JP2007041561A - 平板ディスプレイ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】後続工程において、段差による電極の断線が防止された平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】基板１１０と、複数個の薄膜トランジスタが配置された基板上の第１領域１００と、第１領域１００から離隔されて基板１１０上に配置された配線部７００と、第１領域１００と配線部７００との間の基板１１０上に配置された導電層４２０と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ基板である。
【選択図】図４

Description

本発明は、平板ディスプレイ装置に係り、さらに詳細には、後続工程において、段差による電極の断線が防止された平板ディスプレイ装置に関する。

図１は、通常的な有機発光ディスプレイ装置の平面図であり、図２には、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った断面図が概略的に示されている。

図示したように、有機発光ディスプレイ装置は、基板１０上に有機発光素子を備える所定のディスプレイ領域２０を有し、このディスプレイ領域２０は、メタルキャップ９０と密封材８１とで構成された密封部によって密封されたものである。ディスプレイ領域２０には、薄膜トランジスタ及び有機発光素子が複数個の画素を構成して配列されているが、このとき、有機発光素子の対向電極４０がディスプレイ領域２０の外側に備えられた電極配線部４１を通じて端子領域７０に連結される。

また、ディスプレイ領域２０には、複数個の駆動ラインＶＤＤ３１が配置されるが、この駆動ライン３１は、ディスプレイ領域２０の外側の駆動電源配線部３０を通じて端子領域７０と連結されてディスプレイ領域２０に駆動電源を供給する。そして、前記ディスプレイ領域２０の外側には、前記ディスプレイ領域２０の薄膜トランジスタに信号を入力する垂直回路部５０及び水平回路部６０がさらに備えられ、これらは、何れも回路配線部５１，６１によって端子領域７０と連結される。

前記のような構造において、ディスプレイ領域２０とその外側の垂直回路部５０及び水平回路部６０には、複数個の薄膜トランジスタが備えられる。そして、これら薄膜トランジスタを保護し、その上部を平坦化するために、これら薄膜トランジスタの上部に保護膜が備えられる。

この保護膜は、基板の全面にわたって一体に形成されるため、この保護膜でアウトガスが発生して、ディスプレイ領域２０に備えられる有機発光素子のようなディスプレイ素子の劣化を誘発するという問題点があった。また、この保護膜は、通常に有機膜及び無機膜の複合膜で形成されるため、基板周辺部から保護膜の界面を通じて不純物が侵入し、ディスプレイ領域２０のディスプレイ素子の劣化を誘発するという問題点があった。

上述したような従来の問題点を解決するためには、例えば、ディスプレイ領域の保護膜が基板周辺部に及ばないように分離することが考えられる。

しかしながら、ディスプレイ領域のみに保護膜を形成した場合、ディスプレイ領域とその外側の垂直回路部などとの間に段差が発生して、その後の工程で形成された配線構造に断線などの不具合が起きる可能性がある。

そこで、本発明の目的は、基板上の構造において、後続工程で形成される配線構造物などに、段差による断線が発生するのを防止した平板ディスプレイ装置を提供することである。

前記目的及びその他の色々な目的を達成するために、本発明は、基板と、複数個の薄膜トランジスタが配置された前記基板上の第１領域と、前記第１領域から離隔されて、前記基板上に配置された配線部と、前記第１領域と前記配線部との間の前記基板上に配置された導電層と、前記第１領域の薄膜トランジスタに電気的に連結されたディスプレイ素子と、を備えることを特徴とする平板ディスプレイ装置を提供する。

本発明の他の特徴によれば、前記第１領域に配置された薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に配置されて前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じて、前記半導体層とそれぞれ接するソース電極及びドレイン電極と、を備えうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜は、前記第１領域の外側まで延び、前記配線部は、前記層間絶縁膜上に配置されうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記配線部は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同じ材料で形成されうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜は、前記第１領域の外側まで延び、前記導電層は、前記層間絶縁膜上に配置されうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記導電層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同じ材料で形成されうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜は、前記第１領域の外側まで延び、前記導電層は、前記ゲート絶縁膜上に配置される第１導電層と前記層間絶縁膜上に配置される第２導電層とを備えうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１導電層は、前記ゲート電極と同じ材料で形成され、前記第２導電層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同じ材料で形成されうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１領域を覆う第１領域保護膜と、前記第１領域保護膜から離隔されて配置される周辺部保護膜とをさらに備えうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記配線部は、前記周辺部保護膜上に配置されうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記ディスプレイ素子は、画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介在されて少なくとも発光層を備える中間層と、を備える有機発光素子でありうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記画素電極は、前記第１領域保護膜上に配置され、前記第１領域保護膜に形成されたコンタクトホールを通じて、前記第１領域の薄膜トランジスタに電気的に連結されうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記配線部は、前記周辺部保護膜上に配置され、前記配線部は、前記画素電極と同じ材料で形成されうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記画素電極が露出されるように少なくとも前記第１領域保護膜上に配置される画素定義膜をさらに備えうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記画素定義膜は、前記周辺部保護膜上にも備えられうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記画素定義膜は、前記配線部の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを備えうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記対向電極は、前記配線部の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを通じて前記配線部と電気的に連結されうる。

本発明のさらに他の特徴によれば、前記対向電極と前記導電層とは、電気的に連結されうる。

本発明の平板ディスプレイ装置によれば、次のような効果が得られる。

第一に、後続工程において保護膜をディスプレイ領域を備える第１領域保護膜とその外側の周辺部保護膜とに分けた場合でも、第１領域保護膜と周辺部保護膜との段差を導電層を通じて減少させることによって、対向電極などの配線構造物の断線を防止しうる。

第二に、保護膜をディスプレイ領域を備える第１領域保護膜とその外側の周辺部保護膜とに分けたことで、保護膜の内部を通じたディスプレイ領域への不純物の侵入を防止しうる。

第三に、第１領域保護膜と周辺部保護膜との間に導電層を備えることによって、対向電極が段差によって断線されても、この導電層を通じて対向電極を配線部に電気的に連結させうる。

以下、添付された図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明すれば、次の通りである。

図３は、本発明の望ましい第１実施形態による平板ディスプレイ装置、特に、有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す平面図であり、図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿って切り取った断面図である。

前記図面を参照すれば、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、薄膜トランジスタ基板を備える。この薄膜トランジスタ基板は、ガラス材、金属材及びプラスチック材からなる基板１１０と、基板１１０上の複数個の薄膜トランジスタが配置された第１領域１００（図４参照）と、この第１領域１００から離隔されて基板１１０上に配置された配線部７００（図４参照）と、第１領域１００と配線部７００との間に配置された導電層４２０と、を備える。

そして、このような薄膜トランジスタ基板上に有機発光素子が備えられているが、この有機発光素子は、画素電極２１０（図４参照）と、これに対向した対向電極４００と、画素電極２１０と対向電極４００との間に介在された少なくとも発光層を備える中間層２３０（図４参照）と、を備える。

前記第１領域１００には、複数個の薄膜トランジスタが備えられているが、これら複数個の薄膜トランジスタは、図面に示したように、垂直回路駆動部５００に備えられた薄膜トランジスタでもあり、ディスプレイ領域２００内に備えられた薄膜トランジスタでもあり、必要に応じて備えられたそれ以外の薄膜トランジスタでもある。また、水平回路駆動部６００に備られた薄膜トランジスタでもある。

このような薄膜トランジスタ基板の外側エッジには、端子３２０，４２０，５１０，６２０が配置されている。これらは、それぞれ基板１１０上に形成されているか、または形成される駆動電源配線部３００、電極電源供給ライン４１０、垂直回路駆動部５００、水平回路駆動部６００に電気的に連結されている。また、薄膜トランジスタ基板の外側エッジには、密封部８００が備えられて基板１１０と封止基板９００（図４参照）とを密封させる。

前記第１領域１００及び有機発光素子の構成をさらに詳細に説明すれば、次の通りである。

まず、基板１１０上にＳｉＯ２でバッファ層１２０が備えられる。バッファ層１２０の一面上には、半導体層１３０が備えられる。半導体層１３０は、非晶質シリコン層または多結晶質シリコン層で形成され、または有機半導体物質で形成されてもよい。図面で詳細に示していないが、必要に応じて、半導体層１３０は、Ｎ＋型またはＰ＋型のドーパントでドーピングされるソース及びドレイン領域と、チャンネル領域とを備えうる。

半導体層１３０の一面の上部には、ゲート電極１５０が備えられる。このゲート電極１５０に印加される信号によって、ソース電極とドレイン電極１７０とが電気的に疎通される。

ゲート電極１５０は、隣接層との密着性、積層される層の表面平坦性、そして加工性を考慮して、例えば、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕなどのような物質で形成される。このとき、半導体層１３０とゲート電極１５０との絶縁性を確保するために、例えば、プラズマ強化化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を通じてＳｉＯ２で構成されるゲート絶縁層１４０が半導体層１３０とゲート電極１５０との間に介在される。

ゲート電極１５０の上部には、層間絶縁膜１６０が備えられるが、これは、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘなどの物質で単層に形成されるか、または多重層に形成されてもよい。層間絶縁膜１６０の上部には、ソース／ドレイン電極１７０が形成される。ソース／ドレイン電極１７０は、層間絶縁膜１６０及びゲート絶縁層１４０に形成されるコンタクトホールを通じて半導体層にそれぞれ電気的に連結される。

ソース／ドレイン電極１７０の上部には、第１領域保護膜（パシベーション層及び／または平坦化層）１８１が備えられ、下部の薄膜トランジスタを保護し、かつ平坦化させる。

この第１領域保護膜１８１は、多様な形態で構成されるが、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）またはアクリルのような有機物、または、ＳｉＮｘのような無機物で形成されてもよく、単層に形成されるか、二重あるいは多重層に構成されるなど、多様な変形が可能である。

この第１領域保護膜１８１上には、多様なディスプレイ素子が備えられうる。本実施形態の場合には、有機発光素子が備えられている。この有機発光素子は、画素電極２１０と、この画素電極に対向する対向電極４００と、この電極の間に介在された少なくとも発光層を備える中間層２３０と、を備える。

画素電極２１０は、第１領域保護膜１８１上に備えられる。この画素電極２１０は、第１領域保護膜１８１に形成されたコンタクトホール２１１を通じて下部のソースまたはドレイン電極１７０に電気的に連結される。画素電極２１０は、透明電極または反射型電極として使用されうる。透明電極として使われる場合には、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で備えられうる。反射型電極として使われる時には、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物で反射膜を形成した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３を形成できる。

一方、対向電極４００も透明電極または反射型電極として使用されうる。透明電極として使われる場合には、仕事関数が小さな金属、すなわち、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びこれらの化合物を中間層上に蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用物質で補助電極層やバス電極ラインを形成できる。そして、反射型電極として使われる場合には、前記Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ及びこれらの化合物を全面蒸着して形成する。しかし、必ずしもこれに限定されず、画素電極及び対向電極として伝導性ポリマーなど有機物を使用してもよい。

中間層２３０は、低分子または高分子有機物で備えられうる。低分子有機物で形成される場合、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｖｅ Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）などが単一あるいは複合の構造に積層されて形成され、使用可能な有機材料も銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして、多様な物質が使われうる。このような層は、真空蒸着の方法で形成されうる。

高分子有機物で形成される場合には、大体、ＨＴＬ及びＥＭＬで備えられた構造を有し、このとき、前記ＨＴＬにＰＥＤＯＴを使用し、ＥＭＬにＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系など、高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法で形成できる。

前記のような中間層は、必ずしもこれに限定されず、多様な実施形態が適用されうる。

このような第１領域１００の外側には、配線部７００が備えられるが、図面に示したように、この配線部７００には、電極電源供給ライン４１０が備えられうる。すなわち、この配線部７００は、対向電極４００に電気的に連結されてこの対向電極４００に電源を供給する役割を行える。このとき、第１領域１００のゲート絶縁膜１４０と層間絶縁膜１６０とは、第１領域１００の外側まで延びるが、これと違って、必要に応じてゲート絶縁膜１４０と層間絶縁膜１６０とが第１領域１００の外側に備われないこともあるなど、多様な変形が可能である。

もちろん、対向電極４００以外にも有機発光素子には他の電源が必要であるが、例えば、駆動電源のようなものである。このような駆動電源は、ディスプレイ領域２００に備えられた複数個の駆動ラインＶＤＤ３１０によって供給されるが、この駆動ライン３１０は、ディスプレイ領域２００の外側の駆動電源配線部３００を通じて端子３２０に連結されてディスプレイ領域２００に駆動電源を供給する。もちろん、駆動電源配線部３００は、図３に示したものと違って、必ずしもディスプレイ領域２００の外周部を取り囲む形状である必要はない。

一方、第１領域保護膜１８１が備えられることによって、この第１領域保護膜１８１から離隔されて、前記第１領域１００の周辺に形成される周辺部保護膜１８２がさらに備えられてもよい。それは、工程上では、保護膜を基板１１０の全面にわたって形成した後、第１領域１００の外周部に沿って保護膜の一部を除去したものである。

前述したように、保護膜は、通常的に有機膜及び無機膜の複合膜で形成されるが、従来には、この保護膜が基板の全面にわたって一体に形成されることによって、この膜の間の界面を通じて保護膜の外側から不純物が侵入して、ディスプレイ領域１００のディスプレイ素子の劣化を誘発するという問題点があった。したがって、本発明では、この保護膜を第１領域保護膜１８１と周辺部保護膜１８２とに分離させることによって、周辺部保護膜１８２の外側から周辺部保護膜１８２の界面に沿って不純物が侵入しても、ディスプレイ領域２００へはそれ以上の不純物の侵入を防止しうる。これを通じてディスプレイ素子の寿命を向上させ、窮極的には、経時的なディスプレイ装置の画質の低下を防止しうる。この場合、この第１領域保護膜１８１と周辺部保護膜１８２との間に導電層４２０が位置する。この導電層４２０の役割は、後述する。

図示したように、配線部７００、例えば、電極電源供給ライン４１０は、前記周辺部保護膜７００上に備えられるが、この場合、工程上、ディスプレイ領域２００の画素電極２１０と同時に形成されうる。したがって、この電極電源供給ライン４１０は、画素電極２１０と同じ材料で形成されうる。もちろん、必要に応じては、他の物質で形成されてもよい。

一方、図４に示したように、第１領域１００には、画素定義膜２２０が備えられる。これは、各副画素に対応する開口、すなわち、画素電極を露出させる開口を有することによって画素を定義する役割を行い、画素電極２１０の端部と対向電極４００との距離を広がることによって、画素電極２１０の端部からのアークなどの発生を防止する役割を行う。

この画素定義膜２２０は、第１領域１００の外側の周辺部保護膜１８２上にも備えられうる。この場合、画素定義膜２２０は、配線部７００、すなわち、電極電源供給ライン４１０の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを備えうる。そして、このコンタクトホールを通じて配線部７００、すなわち、電極電源供給ライン４１０と対向電極４００とが電気的に連結されうる。

このとき、図４に示したように、画素電極４００は、基板１１０の全面にわたって形成されることによって配線部７００に連結される。この場合、前述したように、保護膜が第１領域保護膜１８１と周辺部保護膜１８２とに分けられることによって、その間Ａに段差が大きく形成されることになる。したがって、このような段差によって対向電極４００が断線されることもあり、その結果、配線部７００に電気的に連結されないこともある。すなわち、図５の比較例に示したように、第１領域保護膜１８１と周辺部保護膜１８２とに保護膜が分けられることによって、その間Ａで、Ａ１で表した部分のように、対向電極４００が断線されることがある。これは、対向電極４００の厚さが約１８０Åであるが、一方、保護膜及び画素定義膜の厚さが約２μｍに至るためである。

このような問題をなくすためには、その段差を減らすことが望ましい。この役割を導電層４２０が行う。このように本実施形態では、導電層４２０を備えることによって、図４のＡ１で表した部分で対向電極４００の断線が防止される。

この導電層４２０は、第１領域１００のソース電極またはドレイン電極１７０が層間絶縁膜１６０上に形成されると同時に形成される。したがって、層間絶縁膜１６０上に同一物質で形成されうる。もちろん、必要に応じて追加的にまたは他の材料で形成してもよく、他の層上に形成されてもよいなど、多様な変形が可能である。

このように導電層４２０が第１領域１００と配線部７００との間に備えられることによって、保護膜の段差を減少させて画素電極４００が断線される不良を防止しうる。また、画素電極４００がもし断線されても、画素電極４００が導電層４２０にのみ連結されれば、この導電層４２０を通じて配線部７００と画素電極４００とが電気的に連結されることもあるので、不良が防止されうる。

一方、図４と違って、周辺部保護膜１８２は、備えないこともある。この場合には、配線部７００、すなわち、電極電源供給ライン４１０は層間絶縁膜１６０上に配置される。この場合には、第１領域１００のソース電極及びドレイン電極１７０と同一層上に形成されるので、ソース電極及びドレイン電極１７０と同一物質で形成されてもよい。

そのほか、図４には、垂直回路駆動部５００が第１領域１００に備えられると示されているが、本発明は、これに限定されていない。すなわち、図６に示したように、垂直回路駆動部５００が配線部７００の下部に備えられてもよく、図７に示したように、配線部７００の外側に備えられてもよい（図７では、配線部７００の外側に備えられたため、図示せず）。また、垂直回路駆動部が配線部の外側に備えられる場合には、図８に示したように、第１領域１００と配線部７００との間で段差が形成されうるが、この場合に段差によって対向電極４００が断線される不良を、前述したように導電層４２０によって防止しうる。

図９は、本発明の望ましい第２実施形態による平板ディスプレイ装置、特に、有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す平面図である。

本実施形態による有機発光ディスプレイ装置が前述した第１実施形態による有機発光ディスプレイ装置と異なる点は、導電層４２０が二重に形成されているという点である。すなわち、導電層４２０は、第１領域１００のゲート電極１５０の形成時に同じ材料でゲート絶縁膜１４０上に同時に形成される第１導電層４２１と、ソース電極及びドレイン電極１７０を形成する時に同じ材料で層間絶縁膜１６０上に同時に形成される第２導電層４２２と、を備えている。このように、二重構造を有させることによって、第１領域保護膜１８１と周辺部保護膜１８２との間の段差をさらに減らせて、対向電極４００が断線される不良をさらに確実に防止しうる。

図１０は、本発明の望ましい第３実施形態による平板ディスプレイ装置、特に、有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す平面図である。

本実施形態による有機発光ディスプレイ装置が前述した第２実施形態による有機発光ディスプレイ装置と異なる点は、導電層４２０が二重構造を有するが、第１導電層４２１と第２導電層４２２とが電気的に連結されているという点である。これは、第１領域１００でソース電極及びドレイン電極１７０が半導体層１３０に連結されうるように、コンタクトホールを形成する時に第１導電層４２１上の層間絶縁膜１６０を除去することによってなされうる。

前記実施形態及びその変形例では、有機発光ディスプレイ装置の場合について説明したが、本発明は、これに限定されず、多様なディスプレイ装置、例えば、液晶ディスプレイ装置のような色々なディスプレイ装置にも適用されうる。

本発明は、図面に示した実施形態を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。

本発明は、平板ディスプレイ装置関連の技術分野に適用可能である。

従来の有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った断面図である。 本発明の望ましい一実施形態による平板ディスプレイ装置、特に、有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す平面図である。 図３のＩＶ−ＩＶ線に沿って切り取った断面図である。 図４の比較例による有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。 図４に示した有機発光ディスプレイ装置の変形例を概略的に示す断面図である。 図４に示した有機発光ディスプレイ装置の他の変形例を概略的に示す断面図である。 図４に示した有機発光ディスプレイ装置のさらに他の変形例を概略的に示す断面図である。 本発明の望ましい他の一実施形態による平板ディスプレイ装置、特に、有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す平面図である。 本発明の望ましいさらに他の一実施形態による平板ディスプレイ装置、特に、有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す平面図である。

符号の説明

１１０…基板、
１２０…バッファ層、
１３０…半導体層、
１４０…ゲート絶縁膜、
１５０…ゲート電極、
１６０…層間絶縁膜、
１７０…ソース／ドレイン電極、
１８１，１８２…保護膜、
２１０…画素電極、
２２０…画素定義膜、
２３０…中間層、
４００…対向電極、
４１０…電極電源供給線、
４２０…導電層、
５００…垂直回路駆動部、
７００…配線部。

Claims (18)

1. 基板と、
   複数個の薄膜トランジスタが配置された前記基板上の第１領域と、
   前記第１領域から離隔されて前記基板上に配置された配線部と、
   前記第１領域と前記配線部との間の前記基板上に配置された導電層と、
   前記第１領域の薄膜トランジスタに電気的に連結されたディスプレイ素子と、を備えることを特徴とする平板ディスプレイ装置。
2. 前記第１領域に配置された薄膜トランジスタは、
   半導体層と、
   前記半導体層を覆うゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、
   前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上に配置され、前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールとを通じて、前記半導体層とそれぞれ接するソース電極及びドレイン電極と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
3. 前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜は、前記第１領域の外側まで延び、前記配線部は、前記層間絶縁膜上に配置されることを特徴とする請求項２に記載の平板ディスプレイ装置。
4. 前記配線部は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同じ材料で形成されることを特徴とする請求項３に記載の平板ディスプレイ装置。
5. 前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜は、前記第１領域の外側まで延び、前記導電層は、前記層間絶縁膜上に配置されることを特徴とする請求項２に記載の平板ディスプレイ装置。
6. 前記導電層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同じ材料で形成されることを特徴とする請求項５に記載の平板ディスプレイ装置。
7. 前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜は、前記第１領域の外側まで延び、前記導電層は、前記ゲート絶縁膜上に配置される第１導電層と前記層間絶縁膜上に配置される第２導電層とを備えることを特徴とする請求項２に記載の平板ディスプレイ装置。
8. 前記第１導電層は、前記ゲート電極と同じ材料で形成され、前記第２導電層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同じ材料で形成されたことを特徴とする請求項７に記載の平板ディスプレイ装置。
9. 前記第１領域を覆う第１領域保護膜と、前記第１領域保護膜から離隔されて配置される周辺部保護膜とをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
10. 前記配線部は、前記周辺部保護膜上に配置されることを特徴とする請求項９に記載の平板ディスプレイ装置。
11. 前記ディスプレイ素子は、画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介在されて、少なくとも発光層を含む中間層と、を備える有機発光素子であることを特徴とする請求項９に記載の平板ディスプレイ装置。
12. 前記画素電極は、前記第１領域保護膜上に配置され、前記第１領域保護膜に形成されたコンタクトホールを通じて、前記第１領域の薄膜トランジスタに電気的に連結されることを特徴とする請求項１１に記載の平板ディスプレイ装置。
13. 前記配線部は、前記周辺部保護膜上に配置され、前記配線部は、前記画素電極と同じ材料で形成されることを特徴とする請求項１２に記載の平板ディスプレイ装置。
14. 前記画素電極が露出されるように、少なくとも前記第１領域保護膜上に配置される画素定義膜をさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載の平板ディスプレイ装置。
15. 前記画素定義膜は、前記周辺部保護膜上にも備えられることを特徴とする請求項１４に記載の平板ディスプレイ装置。
16. 前記画素定義膜は、前記配線部の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを備えることを特徴とする請求項１５に記載の平板ディスプレイ装置。
17. 前記対向電極は、前記配線部の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを通じて、前記配線部と電気的に連結されることを特徴とする請求項１６に記載の平板ディスプレイ装置。
18. 前記対向電極と前記導電層とは、電気的に連結されることを特徴とする請求項１７に記載の平板ディスプレイ装置。

Images