CN100580948C - 平板显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种平板显示装置，其可以阻止由于显示面板的区域之间的台阶差导致的电极的断开。该平板显示装置包括：基板、位于基板的第一区域中的多个薄膜晶体管、位于基板上并与第一区域分离的导线单元、位于基板的第一区域与导线单元之间的导电层以及与第一区域中的薄膜晶体管电连接的多个显示元件。

Description

平板显示装置
相关申请的交叉引用
该申请要求2005年7月30日向韩国专利局提交的韩国专利申请No.10-2005-0070054的优先权，其公开的内容在这里一并引用作为参考。
技术领域
本发明涉及平板显示装置，更具体地涉及能防止由于显示和外围区域之间台阶差(step difference)而导致的电极断开的平板显示装置。
背景技术
图1为典型的有机发光显示装置的平面图，以及图2为有机发光显示装置沿着图1的线II-II的横截面。
如图1与2所示，有机发光显示装置包括基板10，该基板包括显示区域20、围绕显示区域20的外围区域，以及在外围区域之外的终端区域70。显示装置进一步包括密封部件，该密封部件被配置为密封显示区域20以及外围区域。密封部件包括金属罩90以及密封剂81。
显示区域20包括多个以矩阵形式布置的显示像素以及与该像素连接的多个驱动线VDD31。显示像素包括薄膜晶体管以及有机发光装置或二极管(未示出)。外围区域包括电极导线单元41、驱动电源导线单元30、垂直电路单元50以及水平电路单元60。终端区域70包括多个电极，经由该多个电极可从外部装置供给功率和输入信号。
显示装置进一步包括表面电极40，其使得有机发光装置与电极导线单元41电连接。电极导线单元41与终端区域70中的电极电连接。另外，显示区域20中的多个驱动线VDD31经由驱动电源导线单元30与终端区域70的电极电连接。驱动线VDD31向显示区域20供给驱动功率。垂直电路单元50与水平电路单元60分别经由电路导线单元51与61与终端区域70中的电极电连接。电路单元50与60向显示区域20中的薄膜晶体管提供输入信号。
如上所述的结构中，显示区域20、垂直电路单元50以及水平电路单元60中包括多个薄膜晶体管。保护层或钝化层形成在薄膜晶体管上来保护晶体管，以及在晶体管上提供一个水平的平坦表面。保护层或钝化层形成为一个整体，覆盖了基板10的显示与外围区域。保护层或钝化层典型地是有机与无机材料形成的复合膜。
典型地，保护层或钝化层产生对特定的显示装置元件有害的气体，这些元件例如是显示区域20中的有机发光装置。另外，杂质易于穿过保护层或钝化层渗透进入显示区域20中，因此进一步使显示区域20中的显示装置元件退化。
发明内容
本发明的一方面提供了一种平板显示装置。该装置包括：基板，该基板的一个表面上包括第一区域、第二区域以及位于表面的第一与第二区域之间的第三区域；第一区域上的第一结构，第一结构包括第一钝化层以及在第一钝化层上的像素阵列；第二区域上的第二结构，第二结构包括电源线；第三区域上的第三结构，第三结构包括第一导电层；以及第一、第二与第三结构上的表面电极，表面电极与电源线以及第一导电层接触。
第二结构可以进一步包括在电源线下面的第二钝化层。在显示装置中，在第一与第二钝化层之间的第三结构上形成凹槽。第一导电层可以与第一与第二钝化层接触并且插入到第一与第二钝化层之间。第三结构可以进一步包括在第一导电层与基板之间的第三钝化层，第三钝化层与第一与第二钝化层中的至少一个相接触。第三钝化层可以具有一定厚度，其基本上小于第一钝化层的最大厚度。
第一结构可进一步包括在像素阵列与基板之间的晶体管阵列。第一钝化层可以设置在晶体管阵列与像素阵列之间。一个晶体管可以包括源、漏与栅电极，并且第一结构可以进一步包括与源接触的源电极以及与漏接触的漏电极。第一导电层可由源电极、漏电极与栅电极中的至少一个的材料来形成。
在显示装置中，晶体管中的一个可包括源、漏与栅电极，并且第一结构可进一步包括与源接触的源电极以及与漏接触的漏电极。第一导电层可以与源电极、漏电极与栅电极中的至少一个同时形成。
第三结构可以进一步包括插入在第一导电层与基板之间的绝缘层。在显示装置中，晶体管之一可包括在基板上的半导体层、在半导体层上的栅绝缘层、在栅绝缘层上的栅电极以及在栅电极上面的层间绝缘层，并且第三结构的绝缘层可以由栅绝缘层与层间绝缘层中的至少一个的材料来形成。
第三结构可以进一步包括插入在第一导电层与基板之间的第二导电层。在显示装置中，晶体管中的一个可以包括源、漏与栅电极，并且第一结构可以进一步包括与源接触的源电极以及与漏接触的漏电极。第二导电层可以由源电极、漏电极与栅电极中的至少一个的材料来形成。
在显示装置中，晶体管中的一个可以包括源、漏以及栅电极，并且第一结构可以进一步包括与源接触的源电极以及与漏接触的漏电极。第二导电层可与源电极、漏电极与栅电极中的至少一个同时形成。
第三结构可以进一步包括插入在第一与第二导电层之间的绝缘层。在显示装置中，晶体管中的一个可以包括在基板上面的半导体层、在半导体层上面的栅绝缘层、在栅绝缘层上面的栅电极，以及在栅电极上面的层间绝缘层，并且第三结构的绝缘层由栅绝缘层与层间绝缘层中的至少一个的材料来形成。
第三结构没有钝化层。第一钝化层可以由半导体或绝缘体形成。表面电极对于可见光来说是反射和基本透明的至少之一。表面电极可以包括Al层。表面电极可以包括Al/ITO/Ag层的结构。在显示装置中，表面电极可以在第一、第二与第三结构上是基本连续的，并且表面电极可以在第三结构的一个或更多的位置上中断开。像素阵列可以包括有机发光二极管。
本发明的另一方面提供了一种制造显示装置的方法。该方法包括：提供基板，该基板的一个表面上包括第一区域、第二区域以及在表面的第一与第二区域之间的第三区域；在第一区域上形成第一结构，第一结构包括第一钝化层、在第一钝化层上的像素阵列以及在钝化层与基板之间的晶体管阵列；在第二区域上形成第二结构，第二结构包括电源线；在第三区域上形成第三结构，第三结构包括第一导电层；以及在第一、第二与第三结构上形成表面电极，因此表面电极与电源线以及第一导电层相接触。
在该方法中，晶体管中的一个可以包括源、漏以及栅电极，并且第一结构可以进一步包括与源接触的源电极以及与漏接触的漏电极。第一导电层可以与源、漏与栅电极中的至少一个同时形成。
该方法可以进一步包括在基板与第三区域中的第一导电层之间形成绝缘层。晶体管中的一个可以包括在基板上面的半导体层、在半导体层上面的栅绝缘层、在栅绝缘层上面的栅电极以及在栅电极上面的层间绝缘层，并且第三结构的绝缘层与栅绝缘层与层间绝缘层中的至少一个同时形成。
该方法可以进一步包括在基板与第三区域中的第一导电层之间形成第二导电层。晶体管中的一个可以包括源、漏与栅电极，并且第一结构可以进一步包括与源接触的源电极以及与漏接触的漏电极。第二导电层可以与源、漏与栅电极中的至少一个同时形成。
该方法可以进一步包括在第一导电层与第三区域的第二导电层之间形成绝缘层。晶体管中的一个可以包括在基板上面的半导体层、在半导体层上面的栅绝缘层、在栅绝缘层上面的栅电极以及在栅电极上面的层间绝缘层，并且第三结构的绝缘层与栅绝缘层与层间绝缘层中的至少一个同时形成。
该方法可以进一步包括在第二区域中在基板与电源线之间形成第二钝化层。第一与第二钝化层可以是同时形成的。本发明的另一方面仍然提供了一种通过如上所述的方法制造的显示装置。
本发明的另一个方面提供了一种平板显示装置，其包括：基板、设置在基板的第一区域中的多个薄膜晶体管、设置在基板上并与第一区域分离的导线单元、设置在第一基板上在第一区域与导线单元之间的导电层、以及多个与第一区域中的薄膜晶体管电连接的显示元件。
设置在第一区域中的薄膜晶体管可以包括：半导体层、覆盖半导体层的栅绝缘层、设置在栅绝缘膜上面的栅电极、覆盖栅电极的层间绝缘层、以及设置在层间绝缘膜上面的源电极与漏电极，源电极与漏电极分别通过形成在栅绝缘膜以及层间绝缘膜上的接触孔与半导体层相连接。栅绝缘膜与层间绝缘膜可以延伸到第一区域的外部，并且导线单元可以被设置在层间绝缘膜上面。导线单元可以由与源和漏电极相同的材料形成。栅绝缘膜与层间绝缘膜可以延伸到第一区域的外部，并且导电层可以被设置在层间绝缘膜上面。导电层可以由与源和漏电极相同的材料来形成。
栅绝缘膜与层间绝缘膜可以延伸到第一区域的外部，并且导电层可以包括设置在栅绝缘膜上面的第一导电层以及设置在层间绝缘膜上面的第二导电层。第一导电层可以由与栅电极相同的材料形成，第二导电层可以由与源和漏电极相同的材料形成。平板显示装置可以进一步包括覆盖第一区域的第一区域钝化层以及与第一区域保护膜分离的外围区域钝化层。导线单元可以设置在外围区域保护膜之上。
显示元件可以为有机发光装置，其包括像素电极、表面电极以及插入到像素电极与表面电极之间的中间层以及包括至少一个发光层。像素电极可以设置在第一区域钝化层上面并通过形成在第一区域保护膜上的接触孔与第一区域中的薄膜晶体管电连接。导线单元可以设置在外围区域钝化层上面并且由与像素电极相同的材料形成。平板显示装置可以进一步包括设置在第一区域钝化层上面的像素限定膜来暴露像素电极。
像素限定膜也可以设置在外围区域保护膜上面。像素限定膜可以包括接触孔，其露出了导线单元的至少一部分。表面电极可以通过接触孔与导线单元电连接，接触孔露出了导线单元的至少一部分。表面电极与导电层可以彼此是电连接的。
附图说明
本发明的上述以及其他的特征与优点可以结合附图通过以下描述而变得更为明显以及更易理解。
图1为常规的有机发光显示装置的平面图；
图2为如图1的有机发光显示装置沿图1线II-II的横截面图；
图3为表示有机发光显示装置的一个实施例的平面图；
图4为如图3的有机发光显示装置沿图3线IV-IV的横截面图；
图5为在第三区域中没有导电层的有机发光显示装置的横截面图；
图6为表示有机发光显示装置的另一个实施例的横截面图；
图7为表示有机发光显示装置的另一个实施例的横截面图；
图8为表示有机发光显示装置的另一个实施例的横截面图；
图9为表示有机发光显示装置的另一个实施例的横截面图；以及
图10为表示有机发光显示装置的另一个实施例的横截面图。
具体实施方式
下面将参考附图详细描述根据本发明的实施例的平板显示装置及其制造方法。在附图中，同样的参考数字代表同样的或功能类似的元件。
图3为依照一个实施例的平板显示装置的平面图，以及图4为如图3的平板显示装置沿图3线IV-IV的横截面。所示的平板显示装置为有机发光显示装置。在另一些实施例中，平板显示装置可以包括其他类型的显示装置，例如液晶显示(LCD)、场致发光显示(FED)以及等离子体显示面板(PDP)。
参考图3与4，有机发光显示装置包括基板110，其包括第一区域100、第二区域700以及第三区域A。第三区域插入到第一区域100与第二区域700之间。基板110由玻璃、金属或塑料形成。多个薄膜晶体管形成在基板110的第一区域100(图4)中。导线单元701(图4)形成在第一区域100外部的基板110的第二区域700中。另外，导电层420形成在基板110的第三区域A中。
另外，有机发光显示装置包括有机发光装置，例如，有机发光二极管。每个有机发光装置包括像素电极210(图4)、面对像素电极210的表面电极400以及插入到像素电极210以及表面电极400之间的中间层230(图4)。另外，每个有机发光装置包括发光层。在顶部发射型显示装置中，表面电极基本为透明的，并可以包括薄的Al层、在Al层上面的ITO层以及在ITO层上的Ag层。
多个薄膜晶体管形成在第一区域100中。如图3所示，薄膜晶体管可以形成在显示区域200以及垂直电路驱动单元500中。在某些实施例中，基板110的其他区域，例如水平电路驱动单元600可以也包括薄膜晶体管。
终端320、430、510与620形成在基板110的终端区域1000中。终端区域1000指的是围绕第二区域700的基板110的最外层边缘区域。终端与驱动电源导线单元300、电极电源线410、垂直电路驱动单元500以及水平电路驱动单元600电连接。
另外，密封部件800与密封基板900被设置成密封第一、第二与第三区域，并把这些区域与终端区域1000分离开(图4)。
现在将详细描述第一区域100的配置。第一，缓冲层120形成在基板110上。在一个实施例中，缓冲层由SiO2形成。在缓冲层120上形成半导体层130并对其构图。半导体层130可以由非晶硅、多晶硅或有机半导体材料形成。虽然没有详细表示，半导体层130包括源区、漏区以及掺杂有N-型掺杂剂或P-型掺杂剂的沟道区。
栅绝缘层140形成在半导体层130上面。栅绝缘层140可以由SiO2形成。其可以通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积。另外，栅电极150形成在栅绝缘层140上面。考虑到与相邻层的粘附性、表面平坦性以及加工性，栅电极150由例如Mo、W或Al/Cu的导体形成。
层间绝缘膜160形成在栅电极150上面。层间绝缘膜160可以为单层或多层的。膜160可以由SiO2或SiNx形成。源与漏电极170形成在层间绝缘膜160上面。每个源与漏电极170通过形成在层间绝缘膜160与栅绝缘层140上的接触孔与半导体层130相接触。
第一区域钝化层181形成在源与漏电极170上面。钝化层181也可以起保护层和/或平面化层的作用。钝化层181配置成保护薄膜晶体管并在薄膜晶体管上提供平坦表面。第一区域钝化层181可以由多种配置以及多种材料形成，包括半导体和绝缘体。在一个实施例中，钝化层181由例如苯并环丁烯(BCB)或丙稀的有机材料形成。在另一些实施例中，膜181可以由例如SiNx的无机材料形成。钝化层181可以为单层、双层或多层结构。
多种显示元件可以形成在第一区域钝化层181之上。在所示的实施例中，有机发光元件形成在第一区域钝化层181之上。有机发光元件包括像素电极210、面对像素电极210的表面电极400以及插入到电极210与400之间的中间层230。有机发光元件也包括发光层。
像素电极210形成在第一区域钝化层181上面。像素电极210通过穿过第一区域钝化层181的接触孔211与源与漏电极170电连接。像素电极210可以由透明或反射电极形成。在像素电极210由透明电极形成的实施例中，像素电极210可以由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成。在像素电极210由反射电极形成的实施例中，像素电极210可以包括ITO、IZO、ZnO或In2O3层和在该层之下的反射膜。反射膜可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或前述的金属化合物形成。
表面电极400可以形成为透明电极或反射电极。在表面电极400形成为透明电极的实施例中，表面电极400可以具有低功函数的金属层以及在金属层上面的辅助电极层(或总线电极线)。金属层可以由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或前述的金属化合物形成。辅助电极层可以由形成透明电极的材料形成，例如ITO、IZO、ZnO或In2O3。在表面电极400形成为反射电极的其他实施例中，表面电极400只具有由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或前述的金属化合物形成的层。在某些实施例中，像素电极210与表面电极400可以由例如导电聚合物的有机材料形成。
中间层230可以由低分子量的有机材料或聚合物有机材料形成。在中间层230由低分子有机材料形成的实施例中，中间层230可以以单层的结构形成。中间层230也可以通过叠加空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(ETL)形成为多层结构。中间层230的有机材料的例子包括但不限于，铜酞菁(CuPc)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-联苯-联苯胺(NPB)以及三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。低分子有机层可以通过蒸发方法形成。
在中间层230由聚合物有机材料形成的其他实施例中，中间层230可以包括HTL和EML。在该实施例中，HTL可以由例如聚-(2，4)-乙烯-二羟基-噻吩(PEDOT)的聚合物形成。发光层可以由聚-苯撑亚乙烯基(PPV)与聚芴基聚合物形成。这些层可以使用丝网印刷或喷墨印刷法形成。本领域的技术人员可以理解多种配置和材料可以用于中间层230中。
导线单元701位于在第一区域100的外部的第二区域700内。如图4所示，导线单元701包括电极电源线410。导线单元701与表面电极300电连接以便给表面电极400提供功率。在所示的实施例中，栅绝缘层140与层间绝缘膜160从第一区域100延伸到第二区域700。在其他实施例中，栅绝缘层140与层间绝缘膜160可以不延伸到第一区域100的外部。
有机发光装置也需要例如驱动电源的其他电源。驱动电源可以经由显示区域200中的多个驱动线(VDD)310被提供。驱动线310与位于显示区域200之外的驱动电源导线单元300电连接。在所示的实施例中，驱动电源导线单元300配置成包围显示区域200。在其他实施例中，驱动电源导线单元可以具有不同的形状并且可以不包围显示区域200。
如图4所示，第一区域钝化层181配置成覆盖第一区域100。另外，第二或外围区域钝化层182可以形成在第一区域100的外部的第二区域700内。外围区域钝化层182可以通过如下步骤形成，首先，在基板110的第一、第二和第三区域上形成钝化层，然后从第三区域A中除去钝化层。在另一个实施例中，当第三区域A上不形成层时，钝化层181与182可以单独形成。
钝化层可以是由有机和/或无机材料形成的复合膜。如上所述，在传统的显示装置中，因为基板的显示和外围区域上整体形成钝化层，所以杂质可以从外部扩散通过外围区域中的钝化层进入显示区域200中。
然而，在所示的实施例中，钝化层在第一区域100与第二(或外围)区域700之间是不连续的。因而，杂质不能从第二区域700扩散进入第一区域100中。因而，即使杂质已经从外部渗透进入外围区域钝化层182中，杂质也不能进入显示区域100中。这样，显示装置的寿命将得到延长。另外，可以防止在长期的操作之后的图像质量的退化。在某些实施例中，薄的钝化层可以被提供在第三区域A中。薄的钝化层具有比在第一与第二区域100与700中的钝化层181与182的厚度基本上更薄的厚度。在所示的实施例中，导电层420(下面将描述其功能)位于第一区域100与第二区域700的钝化层之间。
如图4所示，包括电极电源线410的导线单元701位于第二区域钝化层182上面。在所示的实施例中，电极电源线410可以与显示区域200中的像素电极210同时形成。电极电源线410可以由与像素电极210相同的材料形成。在某些实施例中，电源线410可以由不同于像素电极210的材料形成。
另外，像素限定膜220形成在第一区域100中的像素电极210与钝化层181上面。像素限定膜220配置成通过具有对于每个子像素的开口来限定像素。开口配置成暴露像素电极210，并通过增加像素电极210的端部与表面电极400之间的距离来阻止在像素电极210的端部出现电弧。像素限定膜220也可以形成在第二区域700中的第二(或外围)区域钝化层182上面。在所示的实施例中，像素限定膜220具有接触孔或凹槽，以暴露电极电源线410的上表面的至少一部分。电极电源线410与表面电极400通过接触孔电连接。
在所示的实施例中，表面电极400横跨基板110的第一、第二和第三区域形成。如图4所示，由于钝化层已经从第三区域A中去掉以便中断了第一与第二区域之间的钝化层，因此在第三区域中形成凹槽，暴露出导电层420的上表面。以同样厚度同时形成在第一、第二和第三区域上面的表面电极400朝下弯曲与第三区域A中的凹槽的暴露表面相接触。
因为表面电极400具有相对于相邻的保护膜较薄的厚度，如图5所示，由于台阶差该表面电极可以是断开的。当钝化层与像素限定膜具有大约2μm的厚度时，表面电极400具有大约
Figure C20061012637600121
的厚度。在图5的有机发光显示装置中，其在第三区域A中没有导电层，在第三区域A与相邻区域100、700之间出现大的台阶差。由于这种台阶差，表面电极400可以如Al所示是断开的。在这种情况下，导线单元701不能与表面电极400电连接，因而需要减少这种台阶差。图4的导电层420可以减少这种台阶差。该配置阻止了在第三区域A中出现的表面电极400的断开。
导电层420可以与在第一区域100中的源和漏电极170同时形成。导电层420由与形成源和漏电极170的材料相同的材料形成。在其他实施例中，导电层420可以由不同于源和漏电极的材料的材料形成。导电层420可以具有适用于显示平板结构的其他配置。
这样，可以减少台阶差，并因而阻止了表面电极400的断开。同时，即使表面电极400是断开的，只要表面电极400与导电层420相接触，导线单元700和表面电极400也可以通过导电层420相连接。因此，该配置降低了产品的故障率。
在没有图示的实施例中，第二区域700不包括在基板110上面的钝化层。在该实施例中，导线单元701，也就是电极电源线410，形成在层间绝缘膜160上。电极电源线410形成在与源和漏电极170相同的层上。电极电源线410可以由与源和漏电极170的材料相同的材料形成。
在如图6所示的另一个实施例中，垂直电路单元500形成在第二区域700的导线单元701之下。在如图7所示的另一个实施例中，垂直电路单元(未示)位于第二区域700的外部。在如图8所示的另一个实施例中，垂直电路单元500位于第二区域700中并且像素限定膜220形成在与第三区域相邻的第一区域中的钝化层181上面。在上述实施例中，台阶差出现在第三区域A与第一区域100之间以及第三区域A与第二区域700之间。第三区域A中的导电层420阻止了由于台阶差导致的表面电极400的断开而引起的产品的失败。
图9为表示有机发光显示装置的另一个实施例的横截面图。所示的平板显示装置为有机发光显示装置。
所示的有机发光显示装置具有参考图4所述的结构以及材料。然而，在所示的装置中，导电层420具有双层的结构并且绝缘层插入其间。导电层420包括第一导电层421以及第二导电层422。第一导电层421可以与第一区域100中的栅电极150同时形成在栅绝缘膜140上。第一导电层421可以由与栅电极150相同的材料形成。第二导电层422可以与源和漏电极170同时形成在层间绝缘膜160上面。第二导电层422可以由与源和漏电极170相同的材料形成。双层结构可以进一步减少第三区域与第一/第二区域之间的台阶差，因此进一步减少表面电极400的断开。
图10为表示有机发光显示装置的另一个实施例的横截面图。所示的平板显示装置为有机发光显示装置。
所示的有机发光显示装置具有参考图4所述的结构以及材料。然而，在所示的装置中，导电层420具有双层的结构。导电层420具有两层，包括第一导电层421以及直接在第一导电层421上面的第二导电层422。当用于将第一区域中的源和漏电极170与半导体层130连接的接触孔形成时，可以通过从第一导电层421上面除去层间绝缘膜160来建立第一导电层421以及第二导电层422之间的电连接。
在其他实施例中，上述的配置可以应用于其他类型的显示装置，包括但不限于液晶显示装置(LCD)。
根据以上实施例的平板显示装置具有如下优点。第一，在第一(或显示)区域与第二(或外围)区域之间的钝化层是不连续的。因此，可以阻止杂质通过外围区域中的钝化层渗透进入显示区域。第二，第三区域中的导电层可以阻止由于相邻层之间的台阶差导致的电极的断开。第三，由于导电层包括在第一区域钝化层与外围区域保护膜之间，即使表面电极由于台阶差而断开，表面电极也可以通过导电层与导线单元电连接。
虽然本发明已经参考具体实施例进行了详细的示出和描述，本领域的技术人员可以理解，在不脱离由以下权利要求限定的本发明的精神与范围的情况下，本发明可以有多种形式和细节的改变。

Claims (21)

1、一种平板显示装置，包括：
具有一表面的基板，该表面包括第一区域、第二区域和在该表面的第一与第二区域之间的第三区域；
在第一区域上的第一结构，该第一结构包括第一钝化层和第一钝化层上的像素阵列；
在第二区域上的第二结构，该第二结构包括电源线和电源线下面的第二钝化层；
在第三区域上的第三结构，该第三结构包括第一导电层；以及
在第一、第二和第三结构上的表面电极，该表面电极与电源线和第一导电层相接触，
其中凹槽在所述第一和第二钝化层之间的第三区域上被限定出，并且物理上将所述第一钝化层和第二钝化层区分开。
2、权利要求1的显示装置，其中第一导电层与第一和第二钝化层相接触并插入到第一和第二钝化层之间。
3、权利要求1的显示装置，其中第三结构进一步包括在第一导电层与基板之间的第三钝化层，其中第三钝化层与第一和第二钝化层中的至少一个相接触，并且其中第三钝化层具有比第一和第二钝化层的最大厚度小的厚度。
4、权利要求1的显示装置，其中第一结构进一步包括在像素阵列与基板之间的晶体管阵列。
5、权利要求4的显示装置，其中第一钝化层位于晶体管阵列与像素阵列之间。
6、权利要求4的显示装置，其中一个晶体管包括源电极、漏电极以及栅电极，其中第一导电层由源电极、漏电极以及栅电极中的至少一个所使用的材料形成。
7、权利要求4的显示装置，其中一个晶体管包括源电极、漏电极以及栅电极，其中第一导电层与源电极、漏电极以及栅电极中的至少一个同时形成。
8、权利要求4的显示装置，其中第三结构进一步包括插入到第一导电层与基板之间的绝缘层。
9、权利要求8的显示装置，其中一个晶体管包括在基板上面的半导体层、在半导体层上面的栅绝缘层、在栅绝缘层上面的栅电极以及在栅电极上面的层间绝缘层，其中第三结构的绝缘层由栅绝缘层与层间绝缘层中的至少一个所使用的材料形成。
10、权利要求4的显示装置，其中第三结构进一步包括插入在第一导电层与基板之间的第二导电层。
11、权利要求10的显示装置，其中一个晶体管包括源电极、漏电极以及栅电极，其中第二导电层由源电极、漏电极以及栅电极中的至少一个所使用的材料形成。
12、权利要求10的显示装置，其中一个晶体管包括源电极、漏电极以及栅电极，其中第二导电层与源电极、漏电极以及栅电极中的至少一个同时形成。
13、权利要求10的显示装置，其中第三结构进一步包括插入到第一与第二导电层之间的绝缘层。
14、权利要求13的显示装置，其中一个晶体管包括在基板上面的半导体层、在半导体层上面的栅绝缘层、在栅绝缘层上面的栅电极以及在栅电极上面的层间绝缘层，其中第三结构的绝缘层由栅绝缘层与层间绝缘层中的至少一个所使用的材料形成。
15、权利要求1的显示装置，其中第三结构没有钝化层。
16、权利要求1的显示装置，其中第一钝化层由半导体或绝缘体形成。
17、权利要求1的显示装置，其中表面电极相对于可见光来说是反射和透明中的至少一种。
18、权利要求17的显示装置，其中表面电极包括Al层。
19、权利要求18的显示装置，其中表面电极包括Al/ITO/Ag层的结构。
20、权利要求1的显示装置，其中表面电极在第一和第二结构上是连续的，并且其中表面电极在第三结构上的一个或多个位置处是不连续的。
21、权利要求1的显示装置，其中像素阵列包括有机发光二极管，所述有机发光二极管具有像素电极，所述表面电极，以及设置在所述像素电极和所述表面电极之间的中间层。
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