KR20040102638A - 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기발광층내로 침투된 유해 가스로 인한 발광영역의 감소를 줄일 수 있는 유기 전계 발광 소자를 개시한다. 개시된 본 발명은 패시브 타입의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 절연기판상에 형성된 제 1전극층과, 상기 제 1전극층상에서 화소주변영역의 가장자리부에 소정의 깊이로 형성된 복수의 트랜치를 갖는 절연층과, 상기 제 1전극층의 표면과 상기 복수의 트랜치 표면을 따라 소정의 두께로 형성된 유기층과, 상기 유기층의 표면을 따라 소정의 두께로 형성되는 제 2전극층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로, 특히, 제조 공정시 유기 발광층내로 침투된 유해 가스로 인한 발광영역의 감소를 줄일 수 있는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로, 유기 전계 발광 소자(Oraganic Electroluminescence Device: 이하, OELD라 함.)는 유기 화합물을 이용하여 형성된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층에 정공 및 전자를 주입하기 위한 한 쌍의 전극 즉, 애노드(Anode) 및 캐소드(Cathode)를 포함하여 이루어지며, 상기 한 쌍의 전극에 전계가 인가될 시 유기 발광층내로 주입된 정공 및 전자 쌍의 재결합에 의해 광을 방출하는 특성을 갖는다.
이러한 OELD는 자체 발광 특성에 의해 컬러화상의 구현이 가능할 뿐만 아니라 그 구조가 간단하고, 광효율이 높고, 응답속도가 빠르고, 시야각 의존도가 낮고, 구동 전압이 낮고, 경박화가 가능하고, 그리고 연성 기판(flexible substrate)의 사용이 가능한 장점들을 갖기 때문에 차세대 평판 디스플레이 소자로 주목받고 있으며, LCD 백라이트, 휴대용 단말기, 자동차 항법 시스템, 포터블 컴퓨터 및 벽걸이 TV 등 그 적용범위가 다양하다.
상기 OELD는 단위 화소가 매트릭스 형태로 배열된 구조를 갖는데, 일반적으로 구동방식에 따라 패시브 매트릭스 타입(passive matrix type)과 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)으로 구분된다.
도 1은 종래 기술에 따라 음극분리용 격벽이 형성된 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도로서, 도시된 바와 같이, 절연기판(10)상에 형성된 제 1전극층(12)과, 제 1전극층(12)상의 화소주변영역에 형성된 절연층(14), 제 1전극층(12)상의 화소영역(P)과 절연층(14)이 가장자리부상에 형성된 유기층(16)과, 제 1전극층(12)상의 화소주변영역에 형성된 절연층(14)과, 유기층(16)상에 형성된 제 2전극층(18)과, 절연층(14)상에 형성된 음극분리용 격벽(20)으로 구성된다.
제 1전극층(12)는 ITO(Indium Thin Oxide) 재료로 형성되어 양극(Anode)으로 사용되며, 제 2전극층(18)은 음극(Cathode)으로 사용된다.
유기층(16)은 정공전송층(hole transporting layer)과, 이 정공전송층을 통해 전송된 정공과 제 2전극층(18)을 통해 주입된 전자의 재결합에 의해 발광하는 유기발광층으로 구성된다.
도 2는 종래 기술에 따라 음극분리용 격벽이 형성되지 않은 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자를 도시한 단면도이다. 동도면에서 도 1과 동일한 구성에 대해 동일한 참조부호가 사용된다.
도 2참조하면, 종래 기술에 따른 유기 전계 발광 소자는 음극분리용 격벽을 제외한 구성이 도 1과 동일하므로, 이하 그 구성에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 3은 종래 기술에 따른 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자들에 있어 외부 유해 가스가 직접 수평 침투하는 경로를 나타낸 도면이다.
상기와 같이 구성된 종래 기술에 따른 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자들은 외부로부터의 습기 및 O2의 침투를 방지하기 위하여 서스(SUS), 필름(film) 또는 글래스(glass) 등과 같은 밀봉부재에 의해 밀봉되는 것이 일반적이다.
그러나, 상기 종래 기술에 따른 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자들은 밀봉부재에 의해 봉지되어 있음에도 불구하고, 도 3에 나타낸 바와 같이, 유가가스 침투경로가 수평적으로 형성되어 있어 제조공정 중에 유기층(14)으로 유해가스가 빠르고 용이하게 침투하여 내부에 잔존하게 된다.
이러한 유해가스의 침투는 화소영역과 상관없는 절연층(16) 영역에서 시작되나 시간이 지남에 따라 또는 발광이 지속됨에 따라 화소영역의 유기층(14)으로 확대되어 발광영역의 크기를 감소시킨다. 이러한 현상은 재질과 재료에 상관없이 통상적으로 발생되는 것으로 엣지 성장(edge growth)이라 불린다.
따라서, 종래 기술에 따른 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자들은 상기 엣지 성장과 같은 현상으로 인해 화면의 표시품위가 저하됨과 동시에 평균휘도가 감소되어 결과적으로 제품 신뢰성이 떨어지게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결하기 위해 유기층으로의 유해가스 침투를 차단함으로써, 발광영역의 감소를 방지하는 유기 전계 발광 소자를 제공하는 데 있다.
도 1 내지 도 3는 종래 기술에 따른 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자를 설명하기 위한 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자를 설명하기 위한 단면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예를 적용한 부가발광을 발생하는 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자를 설명하기 위한 단면도.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 부가발광을 발생하는 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발과 소자를 설명하기 위한 단면도.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광차단층의 구조를 설명하기 위한 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호설명
100: 절연기판 102: 제 1전극층
104: 트랜치 106: 절연층
108: 유기층 110: 제 2전극층
112: 음극분리용 격벽 114: 발광차단층
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 패시브 타입의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 절연기판상에 형성된 제 1전극층; 상기 제 1전극층상에서 화소주변영역의 가장자리부에 소정의 깊이로 형성된 복수의 트랜치를 갖는 절연층; 상기 제 1전극층의 표면과 상기 복수의 트랜치 표면을 따라 소정의 두께로 형성된 유기층; 및 상기 유기층의 표면을 따라 소정의 두께로 형성되는 제 2전극층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 상기 절연층상의 중심부에 형성된 음극분리용 격벽을 더 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따라 상기 복수의 트랜치는 상기 화소주변영역의 부가발광을 위해 제 1전극층이 노출되도록 깊이 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따라 상기 절연층은 1㎛로 이하의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따라 상기 절연층은 유기 감광제로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따라 상기 유기층은 주입되는 전자정공쌍의 재결합에의해 발광하는 유기발광층과, 상기 유기발광층으로 정공을 전송하기 위한 정공전송층으로 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따라 상기 유기층은 주입되는 전자정공쌍의 재결합에 의해 발광하는 유기발광층과, 상기 유기발광층으로 정공을 전송하기 위한 정공전송층과, 상기 유기발광층으로 전자를 전송하기 위한 전자전송층으로 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따라 상기 절연층은 무기 절연제로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따라 상기 트랜치의 폭 및 깊이는 상기 절연층의 두께의 약 10~100% 내의 범위로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발과 소자는 패시브 타입의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 절연기판상에 형성된 제 1전극층; 상기 제 1전극층상에서 화소주변영역의 가장자리부에 형성되어 부가발광을 차단하는 발광차단층; 상기 발광차단층을 포함한 상기 제 1전극층상의 화소주변영역에 형성되며, 상기 발광차단층의 상부에 소정의 깊이로 형성된 복수의 트랜치를 갖는 절연층; 상기 제 1전극층의 표면과 상기 복수의 트랜치 표면을 따라 소정의 두께로 형성된 유기층; 및 상기 유기층의 표면을 따라 소정의 두께로 형성되는 제 2전극층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 상기 절연층상의 중심부에 형성된 음극분리용 격벽을 더 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따라 상기 유기층은 주입되는 전자정공쌍의 재결합에 의해 발광하는 유기발광층과, 상기 유기발광층으로 정공을 전송하기 위한 정공전송층으로 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따라 상기 유기층은 주입되는 전자정공쌍의 재결합에 의해 발광하는 유기발광층과, 상기 유기발광층으로 정공을 전송하기 위한 정공전송층과, 상기 유기발광층으로 전자를 전송하기 위한 전자전송층으로 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따라 상기 절연층은 유기 감광제로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따라 상기 절연층은 무기 절연제로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따라 상기 절연층은 1㎛로 이하의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따라 상기 발광차단층은 패터닝되어 상기 복수의 트랜치에 대응하는 그룹층으로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따라 상기 발광차단층은 유기 또는 무기 절연재료로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 따라 상기 트랜치의 폭 및 깊이는 상기 절연층의 두께의 약 10~100% 내의 범위로 형성되는 것이 바람직하다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다. 동도면에서 화살표는 유해가스의 침투경로를 나타낸다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자는 절연기판(100)상에 형성된 제 1전극층(102)과, 제 1전극층(102)상에서 화소주변영역의 가장자리부에 복수의 트랜치(trench)(104)를 갖는 절연층(106)과, 제 1전극층(102)의 표면과 복수의 트랜치(104) 표면을 따라 소정의 두께로 형성된 유기층(108)과, 유기층(108)의 표면을 따라 소정의 두께로 형성되는 제 2전극층(110)으로 구성된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자는 상기 절연층(106)상의 중심부에 형성된 음극분리용 격벽(112)을 더 구비하는 것이 바람직하다.
제 1전극층(102)는 ITO(Indium Thin Oxide) 재료로 형성되어 양극(Anode)으로 사용되며, 제 2전극층(110)은 음극(Cathode)으로 사용된다.
유기층(108)은 주입되는 전자정공쌍의 재결합에 의해 발광하는 유기발광층과, 상기 유기발광층으로 정공을 전송하기 위한 정공전송층으로 구성된다.
또한, 유기층(108)은 주입되는 전자정공쌍의 재결합에 의해 발광하는 유기발광층과, 상기 유기발광층으로 정공을 전송하기 위한 정공전송층과, 상기 유기발광층으로 전자를 전송하기 위한 전자전송층으로 구성될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 절연기판(100)상에 ITO(Indium Thin Oxide) 재료를 도포한 후 포토공정을 진행하여 제 1전극층(102)을 형성하고, 이어 화소영역과 화소주변영역을 한정하기 위해 제 1전극층(102)의 상부에 절연층(106)을 형성한다. 이 때, 절연층(106)은 제 1전극층(102)와 후속 공정에서 형성되는 제 2전극층(110)간의 단락을 방지하기 위한 것으로 포토레지스트막과 같은 유기 절연제 또는 산화막 및 고분자 절연막과 같은 무기 절연제로 형성될 수 있으며, 1㎛의 이하의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 그리고 그 두께는 절연층(106)의 재질과 공정장비의 성능에 크게 좌우된다.
그 다음, 절연층(106)상에 형성하고자 하는 개수의 트랜치 패턴을 정의한 후 복수의 트랜치(104)를 형성한다. 이 때, 트랜치(104)의 깊이는 유기층(108)의 부가발광이 발생되지 않도록 제 1전극층(102)이 노출되지 않을 정도로 형성된다. 예컨대, 트랜치(104)의 깊이는 유기 감광제를 사용하는 경우 적절한 노광 및 현상 조건에 의해 조절될 수 있고, 무기 절연제를 사용하는 경우 적절한 식각 조건에 의해 조절될 수 있다.
그 다음, 제 1전극층(102)의 표면과, 트랜치가 형성된 절연층(106)의 표면을 따라 제 2전극층(110)을 형성한다.
따라서, 본 발명의 일 실시예는 화소주변영역에서 절연층(106)에 의해 유기층(108)이 노출되지 않음으로써 부가발광이 발생되지 않으며, 또한 복수의 트랜치(104)에 의해 화소영역의 유기층(108) 내부로 유해가스의 침투가 차단되어 유해가스로 인한 화소영역의 열화를 방지할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예를 적용하여 음극분리용 격벽을 갖는 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자를 제조하는 경우 상기 제 2전극층(110)을 형성한 후 절연층(106)상의 중심부에 형성된 음극분리용 격벽(112)을 형성한다. 이 경우 복수의 트랜치(102)를 음극분리용 격벽(110)의 엣지부근에서 화소영역의 외곽라인까지의 화소주변영역에 형성한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예을 적용한 부가발광을 발생하는 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다. 동도면에서 화살표는 유해가스의 침투 경로를 나타낸다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 부가발광을 발생하는 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자를 제조하는 경우 상기 복수의 트랜치(104)를 형성할 시 트랜치(104)의 깊이를 제 1전극층(102)이 노출될 정도로 깊게 형성한다. 이에 따라 유기층(108)에서 정공 및 전자쌍의 재결합이 발생되어 부가발광이 발생될 수 있다.
따라서, 트랜치(104)의 폭 및 깊이는 부가발광을 발생시키는지 또는 부가 발광을 발생시키지 않는지에 따라 절연층(106)의 두께의 약 10~100% 내의 범위로 형성되는 것이 바람직하다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 부가발광을 발생하는 패시브 매트릭스타입의 유기 전계 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다. 동도면에서 본 발명의 일 실시예의 구성과 동일한 부분에 대해 동일 참조부호를 사용한다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광차단층의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자는 부과발광을 발생하기 위해 절연층(106) 내에 발광차단층(114)을 하여 트랜치(104)의 내벽에 형성된 유기층(106)으로 정공의 주입을 차단시킴으로써, 부과발광을 억제한다는 점에서 본 발명의 일 실시예와 다르다.
발광차단층(114)은 유기 또는 무기 절연재료로 형성될 수 있으며, 화소주변영역에서 제 1전극층(102)의 상부에 형성된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입의 유기 전계 발광 소자는 절연층(106)상의 중심부에 형성된 음극분리용 격벽(112)을 더 구비하는 것이 바람직하다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광차단층(114)은 복수의 트랜치(104)에 대응하여 단일층(116)으로 형성될 수 있으며, 또한 상기 단일층을 패터닝함에 의해 그룹층(118)으로도 형성될 수 있다.
상기에서 본 발명의 특정 실시예가 설명 및 도시되었지만, 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다. 예컨대, 본 발명의 실시예에 따른 트랜치의 구조는 유해가스 및 기타 발광을 저해하는 물질의 침투를 방지하기 위해 절연층 상에만 형성되어지는 것이 아니라 기타 기능층에서형성될 수 있는 것이다. 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안되며, 본 발명에 첨부된 특허청구범위 안에 속한다 해야 할 것이다.
이상에서와 같이, 본 발명은 화소주변영역에 트랜치 패턴을 형성하여 기존에 비해 유해가스의 침투 경로를 늘려줌으로써, 화소영역 및 화소주변영역으로 침투되는 유해가스의 침투를 억제할 수 있으며, 이로 인해 화소주변영역의 열화가 느려지므로 화면 표시품위와 평균휘도를 향상시킬 수 있으며, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (19)
- 패시브 타입의 유기 전계 발광 소자에 있어서,절연기판상에 형성된 제 1전극층;상기 제 1전극층상에서 화소주변영역의 가장자리부에 소정의 깊이로 형성된 복수의 트랜치를 갖는 절연층;상기 제 1전극층의 표면과 상기 복수의 트랜치 표면을 따라 소정의 두께로 형성된 유기층; 및상기 유기층의 표면을 따라 소정의 두께로 형성되는 제 2전극층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연층상의 중심부에 형성된 음극분리용 격벽을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 트랜치는 상기 화소주변영역의 부가발광을 위해 제 1전극층이 노출되도록 깊이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 상기 절연층은 1㎛로 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연층은 유기 감광제로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기층은 주입되는 전자정공쌍의 재결합에 의해 발광하는 유기발광층과, 상기 유기발광층으로 정공을 전송하기 위한 정공전송층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기층은 주입되는 전자정공쌍의 재결합에 의해 발광하는 유기발광층과, 상기 유기발광층으로 정공을 전송하기 위한 정공전송층과, 상기 유기발광층으로 전자를 전송하기 위한 전자전송층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연층은 무기 절연제로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 트랜치의 폭 및 깊이는 상기 절연층의 두께의 약 10~100% 내의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 패시브 타입의 유기 전계 발광 소자에 있어서,절연기판상에 형성된 제 1전극층;상기 제 1전극층상에서 화소주변영역의 가장자리부에 형성되어 부가발광을 차단하는 발광차단층;상기 발광차단층을 포함한 상기 제 1전극층상의 화소주변영역에 형성되며, 상기 발광차단층의 상부에 소정의 깊이로 형성된 복수의 트랜치를 갖는 절연층;상기 제 1전극층의 표면과 상기 복수의 트랜치 표면을 따라 소정의 두께로 형성된 유기층; 및상기 유기층의 표면을 따라 소정의 두께로 형성되는 제 2전극층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 10 항에 있어서,상기 절연층상의 중심부에 형성된 음극분리용 격벽을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.
- 제 10 항에 있어서,상기 유기층은 주입되는 전자정공쌍의 재결합에 의해 발광하는 유기발광층과, 상기 유기발광층으로 정공을 전송하기 위한 정공전송층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 10 항에 있어서,상기 유기층은 주입되는 전자정공쌍의 재결합에 의해 발광하는 유기발광층과, 상기 유기발광층으로 정공을 전송하기 위한 정공전송층과, 상기 유기발광층으로 전자를 전송하기 위한 전자전송층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 10 항에 있어서,상기 절연층은 유기 감광제로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 10 항에 있어서,상기 절연층은 무기 절연제로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 10 항에 있어서,상기 절연층은 1㎛로 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 10 항에 있어서,상기 발광차단층은 패터닝되어 상기 복수의 트랜치에 대응하는 그룹층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 10 항에 있어서,상기 발광차단층은 유기 또는 무기 절연재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 10 항에 있어서,상기 트랜치의 폭 및 깊이는 상기 절연층의 두께의 약 10~100% 내의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
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ID=37378862
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030034163A KR20040102638A (ko) | 2003-05-28 | 2003-05-28 | 유기 전계 발광 소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20040102638A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100683791B1 (ko) * | 2005-07-30 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치 |
| KR100746984B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2007-08-07 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
-
2003
- 2003-05-28 KR KR1020030034163A patent/KR20040102638A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100683791B1 (ko) * | 2005-07-30 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치 |
| KR100746984B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2007-08-07 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
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