of the thin film transistor; Forming a connection pattern made of a low melting metal material contacting one electrode of the thin film transistor through the contact hole through the contact hole; Forming a first electrode on the second substrate; Forming an organic light emitting layer on the first electrode; Forming a second electrode on the organic light emitting layer on a subpixel basis to complete an organic light emitting diode device including the first and second electrodes and an organic light emitting layer interposed between the first and second electrodes; ; Forming a seal pattern on any one of the first and second substrates; Including the seal pattern, comprising the step of bonding the first and the second substrate, the bonding step further comprises the step of welding (welding) the connection pattern in contact with the second electrode, the connection pattern Provided is a method of manufacturing a dual panel type organic electroluminescent device, wherein a contact region in contact with a second electrode has a larger area than a connection region of a connection pattern adjacent to the contact region. Forming a protective layer having a first contact hole exposing a portion of the thin film transistor on the entire surface of the substrate covering the thin film transistor, wherein the protective layer is electrically connected to the thin film transistor through the first contact hole. Characterized in that connecting the connection pattern, in the welding (welding) the connection pattern, characterized in that it comprises the step of applying heat in the temperature range of 100 ℃ ~ 160 ℃ to the back portion of the first substrate. The forming of the connection pattern may include forming a buffer pattern having a spacer shape, wherein the buffer pattern is a pattern having a flat surface and a top surface in a hemispherical shape connected to the thin film transistor. The low melting point metal material may be a gallium / in alloy, a lead / tin alloy, a lead / tin / silver alloy, or a tin / in alloy. Sn / In alloy), tin / in / Cu alloy, and tin / indium / silver alloy. Light emitted from the organic electroluminescent layer is characterized in that it is emitted toward the first electrode.

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이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

-- 실시예 1 --Example 1

본 실시예는, 서로 대향된 기판의 내부면에 각각 어레이 소자 및 유기전계발광 소자가 형성되어 있으며, 어레이 소자와 유기전계발광 소자는 별도의 전기적 연결패턴에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자에 대한 실시예이다. In the present embodiment, the array element and the organic light emitting element are formed on the inner surface of the substrate facing each other, the dual panel type, characterized in that the array element and the organic electroluminescent element is connected by a separate electrical connection pattern An embodiment of an organic electroluminescent device.

또한, 본 발명에 따른 유기전계발광 소자는 상부발광방식으로 구동하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자에 관한 것이다. In addition, the organic light emitting display device according to the present invention relates to an active matrix organic light emitting display device driven by a top light emitting method.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼패널타입 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도이다. 5 is a schematic cross-sectional view of a dual panel type organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 화면을 구현하는 최소단위인 서브픽셀(sub-pixel) 단위로 제 1, 2 기판(110, 150)이 서로 일정간격 이격되어 대향되게 배치되어 있고, 제 1 기판(110)의 내부면에는 서브픽셀 단위로 형성된 박막트랜지스터(T)를 포함하는 어레이 소자층(140)이 형성되어 있으며, 어레이 소자층(140) 상부에는 박막트랜지스터(T)와 연결되어 기둥형상의 연결패턴(132)이 형성되어 있다. As illustrated, the first and second substrates 110 and 150 are disposed to face each other at predetermined intervals in sub-pixel units, which are the smallest units for implementing the screen. An array element layer 140 including a thin film transistor T formed in subpixel units is formed on an inner surface thereof, and a columnar connection pattern 132 is connected to the thin film transistor T on the array element layer 140. ) Is formed.

그리고, 상기 제 2 기판(150)의 내부면에는 제 1 전극(152), 유기전계발광층(154)이 차례대로 형성되어 있고, 유기전계발광층(154) 하부에는 서브픽셀 단위로 제 2 전극(156)이 형성되어 있으며, 제 2 전극(156)의 내부면은 전술한 연결패턴(132)과 접촉되게 구성되어 있고, 제 1, 2 기판(110, 150)의 가장자리부는 씰패턴(160)에 봉지되어 있다. In addition, the first electrode 152 and the organic light emitting layer 154 are sequentially formed on the inner surface of the second substrate 150, and the second electrode 156 is formed in the subpixel unit below the organic light emitting layer 154. ) Is formed, and the inner surface of the second electrode 156 is configured to be in contact with the connection pattern 132 described above, and edge portions of the first and second substrates 110 and 150 are encapsulated in the seal pattern 160. It is.

상기 제 1, 2 전극(152, 156) 및 유기전계발광층(154)는 유기전계발광 다이오드 소자(E)를 이룬다. The first and second electrodes 152 and 156 and the organic light emitting layer 154 form an organic light emitting diode device (E).

상기 어레이 소자층(140)의 적층구조에 대해서 좀 더 상세히 설명하면, 제 1 기판(110)의 내부 전면에 버퍼층(112)이 형성되어 있고, 버퍼층(112) 상부에 서브픽셀 단위로 활성 영역(I) 및 활성 영역(I)의 양측에 소스 영역(II) 및 드레인 영역(III)이 각각 정의되어 있는 반도체층(114)이 형성되어 있고, 반도체층(114)의 활성 영역(I)에는 게이트 절연막(115) 및 게이트 전극(116)이 차례대로 형성되어 있고, 게이트 전극(116)을 덮는 기판 전면에 위치하며, 전술한 반도체층(114)의 소스 영역(II) 및 드레인 영역(III)을 일부 노출시키는 제 1, 2 콘택홀(118, 120)을 가지는 제 1 보호층(122)이 형성되어 있고, 제 1 보호층(122) 상부에서 제 1, 2 콘택홀(118, 120)을 통해 반도체층(114)의 소스 영역(II) 및 드레인 영역(III)과 연결되어 소스 전극(124) 및 드레인 전극(126)이 각각 형성되어 있고, 소스 전극(124) 및 드레인 전극(126)을 덮는 기판 전면에 위치하며, 드레인 전극(126)을 일부 노출시키는 제 3 콘택홀(128)을 가지는 제 2 보호층(130)이 형성되어 있고, 제 2 보호층(130) 상부에는 제 3 콘택홀(128)을 통해 드레인 전극(126)과 연결되는 연결패턴(132)이 기둥 형상으로 형성되어 있으며, 상기 반도체층(114), 게이트 전극(116), 소스 전극(124), 드레인 전극(126)은 박막트랜지스터(T)를 이룬다. The stack structure of the array device layer 140 will be described in more detail. The buffer layer 112 is formed on the entire inner surface of the first substrate 110, and the active region (subpixel) is formed on the buffer layer 112. The semiconductor layer 114 in which the source region II and the drain region III are defined at both sides of I) and the active region I is formed, and the gate is formed in the active region I of the semiconductor layer 114. The insulating film 115 and the gate electrode 116 are formed in order, and are located in front of the substrate covering the gate electrode 116, and the source region II and the drain region III of the semiconductor layer 114 described above are formed. A first passivation layer 122 having first and second contact holes 118 and 120 partially exposed is formed, and is formed through the first and second contact holes 118 and 120 on the first passivation layer 122. The source electrode 124 and the drain electrode 126 are connected to the source region II and the drain region III of the semiconductor layer 114, respectively. A second passivation layer 130 is formed on the front surface of the substrate covering the switch electrode 124 and the drain electrode 126, and has a third contact hole 128 that partially exposes the drain electrode 126. The connection pattern 132 connected to the drain electrode 126 through the third contact hole 128 is formed in a columnar shape on the protective layer 130, and the semiconductor layer 114 and the gate electrode 116 are formed in a columnar shape. The source electrode 124 and the drain electrode 126 form a thin film transistor (T).

본 발명에서는, 상기 제 2 전극(156)과 연결패턴(132)의 접촉특성을 향상시키기 위하여, 연결패턴(132)을 이루는 물질로써 유기전계발광 소자를 이루는 물질들보다 낮은 온도에서도 용융될 수 있는 저융점 금속물질을 선택하고, 이러한 저융점 금속물질에서 선택된 연결패턴(132)과 제 2 전극(156)의 접착력을 향상시키기 위해 제 1, 2 기판(110, 150)의 합착 단계에서, 전술한 저융점 금속물질 만을 선택적으로 용융시킬 수 있는 온도범위에서의 열처리를 통해 연결패턴(132)의 제 2 전극(156)과 닿는 접촉 영역(IV)에서의 면적이 접촉 영역(IV)과 인접한 연결 영역(V)의 면적보다 큰 것을 특징으로 한다. In the present invention, in order to improve the contact characteristics of the second electrode 156 and the connection pattern 132, the material forming the connection pattern 132 may be melted at a lower temperature than the materials forming the organic electroluminescent device. In the step of bonding the first and second substrates 110 and 150 to select a low melting point metal material and to improve adhesion between the connection pattern 132 and the second electrode 156 selected from the low melting point metal material, The connection area adjacent to the contact area IV is an area in the contact area IV contacting the second electrode 156 of the connection pattern 132 through a heat treatment in a temperature range capable of selectively melting only the low melting point metal material. It is characterized by being larger than the area of (V).

즉, 본 발명에서는 어레이 소자와 유기전계발광 다이오드 소자를 서로 다른 기판 상에 형성하고, 별도의 연결패턴을 통해 어레이 소자와 유기전계발광 다이오드 소자를 연결함에 있어서, 유기전계발광 소자에 손상을 주지 않는 온도범위에서 용융가능한 저융점 금속물질로 연결패턴을 형성하고, 두 기판의 합착 단계에서 제 2 전극과 연결패턴의 접촉부에 소정의 온도 조건 하에서 가열처리를 하여, 용융된 연결패턴이 제 2 전극면에서 표면장력에 의해 확산접촉됨에 따라, 연결패턴의 제 2 전극과의 접촉면이 인접한 연결패턴 영역보다 넓게 되어, 제 2 전극과 연결패턴의 접착력을 높일 수 있는 것을 특징으로 한다.That is, in the present invention, when the array element and the organic light emitting diode element are formed on different substrates, and the array element and the organic light emitting diode element are connected through separate connection patterns, the organic electroluminescent element is not damaged. The connection pattern is formed of a low melting point metal material that can be melted in a temperature range, and heat treatment is performed under a predetermined temperature condition at the contact portion between the second electrode and the connection pattern in the bonding step of the two substrates, so that the molten connection pattern is the second electrode surface. In the diffusion contact by the surface tension in, the contact surface with the second electrode of the connection pattern is wider than the adjacent connection pattern region, it is characterized in that the adhesion between the second electrode and the connection pattern can be increased.

상기 연결패턴(132)의 저융점 금속물질로는, 갈륨/인듐 합금(Ga/In alloy), 납/주석 합금(Pb/Sn alloy), 납/주석/은 합금(Pb/Sn/Ag alloy), 주석/인듐 합금(Sn/In alloy), 주석/인듐/구리 합금(Sn/In/Cu alloy), 주석/인듐/은 합금(Sn/In/Ag alloy) 중 어느 하나에서 선택되는 것이 바람직하다. As the low melting point metal material of the connection pattern 132, a gallium / in alloy, a lead / tin alloy, a lead / tin / silver alloy , Tin / in alloy, Sn / In / Cu alloy, tin / In / Ag alloy, Sn / In / Ag alloy is preferred. .

그리고, 도면으로 상세히 제시하지는 않았지만, 본 발명에 따른 듀얼패널타입 유기전계발광 소자에는, 발광 영역과 씰패턴 영역 사이구간에 흡습제를 더욱 포함한다. Although not shown in detail in the drawings, the dual panel type organic electroluminescent device according to the present invention further includes a hygroscopic agent between the light emitting region and the seal pattern region.

-- 실시예 2 --Example 2

본 실시예는 이중층 구조로 연결패턴을 형성하는 실시예에 관한 것으로, 연결패턴의 높이감을 줄 수 있는 스페이서 형태의 제 1 패턴을 일차적으로 형성하고, 제 1 패턴을 덮는 영역에 저융점 금속물질로 이루어진 제 2 패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다. The present embodiment relates to an embodiment in which the connection pattern is formed in a double layer structure. A first pattern having a spacer shape, which can give a sense of height of the connection pattern, is primarily formed, and a low melting point metal material is formed in a region covering the first pattern. It is characterized by forming a second pattern made.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼패널타입 유기전계발광 소자에 대한 단면도이다. 6 is a cross-sectional view of a dual panel type organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 서브픽셀 영역이 정의되어 있는 제 1, 2 기판(210, 250)이 서로 일정간격 이격되게 배치되어 있고, 제 1 기판(210) 내부면에는 서브픽셀 단위로 형성된 박막트랜지스터(T)를 포함하는 어레이 소자층(240)이 형성되어 있으며, 제 2 기판(250)의 내부 전면에는 제 1 전극(252), 유기전계발광층(254)이 차례대로 형성되어 있고, 유기전계발광층(254) 하부면에는 서브픽셀 단위로 제 2 전극(256)이 형성되어 있다. As shown in the drawing, the first and second substrates 210 and 250 in which the subpixel regions are defined are arranged to be spaced apart from each other, and the thin film transistor T formed in subpixel units on the inner surface of the first substrate 210. Array element layer 240 is formed, and the first electrode 252 and the organic electroluminescent layer 254 are sequentially formed on the entire inner surface of the second substrate 250, and the organic electroluminescent layer 254 is formed. The second electrode 256 is formed on the bottom surface in units of subpixels.

본 실시예에서는, 상기 어레이 소자층(240) 상부에 서브픽셀 단위로 편평한 면을 어레이 소자층(240)쪽으로 하는 반구형상의 제 1 패턴(232a)과, 제 1 패턴(232a)을 덮으며 하부로는 전술한 박막트랜지스터(T)와 연결되고, 상부로는 제 2 전극(256)과 접촉되며, 제 1 패턴(232a)의 반구형상과 대응되는 패턴구조를 가지는 제 2 패턴(232b)으로 이루어진 연결패턴(232)이 구성된 것을 특징으로 한다. In the present exemplary embodiment, a hemispherical first pattern 232a having a flat surface on the array element layer 240 toward the array element layer 240 toward the array element layer 240, and covering the first pattern 232a downwards. Is connected to the above-described thin film transistor (T), the upper contact with the second electrode 256, the connection consisting of a second pattern (232b) having a pattern structure corresponding to the hemispherical shape of the first pattern (232a) Characterized in that the pattern 232 is configured.

한 예로, 상기 제 1 패턴(232a)은 포토레지스트(photo resist)를 이용하여, 노광, 현상 공정을 포함하는 사진식각 공정(photolithography)에 의해 형성될 수 있다. For example, the first pattern 232a may be formed by a photolithography process including an exposure and development process using a photoresist.

그리고, 상기 제 2 패턴(232b)은 저융점 금속물질로 이루어진 것을 특징으로 한다. The second pattern 232b may be formed of a low melting point metal material.

상기 저융점 금속물질로는, 갈륨/인듐 합금(Ga/In alloy), 납/주석 합금(Pb/Sn alloy), 납/주석/은 합금(Pb/Sn/Ag alloy), 주석/인듐 합금(Sn/In alloy), 주석/인듐/구리 합금(Sn/In/Cu alloy), 주석/인듐/은 합금(Sn/In/Ag alloy) 중 어느 하나에서 선택되는 것이 바람직하다. The low melting point metal material may include a gallium / in alloy, a lead / tin alloy, a lead / tin / silver alloy, and a tin / in alloy. Sn / In alloy, Sn / In / Cu alloy, and tin / indium / silver alloy are preferably selected from Sn / In / Ag alloy.

이와 같이, 본 실시예에서는 이중층 구조로 연결패턴(232)을 형성하여, 연결패턴(232)의 두께를 용이하게 제어할 수 있는 것을 특징으로 하며, 제 2 패턴(232b)의 제 2 전극(256)과 접촉되는 접촉 영역(IV)이, 이와 인접한 제 2 패턴(232b)의 연결 영역(V)보다 큰 값을 가지며, 이러한 구조적 특징은 상기 실시예 1과 동일한 공정에 의해 이루어질 수 있다. As described above, in the present embodiment, the connection pattern 232 is formed in a double layer structure, and thus the thickness of the connection pattern 232 can be easily controlled, and the second electrode 256 of the second pattern 232b is formed. ) Has a larger value than the connection region V of the second pattern 232b adjacent thereto, and this structural feature can be achieved by the same process as in the first embodiment.

도 7a 내지 7c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조 공정을 단계별로 나타낸 단면도로서, 연결패턴의 제조 공정을 중심으로 도시하였다. 7A to 7C are cross-sectional views showing step-by-step manufacturing steps of a dual panel type organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 7a에서는, 제 1 기판(310) 상에 반도체층(314), 게이트 전극(316), 소스 전극(318) 및 드레인 전극(320)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 형성하는 단계와, 박막트랜지스터(T) 상부에 드레인 전극(320)을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀(322)을 가지는 보호층(324)을 형성하는 단계와, 보호층(324) 상부에 두께감을 가지는 스페이서 형태의 제 1 패턴(332a)을 형성하는 단계를 포함한다. In FIG. 7A, forming a thin film transistor T including a semiconductor layer 314, a gate electrode 316, a source electrode 318, and a drain electrode 320 on a first substrate 310, and forming a thin film. Forming a protective layer 324 having a drain contact hole 322 exposing the drain electrode 320 partially on the transistor T, and forming a spacer having a thickness on the protective layer 324. Forming 332a.

상기 제 1 패턴(332a)을 이루는 물질은 절연물질에서 선택되며, 한 예로 포토레지스트를 이용하여 사진식각 공정에 의해 편평한 면이 보호층(324)과 접하는 반구 형상으로 형성될 수 있다. The material constituting the first pattern 332a is selected from an insulating material. For example, a flat surface may be formed in a hemispherical shape in contact with the protective layer 324 by a photolithography process using a photoresist.

그리고, 상기 제 1 패턴(332a)은 드레인 콘택홀(322)을 막지않는 영역범위에서, 드레인 콘택홀(322)과 인접한 영역에 형성하는 것이 바람직하다. In addition, the first pattern 332a may be formed in an area adjacent to the drain contact hole 322 in an area in which the drain contact hole 322 is not blocked.

도 7b에서는, 제 1 패턴(332a)이 형성된 제 1 기판(310) 상에, 저융점 금속물질을 이용하여 드레인 콘택홀(322)을 통해 드레인 전극(320)과 연결되며, 제 1 패턴(332a)의 반구 형상과 대응되는 패턴구조를 가지는 제 2 패턴(332b)을 형성하여, 제 1, 2 패턴(332a, 332b)으로 이루어진 연결패턴(332)을 완성하는 단계이다. In FIG. 7B, a low melting point metal material is connected to the drain electrode 320 through the drain contact hole 322 on the first substrate 310 on which the first pattern 332a is formed. And forming a second pattern 332b having a pattern structure corresponding to the hemispherical shape of) and completing the connection pattern 332 formed of the first and second patterns 332a and 332b.

상기 저융점 금속물질로는, 갈륨/인듐 합금(Ga/In alloy), 납/주석 합금(Pb/Sn alloy), 납/주석/은 합금(Pb/Sn/Ag alloy), 주석/인듐 합금(Sn/In alloy), 주석/인듐/구리 합금(Sn/In/Cu alloy), 주석/인듐/은 합금(Sn/In/Ag alloy) 중 어느 하나에서 선택되는 것이 바람직하다. The low melting point metal material may include a gallium / in alloy, a lead / tin alloy, a lead / tin / silver alloy, and a tin / in alloy. Sn / In alloy, Sn / In / Cu alloy, and tin / indium / silver alloy are preferably selected from Sn / In / Ag alloy.

도 7c에서는, 또 하나의 기판인 제 2 기판(350) 상부면에 제 1 전극(352)을 형성하는 단계와, 제 1 전극(352)을 덮는 기판 전면에 유기전계발광층(354)이 형성하는 단계와, 유기전계발광층(354) 상부에 제 2 전극(356)을 형성하는 단계를 포함하여, 제 1, 2 전극(352, 356)과, 제 1, 2 전극(352, 356) 사이에 개재된 유기전계발광층(354)으로 이루어진 유기전계발광 다이오드 소자(E)를 완성하는 단계와, 유기전계발광 다이오드 소자(E)를 내부면으로 하여 제 2 기판(350)을 연결패턴(332)이 형성된 제 1 기판(310) 상부에 얼라인하는 단계와, 상기 유기전계발광 다이오드 소자(E)의 제 2 전극(356)과 연결패턴(332)을 연결시키는 단계를 포함하여 두 기판을 합착하는 단계를 포함한다. In FIG. 7C, the first electrode 352 is formed on the upper surface of the second substrate 350, which is another substrate, and the organic light emitting layer 354 is formed on the entire surface of the substrate covering the first electrode 352. Interposing between the first and second electrodes 352 and 356 and the first and second electrodes 352 and 356, including forming a second electrode 356 on the organic light emitting layer 354. Completing the organic light emitting diode device E including the organic light emitting layer 354, and forming a connection pattern 332 on the second substrate 350 using the organic light emitting diode device E as an inner surface thereof. Bonding the two substrates to each other, including aligning the first substrate 310 on the first substrate 310, and connecting the second electrode 356 and the connection pattern 332 of the organic light emitting diode device E to each other. Include.

상기 얼라인하는 단계에서는, 제 1, 2 기판(310, 350)중 어느 한 기판의 테두리부에 씰패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 두 기판의 합착은 실질적으로 씰패턴에 의해 이루어진다. The aligning may include forming a seal pattern on an edge portion of one of the first and second substrates 310 and 350, and the bonding of the two substrates may be performed by a seal pattern.

그리고, 상기 제 2 전극(356)과 연결패턴(332)을 연결시키는 단계에서는, 한 예로 제 1 기판(310)의 배면에서 전술한 연결패턴(332)의 제 2 패턴(332b)을 이루는 저융점 금속물질을 용융시킬 수 있는 최저온도 범위에서 가열처리를 하여, 일종의 웰딩(welding) 방법에 의해 제 2 전극(356)과 연결패턴(332)을 효과적으로 접촉시킬 수 있다. In the step of connecting the second electrode 356 and the connection pattern 332, for example, a low melting point forming the second pattern 332b of the connection pattern 332 described above on the rear surface of the first substrate 310. The second electrode 356 may be effectively contacted with the connection pattern 332 by a kind of welding by heat treatment in the lowest temperature range in which the metal material may be melted.

한 예로, 상기 온도범위는 100℃ ~ 160℃로 하는 것이 바람직하다. As an example, the temperature range is preferably set to 100 ℃ ~ 160 ℃.

이러한 웰딩 방법에 의해, 상기 제 2 전극(356)과 연결패턴(332)을 접착시킴에 따라, 연결패턴(332)의 제 2 전극(356)과 접촉되는 접촉 영역(IV)이, 접촉 영역(IV)과 인접한 연결 영역(V)보다 큰 면적을 가지게 되어, 제 2 전극(356)과 연결패턴(332) 간의 접착 특성을 향상시킬 수 있다. By the welding method, as the second electrode 356 and the connection pattern 332 are adhered to each other, the contact region IV contacting the second electrode 356 of the connection pattern 332 is formed as a contact region ( It has a larger area than the connection region (V) adjacent to IV), it is possible to improve the adhesive properties between the second electrode 356 and the connection pattern 332.

그러나, 본 발명은 상기 실시예들로 한정되지 않고, 본 발명의 취지에 어긋나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

이상과 같이, 본 발명에 따른 듀얼패널타입 유기전계발광 소자에 의하면 다음과 같은 효과를 가지게 된다. As described above, the dual panel type organic light emitting display device according to the present invention has the following effects.

첫째, 생산수율 및 생산관리 효율을 향상시킬 수 있고, 제품수명을 늘릴 수 있다. First, production yield and production management efficiency can be improved, and product life can be increased.

둘째, 상부발광방식이기 때문에 박막트랜지스터 설계가 용이해지고 고개구율/고해상도 구현이 가능하다. Second, because of the top emission method, it is easy to design a thin film transistor and high aperture ratio / high resolution can be realized.

셋째, 상부발광방식이면서 인캡슐레이션 구조이기 때문에, 외기로부터 안정적인 제품을 제공할 수 있다. Third, because of the top emitting method and the encapsulation structure, it is possible to provide a stable product from the outside air.

넷째, 유기전계발광 다이오드 소자와 박막트랜지스터간의 접착력을 향상시킬 수 있어, 제품 불량을 최소화하면서 신뢰성이 향상된 제품을 제공할 수 있다. Fourth, it is possible to improve the adhesion between the organic light emitting diode device and the thin film transistor, it is possible to provide a product with improved reliability while minimizing product defects.

도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 기본 픽셀 구조를 나타낸 도면. 1 is a view showing a basic pixel structure of a general active matrix organic electroluminescent device.

도 2는 종래의 하부발광방식 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도.  Figure 2 is a schematic cross-sectional view of a conventional bottom emission organic electroluminescent device.

도 3은 상기 도 2 유기전계발광 소자의 한 서브픽셀 영역에 대한 확대 단면도. 3 is an enlarged cross-sectional view of one subpixel area of the organic light emitting diode of FIG. 2;

도 4는 종래의 유기전계발광 소자의 제조 공정에 대한 공정 흐름도. Figure 4 is a process flow diagram for the manufacturing process of the conventional organic electroluminescent device.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 듀얼패널타입 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도.5 is a schematic cross-sectional view of a dual panel type organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼패널타입 유기전계발광 소자에 대한 단면도. 6 is a cross-sectional view of a dual panel type organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 7a 내지 7c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조 공정을 단계별로 나타낸 단면도. 7A through 7C are cross-sectional views illustrating a step of manufacturing a dual panel type organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of the drawings>

110 : 제 1 기판 112 : 버퍼층110: first substrate 112: buffer layer

114 : 반도체층 115 : 게이트 절연막114 semiconductor layer 115 gate insulating film

116 : 게이트 전극 118 : 제 1 콘택홀116: gate electrode 118: first contact hole

120 : 제 2 콘택홀 122 : 제 1 보호층120: second contact hole 122: first protective layer

124 : 소스 전극 126 : 드레인 전극124: source electrode 126: drain electrode

128 : 제 3 콘택홀 130 : 제 2 보호층128: third contact hole 130: second protective layer

132 : 연결 패턴 150 : 제 2 기판132 connection pattern 150 second substrate

152 : 제 1 전극 154 : 유기전계발광층152: first electrode 154: organic light emitting layer

156 : 제 2 전극 160 : 씰패턴156: second electrode 160: seal pattern

E : 유기전계발광 다이오드 소자 T : 박막트랜지스터E: organic light emitting diode device T: thin film transistor

I : 활성 영역 II : 소스 영역I: active area II: source area

III : 드레인 영역 IV : 접촉 영역III: drain region IV: contact region

V : 연결 영역V: connection area

Claims (12)

  1. 화면을 구현하는 최소단위인 서브픽셀(sub-pixel) 영역이 정의된 제 1, 2 기판과; First and second substrates on which a sub-pixel area that is a minimum unit for implementing a screen is defined;
    상기 제 1 기판의 내부면에 서브픽셀 단위로 형성된 박막트랜지스터를 가지는 어레이 소자층과; An array element layer having a thin film transistor formed on an inner surface of the first substrate in units of subpixels;
    상기 어레이 소자층 상부 전면에 상기 박막트랜지스터의 일전극을 노출시키며 구비된 보호층과; A protective layer provided on the entire upper surface of the array element layer to expose one electrode of the thin film transistor;
    상기 제 2 기판의 내부면에 형성되며, 최하부에 서브픽셀 단위로 형성되는 제 2 전극이 구비된 유기전계발광 다이오드와; An organic light emitting diode formed on an inner surface of the second substrate and having a second electrode formed at a lowermost portion in subpixel units;
    상기 보호층 위로 상기 노출된 상기 박막트랜지스터의 일전극과 직접 접촉하며, 상기 제 2 전극의 하부면과 접촉되는 저융점 금속물질로 이루어진 연결패턴A connection pattern made of a low melting metal material in direct contact with one electrode of the exposed thin film transistor on the passivation layer and in contact with a bottom surface of the second electrode.
    을 포함하며, 상기 연결패턴의 제 2 전극과 접촉되는 접촉 영역은, 상기 접촉 영역과 인접한 상기 연결패턴의 연결 영역보다 넓은 면적을 가지는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자. And a contact area in contact with the second electrode of the connection pattern has a larger area than a connection area of the connection pattern adjacent to the contact area.
  2. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1,
    상기 연결패턴에는, 스페이서(spacer) 형태의 버퍼패턴이 포함되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자. The connection pattern, a dual panel type organic electroluminescent device comprising a buffer pattern of the spacer (spacer) form.
  3. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2,
    상기 버퍼패턴은, 상기 어레이 소자층과 접하는 면을 편평한 면으로 하고, 상부면을 반구형상으로 가지는 패턴인 듀얼패널타입 유기전계발광 소자. The buffer pattern is a dual panel type organic electroluminescent device having a flat surface in contact with the array element layer and a top surface having a hemispherical shape.
  4. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2,
    상기 버퍼패턴을 이루는 물질은, 감광성 고분자 물질 중 어느 하나에서 선택되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자. The material constituting the buffer pattern is a dual panel organic light emitting device selected from any one of the photosensitive polymer material.
  5. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1,
    상기 저융점 금속물질은, 갈륨/인듐 합금(Ga/In alloy), 납/주석 합금(Pb/Sn alloy), 납/주석/은 합금(Pb/Sn/Ag alloy), 주석/인듐 합금(Sn/In alloy), 주석/인듐/구리 합금(Sn/In/Cu alloy), 주석/인듐/은 합금(Sn/In/Ag alloy) 중 어느 하나에서 선택되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자. The low melting point metal material is a gallium / indium alloy (Ga / In alloy), lead / tin alloy (Pb / Sn alloy), lead / tin / silver alloy (Pb / Sn / Ag alloy), tin / indium alloy (Sn / In alloy), tin / indium / copper alloy (Sn / In / Cu alloy), tin / indium / silver alloy (Sn / In / Ag alloy) selected from any one of the dual panel type organic electroluminescent device.
  6. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1,
    상기 박막트랜지스터는, 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극으로 이루어지고, 상기 연결패턴은 실질적으로 드레인 전극과 연결되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자. The thin film transistor may include a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and the connection pattern may be substantially connected to the drain electrode.
  7. 서브픽셀 영역이 정의된 제 1, 2 기판을 구비하는 단계와; Providing a first and a second substrate on which subpixel regions are defined;
    상기 제 1 기판 상에 서브픽셀 단위로 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a thin film transistor on the first substrate in subpixel units;
    상기 박막트랜지스터 상부로 전면에 상기 박막트랜지스터의 일전극을 노출시키는 콘택홀을 구비한 보호층을 형성하는 단계와;      Forming a protective layer on the front surface of the thin film transistor, the protective layer having a contact hole exposing one electrode of the thin film transistor;
    상기 보호층 위로 상기 콘택홀을 통해 박막트랜지스터의 일전극과 접촉하는 저융점 금속물질로 이루어진 연결패턴을 형성하는 단계와;Forming a connection pattern made of a low melting metal material contacting one electrode of the thin film transistor through the contact hole through the contact hole;
    상기 제 2 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계와; Forming a first electrode on the second substrate;
    상기 제 1 전극 상부에 유기전계발광층을 형성하는 단계와; Forming an organic light emitting layer on the first electrode;
    상기 유기전계발광층 상부에 서브픽셀 단위로 제 2 전극을 형성하여, 상기 제 1, 2 전극과, 제 1, 2 전극 사이에 개재된 유기전계발광층을 포함하는 유기전계발광 다이오드 소자를 완성하는 단계와; Forming a second electrode on the organic light emitting layer on a subpixel basis to complete an organic light emitting diode device including the first and second electrodes and an organic light emitting layer interposed between the first and second electrodes; ;
    상기 제 1, 2 기판 중 어느 한 기판에 씰패턴을 형성하는 단계와; Forming a seal pattern on any one of the first and second substrates;
    상기 씰패턴을 포함하여, 상기 제 1, 2 기판을 합착하는 단계Bonding the first and second substrates to each other, including the seal pattern;
    를 포함하며, 상기 합착하는 단계에서는 상기 제 2 전극과 접촉되는 연결패턴을 웰딩(welding)하는 단계를 더욱 포함함으로써, 상기 연결패턴의 제 2 전극과 접촉되는 접촉 영역이, 상기 접촉 영역과 인접한 연결패턴의 연결영역보다 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조방법. And the welding step further includes welding a connection pattern in contact with the second electrode, such that a contact area in contact with the second electrode of the connection pattern is adjacent to the contact area. A method of manufacturing a dual panel type organic light emitting display device, characterized in that it has a larger area than the connection area of the pattern.
  8. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein
    상기 연결패턴을 웰딩(welding)시키는 단계에서는, 상기 제 1 기판의 배면부에 100℃ ~ 160℃의 온도범위에서 열을 가하는 단계를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조방법. In the welding of the connection pattern, a method of manufacturing a dual panel type organic electroluminescent device comprising applying heat to a rear portion of the first substrate in a temperature range of 100 ° C. to 160 ° C.
  9. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein
    상기 연결패턴을 형성하는 단계에서는, 스페이서 형태의 버퍼패턴을 형성하는 단계를 포함하는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조방법. In the forming of the connection pattern, a method of manufacturing a dual panel type organic light emitting display device comprising forming a buffer pattern having a spacer shape.
  10. 제 9 항에 있어서, The method of claim 9,
    상기 버퍼패턴은, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 면을 편평한 면으로 하고 상부면을 반구형상으로 가지는 패턴인 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조방법. The buffer pattern is a method of manufacturing a dual panel type organic light emitting display device, wherein the surface connected to the thin film transistor has a flat surface and a top surface has a hemispherical shape.
  11. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein
    상기 저융점 금속물질은, 갈륨/인듐 합금(Ga/In alloy), 납/주석 합금(Pb/Sn alloy), 납/주석/은 합금(Pb/Sn/Ag alloy), 주석/인듐 합금(Sn/In alloy), 주석/인듐/구리 합금(Sn/In/Cu alloy), 주석/인듐/은 합금(Sn/In/Ag alloy) 중 어느 하나에서 선택되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자의 제조방법. The low melting point metal material is a gallium / indium alloy (Ga / In alloy), lead / tin alloy (Pb / Sn alloy), lead / tin / silver alloy (Pb / Sn / Ag alloy), tin / indium alloy (Sn / In alloy), tin / indium / copper alloy (Sn / In / Cu alloy), tin / indium / silver alloy (Sn / In / Ag alloy) method of manufacturing a dual panel type organic electroluminescent device selected from .
  12. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1,
    상기 유기전계발광층으로부터 발광된 빛은 제 1 전극쪽으로 발광되는 듀얼패널타입 유기전계발광 소자.The light emitted from the organic light emitting layer is a dual panel organic light emitting device that is emitted toward the first electrode.
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