WO2022227518A1 - 发光基板及其制备方法和发光装置 - Google Patents
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Abstract
一种发光基板，包括：衬底、设置于所述衬底上，且位于每个辅助阴极区的耦接部和辅助阴极图案，耦接部位于辅助阴极图案靠近衬底的一侧，并与辅助阴极图案耦接；每个辅助阴极图案包括：至少一个隔断部，每个隔断部包括沿远离衬底的方向依次层叠的第一导电图案层、第二导电图案层和第三导电图案层，第二导电图案层的边沿在衬底上的正投影位于第三导电图案层的边沿和第一导电图案层的边沿在衬底上的正投影以内；至少一个隔断部的第三导电图案层的边沿的总长度大于辅助阴极区的边沿的长度。
Description
本申请要求于2021年04月28日提交的、申请号为202110467821.6的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种发光基板及其制备方法和发光装置。
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)具有自发光、广视角、反应时间快、发光效率高、工作电压低、基板厚度薄、可制作大尺寸与可弯曲式基板及制程简单等特性，被誉为下一代的“明星”显示技术。
发明内容
一方面，提供一种发光基板，所述发光基板具有多个发光区和非发光区，所述非发光区包括至少一个辅助阴极区；所述发光基板包括：衬底、设置于所述衬底上，且位于每个辅助阴极区的耦接部和辅助阴极图案，所述耦接部位于所述辅助阴极图案靠近所述衬底的一侧，且所述辅助阴极图案与所述耦接部耦接；每个辅助阴极图案包括：至少一个隔断部，每个隔断部包括沿远离所述衬底的方向依次层叠的第一导电图案层、第二导电图案层和第三导电图案层，所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影位于所述第三导电图案层的边沿和所述第一导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影以内，且所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影和所述第三导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影之间具有第一间隙，所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影和所述第一导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影之间具有第二间隙；所述至少一个隔断部的所述第三导电图案层的边沿的总长度大于所述辅助阴极区的边沿的长度。
在一些实施例中，所述至少一个隔断部包括沿第一方向依次排列的第一隔断部和第二隔断部，所述第一隔断部的所述第三导电图案层和所述第二隔断部的所述第三导电图案层均包括沿所述第一方向依次排列的第一边沿和第二边沿，以及连接在所述第一边沿和所述第二边沿之间的第三边沿和第四边沿；其中，两个所述第一边沿分别与所述辅助阴极区沿所述第一方向排列的两个边沿重叠，两个所述第二边沿均位于两个所述第一边沿之间；所述第一方向是所述辅助阴极区的一个边沿的延伸方向。
在一些实施例中，在两个所述第二边沿中，至少一个第二边沿包括沿第 二方向延伸，且沿所述第一方向两两交错排列的多个第一延伸段，以及连接在每相邻的两个第一延伸段之间的第二延伸段，所述第一方向和所述第二方向垂直。
在一些实施例中，所述第二延伸段沿所述第一方向延伸。
在一些实施例中，所述第一延伸段为三个，沿所述第二方向，位于中间的所述第一延伸段相对于位于两侧的两个所述第一延伸段靠近所述第一边沿，位于两侧的两个所述第一延伸段位于沿所述第二方向延伸的同一直线上。
在一些实施例中，所述辅助阴极图案和所述耦接部之间还设置有绝缘层，所述绝缘层中设置有第一过孔，所述第一隔断部通过所述第一过孔与所述耦接部耦接。
在一些实施例中，所述第一过孔的边沿在所述衬底上的正投影位于所述第一隔断部的所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影以内，且所述第一过孔的边沿在所述衬底上的正投影与所述第一隔断部的所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影之间具有第三间隙，所述第三间隙小于或等于5μm。
在一些实施例中，所述第一过孔的边沿在衬底上的正投影与所述第一隔断部的所述第三导电图案层的边沿在衬底上的正投影大致平行。
在一些实施例中，所述绝缘层中还设置有第二过孔，所述第二隔断部通过所述第二过孔与所述耦接部耦接。
在一些实施例中，所述第二过孔的边沿在所述衬底上的正投影位于所述第二隔断部的所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影以内，所述第二过孔的边沿在所述衬底上的正投影与所述第二隔断部的所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影之间具有第四间隙，所述第四间隙小于或等于5μm。
在一些实施例中，所述第二过孔的边沿在衬底上的正投影与所述第二隔断部的所述第三导电图案层的边沿在衬底上的正投影大致平行。
在一些实施例中，还包括：位于所述多个发光区和所述非发光区的第一导电薄膜；所述第一导电薄膜包括位于所述第一间隙处的部分，所述第一导电薄膜位于所述第一间隙处的部分与所述第一导电图案层位于所述第一间隙处的部分接触。
在一些实施例中，还包括：位于所述多个发光区和所述非发光区的具有发光功能的薄膜；所述具有发光功能的薄膜位于所述第一导电薄膜靠近所述衬底的一侧，且所述具有发光功能的薄膜在所述第一间隙处无覆盖。
在一些实施例中，所述第二间隙大于或等于所述第一间隙，所述第一间隙大于或等于0.5μm。
在一些实施例中，在所述衬底上，且位于所述第一隔断部和所述第二隔断部之间，作垂直于所述第一方向的参考平面，所述第一隔断部和所述第二隔断部的结构相对于所述参考平面呈镜像对称。
在一些实施例中，所述第一导电图案层和所述第三导电图案层的材料均为透明材料，所述第二导电图案层的材料为金属材料。
另一方面，提供一种发光装置，包括：如上所述的发光基板。
又一方面，提供一种发光基板的制备方法，所述发光基板具有多个发光区和非发光区，所述非发光区包括至少一个辅助阴极区；所述制备方法包括：
在衬底上且位于每个辅助阴极区形成耦接部和辅助阴极图案，所述耦接部位于所述辅助阴极图案靠近所述衬底的一侧，且所述辅助阴极图案与所述耦接部耦接；每个辅助阴极图案包括：至少一个隔断部，每个隔断部包括沿远离所述衬底的方向依次层叠的第一导电图案层、第二导电图案层和第三导电图案层，所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影位于所述第三导电图案层的边沿和所述第一导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影以内，且所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影和所述第三导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影之间具有第一间隙，所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影和所述第一导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影之间具有第二间隙；所述至少一个隔断部中所述第三导电图案层的边沿的总长度大于所述辅助阴极区的边沿的长度。
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据一些实施例的发光基板的俯视结构图；
图2为基于图1的一种A-A’方向的剖视结构图；
图3为根据另一些实施例的发光基板的俯视结构图；
图4为根据另一些实施例的发光基板的俯视结构图；
图5为基于图1的另一种A-A’方向的剖视结构图；
图6为相关技术提供的一种辅助阴极图案的俯视结构图；
图7为根据一些实施例的辅助阴极图案的俯视结构图；
图8为根据另一些实施例的辅助阴极图案的俯视结构图；
图9为基于图8的B-B’方向的剖视结构图；
图10为根据一些实施例的第一过孔和第二过孔的俯视结构图；
图11为根据一些实施例的在衬底上形成薄膜晶体管、遮光层和缓冲层的流程图；
图12为根据一些实施例的在衬底上形成第一电极和辅助阴极图案的流程图；
图13为根据另一些实施例的衬底上形成第一电极和辅助阴极图案的流程图。
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如，描述一些实施例时可能使用了术 语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而，术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样，“约”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
本公开的一些实施例提供了一种发光装置，该发光装置包括发光基板，当然还可以包括其他部件，例如可以包括用于向发光基板提供电信号，以驱动该发光基板发光的电路，该电路可以称为控制电路，可以包括与发光基板电连接的电路板和/或IC(Integrate Circuit，集成电路)。
在一些实施例中，该发光装置可以为照明装置，此时，发光装置用作光源，实现照明功能。例如，发光装置可以是液晶显示装置中的背光模组，用于内部或外部照明的灯，或各种信号灯等。
在另一些实施例中，该发光装置可以为显示装置，此时，该发光基板为显示基板，用于实现显示图像(即画面)功能。发光装置可以包括显示器或 包含显示器的产品。其中，显示器可以是平板显示器(Flat Panel Display，FPD)，微型显示器等。若按照用户能否看到显示器背面的场景划分，显示器可以是透明显示器或不透明显示器。若按照显示器能否弯折或卷曲，显示器可以是柔性显示器或普通显示器(可以称为刚性显示器)。示例的，包含显示器的产品可以包括：计算机显示器，电视，广告牌，具有显示功能的激光打印机，电话，手机，个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)，膝上型计算机，数码相机，便携式摄录机，取景器，车辆，大面积墙壁，剧院的屏幕或体育场标牌等。
本公开的一些实施例提供了一种发光基板1，如图1和图2所示，该发光基板1具有多个发光区A和非发光区B。其中，发光区A顾名思义就是发光的区域，非发光区B就是除发光区A以外的区域。
在一些实施例中，如图2所示，发光基板1包括：衬底11、设置于衬底11上的像素界定层12和多个发光器件13，其中，该像素界定层12具有多个开口Q，多个发光器件13可以与多个开口Q一一对应设置。这里的多个发光器件13可以是发光基板1包含的全部或部分发光器件13；多个开口Q可以是像素界定层12上的全部或部分开口。
如图2所示，每个发光器件13可以包括第一电极131和第二电极132，以及设置于第一电极131和第二电极132之间的发光功能层133。第一电极131相对于第二电极132更靠近衬底11，且第一电极131设置于像素界定层12靠近衬底11的一侧，一个开口Q对应的区域构成一个发光区A，位于每个开口Q以外的区域即为非发光区B。
其中，如图2所示，上述第一电极131可以为阳极，第二电极132为阴极，或者，第一电极131为阴极，第二电极132为阳极。
在以下的实施例中，仅以第一电极131为阳极，第二电极132为阴极为例对本公开的实施例进行说明。
在以下的实施例中，该发光基板1可以为OLED发光基板，此时，发光功能层133可以包括发光层(Emission layer，EML)。发光层EML可以包括设置于一个开口Q中的部分。当然，为了提高电子和空穴注入发光层EML的能力，可选的，该发光功能层133还可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的至少一者。其中，空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的每一层均可以为公共层，为整层的结构。发光层EML以及空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层可以均通过蒸镀形成。
在一些实施例中，为了降低蒸镀所采用的金属掩膜板的制作难度和制作成本，发光层EML也可以为整层的结构。
在以下的实施例中，以发光功能层133中的发光层EML为整层的结构为例对本公开的实施例进行说明。
在一些实施例中，如图1和图2所示，非发光区B包括至少一个辅助阴极区C。辅助阴极区C顾名思义是用于制作辅助阴极图案的区域。本领域技术人员能够理解的是，为了实现发光，示例的，如图3所示，该发光基板1还可以包括：多个像素驱动电路100。结合图3和图2，每个像素驱动电路100可以包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，薄膜晶体管TFT示例的可以为顶栅型薄膜晶体管，从下到上依次包括有源层101、栅绝缘层102、栅极103、层间绝缘层104以及源极105和漏极106。其中，以该薄膜晶体管TFT为P型薄膜晶体管为例，薄膜晶体管TFT的漏极106与发光器件13的阳极耦接，向一个发光器件13的阳极传输正电(﹢)，以及向该发光器件13的阴极传输负电(﹣)，使阳极和阴极之间形成电场，驱动发光器件13发光。在此过程中，为了提高发光器件13的发光效率，如图2所示，该发光基板1还可以包括：设置于衬底11上且位于每个辅助阴极区C的耦接部14和辅助阴极图案15，该耦接部14位于辅助阴极图案15靠近衬底11的一侧。在制作像素驱动电路100的源极105和漏极106时，在辅助阴极区C制作出耦接部14，在制作阳极时，在辅助阴极区C制作出辅助阴极图案15，通过辅助阴极图案15使阴极与耦接部14搭接，从而降低阴极电阻，可以减薄阴极厚度，增加阴极透过率和提高发光效率，降低功耗。
辅助阴极图案15的形成，需要利用“工”字型结构来阻断上述发光层EML，从而使得阴极搭接在辅助阴极图案15上，辅助阴极图案15通过设置于辅助阴极图案15和耦接部14之间的绝缘层(如钝化层107和平坦层108)中的过孔O搭接在耦接部14上，这样就完成了阴极和耦接部14的搭接。
在一些实施例中，在上述像素驱动电路100中，薄膜晶体管TFT的有源层101的材料可以为IGZO(indium gallium zinc oxide，氧化铟镓锌)，厚度可以为300nm～500nm。栅极103、源极105、漏极106和耦接部14的材料可以为金属铜、钼或铜钼合金，厚度可以为3000nm～6000nm，栅绝缘层102、层间绝缘层104和钝化层107的材料可以为绝缘材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅之类，其中，栅绝缘层102的厚度可以为1000nm～2000nm，层间绝缘层104的厚度可以为5000nm～8000nm，钝化层107的厚度可以为3000nm～6000nm，平坦层108的材料可以为亚克力材料。
当然，为了对薄膜晶体管TFT进行遮光，如图2所示，该发光基板1还可以包括：遮光层16。该遮光层16的材料可以为钼、或钼铝合金，或者Mo/Al/Mo层叠的结构，厚度可以为1000nm～2000nm。
在另一些实施例中，如图2所示，该发光基板1还包括：缓冲层17。缓冲层17的材料可以为SiO，厚度可以为2000nm～5000nm。
在一些实施例中，如图1和图4所示，为一种发光基板1中多个发光区A呈阵列形式排布的俯视结构图，在图1和图4中，用矩形块表示发光区A，除发光区A以外的区域为非发光区B，这时，如图1所示，辅助阴极区C可以位于两个矩形块之间，或者，如图3所示，辅助阴极区C可以位于四个矩形块所围合区域的中心。
在一些实施例中，如图2所示，每个辅助阴极图案15包括：至少一个隔断部151，每个隔断部151包括沿远离衬底11的方向依次层叠的第一导电图案层151a、第二导电图案层151b和第三导电图案层151c，第二导电图案层151a的边沿在衬底11上的正投影位于第三导电图案层151c的边沿和第一导电图案层151a的边沿在衬底11上的正投影以内，且第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影和第三导电图案层151c的边沿在衬底11上的正投影之间具有第一间隙g1，第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影和第一导电图案层151a的边沿在衬底11上的正投影之间具有第二间隙g2。
在这些实施例中，第二导电图案层151a的边沿在衬底上的正投影位于第三导电图案层151c的边沿和第一导电图案层151a的边沿在衬底11上的正投影以内，是指，第三导电图案层151c的边沿和第一导电图案层151a的边沿在衬底11上的正投影均超出第二导电图案层151a的边沿在衬底11上的正投影，也即，每个隔断部151的纵截面形状为“工”字型。
在一些实施例中，如图2和图5所示，该发光基板1还包括：位于每个发光区A的第一电极131，如图5所示，每个第一电极131包括：与第一导电图案层151a同层设置的第四导电图案层151d。或者，如图2所示，每个第一电极131包括：沿远离衬底11的方向依次层叠的第五导电图案层151e、第六导电图案层151f和第七导电图案层151g，第五导电图案层151e和第一导电图案层151a同层设置，第六导电图案层151f与第二导电图案层151b同层设置，第七导电图案层151g与第三导电图案层151c同层设置。
在这些实施例中，第一电极131即为上述的阳极，在第一电极131包括第四导电图案层151d的情况下，第四导电图案层151d可以与第一导电图案层151a通过同一次构图工艺形成，在第一电极131包括第五导电图案层151e、 第六导电图案层151f和第七导电图案层151g的情况下，第五导电图案层151e与第一导电图案层151a通过同一次构图工艺形成，第六导电图案层151f与第二导电图案层151b通过同一次构图工艺形成，第七导电图案层151g与第三导电图案层151c通过同一次构图工艺形成。
在一些实施例中，如图2和图5所示，第一导电图案层151a和第三导电图案层151c的材料为透明材料，第二导电图案层151b的材料为金属材料。
在这些实施例中，第一导电图案层151a和第三导电图案层151c的材料可以相同，在形成“工”字型结构时，可以采用高选择比的刻蚀液对第二导电图案层151b的材料进行刻蚀，在刻蚀过程中，第二导电图案层151b的材料的被刻蚀速率大于第一导电图案层151a和第三导电图案层151c的材料的被刻蚀速率，从而形成“工”字型结构。
其中，第一导电图案层151a和第三导电图案层151c的材料可以选自ITO(Indium Tin Oxides，氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等透明导电材料。第二导电图案层151b的材料可以选自银及其合金、铝及其合金等金属材料。
在第一电极131包括第四导电图案层151d的情况下，第四导电图案层151d的材料可以与第一导电图案层151a的材料相同，均为透明导电材料，此时，该发光基板1可以是底发射型发光基板，在此情况下，第二电极132的材料可以选自低功函材料，如金属Al、Ag或Mg，或者低功函的金属合金材料(如镁铝合金、镁银合金)等。
在第一电极131包括第五导电图案层151e、第六导电图案层151f和第七导电图案层151g的情况下，第五导电图案层151e的材料与第一导电图案层151a的材料相同，第六导电图案层151f的材料与第二导电图案层151b的材料相同，第七导电图案层151g的材料与第三导电图案层151c的材料相同，该发光基板1可以是顶发射型发光基板，在此情况下，第二电极132的材料可以选自低功函材料的金属Al、Ag或Mg，或者低功函的金属合金材料(如镁铝合金、镁银合金)等，且第一电极132的厚度较薄，以实现透光。
在一些实施例中，如图2和图4所示，发光基板1还包括：设置于衬底11上且位于多个发光区A和非发光区B的第一导电薄膜110，该第一导电薄膜110包括位于第一间隙g1处的部分，且第一导电薄膜110位于第一间隙g1处的部分与第一导电图案层151a接触。
也即，该第一导电薄膜110可以是上述阴极，该阴极整层覆盖在衬底11上，且该阴极与第一导电图案层151a接触，从而使阴极与辅助阴极图案15 搭接。
在一些实施例中，如图2和图4所示，发光基板1还包括：设置于衬底11上，且位于多个发光区A和非发光区B的具有发光功能的薄膜120，该具有发光功能的薄膜120在第一间隙g1处无覆盖。
也即，该具有发光功能的薄膜120可以通过蒸镀形成，在非发光区B，由于第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影位于第三导电图案层151c的边沿在衬底11上的正投影以内，且第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影和第三导电图案层151c的边沿在衬底11上的正投影之间具有第一间隙g1，因此，在蒸镀该具有发光功能的薄膜120时，由于第三导电图案层151c对第一间隙g1的遮挡，该具有发光功能的薄膜120仅包括形成在发光区A的部分和形成在第三导电图案层151c远离衬底11表面的部分，在第一间隙g1处无覆盖。这样，可以在后续形成第一导电薄膜110时，为第一导电薄膜110和辅助阴极图案15搭接预留出该第一间隙g1。
上述第一导电薄膜110位于第一间隙g1处的部分是否全部与第一导电图案层151a接触，还取决于第二间隙g2相对于第一间隙g1的尺寸大小，如图2和图5所示，在第二间隙g1的尺寸大于或等于第一间隙g1的尺寸的情况下，第一导电薄膜110位于第一间隙g1处的部分全部与第一导电图案层151a接触，而在第二间隙g2的尺寸小于第一间隙g1的尺寸的情况下，第一导电薄膜110位于第一间隙g1处的部分中仅有一部分与第一导电图案层151接触，由此可知，为了提高第一导电薄膜110和辅助阴极图案15的搭接面积，可选的，第二间隙g的尺寸大于或等于第一间隙g1的尺寸。
参见图2和图5，在上述第二间隙g2的尺寸大于或等于第一间隙g1的尺寸的情况下，上述第一导电薄膜110和辅助阴极图案15搭接的面积取决于第一间隙g1的尺寸和第三导电图案层151c的边沿的长度。
如图6所示，为相关技术提供的一种辅助阴极图案15的俯视结构图，由图6可知，该辅助阴极图案15包括一个隔断部151，该隔断部151中各导电图案层的边沿的形状均为矩形，该辅助阴极图案15中与第一导电薄膜搭接的区域的形状为方环形，该方环形由第三导电图案层151c的边沿在衬底11上的正投影和第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影围合而成，该辅助阴极图案15与第一导电薄膜搭接的面积就等于该方环形的面积，该方环形的面积与第三导电图案层151c的边沿的长度和第一间隙g1的尺寸有关。
这里，以该辅助阴极图案15中第三导电图案层151c的边沿所围合的区域即为辅助阴极区C为例，在辅助阴极区C的面积确定，以及第二间隙g1 的尺寸大于或等于第一间隙g2的尺寸的情况下，为了增大辅助阴极图案15与第一导电薄膜110的搭接面积，可以通过增大第一间隙g1的尺寸和/或增长第三导电图案层151c的边沿的长度来实现。
基于此，在一些实施例中，如图7和图8所示，上述至少一个隔断部151的第三导电图案层151c的边沿的总长度大于辅助阴极区C的边沿的长度。
在这些实施例中，与相关技术中隔断部151的个数为一个相比，一方面，隔断部151的个数可以为一个或两个以上，另一方面，通过使上述至少一个隔断部151的第三导电图案层151c的边沿的总长度大于辅助阴极区C的边沿的长度，在第一间隙g1的尺寸不变的情况下，可以在辅助阴极区C的面积确定的情况下，增大辅助阴极图案15和第一导电薄膜110的搭接面积，从而可以在有限的辅助阴极区C实现辅助阴极图案15和第一导电薄膜110较大的搭接面积，有利于降低阴极电阻，降低功耗，从而可以减薄阴极的厚度，同时，在该发光基板1为顶发射型发光基板的情况下，通过减薄阴极的厚度，还可以增加阴极透过率，提高发光效率。
在此，需要说明的是，在本公开的实施例中，仅是以辅助阴极图案15中第三导电图案层151c的边沿的形状为矩形为例进行的说明，本领域技术人员能够理解的是，随着辅助阴极图案15中第三导电图案层151c的边沿的形状可以为其他任意形状，辅助阴极区C的边沿的形状也可以为其他任意形状，在此不做具体限定。示例的，辅助阴极图案15中第三导电图案层151c的边沿的形状还可以是圆形，这时，辅助阴极区C的边沿的形状也是圆形。在以下的实施例中，均以该辅助阴极区C的边沿的形状为矩形为例进行说明。
另外，还需要说明的是，在上述辅助阴极区C的边沿的形状确定的情况下，对本公开的实施例提供的每个隔断部151中第三导电图案层151c的边沿的形状也不作具体限定，只要上述至少一个隔断部151中第三导电图案层151c的边沿的长度大于该辅助阴极区C的边沿的长度即可。示例的，在上述辅助阴极区C的边沿的形状为矩形的情况下，上述至少一个隔断部151可以包括一个隔断部151，该隔断部151中第三导电图案层151c的边沿的形状可以如图7中第三导电图案层151的边沿所示。
在一些实施例中，如图7和图8所示，第一间隙g1大于或等于0.5μm。
在这些实施例中，通过将第一间隙g1的尺寸限定在大于或等于0.5μm，可以保证第一间隙g1较大的尺寸，从而能够在隔断部151中第三导电图案层151c的边沿的总长度不变的情况下，进一步提高第一导电薄膜110和辅助阴极图案15的搭接面积。
在一些实施例中，如图8和图9所示，上述至少一个隔断部151包括沿第一方向(如图8和图9中箭头a所示方向)依次排列的第一隔断部151A和第二隔断部151B，第一隔断部151A的第三导电图案层151c和第二隔断部151B的第三导电图案层151c均包括沿第一方向依次排列的第一边沿10a和第二边沿10b，以及连接在第一边沿10a和第二边沿10b之间的第三边沿10c和第四边沿10d。其中，两个第一边沿10a分别与辅助阴极区C沿第一方向排列的两个边沿重叠，两个第二边沿10b均位于两个第一边沿10a之间；第一方向是辅助阴极区C的一个边沿的延伸方向。
在这些实施例中，通过设置第一隔断部151A和第二隔断部151B，可以形成两个第三导电图案层151c，与相关技术中第三导电图案层151c的边沿的形状为矩形相比，该辅助阴极图案15的第三导电图案层151c的边沿的形状近似为“吕”字型，第一导电薄膜110和辅助阴极图案15搭接的区域的形状为并列排列的两个方环形，可以增大第一导电薄膜110和辅助阴极图案15的搭接面积。
其中，对于每个隔断部151而言，第三边沿10c和第四边沿10d可以分别与辅助阴极区C沿第二方向(如图8中箭头b所示方向)排列的两个边沿重叠，第二方向与第一方向垂直。当然，需要说明的是，为了进一步增大辅助阴极图案15的第三导电图案层151c的边沿的总长度，第三边沿10c和第四边沿10d中的至少其中之一也可以其中部分延伸段与辅助阴极区C的边沿重叠，另一部分延伸段可以向辅助阴极区C的内部凹进。
在一些实施例中，如图8所示，在两个第二边沿10b中，至少一个第二边沿10b包括沿第二方向(如图8中箭头b所示方向)延伸，且沿第一方向两两交错排列的多个第一延伸段10_1，以及连接在每相邻的两个第一延伸段10_1之间的第二延伸段10_2，第一方向和第二方向垂直。
在这些实施例中，由于至少一个第二边沿10b由第一延伸段10_1和第二延伸段10_2连接而成，与第二边沿10b为沿第二方向延伸的直线形相比，能够进一步增大辅助阴极图案15的第三导电图案层151c的边沿的总长度，从而可以进一步增大第一导电薄膜110和辅助阴极图案15的搭接面积。
在一些实施例中，如图8所示，第二延伸段10_2沿第一方向延伸。可以降低每个隔断部151的制作难度，并能够降低制作辅助阴极图案15所采用的掩膜板的制作难度。
在一些实施例中，如图8所示，第一延伸段10_1为三个，沿第二方向，位于中间的第一延伸段10_1相对于位于两侧的第一延伸段10_1靠近第一边 沿10a，位于两侧的第一延伸段10_1位于沿第二方向延伸的同一直线上。也即，第二边沿10b的中部向第一边沿10a一侧凹进，可以在第一边沿10a、第三边沿10c和第四边沿10d在衬底11上的正投影均与辅助阴极区C的边沿在衬底11上的正投影重叠的情况下，尽可能地延长第二边沿10b的长度，从而能够最大程度上增大第一导电薄膜110和辅助阴极图案15的搭接面积。同时，与每个隔离部151的形状为其他形状(如第一边沿10a、第二边沿10b、第三边沿10c和第四边沿10d均采用类似于第二边沿10b的形状，也即每个隔断部151的第三导电图案层151c的边沿的形状为十字形)相比，还能够降低每个隔断部151的制作难度，并能够降低制作辅助阴极图案15所采用的掩膜板的制作难度。
在一些实施例中，如图9所示，辅助阴极图案15和耦接部14之间还设置有绝缘层(示例的，该绝缘层可以包括钝化层107和平坦层108)，绝缘层中设置有第一过孔O1，第一隔断部151A通过第一过孔O1与耦接部14耦接。
在这些实施例中，通过使第一隔断部151A通过第一过孔O1与耦接部14耦接，即可使第一导电薄膜110与第一隔断部151A的第一导电图案层151a搭接，而根据第一导电薄膜110还与第二隔断部151B的第一导电图案层151a搭接，可以得知，第二隔断部151B也与耦接部14耦接。
在一些实施例中，如图9和图10所示，第一过孔O1的边沿在衬底11上的正投影位于第一隔断部151A的第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影以内，且第一过孔O1的边沿在衬底11上的正投影与第一隔断部151A的第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影之间具有第三间隙g3，第三间隙g3小于或等于5μm。
在这些实施例中，第一过孔O1的边沿在衬底11上的正投影位于第一隔断部151A的第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影以内，且第一过孔O1的边沿在衬底11上的正投影与第一隔断部151A的第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影之间具有第三间隙g3，是指，第一隔断部151A的第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影超出第一过孔O1的边沿在衬底11上的正投影。通过使第三间隙g3小于或等于5μm，能够保证第一过孔O1较大的尺寸，从而可以增大第一隔断部151A与耦接部14的接触面积，进一步降低阴极电阻。
在一些实施例中，结合图8、图9和图10，第一过孔O1的边沿在衬底11上的正投影与第一隔断部151A的第三导电图案层151c的边沿在衬底11上的正投影大致平行。
在一些实施例中，如图9和图10，绝缘层中还设置有第二过孔O2，第二隔断部151B通过第二过孔O2与耦接部14耦接。
在这些实施例中，通过设置第二过孔O2，并使第二隔断部151B通过第二过孔O2与耦接部14耦接，还能够进一步辅助阴极图案15与耦接部14的接触面积，进一步降低阴极电阻。
在一些实施例中，如图9和图10，第二过孔O2的边沿在衬底11上的正投影位于第二隔断部151B的第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影以内，第二过孔O2的边沿在衬底11上的正投影与第二隔断部151B的第二导电图案层151b的边沿在衬底上的正投影之间具有第四间隙g4，第四间隙g4小于或等于5μm。
在这些实施例中，第二过孔O2的边沿在衬底11上的正投影位于第二隔断部151B的第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影以内，且第二过孔O2的边沿在衬底11上的正投影与第二隔断部151B的第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影之间具有第四间隙g4，是指，第二隔断部151B的第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影超出第二过孔O2的边沿在衬底11上的正投影。通过使第四间隙g4小于或等于5μm，能够保证第二过孔O2较大的尺寸，从而可以增大第二隔断部151B与耦接部14的接触面积，进一步降低阴极电阻。
在一些实施例中，结合图8、图9和图10，第二过孔O2的边沿在衬底11上的正投影与第二隔断部151B的第三导电图案层151c的边沿在衬底11上的正投影大致平行。
在一些实施例中，如图8所示，在衬底11上，且位于第一隔断部151A和第二隔断部151B之间，作垂直于第一方向的参考平面CC'DD'，第一隔断部151A和第二隔断部151B的结构相对于该参考平面CC'DD'呈镜像对称。
第一隔断部151A和第二隔断部151B的结构相对于该参考平面CC'DD'呈镜像对称，是指第一隔断部151A和第二隔断部151B的结构互为镜像。
在这些实施例中，如图8和图9所示，通过对第一间隙g1的尺寸和辅助阴极图案15的形状进行合理设置，能够在有限的辅助阴极区C，最大程度上增大辅助阴极图案15与第一导电薄膜110的搭接面积，并增大辅助阴极图案15与耦接部14的接触面积，可以最大程度上降低阴极电阻，提高发光效率。
本公开的一些实施例提供一种发光基板的制备方法，该发光基板1具有多个发光区A和非发光区B，非发光区B包括至少一个辅助阴极区C。该制备方法包括：
在衬底11上且位于每个辅助阴极区C形成耦接部14和辅助阴极图案15，耦接部14位于辅助阴极图案15靠近衬底11的一侧，且辅助阴极图案15与耦接部14耦接。
其中，根据上述发光基板1还可以包括像素驱动电路100，像素驱动电路包括薄膜晶体管TFT，耦接部14可以与薄膜晶体管TFT的源极105和漏极106的材料相同，可以得知，在衬底11上且位于每个辅助阴极区C形成耦接部14的步骤可以与在衬底11上且位于每个发光区A形成薄膜晶体管TFT的源极105和漏极106的步骤通过同一次构图工艺形成。
在衬底11上且位于每个辅助阴极区C形成耦接部14之前，还可以包括：
在衬底11上且位于每个发光区A形成薄膜晶体管TFT中的有源层101、栅极103、栅绝缘层102和层间绝缘层104，如图11所示，具体步骤可以如下所示：
步骤1)在衬底11上通过沉积形成半导体(IGZO)薄膜，厚度可以为300nm～500nm，通过构图工艺形成有源层101。
步骤2)在形成有有源层101的衬底上沉积绝缘薄膜，示例的，该绝缘薄膜的材料可以为氧化硅，厚度为1000nm～2000nm，通过构图工艺形成栅绝缘层102，并在形成有栅绝缘层102的衬底上沉积金属薄膜，金属薄膜的材料为铜或铜钼合金，经过构图工艺形成栅极103。而后，在栅极103的遮盖下，利用干刻对有源层101上未被栅极103覆盖的区域进行导体化工艺。
步骤3)在衬底11上形成层间绝缘层104，并通过构图工艺在层间绝缘层104中形成第三过孔O3，而后形成源极105和漏极106时，使源极105和漏极106分别通过第三过孔与有源层101中导体化的部分搭接。
当然，为了对TFT进行遮光，如图11所示，在形成TFT之前，还可以包括：步骤10)在衬底11上形成遮光层16，该遮光层16的材料可以为钼、或钼铝合金，或者Mo/Al/Mo层叠的结构，厚度可以为1000nm～2000nm。以及在形成遮光层16之后，还形成缓冲层17。缓冲层1的材料可以为SiO，厚度可以为2000nm～5000nm。
在一些实施例中，如图9所示，每个辅助阴极图案15包括：至少一个隔断部151，每个隔断部151包括沿远离衬底11的方向依次层叠的第一导电图案层151a、第二导电图案层151b和第三导电图案层151c，第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影位于第三导电图案层151c的边沿和第一导电图案层151a的边沿在衬底11上的正投影以内，且第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影和第三导电图案层151c的边沿在衬底11上的正投 影之间具有第一间隙g1，第二导电图案层151b的边沿在衬底11上的正投影和第一导电图案层151a的边沿在衬底11上的正投影之间具有第二间隙g2。至少一个隔断部151中所述第三导电图案层151c的边沿的总长度大于辅助阴极区C的边沿的长度。
在这些实施例中，对于辅助阴极图案15的描述可以参考上述对发光基板1中辅助阴极图案15的描述，在此不再赘述。
在一些实施例中，在发光基板1还包括位于每个发光区A的第一电极131的情况下，在衬底11上且位于每个辅助阴极区C形成辅助阴极图案15，如图12和图13所示，包括：
S1、如图12和图13所示，在衬底11上依次形成第二导电薄膜210、第三导电薄膜310和第四导电薄膜410。
S2、如图12和图13所示，在形成有第二导电薄膜210、第三导电薄膜310和第四导电薄膜410的衬底11上形成第一光刻胶层20。
S3、如图12和图13所示，通过曝光、显影和刻蚀工艺形成位于每个发光区A的第一电极131和位于每个辅助阴极区C的至少一个电极图案30，每个第一电极131包括：第四导电图案层151d，或者，每个第一电极131包括：沿远离衬底11的方向依次层叠的第五导电图案层151e、第六导电图案层151f和第七导电图案层151g，每个电极图案30包括：沿远离衬底11的方向依次层叠的第八导电图案层151h、第九导电图案层151i和第十导电图案层151j。
其中，在每个第一电极131包括第四导电图案层151d的情况下，通过曝光、显影和刻蚀工艺形成位于每个发光区A的第一电极131和位于每个辅助阴极区C的至少一个电极图案30，如图12所示，包括：
S31、对第一光刻胶层20进行曝光、显影，得到光刻胶图案20A，光刻胶图案20A包括覆盖在每个辅助阴极区C的至少一个第一部分20A_1。
S32、在每个第一部分20A_1的遮盖下，对第二导电薄膜对第二导电薄膜210、第三导电薄膜310和第四导电薄膜410进行刻蚀，得到位于每个发光区A的第一电极131，和位于每个辅助阴极区C的至少一个电极图案30。
在每个第一电极131包括第五导电图案层151e、第六导电图案层151f和第七导电图案层151g的情况下，通过曝光、显影和刻蚀工艺形成位于每个发光区A的第一电极131和位于每个辅助阴极区C的至少一个电极图案30，如图13所示，包括：
S31、对第一光刻胶层20进行曝光、显影，得到光刻胶图案20A，光刻胶图案20A包括覆盖在每个辅助阴极区C的至少一个第一部分20A_1和覆盖 在每个发光区A的第二部分20A_2。
S32、在上述每个第一部分20A_1和每个第二部分20A_2的遮盖下，对第二导电薄膜210、第三导电薄膜310和第四导电薄膜410进行刻蚀，得到位于每个发光区A的第一电极131，和位于每个辅助阴极区C的至少一个电极图案30。
S4、在形成有多个第一电极131和至少一个电极图案30的衬底11上形成第二光刻胶层40；
S5、通过曝光、显影形成光刻胶图案40A，光刻胶图案40A包括覆盖每个第一电极131的第一部分40A_1和覆盖每个电极图案30的第二部分40A_2，每个第一电极131中每层导电图案层在衬底11上的正投影均位于第一部分40A_1在衬底11上的正投影以内，第二部分40A_2在衬底11上的正投影位于每个电极图案30中第十导电图案层151j在衬底11上的正投影以内。
其中，每个第一电极131中每层导电图案层在衬底11上的正投影均位于第一部分40A_1在衬底11上的正投影以内，是指，每个第一电极131中每层导电图案层的边沿在衬底11上的正投影均位于第一部分40A_1的边沿在衬底11上的正投影以内，且每个第一电极131中每层导电图案层的边沿在衬底11上的正投影均位于第一部分40A_1的边沿在衬底11上的正投影之间具有间隙或不具有间隙，第二部分40A_2在衬底11上的正投影位于每个电极图案30中第十导电图案层151j在衬底11上的正投影以内，是指，第二部分40A_2的边沿在衬底11上的正投影均位于每个电极图案30中第十导电图案层151j的边沿在衬底11上的正投影以内，且第二部分40A_2的边沿在衬底11上的正投影均位于每个电极图案30中第十导电图案层151j的边沿在衬底11上的正投影之间具有或不具有间隙。
S6、通过刻蚀工艺对电极图案30未被第二部分40A_2覆盖的部分进行刻蚀，形成辅助阴极图案15。
其中，第二导电薄膜210的材料和第四导电薄膜410的材料可以不同，在刻蚀时，通过选择高选择比的刻蚀液对电极图案30的第九导电图案层151i的材料进行刻蚀，在刻蚀过程中，第九导电图案层151i的材料的被刻蚀速率大于第八导电图案层151h的材料的被刻蚀速率，从而形成“工”字型结构。
示例的，如图12和图13所示，第二导电薄膜210和第四导电薄膜410的材料可以为ITO材料，第三导电薄膜310的材料为金属材料。
这样，在对电极图案30中未被第二部分40A_2覆盖的部分进行刻蚀时，可以选择金属材料的刻蚀液对第九导电图案层151i的材料进行刻蚀，示例的， 该金属材料可以为金属铝，金属铝的刻蚀液，可以为包含有HNO
3、H
3PO
4和AcH(乙酸)的混合酸，在刻蚀过程中，第九导电图案层151i的材料的被刻蚀速率大于第十导电图案层151j和第八导电图案层151h的材料的被刻蚀速率，而通过对刻蚀时间进行控制，即可对第一间隙g1的尺寸进行控制。
其中，在每个第一电极131包括第四导电图案层151d的情况下，根据上述第二导电薄膜210的材料为ITO材料，可以得知，该发光基板1为底发射型发光基板。在每个第一电极131包括第五导电图案层151e、第六导电图案层151f和第七导电图案层151g的情况下，根据上述第二导电薄膜210和第四导电薄膜410的材料为ITO材料，第三导电薄膜310的材料为金属材料，可以得知，该发光基板1可以为顶发射型发光基板。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (18)
- 一种发光基板，所述发光基板具有多个发光区和位于所述多个发光区之间的非发光区，所述非发光区包括至少一个辅助阴极区；所述发光基板包括：衬底；设置于所述衬底上，且位于每个辅助阴极区的耦接部和辅助阴极图案，所述耦接部位于所述辅助阴极图案靠近所述衬底的一侧，且所述辅助阴极图案与所述耦接部耦接；每个辅助阴极图案包括：至少一个隔断部，每个隔断部包括沿远离所述衬底的方向依次层叠的第一导电图案层、第二导电图案层和第三导电图案层，所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影位于所述第三导电图案层的边沿和所述第一导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影以内，且所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影和所述第三导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影之间具有第一间隙，所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影和所述第一导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影之间具有第二间隙；所述至少一个隔断部的所述第三导电图案层的边沿的总长度大于所述辅助阴极区的边沿的长度。
- 根据权利要求1所述的发光基板，其中，所述至少一个隔断部包括沿第一方向依次排列的第一隔断部和第二隔断部，所述第一隔断部的所述第三导电图案层和所述第二隔断部的所述第三导电图案层均包括沿所述第一方向依次排列的第一边沿和第二边沿，以及连接在所述第一边沿和所述第二边沿之间的第三边沿和第四边沿；其中，两个所述第一边沿分别与所述辅助阴极区沿所述第一方向排列的两个边沿重叠，两个所述第二边沿均位于两个所述第一边沿之间；所述第一方向是所述辅助阴极区的一个边沿的延伸方向。
- 根据权利要求2所述的发光基板，其中，在两个所述第二边沿中，至少一个第二边沿包括沿第二方向延伸，且沿所述第一方向两两交错排列的多个第一延伸段，以及连接在每相邻的两个第一延伸段之间的第二延伸段，所述第一方向和所述第二方向垂直。
- 根据权利要求3所述的发光基板，其中，所述第二延伸段沿所述第一方向延伸。
- 根据权利要求3或4所述的发光基板，其中，所述第一延伸段为三个，沿所述第二方向，位于中间的所述第一延伸段 相对于位于两侧的两个所述第一延伸段靠近所述第一边沿，位于两侧的两个所述第一延伸段位于沿所述第二方向延伸的同一直线上。
- 根据权利要求2～5任一项所述的发光基板，其中，所述辅助阴极图案和所述耦接部之间还设置有绝缘层，所述绝缘层中设置有第一过孔，所述第一隔断部通过所述第一过孔与所述耦接部耦接。
- 根据权利要求6所述的发光基板，其中，所述第一过孔的边沿在所述衬底上的正投影位于所述第一隔断部的所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影以内，且所述第一过孔的边沿在所述衬底上的正投影与所述第一隔断部的所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影之间具有第三间隙，所述第三间隙小于或等于5μm。
- 根据权利要求6或7所述的发光基板，其中，所述第一过孔的边沿在衬底上的正投影与所述第一隔断部的所述第三导电图案层的边沿在衬底上的正投影大致平行。
- 根据权利要求6～8任一项所述的发光基板，其中，所述绝缘层中还设置有第二过孔，所述第二隔断部通过所述第二过孔与所述耦接部耦接。
- 根据权利要求9所述的发光基板，其中，所述第二过孔的边沿在所述衬底上的正投影位于所述第二隔断部的所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影以内，所述第二过孔的边沿在所述衬底上的正投影与所述第二隔断部的所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影之间具有第四间隙，所述第四间隙小于或等于5μm。
- 根据权利要求10所述的发光基板，其中，所述第二过孔的边沿在衬底上的正投影与所述第二隔断部的所述第三导电图案层的边沿在衬底上的正投影大致平行。
- 根据权利要求1～11任一项所述的发光基板，还包括：位于所述多个发光区和所述非发光区的第一导电薄膜；所述第一导电薄膜包括位于所述第一间隙处的部分，所述第一导电薄膜位于所述第一间隙处的部分与所述第一导电图案层位于所述第一间隙处的部分接触。
- 根据权利要求12项所述的发光基板，还包括：位于所述多个发光区和所述非发光区的具有发光功能的薄膜；所述具有发光功能的薄膜位于所述第一导电薄膜靠近所述衬底的一侧，且所述具有发光功能的薄膜在所述第一间隙处无覆盖。
- 根据权利要求1～13任一项所述的发光基板，其中，所述第二间隙大于或等于所述第一间隙，所述第一间隙大于或等于0.5μm。
- 根据权利要求2～14任一项所述的发光基板，其中，在所述衬底上，且位于所述第一隔断部和所述第二隔断部之间，作垂直于所述第一方向的参考平面，所述第一隔断部和所述第二隔断部的结构相对于所述参考平面呈镜像对称。
- 根据权利要求1～15任一项所述的发光基板，其中，所述第一导电图案层和所述第三导电图案层的材料均为透明材料，所述第二导电图案层的材料为金属材料。
- 一种发光装置，包括：如权利要求1～16任一项所述的发光基板。
- 一种发光基板的制备方法，所述发光基板具有多个发光区和位于所述多个发光区之间的非发光区，所述非发光区包括至少一个辅助阴极区；所述制备方法包括：在衬底上且位于每个辅助阴极区形成耦接部和辅助阴极图案，所述耦接部位于所述辅助阴极图案靠近所述衬底的一侧，且所述辅助阴极图案与所述耦接部耦接；每个辅助阴极图案包括：至少一个隔断部，每个隔断部包括沿远离所述衬底的方向依次层叠的第一导电图案层、第二导电图案层和第三导电图案层，所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影位于所述第三导电图案层的边沿和所述第一导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影以内，且所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影和所述第三导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影之间具有第一间隙，所述第二导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影和所述第一导电图案层的边沿在所述衬底上的正投影之间具有第二间隙；所述至少一个隔断部中所述第三导电图案层的边沿的总长度大于所述辅助阴极区的边沿的长度。
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