JP2002040431A - アクティブマトリックス基板及び液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリックス基板及び液晶表示装置Info
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- JP2002040431A JP2002040431A JP2000224329A JP2000224329A JP2002040431A JP 2002040431 A JP2002040431 A JP 2002040431A JP 2000224329 A JP2000224329 A JP 2000224329A JP 2000224329 A JP2000224329 A JP 2000224329A JP 2002040431 A JP2002040431 A JP 2002040431A
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- active matrix
- matrix substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 工程の複雑化をすることなく簡易な製造方法
により作製され、透過型液晶表示装置の表示視角特性を
改善することができるアクティブマトリックス基板を提
供する。 【解決手段】 絶縁性基板１上に設けたアクティブ素子
及びアドレス配線と、アクティブ素子及びアドレス配線
を覆って設けた第１の絶縁膜７と、第１の絶縁膜上を平
坦化するために設けた第２の絶縁膜１０と、第1及び第
２の絶縁膜に設けた開口部を通じてアクティブ素子と接
続されマトリックス状に配置された画素電極１３とを具
備する。第１の絶縁膜に、アクティブマトリックス基板
の配向処理の方向に直交する方向に延び、画素電極が形
成された領域を分割するように配置された凹部９または
凸部を設け、その凹部または凸部を覆って第２の絶縁膜
を設ける。
により作製され、透過型液晶表示装置の表示視角特性を
改善することができるアクティブマトリックス基板を提
供する。 【解決手段】 絶縁性基板１上に設けたアクティブ素子
及びアドレス配線と、アクティブ素子及びアドレス配線
を覆って設けた第１の絶縁膜７と、第１の絶縁膜上を平
坦化するために設けた第２の絶縁膜１０と、第1及び第
２の絶縁膜に設けた開口部を通じてアクティブ素子と接
続されマトリックス状に配置された画素電極１３とを具
備する。第１の絶縁膜に、アクティブマトリックス基板
の配向処理の方向に直交する方向に延び、画素電極が形
成された領域を分割するように配置された凹部９または
凸部を設け、その凹部または凸部を覆って第２の絶縁膜
を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透過型の液晶表示
装置（以下、ＬＣＤと称する）に用いられる、表示画素
毎にアクティブ素子を備えたアクティブマトリックス
（以下、ＡＭと称する）基板の改良に関する。
装置（以下、ＬＣＤと称する）に用いられる、表示画素
毎にアクティブ素子を備えたアクティブマトリックス
（以下、ＡＭと称する）基板の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＡＭ型ＬＣＤは急速に進展し、す
でに１０インチ以上の画面サイズを有するようなディス
プレイが商品化されている。また、更なる省電力化の要
請を受けて、反射型ＬＣＤの開発が進展し、透過型に迫
るカラー表示可能なディスプレイも商品化されつつあ
る。ＡＭ型ＬＣＤは、表示画素毎に設けられたアクティ
ブ素子を制御することにより、画素電極の電位を制御
し、液晶の光学特性を変化させることによって、所望の
画像を表示させている。
でに１０インチ以上の画面サイズを有するようなディス
プレイが商品化されている。また、更なる省電力化の要
請を受けて、反射型ＬＣＤの開発が進展し、透過型に迫
るカラー表示可能なディスプレイも商品化されつつあ
る。ＡＭ型ＬＣＤは、表示画素毎に設けられたアクティ
ブ素子を制御することにより、画素電極の電位を制御
し、液晶の光学特性を変化させることによって、所望の
画像を表示させている。
【０００３】図３は、従来のアクティブ素子としてＴＦ
Ｔを用いたＡＭ基板の平面図である。図４は、図３のＡ
Ｍ基板を用いた透過型ＬＣＤの断面構造図であり、図３
におけるＡ−Ａ’断面の構造を示す図である。
Ｔを用いたＡＭ基板の平面図である。図４は、図３のＡ
Ｍ基板を用いた透過型ＬＣＤの断面構造図であり、図３
におけるＡ−Ａ’断面の構造を示す図である。
【０００４】ＡＭ基板は、ガラス基板等の絶縁性基板１
に、走査線であるゲート線電極２、ゲート絶縁膜である
窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜３、半導体膜４、及び信号
線であるソース線電極５及びドレイン電極６を順次形成
することにより、アクティブ素子であるＴＦＴとゲート
線及びソース線のアドレス配線をマトリックス状に形成
したものである。さらに、この表面を覆ってパシベーシ
ョン膜である第1の絶縁膜７を形成し、ＴＦＴと接続す
るための第１のコンタクト穴を形成し、次にＴＦＴ及び
アドレス配線の凹凸を平滑にするための第２の絶縁膜１
０を形成し、且つ第1の絶縁膜７と同様にＴＦＴと接続
するためのコンタクト穴を形成し、このコンタクト穴を
被覆するように第２の絶縁膜１０上に画素電極１３が設
けられている。
に、走査線であるゲート線電極２、ゲート絶縁膜である
窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜３、半導体膜４、及び信号
線であるソース線電極５及びドレイン電極６を順次形成
することにより、アクティブ素子であるＴＦＴとゲート
線及びソース線のアドレス配線をマトリックス状に形成
したものである。さらに、この表面を覆ってパシベーシ
ョン膜である第1の絶縁膜７を形成し、ＴＦＴと接続す
るための第１のコンタクト穴を形成し、次にＴＦＴ及び
アドレス配線の凹凸を平滑にするための第２の絶縁膜１
０を形成し、且つ第1の絶縁膜７と同様にＴＦＴと接続
するためのコンタクト穴を形成し、このコンタクト穴を
被覆するように第２の絶縁膜１０上に画素電極１３が設
けられている。
【０００５】対向基板２０には、対向電極２１、ブラッ
クマトリックス２２（以下ＢＭと称する）、及びカラー
フィルタ２３（以下ＣＦと呼ぶ）が形成されている。Ａ
Ｍ基板と対向基板２０には、それぞれ配向膜２４が形成
され、両基板を対向させ、配向膜２４を介して液晶２５
を挟持することによって、ＬＣＤは構成されている。
クマトリックス２２（以下ＢＭと称する）、及びカラー
フィルタ２３（以下ＣＦと呼ぶ）が形成されている。Ａ
Ｍ基板と対向基板２０には、それぞれ配向膜２４が形成
され、両基板を対向させ、配向膜２４を介して液晶２５
を挟持することによって、ＬＣＤは構成されている。
【０００６】上記のようなＡＭ基板の構成により、アド
レス配線と画素電極１３とは別平面に分離され、双方が
近接したとしても、短絡することが無い。また、積極的
に画素電極１３をアドレス配線にオーバーラップさせる
ような構成が可能になり、画素電極１３によりアドレス
配線を電気的に遮蔽することも出来るため、アドレス配
線の電界による表示異常に関しても抑制されることにな
る。従って、近接配置が可能となる事と相俟って開口率
の阻害要因を解消することができ、飛躍的に有効表示領
域の向上を図ることができる。また、ＡＭ基板表面に有
する各種の段差が絶縁膜によって平坦化されるために、
段差に起因する配向異常部が無くなるため、更に実効的
な開口率を大幅に改善することになる。
レス配線と画素電極１３とは別平面に分離され、双方が
近接したとしても、短絡することが無い。また、積極的
に画素電極１３をアドレス配線にオーバーラップさせる
ような構成が可能になり、画素電極１３によりアドレス
配線を電気的に遮蔽することも出来るため、アドレス配
線の電界による表示異常に関しても抑制されることにな
る。従って、近接配置が可能となる事と相俟って開口率
の阻害要因を解消することができ、飛躍的に有効表示領
域の向上を図ることができる。また、ＡＭ基板表面に有
する各種の段差が絶縁膜によって平坦化されるために、
段差に起因する配向異常部が無くなるため、更に実効的
な開口率を大幅に改善することになる。
【０００７】一般的にＬＣＤを構成する場合、液晶分子
の配向処理が必要となる。通常は特定の布を用いたラビ
ング処理により、ＡＭ基板表面を一定方向（図３に示す
Ｂ−Ｂ’線方向）に擦ることによって行われる。ＬＣＤ
を構成した場合、この配向処理によって、ＡＭ基板表面
近傍の液晶分子の長軸方向が配向処理方向に平行に配列
されると共に、配向膜上にほぼ水平に配向する。この場
合、細長い液晶分子は、配向膜上で配向方向にその端を
持ち上げるように微小な角度（通常、プレチルト角と言
い、１から７度程度の角度）だけ傾く。
の配向処理が必要となる。通常は特定の布を用いたラビ
ング処理により、ＡＭ基板表面を一定方向（図３に示す
Ｂ−Ｂ’線方向）に擦ることによって行われる。ＬＣＤ
を構成した場合、この配向処理によって、ＡＭ基板表面
近傍の液晶分子の長軸方向が配向処理方向に平行に配列
されると共に、配向膜上にほぼ水平に配向する。この場
合、細長い液晶分子は、配向膜上で配向方向にその端を
持ち上げるように微小な角度（通常、プレチルト角と言
い、１から７度程度の角度）だけ傾く。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなＬＣＤに
おいては、プレチルト角を有する配向性があるために、
視角方向によって液晶分子の見え方が異なり、視角が非
対称の特性になるばかりではなく、視角方向によっては
中間調表示において階調が反転する現象が発生し、著し
く画質を劣化させる。
おいては、プレチルト角を有する配向性があるために、
視角方向によって液晶分子の見え方が異なり、視角が非
対称の特性になるばかりではなく、視角方向によっては
中間調表示において階調が反転する現象が発生し、著し
く画質を劣化させる。
【０００９】本発明は、このような従来の透過型のＴＮ
モードを使用したＬＣＤの最大の課題である、表示の視
角特性が非対称であり、且つ中間調表示において反転表
示することを解消することを目的とする。
モードを使用したＬＣＤの最大の課題である、表示の視
角特性が非対称であり、且つ中間調表示において反転表
示することを解消することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リックス基板は、絶縁性基板上に設けたアクティブ素子
及びアドレス配線と、アクティブ素子及びアドレス配線
を覆って設けた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上を平坦
化するために設けた第２の絶縁膜と、第1及び第２の絶
縁膜に設けた開口部を通じてアクティブ素子と接続され
マトリックス状に配置された画素電極とを具備する。上
記問題を解決するため、第１の絶縁膜または第２の絶縁
膜の少なくとも一方に、開口部に加えて、アクティブマ
トリックス基板の配向処理の方向に直交する方向に延
び、画素電極が形成された領域を分割するように配置さ
れた凹部または凸部を設けた構成とする。
リックス基板は、絶縁性基板上に設けたアクティブ素子
及びアドレス配線と、アクティブ素子及びアドレス配線
を覆って設けた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上を平坦
化するために設けた第２の絶縁膜と、第1及び第２の絶
縁膜に設けた開口部を通じてアクティブ素子と接続され
マトリックス状に配置された画素電極とを具備する。上
記問題を解決するため、第１の絶縁膜または第２の絶縁
膜の少なくとも一方に、開口部に加えて、アクティブマ
トリックス基板の配向処理の方向に直交する方向に延
び、画素電極が形成された領域を分割するように配置さ
れた凹部または凸部を設けた構成とする。
【００１１】この構成によれば、ＡＭ基板の製造工程を
複雑にすることなく、画素電極下部の絶縁膜に凹部また
は凸部を形成することができ、それにより、プレチルト
角方向を変更することが出来る。従って、一つの画素に
表示の非対称的視角特性とその表示特性と相反する特性
を持たせることが出来るので、良好な視角特性が得ら
れ、視認性の高い良好な表示性能を有する透過型ＬＣＤ
を安価に実現できる。
複雑にすることなく、画素電極下部の絶縁膜に凹部また
は凸部を形成することができ、それにより、プレチルト
角方向を変更することが出来る。従って、一つの画素に
表示の非対称的視角特性とその表示特性と相反する特性
を持たせることが出来るので、良好な視角特性が得ら
れ、視認性の高い良好な表示性能を有する透過型ＬＣＤ
を安価に実現できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態におけ
るＡＭ基板、及びそれを用いたＬＣＤパネルの構造に関
して詳細に述べる。
るＡＭ基板、及びそれを用いたＬＣＤパネルの構造に関
して詳細に述べる。
【００１３】図１は、本実施の形態における、アクティ
ブ素子としてＴＦＴを用いたＡＭ基板の製造工程を示
し、各工程における断面構造が（ａ）から（ｅ）に工程
順に示される。図２は、本実施の形態におけるＡＭ基板
を用いたＬＣＤパネルの断面構造を示す。図１及び図２
において、図３及び図４と同様の部分には同一符号を付
す。
ブ素子としてＴＦＴを用いたＡＭ基板の製造工程を示
し、各工程における断面構造が（ａ）から（ｅ）に工程
順に示される。図２は、本実施の形態におけるＡＭ基板
を用いたＬＣＤパネルの断面構造を示す。図１及び図２
において、図３及び図４と同様の部分には同一符号を付
す。
【００１４】先ず、図１（ａ）に示すように、ガラス基
板等の絶縁性基板１に、走査線であるゲート線電極２、
ゲート絶縁膜である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜３、半
導体膜４、及び信号線であるソース線電極５及びドレイ
ン電極６を順次を形成することにより、アクティブ素子
であるＴＦＴとゲート線及びソース線のアドレス配線を
マトリックス状に形成する。次に図１（ｂ）に示すよう
に、ＴＦＴ等を設けた表面を覆って、パシベーション膜
として第１の絶縁膜７（通常、ゲート絶縁膜と同様にＳ
ｉＮｘ膜が用いられる）を形成する。次に図１（ｃ）に
示すように、ＴＦＴと接続するための第１の開口部８を
形成すると同時に、ＡＭ基板の配向処理の方向に直交す
る方向に延びる凹部９を形成する。凹部９は、画素電極
１３を形成すべき領域を分割するように配置される。更
に凹部９を有する基板表面を覆って、図１（ｄ）に示す
ように、所望の傾斜角度に調整された凹部１２を有する
第２の絶縁膜１０を形成し、第１の絶縁膜７と同様に開
口部１１を設ける。最後に図１（ｅ）に示すように、凹
部１２及び開口部１１を被覆するように第２の絶縁膜１
０上に画素電極１３を設ける。
板等の絶縁性基板１に、走査線であるゲート線電極２、
ゲート絶縁膜である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜３、半
導体膜４、及び信号線であるソース線電極５及びドレイ
ン電極６を順次を形成することにより、アクティブ素子
であるＴＦＴとゲート線及びソース線のアドレス配線を
マトリックス状に形成する。次に図１（ｂ）に示すよう
に、ＴＦＴ等を設けた表面を覆って、パシベーション膜
として第１の絶縁膜７（通常、ゲート絶縁膜と同様にＳ
ｉＮｘ膜が用いられる）を形成する。次に図１（ｃ）に
示すように、ＴＦＴと接続するための第１の開口部８を
形成すると同時に、ＡＭ基板の配向処理の方向に直交す
る方向に延びる凹部９を形成する。凹部９は、画素電極
１３を形成すべき領域を分割するように配置される。更
に凹部９を有する基板表面を覆って、図１（ｄ）に示す
ように、所望の傾斜角度に調整された凹部１２を有する
第２の絶縁膜１０を形成し、第１の絶縁膜７と同様に開
口部１１を設ける。最後に図１（ｅ）に示すように、凹
部１２及び開口部１１を被覆するように第２の絶縁膜１
０上に画素電極１３を設ける。
【００１５】このようにして作製されたＡＭ基板と、対
向基板２０の間に配向膜２４を介して液晶２５を挟持す
ることによって、ＬＣＤは構成される。
向基板２０の間に配向膜２４を介して液晶２５を挟持す
ることによって、ＬＣＤは構成される。
【００１６】上記のようなＡＭ基板の構成によれば、製
造工程を複雑にすることなく、画素電極１３下部の絶縁
膜に凹部１２が形成される。凹部１２により、プレチル
ト角の方向を変更することが出来るため、一つの画素
に、表示の非対称的視角特性とその表示特性と相反する
特性を持たせることができる。したがって、良好な視角
特性が得られることが出来、視認性の高い良好な表示性
能を有する透過型ＡＭ基板及びＬＣＤを安価に実現でき
る。
造工程を複雑にすることなく、画素電極１３下部の絶縁
膜に凹部１２が形成される。凹部１２により、プレチル
ト角の方向を変更することが出来るため、一つの画素
に、表示の非対称的視角特性とその表示特性と相反する
特性を持たせることができる。したがって、良好な視角
特性が得られることが出来、視認性の高い良好な表示性
能を有する透過型ＡＭ基板及びＬＣＤを安価に実現でき
る。
【００１７】尚、本実施の形態では、凹部を形成する場
合について説明したが、これに限定されるものではな
い。逆の形状となる凸部を形成した場合でも、一つの画
素にプレチルト角度の異なる領域を形成出来、同様な効
果が得られる。
合について説明したが、これに限定されるものではな
い。逆の形状となる凸部を形成した場合でも、一つの画
素にプレチルト角度の異なる領域を形成出来、同様な効
果が得られる。
【００１８】また本実施の形態では、凹部を第１の絶縁
膜により形成する場合について説明したが、これに限定
されるものではない。第２の絶縁膜により凹部を形成し
た場合でも同様な効果が得られる。
膜により形成する場合について説明したが、これに限定
されるものではない。第２の絶縁膜により凹部を形成し
た場合でも同様な効果が得られる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、比較的簡易な方法によ
って、ＡＭ基板の製造工程を複雑にすることなく、良好
な表示の視角特性が得られ、大型化・高精細度化に対応
し得る視認性の高い良好な表示性能を、安価に実現でき
る。
って、ＡＭ基板の製造工程を複雑にすることなく、良好
な表示の視角特性が得られ、大型化・高精細度化に対応
し得る視認性の高い良好な表示性能を、安価に実現でき
る。
【図１】本発明の実施の形態におけるＡＭ基板の製造工
程を示す各工程の断面構造図
程を示す各工程の断面構造図
【図２】本発明の実施の形態におけるＬＣＤの断面構造
図
図
【図３】従来例のＡＭ基板の一部を示す平面図
【図４】図３のＡＭ基板を用いた液晶表示装置の断面構
造図
造図
１ 絶縁性基板 ２ ゲート線電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ 半導体膜 ５ ソース線電極 ６ ドレイン電極 ７ 第1の絶縁膜 ８ 第１の開口部 ９ 第１の凹部 １０ 第２の絶縁膜 １１ 第２の凹部 １２ 第２の開口部 １３ 画素電極 ２０ 対向基板 ２１ 対向電極 ２２ ブラックマトリックス ２３ カラーフィルタ ２４ 配向膜 ２５ 液晶
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 HA03 HB04X HC03 HC12 HC18 HD03 HD05 JA03 JA06 JC07 JC17 KA05 LA04 MA04 MA07 MB03 2H092 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB58 KA12 KB22 NA01 NA25 PA02 PA04 5C094 AA12 BA03 BA43 CA19 DA13 EA04 EA05 EA07 EB02
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に設けたアクティブ素子及
びアドレス配線と、前記アクティブ素子及びアドレス配
線を覆って設けた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上
を平坦化するために設けた第２の絶縁膜と、前記第1及
び第２の絶縁膜に設けた開口部を通じて前記アクティブ
素子と接続されマトリックス状に配置された画素電極と
を具備したアクティブマトリックス基板であって、 前記第１の絶縁膜または前記第２の絶縁膜の少なくとも
一方に、前記開口部に加えて、アクティブマトリックス
基板の配向処理の方向に直交する方向に延び、前記画素
電極が形成された領域を分割するように配置された凹部
または凸部を設けたことを特徴とするアクティブマトリ
ックス基板。 - 【請求項２】 請求項１に記載のアクティブマトリック
ス基板と、対向電極、ブラックマトリックス及びカラー
フィルタを設けた対向基板と、前記アクティブマトリッ
クス基板及び前記対向基板の間に配向膜を介して挟持し
た液晶とを具備した液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000224329A JP2002040431A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | アクティブマトリックス基板及び液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000224329A JP2002040431A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | アクティブマトリックス基板及び液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002040431A true JP2002040431A (ja) | 2002-02-06 |
Family
ID=18718313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000224329A Pending JP2002040431A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | アクティブマトリックス基板及び液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002040431A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100805154B1 (ko) | 2006-09-15 | 2008-02-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US7576482B2 (en) | 2005-07-30 | 2009-08-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display device comprising an electrically conductive layer between a display area and an outer area and method of manufacturing the same |
-
2000
- 2000-07-25 JP JP2000224329A patent/JP2002040431A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7576482B2 (en) | 2005-07-30 | 2009-08-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display device comprising an electrically conductive layer between a display area and an outer area and method of manufacturing the same |
| KR100805154B1 (ko) | 2006-09-15 | 2008-02-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US7791267B2 (en) | 2006-09-15 | 2010-09-07 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20061109 |