TW201501275A

TW201501275A - 有機發光顯示設備與其製造方法

Info

Publication number: TW201501275A
Application number: TW103108262A
Authority: TW
Inventors: Young-Rok Song
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2013-05-29
Filing date: 2014-03-10
Publication date: 2015-01-01
Also published as: CN104218054A; US9343521B2; TWI609482B; KR102080009B1; CN104218054B; US20140353609A1; US20150263081A1; KR20140140414A; US9076747B2

Abstract

提供一種有機發光顯示設備，其包含薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含主動層、閘極電極以及源極電極及汲極電極；有機發光裝置，該有機發光裝置包含與薄膜電晶體連結之像素電極、包含發光層之中間層、及相反電極；以及相反電極接觸單元，其中相反電極電性連結至電源線路，其中相對於電源線路，接觸相反電極之表面形成以具有浮凸結構。

Description

有機發光顯示設備與其製造方法

相關申請案之交互參照

【0001】

本申請案主張於2013年5月29日於韓國智慧財產局提交之韓國專利申請案No. 10-2013-0061255之效益，其揭露於此全部併入作為參考。

【0002】

本實施例之一或多個態樣係關於一種有機發光顯示設備，且更具體來說，關於一種其中面對像素電極之相反電極接觸電源線路之面積之結構改善之有機發光顯示設備。

【0003】

一般而言，有機發光顯示設備包含薄膜電晶體(TFT)與有機發光裝置。有機發光顯示設備具有一結構，其中有機發光裝置接收由薄膜電晶體發出之適當驅動訊號而發光，從而顯示需要的影像。

【0004】

薄膜電晶體具有由主動層、閘極電極以及源極及汲極電極在基板上堆疊之一結構。因此，當電流經由基板上形成之線路供電給閘極電極時，電流經由主動層流過源極及汲極電極。同時，電流也流過與源極及汲極電極連結之有機發光裝置的像素電極。

【0005】

此外，有機發光裝置包含像素電極、面向像素電極之相反電極以及介於其間之發光層。在此結構下，若電流如上所述通過薄膜電晶體流過像素電極，相反電極與像素電極之間會形成適當之電壓。於是，發光層發光，且因而顯示出影像。

【0006】

為了在上述描述之發光層形成適當電壓，相反電極必須連結電源線路以維持恆定電壓。在此情形下，連結電源線路之相反電極接觸單元可能產生熱。

【0007】

也就是說，一般連結相反電極之電源線路具有複數個線路層堆疊及複數個線路層中其中一線路層與相反電極連結之結構。複數個線路層可藉由包含在有機發光顯示設備之顯示單元中之薄膜電晶體之閘極電極或源極電極堆疊而形成。在沉積有機發光材料於有機發光顯示設備之顯示單元中的像素區域的過程中，有機發光材料沉積於與沉積源分隔一特定距離之基板上。所以，有機發光材料可能會非期望地混入有機發光顯示設備之非顯示區域的相反電極接觸單元。在這種情況下，沉積在複數個電源線路之有機發光材料可能造成熱產生，且進而導致產品的缺陷。

【0008】

於是，為了實施更穩定的有機發光顯示設備，需要防止有機發光材料沉積在相反電極接觸單元上的改善結構。

【0009】

本實施例之一或多個態樣係提供一種有機發光顯示設備，其中電源線路之一表面係形成以具有浮凸結構，也就是說，即使有機材料與相反電極接觸單元混合，有機材料沉積在電源線路上之面積也會最小化。

【0010】

根據本實施例之一態樣，提供一種有機發光顯示設備，其包含：薄膜電晶體(TFT)，此薄膜電晶體包含主動層、閘極電極、源極電極及汲極電極；有機發光裝置，此有機發光裝置包含與薄膜電晶體連結之像素電極、含有發光層之中間層、及相反電極；以及相反電極接觸單元，其中該相反電極電性連結至電源線路，其中，相對於電源線路，接觸相反電極之表面係形成以具有浮凸結構。

【0011】

電源線路可包含至少一或多個線路層，且至少一或多個線路層可包含與薄膜電晶體之源極電極與汲極電極包含相同材料且設在相同層上之線路層。

【0012】

電源線路可包含至少一或多個線路層，且至少一或多個線路層可包含與薄膜電晶體之閘極電極包含相同材料且設在相同層上之線路層。

【0013】

浮凸結構之一斜面相對於沉積有機發光裝置之中間層之沉積源可形成一特定角度。

【0014】

決定特定角度，使得由沉積源產生之沉積材料以垂直方向到達浮凸結構之該斜面。

【0015】

浮凸結構之該斜面可形成以垂直於有機發光顯示設備之基板。

【0016】

浮凸結構可相對於相反電極於雕刻(engraving)或浮凸方向形成。

【0017】

閘極電極可包含上閘極電極與下閘極電極，且下閘極電極與有機發光裝置之像素電極設在同一層。

【0018】

電源線路可包含第一到第三線路層，第一到第三線路層依朝相反電極之方向依序形成，第一線路層與下閘極電極包含相同材料且設在同一層，第二線路層與上閘極電極包含相同材料且設在同一層，而第三線路層與源極電極及汲極電極包含相同材料且設在同一層。

【0019】

像素電極、下閘極電極或第一線路層可製成以包含選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)與氧化銦(In₂ O₃ )所組成之群組中之一或多種透明金屬氧化物。

【0020】

上閘極電極或第二線路層可包含選自由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉬鎢(MoW)、與銅(Cu)所組成之群組中之一或多種材料。

【0021】

相反電極接觸單元可形成於非顯示區域。

【0022】

有機發光顯示設備可進一步包含形成於包含在相反電極接觸單元之電源線路的部分外部之層間絕緣層與像素定義層。

【0023】

電源線路可透過層間絕緣層與像素定義層上所形成之孔洞與相反電極電性連結。

【0024】

層間絕緣層可包含無機絕緣材料，且像素定義層包含有機絕緣材料。

【0025】

根據本實施例之另一態樣，在此提供製造有機發光顯示設備之方法，此方法包含在基板上形成第一導電層與第二導電層；圖樣化第一導電層與第二導電層，以由第一導電層形成像素電極以及電源線路的第一線路層，並由第二導電層形成電源線路的第二線路層；製成包含露出部分像素電極與第二線路層之孔洞之層間絕緣層；在層間絕緣層上製成第三導電層，並圖樣化第三導電層以製成電源線路之上部表面具有浮凸結構之電源線路之第三線路層；製成露出部分像素電極與電源線路之第三線路層之像素定義層；以及在像素定義層上以前電極形式形成相反電極，並與電源線路之第三線路層電性連結。

【0026】

此方法包含在形成像素定義層後，利用沉積源在像素電極上沉積包含發光層之中間層，其中浮凸結構之一斜面相對於沉積源形成一特定角度。

【0027】

【0028】

浮凸結構之該斜面可形成為垂直基板。

【0029】

根據本實施例之另一態樣，在此提供相反電極接觸單元，其包含含有至少一或多個線路層之電源線路；以及與電源線路電性連結之相反電極，其中在有機發光顯示設備中之非顯示區域中製成相反電極接觸單元，且電源線路朝相反電極之方向於其一斜面具有浮凸結構。

1‧‧‧有機發光顯示設備

10‧‧‧基板

11‧‧‧緩衝層

12‧‧‧閘極絕緣層

15‧‧‧第一絕緣層

17‧‧‧第二絕緣層

19、59‧‧‧相反電極

20‧‧‧閘極電極

21‧‧‧主動層

23‧‧‧下閘極電極

24‧‧‧上閘極電極

26d‧‧‧汲極電源

26s‧‧‧源極電源

30、56‧‧‧電源線路

33‧‧‧第一線路層

34‧‧‧第二線路層

36‧‧‧第三線路層

38、58‧‧‧有機材料

43‧‧‧像素電極

44‧‧‧輔助電極

48‧‧‧中間層

57‧‧‧絕緣層

110‧‧‧顯示區域

120‧‧‧非顯示區域

130‧‧‧相反電極接觸區域

140‧‧‧焊墊區域

CNT‧‧‧相反電極接觸單元

EL‧‧‧有機發光裝置

SOURCE‧‧‧沉積源

BLADE‧‧‧葉片

H1、H2、H3、H4、H5、H6、H7‧‧‧孔洞

a‧‧‧沉積區域

b‧‧‧非沉積區域

Z、TS‧‧‧距離

θ1、θ2‧‧‧角度

d1、d2‧‧‧區域

【0030】

本實施例之前述以及其他特徵與優勢，將參照附圖藉由詳細說明其例示性實施例而變得更加顯而易見，其中：

【0031】

第1圖係為描述根據本實施例之有機發光顯示設備之結構之示意平面圖；

【0032】

第2圖係描述傳統有機發光顯示設備之部分相反電極接觸區域之示意剖面圖；

【0033】

第3A圖至第3C圖為解釋根據本實施例之沉積有機材料於有機發光顯示設備之方法之示意圖；

【0034】

第4圖描述根據本實施例之有機發光顯示設備之示意圖；

【0035】

第5A圖至第5F圖係為根據實施例描述製造第4圖之有機發光顯示設備之方法之示意圖；

【0036】

第6圖係根據另一實施例之有機發光顯示設備1之示意圖；及

【0037】

第7圖係描述根據另一實施例之有機發光顯示設備1之示意圖。

【0038】

在下面詳細描述中參照以繪示的方式顯示其中可實行之實施例的特定實施例之附圖。這些實施例充份詳細描述，以使所屬技術領域具有通常知識者得以實施實施例。要瞭解的是，雖然各種實施例並不相同卻也不必然互斥。舉例來說，配合一實施例於本文中所闡述之特定特徵、結構或是特性可在其他實施例中實施且不背離實施例之精神與範圍。此外，要瞭解的是，在各揭露的實施例中各別獨立元件的位置或排列在不背離實施例之精神與範圍下是可以被修改的。下面的詳細描述因此並不被視為限制意義，且本實施例的範圍僅定義於與申請專利範圍所賦予之等效物之全部範圍而適當地詮釋之附加之申請專利範圍中。在圖式中，各圖式中，相似之參考符號指向具有相同或類似功能的元件。

【0039】

本實施例現將參考其中繪示例示性實施例之附圖而更充分地說明。

【0040】

第1圖係描述根據本實施例之有機發光顯示設備1之結構之示意平面圖

【0041】

有機發光顯示設備1包含其中複數個像素排列在基板10上之顯示區域110、以及在顯示區域110外形成之非顯示區域120

【0042】

基板10可為低溫多晶矽(LTPS)基板、玻璃基板或塑膠基板。

【0043】

在顯示區域110中，形成顯示影像以陣列方式排列之基本單元之像素(未顯示)、以及電性連接至每一像素之線路。像素可包含其中包含至少一薄膜電晶體(TFT)及電容之像素電路、以及有機發光裝置EL。有機發光裝置EL具有其中為陽極電極且連接至薄膜電晶體之像素電極、有機發射層、以及作為陰極電極且為前電極之形式之相反電極所堆疊之結構。陰極電壓透過相反電極施加給每一像素。

【0044】

非顯示區域120可包含透過相反電極接觸單元CNT電性連結顯示區域110上之相反電極(59，見第2圖)之相反電極接觸區域130、以及其中形成藉其施加電源於顯示區域110及相反電極接觸區域130之焊墊之焊墊區域140。相反電極接觸區域130 透過焊墊提供為由外部經由相反電極接觸單元CNT供給之陰極電壓給每一像素。一或多個相反電極接觸區域130與焊墊區域140可形成於非顯示區域120之至少一側邊。第1圖舉例描述其中相反電極接觸區域130與焊墊區域140各形成於非顯示區域120之上部與下部。然而，本實施例並未被限制於此。一或多個相反電極接觸單元CNT可形成於相反電極接觸區域130上。

【0045】

根據本實施例，被包含在相反電極接觸單元CNT中之電源線路30(見第4圖至第6圖)之上表面形成以具有浮凸結構。因此，可能由有機材料與相反電極接觸區域之非預期混合所造成之電阻上升與熱產生可被防止。

【0046】

基板10可利用在非顯示區域120上形成之密封構件(圖未顯示)與面向基板10之封裝基板(未顯示)結合。雖然未顯示，密封構件在基板10上形成以密封發光區域。於是，發光區域可自外部空氣受到保護。舉例來說，密封膜可以具有一成膜結構(film growth structure)，成膜結構係由交替由無機材料像是氧化矽或氮化矽所構成之膜以及由有機材料像是環氧樹脂或聚醯亞胺所構成之膜而形成。再舉一例，密封膜可以包含低熔點玻璃像是氧化錫(SnO)所形成之膜。然而，這只是舉例。密封膜並未被限制於此，且任何具有密封結構之膜皆可作為密封膜。

【0047】

第2圖係為描述傳統有機發光顯示設備之部分相反電極接觸區域之示意剖示圖

【0048】

參考第2圖，於傳統有機發光顯示設備所包含之相反電極接觸區域，在基板10上製成緩衝層11，且在緩衝層11上製成電源線路56。在電源線路56上製成相反電極59，且在未形成絕緣層57的區域上，電源線路56可接觸相反電極59。在這種情況下，有機材料58可能會非預期的混合在電源線路56與相反電極59之間。在像素區域製成有機發射層的過程中，有機材料58可能會非預期的混合進相反電極接觸單元。接著，電源線路56直接接觸相反電極59之面積可能會減少，且因此這之間的電阻就會提高。當使用可為理想用於生產大型有機發光二極體(OLED)面板的流水線沉積法時，有機材料58之混合問題可能發生。此可能會提高在相反電極接觸單元之電阻，使得熱產生。

【0049】

第3A圖至第3C圖為解釋根據本實施例之沉積有機材料於有機發光顯示設備之方法之示意圖。

【0050】

第3A圖為描述當有機材料沉積時在基板10上形成葉片BLADE之位置之示意圖。有機材料可僅在顯示區域110上形成。於是，如第3A圖所示，葉片BLADE形成於覆蓋相反電極接觸區域130與焊墊區域140之區域中，使得有機材料不會沉積在為非顯示區域120中之相反電極接觸區域130與焊墊區域140。當由沉積源所產生之沉積材料，亦即，有機材料形成於基板10上時，葉片BLADE作用以防止有機材料在非顯示區域120上生成。亦可用遮罩來取代葉片BLADE。

【0051】

第3B圖為描述為何即使使用葉片BLADE於相反電極接觸區域130卻仍有有機材料沉積之原因之示意圖。

【0052】

沉積源SOURCE利用像是葉片或遮罩之工具來沉積沉積材料以區別沉積區域與非沉積區域。在第3B圖所示之舉例中，被葉片BLADE遮擋之區域b為非沉積區域，而未被葉片BLADE遮擋之區域a為沉積區域。假設沉積材料由沉積源SOURCE之區域d1與d2噴灑出。由於有機發光顯示設備1維持離葉片BLADE有一距離Z。於是，當沉積源SOURCE與基板10分隔距離Z及TS時，沉積源SOURCE沉積沉積材料，因而形成將在之後描述的有機發光裝置EL上之中間層48。然而，在此同時，即使葉片BLADE形成在基板10上，沉積源SOURCE亦在非沉積區域b上沉積沉積材料。這是由於葉片BLADE與有機發光顯示設備1隔開一特定距離。在第3B圖所示的例子中，沉積材料可能非預期地混合於由公式b = (d1*Z)/TS所表示之面積。

【0053】

第3C圖為描述根據本實施例降低其中沉積材料與有機發光顯示設備1混合之面積之方法之示意圖。

【0054】

論及根據本實施例之有機發光顯示設備1，浮凸結構如第3C圖所示而製成。如第3B圖所示之示例中，沉積源SOURCE與葉片BLADE之一端之間之角度為θ1。然後，根據本實施例，有機發光顯示設備1與浮凸結構之一斜面之間之角度可為θ1。在此情形下，沉積材料就不會在有機發光顯示設備1上之浮凸結構之另一斜面沉積。第3B圖與第3C圖示意性描述了其中沉積材料與有機發光顯示設備1混合的情況，確切來說，第3B圖與第3C圖描述了其中沉積材料與相反電極接觸單元CNT之電源線路30混合之情況。根據本實施例，電源線路30被製成以具有浮凸結構(在第4圖至第6圖顯示)。於是，藉由提高將在之後描述的電源線路30直接接觸相反電極19之區域而可解決熱產生之問題。

【0055】

第4圖係為描述根據本實施例之有機發光顯示設備之示意圖。

【0056】

參照第4圖，根據本實施例，包含在有機發光顯示設備1之相反電極接觸單元CNT之電源線路30之上表面被製成以具有浮凸結構。

【0057】

在本實施例中，有機發光顯示設備1包含薄膜電晶體、有機發光裝置EL以及相反電極接觸單元CNT，其中有機發光裝置EL之相反電極會與電源線路30連結。

【0058】

薄膜電晶體由主動層21、閘極電極20以及源極電極26s及汲極電極26d構成。閘極電極20由下閘極電極23與上閘極電極24構成。下閘極電極23包含一透明導電材料。上閘極電極24包含一金屬。閘極絕緣層12介於閘極電極20與主動層21之間，使閘極電極20絕緣主動層21。此外，具有電導性之源極區域及汲極區域在主動層21兩邊緣形成，且與源極電極26s及汲極電極26d連結。

【0059】

有機發光裝置EL由電性連結薄膜電晶體之源極電極26s及汲極電極26d之一之像素電極43、作為陰極之相反電極19、以及介於像素電極43與相反電極19間之有機中間層48所構成。參考符號15代表層間絕緣層(以下稱第一絕緣層)，且參考符號17代表像素定義層(以下稱第二絕緣層)。

【0060】

此外，相反電極接觸單元CNT包含第一線路層33及第二線路層34以及第三線路層36作為接觸相反電極19之電源線路30。第一線路層33及第二線路層34與下閘極電極23及上閘極電極24包含了相同材料且位在相同的各層上。第三線路層36與源極電極及汲極電極26s與26d包含相同材料且位在相同層上。另外，根據另一實施例，電源線路30之線路層可與閘極電極20包含相同材料且位在相同層上。

【0061】

參照第4圖所示之實施例，第一絕緣層15在電源線路30外部製成，以於其間以一空間與電源線路30分離。第二絕緣層17被製成以填充電源線路30與第一絕緣層15之間的空間，且形成以插設於第三線路層36與相反電極19之間。在第4圖中，第二絕緣層17被製成來填充基板10上之閘極絕緣層12與緩衝層11所形成之特定深度之孔洞。然而，第二絕緣層17並未被限制於此，亦可形成以僅填充閘極絕緣層12之上部。此外，根據第4圖所示之實施例，繪示第一絕緣層15與電源線路30是分離的。然而，第一絕緣層15及電源線路30之間並不必然設置空間。此外，不同於第4圖中所繪示，第三線路層36可以覆蓋第一線路層33及第二線路層34之末端且可僅在第一線路層33及第二線路層34之上部製成。

【0062】

根據參照第4圖之實施例，由於第三線路層36被製成以具有浮凸結構，有機材料38僅在浮凸結構之一斜面沉積。有機材料38可為利用沉積源在製成中間層48於有機發光裝置EL時沉積之材料。如同相對於第3C圖所詳細描述般，有機材料38僅在第三線路層36之浮凸結構中，面向沉積源SOURCE之表面沉積。於是，比起傳統有機發光顯示設備之相反電極接觸單元CNT，第三線路層36與相反電極19直接接觸之面積增加了，且因此，可降低熱電阻。

【0063】

更具體的說，當浮凸結構如第3C圖描述般被製成時，沉積源SOURCE以一特定入射角度沉積要沉積材料。於是，沉積材料可僅在浮凸結構之一斜面形成。也就是說，如第3C圖所描述，當一沉積材料以從沉積源SOURCE之一端以θ1角度沉積於基板10上時，若浮凸結構之一斜面與基板10之間之角度呈(90°-θ1)，沉積角度與第三線路層36之一端之一斜面之角度將會互相指向垂直。於是，沉積材料僅在第三線路層36之浮凸結構之一斜面沉積，且沉積材料可不在浮凸結構之另一斜面沉積。所以，為沉積材料之有機材料38之沉積面積可被最小化，且因此可降低熱產生的量。

【0064】

第4圖所示之實施例中，電源線路30中，僅第三線路層36之上表面係繪示為具有浮凸結構。然而，根據其他實施例，有機發光顯示設備1可形成，使得電源線路30之所有線路層可分別具有浮凸結構。舉例來說，不像第4圖所示之實施例中僅第三線路層36具有浮凸形狀，第一線路層33、第二線路層34以及第三線路層36皆製成為具有浮凸結構。也就是說，關於本實施例中有機發光顯示設備1，電源線路30之一些或全部層可具有浮凸形狀。結果，在朝向相反電極19之方向上電源線路30之上表面可具有浮凸結構。於是，即使有機材料38與有機發光顯示設備1混合，有機材料38僅在電源線路30之一些斜面上沉積進而可降低熱電阻。

【0065】

第5A圖至第5F圖係為根據實施例描述製造第4圖之有機發光顯示設備之方法之示意圖。

【0066】

參照第5A圖，在基板10上製成緩衝層11，藉此維持基板10之平順性，並防止雜質元素穿透進基板10。

【0067】

基板10可包含具有以二氧化矽(SiO₂ )為主成分之透明玻璃。然而，基板10並不僅限於此，且亦可包含各種材料，像是透明塑膠、金屬或其他類似物。

【0068】

薄膜電晶體的主動層21在緩衝層11上製成。主動層21可包含多晶矽材料，並使用遮罩製程圖樣化。主動層21之材料並不僅限於矽，且主動層21亦可包含氧化物半導體。例如，主動層21可包含一鎵銦鋅氧化物(G-I-Z-O)層[(In₂ O₃ )a(Ga₂ O₃ )b(ZnO)c層]，其中a、b以及c為實數，且a≥0，b≥0，且c＞0。若主動層21包含一氧化物半導體，在之後解釋之摻雜製程將可被省略。

【0069】

然後，在圖樣化主動層21上製成閘極絕緣層12。閘極絕緣層12可由利用像是電漿增強化學氣相沉積法(PECVD)、大氣壓化學氣相沉積法(APCVD)或是低壓化學氣相沈積法(LPCVD)這類方法摻雜無機絕緣層像是氮化矽(SiN_x )或是氧化矽(SiO_x )而製成。

【0070】

然後，如第5B圖所描述，在閘極絕緣層12上依序沉積第一導電層(未顯示)與第二導電層(未顯示)。然後，圖樣化有機發光裝置EL之像素電極43與輔助電極44、薄膜電晶體之閘極電極20以及包含在相反電極接觸單元CNT中形成部分電源線路30之第一線路層33與第二線路層34。

【0071】

第一導電層(未顯示)圖樣化為有機發光裝置EL之像素電極43、薄膜電晶體之下閘極電極23以及電源線路30之第一線路層33。第一導電層可包含選自由透明材料像是氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)與氧化銦(In₂ O₃ )所組成之群組之至少一材料。

【0072】

第二導電層(未顯示)圖樣化為有機發光裝置EL之輔助電極44、薄膜電晶體之上閘極電極24以及電源線路30之第二線路層34。第二導電層可包含選自銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉬鎢(MoW)、與鋁/銅(Al/Cu)之至少一材料。

【0073】

閘極電極20在對應主動層21中心之位置製成。將閘極電極20當作遮罩，將n型或p型雜質摻雜進主動層21。然後，在由閘極電極20所覆蓋之主動層21之區域形成一通道單元，且主動層21未被閘極電極20覆蓋之其他區域則形成源極單元及汲極單元

【0074】

然後，參照第5C圖，第一絕緣層15在基板10之整個表面上沉積，且孔洞H1至H5則利用遮罩製程形成。

【0075】

第一絕緣層15可採用自旋塗佈法製成，使用選自有機絕緣材料像是聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯（BCB）以及酚醛樹脂所組成之群組中之至少一種材料。第一絕緣層15被製成以具有大於閘極絕緣層12之厚度，因而作用為閘極電極20與薄膜電晶體之源極電極26s及汲極電極26d間之層間絕緣層。第一絕緣層15可利用類似於閘極絕緣層12之無機絕緣材料、以及上述有機絕緣材料而製成。第一絕緣層15可由交替有機絕緣材料與無機絕緣材料製成。

【0076】

第一絕緣層15係圖樣化以形成露出有機發光裝置EL之像素電極43之部分區域之第一孔洞H1、露出輔助電極44之部分區域之第二孔洞H2、露出薄膜電晶體上之主動層21之第三孔洞H3與第四孔洞H4、以及露出相反電極接觸單元CNT之電源線路30之部分或整個區域之第五孔洞H5。在第一線路層33與第二線路層34週邊可在閘極絕緣層12與緩衝層11上蝕刻及雕刻(carved)出一特定深度，且可提供一空間介於第一線路層33、第二線路層34以及第一絕緣層15之間。另外，本實施例並不侷限於第5C圖所示示例，且第一絕緣層15亦可被蝕刻，如此不會形成介於第一線路層33、第二線路層34以及第一絕緣層15之間之空間。

【0077】

然後，參照第5D圖，第三導電層(未顯示)係沉積並圖樣化在第一絕緣層15上之基板10之整個表面上，從而製成薄膜電晶體中之源極電極26s及汲極電極26d、以及電源線路30中之第三線路層36。第三導電層可用選自形成第一與第二導電層之相同導電材料中之相同材料而製成，或由鉬/鋁/鉬製成。源極電極26s及汲極電極26d及第三線路層36由圖樣化第三導電層而形成。製成第三線路層36以覆蓋第一線路層33與第二線路層34之末端。另外，第三線路層36亦可以在第二線路層34上製成，以使不覆蓋第二線路層34之末端。此外，輔助電極44被蝕刻以露出像素電極43。源極電極26s及汲極電極26d中之一電極與輔助電極44連結。

【0078】

根據實施例，第三線路層36可製成以具有浮凸結構，使得電源線路30之上部具有浮凸結構。為了製成第三線路層36以具浮凸結構，狹縫遮罩或是半色調遮罩被用來作為圖樣化第三導電遮罩之遮罩。

【0079】

然後，參照第5E圖，在基板10上製成第二絕緣層17。第二絕緣層17可藉由採用自旋塗佈法製成，使用選自由有機絕緣材料像是聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、BCB以及酚醛樹脂所構成之群組之至少一種材料。

【0080】

藉由圖樣化第二絕緣層17，製成分別露出像素電極43之中心單元及第三線路層36之孔洞H6與H7。

【0081】

然後，如第5F圖所示，在露出像素電極43之孔洞H6中，製成含有發射層(EML)之中間層48。如論及第3A圖、第3B圖、第3C圖所描述的，在製成中間層48的過程中，有機材料38亦可能沉積於相反電極接觸單元CNT。

【0082】

中間層48可由功能層之一或多層堆疊製成，像是發射層、電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)以形成單一或多層之結構。

【0083】

發射層可包含低分子量有機材料或高分子有機材料。當發射層包含低分子量有機材料，發射層可由發射層朝向像素電極43之方向堆疊電洞傳輸層與電洞注入層，以及由發射層朝向相反電極19之方向堆疊電子傳輸層與電子注入層。此外，有需要的話也可堆疊其他層。其他有機材料像是銅酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1 - 基)-N,N'-二苯基聯苯胺(NPB)和三-8 -羥基喹啉鋁(Alq₃ )亦可被使用。

【0084】

在包含高分子有機材料之高分子發射層之情形下，除了發射層外，高分子發射層僅包含電洞傳輸層。電洞傳輸層可以採用噴墨印刷法或使用聚-(2,4)-乙烯-二羥基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)之自旋塗佈法在像素電極43上製成。高分子發射層可利用聚苯撐乙烯撐(PPV)、氰基-PPV或聚芴(polyfluorene)製成。

【0085】

上述實施例之描述中，中間層48在孔洞H6中形成，且每一像素皆有一額外螢光材料形成。然而，本實施例並不僅限於此。中間層48可不考慮像素位置，在顯示區域110內之整個第二絕緣層17上製成。舉例來說，發射層可由垂直堆疊或是混合包含分別發射紅、綠以及藍光之發光材料之層次而製成。若是可以發出白光，其他顏色皆可組合出來。此外，亦可更進一步包含用來轉換所發射之白光為預定色彩之顏色轉換層或是色彩濾片。

【0086】

然後，相反電極19完全地在基板10上形成。當有機發光顯示設備1為在朝基板10之方向上顯示圖像之底部發光類型顯示設備時，像素電極43為透明電極，且相反電極19可為反射電極。反射電極可薄層沉積具有低功函數之金屬而製成，例如銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁或其組合。

【0087】

相反的，當有機發光顯示設備1為在朝基板之相反方向發光之頂部發光類型顯示設備時，像素電極43為光反射電極且相反電極為光穿透電極。在這種情形下，像素電極43可進一步包含由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鐿(Yb)或鈣製成之反射層。然後，相反電極可形成以包含透明金屬氧化物，像是ITO、IZO、ZnO或 In₂ O₃ ，以使光穿透。相反電極亦可包含使用像是銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、或鈣之金屬之薄膜。

【0088】

相反電極19在基板10之整個表面沉積，並且透過孔洞H7與電源線路30之第三線路層36連結。根據實施例，電源線路30之上部具有浮凸結構。於是，即使有機材料36非預期地混合，有機材料38可僅在第三線路層36之部分斜面上形成。從而，電源線路30與相反電極19互相接觸之面積可增加。此外，由於電源線路30與相反電極19互相接觸之面積增加，相反電極接觸區域130與非顯示區域120之面積可減少。

【0089】

此外，根據其他實施例，電源線路30之浮凸結構之形狀可以多樣化地形成。

【0090】

第6圖描述根據另一實施例之有機發光顯示設備1之圖解。

【0091】

參照第6圖，與第4圖顯示之實施例不同，電源線路30之一斜面垂直於基板10。在這種情況下，有機材料38僅沉積於垂直基板10之斜面上。從而，相反電極19與電源線路30互相接觸之面積可增加。

【0092】

第7圖描述根據另一實施例之有機發光顯示設備1之示意圖。

【0093】

參照第7圖，與第4圖顯示之實施例不同，電源線路30之上部係形成以具有一雕刻形式(engraved form)之浮凸結構。

【0094】

根據本實施例，電源線路與相反電極互相接觸之面積將會增加，從而可以防止可能由於熱產生所導致之起火(ignition)或劣化。

【0095】

在此繪示及描述之特定實施例為實施例之說明性範例，並不旨在另外以任何方式去限制實施例之範圍。為簡便起見，傳統的電子設備、控制系統、軟體開發和系統(和系統的單獨操作元件之元件)的其它功能態樣可能並未詳細描述。更進一步，在所呈現之各圖式中所顯示之連結線或連結器旨在表示各種元件間之功能關係及/或物理或邏輯耦合之示例。需要注意的是許多可替換或添加之功能關係、物理連結或邏輯連結可存於實際裝置中。此外，除非元件有特別說明為「必須」或「重要」，否則實行實施例時，沒有任何項目與元件是必須的。

【0096】

在描述實施例之內文中(特別是所附申請專利範圍之內文中)，使用的「一(a)」與「一(an)」與「該(the)」或其他指稱之類似之詞彙，被解釋成同時包含單數與複數。此外，除非另外在文中注明，否則，文中所引用之數值範圍僅僅旨在作用為個別代表落於範圍內之各獨立值之速記，且個別數值併入說明書中視同其已於此獨立地闡述。最後，除非在文中另外提及或在內文中另外有明顯之牴觸，否則文中所描述之所有方法之步驟皆可以適當順序實行。除非另外聲明，否則任何且所有使用之範例或是本文中所提供之語詞(例如：「像是」)，只是旨在較好地突顯實施例，而非對實施例的範圍設下限制。此外，要理解的是，根據設計條件與因素，不背離本實施例之精神與技術範疇之所有變更、等效物或是替換物係涵蓋在本實施例中。

【0097】

本實施例參照其中繪示例示性實施例之附圖而更充分地說明。然而，實施例可以各種不同方式實現，且不該被詮釋為限制於這裡闡述之實施例。所屬技術領域具有通常知識者將了解的是，在不背離從附加之申請專利範圍中所定義之實施例之精神與範圍下，可對其進行形式與細節上之各種變更。

【0098】

所以，實施例之範圍並非由實施例之詳細描述，而是由附加之申請專利範圍所定義，且所有在範圍內之差異將詮釋為包含在本實施例中。

國內寄存資訊【請依寄存機構、日期、號碼順序註記】

無

國外寄存資訊【請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記】

無