TWI535002B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
此申請案依35 U.S.C §119之規定主張較早於2010年12月14日向韓國智慧財產局所提交的韓國專利申請號10-2010-0127857的效益，其所揭露之內容全部在此被納入以供參考。
本發明係有關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法，更特別地，係有關於一種具有已改善孔徑比例的有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置之方法。
一種平面顯示裝置，包含有機發光顯示裝置、液晶顯示(LCD)裝置等，係於基板上製造，其中係形成包含薄膜電晶體及電容之圖樣以及包含薄膜電晶體及電容之導線。
一般來說，為了在薄膜上形成包含薄膜電晶體等的微小結構圖樣用以製造平面顯示裝置，圖樣係透過利用具有微小結構圖樣的遮罩轉移至基板。
透過利用遮罩轉移圖樣的製程一般可利用光微影蝕刻製程。於光微影蝕刻製程中，光阻劑係均勻地施加於圖樣形成的基板上，光阻劑係透過利用包含步進器的暴露裝置而暴露(於正型光阻劑的案例中)，然後培養光敏感性的光阻劑。光阻劑培養後，圖樣係透過利用剩餘的光阻劑為遮罩來蝕刻，且移除不需要的光阻劑。
如上所述，於透過利用遮罩轉移圖樣的製程中，首先必須配置具有所欲圖樣的遮罩，因此當利用遮罩的製程數目增加，用於製備遮罩的成本則增加。同時，製程中，前述的複雜操作必須進行，其造成複雜的製造過程，製造時間增加，且製造成本增加。
本發明提供一種有機發光顯示裝置，其經由單純的製程製造且具有已改善的孔徑比例，以及製造有機發光顯示裝置的方法。
根據本發明之一態樣，係提供一種有機發光顯示裝置，其包含：基板；形成於基板上的輔助電極；形成於輔助電極上的薄膜電晶體(TFT)，此薄膜電晶體係包含主動層、閘極電極、源極電極及汲極電極；有機電致發光(EL)裝置，係電性連接至薄膜電晶體且透過依序堆疊像素電極而形成，此像素電極係透過利用與源極電極及汲極電極部位相同的材料形成於相同層之上；包含有機發光層(EML)的中介層；以及設置以面對像素電極的相反電極；以及接觸電極，係以一預定距離透過利用與源極電極及汲極電極相同的材料形成於相同層之上，且電性連接輔助電極及相反電極。
第一絕緣層可插置於輔助電極及主動層之間，第二絕緣層可插置於主動層及閘極電極之間，且層間絕緣層可插置於閘極電極及接觸電極之間，以及接觸電極及輔助電極可經由接觸孔穿透第一絕緣層、第二絕緣層及層間絕緣層彼此接觸。
像素定義層(PDL)可插置於接觸電極及相反電極之間，且接觸電極及相反電極可經由接觸孔穿透像素定義層彼此接觸。
接觸電極之一端可直接地接觸相反電極，且接觸電極之另一端可直接地接觸輔助電極。
源極電極及汲極電極的其中之一可於一方向延伸以形成像素電極。
像素電極與源極電極及汲極電極的其中之一可整體成型。
有機發光顯示裝置可為頂部發射型有機發光顯示裝置，其中影像係朝向相反電極實現。
相反電極包含至少一材料，此材料係選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅及氧化銦所構成之群組。
輔助電極包含至少一材料，此材料係選自由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬及鋁/銅所構成之群組。
根據本發明之另一態樣，係提供一種有機發光顯示裝置，其包含：形成於基板上的輔助電極；形成於輔助電極上的第一絕緣層；形成於第一絕緣層上的主動層；形成以覆蓋主動層的第二絕緣層；形成於第二絕緣層上以疊合主動層的閘極電極；形成以覆蓋閘極電極的層間絕緣層；形成於層間絕緣層上以電性連接至主動層的源極電極及汲極電極；接觸電極，係透過利用與源極電極及汲極電極相同的材料形成於相同層上，且接觸輔助電極之一部位；形成以覆蓋接觸電極、源極電極及汲極電極的像素定義層(PDL)；以及相反電極，係形成於像素定義層上，其中相反電極之一部位接觸接觸電極。
像素電極與源極電極及汲極電極的其中之一可整體成型。
有機發光顯示裝置可為頂部發射型有機發光顯示裝置，其中影像係朝向相反電極實現。
相反電極包含至少一材料，此材料係選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅及氧化銦所構成之群組。
輔助電極包含至少一材料，此材料係選自由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬及鋁/銅所構成之群組。
根據本發明之另一態樣，係提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，其包含下列步驟：形成輔助電極於基板上；執行第一遮罩製程，用以形成主動層於輔助電極上；執行第二遮罩製程，用以形成閘極電極於主動層上；執行第三遮罩製程，用以形成具有第一開口的層間絕緣層，此第一開口暴露主動層之兩側及輔助電極之一部位；執行第四遮罩製程，用以形成接觸主動層的已暴露之兩側的源極電極及汲極電極，在一方向自源極電極及汲極電極延伸的像素電極，以及接觸輔助電極之已暴露部位的接觸電極；進行第五遮罩製程，用以形成暴露像素電極之一部位及接觸電極之一部位的像素定義層(PDL)；以及形成相反電極於像素定義層上以接觸接觸電極之已暴露的部位。
第三遮罩製程包含：沉積第三絕緣層於閘極電極上；以及圖樣化第三絕緣層以形成第二開口，該第二開口係暴露主動層之源極區域及汲極區域的部位，且第二開口暴露輔助電極之部位。
第四遮罩製程包含：沉積第四導電層及/或第五導電層於層間絕緣層上；以及圖樣化第四導電層及第五導電層之至少之一以形成源極電極及汲極電極、像素電極及接觸電極。
第五遮罩製程包含：完全堆積第四絕緣層於基板上，以及圖樣化第四絕緣層以形成第三開口，該第三開口係暴露接觸電極及像素電極之部位。
有機發光顯示裝置可為頂部發射型有機發光顯示裝置，其中影像係朝向相反電極實現。
輔助電極包含至少一材料，此材料係選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅及氧化銦所構成之群組。
輔助電極包含至少一材料，此材料係選自由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬及鋁/銅所構成之群組。
本發明現將更詳細地參照附圖敘述，其中係呈現本發明例示性實施例。然而，本發明可包含許多不同的型式，且不應理解為被後文中的實施例所限制。說明書中所使用的術語“以及/或”包括至少一個所列出相關項目的任ㄧ與所有的組合。
第1圖係根據本發明之實施例之有機發光顯示裝置之剖視圖。
請參閱第1圖，有機發光顯示裝置包含基板10、薄膜電晶體(TFT)、儲存電容Cst、及有機電致發光(EL)裝置。
更詳細來說，輔助電極11係形成於基板10上，且包含緩衝層的第一絕緣層12係形成於輔助電極11上。薄膜電晶體的主動層213及儲存電容Cst的電容下電極313，其透過圖樣化半導體層由相同的材料形成，係彼此以預定的距離形成於相同層(第一絕緣層12)上。
第二絕緣層14係形成於主動層213及電容下電極313上。薄膜電晶體的閘極電極21g及儲存電容Cst的電容上電極315，其透過圖樣化第二導電層及第三導電層由相同材料形成，係彼此以一預定的距離形成於相同層(第二絕緣層14)上。閘極電極21g可包含閘極下電極215及閘極上電極216。源極區域213a及汲極區域213b分別可形成於主動層213的兩端，其對應於閘極電極21g的兩側，且通道區可形成於其間。
層間絕緣層217係形成於閘極電極21g及電容上電極315上。源極電極21s、汲極電極21d、及接觸電極21c，其透過圖樣化第四導電層與第五導電層由相同材料形成，係彼此以一預定的距離形成於相同層(層間絕緣層217)上。源極電極21s可包含源極下電極218s及源極上電極219s，汲極電極21d可包含汲極下電極218d及汲極上電極219d，且接觸電極21c可包含接觸下電極218c及接觸上電極219c。源極電極21s的一部位可延伸入像素區域，且延伸部位可形成像素電極41p。像素電極41p可包含像素下電極418及像素上電極419。
源極電極21s及汲極電極21d可經由接觸孔在主動層213的兩端分別電性連接至源極區域213a及汲極區域213b。同時，接觸電極21c可經由接觸孔電性連接至輔助電極11。
像素定義層(PDL)420可形成於源極電極21s、汲極電極21d、接觸電極21c、以及像素電極41p之上以定義像素區域。包含有機發光層(EML)的中介層422係形成於像素電極41p上，然後相反電極423係形成於其間。相反電極423可經由接觸孔電性連接至接觸電極21c。
結果，輔助電極11及相反電極423係經由接觸電極21c彼此電性連接。藉由利用本實施例，解決因為高電阻而發生的IR壓降問題是有可能的，此高電阻於具有已改善的孔徑比例的頂部發射型有機發光顯示裝置施加至相反電極423，其將於後段中詳細敘述。
有機發光顯示裝置可被區分為頂部發射型有機發光顯示裝置，其中影像係遠離基板10實現(也就是說，影像係朝向相反電極423實現)，或一底發射型有機發光顯示裝置，其中影像係朝向基板10實現。由上述兩種型態來看，相較於底發射型有機發光顯示裝置，頂部發射型有機發光顯示裝置在具有更進一步已改善的孔徑比例方面是有利的。然而，為了使影像朝向相反電極423實現，相反電極423必須形成為包含氧化銦錫(ITO)等的透明電極，但透明電極一般具有高電阻，以致於IR壓降問題是由於電阻招致。
因此，為了實現具有更進一步已改善的孔徑比例頂部發射顯示裝置以及立即減少相反電極423的高電阻，根據本實施例的有機發光顯示裝置，其特徵在於輔助電極11直接設置於基板10上，且相反電極423及輔助電極11係經由接觸電極21c電性連接。透過電性連接相反電極423(其形成為包含氧化銦錫(ITO)的透明電極且具有高電阻)至由金屬形成的輔助電極11，施加至相反電極423的電阻可明顯地減少。根據本實施例，實現具有已改善的孔徑比例的頂部發射型有機發光顯示裝置且立即減少相反電極423的電阻是可能的。
製造第1圖所示的有機發光顯示裝置的方法現將詳細敘述於後文中。
第2圖至第11圖係繪示第1圖所示的製造有機發光顯示裝置製程的剖視圖。
請參閱第2圖，輔助電極11、第一絕緣層12及半導體層13係依序形成於基板10上。
基板10可由含有二氧化矽為主成分的透明玻璃材料形成，但並不以此為限，因此其可由包含透明塑膠材料、金屬材料等不同材料之一所形成。
輔助電極11，功能為輔助陰極電極，係沉積基板10上。輔助電極11可包含一或多材料，其係選自由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬及鋁/銅所構成之群組。有機發光顯示裝置係以作用為第一導電層的輔助電極11而特徵化，此輔助電極11係直接形成於基板10上，且相反電極423(請參閱第1圖)及輔助電極11係經由接觸電極21c(請參閱第1圖)電性連接，致使施加至相反電極423(請參閱第1圖)的電阻係明顯地減少。
包含障礙層及/或緩衝層的第一絕緣層12可配置於輔助電極11以防止雜質離子的擴散，以防止潮濕或氣體的滲透以及以平面化基板10的表面。第一絕緣層12可可藉由利用二氧化矽及/或矽氮化合物(SiNx)透過執行包含電漿增強化學氣相沉積(PECVD)法、氣壓化學氣相沉積(APCVD)法、低壓化學氣相沉積(LPCVD)法等的不同沉積法的其中之一而沉積。
半導體層13係形成於第一絕緣層12上。更詳細的說，非晶矽係首先沉積於第一絕緣層12上，然後非晶矽係結晶，致使形成包含多晶矽層的半導體層13。非晶矽可透過利用包含快速熱退火(RTA)法、固態結晶(SPC)法、準分子雷射退火(ELA)法、金屬誘發結晶(MIC)法、金屬誘發橫向結晶(MILC)法、順序橫向固化(SLS)法等不同方法的其中之一而結晶。半導體層13係圖樣化於薄膜電晶體的主動層213及儲存電容Cst的電容下電極313，其係於後文所述。
接下來，如第3圖所示，第2圖的半導體層13係圖樣化於第一絕緣層12上以形成薄膜電晶體的主動層213及儲存電容Cst的電容下電極313。更詳細來說，半導體層13係經由利用第一遮罩(圖未示)的遮罩製程圖樣化於薄膜電晶體的主動層213及儲存電容Cst的電容下電極313。於本實施例中，主動層213及電容下電極313是分開的，但它們可整體成型。於此方式中，薄膜電晶體的主動層213及儲存電容Cst的電容下電極313係透過利用相同的材料形成於相同層上。
接下來，如第4圖所示，第二絕緣層14、第二導電層15及第三導電層16係依序及完全地沉積於基板10上，其中主動層213及電容下電極313係事先形成。
第二絕緣層14可藉由執行PECVD法、APCVD法、LPCVD法等透過沉積包含矽氮化合物(SiNx)或矽氧化合物(SiOx)的無機絕緣膜而形成。第二絕緣層14係插置於薄膜電晶體的主動層213與閘極電極21g(請參閱第1圖)之間且作用為薄膜電晶體的閘極絕緣層，且亦插置於電容上電極315(請參閱第1圖)與電容下電極313之間且作用為儲存電容Cst的介電層。
第二導電層15可包含一或多材料，其選自自由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬及鋁/銅所構成之群組。同時，第二導電層15可包含一或多透明層，其選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅及氧化銦所構成之群組。然後，第二導電層15可圖樣化於閘極下電極215及電容上電極315。
第三導電層16可包含一或多材料，其選自由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬及鋁/銅所構成之群組。同時，第三導電層16可包含一或多透明層，其選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅及氧化銦所構成之群組。然後，第三導電層16可圖樣化於閘極上電極216。
接下來，如第5圖所示，閘極電極21g及電容上電極315係依序形成於第二絕緣層14上。更詳細來說，依序及完全地形成於基板10上的第二導電層15及第三導電層16係經由利用第二遮罩(圖未示)的遮罩製程圖樣化。
閘極電極21g係形成於主動層213之上。閘極電極21g包含由第二導電層15的一部位所形成的閘極下電極215，以及由第三導電層16的一部位所形成的閘極上電極216。
閘極電極21g係形成以對應主動層213的中心，且主動層213係透過利用閘極電極21g為遮罩來摻雜n型雜質或p型雜質，致使源極區域213a及汲極區域213b以及在其間的通道區域分別在主動層213的兩端形成，主動層213係對應於閘極電極21g的兩側。
電容上電極315係圖樣化於電容下電極313之上。如第5圖所示，電容上電極315可形成為第二導電層15的單一層。然而，雖然圖未示，電容上電極315可形成為包含第二導電層15及第三導電層16的部位的雙層。
接下來，如第6圖所示，第三絕緣層17係完全地沉積於基板10上，其中係形成閘極電極21g及電容上電極315。
第三絕緣層17可透過執行旋轉塗佈法等由至少一有機絕緣材料形成，此有機絕緣材料係選自由聚亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯(benzocyclobutene)及酚樹脂所構成之群組。第三絕緣層17可具有充足的厚度(例如：可具有大於第二絕緣層14的厚度)以作用為介於薄膜電晶體的閘極電極21g分別與源極電極21s及汲極電極21d(請參閱第1圖)之間的層間絕緣層217。第三絕緣層17可不僅由有機絕緣材料形成，亦可由包含第二絕緣層14的無機絕緣材料形成，或其可交替地由有機絕緣材料及無機絕緣材料形成。
接下來，如第7圖所示，第三絕緣層17係圖樣化以形成具有開口17a、17b及17c的層間絕緣層217，此開口17a、17b及17c係分別暴露輔助電極11及源極區域213a以及汲極區域213b的部位。
更詳細來說，第三絕緣層17係經由利用第三遮罩(圖未示)的遮罩製程來圖樣化，致使形成具有開口17a、17b及17c的第三絕緣層17。開口17b及17c分別暴露源極區域213a及汲極區域213b，且開口17a暴露輔助電極11的部位。
接下來，如第8圖所示，第四導電層18及第五導電層19係完全地沉積於基板10上以覆蓋層間絕緣層217。第四導電層18及第五導電層19可由與第二導電層15及第三導電層16相同的材料形成，但並不以此為限，因此它們可由不同的導電材料形成。導電材料可沉積至足以填補開口17a、17b及17c的厚度。也就是說，第四導電層18及第五導電層19可經由開口17a接觸輔助電極11。
接下來，如第9圖所示，第四導電層18及第五導電層19的每一個係圖樣化以形成源極電極21s、汲極電極21d、接觸電極21c及像素電極41p。
更詳細來說，第四導電層18及第五導電層19的每一個係經由利用第四遮罩(圖未示)的遮罩製程圖樣化，致使第四導電層18及第五導電層19的每一個形成源極電極21s、汲極電極21d及接觸電極21c。因此，源極電極21s、汲極電極21d及接觸電極21c係透過利用相同的材料形成於相同層上。接觸電極21c的一端接觸輔助電極11。
源極電極21s或汲極電極21d的一端可朝向電致發光裝置(請參照第1圖)所形成(於本實施例中，源極電極21s朝向討論中的區域延伸)的區域延伸，且延伸區域可形成像素電極41p。像素電極41p可包含像素下電極418及像素上電極419。
接下來，如第10圖及第11圖所示，第11圖的像素定義層420係形成於基板10上。
更詳細來說，如第10圖所示，第四絕緣層20係完全地沉積於基板10上，其中係形成源極電極21s、汲極電極21d、接觸電極21c及源極電極41p。第四絕緣層20可透過執行旋轉塗佈法等由至少一有機絕緣材料形成，該有機絕緣材料係選自由聚亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯及酚樹脂所構成之群組。同時，第四絕緣層20可不僅由有機絕緣材料形成，亦可由無機絕緣材料形成，該無機絕緣材料係選自由二氧化矽、矽氮化合物(SiNx)、氧化鋁、銅氧化合物(CuOx)、七氧化四铽(Tb4O7)、氧化钇(Y2O3)、五氧化二鈮(Nb2O5)及三氧化二鐠(Pr2O3)所構成之群組。同時，第四絕緣層20可形成以具有交替的有機絕緣材料及無機絕緣材料的多層結構。
如第11圖所示，第四絕緣層20係圖樣化以形成像素定義層420，其具有分別暴露接觸電極21c及像素電極41p的部位的開口20a及20b。
更詳細來說，第四絕緣層20經由利用第五遮罩(圖未示)的遮罩製程而圖樣化以形成像素定義層420，其透過形成開口20b而定義像素，此開口20b暴露像素電極41p的中心部位。同時，形成暴露接觸電極21c之中心部位的開口20a。
像素定義層420具有一預定之厚度以弄寬介於像素電極41p及相反電極423(請參照第1圖)的兩端之間的縫隙，且以防止於像素電極41p的兩端上的電場濃度，致使像素定義層420防止介於像素電極41p與相反電極423(請參閱第1圖)之間的短路。
之後，包含電致發光層的中介層422係形成於暴露像素電極41p的開口20b上，因此相反電極423係形成於暴露像素電極41p的開口20b上，且相反電極423係形成於暴露接觸電極21c的開口20a上，致使依據第1圖的實施例的有機發光顯示裝置係完全地製造。
更詳細來說，中介層422可具有單層或多層結構，而電致發光層、電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)及電子注入層(EIL)係堆疊於其中。
中介層422可由低分子量有機材料或高分子有機材料所形成。
當由低分子量有機材料形成時，中介層422可自電致發光層透過朝向像素電極41p堆疊電洞傳輸層及電洞注入層並透過朝向相反電極423堆疊電子傳輸層及電子注入層而形成。若為必要，除了前述層的各種不同層係可堆疊。低分子量有機材料包含銅鈦菁(CuPc)、N,N’-二(萘-1-基)-N-N’-二苯基-聯苯胺(NPB)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)等。
當由高分子有機材料形成時，中介層422可具有電致發光層及電洞傳輸層依序朝向像素電極41p堆疊於中介層422上的結構。電洞傳輸層可透過利用聚(3, 4-乙烯基二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)及透過執行噴墨印刷法或旋轉塗佈法形成於像素電極41p上。低分子量高分子有機材料可包含聚(p-苯基伸乙烯基)(PPV)及聚茀，且顏色圖樣可透過利用包含噴墨印刷法、旋轉塗佈法或利用雷射的熱傳輸法的一般方法其中之一而形成。
相反電極423可完全地沉積於作為共用電極的基板10上。根據第1圖的實施例，於有機發光顯示裝置中，像素電極41p被應用為陽極電極，且相反電極423被應用為陰極電極。然而，像素電極41p的極性及相反電極423可被切換。
於一案例中，當有機發光顯示裝置為頂部發射型有機發光顯示裝置時，其中影像係遠離基板10(也就是說，影像係朝向相反電極423實現)實現，相反電極423係做為透明電極，且像素電極41p係做為反射電極。反射電極可透過具有低功函數的薄沉積金屬形成，且此金屬包含銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)或這些任一之化合物。
於前述執行以製造有機發光顯示裝置的遮罩製程，層疊膜可透過執行乾式蝕刻或濕式蝕刻而移除。
如上所述，相反電極423，其由包含氧化銦錫的透明電極形成，且具有高電阻，係電性連接至由金屬形成的輔助電極11，致使施加至相反電極423的電阻可明顯地減少。因此，實現具有更進一步改善孔徑比例的頂部發射型顯示裝置且立即減少相反電極423的高電阻是可能的。雖然有機發光顯示裝置係描述於本發明的一或多個實施例，此一或多個實施例並不僅限於此，且可具有各種不同的顯示裝置，包含液晶顯示器(LCD)裝置。
同時，雖然一薄膜電晶體及一電容係繪示於與此一或多實施例相關的附圖中，這僅為便於敘述，且複數個薄膜電晶體及複數個電容可被包含在只要遮罩製程的數目於一或多實施例中未增加時是顯而易見的。
根據本發明的一或多實施例，有機發光顯示裝置的製造方法係簡化，且有機發光顯示裝置的孔徑比例係已被改善。
同時，雖然一薄膜電晶體及一電容係與相關的一或多個實施例繪示於附圖中，這僅是為了方便敘述，且只要遮罩製程的數目於一或多個實施例是未增加的，複數個薄膜電晶體及複數個電容是顯而易知的。
當本發明特別地參照其例示性實施例顯示及敘述時，其將被該領域之技術人士理解的是，各種型式及細節的變更均未脫離本發明之精神與範疇，且應為後附之申請專利範圍所定義。
10．．．基板
11．．．輔助電極
12．．．第一絕緣層
13．．．半導體層
14．．．第二絕緣層
15．．．第二導電層
16．．．第三導電層
17．．．第三絕緣層
17a、17b、17c、20a、20b．．．開口
18．．．第四導電層
19．．．第五導電層
20．．．第四絕緣層
21g．．．閘極電極
21s．．．源極電極
21d．．．汲極電極
21c．．．接觸電極
213．．．主動層
213a．．．源極區域
213b．．．汲極區域
215．．．閘極下電極
216．．．閘極上電極
217．．．層間絕緣層
218s．．．源極下電極
219s．．．源極上電極
218d．．．汲極下電極
219d．．．汲極上電極
218c．．．接觸下電極
219c．．．接觸上電極
313．．．電容下電極
315．．．電容上電極
41p．．．像素電極
418．．．像素下電極
419．．．像素上電極
420．．．像素定義層
422．．．中介層
423．．．相反電極
Cst．．．儲存電容
TFT．．．薄膜電晶體
本發明上述和其他的特徵與優點，將參照下列的詳細敘述變得更能瞭解，當與參考附圖一起做考量時，相似的元件符號指的是相同或類似的元件，其中：
第1圖係根據本發明實施例的有機發光顯示裝置的剖視圖；以及
第2圖至第11圖係繪示製造第1圖的有機發光顯示裝置製程的剖視圖。
10．．．基板
11．．．輔助電極
12．．．第一絕緣層
14．．．第二絕緣層
21g．．．閘極電極
21c．．．接觸電極
21s．．．源極電極
21d．．．汲極電極
213．．．主動層
213a．．．源極區域
213b．．．汲極區域
215．．．閘極下電極
216．．．閘極上電極
217．．．層間絕緣層
218c．．．接觸下電極
219c．．．接觸上電極
218s．．．源極下電極
219s．．．源極上電極
218d．．．汲極下電極
219d．．．汲極上電極
313．．．電容下電極
315．．．電容上電極
41p．．．像素電極
418．．．像素下電極
419．．．像素上電極
420．．．像素定義層
422．．．中介層
423．．．相反電極
Cst．．．儲存電容
TFT．．．薄膜電晶體

Claims (19)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：
    一基板；
    一輔助電極，係形成於該基板上；
    一薄膜電晶體(TFT)，係形成於該輔助電極上，該薄膜電晶體係包含一主動層、一閘極電極、一源極電極及一汲極電極；
    一有機電致發光(EL)裝置，係電性連接至該薄膜電晶體且透過依序堆疊一像素電極而形成，該像素電極係透過利用與該源極電極及該汲極電極部位相同的材料形成於一相同層之上，一中介層，係包含一有機發光層(EML)，以及一相反電極，係設置以面對該像素電極；以及
    一接觸電極，係以一預定距離透過利用與該源極電極及該汲極電極相同的材料形成於該相同層之上，且電性連接該輔助電極及該相反電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含一插置於該輔助電極及該主動層之間的第一絕緣層，一插置於該主動層及該閘極電極之間的第二絕緣層，以及一插置於該閘極電極及該接觸電極之間的層間絕緣層；
    其中該接觸電極及該輔助電極經由一接觸孔穿透該第一絕緣層、該第二絕緣層及該層間絕緣層彼此接觸。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含一插置於該接觸電極及該相反電極之間的像素定義層(PDL)，其中該接觸電極及該相反電極經由一接觸孔穿透該像素定義層彼此接觸。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該接觸電極之一端直接地接觸該相反電極，且該接觸電極之另一端直接地接觸該輔助電極。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該源極電極及該汲極電極的其中之一係於一方向延伸以形成該像素電極。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素電極與該源極電極及該汲極電極的其中之一係整體成型。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該有機發光顯示裝置係為一頂部發射型有機發光顯示裝置，其中一影像係朝向該相反電極實現。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該相反電極包含至少一材料，該材料係選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅及氧化銦所組成之一群組。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該輔助電極包含至少一材料，該材料係選自由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬及鋁/銅所組成之一群組。
  10. 一種有機發光顯示裝置，其包含：
    一輔助電極，係形成於一基板上；
    一第一絕緣層，係形成於該輔助電極上；
    一主動層，係形成於該第一絕緣層上；
    一第二絕緣層，係形成以覆蓋該主動層；
    一閘極電極，係形成於該第二絕緣層上以疊合該主動層；
    一層間絕緣層，係形成以覆蓋該閘極電極；
    一源極電極及一汲極電極，係形成於該層間絕緣層之上以電性連接至該主動層；
    一接觸電極，係透過利用一與該源極電極及該汲極電極相同的材料形成於一相同層上，且接觸該輔助電極之一部位；
    一像素定義層(PDL)，係形成以覆蓋該接觸電極、該源極電極及該汲極電極；以及
    一相反電極，係形成於該像素定義層上，其中該相反電極之一部位接觸該接觸電極。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示裝置，其中該有機發光顯示裝置係為一頂部發射型有機發光顯示裝置，其中一影像係朝向該相反電極實現。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該相反電極包含至少一材料，該材料係選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅及氧化銦所組成之一群組。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中該輔助電極包含至少一材料，該材料係選自由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬及鋁/銅所組成之一群組。
  14. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法係包含下列步驟：
    形成一輔助電極於一基板上；
    執行一第一遮罩製程，用以形成一主動層於該輔助電極上；
    執行一第二遮罩製程，用以形成一閘極電極於該主動層上；
    執行一第三遮罩製程，用以形成一具有一第一開口的層間絕緣層，該第一開口暴露該主動層之兩側及該輔助電極之一部位；
    執行一第四遮罩製程，用以形成接觸該主動層的已暴露之兩側的一源極電極及一汲極電極，於一方向自該源極電極及該汲極電極延伸的一像素電極，以及接觸該輔助電極之已暴露部位的一接觸電極；
    進行一第五遮罩製程，用以形成一暴露該像素電極之一部位及該接觸電極之一部位的像素定義層(PDL)；
    形成一相反電極於該像素定義層上以接觸該接觸電極之該已暴露的部位。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該第三遮罩製程包含：
    沉積一第三絕緣層於該閘極電極上；以及
    圖樣化該第三絕緣層以形成一第二開口，該第二開口係暴露該主動層之一源極區域及一汲極區域的部位，且該第二開口暴露該輔助電極之該部位。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該第四遮罩製程包含：
    沉積一第四導電層及/或一第五導電層之至少之一於該層間絕緣層之上；以及
    圖樣化該第四導電層及該第五導電層之至少之一以形成該源極電極及該汲極電極、該像素電極及該接觸電極。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該第五遮罩製程包含：
    完全堆積一第四絕緣層於該基板上；以及
    圖樣化該第四絕緣層以形成一第三開口，該第三開口係暴露該接觸電極及該像素電極之部位。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該輔助電極包含至少一材料，該材料係選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅及氧化銦所組成之一群組。
  19. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該輔助電極包含至少一材料，該材料係選自由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬及鋁/銅所組成之一群組。
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