DE102006026225B4

DE102006026225B4 - Licht emittierende Vorrichtung

Info

Publication number: DE102006026225B4
Application number: DE102006026225A
Authority: DE
Inventors: Tae Joon Ahn; Hong Koo Lee
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2005-12-12
Filing date: 2006-06-06
Publication date: 2011-05-26
Anticipated expiration: 2026-06-07
Also published as: TW200723424A; KR20070062250A; KR101202035B1; DE102006026225A1; TWI300252B; CN100479626C; JP2007165825A; US20070132364A1; CN1984516A; US7956534B2

Abstract

Licht emittierende Vorrichtung enthaltend:
einen ersten Pixelbereich (P), der einen zwischen zwei Elektroden (52, 58) auf einem ersten Substrat (50) angeordneten Licht emittierenden Bereich (56) enthält;
ein Transistorbereich (72), der auf einem dem ersten Substrat (50) gegenüberliegend angeordneten zweiten Substrat (70) ausgebildet ist;
eine Verbindungselektrode (C1), die sich von einer der zwei Elektroden (52, 58) erstreckt; und
ein elektrisches Kontaktmaterial (R), das sowohl mit der Verbindungselektrode (C1) als auch mit einer Drain-Elektrode (78b) des Transistorbereichs (72) in Oberflächenkontakt steht;
wobei das Kontaktmaterial (R) ausschließlich zwischen einem freigelegten Bereich (A2) der Drain-Elektrode (78b) und einer Oberseite der Verbindungselektrode (C1) ausgebildet ist.

Description

Gebiet
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Licht emittierende Vorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
Hintergrund
Eine Licht emittierende Vorrichtung ist eine selbstemittierende Vorrichtung mit einem Licht emittierenden Bereich, der zwischen ihren zwei Elektroden angeordnet ist.
Abhängig vom Ansteuerungsverfahren kann die Licht emittierende Vorrichtung in einen Passiv-Matrixtyp oder einen Aktiv-Matrixtyp eingeteilt werden, wobei der Aktiv-Matrixtyp von einem Transistorbereich angesteuert wird (TFT).
Darüber hinaus kann die Licht emittierende Vorrichtung abhängig von ihrer Lichtemissionsrichtung in einen Oberseiten-Emissionstyp oder einen Boden-Emissionstyp klassifiziert werden.
Im Folgenden wird die Struktur einer herkömmlichen Licht emittierenden Vorrichtung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
1 zeigt Schnittdarstellungen einer herkömmlichen Licht emittierenden Vorrichtung und eines vergrößerten Ausschnittes eines Hauptteils von dieser.
Gemäß 1 ist auf einem ersten Substrat 10 eine Anodenelektrode 12, beispielsweise aus Indium-Zinn-Oxid (ITO), angeordnet.
Auf der Anodenelektrode sind eine Grenzstegisolationsschicht 13 und ein Grenzsteg ”I” zur Definition eines Licht emittierenden Bereichs ausgebildet.
Auf einem vom Grenzsteg ”I” gebildeten Teilabschnitt der Anodenelektrode 12 ist eine Verbindungselektrodenisolationsschicht 14 angeordnet, auf der ein Abstandhalter ”S” ausgebildet ist, dessen Höhe höher als die Höhe des Grenzstegs ”I” ist.
Dort sind auch eine Kathodenelektrode 18 und ein Licht emittierender Bereich 16 mit beispielsweise einer organischen Licht emittierenden Schicht abgelagert.
Somit wird dort ein Pixelbereich ”P” gebildet, der die Anodenelektrode 12, den Licht emittierenden Bereich 16 und die Kathodenelektrode 18 enthält.
Weiter ist dort eine Verbindungselektrode ”C” ausgeformt, die die Verbindungselektrodenisolationsschicht 14, den Abstandhalter ”S” und eine elektrisch mit der Kathodenelektrode 18 verbundene leitfähige Schicht enthält.
Die leitfähige Schicht kann dabei aus demselben leitfähigen Material wie die Kathodenelektrode 18 ausgebildet sein.
Ein zweites dem ersten Substrat 10 gegenüberliegend angeordnetes Substrat 30 ist mit einer aus amorphem oder polykristallinem Silizium gebildeten Halbleiterschicht strukturiert, wobei einem Teil der Halbleiterschicht Störstellen hinzugefügt sind, wodurch entsprechend eine aktive Schicht 32a, eine Source 32b und eine Drain 32c gebildet werden.
Auf der oben erwähnten Halbleiterschicht ist ein Gateisolationsfllm 34 ausgebildet, der einen Teil der Source 32b und der Drain 32c freilegt, wobei in einem Abschnitt entsprechend der aktiven Schicht 32a des Gateisolationsfilms 34 eine Gate-Elektrode 32d ausgebildet ist, wodurch ein Transistorbereich 32 gebildet wird.
Zusätzlich ist auf dem Transistorbereich 32 ein Zwischenschichtisolationsfilm 36 ausgebildet, der einen Teil der Source 32b und der Drain 32c freilegt, wobei dort eine Source-Elektrode 38a und eine Drain-Elektrode 38b ausgebildet sind, die entsprechend elektrisch mit der Source 32b und der Drain 32c verbunden sind.
Weiter ist ein Aufteilungsisolationsfilm 39 zum Aufteilen von benachbarten Transistorbereichen 32 und zum Freilegen eines Bereichs ”A1” der Drain-Elektrode 38b ausgebildet, um die Verbindungselektrode ”C” zu kontaktieren.
Die ersten und zweiten Substrate 10 und 30 sind derart angeordnet, dass die Verbindungselektrode ”C” den freigelegten Bereich ”A1” der Drain-Elektrode 38b kontaktiert, wobei diese dann abgedichtet und aneinander befestigt werden.
Die oben erwähnte herkömmliche Licht emittierende Vorrichtung weist aufgrund ihrer Verbindungselektrodenstruktur ein ernstes Problem auf.
Insbesondere verursacht ein Herstellungsfehler beim Ausbilden des die Verbindungselektrode ”C” bildenden Abstandhalters ”S” Größenunterschiede zwischen jeder der Verbindungselektrode ”C”. Folglich entstehen bei einigen Verbindungselektroden ”C” lose Kontakte, wenn das erste Substrat 10 und zweite Substrat aneinander befestigt werden.
Außerdem wird beim Befestigungsprozess des Substrats keine konstante physikalische Kraftübung auf das gesamte Substrat ermöglicht und der Druck wird nur auf einen Teil des Substrats konzentriert. Dementsprechend verformt sich der auf dem Teil des Substrats aufgebildete Abstandhalter, so dass seine Teile freischwebend sind, wodurch ein loser Kontakt der Verbindungselektrode ”C” entsteht.
Die Deformation des Abstandshalters aufgrund der beim Ansteuern der Vorrichtung erzeugten Wärme führt auch zu losen Kontaktbereichen der Verbindungselektrode.
Wenn diese Vorrichtung als eine Licht emittierende Vorrichtung verwendet wird, verursachen diese losen Kontakte ernsthafte Probleme, wie beispielsweise tote Punkte und schlechte Helligkeit, was zu Schmutzflecken oder Klecksen auf der Vorrichtung führen kann.
Somit entsteht ein Problem, beispielsweise eine Verringerung des Prozessdurchsatzes, der Produktlebensdauer und der Zuverlässigkeit.
US 2005/0247936 A1 beschreibt eine Licht emittierende Vorrichtung mit einem ersten und einem zweiten Substrat, wobei sich von einem unteren Substrat mit einem Transistor-Array eine Verbindungselektrode erstreckt, die mit einer Elektrode eines oberen Substrats in Kontakt steht.
US 2003/0201445 A1 beschreibt ein OLED Display, bei dem Verbindungselektroden zwischen einem ersten und einem zweiten Substrat aus zwei verschiedenen Metallschichten aufgebaut sind.
JP-2005-093335 A beschreibt eine OLED Anzeigevorrichtung, wobei eine Elektrode und eine leitfähige Schicht sowohl über einem Pixelbereich als auch über einer Verbindungselektrode auf dem OLED Substrat ausgebildet sind.
Daher ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine lichtemittierende Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen derselben anzugeben, wobei ein Kontakt zwischen einem oberen und unteren Substrat verbessert ist.
Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Die Erfindung wird im Folgenden detailliert mit Bezug auf die folgenden Zeichnungen beschrieben, in denen sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Komponenten beziehen. In den Zeichnungen zeigen:
1 eine Schnittdarstellung einer herkömmlichen Licht emittierenden Vorrichtung mit einem vergrößerten Ausschnitt eines Hauptbereichs von dieser.
2 eine Schnittdarstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung und einen vergrößerten Ausschnitts eines Hauptbereichs von dieser gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
3 eine Schnittdarstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung und einen vergrößerten Ausschnitt eines Hauptbereichs von dieser gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
4 eine Schnittdarstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung und einen vergrößerten Ausschnitt eines Hauptbereichs von dieser gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
5 bis 7 Teilschnittdarstellungen zur Darstellung der Prozessschritte zur Herstellung eines zweiten Substrats einer Licht emittierenden Vorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
8 bis 11 Teilschnittdarstellungen der Prozessschritte zur Herstellung eines ersten Substrats einer Licht emittierenden Vorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Detaillierte Beschreibung
Im Folgenden werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung detailliert mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
2 zeigt eine Schnittdarstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung und eine vergrößerte Ansicht eines Hauptteils von dieser gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Mit Bezug auf 2 ist auf einem ersten Substrat 50 eine erste Elektrode 52 angeordnet, die beispielsweise aus Indium-Zinn-Oxid (ITO) hergestellt ist.
Auf der ersten Elektrode 52 sind eine Grenzstegisolationsschicht 53 und ein Grenzsteg ”I” zur Definierung eines Licht emittierenden Bereichs ausgebildet.
In einem vom Grenzsteg ”I” definierten Teilabschnitt der ersten Elektrode 52 ist eine Verbindungselektrodenisolationsschicht 54 ausgebildet, auf der ein Abstandhalter ”S” ausgeformt ist, dessen Höhe höher als die Höhe des Grenzstegs ”I” ist.
Weiter sind ein Licht emittierender Bereich 56 mit bspw. einer eine organischen Licht emittierenden Schicht und eine zweite Elektrode 58 abgelagert.
Dementsprechend wird ein Pixelbereich ”P” gebildet, der eine erste Elektrode 52, den Licht emittierenden Bereich 56 und die zweite Elektrode 58 enthält.
Es ist eine Verbindungselektrode ”C1” ausgebildet, die eine Verbindungselektrodenisolationsschicht 54, den Abstandhalter ”S” und eine elektrisch mit der zweiten Elektrode 58 verbundene leitfähige Schicht enthält.
Die leitende Schicht kann dabei aus dem gleichen leitfähigen Material wie die zweite Elektrode 58 hergestellt sein.
Ein dem ersten Substrat 50 gegenüberliegend angeordnetes zweites Substrat 70 ist mit einer Halbleiterschicht strukturiert, die aus amorphem Silizium oder aus polykristallinem Silizium ausgebildet ist, wobei einem Teil der Halbleiterschicht Störstellen hinzugefügt sind, wodurch entsprechend eine aktive Schicht 72a, eine Source 72b und eine Drain 72c ausgebildet werden.
Auf der oben erwähnten Halbleiterschicht ist ein Gateisolationsfilm 74 ausgebildet, der jeweils ein Teil der Source 72b und der Drain 72c freilegt.
In einer Region entsprechend der aktiven Schicht 72a des Gateisolationsfilms 74 ist eine Gate-Elektrode 72d ausgebildet, wodurch ein Transistorbereich 72 gebildet wird.
Auf dem Transistorbereich 72 ist ein Zwischenschichtisolationsfilm 76 zum Freilegen von jeweils einem Teil der Source 72b und der Drain 72c ausgebildet.
Dort sind eine Source-Elektrode 78a und eine Drain-Elektrode 78b ausgebildet, die entsprechend elektrisch mit der Source 72b und der Drain 72c verbunden sind.
Weiter ist dort ein Aufteilungsisolationsfilm 79 zum Aufteilen benachbarter Transistorbereiche 72 und zum Freilegen eines Bereichs ”A2” der Drain-Elektrode 78b ausgebildet, die elektrisch mit der Verbindungselektrode ”C1” verbunden wird.
Das erste und zweite Substrat 50 und 70 sind so angeordnet, dass die Verbindungselektrode ”C1” in elektrischen Kontakt mit dem freigelegten Bereichs ”A2” der Drain-Elektrode 78b gebracht wird, und dann abgedichtet wird und miteinander durch ein Dichtmittel befestigt werden.
In einem gegebenen Bereich ”A2” zwischen der Verbindungselektrode ”C1” und der Drain-Elektrode 78b ist ein pastenartiger elektrischer Kontaktbereich ”R” ausgebildet, der eine Leitfähigkeit, Viskosität und einen thermischen Widerstand aufweist, und dessen Basismaterialien Silber, Kupfer oder Gold (Ag, Cu oder Au) sind, wodurch der elektrische Verbindungszustand zwischen der Verbindungselektrode ”C1” oder der Drain-Elektrode 78b effizient verbessert wird.
Insbesondere kann die Verbindungsstruktur C1, A2 und R der Licht emittierenden Vorrichtung mit dem elektrischen Kontaktbereich ”R” gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung das Problem eines losen Kontakts zwischen der Verbindungselektrode ”C1” und der Drain-Elektrode 78b lösen, das durch eine Höhendifferenz der Verbindungselektrode ”C1” aufgrund von Fehlern beim Herstellungsprozess entsteht.
Das Problem eines losen Kontakts, das durch Freiliegen oder Schweben zwischen der Kontaktelektrode ”C1” und der Drain-Elektrode 78b aufgrund einer Druckkonzentration auf einen Teil des Substrats 50 und 70 während der Befestigung der Substrate 50 und 70 entsteht, kann ebenso gelöst werden.
Weiter kann das Problem eines losen Kontakts zwischen der Verbindungselektrode ”C1” und der Drain-Elektrode 78b, das durch die Deformation der Verbindungselektrode ”C1” aufgrund der beim Ansteuern der Vorrichtung erzeugten Wärme entsteht, kann ebenso gelöst werden.
Das als Basismaterial des elektrischen Kontaktbereichs ”R” verwendete Metall, das im ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben wurde, ist nicht auf Ag, Cu oder Au beschränkt.
Beispielsweise kann der elektrische Kontaktbereich ”R” eine Legierung aus wenigstens zwei der Komponenten Ag, Cu oder Au enthalten.
3 zeigt eine Schnittdarstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung und eine vergrößerte Ansicht eines Hauptbereichs von dieser gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Mit Bezug auf die 3 ist auf einem ersten Substrat 90 eine erste Elektrode 92 ausgebildet, die beispielsweise aus Indium-Zinn-Oxid (ITO) hergestellt ist.
Zusätzlich sind auf der ersten Elektrode 92 eine Grenzstegisolationsschicht 93 und ein Grenzsteg ”I” zur Bildung des Licht emittierenden Bereichs ausgebildet.
Weiter ist auf einem Teil der ersten Elektrode 92 eine Verbindungsbereichsisolationsschicht 94 ausgebildet, die durch den Grenzsteg ”I” strukturiert ist.
Dort sind auch ein Licht emittierender Bereich 96 mit beispielsweise einer organischen Licht emittierenden Schicht und eine zweite Elektrode 98 ablagert.
Folglich wird dort ein Pixelbereich ”P” ausgebildet, der die erste Elektrode 92, den Licht emittierenden Bereich 96 und die zweite Elektrode 98 enthält.
Außerdem ist dort ein Verbindungsbereich ”D” ausgebildet, der die Verbindungsbereichsisolationsschicht 94 und eine elektrisch mit der zweiten Elektrode 98 verbundene leitfähige Schicht enthält.
Die leitfähige Schicht kann auch aus dem gleichen leitfähigen Material wie die zweite Elektrode 98 ausgebildet sein.
Ein dem ersten Substrat 90 gegenüberliegend angeordnetes zweites Substrat 110 ist mit einer Halbleiterschicht strukturiert, die aus amorphem Silizium oder aus polykristallinem Silizium hergestellt ist, wobei einem Teil der Halbleiterschicht Störstellen hinzugefügt sind, wodurch entsprechend eine aktive Schicht 112a, eine Source 112b und eine Drain 112c gebildet werden.
Auf der oben erwähnten Halbleiterschicht ist ein Gateisolationsfilm 114 zum Freilegen jeweils eines Teils der Source 112b und der Drain 112c ausgebildet, wobei auf einer Region entsprechend der aktiven Schicht 112a des Gateisolationsfilms 114 eine Gate-Elektrode 112d ausgebildet ist, wodurch ein Transistorbereich 112 gebildet wird.
Auf dem Transistorbereich 112 ist ein Zwischenschichtisolationsfilm 116 zum Freilegen jeweils eines Teils der Source 112b und der Drain 112c ausgebildet, wobei auf einem Teil des Zwischenschichtisolationsfilms 116, angrenzend zur Drain 112, ein Abstandhalter ”S” ausgeformt ist, dessen Höhe wenigstens höher als die Höhe des Grenzstegs ”I” des ersten Substrats 90 ist.
Dort sind auch eine Source-Elekrode 118a und eine Drain-Elektrode 118b ausgebildet, die entsprechend elektrisch mit der Source 112b und der Drain 112c verbunden sind. Somit wird dort eine Verbindungselektrode ”C2” gebildet, die den Abstandhalter ”S” und eine elektrisch mit der Drain-Elektrode 118b verbundene leitfähige Schicht enthält.
Es ist auch ein Aufteilungsisolationsfilm 119 zum Aufteilen von benachbarten Transistorbereichen 112 und zum Freilegen eines Teils der Verbindungselektrode ”C2” ausgebildet.
Das erste und zweite Substrat 90 und 110 sind derart angeordnet, dass die Verbindungselektrode ”C2” in elektrischen Kontakt mit dem Verbindungsbereich „D” gebracht wird, und dann abgedichtet und aneinander mittels des Dichtmittels befestigt werden.
Dann wird in einem gegebenen Bereich A3 zwischen der Verbindungselektrode ”C2” und dem Verbindungsbereich ”D” ein pastenartiger elektrischer Kontaktbereich ”R” mit einer Leitfähigkeit, Viskosität und einem thermische Widerstand ausgebildet, dessen Basismaterial aus Ag, Cu oder Au besteht, wodurch der elektrische Verbindungszustand zwischen der Verbindungselektrode ”C2” und dem Verbindungsbereich ”D” effizient verbessert wird.
Insbesondere kann die Verbindungsstruktur C2, D, R der Licht emittierenden Vorrichtung mit dem elektrischen Kontaktbereich „R” gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung das Problem eines losen Kontakts zwischen der Verbindungselektrode C2 und dem Verbindungsbereich ”D” lösen, das durch eine Höhendifferenz der Verbindungselektrode ”C2” aufgrund von Fehlern während des Herstellungsprozesses entsteht.
Das Problem mit dem losen Kontaktbereich, das durch einen schwimmenden oder freischwebenden Kontakt zwischen der Verbindungselektrode ”C2” und dem Verbindungsbereich ”D” aufgrund einer Belastungskonzentration auf einem Teil der Substrate 90 und 110 während der Befestigung der Substrate 90 und 110 entsteht, kann ebenso gelöst werden.
Das Problem eines losen Kontakts zwischen der Verbindungselektrode ”C2” und dem Verbindungsbereich ”D”, das wegen der Deformation der Verbindungselektrode ”C2” aufgrund von Wärme entsteht, die beim des Ansteuern der Vorrichtung erzeugt wird, kann ebenso gelöst werden.
Das als Basismaterial des elektrischen Kontaktbereichs ”R” verwendete Metall, das im zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben ist, ist nicht auf Ag, Cu oder Au beschränkt.
Beispielsweise kann für den elektrischen Kontaktbereich ”R” eine Legierung aus wenigstens zwei der Komponenten Ag, Cu oder Au verwendet werden.
4 zeigt eine Schnittdarstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung und einen vergrößerten Ausschnitt eines Hauptteil von dieser entsprechend einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Mit Bezug auf 4 ist auf einem ersten Substrat 130 eine erste Elektrode 132 ausgebildet, die beispielsweise aus Indium-Zinn-Oxid (ITO) hergestellt ist.
Auf der ersten Elektrode 132 sind eine Grenzstegisolationsschicht 133 und ein Grenzsteg ”I” ausgebildet, um einen Licht emittierenden Bereich zu definieren.
Auf einem vom Grenzsteg „I” definierten Teilbereich der ersten Elektrode 132 ist eine Verbindungselektrodenisolationsschicht 134 angeordnet, auf der ein erster Abstandhalter S1 ausgebildet ist.
Weiter sind ein Licht emittierender Bereich 136 mit beispielsweise einer organischen Licht emittierenden Schicht und eine zweite Elektrode 138 ausgeformt.
Dementsprechend wird dort ein Pixelbereich ”P” gebildet, der die erste Elektrode 132, den Licht emittierenden Bereich 136 und die zweite Elektrode 138 enthält.
Zusätzlich ist dort eine erste Verbindungselektrode C3 ausgebildet, die die Verbindungselektrodenisolationsschicht 134, den ersten Abstandshalter S1 und eine elektrisch mit der zweiten Elektrode 138 verbundene leitfähige Schicht enthält.
Die leitfähige Schicht kann aus dem gleichen leitfähigen Material wie die zweite Elektrode 138 ausgebildet sein.
Auf einem dem ersten Substrat 130 gegenüberliegend angeordneten zweiten Substrat 150 ist eine Halbleiterschicht aus amorphem Silizium oder aus polykristallinem Silizium strukturiert, wobei einem Teil der Halbleiterschicht Störstellen hinzugefügt sind, wodurch entsprechend eine aktive Schicht 152a, eine Source 152b und eine Drain 152c gebildet werden.
Auf der oben erwähnten Halbleiterschicht ist ein Gateisolationsfilm 154 zum Aufdecken jeweils eines Teils der Source 152b und der Drain 152c ausgebildet, wobei auf einem Bereich entsprechend der aktiven Schicht 152a des Gateisolationsfilms 154 eine Gate-Elektrode 152 ausgebildet ist, wodurch ein Transistorbereich 152 gebildet wird.
Auf dem Transistorbereich 152 ist ein Zwischenschichtisolationsfilm 156 zum Aufdecken jeweils eines Teils der Source 152b und der Drain 152c gebildet, wobei auf einem Teil des Zwischenschichtisolationsfilms 156 angrenzend zur Drain 152c ein Abstandhalter S2 ausgebildet ist.
Die Summe der Höhen des ersten und zweiten Abstandhalters S1 und S2 sollen wenigstens höher als die Höhe des Grenzstegs ”I” des ersten Substrats 130 sein.
Weiter sind dort eine Source-Elektrode 158a und eine Drain-Elektrode 152b ausgebildet, die entsprechend elektrisch mit der Source 152b und der Drain 152b verbunden sind. Somit ist dort eine zweite Verbindungselektrode C4 ausgebildet, die den zweiten Abstandhalter S2 und eine elektrisch mit der Elektrode 158b verbundene leitfähige Schicht enthält.
Die leitfähige Schicht kann aus dem gleichen Material wie die Drain-Elektrode 158b hergestellt sein.
Es ist weiter ein Aufteilungsisolationsfilm 159 zum Aufteilen von benachbarten Transistorbereichen 158 und zum Aufdecken eines Teils der zweiten Verbindungselektrode C4 ausgebildet.
Die ersten und zweiten Substrate 130 und 150 sind derart angeordnet, dass die erste Verbindungselektrode C3 in elektrischen Kontakt mit der Verbindungselektrode C4 gebracht wird, und dann abgedichtet und mit dem Dichtmittel aneinander befestigt werden.
In einem gegebenen Bereich A4 zwischen der ersten Verbindungselektrode C3 und der zweiten Verbindungselektrode C4 ist ein pastenartiger elektrischer Kontaktbereich ”R” mit einer Leitfähigkeit, einer Viskosität und einem thermischen Widerstand ausgebildet, dessen Grundmaterial aus Ag, Cu oder Au besteht, wodurch der elektrische Verbindungszustand zwischen der ersten Verbindungselektrode C3 und der zweiten Verbindungselektrode C4 effizient verbessert wird.
Insbesondere kann die Verbindungsstruktur C3, C4, R der Licht emittierenden Vorrichtung mit dem elektrischen Kontaktbereich ”R” gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Verbindung das Problem eines losen Kontakts zwischen der ersten Verbindungselektrode C3 und der zweiten Verbindungselektrode C4 lösen, das durch Höhendifferenzen der ersten und oder zweiten Verbindungselektrode C3 oder C4 aufgrund von Fehlern beim Herstellungsprozess entsteht.
Das Problem der losen Kontaktbereiche, das durch einen schwimmenden oder freischwebenden Kontakt zwischen der ersten Verbindungselektrode C3 und der zweiten Verbindungselektrode C4 aufgrund einer Beanspruchungskonzentration an einem Teil der Substrate 130 und 150 während der Befestigung der Substrate 130 und 150 auftritt, kann ebenso gelöst werden.
Das Problem der losen Kontakte zwischen der ersten Verbindungselektrode C3 und der zweiten Verbindungselektrode C4, das durch Deformation der ersten und zweiten Verbindungselektrode C3, C4 aufgrund von Warme entsteht, die beim Ansteuern der Vorrichtung erzeugt wird, kann ebenso gelöst werden.
Das als Grundmaterial verwendete Metall des elektrischen Kontaktbereichs R, welches beim dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben wurde, ist nicht auf Ag, Cu oder Au beschränkt.
Beispielsweise kann der elektrische Kontaktbereich ”R” eine Legierung aus wenigstens zwei der Komponenten Ag, Cu oder Au enthalten.
Im Folgenden wird ein Verfahren mit jedem Schritt zur Herstellung der Licht emittierenden Vorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die 5 bis 11 beschrieben.
Die 6 bis 11 sind im selben Maßstab wie der in 2 gezeigte Hauptteil dargestellt.
Die 5 bis 7 zeigen Teilschnitte zur Darstellung der Prozessschritte zur Herstellung eines zweiten Substrats einer Licht emittierenden Vorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Mit Bezug auf 5, die den Schritt des Strukturieren des Substrats darstellt, wird eine Anzahl von Pixelbereichen ”P” auf einem ersten Substrat 50 ausgebildet, wobei ein Transistorbereich (mit einem Schaltelement und einem elektrisch mit dem Schaltelement verbundenen Ansteuerungselement) auf einem dem ersten Substrat 50 gegenüberliegend angeordneten zweiten Substrat 70 vorbereitet wird, um ein elektrisches Feld entsprechend dem Pixelbereich ”P” aufzubauen.
Die ersten und zweiten Substrate 50 und 70 verwenden ein transparentes Material.
In 6 wird der Schnitt des Ausbildens des Ansteuerbereichs dargestellt, wobei der Transistorbereich auf dem zweiten Substrat 70 ausgebildet wird, um mit dem auf dem ersten Substrat 50 gebildeten Pixelbereich ”P” übereinzustimmen.
Insbesondere wird auf dem zweiten Substrat 70 eine Pufferschicht aus irgendeiner der Siliziumisolationsmaterialgruppen mit SiNx und SiO₂ ausgebildet.
Auf der ausgebildeten Pufferschicht wird amorphes Silizium (a-Si) abgelagert, das dann einem Dehydrierungsprozess und einem Kristallisationsprozess mittels Wärme ausgesetzt wird, wodurch eine polykristalline aktive Siliziumschicht gebildet wird. Entsprechend der strukturierten polykristallinen aktiven Siliziumschicht wird eine aktive Schicht 72a hinterlassen.
Als nächstes werden in beide Seiten der aktiven Schicht 72a Störstellen injiziert und darauf wird eine Wärmebehandlung durchgeführt, um eine Source 72b und eine Drain 72c zu bilden, wobei auf der aktiven Schicht 72a, der Source 72b und der Drain 72c ein Gateisolationsfilm 74 ausgebildet wird.
Nachfolgend wird auf einem Teilbereich entsprechend der aktiven Schicht 72a des Gateisolationsfilms 74 eine Gate-Elektrode 72b ausgebildet. Auf dem Gateisolationsfilm 74 und der Gate-Elektrode 72d wird ein Zwischenschichtisolationsfilm 76 ausgebildet, wobei dann Kontaktlöcher H ausgebildet werden, um jeweils eines Teil der Source 72b und der Drain 72c entsprechend freizulegen.
7 zeigt den Schritt des Herstellens eines Verbindungselektrodenkontaktbereichs, bei dem eine Source-Elektrode 78a und eine Drain-Elektrode 78b ausgebildet werden, so dass die Source 72b und die Drain 72c entsprechend über die Kontaktlöcher H aufgedeckt werden.
Die Drain-Elektrode 78b wird bis in einen gegebenen Bereich auf dem Zwischenschichtisolationsfilm 76 verlängert, so dass ein Kontaktbereich A2 gebildet wird, der elektrisch mit der Verbindungselektrode C1 verbunden wird.
Auf dem Zwischenschichtisolationsfilm 76, der Source- und der Drain-Elektrode 78a, 78b wird optional ein Aufteilungsisoltionsfilm 79 ausgebildet, um die benachbarten Transistorbereiche 72 aufzuteilen und den Kontaktbereich A2 aufzudecken.
Im Folgenden werden die jeweiligen Prozessschritte zur Herstellung des dem zweiten Substrat 70 gegenüberliegenden ersten Substrats 50 beschrieben, das einen Licht emittierenden Bereich enthält.
Die 8 bis 11 zeigen Teilschnitte zur Darstellung der Prozessschritte zur Herstellung eines zweiten Substrats einer Licht emittierenden Vorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Mit Bezug auf 8, die den Schritt des Strukturierens von Pixelbereichen darstellt, wird auf einem ersten Substrat 50 optional eine erste Elektrode 52 ausgebildet, wobei Grenzstegisolationsschichten 53 ausgebildet werden, so dass die wie in 5 gebildeten Pixelbereiche P auf der ersten Elektrode 52 ausgebildet werden können.
Zusätzlich wird eine Verbindungselektrodenisolationsschicht 54 ausgebildet, so dass mit einem gegebenen Abstand von der Grenzstegisolationsschicht 53 eine Verbindungselektrode ausgebildet werden kann. Danach werden auf den Grenzstegisolationsschichten 53 Grenzstege I ausgebildet.
9 zeigt den Schritt des Ausbildens einer Verbindungselektrode, wobei auf den Verbindungselektrodenisolationsschichten 54 ein Abstandhalter S ausgebildet wird, dessen Höhe höher als die Höhe der Grenzstege I ist.
Dann wird dort ein Licht emittierender Bereich 56 ausgebildet, der eine oder mehrere elektrische Ladungsinjektions/-transportschichten und Licht emittierende Schichten enthält, wobei auf dem Licht emittierenden Bereich 56 eine zweite Elektrode 58 ausgebildet wird.
Dementsprechend wird ein Pixelbereich P mit einer ersten Elektrode 52, dem Licht emittierenden Bereich 56 und der zweiten Elektrode 58 ausgebildet.
Es wird eine Verbindungselektrode C1 ausgebildet, die die Verbindungselektrodenisolationssicht 54, den Abstandhalter S und eine elektrisch mit der zweiten Elektrode 58 verbundene leitfähige Schicht enthält.
Mit Bezug auf die 10 und 11 wird auf einer Verbindungselektrode C1, die durch die Schritte des Ausbildens eines elektrischen Kontaktbereichs und des Befestigens der Substrate ausgebildet wird, ein pastenartiger elektrischer Kontaktbereich R mit einer Leitfähigkeit, Viskosität und einem thermischen Widerstand ausgebildet, der irgendeine der Komponenten Ag, Cu oder Au als Basismaterial enthält.
Beispielsweise kann der elektrische Kontaktbereich R auf der Verbindungselektrode durch Aufdrucken ausgebildet werden, wenn das erste Substrat 50 unter die Verbindungselektrode bewegt wird und der auf eine Rolle geklebte pastenartige elektrische Kontaktbereich R berührt wird.
Dann werden die ersten und zweiten Substrate 50, 70 aneinander befestigt, so dass die Verbindungselektrode C1 auf dem ersten Substrat 50 und die Verbindungselektrode C1 auf dem zweiten Substrat 70 im Kontaktbereich A2 miteinander übereinstimmen, und über den elektrischen Kontaktbereich R elektrisch miteinander verbunden werden. Zusätzlich wird der elektrische Kontaktbereich R durch die Anwendung eines spezifischen Lichts oder von Wärme auf den elektrischen Kontaktbereich R ausgehärtet, wodurch die Licht emittierende Vorrichtung fertiggestellt wird.
Die Licht emittierende Vorrichtung mit der obigen Struktur gemäß den verschiedenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann die Aufgaben der vorliegenden Erfindung durch Verbessern der elektrischen Kontaktstruktur der üblichen Verbindungselektrode erreichen.
Obwohl die vorliegende Erfindung an einem Beispiel beschrieben wurde, bei dem der Licht emittierende Bereich nur auf dem ersten Substrat ausgebildet wird, ist sie nicht darauf beschränkt, und dementsprechend kann der Licht emittierende Bereich optional auch auf dem zweiten Substrat ausgebildet werden.
Es wird darauf hingewiesen, dass die Licht emittierende Vorrichtung der vorliegenden Erfindung auf dem Licht emittierenden Bereich entweder ein organisches Material oder ein anorganisches Material oder auch beide anwenden kann.
Gemäß der Erfindung wird bei einer Verbindungselektrodenstruktur einer Licht emittierenden Vorrichtung durch einen pastenartigen elektrischen Kontaktbereich mit einer Leitfähigkeit, einer Viskosität und einen thermischen Widerstand der elektrischen Verbindungsgrad der ersten und zweiten Substrate verbessert, wodurch es möglich wird, die Probleme von losen Kontakten der Verbindungselektrode aufgrund von Herstellungsfehlern, bei freischwebenden Kontakten und aufgrund von Ansteuerungswärme zu beheben.
Somit dient die vorliegende Erfindung der Verbesserung des Prozessausstoßes, der Produktlebensdauer und der Zuverlässigkeit.

Claims

Licht emittierende Vorrichtung enthaltend: einen ersten Pixelbereich (P), der einen zwischen zwei Elektroden (52, 58) auf einem ersten Substrat (50) angeordneten Licht emittierenden Bereich (56) enthält; ein Transistorbereich (72), der auf einem dem ersten Substrat (50) gegenüberliegend angeordneten zweiten Substrat (70) ausgebildet ist; eine Verbindungselektrode (C1), die sich von einer der zwei Elektroden (52, 58) erstreckt; und ein elektrisches Kontaktmaterial (R), das sowohl mit der Verbindungselektrode (C1) als auch mit einer Drain-Elektrode (78b) des Transistorbereichs (72) in Oberflächenkontakt steht; wobei das Kontaktmaterial (R) ausschließlich zwischen einem freigelegten Bereich (A2) der Drain-Elektrode (78b) und einer Oberseite der Verbindungselektrode (C1) ausgebildet ist.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, weiter enthaltend: einen zweiten Pixelbereich, der einen Licht emittierenden Bereich enthält, der zwischen zwei Elektroden auf einem Bereich angrenzend zum Transistorbereich (72) auf dem zweiten Substrat (70) angeordnet ist, wobei eine der zwei Elektroden elektrisch mit dem Transistorbereich (72) verbunden ist.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das elektrische Kontaktmaterial eine Paste aus irgendeiner der Komponenten Ag, Cu oder Au enthält.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das elektrische Kontaktmaterial eine Paste einer Legierung aus wenigstens zwei der Komponenten Ag, Cu oder Au enthält.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Licht emittierende Bereich (56) des ersten Pixelbereichs (P) ein organisches oder anorganisches Material enthält.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei der Licht emittierende Bereich (56) des zweiten Pixelbereichs (P) ein organisches oder anorganisches Material enthält.
Licht emittierende Vorrichtung enthaltend: einen ersten Pixelbereich (P), der einen zwischen zwei Elektroden (92, 98) auf einem ersten Substrat (90) angeordneten Licht emittierenden Bereich (96) enthält; einen Transistorbereich (112), der auf einem dem ersten Substrat (90) gegenüberliegend angeordneten zweiten Substrat (110) angeordnet ist; eine sich von einer Drain (112c) des Transistorbereichs (112) erstreckende Verbindungselektrode (C2); und ein elektrisches Kontaktmaterial (R), das mit einer der zwei Elektroden (92, 98) und der Verbindungselektrode (C2) in Oberflächenkontakt steht; wobei das Kontaktmaterial (R) ausschließlich zwischen einem Verbindungsbereich (D) auf dem ersten Substrat (90) und einer Oberseite der Verbindungselektrode (C2) ausgebildet ist.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 7, weiter enthaltend: einen zweiten Pixelbereich, der einen Licht emittierenden Bereich enthält, der zwischen zwei Elektroden auf einem Bereich angrenzend zum Transistorbereich (112) auf dem zweiten Substrat (110) angeordnet ist, wobei eine der zwei Elektroden elektrisch mit dem Transistorbereich (110) verbunden ist.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei das elektrische Kontaktmaterial (R) eine Paste aus irgendeiner der Komponenten Ag, Cu oder Au enthält.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei das elektrische Kontaktmaterial (R) eine Paste einer Legierung aus wenigstens zwei der Komponenten Ag, Cu oder Au enthält.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 7, wobei der Licht emittierende Bereich (96) des ersten Pixelbereichs (P) eine organische oder anorganische Licht emittierende Schicht enthält.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei der Licht emittierende Bereich des zweiten Pixelbereichs eine organische oder anorganische Licht emittierende Schicht enthält.
Licht emittierende Vorrichtung enthaltend: einen ersten Pixelbereich (P), der einen zwischen zwei Elektroden (132, 138) auf einem ersten Substrat (130) angeordneten Licht emittierenden Bereich (136) enthält; ein Transistorbereich (152), der auf einem dem ersten Substrat (130) gegenüberliegend angeordneten zweiten Substrat (150) ausgebildet ist; eine erste Verbindungselektrode (C3), die sich von einer der beiden Elektroden (132, 138) erstreckt; eine zweite Verbindungselektrode (C4), die sich von einer Drain (152c) des Transistorbereichs (152) erstreckt; und ein elektrisches Kontaktmaterial (R), das sowohl mit der ersten Verbindungselektrode (C3) als auch der zweiten Verbindungselektrode (C4) in Oberflächenkontakt steht; wobei das Kontaktmaterial (R) ausschließlich in einem vorgegebenen Bereich (A4) zwischen einer Oberseite der ersten Verbindungselektrode (C3) und einer Oberseite der zweiten Verbindungselektrode (C4) ausgebildet ist.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 13, weiter enthaltend: einen zweiten Pixelbereich, der einen Licht emittierenden Bereich enthält, der zwischen zwei Elektroden auf einem Bereich angrenzend zum Transistorbereich (152) auf dem zweiten Substrat (150) angeordnet ist, wobei eine der zwei Elektroden elektrisch mit dem Transistorbereich (152) verbunden ist.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei das elektrische Kontaktmaterial (R) eine Paste aus irgendeiner der Komponenten Ag, Cu oder Au enthält.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei das elektrische Kontaktmaterial (R) eine Paste einer Legierung aus wenigstens zwei der Komponenten Ag, Cu oder Au enthält.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei der Licht emittierende Bereich (136) des ersten Pixelbereichs (P) eine organische oder anorganische Licht emittierende Schicht enthält.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 14, wobei der Licht emittierende Bereich des zweiten Pixelbereichs eine organische oder anorganische Licht emittierende Schicht enthält.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung enthaltend: Ausbilden eines ersten Pixelbereichs (P), der einen zwischen zwei Elektroden (52, 58) auf einem ersten Substrat (50) angeordneten Licht emittierenden Bereich (56) enthält, wobei eine Verbindungselektrode (C1), die sich von einer der zwei Elektroden (52, 58) erstreckt, ausgebildet wird; Ausbilden eines Transistorbereichs (72) auf einem zweiten Substrat (70); und Ausbilden eines elektrischen Kontaktmaterials (R), das nach Verbinden der Substrate (50, 70) sowohl mit der Verbindungselektrode (C1) als auch mit einer Drain-Elektrode (78b) des Transistorbereichs (72) in Oberflächenkontakt steht, wobei das Kontaktmaterial (R) ausschließlich zwischen einem freigelegten Bereich (A2) der Drain-Elektrode (78b) und einer Oberseite der Verbindungselektrode (C1) ausgebildet wird.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 19, weiter enthaltend: Ausbilden eines zweiten Pixelbereichs, die einen Licht emittierenden Bereich enthält, der zwischen zwei Elektroden auf einem Bereich angrenzend zum Transistorbereich (72) auf dem zweiten Substrat (70) angeordnet ist, wobei eine der zwei Elektroden elektrisch mit dem Transistorbereich (72) verbunden ist.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei das elektrische Kontaktmaterial (R) eine Paste aus irgendeiner der Komponenten Ag, Cu oder Au enthält.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 21, wobei die Paste mit Wärme oder Licht ausgehärtet wird.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei das elektrische Kontaktmaterial (R) eine Paste aus einer Legierung mit wenigstens zwei der Komponenten Ag, Cu oder Au enthält.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 21, wobei die Paste mit Wärme oder Licht ausgehärtet wird.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei das elektrische Kontaktmaterial (R) durch Drucken hergestellt wird.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei der Licht emittierende Bereich (56) des ersten Pixelbereichs (P) ein organisches oder anorganisches Material enthält.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 20, wobei der Licht emittierende Bereich des zweiten Pixelbereichs ein organisches oder anorganisches Material enthält.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung enthaltend: Ausbilden eines ersten Pixelbereichs (P), der einen zwischen zwei Elektroden (92, 98) auf einem ersten Substrat (90) angeordneten Licht emittierenden Bereich (96) enthält, wobei eine Verbindungselektrode (C2), die sich von einer Drain (112c) des Transistorbereichs (112) erstreckt, ausgebildet wird; Ausbilden eines Transistorbereichs (112) auf einem zweiten Substrat (110); und Ausbilden eines elektrischen Kontaktmaterials (R), das nach Verbinden der Substrate (90, 110) mit einer der zwei Elektroden (92, 98) und der Verbindungselektrode (C2) in Oberflächenkontakt steht, wobei das Kontaktmaterial (R) ausschließlich zwischen einem Verbindungsbereich (D) auf dem ersten Substrat (90) und einer Oberseite der Verbindungselektrode (C2) ausgebildet wird.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 28, weiter enthalten: Ausbilden eines zweiten Pixelbereichs, der einen Licht emittierenden Bereich enthält, der zwischen zwei Elektroden auf einem Bereich angrenzend zum Transistorbereich (112) auf dem zweiten Substrat (110) angeordnet ist, wobei eine der zwei Elektroden elektrisch mit dem Transistorbereich (112) verbunden ist.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei das elektrische Kontaktmaterial (R) eine Paste aus irgendeiner der Komponenten Ag, Cu oder Au enthält.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 30, wobei die Paste durch Wärme oder Licht ausgehärtet wird.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei das elektrische Kontaktmaterial (R) eine Paste aus einer Legierung mit wenigstens zwei der Komponenten Ag, Cu oder Au enthält.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 32, wobei die Paste mit Wärme oder Licht ausgehärtet wird.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei das elektrische Kontaktmaterial (R) durch Drucken hergestellt wird.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 28, wobei der Licht emittierende Bereich (96) des ersten Pixelbereichs (P) ein organisches oder anorganisches Material enthält.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 29, wobei der Licht emittierende Bereich des zweiten Pixelbereichs ein organisches oder anorganisches Material enthält.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung enthaltend: Ausbilden eines ersten Pixelbereichs (P), der einen zwischen zwei Elektroden (132, 138) auf einem ersten Substrat (130) angeordneten Licht emittierenden Bereich (136) enthält, wobei eine erste Verbindungselektrode (C3), die sich von einer der zwei Elektroden (132, 138) erstreckt, ausgebildet wird; Ausbilden eines Transistorbereichs (152) auf einem zweiten Substrat (150); Ausbilden einer zweiten Verbindungselektrode (C4), die sich von einer Drain (152c) des Transistorbereichs (152) erstreckt; und Ausbilden eines elektrischen Kontaktmaterials (R), das nach Verbinden der Substrate (130, 150) sowohl mit der ersten Verbindungselektrode (C3) als auch mit der zweiten Verbindungselektrode (C4) in Oberflächenkontakt steht, wobei das Kontaktmaterial (R) ausschließlich in einem vorgegebenen Bereich (A4) zwischen einer Oberseite der ersten Verbindungselektrode (C3) und einer Oberseite der zweiten Verbindungselektrode (C4) ausgebildet wird.
Verfahren zur Herstellung der Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 37, weiter enthaltend: Ausbilden eines zweiten Pixelbereichs, der einen Licht emittierenden Bereich enthält, der zwischen zwei Elektroden auf einem Bereich angrenzend zum Transistorbereich (152) auf dem zweiten Substrat (150) angeordnet ist, wobei eine der zwei Elektroden elektrisch mit dem Transistorbereich (152) verbunden ist.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 37, wobei das elektrische Kontaktmaterial (R) eine Paste aus irgendeiner der Komponenten Ag, Cu oder Au enthält.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 39, wobei die Paste durch Wärme oder Licht ausgehärtet wird.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 37, wobei das elektrische Kontaktmaterial (R) eine Paste aus einer Legierung mit wenigstens zwei der Komponenten Ag, Cu oder Au enthält.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 41, wobei die Paste mit Wärme oder Licht ausgehärtet wird.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 37, wobei das elektrische Kontaktmaterial (R) durch Drucken hergestellt wird.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 37, wobei der Licht emittierende Bereich (136) des ersten Pixelbereichs (P) ein organisches oder anorganisches Material enthält.
Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung nach Anspruch 38, wobei der Licht emittierende Bereich des zweiten Pixelbereichs ein organisches oder anorganisches Material enthält.