CN1971902B - 平板显示设备 - Google Patents

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Abstract

一种平板显示设备，包括衬底、设置在该衬底上的显示单元、设置在该衬底上显示单元外侧的第一互连线，位于第一互连线上方的第二互连线，和置于第一互连线和第二互连线之间的至少两个绝缘层。

Description

平板显示设备
技术领域
本发明涉及平板显示设备。更具体地说，本发明涉及具有使它的显示单元的外部互连线之间的短路可能减至最小的结构的平板显示设备。
背景技术
通常，平板显示设备可包括轻薄的单元，例如有机发光显示单元、液晶显示单元、等离子显示单元等等。平板显示设备可以包括位于衬底和密封衬底之间的显示单元、在显示单元外侧上的第一互连线和第二互连线、和在第一互连线和第二互连线之间用以保护至少一个薄膜晶体管(TFT)的绝缘层。
在传统的平板显示设备中，仅将单层绝缘层设置在第一互连线和第二互连线之间。因此，如果绝缘层有缺陷，那么在第一互连线和第二互连线之间可以出现短路。特别，当密封衬底通过密封剂沿其边缘与衬底相连时，第一互连线可能被挤向第二互连线，因此引起它们之间的短路，如图1-2所示。
因此，存在提供一种具有使其互连线之间的短路减至最小的结构的平板显示设备的需求。
发明内容
因此本发明目的在于一种平板显示设备，其完全克服相关领域的一个或多个缺点。
因此本发明的一个特点就是提供一种具有使其互连线之间的短路可能减至最小的改进结构的平板显示设备。
本发明的上述和其它特点和优点中至少一个可以通过提供一种平板显示设备来实现，该平板显示设备包括：衬底、设置在该衬底上的显示单元、设置在该衬底上显示单元外侧的第一互连线、位于第一互连线上方的第二互连线、和置于第一互连线和第二互连线之间的至少两个绝缘层。置于第一互连线和第二互连线之间的两个绝缘层中的至少一层可以由无机材料构成。
本发明的平板显示设备可以进一步包括至少一个具有源极、漏极和栅极的薄膜晶体管(TFT)，其中栅极可以设置在衬底之上且在源极和漏极之下。第一互连线可以由和栅极一样的材料构成。
本发明的平板显示设备可以包括位于栅极与源极和漏极之间的内绝缘薄膜。该内绝缘薄膜可以是置于第一互连线和第二互连线之间的至少两个绝缘层中的一层。
本发明的平板显示设备可以进一步包括位于内绝缘薄膜和第二互连线之间的保护薄膜。该保护薄膜可以是置于第一互连线和第二互连线之间的至少两个绝缘层中的一层。该保护薄膜可以是间断层。
另外，本发明的平板显示设备可以包括通过保护薄膜中的接触孔以电方式连接到源极和漏极中的至少一个的第一电极，其中第一电极可以由和第二互连线相同的材料构成。平板显示设备也可以包括以电方式连接到第二互连线的第二电极。
本发明的平板显示设备可以进一步包括第三互连线，其附在内绝缘薄膜上表面上并通过内绝缘薄膜中的接触孔以电方式连接到第二互连线。同样，设备可以包括位于显示单元的外侧在第二互连线上的密封层，其中密封层可以包括间隔物。
根据本发明一个实施例的平板显示设备的显示单元可以是有机发光显示单元。
本发明的另一方面，提供一种有机发光显示设备，包括设置在衬底上的有机发光显示单元，位于衬底上的第一互连线和至少一个栅极，施加在第一互连线和至少一个栅极的上表面上的内绝缘薄膜，附在该内绝缘薄膜上的至少一个栅极、至少一个源极和至少一个漏极，施加到至少一个源极和至少一个漏极的上表面上的保护薄膜，位于保护薄膜上的第二互连线和第一电极，设置在保护层上的像素定义层，以电方式连接到第二互连线的第二电极，具有位于第一电极和第二电极之间的至少一个发光层的中间层。
本发明的有机发光显示设备也包括附于显示单元和第一互连线之间的内绝缘层上的导电层。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示范实施例，本发明的上述和其它特电和优点对本领域普通技术人员将变得更加清楚。
图1显示了在传统平板显示设备的第一和第二互连线之间的短路照片；
图2显示了在图1中所示的短路的横截面图；
图3显示了根据本发明一实施例的平板显示设备的平面图；
图4A显示了沿图3中所示的线V-V所得的横截面图；
图4B显示了根据本发明另一实施例的平板显示设备的横截面图；
图5显示了根据本发明另一实施例的平板显示设备的横截面图；
图6A显示了根据本发明另一实施例的平板显示设备的横截面图；以及
图6B显示了根据本发明另一实施例的平板显示设备的横截面图。
具体实施方式
在此结合2005年11月3日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2005-0104922、名为“平板显示设备”的韩国专利申请的全部内容作为参考。
在下文中将参照显示了本发明的示范实施例的附图对本发明更加全面地描述。但是，本发明可以表现为不同形式并且不认为局限于本文描述的实施例。当然，提供这些实施例使得本公开全面且完整，并对本领域技术人员完全表达了本发明的范围。
在图中，元件和区域的尺寸为了解释的清楚可以增加。也可以理解的是，当提到一个元件在另一个元件或衬底的上面，它可以在直接位于另一个元件或衬底的上面，或者也可以存在中间元件。另外，也可以理解的是当提到一个元件在另一个元件的下面，它可以直接位于另一个元件的下面，或者也可以存在一个或多个中间元件。此外，也可以理解的是当提到一个元件在两个元件的之间，它可以是这两个元件之间唯一的元件，或者也可以存在一个或多个中间元件。相似的附图标记全文都代表相似的元件。
下面参照附图3-4更加详细地描述根据本发明的平板显示设备的示范实施例。
如图3-4所示，根据本发明的平板显示设备可以包括位于由玻璃、金属或塑料构成的衬底110上的显示单元100、第一互连线和第二互连线410和420，和密封衬底900。
显示单元100可以是如有机发光显示器的平板显示单元，具有第一电极210、与第一电极210相对的第二电极400、包括位于第一和第二电极210和400之间的至少一个有机发光层的中间层230、和多个薄膜晶体管(TFT)。
显示单元100的第一电极210可以是透明电极或反射电极。如果第一电极210是透明电极，那么它可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)中的任一种构成。如果第一电极层210是反射电极，那么它可以由设置在反射薄膜上的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)中的任一种构成，反射薄膜由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或类似金属构成。
显示单元100的第二电极400也可以是透明电极或反射电极，并且它可以起阴极的作用。因此，如果第二电极400是透明电极，那么它可以由淀积在具有低逸出功的金属材料上的辅助电极层或总线电极线构成。例如，辅助电极层或总线电极线可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)中的任一种构成，具有低逸出功的金属材料可以是锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂钙(LiF/Ca)、氟化锂铝(LiF/Al)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)或类似金属中的任意一种。如果第二电极层400是反射电极，那么它可以由一层锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂钙(LiF/Ca)、氟化锂铝(LiF/Al)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)或类似金属构成。但是，应当注意用于形成第一和第二电极210和400的其它材料不排除在本发明的范围之内。例如，第一电极210和第二电极400可以由有机材料构成，如导电聚合物。
显示单元100的中间层230可以包括至少一个用本领域的任何已知类型的有机或无机发光材料、例如低分子量有机材料、聚合有机材料等制成的有机发光层。如果中间层230用低分子量有机材料制成，那么它可以由铜酞菁(CuPc)、N，N’-二(萘-1-基)-N、N’-二苯-对二氨基联苯(NPB)、三(8-喹啉酚根合)铝(Alq3)，或通过本领域熟知的任何方法、如脱水法得到的类似材料中的任意一种构成。中间层230可以形成为单层或具有空穴注入层(HIL)、空穴迁移层(HTL)、发射层(EML)、电子输送层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种的复合结构。如果中间层230由聚合有机材料构成，那么它可以形成为具有包括用丝网印刷或喷墨印刷方法得到的HTL和EML的结构。HTL可以由聚-2，4-亚乙二氧基-噻吩(PEDOT)构成，EML可以由聚-亚苯基亚乙烯基(PPV)或聚芴聚合物有机材料构成。
以本领域普通技术人员确定的构造将显示单元100的多个TFT设置在衬底110上。例如，这些TFT可以位于垂直电路驱动单元500和/或水平电路驱动单元600中，如图3所示。每个TFT可以包括栅极150和源和漏极170，如图4A所示。
如图4A进一步所示，根据本发明一实施例的平板显示设备可以进一步包括多个功能层。缓冲层120可以由二氧化硅(SiO2)构成并淀积在衬底110上，半导体层130和栅极绝缘层140可以设置在衬底110和TFT之间，并且内绝缘薄膜160和保护薄膜182可以用作绝缘层。
半导体层130可以淀积在衬底110上，并且它可以由本领域熟知的任何材料构成。半导体层130优选可以由非晶硅、多晶硅或有机半导体材料构成。该半导体层130可以包括掺杂N-型或P-型掺杂材料的源极和漏极区域，和沟道区域。
可以通过离子增强化学汽相淀积由二氧化硅(SiO2)在半导体层130和栅极150之间形成栅极绝缘层140，以使半导体层130与栅极150绝缘。
栅极150可淀积在半导体层130上方，它们之间具有栅极绝缘层140。栅极150可以由单层或多层导电材料、如钼钨(MoW)、铝铜(Al/Cu)等构成。
内绝缘薄膜160可以由二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)等的任一种构成，并且能以单层或多层淀积在栅极150的上部。
源和漏极170可以淀积在内绝缘薄膜160的上表面上。每个源和漏极170可以根据施加到栅极150的信号以电方式相互相连。另外，每个源和漏极170可以通过形成在栅极绝缘层140和内绝缘薄膜160中的接触孔以电方式相连到半导体层130。
保护薄膜182可以是形成在源和漏极170上面的钝化层和/或平面化层以保护或平面化TFT。该保护薄膜182可以由单层或复合层构成，复合层由有机和无机材料构成。保护薄膜182可以由本领域熟知的任何适合的材料构成，这些材料包括有机材料、如苯并环丁烯(BCB)、丙烯等等或无机材料、如氮化硅(SiNx)。另外，保护薄膜182可以设置在衬底110上面，使得它可以连续且均匀地覆盖衬底110和在其上面的任何组件。显示单元100的第一电极210可以位于保护薄膜182上，并且它可以通过形成在保护薄膜182中的接触孔以电方式连接到源和漏极170。
根据本发明实施例的平板显示设备的第一互连线和第二互连线410和420可以形成在显示单元100的外侧以传输电信号，这将在下面详细讨论。
第一互连线410可以起电源线的作用。例如，第一互连线410可以经端子单元510以电方式直接或间接连接到垂直电路驱动单元500以传输电信号。另外，第一互连线410可以向平板显示设备的其它部分供电。例如，第一互连线410可以向驱动功率接线单元300补充供电，使得可以从驱动功率接线单元300向显示单元100中包括的多个驱动线(VDD)310传输充足的电力。
第二互连线420能以电方式连接到显示单元100的第二电极400以往那里提供电力。但是，应当注意到与显示单元100有联系的除第二互连线420以外的其它电源线，不排除在本发明的范围之内。例如，先前提到的关于第一互连线410、多个驱动线(VDD)310可以通过驱动功率接线单元300连接到端点320以向显示单元100提供驱动功率。在这方面，应当注意驱动功率接线单元300可以具有本领域技术人员确定的任何适宜的形状，并且它的形状可以不限于如图3所示的结构、即围绕显示单元100的形状。
第一互连线410可以设置在和栅极150相同的水平面上。换句话说，第一互连线410和栅极150可以设置在同一层，如位于栅极绝缘层140和内绝缘层160之间。因此，第一互连线410和栅极150可以同时在栅极绝缘层140上形成。另外，第一互连线410和栅极150可以由本领域普通技术人员确定的相同材料或不同材料构成。
第二互连线420可以淀积在和第一电极210相同的水平面上。换句话说，第二互连线420和第一电极210都可以位于相同层上，如在保护薄膜182上。因此，第二互连线420和第一电极210可以同时在保护薄膜182上形成。另外，第二互连线420和第一电极210可以由本领域普通技术人员确定的相同材料或不同材料构成。
第一互连线和第二互连线410和420可以设置成可以在它们之间插入至少两个绝缘层。例如，内绝缘层160和保护薄膜182可以淀积在第一互连线和第二互连线410和420之间，如图4A所示，因此防止了第一互连线和第二互连线410和420之间的可能短路。
当在第一互连线和第二互连线410和420之间淀积两个绝缘层时，这两个绝缘层中的至少一层可以由无机材料构成。具体地说，由于保护薄膜182通常可以由对外压具有低抗性的有机材料构成，因此容易短路，内绝缘层160可以由具有抗外压能力的无机材料构成。
但是，应当注意的是，在第一互连线和第二互连线410和420之间淀积附加的绝缘层不排除在本发明的范围以内。
另外，根据如图4B所示的本发明另一实施例，在本发明的平板显示设备中可以包括第三互连线430。具体地说，第三互连线430可以淀积在和源和漏极170相同的水平面上，并且它可以通过在内绝缘薄膜160中形成的接触孔以电方式连接到第一互连线410。换句话说，为了避免第三互连线430与第二互连线420仅在它们之间插入一个绝缘层而交叉，不是第三互连线430而是第一互连线410在第二互连线420下面形成，并且第三互连线430以电方式连接到第一互连线410。这样，可能使第二互连线420与邻近互连线之间的短路可能减至最小。
根据本发明实施例的平板显示设备可以进一步包括像素定义层220。该像素定义层220可以部分位于显示单元100中且在第一和第二电极210和400的端部之间，以及部分在显示单元100外且在保护薄膜182和第二互连线420的上表面上，如图4A和图4B所示。具体地说，像素定义层220可以包括暴露第一电极210以定义像素的开口。像素定义层220可以增加第一电极210和第二电极400的端部之间的距离以防止第一电极210端部的电弧放电。像素定义层220可以包括接触孔，其暴露第二互连线420的至少一部分以便于第二互连线420和第二电极400之间的电接触。
根据本发明实施例的平板显示设备也可以包括如图3所示的位于衬底110外边缘的接线端412和620。接线端320、412、510和620能以电方式连接到驱动功率线单元300、第一互连线410、垂直电路驱动单元500，以及水平电路驱动单元600。
根据本发明实施例的平板显示设备也可以包括位于衬底110外边缘的密封构件800以使衬底110和密封衬底900相密封。
在如图5所示的本发明另一实施例中，本发明的平板显示设备可以构造成具有保护薄膜182和像素定义层220的间断层。保护薄膜182和像素定义层220可能在显示单元100和第一、第二互连线410和420之间具有间隙，与图4A描述的结构相反。在这方面，应当注意包含在如图5所示的实施例中的特殊元件是前面描述的关于图3-4所示的平板显示设备的相同的元件。因此，下文将仅详细描述与前面实施例有区别的内容。可以在图3-5所示的平板显示设备的所有实施例中找到的内容和描述将不在本文重复。
根据如图5所示的实施例，可以将保护薄膜182间断地应用于衬底110。具体地说，保护薄膜182其中可以具有至少一个间隙，即在第一、第二互连线410和420和显示区域100之间的区域A。不想受理论的制约，相信当保护薄膜182包括多层复合构造时，这种间断结构可以使多层之间的杂质渗透减至最小，因此将显示单元100的退化减至最小并延长了它的使用期限。在这方面，应当注意到“间断”层或薄膜指的是其中具有至少一个间隙的层。
如图5进一步所示，根据本发明实施例的平板显示设备也可以包括在第一、第二互连线410和420和显示单元100之间的导电层430。不想受理论的制约，相信导电层430可以防止由于护薄膜182的间断性而在A1部分的第二电极400的间断性，如图5所示。另外，即使第二电极400不是直接与第二互连线420电连接，相信第二电极400和第二互连线420可以通过导电层430以电方式连接，因此防止了设备的故障。
导电层430可以设置在与源和漏极170相同的水平面上，即导电层430与源和漏极170都可以位于内绝缘薄膜160上。因此，导电层430与源和漏极170可以同时形成在内绝缘薄膜160上。另外，导电层430与源和漏极170可以由本领域普通技术人员所确定的相同材料或不同材料构成。
根据如图5所示的实施例，至少两个绝缘层、例如内绝缘薄膜160和护薄膜182可以设置在第一互连线和第二互连线410和420之间，以使第一互连线和第二互连线410和420之间之间的短路可能减至最小。
如图6A所示，根据前面参照图5描述的本发明一实施例的平板显示设备也包括密封层810。
密封层810可以形成在第二互连线420上方，即密封层810可以形成在显示单元100以外在第二互连线420和密封衬底900之间。另外，密封层810可以包括在其中的间隔物812，如图6B所示。不想受理论的制约，相信在第二互连线420外部形成密封层810可以减小显示单元100外部区域的尺寸，因此在保持显示单元100的尺寸的同时，减小了显示面板的尺寸。
根据如图6A和6B所示的实施例，至少两个绝缘层、例如内绝缘薄膜160和保护薄膜182可以设置在第一互连线和第二互连线410和420之间以使第一互连线和第二互连线410和420之间的短路可能减至最小。另外，不想受理论的制约，相信在如图6B所示的实施例中使用至少两个绝缘层有利于进一步使制造缺陷(例如由于在衬底110和密封衬底900的密封期间，因对第二互连线420的挤压由密封层810中的间隔物812引起的第一互连线和第二互连线410和420之间的短路)降至最小。
根据本发明实施例的平板显示设备可以是本领域公知的任何平板显示设备，例如有机发光显示设备、液晶显示设备等等。
本文已经公开了本发明的示范实施例，虽然使用了特定的词汇，但是它们仅用作一般和描述性的意义，而没有限制的目的。因此，可以理解的是本领域的技术人员在不脱离所附权利要求限定的本发明的精神和范围的前提下，可以在形式和细节上做出各种改变。

Claims (17)

1.一种平板显示设备，包括：
衬底；
至少一个具有源极、漏极和栅极的薄膜晶体管(TFT)，其中所述栅极设置在所述衬底上并在所述源极和漏极下面；
设置在所述衬底上的显示单元；
设置在所述衬底上所述显示单元外侧的第一互连线；
位于第一互连线上方的第二互连线；和
置于第一互连线和第二互连线之间的至少两个绝缘层；
所述第一互连线与所述栅极形成在同一层上。
2.如权利要求1所述的平板显示设备，其中第一互连线是由和所述栅极一样的材料构成。
3.如权利要求1所述的平板显示设备，还包括置于所述栅极和所述源极、漏极之间的内绝缘薄膜。
4.一种平板显示设备，包括：
衬底；
至少一个具有源极、漏极和栅极的薄膜晶体管(TFT)，其中所述栅极设置在所述衬底上并在所述源极和漏极下面；
设置在所述衬底上的显示单元；
设置在所述衬底上所述显示单元外侧的第一互连线；
位于第一互连线上方的第二互连线；
置于所述栅极和所述源极和漏极之间的内绝缘膜；和
置于第一互连线和第二互连线之间的至少两个绝缘层；
其中置于第一互连线和第二互连线之间的至少两个绝缘层中的一层是内绝缘薄膜。
5.如权利要求4所述的平板显示设备，还包括位于所述内绝缘薄膜和第二互连线之间的保护薄膜。
6.如权利要求5所述的平板显示设备，其中置于第一互连线和第二互连线之间的至少两个绝缘层中的一层是保护薄膜。
7.如权利要求5所述的平板显示设备，其中所述保护薄膜是间断层。
8.如权利要求5所述的平板显示设备，还包括通过所述保护薄膜中的接触孔以电方式连接到所述源极和漏极中的至少一个的第一电极。
9.如权利要求8所述的平板显示设备，其中第一电极由和第二互连线相同的材料构成。
10.如权利要求8所述的平板显示设备，还包括以电方式连接到第二互连线的第二电极。
11.如权利要求4所述的平板显示设备，其中置于第一互连线和第二互连线之间的两个绝缘层中的至少一层由无机材料构成。
12.一种平板显示设备，包括：
衬底；
至少一个具有源极、漏极和栅极的薄膜晶体管(TFT)，其中所述栅极设置在所述衬底上并在所述源极和漏极下面；
设置在所述衬底上的显示单元；
设置在所述衬底上所述显示单元外侧的第一互连线；
位于第一互连线上方的第二互连线；
置于所述栅极和所述源极和漏极之间的内绝缘膜；
第三互连线，其附在所述内绝缘薄膜上表面上并通过所述内绝缘薄膜中的接触孔以电方式连接到第一互连线；和
置于第一互连线和第二互连线之间的至少两个绝缘层。
13.一种平板显示设备，包括：
衬底；
设置在所述衬底上的显示单元；
设置在所述衬底上所述显示单元外侧的第一互连线；
位于第一互连线上方的第二互连线；
置于第一互连线和第二互连线之间的至少两个绝缘层；和
位于所述显示单元的外侧在第二互连线上的密封层。
14.如权利要求13所述的平板显示设备，其中所述密封层包括间隔物。
15.如权利要求13所述的平板显示设备，其中所述显示单元是有机发光显示单元。
16.一种有机发光显示设备，包括：
设置在衬底上的发光显示单元；
位于所述衬底上的第一互连线和至少一个栅极；
施加在第一互连线和所述至少一个栅极的上表面上的内绝缘薄膜；
附在所述内绝缘薄膜上的至少一个源极和至少一个漏极；
施加在所述至少一个源极和至少一个漏极的上表面上的保护薄膜；
位于所述保护薄膜上的第二互连线和第一电极；
设置在所述保护薄膜上的像素定义层；
以电方式连接到第二互连线的第二电极；和
具有位于第一电极和第二电极之间的至少一个发光层的中间层。
17.如权利要求16所述的有机发光显示设备，还包括附着于所述显示单元和第一互连线之间的内绝缘层上的导电层。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7851996B2 (en) * 2005-11-16 2010-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
KR100759666B1 (ko) * 2006-01-27 2007-09-17 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 및 그의 제조방법
JP2010257957A (ja) * 2009-04-01 2010-11-11 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置
KR101074805B1 (ko) * 2009-12-04 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR101800285B1 (ko) 2010-10-04 2017-12-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20130128940A (ko) * 2012-05-18 2013-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102013893B1 (ko) 2012-08-20 2019-08-26 삼성디스플레이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
CN103943649B (zh) * 2013-02-15 2017-10-03 上海天马微电子有限公司 Oled显示面板及其驱动方法
US9362345B2 (en) * 2013-05-31 2016-06-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP6155856B2 (ja) * 2013-06-03 2017-07-05 住友化学株式会社 表示装置
KR102151752B1 (ko) 2013-08-05 2020-09-04 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102360783B1 (ko) * 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102284756B1 (ko) * 2014-09-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN104538566A (zh) * 2015-01-22 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 Oled的封装方法及oled封装结构
KR102477299B1 (ko) * 2015-06-12 2022-12-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102561113B1 (ko) * 2015-08-13 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US11211582B2 (en) * 2016-01-15 2021-12-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus with protection layer surrounding the pixel electrode
KR102537439B1 (ko) * 2016-01-15 2023-05-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2017168308A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置
KR102628849B1 (ko) * 2016-03-24 2024-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102651136B1 (ko) * 2016-04-12 2024-03-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN106462018B (zh) * 2016-08-09 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板的制造方法和修复方法
KR102457251B1 (ko) * 2017-03-31 2022-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2019224963A1 (ja) * 2018-05-23 2019-11-28 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
US11416108B2 (en) * 2018-07-25 2022-08-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN109243305B (zh) * 2018-09-17 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法
CN110993814B (zh) * 2019-11-15 2021-09-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
JPWO2022172670A1 (zh) * 2021-02-09 2022-08-18

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1658726A (zh) * 2004-02-14 2005-08-24 三星Sdi株式会社 有机电致发光显示装置及其制造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2661163B2 (ja) 1988-07-28 1997-10-08 カシオ計算機株式会社 Ｔｆｔパネル
US6557668B2 (en) * 1997-02-19 2003-05-06 Rebs Zentralschmiertechnik Gmbh Device for distributing an oil-air mixture to various lubricating channels of the machine housing
JP3596471B2 (ja) * 2000-03-27 2004-12-02 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、その製造方法および電子機器
JP2002244589A (ja) 2001-02-20 2002-08-30 Hitachi Ltd 有機発光装置およびその製造方法
US6822264B2 (en) * 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100892945B1 (ko) * 2002-02-22 2009-04-09 삼성전자주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2003271075A (ja) 2002-03-13 2003-09-25 Toshiba Corp 表示装置
KR100461634B1 (ko) * 2002-04-15 2004-12-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100489786B1 (ko) * 2002-07-08 2005-05-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자
JP2004102246A (ja) 2002-07-18 2004-04-02 Seiko Epson Corp 電気光学装置、配線基板及び電子機器
JP4001066B2 (ja) * 2002-07-18 2007-10-31 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、配線基板及び電子機器
JP4479381B2 (ja) 2003-09-24 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
US7538488B2 (en) * 2004-02-14 2009-05-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display
KR100615212B1 (ko) 2004-03-08 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치
KR100581903B1 (ko) * 2004-03-09 2006-05-22 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 디스플레이 장치
JP4776949B2 (ja) 2004-03-16 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7619258B2 (en) * 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7427783B2 (en) * 2004-04-07 2008-09-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Top emission organic light emitting diode display using auxiliary electrode to prevent voltage drop of upper electrode

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1658726A (zh) * 2004-02-14 2005-08-24 三星Sdi株式会社 有机电致发光显示装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
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US8222809B2 (en) 2012-07-17
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