KR102312784B1 - 전계발광 소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents

전계발광 소자 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 박막트랜지스터가 형성된 어레이 기판, 상기 박막트렌지스터가 형성된 어레이 기판상에 형성된 유기 절연층, 상기 유기 절연층 상에 위치하는 격벽, 상기 격벽 사이의 유기절연층 상에 형성되어 상기 박막트렌지스터와 전기적으로 연결되며, 상기 격벽의 적어도 일부를 덮는 애노드 전극, 상기 애노드 전극상에 형성되는 발광층 및 상기 발광층 상에 형성되는 캐소드 전극을 포함하며, 발광효율 및 시야각 특성이 우수한 전계발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다.

Description

전계발광 소자 및 이의 제조 방법{ELECTROLUMINESCENCE DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}
본 발명은 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 정보화 사회가 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 증가하고 있으며, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel device), 전계발광 표시장치(Electro Luminescent Display device) 등이 연구되고 있다.
예를 들어, 전계발광 표시장치는 전계발광 소자를 이용하여 표시 패널을 형성한다. 전계발광 소자는 발광층의 재료에 따라 무기(Inorganic) 전계발광 소자와 유기(organic) 전계발광 소자로 크게 구별되며, 스스로 발광하는 자발광 소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 이러한, 전계발광 소자 중 유기물을 이용하는 전계발광 소자인 유기 전계발광 소자는 낮은 직류구동전압, 박막화가능, 발광되는 빛의 균일성, 용이한 패턴형성, 다른 발광소자에 견줄만한 발광효율, 가시영역에서의 모든 색상 발광등의 이점을 가지고 있어, 디스플레이 소자에의 응용을 위하여 매우 활발히 연구되고 있는 기술분야이다.
따라서, 한국 등록특허공보 제10-0815145호에서와 같이 최근 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조방법이 개발되고 있으나, 보다 향상된 발광효율과 시야각 특성을 나타내는 디스플레이 소자의 요구가 여전히 존재한다.
한국 등록특허공보 제10-08145145호
본 발명은, 발광효율 및 시야각 특성이 우수한 전계발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 발광효율 및 시야각 특성이 우수한 전계발광 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 박막트랜지스터가 형성된 어레이 기판;
상기 박막트랜지스터가 형성된 어레이 기판상에 형성된 유기 절연층;
상기 유기 절연층 상에 위치하는 격벽;
상기 격벽 사이의 유기 절연층 및 상기 격벽의 측면 경사면 상에 형성되며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 애노드 전극;
상기 애노드 전극상에 형성되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 형성되는 캐소드 전극을 포함하는 전계발광 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은, 어레이 기판에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막트랜지스터가 형성된 어레이 기판에 유기 절연층을 형성하는 단계;
상기 유기 절연층이 형성된 어레이 기판 상에 격벽을 위치시키는 단계;
상기 격벽 사이의 유기 절연층 및 상기 격벽의 측면 경사면 상부에 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되도록 애노드 전극을 형성하는 단계;
상기 애노드 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 발광층 상에 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 전계발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예들에 따른 전계발광 소자는 애노드 전극이 격벽 사이의 유기 절연층 및 격벽의 측면 경사면 상에 형성됨으로써, 발광 면적이 증가하여 발광 효율을 현저히 향상시킬 수 있으며, 우수한 시야각 특성을 나타낼 수 있다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 의한 전계발광 소자를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 일 실시예에 의한 전계발광 소자의 제조공정을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기발광화합물의 예시를 나타내는 도면이다.
본 발명은 박막트랜지스터가 형성된 어레이 기판, 상기 박막트랜지스터가 형성된 어레이 기판상에 형성된 유기 절연층, 상기 유기 절연층 상에 위치하는 격벽, 상기 격벽 사이의 유기 절연층 및 상기 격벽의 측면 경사면 상에 형성되며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 애노드 전극, 상기 애노드 전극상에 형성되는 발광층 및 상기 발광층 상에 형성되는 캐소드 전극을 포함함으로써, 발광효율 및 시야각 특성이 우수한 전계발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다.
이하 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예를 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 전계발광 소자를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 전계발광 소자(1)는 어레이 기판(10), 유기 절연층(20), 격벽(30), 애노드 전극(40), 발광층(50) 및 캐소드 전극(60)을 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 어레이 기판(10)에는 박막트랜지스터(15)가 형성된다.
예를 들면, 어레이 기판(10)은 기판(11)과, 기판(11)의 상면 전체에 불순물에 의하여 반도체 소자가 손상되는 것을 방지하도록 형성되는 블록킹층(12)을 포함하며, 이러한 어레이 기판(10) 위에 박막트랜지스터(15)가 형성된다.
기판(11)은 유리, 석영, 사파이어 및 세라믹 등과 같이 투명한 절연재료나 플라스틱 등으로 만들어진 투명한 플렉서블 재료 등 기준치 이상의 투명도를 가질 수 있는 재료로 이루어질 수 있다.
박막트랜지스터(15)는 당 분야에서 통상적으로 사용되는 박막트랜지스터라면 특별히 제한되지는 않으나, 예를 들면, 소스 전극 영역(15a), 채널패턴(15c) 및 드레인 전극 영역(15d) 을 구비하여 어레이 기판(10)상에 형성되는 활성층과, 상기 활성층을 포함한 어레이 기판 전면에 형성되는 게이트 절연막(13)과, 상기 채널패턴(15c) 상측의 게이트 절연막(13) 위에 형성되는 게이트 전극(15b)과, 상기 게이트 전극(15b)을 포함한 어레이 기판 전면에 형성되는 소스/드레인 절연막(14)과, 상기 소스 전극 영역(15a) 및 드레인 전극 영역(15d) 상에 콘택홀이 형성되어 소스 전극 영역(15a) 및 드레인 전극 영역(15d)에 전기적으로 연결되도록 소스/드레인 절연막(14) 상에 형성되는 소스 전극(15f) 및 드레인 전극(15e)을 포함하여 구성될 수 있다.
박막트랜지스터(15)가 형성된 어레이 기판(10) 상에는 유기 절연층(20)이 형성된다.
유기 절연층(20)은 박막트랜지스터(15)가 형성된 어레이 기판(10)의 상면 전면적에 걸쳐 형성될 수 있다.
유기 절연층(20)은 당 분야에 알려진 절연 소재가 제한 없이 적용될 수 있다. 예를 들면 아크릴계 수지, 폴리이미드, BCB(Benzo Cyclo Butene) 또는 PFCB 등과 같은 유기 절연 소재로 이루어질 수 있으며, 필요에 따라 실리콘 산화막 등과 같은 무기 절연 소재를 사용하는 것도 가능하다.
유기 절연층(20) 상에는 박막트랜지스터(15)의 드레인 전극(15e)이 노출되도록 콘택홀(21)이 형성되며, 콘택홀(21)을 통해 박막트랜지스터(15)의 드레인 전극(15e)과 후술할 애노드 전극(30)이 전기적으로 연결된다.
필요에 따라, 유기 절연층(20) 상부에는 어레이 기판(10)을 평탄화 시키기 위한 오버코트층(overcoat layer, 미도시)이 더 형성될 수도 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 전계발광 소자(1)는 유기 절연층(20) 상에 격벽(30)이 위치한다.
격벽(30)은 적색광을 발광하는 적색 발광층(50a), 녹색광을 발광하는 녹색 발광층(50b), 청색광을 발광하는 청색 발광층(50c)으로 이루어진 발광층(50)을 구획하여 인접하는 발광층에서 출력되는 특정 컬러의 광이 혼합되어 출력되는 것을 방지하기 위한 것이다. 이러한 격벽(30)은 소정의 각도로 경사진 형태로 형성된다.
종래의 전계발광 소자는 애노드 전극으로부터 캐소드 전극에 흐르는 전류에 비례하여 빛 방출 시 빛이 캐소드 전극을 통과해 바로 유리(glass)면으로 나가는 구조, 즉 전면발광구조인 경우, 발광층에서 캐소드 전극으로 입사되는 빛의 각도에 따라 외부로 방출되는 각도가 변화하여 화상표시 장치의 시야각에 영향을 줄 수 있다. 또한, 발광층에서 캐소드 전극으로 입사되는 빛이 일정 각도 이상인 경우, 전반사가 발생하여 외부로 방출되는 빛의 휘도가 현저히 저하되는 문제가 있다.
본 발명에 따른 전계발광 소자(1)는 도 1에 도시된 바와 같이 애노드 전극(40)이 격벽(30) 사이의 유기 절연층(20) 및 격벽(30)의 양측면 경사면 상에 형성됨으로써, 발광 면적이 증가하여 광량을 현저히 증가시킬 수 있으며, 외부로 방출되는 빛의 휘도를 현저히 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 시야각을 확보하여 고화질의 화상표시장치를 구현할 수 있게 한다.
애노드 전극(40)은 유기 절연층(20)에 형성된 콘택홀(21)을 통해서 박막트랜지스트(15)의 드레인 전극(15e)에 전기적으로 연결되며, 이를 통해 발광층(50)에 정공을 주입함으로써 캐소드 전극(60)과 쌍을 이루어 발광층(50)에 전기 에너지를 인가하는 기능을 수행한다.
애노드 전극(40)을 형성하는 재료는 전기 전도도가 우수하고 반사도가 높은 물질로서 가시광선 영역에서 균일성을 나타내는 물질이라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 은(Ag), 알루미늄(Al), ITO, IZO 등을 들 수 있다.
애노드 전극(40)은 발광 효율을 향상시키고 우수한 시야각을 확보하기 위한 측면에서, 격벽 사이의 유기 절연층(20) 및 격벽(30)의 양측면 경사면을 완전히 덮도록 형성될 수 있다. 이 경우, 본 발명의 애노드 전극(40)은 격벽을 사이에 두고 인접한 애노드 전극들이 상호 쇼트 되지 않도록 격벽의 상면에는 형성되지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예들에 따른 전계발광 소자(1)는 애노드 전극(40) 상에 형성되는 발광층(50)을 포함한다.
본 발명의 발광층(50)은 유기발광화합물 또는 무기발광화합물을 포함할 수 있으며, 상술한 애노드 전극(40)과 후술하는 캐소드 전극(60)을 통해 주입된 정공과 전자의 결합을 통해 빛을 발생시키는 기능을 수행한다.
발광층(50)은 격벽(30)을 사이에 두고 위치하는 각각 적색광을 발광하는 적색 발광층(50a), 녹색광을 발광하는 녹색 발광층(50b), 청색광을 발광하는 청색 발광층(50c)을 포함한다.
발광층(50)에서 발생한 빛은 기판의 반대 방향을 향하여 빛이 방출된다. 예를 들면, 발광층(50)에서 발생한 빛이 애노드 전극(40) 방향으로 방출되는 경우에는 애노드 전극(40)에서 반사되어 캐소드 전극을 투과하여 외부로 방출되며, 캐소드 전극(60) 방향으로 방출되는 경우에는 캐소드 전극을 투과하여 외부로 방출되게 된다.
발광층(50)은 애노드 전극(40)상에 형성됨으로써, 발광 면적이 증가하여 발광층에 포함된 유기발광화합물 또는 무기발광화합물 발광시 발광 효율이 증가하며, 전계발광 소자의 빛의 밝기가 증가할 수 있다.
상기 유기발광화합물 및 무기발광화합물은 특별히 한정되지 않으며, 당 분야에 공지된 유기발광화합물 및 무기발광화합물이 제한 없이 사용될 수 있다.
예를 들면, 상기 유기발광화합물은 학술지인 고분자과학과 기술 제 17권 1호 43~50에 잘 기입되어 있으며 본 특허의 도 3의 화합물이 대표적이다.
본 발명에서 발광층(50)은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 중에서 적어도 하나의 층을 더 포함할 수 있으며, 상기 층이 모두 포함되는 경우, 애노드 전극(40)의 상부에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 순차로 적층된 구조일 수 있다.
본 발명의 전계발광 소자(1)는 발광층(50) 상에 형성되는 캐소드 전극(60)을 포함한다.
캐소드 전극(60)은 발광층(50)에 전자를 주입함으로써 전술한 바와 같이 애노드 전극(40)과 쌍을 이루어 발광층(50)에 전기 에너지를 인가하는 기능을 수행한다.
캐소드 전극(60)은 투과 또는 반투과의 재질로 형성되어, 발광층에서 발생하는 빛을 투과시켜 외부로 방출한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 애노드 전극(40) 및 발광층(50)이 격벽의 측면에도 형성되므로, 발광 면적이 증가하여 발광효율을 현저히 향상시킬 수 있으며, 우수한 시야각 특성을 나타낼 수 있다.
이하에서는, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 구현예에 따른 전계발광 소자의 제조방법을 상세히 설명한다.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명에 따른 전계발광 소자의 공정 단면도이다.
본 발명의 전계발광 소자의 제조방법은, 먼저 도 2a에 도시된 바와 같이 유리, 석영 또는 사파이어 등으로 이루어진 기판(11)상에 불순물에 의하여 반도체 소자가 손상되는 것을 방지하는 블록킹층(12)이 형성된 어레이 기판(10)을 준비한다.
도 2b를 참조하면, 상기 기판(11) 및 블록킹층(12)을 포함하는 어레이 기판(10)상에 박막트랜지스터(15)를 형성한다.
전술한 바와 같이 박막트랜지스터(15)는 소스 전극 영역(15a), 채널 패턴(15c) 및 드레인 전극 영역(15d)을 구비하여 어레이 기판(10)상에 형성되는 활성층과, 상기 활성층을 포함한 어레이 기판 전면에 형성되는 게이트 절연막(13)과, 상기 채널패턴(15c) 상측의 게이트 절연막(13) 위에 형성되는 게이트 전극(15b)과, 상기 게이트 전극(15b)을 포함한 어레이 기판 전면에 형성되는 소스/드레인 절연막(14)과, 상기 소스 전극 영역(15a) 및 드레인 전극 영역(15d) 상에 콘택홀이 형성되어 소스 전극 영역(15a) 및 드레인 전극 영역(15d)에 전기적으로 연결되도록 소스/드레인 절연막(14) 상에 형성되는 소스 전극(15f) 및 드레인 전극(15e)을 포함하며, 당 분야에서 이용되는 통상적인 방법을 사용하여 어레이 기판(10)상에 박막트랜지스터(15)를 형성할 수 있다.
이 후, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 박막트랜지스터(15)가 형성된 어레이 기판(10) 전면에 걸쳐 유기 절연층(20)을 소정 두께로 평탄하게 형성한다. 이때, 포토리소그래피-식각 공정으로 박막트랜지스터(15)의 드레인 전극(15e)의 일부가 노출되도록 유기 절연층(20)을 선택적으로 식각하여 콘택홀(21)을 형성하여, 상기 콘택홀(21)을 통해 박막트랜지스터(15)의 드레인 전극(15e)과 애노드 전극(40)을 전기적으로 연결시킬 수 있도록 한다.
필요에 따라, 어레이 기판을 평탄화 시키기 위하여 상기 유기 절연층(20) 상부에 오버코트층(overcoat layer, 미도시)을 더 형성하는 단계를 수행할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의한 전계발광 소자의 제조 방법은 애노드 전극(40)을 유기 절연층(20) 뿐만 아니라, 격벽(30)의 측면 경사면 위에도 형성시키는 것이므로, 애노드 전극(40)을 형성시키기 위한 공정 전에 격벽(30)을 형성시켜야 한다.
도 2d를 참조하면, 본 발명의 전계발광 소자(1)의 제조 방법은 상기 유기 절연층(20)이 형성된 어레이 기판(10) 상에 격벽(30)을 형성하기 위한 절연막을 형성한다.
이어서, 포토리소그래피-식각 공정으로 상기 절연막을 패터닝하여 도 2e에 도시된 바와 같이 소정 각도로 경사진 격벽(30)을 형성한다.
이후, 격벽(30)이 형성된 어레이 기판(10) 상면에 애노드 전극(40)을 형성한다.
도 2f를 참조하면, 상기 격벽(30) 사이의 유기 절연층(20) 및 격벽(30)의 측면 경사면 상부에 애노드 전극(40)을 형성하고, 상기 애노드 전극(40)이 박막트랜지스터(15)와 전기적으로 연결되도록 한다.
상기 애노드 전극(40)의 형성방법은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 열 증착(thermal deposition) 방식, 전자선 증착 방식(e-beam deposition), 스퍼터링(sputtering) 방식, 스핀 코팅(spin coating) 방식, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 방식 및 레이저 증착(laser deposition) 등의 방법을 이용하여 격벽(30) 사이의 유기 절연층(20) 및 격벽(30)의 측면 경사면 상에 애노드 전극(40)을 형성할 수 있다.
상기 애노드 전극 형성은 발광 효율을 향상시키고 우수한 시야각을 확보하기 위하여 격벽(30) 사이의 유기 절연층(20) 및 격벽(30)의 양측면 경사면을 완전히 덮도록 수행될 수 있다. 이때, 본 발명의 애노드 전극(40)은 격벽(30)을 사이에 두고 인접한 애노드 전극들이 상호 쇼트 되지 않도록 격벽(30)의 상면에는 형성되지 않는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 2g에 도시된 바와 같이, 애노드 전극(40) 상부에 유기발광화합물 또는 무기발광화합물을 이용하여 발광층(50)을 형성한다.
발광층(50)은 적색광을 발광하는 적색 발광층(50a), 녹색광을 발광하는 녹색 발광층(50b), 청색광을 발광하는 청색 발광층(50c)이 격벽(30)을 사이에 두고 각각 위치하도록 애노드 전극(40)의 상면 전체에 걸쳐 형성한다. 필요에 따라 백색광을 발광하는 백색 발광층을 추가로 더 형성하는 것도 가능하다.
발광층(50)의 형성방법은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 레이저 열 전사법(LITI: Laser Induced Thermal Imaging), 열증착법(Thermal evaporation), 플라즈마 스퍼터법(Plasma Sputtering), 인쇄법(Printing)등의 방법을 이용하여 애노드 전극(40)의 상부에 형성시킬 수 있다.
전술한 바와 같이, 발광층(50)을 애노드 전극(40)의 상부에 형성시키면, 발광 면적이 증가하여 발광층(50)에 포함된 유기발광화합물 또는 무기발광화합물이 발광할 전계발광 소자로부터 방출되는 빛의 밝기가 증가할 수 있다.
일부 실시예에 있어서, 발광층(50) 형성시 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 중에서 적어도 하나의 층을 더 형성할 수 있으며, 상기 층을 모두 형성시키는 경우, 애노드 전극(40)의 상부에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 순차로 적층시킬 수 있다.
이후, 발광층(50)이 형성된 상태에서 당 분야에 공지된 통상적인 방법을 이용하여 도 2h에 도시된 바와 같이 발광층(50)상에 캐소드 전극(60)을 형성시켜 전계발광 소자(1)를 제조할 수 있다.
상술한 방법을 통해 제조된 전계발광 소자(1)는, 발광 면적이 증가함에 따라 발광 효율을 현저히 향상시킬 수 있으며, 우수한 시야각 특성을 제공할 수 있다.
1: 전계발광 소자 10: 어레이 기판
11: 기판 12: 블록킹층
13: 게이트 절연막 14: 소스/드레인 절연막
15: 박막트렌지스터 15a: 소스 전극 영역
15b: 게이트 전극 15c: 채널패턴
15d: 드레인 전극 영역 15e: 드레인 전극
15f: 소스 전극 20: 유기 절연층
21: 콘택홀 30: 격벽
40: 애노드 전극 50: 발광층
50a: 적색 발광층 50b: 녹색 발광층
50c: 청색 발광층 60: 캐소드 전극

Claims (5)

  1. 박막트랜지스터가 형성된 어레이 기판;
    상기 박막트랜지스터가 형성된 어레이 기판상에 형성된 유기 절연층;
    상기 유기 절연층 상에 위치하는 격벽;
    상기 격벽 사이의 유기 절연층 및 상기 격벽의 측면 경사면 상에 형성되며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 애노드 전극;
    상기 애노드 전극상에 상기 애노드 전극과 직접 접촉하도록 형성되는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 형성되는 캐소드 전극을 포함하며,
    유기 절연층 및 격벽의 측면 경사면 상에 형성된 애노드 전극에 의해 발광 면적이 확대되어 발광 효율을 증가시키는, 전계발광 소자.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 애노드 전극은 상기 격벽 사이의 유기 절연층 및 상기 격벽의 측면 경사면을 완전히 덮도록 형성되는, 전계발광 소자.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 발광층은 유기발광화합물 또는 무기발광화합물로 이루어진, 전계발광 소자.
  4. 어레이 기판에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막트랜지스터가 형성된 어레이 기판에 유기 절연층을 형성하는 단계;
    상기 유기 절연층이 형성된 어레이 기판 상에 격벽을 위치시키는 단계;
    상기 격벽 사이의 유기 절연층 및 상기 격벽의 측면 경사면 상부에 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되도록 애노드 전극을 형성하는 단계;
    상기 애노드 전극 상부에 상기 애노드 전극과 직접 접촉하도록 발광층을 형성하는 단계를 포함하며,
    유기 절연층 및 격벽의 측면 경사면 상에 형성된 애노드 전극에 의해 발광 면적이 확대되어 발광 효율을 증가시키는, 전계발광 소자의 제조 방법.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 애노드 전극을 형성하는 단계는, 상기 유기 절연층 및 상기 격벽의 측면 경사면을 완전히 덮도록 애노드 전극을 형성하는 것인, 전계발광 소자의 제조 방법.
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