TWI300252B - Light emitting device - Google Patents

Description

13〇〇252 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係種發光裝纽絲造方法，制是一種藉由 電性接觸部連接兩基板之發光裝置及其製造方法。 【先前技術】 發光裝置是-種包括有設置於兩個電極間之發光部分的自發 光裝置。 天 發光裝置根據其驅動方法可以分為被動矩陣型和主動矩陣 型，其中主動矩陣型係藉由電晶體（TFT)驅動。 發光裝置亦可根據其發光方向而分為頂部發光型和底部發 型。 下面，將麥照附圖描述現有技術的發光裝置的結構。 「第1圖」所示為習知技術之發光裝置之剖視示意圖及其主 要部分的局部放大剖視圖。 如「第1圖」所示，在第-基板10上形成有如以靖氧化物 (mdmm-tin-oxide，ιΤ0)製成之陽極 12。 並於陽極12上形成有用於界定發光區的隔牆（banierrib)絕 緣層13和隔牆I。 口界疋出的陽極12之局部區域上形成有連接電極絕緣 θ 14 ’在其上形成有高度比隔膽I的高度為高之間隔件S。 其中更沉積有一發光部16，如包括有一有機發光層，以及一 6 !300252 陰極18。 因此，形成了具有陽極12、發光部16、及陰極18之晝素區 域P 〇 此外’亦形成-連接電極C，其包括有一連接電極、絕緣層14、 、 一間隔件s、及一與陰極18電性連接之導電層。 • 其中，此導電層可由與陰極18相同的導電材料所形成。 鲁 對相對於第一基板10之第二基才反30進行圖案化，以形成- 由非晶矽或多晶矽形成的半導體層，並且對該半導體層的一部分 添加雜質，因而分別开> 成一主動層（activelayer)32a、一源極3以、 及一汲極32c。 在上述之半導體層上形成有露出於源極32b和汲極32c的一 部分之-閘極絕緣膜34，並於閘極絕緣膜34對應於主動層— 之區域上形成-雜32d，進而形成一電晶體32。 •、另外’在電晶體32上形成有一用以露出源極3¾和汲極32c 的-部分之層_緣膜丨麵μ㈣h) %，並且形 …成分別與源極32b和没極32c電性連接之源極電極38a和没極電 極 38b 〇 ^ 亦开^ 成有一分隔絕緣膜（division insulating film ) 3 9， 係用以區分相鄰之電晶體32，並且露出部分汲極^，以與連接電 極C相互接觸。 排列弟-基板ω和第二基板3G，以使連接電極C與露出之 1300252 部分汲極A1電性接觸，然後以一 一密封劑40密封並相互

丨曰J隔仵S時，技術上的 。因此，當第一基板10

誤差會導致各個連接電極C之間的尺寸差。 和第二基板30彼此連接時，某些連接電極c將導致不良連接。 另外’在基錢連難財不容隸整錄板上施加怔定的 物理力量，致使應力鶴中於基板的某—部分上。因此，形成在 基板的該部分上_隔件職生變形，並且造成此部分相對地向 上浮起，因而導致連接電極C的不良接觸。 此外，由驅動裝置上產生的熱亦會引起間隔件的變形，而導 致連接電極的不良接觸。 當該裝置應用作為發光裝置時，該不良接觸將導致例如產生 死點（deadpoint)、低亮度的嚴重問題，致使於裝置上產生瑕疵或 污點。 因此’出現上述之問題將降低製造生產量、產品壽命、和可 靠性。 【發明内容】 鑒於以上的問題，因此，本發明的目的在於改良先前技術之 連接電極的不良連接，導致產量、產品壽命、及可靠性降低的問 題和缺點。 1300252 本發明揭露之發光裝置包括有—第_畫素、_電晶體、一連 接電極、及一電性接觸部，其中第—晝素係設置於第-基板上， 且具有-位於兩電極間之發光部，而電晶體係形成於第二基板上 亚相對於第-基板，連接電極係由兩個電極中之其中之一延 成’而電性接觸部係與連接電極及電晶體之祕相互面接觸。 本發明揭露第二實施例之發光袭置包括有一第一$素一電 晶:、-連接電極、及一電性接觸部，其中第一晝素:設置於第 1上，轉有—錄兩雜間之發辆，的晶體係形成於 ^基板上並相雜第—基板，連接紐係_電晶體之雜 u申而成，而電性接觸部係與兩個電財之其中之_及連接電極 相互面接觸。 本發明揭露第三實施例之發光裝置包括有—第_晝素、一電 =二一第—連接電極、—第二連接電極、及-紐接觸部，其 /-晝素係設置於第一基板上’且具有—位於兩電極間之發光 戸而電曰曰體係形成於第二基板上並相對於第一基板，第一連接 ==由兩個電極中之其中之—延伸而成，且第二連接電極係由 、曰曰體之雜延伸而成，而接觸部係與第_連接電極和第二 連接電極相互面接觸。 本發明揭露第-實施例之製造發光裝置之方法以 驟：首先形成-第-晝素於—第—基板上，且第-晝素具有設置 於兩個電極之間的發光部，並形成一電晶體於_第二基板上，接 1300252 著自兩個電極中之任—個延伸賴—連接電極，最後形成一電性 接觸和並與連接電極和電晶體之没極才目互面接觸。

本發明揭露第二實關之製造發絲置之方法包括以下步 驟：首先形成H素於—第一基板上，且第1素具有設^ 於兩個電極之間的發光部，並形成一電晶體於一第二基板上，接 者自電晶體之汲極延伸軸—連接雜，最後形成—電性接觸 部’並與兩個電極中任一個和連接電極相互面接觸。 本發明揭露第三實施例之製造發光裝置之方法包括以下步 驟：首先形成—第—晝素於—第―基板上，且第-晝素具有設置 於兩個電極之間的發光部，並形成—電晶體於—第二基板上，接 著自兩個電極中之任—個延伸形成—第—連接_，並自電晶體 之及極延伸域—第二連接雜，最後形成—電性接觸部，並與 第一連接電極和第二連接電極相互面接觸。 【實施方式】 下面將麥照附圖更詳細地描述本發明所揭露之實施例。 「第2圖」所示為本發明第一實施例之發光裝置之剖視示意 圖及其主要部分之局部放大剖視圖。 如「第2圖」所示’於第一基板5〇上形成有如以銦錫氧化物 (indiUm4in_oxide，IT0)製成之第一電極 ％。 並於第-雜52上形成有㈣界定發紐之_隔牆絕緣層 53和一隔勝I。 1300252 由隔牆I界定出的笛_ ^ 電極52之局部區域上形成有一連接電 極絕緣層54，在:M：上带# 士 a 、办成有向度比隔牆I的高度為高之間隔件S。 、電極58 其中更沉積有-發林％，如包括—有機發光層，以及一第 電極52、發光部56、及第二電極58 因此，形成了具有第一 之晝素區域P。

此外\亦形成一連接電極C1，其包括有一連接電極絕緣層 54間隔件8、及-與第二電極58電性連接之導電層。 其中’此導電層可由與第二電極58相同的導電材料所形成。 對相對於第-基板50之第二基板％進行圖案化，以形成一 由非晶梦或多晶郷成之半導體層，並且對半導體層的一部分添 加鍊貝，因而分別形成一主動層72a、一源極72b、及一汲極η。 在上述之半導體層上形成一閘極絕緣膜74，致使露出源極72b 和汲極72c之一部分。 並於閘極絕緣膜74對應於主動層72a之區域上形成一閘極 72d’因而形成一電晶體72。 在電晶體72上形成有一用於露出源極72b和没極72c之各呷 刀的層間矣巴緣膜（between-layer insulating film ) 76。 並且形成分別與源極72b和汲極72c電性連接之源極電極 和没極電極78b。 此外’亦形成有一分隔絕緣膜（division insulating film) 79， 11 亚且露出部分秘A2 ,以與連接電 係用以區分_之電晶體72, 極C1相互電性連接。 排列第-基板50和第：基板％ 部份汲極A2概雜 《德紐C1與露出之 在露出之部份：λΓΪ =^ 間形成-她之·接觸部 彳=射極電極78b之 .R ，、具有冷電性、黏性、及耐埶性， 、’八主要基本材料包括有銀 蛀 金因此有效地改善了速 接電極α與没極電極78b之間的電性連接狀態。 ’、體來5兄’本利第—實施例之顧·接觸部R之發光裝 置的連接結構α、A2、R可畴決以下問題，即，可避免於製造 過程中賴麵導致的輕雜α之高度差，致使連接電極^ 與取錢極78b之間引起不良接觸的問題。 本發明亦可解決以下問題，，可避免於連接第—基板、第 一基板50、70當中，由於於第一基板、第二基板5〇、7〇之一部 分上出現應力集中現象，進而導致連接電極C1與汲極電極78b之 間的浮起，而引起不良接觸的問題。 本發明亦可解決以下問題，即，可避免於驅動裝置進行驅動 所產生的熱而導致連接電極C1變形，致使於連接電極C1與汲極 電極78b之間引起不良接觸的問題。 本發明第一實施例中之電性接觸部R的主要基本材料之金屬 並不限於銀、銅、或金。 12 1300252 金 例如’電性接觸部R可以採用銀、銅、或金中至少兩 種的合 第3圖」所示為本發明第二實施例之發光裝置之 立 圖及其主要部分之局部放大剖視圖。 下思 如「第3圖」所示，其中於第—基板9〇上形成有如以氧 錫（mdmm-tin-oxide，ITO)製成之第一電極 92。 另外，於第-電極92上形猶用於界紐紐域之 緣層93和一隔牆!。 丨‘、巴 由隔牆I界㈣的第-電極92之局部區域上形成有_ 極絕緣層94。 其中更沉射-發光部96，如包括_錢發光層，以及 —電極98。 因此’形成了具有第-電極92、發光部96、及第二電極98 之晝素區域P 0 另外’亦形成-連接部D，其包括有一連接電極絕緣層94以 及一與苐二電極98電性連接之導電芦。 其中’此導電層可由鱗二電極98_的導電材料所形成。 對相對於第-基板90之第二基板⑽進行圖案化，以形成一 由非晶梦❹祕形成之铸體層，並且對半導體層的一部分添 加雜質，因而分別形成-主動層ma、—源極跡及—及極mc。 在上述之半導體層上形成1極絕緣膜 114，致使露出源極 13 1300252 112b和及極112C的各部分，並於閘極絕緣膜ιΐ4對應於主動層 112a之區域上形成—閘極觀，因而形成—電晶體出。9 在電晶體112上形成—用以露出源極丨既和汲極丨仏之各部 分的層間絕緣膜（between-layerinsulatingfilm) 116，並且於層間 絕緣膜116之鄰近於沒極mc的部分形成有一間隔件&，1 = 至少比第-基板90的隔牆！之高度為高。 " 此外，更形成有分別與源極112b和汲極mc電性連接之源 極電極118a和汲極電極⑽。因此，形成一具有間隔件s和與没、 極電極118b電性連接的導電層之連接電極C2。 此外，亦形成有-分隔絕緣膜（divisi〇n㈣㈣版）119， 係用以區分⑽之電晶體112，並露出連接雜c2的―部分。 排列第-絲90和第二基板11G，贿連㈣極C2舆連接 部D電性連接，_藉由一密封劑勘密封並相互連接。 此時，在給定區域A3中，於連接電極〇2與連接部〇之間形 成有-糊狀之電性接觸部R，其具有導電性、黏性、及耐熱性^ 並且其主要基本材料包括有銀、銅、或金，因此有效地改善了連 接電極C2與連接部D之間的電性連接狀態。 具體來說，本發明第二實施例之應用電性接觸部R之發光裝 置的連接結構C2、D、R可以解決以下問題，即，可避免於製造 過程中的誤差所導致的連接電極C2之高度差，致使連接電極c2 與連接部D之間的不良接觸的問題。 14 1300252 本發明亦可解決以下問題，即，可避免於連接第一基板、第 二基板90、110當中，由於於第一基板、第二基板90、110之一 部分上出現應力針縣，箱導致連接雜C2與連接部D之 間的浮起，而引起不良接觸部分的問題。 ，本發明亦可解決以下問題，即，可聽_崎置進行驅動 ，所產生的熱而導致連接電極C2變形，致使於連接電極C2與連接 _ 部D之間引起不良接觸的問題。 ，本發明第二實施例中之電性接觸部以的主要基本材料之金屬 並不限於銀、銅、或金。 例如’電性接觸部R可以採祕、銅、敍中至少兩種的合 金。 第4圖」所示為本發明第三實施例之發光裝置之剖面示意 圖及其主要部分之局部放大剖視圖。 藝^如第4圖」所示，其中於第一基板13〇上形成有如以銦錫 氧化物（indi跡tiMxide，IT〇)製成之第一電極132。 於帛電極132上形成有用於界定發光區域之一隔牆絕緣層 133和隔牆I。 由回I界定出的第一電極132之局部區域上形成有一連接電 極絕緣層134，並於其上形成-第-間隔件S卜 μ八中更/儿積有一發光部136，如包括-有機發光層），以及-弟—電極13 8。 15 1300252 因此，形成了具有第一電極132、發光部136、及第二電極l38 之晝素區域P。 另外亦形成一第一連接電極C3，其包括有一連接電極絕緣 層134、-第-間隔件s卜及一與第二電極電性連接之導電 層。 其中，此導電層可由與第二電極138相同的導電材料所形成。 對相對於第一基板130之第二基板150進行圖案化，以形成 一由非祕或多㈣形成的半導體層，並謂半導體層的一部分 冰加雜貝’因而分卿成—主動層1似、一源極1H一没極 152c 〇 在上迟之半導體層上形成一閘極絕緣膜154，致使露出源極 腿和及極1仏的各部分’並於閘極絕緣膜⑼對應於主動層 152a之區域上形成1極簡，因轉成—電晶體⑸。 在電晶體部分152上形成一用以露出源極152b和汲極152c 之各部分的㈣絕、_ (between切insulating fllm) 156，並且 於層間七緣膜156之鄰近槪極152e的部分職有—第二間隔件 S2〇 且第严曰 11W牛S1和第二間隔件S2的高度總和較第一基板 之隔牆I的高度為高。 、此外更形成有分別與源極152b和汲極152c電性連接之源 158a 158b 〇 5 s； 16 1300252 •和姐極電極158b電性連接的導電層之第二連接電極^。 其中，此導電層可由與汲極電極腸相同的材料所形成。 此外，亦形成有-分隔絕緣膜（加⑹如㈣㈣版）⑼， 係用以區分相鄰之電晶體152，並露出第二連接電極以的—部分。 排列第-基板130和第二基板15G，以使第—連接電極〇與 第二連接電極C4電性連接’然後藉由一密封齊J14〇此密封並相互 連接。 在給定區域A4巾’於第一連接電極C3與第二連接_ 之間形成有-糊狀之電性接觸部R，其具有導電性、黏性、及财 熱性，亚且其主要基本材料包括有銀、銅、或金，因此有效地改 善了第一連接電極C3與第二連接電極C4之間的電性連接狀態。 具體來說，本發明第三實施例之應用電性接觸部R之發光裝 置的連接結構C3、C4、R可以解決以下問題，即，可避免於製造 過程中的誤差所導致的[連接電極C3或第二連接電極以的高 度差’致使於第-連接電極C3與第二連接電極c4之間引起不良 接觸的問題。 本發明亦可解決以下問題，即，可避免於連接第—基板、第 二基板130、150當中，由於於第一基板、第二基板i3〇、15〇的 -部分上出現應力射現象’制導致第—連接電極㈡與第二連 揍電極C4之間的浮起，而引起不良接觸部分的問題。 本發明亦可解決以下問題，即，可於驅動裝置進行驅動 17 1300252 所產生的熱而導致一拉 致使第一遠、 連接笔極03或是第二連接電極C4變形’ 題。、電極C3與第二連接電極C4之間引起不良接觸的問 本發明第三每 並不限於銀二Γ 性接觸部R的主要基本材料之金屬 J 4金0 例如’電性接觸 > 金。 Ό 可以採用銀、銅、或金中至少兩種的合 下面，將參照「筮< 例之製造發光壯¥ Θ」至「第11圖」据述本發明第-實施 4先裝置之步驟製程。 「弟ό圖」至「裳 相同比例顯示。 Θ」以與「第2圖」所示的主要部分以 第5圖」至「筮 — 一 圖」所不為本發明第一實施例之製造發 弟—基_之製縣驟之局㈣視圖。 如「第5圖」所干，, 意圖。其中，料對基板進行_化之步驟流程示 晶體（包括有一 區域ρ於一第一基板50上，並製備電 70 ^ ) 卩之電場。 、：弟基板50，以具有對應於畫素區域 如「第6弟ϋ基板科第二基板％係採用透明材料。 其中，在第二^所不，續不出形成驅動部分之步驟流程示意圖。 土反7〇上形成—電晶體72，以與第-基板50上之 18 1300252 晝素區域p相互對應。 具體來m麵7G上形献包括siNx和峨之石夕絕 緣材料組中選出之任—種材料製成的緩衝層。 於所形成的緩沉積—非晶歸。抽⑽础⑺η， —)’然後藉由加熱使其經受脫氫製程和結晶製程，因而形成多 晶石夕主動層。根據圖案化之多晶教動層，而保留主動層瓜。 接著，對主動層72a兩側噴注雜質，並對其進行熱處理，以 形成-源極72b和-錄72c，並在主動層瓜、源極瓜、和沒 極72c上形成一閘極絕緣膜74。 隨後’在閘極絕緣膜74對應於主動層瓜之局部區域上形成 -閑極72d。並於閉極絕緣膜74和間極如上形成一層間絕緣膜 (between·咖insulating mm) 76，猶形成_孔h，以分別使 源極72b和汲極72c的各部分露出。 如「第7圖」所示，顯示出形成連接電極接觸部之步歡流程 示意圖。其中，形成-源極電極78a和一雜電極應，以使得源 極72b和汲極72c分別通過接觸孔η而部分露出。 而且使汲極電極78b延伸至層間絕緣膜％上的給定區域，進 而形成與連接電極C1電性連接之部分汲極a]。 在層間絕賴76上，於源極電極1和祕電極娜上任音 地形成-分隔絕賴79，⑽分_之電_ 72，並使部分^ A2露出。 19 1300252 :面，將描述用於製造第1板5〇(其與第二基板％ 亚包括發光部）之各步驟製程。 ^ 厂第8圖」至厂笫岡 α 一 本發㈣—實施例之製造發 光衣置以-基板之製程步驟之局部剖視圖。 「第8圖」所示’顯示出對晝素區域進行圖案化之步驟流 矛王示意圖。其中，於繁一 # ijr；- 以基板50上任意地形成一第一電極52,並 且形成一隔牆絕緣層53，進而於笙币此μ 之晝素區域Ρ。 進而於弟一電才㈣上形成如厂第5圖」 另外，形成-連接電極絕緣層％，進而於距離隔牆絕緣層幻 一疋距離處形成-連接電極。隨後，於隔牆絕緣層Μ上形成隔牆 I ° 如「弟9圖」所示，顯示出形成連接電極之步驟流程示意圖。 其中，於連接馳絕_ 54上軸統比_!之妓為高之間

隔件s。 J 接著’形成有包括-個或更多個電荷噴射/傳送層和發光層之 發光部56 ’並且於發光部56上形成-第二電極58。 曰 因此，成—具有第_電極52、發光部％、及第二電極％ 之晝素區域P。 此和亦形成-連接電極C1，其包括有—連接電極絕緣層 間Μ牛S、及一與第二電極58電性連接之導電層。 如第10圖」及「第u圖」所示，在由形成電性接觸部並 20 54、 1300252 ，形成一糊狀之電性接 ，並且包括有銀、銅、 〃基板連接之步驟所形成的連接電極ci上 觸^ R其具有導電性、黏性、及耐熱性 或金中之任-種作為其主要基本材料。 例如’隨著將第一基板5〇傳送到連接電極 ==㈣㈣性_R，繼犧程而於連= 電極上形成電性接觸部Ro

柄50縣’將第—基板5G和第二餘7G彼此連接，以使第一基 部八、、之連接電極C1和第二基板7〇上之連接電極C1於露出之 刀及極A2中彼此對應’並域由電性接觸部r而彼此電性連 心另外，在電性接觸部R上施加蚊的光或熱，以使電性接觸 "硬化’進而完成本發明之發光装置。 根據本發明各種實施例具有上述結構的發光裝置，以改進習 %之連接電極的電接觸結構，進*實$見本發明的目的。 &儘管針對其中發光部分僅形成在第一基板上的情況描述了本 §彳本發㈣不限於此，發光部分可以任意地形成在第二基 、本I明所揭露之發光裝置可於發光部上應时機材料和無機 材料中的任一種或者兩種材料。 ^據^發日频露之實補巾，於發歧置之連接電極結構 /、有V電性、黏性、及耐熱性的糊狀電性接觸部改善了第一 基板和第二基板間之電性接肺度，因崎㈣於製程上的誤 21 l3〇0252 差、結構浮起、及驅動時產生之熱能，進而導致連接電極之不p 接觸的問題。 因此，本發明可以提高製程生產量、產品壽命、和可靠性。 雖然本發明圖式之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發 ^明。本領域之技術人員應當意識到在不脫離本發明所附之申請^ . 利範圍所揭示之本發明之精神和範圍的情況下，所作之更動與潤 鲁飾，均屬本發明之專利保護範圍之内。關於本發明所界定之保士蔓 範圍請參照所附之申請專利範圍。 【圖式簡單說明】 「第1圖」所示為習知技術之發光裝置之剖視示意圖及其主 要部分之局部放大剖視圖； ’、 第2圖」所示為本發明第一實施例之發光裝置之剖視示咅 圖及其主要部分之局部放大剖視圖； “ _ 第3 ®」所示為本發明第二實施例之發光裝置之剖補干立 圖及其主要部分之局部放大剖視圖，· 心 #4圖」所示為本發明第三實施例之發光裝置之剖視示音 圖及其衫部分之鱗放大舰® ; 心 罘5 ®」至「第7圖」所示為本發縣-實施例之製造私 1置之第二基板之製程步驟之局部剖視圖，·以及 " 壯Ύ圖」至「第n圖」所示為本發明第一實施例之製造發 衣置之第一基板之製程步驟之局部剖視圖。 22 1300252 【主要元件符號說明】 10、50、90、130

13、53、93、133 14、54、94、134 16、56、96、136 18 30、70、110、150 32、72、112、152 32a、72a、112a、152a 32b、72b、112b、152b 32c、72c、112c、152c 32d、72d、112d、152d 34、74、114、154

36、76、116、156 38a、7$a、118a、158a 38b、78b、118b、158b 39、79、119、159 40、80、100、140 52、92、132 58、98、138 第一基板 陽極 隔牆絕緣層 連接電極絕緣層 發光部 陰極 第二基板 電晶體 主動層 源極 没極 閘極 閘極絕緣膜 層間絕緣膜 源極電極 >及極電極 分隔絕緣膜 密封劑 第一電極 第二電極 23 1300252 A卜A2 露出之部份没極 A3、A4 給定區域 c、cn、C2 連接電極 C3 第一連接電極 C4 第二連接電極 D 連接部 I 隔牆 H 接觸孔 S 間隔件 SI 第一間隔件 S2 第二間隔件 P 晝素區域 R 電性接觸部

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Claims (1)

1. l3〇〇252 十、申請專利範圍： h 一種發光裝置，其包括有： 一弟一畫素，係設置於-第—基板上，且該第—晝素具有 一設置於兩電極間之發光部； 、 電曰曰體，係形成於-第二基板上，並相對於該第一基板； -連接電極’係自該兩電極中之其中之一延伸形成;以及 —紐接觸部，健該連接電極及該f Μ之汲極相互面 接觸。 2.如申請專利範圍第〗項所述之發光裝置，其中更包括有一第二 晝素’係設置於該第二基板上之鄰近該電晶體之區域上，且該 第二晝素具有_設置於兩電關之發光部，其中該兩電極中二 任一係與該電晶體電性連接。 3· ^申請專利範圍第！項所述之發光裝置，其中該電性接觸部包 有-由銀、銅、或金中任一種形成之糊狀物。 4·=申請專·_丨項所述之發光裝置，其中該電性接觸部包 5.有一由銀、鋼、或金中至少兩種合金形成之糊狀物。 如申凊專職圍第1項所述之發錄置，其中該第_晝素之發 光部包括有一有機材料或是一無機材料。一 2睛專利範圍第2項所述之發光裝置，其中該第二晝素之發 「祀部包括有-有機材料或是一無機材料。 •、種發光裝置，其包括有： —第—晝素’係設置於-第—基板上，且該第—晝素具有 25 1300252 —設置於兩電極間之發光部； 一電晶體，係形成於一第二基板上，並相對於該第一基板; 一連接電極，係自該電晶體之汲極延伸形成；以及 一電性接觸部，係與該兩電極中之其中之一及該連接電極 相互面接觸。 8·如中請專纖圍第7顿述之發絲置，其巾更包括有一第二 晝素，係設置於該第二基板上之鄰近該電晶體之區域上，且該 弟二晝素具有一設置於輯極間之發絲，其中該兩電極中之 任一係與該電晶體電性連接。 申明專利範目第7項所述之發光裝置，其巾該電性接觸部包 括有一由銀、銅、或金中任一種形成之糊狀物。 10.如申請專利蘭第7項所述之發光裝置，其中該電性接觸部包 1有由銀銅'或金中至少兩種合金形成之糊狀物。 U·如申請專利範圍第7項所述之發光裝置，其中該第一晝素之發 光邛包括有一有機發光層或是一無機發光層。 12.如=請專利範圍f 8項所述之發錄置，其中該第二晝素之發 光部包括有—有機發光層或是-無機發光層。 13·〜種發光裝置，其包括有： 气―第-晝素，係設置於-第—基板上，且該第—晝素具有 設置於兩電極間之發光部； 電曰曰體，係形成於-第二基板上，並相對於該第一基板； 26 1300252 一第一連接電極，係自該兩電極中之其中之一延伸形成； 一第一連接電極，係自該電晶體之汲極延伸形成；以及 一電性接觸部，係與該第一連接電極及該第二連接電極相 互面接觸。 14·如申請專利範圍第13項所述之發光裝置，其中更包括有一第 一晝素，係設置於該第二基板上之鄰近該電晶體之區域上，且 該第二晝素具有-設置於兩電極間之發光部，其中該兩電極中 之任一係與該電晶體電性連接。 &如申請專利範圍第13項所述之發光裝置，其中該電性接觸部 包括有一由銀、銅、或金中任一種形成之糊狀物。 16.如申請專利細第13項所述之發光裝置，其中該電性接觸部 包括有-由銀、銅、或金中至少兩種合金形成之糊狀物。 如申請專利範圍第13項所述之 之 發光部包括有-有機發光層或是一無機發先層怜弟—畫素 18.如申請專利範圍第14項所述之發 發光部包括有-有機發光層或是_無機發光層怜弟—畫素 19·種衣4發光裝置之方法，其包括以下步驟： 晉於形成一第一晝素於—第一基板上，且該第一畫素具有〆譟 置於兩電極間之發光部； 形成一電晶體於一第二基板上； 自該兩電極中之其中之—延伸形成一連接電極；以及 27 1300252 形成-電性接觸部，並與該連接電極及該電晶體之汲極相 互面接觸。 之方法，其中更 20.如申請專利顧第19項所述之製造發光裝置 包括有： ^ 心成-第—畫素於該第二基板上之鄰近該電晶體之區域 上，且該第二書辛且有一畔署於；^ 雷朽兩電極間之發光部，其中該兩 電極中之任一係與該電晶體電性連接。 21.如申睛專利範圍第19項所述之製造發光健之方法4 電性接觸部包括有—由銀、銅、或金巾任— * 、 ° 泣如申請專利範圍第21項所述之製造發光裳置之/方法，= 由熱或光之方式令該糊狀物硬化。 ^寿 23.如申請__ 19顧述之製造發林置之方法 電1·生接觸部包括有一由銀、銅、或金中至少合成" 狀物。 裡0至形成之卷 其中藉 其中藉 其中該 其中該 24·如申明專利範圍第23項所述之製造發光褒置之方法 由熱或光之方式令該糊狀物硬化。 25·如申請專纖㈣19顿述之製造發絲置之方法 由印刷方式形成該電性接觸部。 26·^申請專利範圍第19項所述之製造發紐置之方法 第=素之發光部包括有一有機材料或是一無機材料 如申請專利範圍第2〇項所述之製造發光襄置之方法 28 13〇〇252 第二晝素之發光部包括有—有機材料或是—無機材料。 28. -種製造發絲置之方法，其包括以下步驟： 形成-第-晝素於—第—基板上，且該[晝素具有一設 置於兩電極間之發光部； 形成一電晶體於一第二基板上； 自該電晶體之汲極延伸形成一連接電極；以及 形成—紐接觸部，並與該兩電極中之任—及該連接電極 相互面接觸。 9.如申凊專利範圍第28項所述之製造發光|置之方法，其中更 包括有： 上，Μ#弟一晝素於該第二基板上之鄰近該電晶體之區域 :且知二晝素具有—設置於兩雜間之發光部，其中該兩 電極中之任_係與該電晶體電性連接。 ^ 30·如申請專利範圍第％項所述之製造發光裝置之方法， 31. ^ 月利乾園第30項所述之製造發光裝置之方法，且中 2熱錢之方式令該祿物魏。 9 。申明專利龜圍第28項所述之製造發光裝置之方法，复 2接觸部包括有—由銀、銅、或金中至少兩種合金形成之: 利範園第32項所述之製造發光裝置之方法，其中夢 29 1300252 由熱或光之方式令該糊狀物硬化。 34. 如申請專利範圍$ 28項所述之製造發光裝置之方法，其中藉 由印刷方式形成該電性接觸部。 9 35. 如申請專利範圍$ 28項所述之製造發光裝置之方法，其中該 第-晝素之航部分包括有-有機材料或是—無機材料 36. 如中請專利範圍第29項所述之製造發光裝置之方法，其中該 第二晝素之發光部包括有一有機材料或是一無機材料 37. -種製造發絲置之方法，其包括有町步驟： 形成-第-畫素於-第-基板上，且該第—晝素真有一設 置於兩電極間之發光部； 形成一電晶體於一第二基板上，· 自該兩電極中之其中之-延伸形成-第-連接電極； 自該電晶體之汲極延伸形成—第二連接電極；以及 形成-紐觸部’倾該第—連接f極及該第二連接電 極相互面接觸。 38.如申％專利細第37項所述之製造發光裝置 包括有： < 上軸-第二畫素於該第二基板上之鄰近該電晶體之區域 ，且該弟二晝素具有—設置麵雜間之部 電極中之任-係與該電晶體電性連接。 〃中該兩 39.如申請專利朗第37項所述之製造發光裝置之方法，射該 30 1300252 紐接觸部包括有一由銀、銅、或金中任一 4〇.如申請專利範園第％項所述之製造發光裝之糊狀物。 由熱或光之方式令該雛物硬化。 方法，其中轉 41. 如申喷專利範圍第37項所述之製造發光裝置之方法，龙 =接觸部包括有一由銀、銅、或金中至少兩種合金形::: 42. 如申請專利範圍第41項所述之製造發光裝置之方法，其中藉 由熱或光之方式令該糊狀物硬化。 、错 43·如申研專利範圍帛37項所述之製造發光裝置之方法，其中藉 由印刷方式形成該電性接觸部。 44·如申請專利範圍第37項所述之製造發光裝置之方法，其中該 第一晝素之發光部包括有一有機材料或是一無機材料。 45·如申清專利範圍第％項所述之製造發光裝置之方法，其中該 第二晝素之發光部包括有一有機材料或是一無機材料。 31