JP2008076803A - 発光装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光装置において、発光素子の電極を含む電極層のコンタクト領域と発光領域との間の部分に、電流流路を横切る長い欠損が生じることのないようにする。
【解決手段】基板10と、基板10上に形成された配線層19と、配線層19上に形成された絶縁層20と、絶縁層20上に形成されたOLED70と、OLED70の陰極となる第2電極層24とを有する。絶縁層20は、第2電極用電源線17の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域81を画定している。コンタクト領域81の周には、OLED70が配列される発光領域Eの中心点に面する点が2つ以上あり、コンタクト領域81の周は、これら2以上の点を結ぶ区間において屈曲または屈折しているようにしてもよい。
【選択図】図3
【解決手段】基板10と、基板10上に形成された配線層19と、配線層19上に形成された絶縁層20と、絶縁層20上に形成されたOLED70と、OLED70の陰極となる第2電極層24とを有する。絶縁層20は、第2電極用電源線17の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域81を画定している。コンタクト領域81の周には、OLED70が配列される発光領域Eの中心点に面する点が2つ以上あり、コンタクト領域81の周は、これら2以上の点を結ぶ区間において屈曲または屈折しているようにしてもよい。
【選択図】図3
Description
本発明は、電気的な作用に応じて光学的な特性が変化する発光装置および電子機器に関する。
基板上の発光領域に複数のOLED(organic light emitting diode)を有するアクティブマトリクス駆動方式の発光装置が知られている。特許文献1には、この種の発光装置の一種として、TFT(Thin Film Transistor)基板の金属配線層において陰極用配線を引き回し、発光領域の外側で、OLEDの陰極を含む陰極層に接触させた発光装置が記載されている。この陰極層は、複数のOLEDに共通している。
特許第3608614号公報(図1,図4)
特許文献1に記載の発光装置に代表される従来の発光装置の欠点について、図面を参照して説明する。図11は、従来の発光装置の平面図、図12および図13は、それぞれ、図11に示す発光装置のA−A’線矢視断面図である。ただし、各図においてはOLEDを外気から保護する保護層の図示を省略してあり、図11および図12においては陰極層の図示をも省略してある。
図11および図12に示すように、従来の発光装置では、基板501上に、陰極用配線502を含む金属配線層が形成され、その上に絶縁層503が形成される。絶縁層503は、金属配線層とOLEDの陽極との間に介在し、発光領域507の外側で陰極用配線502の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域504を画定する。コンタクト領域504の形状は長方形である。コンタクト領域504の近傍においては、陰極用配線502および絶縁層503上に陰極層505が蒸着により形成される。
この蒸着では、蒸着源が陰極層505の中央付近に配置される。陰極層505は、複数のOLEDに共通しているから、蒸着源の位置は、発光領域507の中央付近、すなわち基板501の中央付近となる。このため、コンタクト領域504付近では、蒸着粒子の入射方向が、基板501に対して斜めになる。このため、コンタクト領域504と発光領域507との間でコンタクト領域504を画定している絶縁層503の側面509では、陰極層505の膜厚が薄くなる。
この傾向は、絶縁層503の膜厚が厚くなり、絶縁層503の上面508とコンタクト領域504との段差が大きくなるほど顕著となり、酷い場合には、側面509において陰極層505が形成されない部分(欠損箇所506)が生じてしまう。コンタクト領域504の形状は長方形であるから、欠損箇所506は、図11に示すようにコンタクト領域504の発光領域507側の辺の全長にわたって延在する。つまり、陰極層505のコンタクト領域504と発光領域507との間の部分に、電流流路を横切る長い欠損が生じている。これは、陰極用配線502と陰極層505との間のコンタクト抵抗を高くしたり、電流の供給を不安定化させたり、非欠損部分の劣化を助長したりする。
なお、絶縁層503は、金属配線層とOLEDの陽極とを絶縁するものであり、その膜厚は、基本的には、両者を絶縁することができる厚さ以上であれば足りる。しかし、要求される絶縁性能が通常よりも高ければ、絶縁層503の膜厚を通常よりも厚くする必要がある。また、OLEDからの光が基板を透過して出射するボトムエミッション型を採る場合には、要求される光取り出し効率に応じて絶縁層503の膜厚を調整する必要があり、絶縁層503の膜厚が通常よりも厚くなる可能性がある。一方、有機E素子からの光がボトムエミション型とは反対側に出射するトップエミッション型を採る場合には、絶縁層503は陽極の下地を平坦化する役割を果たす。したがって、要求される平坦化の程度によっては、絶縁層503の膜厚が通常よりも厚くなる可能性がある。
本発明は、上述した背景に基づいてなされたものであり、OLEDに代表される発光素子の電極を含む電極層のコンタクト領域と発光領域との間の部分に、電流流路を横切る長い欠損が生じることのない発光装置および電子機器を提供することを解決課題とする。
本発明に係る発光装置は、基板と、前記基板上の発光領域に設けられ、前記基板側の第1電極、前記基板との間に前記第1電極を挟む第2電極、および前記第1電極と前記第2電極の間に挟まれた発光層を有する発光素子と、前記基板上に形成され、前記基板上の前記発光領域の外側に設けられた第2電極用配線を含む配線層と、前記配線層と前記第1電極との間に介在し、前記発光領域の外側で前記第2電極用配線の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域を画定している絶縁層と、前記第2電極を含んで延在し、前記コンタクト領域の全域と前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層の側面とに接触している電極層とを備え、前記コンタクト領域の周には、前記発光領域の中心点に面する点が2つ以上あり、前記コンタクト領域の周は、前記2以上の点を結ぶ区間において屈曲または屈折している、ことを特徴とする。
発光領域の中心点に面する点とは、コンタクト領域の周上の点のうち、発光領域の中心点から延ばした直線が、コンタクト領域の周上の他の点を通ることなく到達する点である。また、屈曲または屈折とは、コンタクト領域の製造誤差の範囲に収まらない程度に曲がっていること又は折れていることを意味する。
この発光装置によれば、コンタクト領域と発光領域との間にあってコンタクト領域を画定している絶縁層の側面(段差部分)が、コンタクト領域の周方向において起伏に富む形状となる。つまり、段差部分が多方向を向く。したがって、蒸着源を発光領域の中心付近に配置して行われる蒸着によって電極層を形成する場合に、コンタクト領域と発光領域との間の部分に電流流路を横切る長い欠損が生じることがない。よって、電流の安定供給、コンタクト抵抗の低減、電流集中による配線の劣化抑制などの効果が得られる。
発光領域の中心点に面する点とは、コンタクト領域の周上の点のうち、発光領域の中心点から延ばした直線が、コンタクト領域の周上の他の点を通ることなく到達する点である。また、屈曲または屈折とは、コンタクト領域の製造誤差の範囲に収まらない程度に曲がっていること又は折れていることを意味する。
この発光装置によれば、コンタクト領域と発光領域との間にあってコンタクト領域を画定している絶縁層の側面(段差部分)が、コンタクト領域の周方向において起伏に富む形状となる。つまり、段差部分が多方向を向く。したがって、蒸着源を発光領域の中心付近に配置して行われる蒸着によって電極層を形成する場合に、コンタクト領域と発光領域との間の部分に電流流路を横切る長い欠損が生じることがない。よって、電流の安定供給、コンタクト抵抗の低減、電流集中による配線の劣化抑制などの効果が得られる。
本発明に係る別の発光装置は、基板と、前記基板上の発光領域に設けられ、前記基板側の第1電極、前記基板との間に前記第1電極を挟む第2電極、および前記第1電極と前記第2電極の間に挟まれた発光層を有する発光素子と、前記基板上に形成され、前記基板上の前記発光領域の外側に設けられた第2電極用配線を含む配線層と、前記配線層と前記第1電極との間に介在し、前記発光領域の外側で前記第2電極用配線の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域を画定している絶縁層と、前記第2電極を含んで延在し、前記コンタクト領域の全域と前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層の側面とに接触している電極層とを備え、前記コンタクト領域の周は曲率を持つ、ことを特徴とする。この発光装置によれば、コンタクト領域の周が曲率を持つから、段差部分が多方向を向く。よって、上記の効果が得られる。
本発明に係る更に別の発光装置は、基板と、前記基板上の発光領域に設けられ、前記基板側の第1電極、前記基板との間に前記第1電極を挟む第2電極、および前記第1電極と前記第2電極の間に挟まれた発光層を有する発光素子と、前記基板上に形成され、前記基板上の前記発光領域の外側に設けられた第2電極用配線を含む配線層と、前記配線層と前記第1電極との間に介在し、前記発光領域の外側で前記第2電極用配線の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域を画定している絶縁層と、前記第2電極を含んで延在し、前記コンタクト領域の全域と前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層の側面とに接触している電極層とを備え、前記コンタクト領域の周の全区間の一部は、前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層に接している前記配線層の延在方向に対して0度より大きく90度より小さい角度をなす直線である、ことを特徴としている。この発光装置によれば、コンタクト領域の周は、コンタクト領域を画定している絶縁層に接している配線層の延在方向に対して0度より大きく90度より小さい角度をなす直線を含むから、段差部分が多方向を向く。よって、上記の効果が得られる。
上記の各発光装置において、前記発光領域の形状は四角形であり、前記コンタクト領域は、前記発光領域の各辺に対して1つずつ画定されている、ようにしてもよい。この発光装置によれば、コンタクト領域が発光領域の各辺に対して複数ずつ画定される場合に比較して、コンタクト領域の面積を大きくし、コンタクト抵抗を小さくすることができる。これは、消費電力の低下につながる有利な効果である。
上記の各発光装置において、さらに、前記コンタクト領域は複数であり、前記複数のコンタクト領域のうち2つは、前記発光領域を挟んで対向する位置に画定されている、ようにしてもよい。発光領域に対してコンタクト領域が対称に配置されるから、発光領域内に複数の発光素子が設けられる場合に、各発光素子への供給電流をより均等にすることができる。これは、発光ムラの防止や、電流集中による配線の劣化抑制につながる有利な効果である。
本発明に係る電子機器は、上記の発光装置のいずれか1つを有する。したがって、上述した各種効果に起因した効果を奏する。
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。なお、図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
<第1の実施の形態>
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置1の構成の一部を示す概略平面図である。発光装置1は基板10を備える。基板10の端部には複数の接続端子11が形成されている。これらの接続端子11には、外部の回路から、各種の信号や電源電圧が供給される。また、基板10上には、発光領域Eと、発光領域Eを囲む周辺領域Hが設けられている。周辺領域Hには、走査線駆動回路12およびデータ線駆動回路13が形成されている。発光領域Eには、複数の走査線14と複数のデータ線15が形成され、それらの交差点の各々の近傍には複数の単位回路(画素回路)Pが設けられている。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置1の構成の一部を示す概略平面図である。発光装置1は基板10を備える。基板10の端部には複数の接続端子11が形成されている。これらの接続端子11には、外部の回路から、各種の信号や電源電圧が供給される。また、基板10上には、発光領域Eと、発光領域Eを囲む周辺領域Hが設けられている。周辺領域Hには、走査線駆動回路12およびデータ線駆動回路13が形成されている。発光領域Eには、複数の走査線14と複数のデータ線15が形成され、それらの交差点の各々の近傍には複数の単位回路(画素回路)Pが設けられている。
図2は、発光装置1の単位回路Pの詳細を示す回路図である。各単位回路Pは、nチャネル型のトランジスタ68、pチャネル型のトランジスタ60、容量素子69、およびOLED70を含む。pチャネル型のトランジスタ60のソース電極は電流供給線16に接続される一方、そのドレイン電極はOLED70の陽極に接続される。また、トランジスタ60のソース電極とゲート電極との間には、容量素子69が設けられている。nチャネル型のトランジスタ68のゲート電極は走査線14に接続され、そのソース電極は、データ線15に接続され、そのドレイン電極はトランジスタ60のゲート電極と接続される。
単位回路Pは、その単位回路Pに対応する走査線14を走査線駆動回路12が選択すると、トランジスタ68がオンされて、データ線15を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子69に保持する。そして、トランジスタ60が、データ信号のレベルに応じた電流をOLED70に供給する。これにより、OLED70は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。
図1に示すように、基板10上の、周辺領域Hには、発光領域Eをとりまくコの字状の第2電極用電源線17が形成されている。走査線駆動回路12は、第2電極用電源線17と発光領域Eとの間に配置されている。第2電極用電源線17は、後述するようにOLED70の陰極(第2電極)に電源電圧(この例では、Vss:グランドレベル)を供給するための配線である。OLED70は、後述するように、陰極と陽極(第1電極)と両電極の間に挟まれた発光機能層(発光層を含む)とを有する。
図3は、図1に示す発光装置1のB−B’線矢視断面図である。この図において、発光装置1の上面が光を射出する射出面となる。基板10上には酸化珪素を主体とする下地保護層18が形成され、その上に配線層19が形成されている。配線層19には、各単位回路Pについて、トランジスタ60およびトランジスタ68が設けられている。
配線層19は、下地保護層18上に形成された半導体層191、半導体層191上に形成されたゲート絶縁層192、ゲート絶縁層192上に形成された第1金属配線層193、第1金属配線層193上に形成された層間絶縁層194、および層間絶縁層194上に形成された第2金属配線層195を有する。半導体層191には、トランジスタ毎に、ソース領域SR、ゲート領域GRおよびドレイン領域DRが設けられている。第1金属配線層193には、ゲート領域GRに重ねてゲート電極GTが設けられている。また第1金属配線層193には、走査線14が設けられている。
第2金属配線層194には、ソース領域SRに重ねてソース電極STが、ドレイン領域DRに重ねてドレイン電極DTが設けられている。ソース電極STは、ゲート絶縁層192および層間絶縁層193にわたって開孔するコンタクトホールを通じてソース領域SRと接続されている。これと同様に、ドレイン電極DTはドレイン領域DRに接続されている。また、金属配線層194には、データ線15、電流供給線16および第2電極用電源線17が設けられている。配線層19内の各種電極や配線は、アルミニウム等の、導電性を有する材料で形成される。
第2金属配線層195(配線層19)上には、絶縁層20が形成されている。絶縁層20は、配線層19内の回路を保護するためのものであり、これらの回路を保護するに十分な膜厚を有し、第2金属配線層195とOLED70の陽極とを絶縁する。絶縁層20には、発光領域Eにあっては、単位回路P毎に、トランジスタ60のドレイン電極DTの上面の一部を露出させるスルーホールが形成されており、周辺領域Hにあっては、第2電極用電源線17の上面内のコンタクト外接領域80に含まれる複数のコンタクト領域81を露出させる複数のスルーホールが形成されている。コンタクト外接領域80は、略長方形の領域であり、第2電極用電源線17の延在方向に略平行な2本の長辺と、この延在方向に略直交する2本の短辺で囲まれている。コンタクト外接領域80およびコンタクト領域81については、後に詳述する。
図示を略すが、絶縁層20は、第2金属配線層195上に形成された回路保護層と、この回路保護層上に形成された回路段差平坦化層を有する。回路保護層は、配線層19内の回路を保護するためのものであり、窒化珪素や窒酸化珪素などのガス透過率の低い材料で形成される。回路段差平坦化層は、配線層19の上面における凹凸を吸収し、OLED70の陽極が形成される面を平坦化するものであり、例えば、アクリル系またはポリイミド系の有機高分子材料で形成される。この場合、回路段差平坦化層の形成方法は、フォトリソグラフィ法やCVD(Chemical Vapor Deposition)法などの任意の方法やそれらの組み合わせを適宜に採用可能である。
絶縁層20上には、発光領域E内に、第1電極層21が形成される。第1電極層21は、単位回路P毎に設けられている。各第1電極層21の一部は、対応する単位回路P内のOLED70の陽極となる。また、各単位回路Pにおいて、第1電極層21は、絶縁層20に開孔するコンタクトホールを通じて、当該単位回路P内のトランジスタ60のドレイン電極DTに接続されている。なお、第1電極層21の材料は導電性の材料である。ボトムエミッション型の場合には、光透過性の高い材料でなければならない。
以上より明らかなように、絶縁層20は、配線層19と複数のOLED70の陽極との間に介在する。なお、ボトムエミッション型の場合には、絶縁層20を構成する回路段差平坦化層に、光取り出し効率を調整する役割を与えてもよい。この場合にも、回路段差平坦化層の形成材料や形成方法は上述した通りである。また、絶縁層20を回路保護層のみで構成するようにしてもよい。いずれの形態にせよ、絶縁層20が、配線層19とOLED70の陽極との間に介在することは変わらない。
絶縁層20および第1電極層21上には、隔壁22が形成されている。隔壁22は、アクリルまたはポリイミドで形成され、発光領域Eにおいては、各第1電極層21の上面の一部のみが露出するように絶縁層20および第1電極層21を覆っている。この露出面がOLED70の開口Rとなる。つまり、第1電極層21および隔壁22は、OLED70の形成領域を画定している。一方、周辺領域Hにおいては、隔壁22が途中で尽きており、隔壁22の下面外端の外側において、絶縁層20の上面や複数のコンタクト領域81が露出している。
第1電極層21上には、開口Rを覆って発光機能層23が形成されている。発光機能層23の側面は隔壁22に接している。発光機能層23は、有機EL材料で形成された発光層を備える。有機EL材料は低分子材料であっても高分子材料であってもよい。発光機能層23は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層および電子ブロック層の一部または全部を備えていてもよい。
発光機能層23上には、第2電極層24が形成されている。第2電極層24の形成は、導電性の材料を蒸着することにより行われる。光透過性の低い材料を用いる場合には十分に薄く成膜する必要がある。ボトムエミッション型の場合には、そのような配慮は不要である。なお、エミッション型に限らず、第2電極層24を複数層構成としてよい。
第2電極層24は、発光領域Eの全体および周辺領域Hにわたって形成され、複数の単位回路Pに共通して設けられている。第2電極層24の一部は、対応する単位回路P内のOLED70の陰極となる。第2電極層24は、周辺領域Hでは、第2電極用電源線17の一部の外側まで延在しているが、走査線駆動回路12やデータ線駆動回路13には重なっていない。第2電極層24と第2電極用電源線17は、周辺領域Hの部分Mにおいて、複数のコンタクト領域81で接触している。
図4は、図1に示す発光装置1の部分Mの拡大図である。この図に示すように、複数のコンタクト領域81の形状は同形同大の円である。これら複数のコンタクト領域81は、コンタクト外接領域80の長手方向(第2電極用電源線17の延在方向)および短手方向に、円の中心を揃えて配列されている。長手方向に並ぶコンタクト領域81は多数であり、短手方向に並ぶコンタクト領域81は2つである。コンタクト外接領域80は、前述の2本の長辺および2本の短辺でこれらのコンタクト領域81の全てを囲むことが可能な最小の面積の領域である。
図5は、図4に示す部分MのC−C’線矢視断面図である。この図に示すように、コンタクト領域81は、第2電極用電源線17および絶縁層20に画定されている。すなわち、絶縁層20は、周辺領域Hにおいて、第2電極用電源線17の上面の一部を、絶縁層20の側面201で囲んで各コンタクト領域81を画定している。第2電極層24は、絶縁層20の上面および側面201ならびに各コンタクト領域81を覆うように形成される。つまり、OLED70の陰極を含んで延在し、各コンタクト領域81の全域と各コンタクト領域81を画定している絶縁層20の側面201とに接触している。
C−C’線は、コンタクト外接領域80の端手方向に平行で、2つのコンタクト領域81の各中心を通る線である。この線での断面では、コンタクト領域81の形状(周が一定の曲率を持つ形状)は、絶縁層20の上面とコンタクト領域81との段差の影響を抑えることができない。すなわち、図5に示すように、コンタクト領域81と発光領域Eとの間でコンタクト領域81を画定している絶縁層20の側面201では、第2電極層24の膜厚が大幅に薄くなる。
図6は、図4に示す部分MのD−D’線矢視断面図である。D−D’線は、コンタクト外接領域80の端手方向に平行で、2つのコンタクト領域81の、各中心から離れた部分を通る線である。この線での断面では、コンタクト領域81の形状は、絶縁層20の上面とコンタクト領域81との段差の影響を抑えることができる。すなわち、図6に示すように、コンタクト領域81と発光領域Eとの間でコンタクト領域81を画定している絶縁層20の側面201では、第2電極層24の膜厚がほとんど薄くならない。
以上説明したように、発光装置1によれば、コンタクト領域81と発光領域Eとの間にあって当該コンタクト領域81を画定している絶縁層20の側面(段差部分)が、コンタクト領域81の周方向において起伏に富む形状となる。つまり、段差部分が多方向を向く。したがって、第2電極層24の蒸着では、当該コンタクト領域81と発光領域Eとの間の部分に電流流路を横切る長い欠損が生じることがない。よって、OLED70への電流の安定供給、コンタクト抵抗の低減、電流集中による第2電極用電源線17や第2電極層24などの配線の劣化抑制などの効果が得られる。なお、本実施の形態を変形し、コンタクト領域81の形状を、真円以外の円(例えば長円)としてもよい。
<第2の実施の形態>
図7は、本発明の第2の実施の形態に係る発光装置2の構成の一部を示す概略平面図である。発光装置2が発光装置1と異なる点は、コンタクト外接領域の配置および数と、コンタクト領域の形状および数と、第2電極層に覆われる範囲である。
図7は、本発明の第2の実施の形態に係る発光装置2の構成の一部を示す概略平面図である。発光装置2が発光装置1と異なる点は、コンタクト外接領域の配置および数と、コンタクト領域の形状および数と、第2電極層に覆われる範囲である。
発光装置2は、コンタクト外接領域80に代えて、2つのコンタクト外接領域82を有する。各コンタクト外接領域82は、第2電極用電源線17の上面内の略長方形の領域であり、第2電極用電源線17の延在方向に略平行な2本の長辺と、この延在方向に略直交する2本の短辺で囲まれている。2つのコンタクト外接領域82は、発光領域Eおよび走査線駆動回路12を挟んで互いに対向する位置に設けられている。
また発光装置2は、第2電極層24に代えて、第2電極層90を有する。第2電極層90は発光領域Eの全体および周辺領域Hにわたって形成され、複数の単位回路Pに共通して設けられている。第2電極層90の一部は、対応する単位回路P内のOLED70の陰極となる。第2電極層90は、周辺領域Hでは、第2電極用電源線17の一部の外側まで延在している。コ字状の第2電極用電源線17を構成する3つの直線状部分のうち、図1において第2電極層24に一部が覆われている直線状部分を奥の直線状部分とすると、第2電極層90は、奥の直線状部分の全部と、手前の2つの直線状部分の各々の一部が覆っている。2つのコンタクト外接領域82および走査線駆動回路12も第2電極層90に覆われている。
図8は、発光装置2のコンタクト領域83の形状を示す図である。この図に示すように、コンタクト領域83の周は、全区間にわたって曲率を有する。したがって、発光装置2によれば、発光装置1により得られる効果と同様の効果を得ることができる。また、発光装置2によれば、コンタクト領域83が発光領域Eの各辺に対して複数ずつ画定される場合に比較して、コンタクト領域の面積を大きくし、コンタクト抵抗を小さくすることができる。また、発光装置2によれば、発光領域Eに対してコンタクト領域83が対称に配置されるから、発光領域E内に複数のOLED70が設けられる場合に、各OLED70への供給電流をより均等にすることができる。
<第3の実施の形態>
図9は、本発明の第3の実施の形態に係る発光装置3のコンタクト領域84の形状を示す図である。発光装置3が発光装置2と異なる点は、コンタクト領域の形状である。発光装置3が有するコンタクト領域84の周は、コンタクト領域83を画定している絶縁層20に接している配線層の延在方向に対して30度の角度をなす複数の辺から構成されている。したがって、段差部分が多方向を向く。よって、発光装置3によれば発光装置2と同様の効果が得られる。
図9は、本発明の第3の実施の形態に係る発光装置3のコンタクト領域84の形状を示す図である。発光装置3が発光装置2と異なる点は、コンタクト領域の形状である。発光装置3が有するコンタクト領域84の周は、コンタクト領域83を画定している絶縁層20に接している配線層の延在方向に対して30度の角度をなす複数の辺から構成されている。したがって、段差部分が多方向を向く。よって、発光装置3によれば発光装置2と同様の効果が得られる。
<他の変形例>
上述した各実施の形態を変形し、第2電極用電源線17を、データ線駆動回路13と端子11との間を通り、発光領域Eを挟んでデータ線駆動回路13と対向する位置を通るように引き回して配置し、2つのコンタクト外接領域を、発光領域Eおよびデータ線駆動回路13を挟んで互いに対向する位置に設けるようにしてもよい。もちろん、第2電極用電源線17が発光領域Eの4つの辺の全てに沿って設けられている場合には、4つの直線状部分に1つずつコンタクト外接領域を設けるようにしてもよい。
上述した各実施の形態を変形し、第2電極用電源線17を、データ線駆動回路13と端子11との間を通り、発光領域Eを挟んでデータ線駆動回路13と対向する位置を通るように引き回して配置し、2つのコンタクト外接領域を、発光領域Eおよびデータ線駆動回路13を挟んで互いに対向する位置に設けるようにしてもよい。もちろん、第2電極用電源線17が発光領域Eの4つの辺の全てに沿って設けられている場合には、4つの直線状部分に1つずつコンタクト外接領域を設けるようにしてもよい。
また、コンタクト領域の形状は、線対称図形に限るものではない。また、コンタクト領域の周のうち、発光領域の中心点に面していない区間について、従来と同様の形状としてもよい。要は、コンタクト領域81の周には、OLED70が配列される発光領域Eの中心点に面する点が2つ以上あり、コンタクト領域81の周は、これら2以上の点を結ぶ区間において屈曲または屈折しているようにしていればよい。また、陽極と陰極の配置を逆転させた構成を採ることも可能である。また、OLEDに代えて他の発光素子(例えば無機EL素子)を発光素子として採用してもよい。
図13に、本発明の電子機器であるパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ1030は、表示ユニットとしての表示部1031と本体部1032を備える。表示部1031は、上述の発光装置1〜3のいずれか1つを備えている。本体部1032には、電源スイッチ1033及びキーボード1034が設けられている。なお、本発明に係る発光装置の適用先の電子機器としては、他に、電子写真方式の画像形成装置が挙げられる。
1〜3…発光装置、10…基板、1030…パーソナルコンピュータ(電子機器)、17…第2電極用電源線、19…配線層、195…第2金属配線層、20…絶縁層、21…第1電極層、23…発光機能層、24,90…第2電極層、70…OLED、80,82…コンタクト外接領域、81,83,84…コンタクト領域、E…発光領域、H…周辺領域、P…単位回路。
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上の発光領域に設けられ、前記基板側の第1電極、前記基板との間に前記第1電極を挟む第2電極、および前記第1電極と前記第2電極の間に挟まれた発光層を有する発光素子と、
前記基板上に形成され、前記基板上の前記発光領域の外側に設けられた第2電極用配線を含む配線層と、
前記配線層と前記第1電極との間に介在し、前記発光領域の外側で前記第2電極用配線の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域を画定している絶縁層と、
前記第2電極を含んで延在し、前記コンタクト領域の全域と前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層の側面とに接触している電極層とを備え、
前記コンタクト領域の周には、前記発光領域の中心点に面する点が2つ以上あり、
前記コンタクト領域の周は、前記2以上の点を結ぶ区間において屈曲または屈折している、
ことを特徴とする発光装置。 - 基板と、
前記基板上の発光領域に設けられ、前記基板側の第1電極、前記基板との間に前記第1電極を挟む第2電極、および前記第1電極と前記第2電極の間に挟まれた発光層を有する発光素子と、
前記基板上に形成され、前記基板上の前記発光領域の外側に設けられた第2電極用配線を含む配線層と、
前記配線層と前記第1電極との間に介在し、前記発光領域の外側で前記第2電極用配線の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域を画定している絶縁層と、
前記第2電極を含んで延在し、前記コンタクト領域の全域と前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層の側面とに接触している電極層とを備え、
前記コンタクト領域の周は曲率を持つ、
ことを特徴とする発光装置。 - 基板と、
前記基板上の発光領域に設けられ、前記基板側の第1電極、前記基板との間に前記第1電極を挟む第2電極、および前記第1電極と前記第2電極の間に挟まれた発光層を有する発光素子と、
前記基板上に形成され、前記基板上の前記発光領域の外側に設けられた第2電極用配線を含む配線層と、
前記配線層と前記第1電極との間に介在し、前記発光領域の外側で前記第2電極用配線の上面の一部を側面で囲んでコンタクト領域を画定している絶縁層と、
前記第2電極を含んで延在し、前記コンタクト領域の全域と前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層の側面とに接触している電極層とを備え、
前記コンタクト領域の周の全区間の一部は、前記コンタクト領域を画定している前記絶縁層に接している前記配線層の延在方向に対して0度より大きく90度より小さい角度をなす直線である、
ことを特徴とする発光装置。 - 前記発光領域の形状は四角形であり、
前記コンタクト領域は、前記発光領域の各辺に対して1つずつ画定されている、
ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の発光装置。 - 前記コンタクト領域は複数であり、
前記複数のコンタクト領域のうち2つは、前記発光領域を挟んで対向する位置に画定されている、
ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発光装置。 - 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の発光装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2006256866A JP2008076803A (ja) | 2006-09-22 | 2006-09-22 | 発光装置および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2008076803A true JP2008076803A (ja) | 2008-04-03 |
JP2008076803A5 JP2008076803A5 (ja) | 2009-08-20 |
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ID=39348914
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JP2006256866A Withdrawn JP2008076803A (ja) | 2006-09-22 | 2006-09-22 | 発光装置および電子機器 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010153183A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Casio Computer Co Ltd | 発光装置 |
US9076747B2 (en) | 2013-05-29 | 2015-07-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus having an embossed structure |
KR20180041775A (ko) * | 2014-08-31 | 2018-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마이크로 커버층을 갖는 디스플레이 디바이스 및 이의 제조 방법 |
-
2006
- 2006-09-22 JP JP2006256866A patent/JP2008076803A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9076747B2 (en) | 2013-05-29 | 2015-07-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus having an embossed structure |
US9343521B2 (en) | 2013-05-29 | 2016-05-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufactuing the same |
KR20180041775A (ko) * | 2014-08-31 | 2018-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마이크로 커버층을 갖는 디스플레이 디바이스 및 이의 제조 방법 |
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