KR20200108176A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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이민수
이승빈
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Abstract

일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 비표시 영역 위에 형성되는 금속층; 상기 금속층 및 상기 기판을 덮는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 위치하며, 구동 전압이 인가되는 제1 전압선; 상기 게이트 절연막 위에 위치하며, 구동 저전압이 인가되는 제2 전압선; 상기 제1 전압선 및 상기 제2 전압선을 덮는 유기 절연막; 및 상기 유기 절연막 위에 형성되는 캐소드 전극을 포함하고, 상기 제2 전압선과 상기 캐소드 전극은 상기 유기 절연막에 형성된 오프닝을 통해 전기적으로 연결되며, 상기 제1 전압선 또는 상기 제2 전압선은 무기 물질로 이루어진 상기 게이트 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 금속층과 전기적으로 연결될 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 개시는 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 유기 발광 표시 장치에 구동 전압과 구동 저전압을 인가하는 배선 구조에 관한 것이다.
표시 장치는 이미지를 표시하는 장치로서, 최근 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)가 주목 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 자체 발광 특성을 가지며, 다수의 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 여기서, 각 화소는 발광 소자와, 그 발광 소자를 독립적으로 구동하는 다수의 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터 등을 포함하는 화소 구동 회로를 구비한다. 이 때 각 발광 소자는 애노드 전극(anode, 화소 전극)과 캐소드 전극(cathode, 캐소드 전극) 사이에 구비된 유기 발광층을 포함한다. 여기서 캐소드 전극(cathode)은 투명 도전성 물질로 표시 패널의 전체 화소들 상에 공통되도록 형성될 수 있다.
애노드 전극에는 고전위 전압인 구동 전압(ELVDD)이 공급되고, 캐소드 전극에는 저전위 전압인 구동 저전압(ELVSS)이 공급된다. 구동 전압(ELVDD) 및 구동 저전압(ELVSS)은, 유기 발광 표시 장치의 표시 패널의 일측에 접속되어 표시 패널을 구동하기 위한 구동 회로로부터 각 발광 소자에 공급될 수 있다.
실시예들은 유기 발광 표시 장치에서 구동 저전압(ELVSS) 배선의 단부에 전류가 집중되어, 표시 패널 하부에 발생되는 발열을 막기 위한 것이다.
일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 비표시 영역 위에 형성되는 금속층; 상기 금속층 및 상기 기판을 덮는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 위치하며, 구동 전압이 인가되는 제1 전압선; 상기 게이트 절연막 위에 위치하며, 구동 저전압이 인가되는 제2 전압선; 상기 제1 전압선 및 상기 제2 전압선을 덮는 유기 절연막; 및 상기 유기 절연막 위에 형성되는 캐소드 전극을 포함하고, 상기 제2 전압선과 상기 캐소드 전극은 상기 유기 절연막에 형성된 오프닝을 통해 전기적으로 연결되며, 상기 제1 전압선 또는 상기 제2 전압선은 무기 물질로 이루어진 상기 게이트 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 금속층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 전압선은 상기 표시 영역의 네 변을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
상기 제1 전압선은 상기 제2 전압선과 상기 비표시 영역에서 일부 중첩하도록 형성될 수 있다.
상기 유기 절연막은, 상기 게이트 절연막 위에 위치하는 상기 제1 전압선을 덮도록 형성되는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 위에 위치하는 상기 제2 전압선을 덮도록 형성되는 보호막; 및 상기 보호막 위에 형성되는 상부 유기막을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막 위에 위치하는 제1 전압 인가 연결부; 및 상기 층간 절연막 위에 위치하는 제1 전압 인가 배선을 더 포함하고, 상기 제1 전압 인가 배선은 상기 층간 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 제1 전압 인가 연결부에 전기적으로 연결되고, 상기 제1 전압 인가 연결부는 상기 게이트 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 금속층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 전압선은 상기 게이트 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 금속층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 보호막과 상기 상부 유기막 사이에 형성되는 애노드 전극; 및 상기 애노드 전극 위에 형성되는 유기 발광층을 더 포함하고, 상기 캐소드 전극은 상기 유기 발광층 위에 형성될 수 있다.
상기 보호막 위에 형성되는 캐소드 전극 연결부를 더 포함하고, 상기 캐소드 전극 연결부는 상기 상부 유기막에 형성된 오프닝을 통해 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 캐소드 전극 연결부는 상기 보호막에 형성된 오프닝을 통해 상기 제2 전압선과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 게이트 절연막 위에 위치하는 제2 전압선 연결부를 더 포함하고, 상기 제2 전압선 연결부는 상기 층간 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 제2 전압선과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 전압선은 상기 표시 영역의 적어도 세변을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
상기 유기 절연막은, 상기 게이트 절연막 위에 위치하는 상기 제1 전압선을 덮도록 형성되는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 위에 위치하는 상기 제2 전압선을 덮도록 형성되는 보호막; 및 상기 보호막 위에 형성되는 상부 유기막을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연막 위에 위치하는 제1 전압선 보조부를 더 포함하고, 상기 제1 전압선은 상기 층간 절연막 위에 위치하며, 상기 층간 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 제1 전압선 보조부와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 게이트 절연막 위에 위치하는 제2 전압선 연결부를 더 포함하고, 상기 제2 전압선 연결부는 상기 게이트 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 금속층과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 전압선은 상기 층간 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 제2 전압선 연결부와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 보호막 위에 위치하는 캐소드 전극 연결부를 더 포함하고, 상기 캐소드 전극 연결부는 상기 상부 유기막에 형성된 오프닝을 통해 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 캐소드 전극 연결부는 상기 보호막에 형성된 오프닝을 통해 상기 제2 전압선과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 게이트 절연막 위에 위치하는 제2 전압 인가 연결부; 및 상기 층간 절연막 위에 위치하는 제2 전압 인가 배선을 더 포함하고, 상기 제2 전압 인가 배선은 상기 층간 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 제2 전압 인가 연결부와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 전압 인가 연결부는 상기 게이트 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 금속층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 전압선은 상기 표시 영역의 세 변만을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 위에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 위치하며, 구동 전압이 인가되는 제1 전압선; 상기 제1 전압선 및 상기 게이트 절연막을 덮는 무기 절연막; 상기 무기 절연막 위에 형성되는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 위에 위치하며, 구동 저전압이 인가되는 제2 전압선; 상기 제2 전압선 위에 형성되는 유기 절연막; 및 상기 유기 절연막 위에 형성되는 캐소드 전극을 포함하고, 상기 제2 전압선과 상기 캐소드 전극은 상기 유기 절연막에 형성된 오프닝을 통해 전기적으로 연결되며, 상기 제1 전압선 및 상기 제2 전압선은 상기 비표시 영역의 하부에서 일부 중첩하도록 형성될 수 있다.
상기 제2 전압선은 상기 표시 영역의 네 변을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
상기 유기 절연막은, 상기 층간 절연막 위에 위치하는 상기 제2 전압선을 덮도록 형성되는 보호막; 및 상기 보호막 위에 형성되는 상부 유기막을 포함할 수 있다.
상기 보호막과 상기 상부 유기막 사이에 형성되는 애노드 전극; 및 상기 애노드 전극 위에 형성되는 유기 발광층을 더 포함하고, 상기 캐소드 전극은 상기 유기 발광층 위에 형성될 수 있다.
실시예들에 따르면, 비표시 영역의 하부에 금속층을 형성하여 구동 전압선 또는 구동 저전압선을 인가하고, 구동 전압선과 구동 저전압선 사이에 무기 절연막을 형성하여, 표시 패널의 하부에서 발생되는 발열을 감소 시킬 수 있다.
비표시 영역의 하부에 금속층을 형성하여 구동 전압선 또는 구동 저전압선을 인가하고, 구동 저전압 배선을 일부 영역에만 형성하여, 표시부와 패드부 사이의 데드 스페이스를 줄일 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 배치도 및 확대도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 배치도이다.
도 3은 도 1의 III-III선을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이다.
도 5는 도 3의 IV-IV선을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이다.
도 7은 도 5의 VI-VI선을 따라 자른 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이다.
도 9는 도 7의 VIII-VIII선을 따라 자른 단면도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이다.
도 11은 도 9의 X-X선을 따라 자른 단면도이다.
도 12는 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소의 회로도이다.
도 13은 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 영역의 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
이하에서는 도 1 내지 도 3을 참고하여 구동 전압선과 구동 저전압선이 배치된 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 살펴본다.
도 1은 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 배치도 및 확대도이고, 도 2는 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이며, 도 3은 도 1의 확대도에서 III-III선을 따라 자른 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(100), 제2 전압선 보조부(146), 제2 전압선(156), 캐소드 전극 연결부(192), 및 캐소드 전극(270)을 포함한다. 제2 전압선 보조부(146), 제2 전압선(156), 캐소드 전극 연결부(192), 및 캐소드 전극(270)은 기판(100) 위에 순서대로 형성되며, 이들 층은 오프닝에 의하여 연결되지 않은 한 사이에 절연막을 두어 서로 절연되어 있다. 구체적으로, 제2 전압선 보조부(146), 제2 전압선(156), 캐소드 전극 연결부(192), 및 캐소드 전극(270)은 순서대로 유기 절연막을 사이에 두고 절연되어 있다. 여기서, 유기 절연막은 후술하는 층간 절연막(160), 보호막(180), 및 상부 유기막(350)을 포함한다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참고하면, 기판(100)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 이미지를 표시하는 영역으로, 표시 영역(DA)에는 박막 트랜지스터, 유기 발광 다이오드(OLED) 등을 포함하는 화소(PX)가 형성된다. 비표시 영역(NA)은 이미지가 표시되지 않는 영역으로, 비표시 영역(NA)에는 표시 영역(DA)에 형성된 화소(PX)에 전압, 신호 등을 전달하기 위한 제1 전압선(155), 제2 전압선(156), 복수의 패드(300) 등이 형성된다. 여기서, 제1 전압선(155)은 표시 영역(DA)의 박막 트랜지스터에 구동 전압(ELVDD)을 공급하는 배선이고, 제2 전압선(156)은 애노드 전극(이하, 도 12의 191), 유기 발광층(이하, 도 12의 370), 캐소드 전극(270)으로 이루어진 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드 전극(270)에 구동 저전압(ELVSS)을 공급하는 배선이다.
제1 전압선(155)은 표시 영역(DA)에 구동 전압(ELVDD)을 인가하기 위한 배선으로, 비표시 영역(NA)에 형성되어 있다. 제1 전압선(155)은 비표시 영역(NA)의 하부(A 영역)에 형성된 중첩부(155a)와 중첩부(155a)에서 복수의 패드(300)로 연장된 제1 전압 인가 배선(153) 및 중첩부(155a)에서 표시 영역(DA)을 향해 연장된 복수의 배선(155b)을 포함한다. 제1 전압선(155)의 중첩부(155a)는 제2 전압선(156)과 중첩한다. 제1 전압 인가 배선(153)은 패드(300)로부터 구동 전압(ELVDD)을 인가 받는 부분이고, 복수의 배선은 표시 영역(DA)에 연결되어 구동 전압(ELVDD)을 인가하는 부분이다. 중첩부(155a) 및 복수의 배선(155b)은 구동 전압(ELVDD)을 전달받아 표시 영역(DA)의 화소(PX)에 구동 전압(ELVDD)을 인가한다. 복수의 배선(155b)은 도면에 도시되지 않았으나, 표시 영역(DA)에 세로 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
제2 전압선(156)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드 전극(270)에 구동 저전압(ELVSS)을 공급하는 배선이다. 제2 전압선(156)은 표시 영역(DA)의 가장 자리를 모두 둘러싸도록 형성되어 있다. 즉, 제2 전압선(156)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 비표시 영역(NA)의 상부, 하부, 좌우 영역에 형성되어 있다. 실시예에 따라서는 제2 전압선(156)이 표시 영역(DA)의 적어도 하나의 부분을 둘러싸도록, 비표시 영역(NA)의 상부, 하부, 좌우 영역 중 어느 하나의 부분에 위치하도록 형성될 수도 있다. 구체적으로, 도 2를 참고하면, 제2 전압선(156)은 비표시 영역(NA)의 하부, 좌우 영역만을 둘러싸도록 형성되어 있음을 확인할 수 있다. 제2 전압선(156)은 비표시 영역(NA)의 하부에서 제1 전압선(155)과 중첩하도록 형성되어 있다. 제2 전압선(156)은 표시 영역(DA)의 네 변을 모두 둘러싸도록 형성됨으로서, 캐소드 전극(270)으로 흐르는 전류가 일부 영역에 집중되지 않고 모든 영역에서 흐를수 있다. 제2 전압선(156)은 비표시 영역(NA)의 상부, 좌우 영역에서 다수의 컨택홀을 통해 캐소드 전극(270)과 전기적으로 연결되어 있다. 제2 전압선(156)과 캐소드 전극(270)의 연결 구성은 후술하는 도 3에서 상세히 살펴보도록 한다.
복수의 패드(300)는 제1 전압선(155), 및 제1 전압선(155)에 연결된 제1 전압 인가 배선(153)에 구동 전압을 인가하는 제1 패드, 및, 제2 전압선(156), 및 제2 전압선(156)에 연결된 제2 전압 인가 배선(154)에 구동 저전압을 인가하는 제2 패드를 포함한다.
캐소드 전극(270)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 타측 전극으로서, 표시 패널 대부분에 걸쳐 형성되어 있다. 캐소드 전극(270)은 표시 영역(DA)을 전부 덮도록 형성되며, 비표시 영역(NA)의 상부, 하부, 좌우 영역의 일부를 덮도록 형성되어 있다. 캐소드 전극(270)은 비표시 영역(NA)의 상부, 좌우 영역에 형성되는 제2 전압선(156)을 완전히 덮도록 형성되어 있으며, 하부 영역에 형성되는 제2 전압선(156)을 일부 덮도록 형성되어 있다. 여기서, 제2 전압 배선(154)은 캐소드 전극(270)에 의해 덮히지 않을 수 있다. 또한, 캐소드 전극(270)은 비표시 영역(NA)의 하부 영역에 형성되는 제1 전압선(155)을 덮도록 형성되어 있다. 제1 전압 배선(153)은 캐소드 전극(270)에 의해 덮히지 않을 수 있다.
도 1의 확대도는 좌측의 배치도에서 캐소드 전극(270)과 제2 전압선(156)이 접촉하고 있는 부분을 확대 도시한 것이다. 우측의 확대도를 살펴보면, 캐소드 전극(270)은 오프닝(63)을 통해 캐소드 전극 연결부(192)와 연결되어 있고, 캐소드 전극 연결부(192)는 오프닝(62)을 통해 제2 전압선(156)과 연결되어 있으며, 제2 전압선(156)은 오프닝(61)을 통해 제2 전압선 보조부(146)와 연결되어 있다.
구체적으로, 도 3을 참고하여 살펴보면, 기판(100)은 유리 기판으로 형성되거나 플라스틱, 폴리 이미드(PI)를 포함하는 플렉서블한 기판으로 형성될 수 있다.
기판(100) 위에는 게이트 절연막(130)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(130)은 무기 물질을 포함하며, 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiO2) 등으로 이루어질 수 있다. 게이트 절연막(130)은 후술하는 제1 게이트 절연막(131), 제2 게이트 절연막(132), 제3 게이트 절연막(133), 및 제4 게이트 절연막(134)을 포함한다. 여기서, 기판(100)과 게이트 절연막(130) 사이에는 배리어층(이하, 도 5에서 110), 버퍼막(이하, 도 5에서 120)의 무기 절연막이 추가로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(130) 위에는 제2 전압선 보조부(146)가 형성되어 있다. 제2 전압선 보조부(146)는 섬형 전극으로 일부 영역에만 형성되어 있다.
제2 전압선 보조부(146) 위에는 층간 절연막(160)이 형성되어 있다. 층간 절연막(160)에는 제2 전압선 보조부(146)를 노출시키는 오프닝(61)이 형성되어 있다. 층간 절연막(160)은 유기 물질로 이루어진 유기 절연막일 수 있다.
층간 절연막(160) 위에는 제2 전압선(156)이 형성되어 있다. 제2 전압선(156)은 제2 전압선 보조부(146)와 중첩하여 위치하고 있으며, 제2 전압선 보조부(146)와 오프닝(61)을 통해 전기적으로 연결되어 있다.
제2 전압선(156) 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 유기 물질로 형성되는 유기 절연막이며, 단차를 없애고 평탄화시키는 특성을 가진다.
보호막(180) 위에는 캐소드 전극 연결부(192)가 형성되어 있다. 캐소드 전극 연결부(192)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 타측 전극인 캐소드 전극(270)에 구동 저전압(ELVSS)을 인가할 수 있는 연결부이다. 캐소드 전극 연결부(192)는 제2 전압선(156)과 중첩하여 위치하고 있으며, 제2 전압선(156)과 오프닝(62)을 통해 전기적으로 연결되어 있다.
캐소드 전극 연결부(192) 위에는 상부 유기막(350)이 형성되어 있다. 상부 유기막(350)은 유기 물질로 형성되는 유기 절연막일 수 있다.
상부 유기막(350) 위에는 캐소드 전극(270)이 형성되어 있다. 캐소드 전극(270)은 캐소드 전극 연결부(192)와 중첩하여 위치하며, 오프닝(63)을 통해 캐소드 전극 연결부(192)와 전기적으로 연결되어 있다. 즉, 캐소드 전극(270)은 캐소드 전극 연결부(192)를 통해 제2 전압선(156)으로부터 구동 저전압(ELVSS)을 인가받는다.
여기서, 제2 전압선(156)과 캐소드 전극(270)은 캐소드 전극 연결부(192)를 통해 연결되는 것으로 설명하였으나, 캐소드 전극 연결부(192)에 의하지 않고, 유기 절연막을 관통하는 오프닝을 통해 직접 연결될 수 있다.
이상에서, 비표시 영역(NA)의 하부에서 제1 전압선(155) 및 제2 전압선(156)이 중첩하고, 캐소드 전극(270)과 제2 전압선(156)이 전기적으로 연결되어 있는 구조를 살펴보았다.
이하에서는, 도 4 내지 도 9를 참고하여, 유기 발광 표시 장치의 비표시 영역(NA)의 하부에서 제1 전압선(155) 및 제2 전압선(156)이 중첩하거나, 비표시 영역(NA)의 하부에 금속층(111)이 더 형성된 일 실시예에 대하여 살펴본다.
도 4는 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 5는 도 4의 IV-IV선을 따라 자른 단면도이다. 도 6은 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 7은 도 6의 VI-VI선을 따라 자른 단면도이다. 도 8은 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이며, 도 9는 도 8의 VIII-VIII선을 따라 자른 단면도이다.
먼저, 도 4 및 도 5를 참고하면, 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(100), 제1 데이터 배선층(143, 146, 155, 이하 도 6에서 도시되는 136, 148, 158), 제2 데이터 배선층(153, 156, 이하 도 6에서 도시되는 146, 155), 캐소드 전극 연결부(192), 캐소드 전극(270)을 포함한다. 제1 데이터 배선층(136, 146, 155, 136, 148, 158), 제2 데이터 배선층(153, 156, 146, 155), 캐소드 전극 연결부(192), 및 캐소드 전극(270)은 기판(100) 위에 순서대로 형성되며, 이들 층은 오프닝에 의하여 연결되지 않은 한 사이에 절연막을 두어 서로 절연되어 있다. 여기서, 절연막은 무기 절연막 또는 유기 절연막을 포함하며, 유기 절연막은 후술하는 층간 절연막(160), 보호막(180), 및 상부 유기막(350)을 포함한다.
기판(100)은 플라스틱, 폴리이미드(PI)를 포함하는 플렉서블한 기판(100)으로 형성될 수 있다.
기판(100) 위에는 배리어층(110)이 형성되어 있다. 배리어층(110)은 무기 물질로 형성될 수 있다.
배리어층(110) 위에는 금속층(111)이 형성되어 있다. 금속층(111)은 구동 전압(ELVDD)을 전달한다. 금속층(111)은 비표시 영역(NA)에서 가로 방향으로 형성되는 중첩부(111a)와 중첩부(111a)로부터 세로 방향으로 연장되어 패드(300)로 연결되는 하부 연장부(111b)를 포함한다. 중첩부(111a)는 후술하는 제1 전압선(155)의 일 단과 세로 방향으로 상부 영역이 일부 중첩하고. 후술하는 제2 전압선(156)과는 가로 방향으로 길게 중첩한다. 하부 연장부(111b)는 후술하는 제1 전압 인가 연결부(143) 및 제1 전압 인가 배선(153)과 일부 중첩한다.
버퍼층(120)은 금속층(111) 위에 형성되어 있고, 기판(100) 및 금속층(111)을 덮고 있다. 버퍼층(120)은 무기 절연 물질로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(130)은 버퍼층(120) 위에 형성되어 있고, 무기 절연 물질로 형성될 수 있다.
제1 데이터 배선층(143, 146, 155, 136, 148, 158)은 게이트 절연막(130) 위에 형성되어 있고, 제1 전압 인가 연결부(143), 제2 전압선 보조부(146), 및 제1 전압선(155)을 포함한다.
제1 전압 인가 연결부(143)는 금속층(111)에 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 연결부이다. 제1 전압 인가 연결부(143)는 금속층(111)의 하부 연장부(111b)와 일부 중첩되어 있다. 제1 전압 인가 연결부(143)는 금속층(111)의 하부 연장부(111b)와 오프닝(72)에 의해 연결되어 있으며, 섬형 구조를 가진다.
제2 전압선 보조부(146)는 후술하는 제2 전압선(156)에 구동 저전압(ELVSS)을 인가하는 보조 전극이다. 제2 전압선 보조부(146)는 금속층(111)의 중첩부(111a) 및 제2 전압선(156)과 완전히 중첩되도록 형성되며, 섬형 구조를 가진다.
제1 전압선(155)은 표시 영역(DA)에 구동 전압(ELVDD)을 인가하기 위한 배선으로, 비표시 영역(NA)에 형성되어 있다. 제1 전압선(155)은 금속층(111) 중첩부(111a)의 상부 영역과 일부 중첩하고 있다. 제1 전압선(155)과 금속층(111)은 오프닝(51)에 의해 전기적으로 연결되어 있다. 복수의 배선(155b)은 도면에 도시되지 않았으나, 표시 영역(DA)에 세로 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
제1 데이터 배선층(143, 146, 155, 136, 148, 158) 및 게이트 절연막(130) 위에는 층간 절연막(160)이 덮여 있다. 층간 절연막(160)은 유기 물질로 형성될 수 있다.
층간 절연막(160) 위에는 제2 데이터 배선층(153, 156, 이하 도 6에서 도시되는 146, 155)이 형성되어 있다. 제2 데이터 배선층(146, 153, 155, 156)은 제1 전압 인가 배선(153), 및 제2 전압선(156)을 포함한다.
제1 전압 인가 배선(153)은 패드(300)와 연결되어 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 배선으로, 제1 전압 인가 연결부(143)와 중첩하고 있다. 제1 전압 인가 배선(153)은 제1 전압 인가 연결부(143)와 오프닝(71)에 의하여 전기적으로 연결되어 있다. 제1 전압 인가 배선(153)은 제1 전압선(155)과 동일층에 형성되어 있다.
제2 전압선(156)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드 전극(270)에 구동 저전압(ELVSS)을 공급하는 배선이다. 제2 전압선(156)은 표시 영역(DA)의 가장 자리를 모두 둘러싸도록, 비표시 영역(NA)의 상부, 하부, 좌우 영역에 형성되어 있다. 제2 전압선(156)은 비표시 영역(NA)의 하부에서 제1 전압선(155)과 중첩하도록 형성되어 있다. 제2 전압선(156)은 표시 영역(DA)의 네 변을 모두 둘러싸도록 형성됨으로서, 캐소드 전극(270)으로 흐르는 전류가 일부 영역에 집중되지 않고 모든 영역에서 흐를수 있다. 제2 전압선(156)은 금속층(111)의 중첩부(111a)와 가로 방향으로 일부 중첩하고, 제2 전압선(156)과 일부 중첩하도록 형성되어 있다. 제2 전압선(156)은 오프닝(61)에 의해 제2 전압선 보조부(146)에 전기적으로 연결되어 있다.
다시 도 4를 참고하면, 비표시 영역(NA)의 하부에서 제2 전압선(156)은 제1 전압선(155)과 중첩하는 영역이 존재하는 것으로 도시되어 있다. 하지만, 도 4 및 도 5를 참고하면, 제2 전압선(156)에는 동일한 층에 형성되는 제2 전압 인가 배선(154)을 통해 구동 저전압(ELVSS)이 인가된다. 제1 전압선(155)에는 패드(300)에서 인가된 구동 전압(ELVDD)이 제1 전압 인가 배선(153)으로 전달되고, 제1 전압 인가 배선(153)은 오프닝(72)을 통해 연결된 제1 전압 인가 전달부(143)에 구동 전압(ELVDD)을 전달하고, 제1 전압 인가 전달부(143)는 오프닝(71)을 통해 연결된 금속층(111)에 구동 전압(ELVDD)을 전달한다. 금속층(111)과 오프닝(51)을 통해 연결된 제1 전압선(155)은 표시 영역(DA)의 화소(PX)에 구동 전압(ELVDD)을 인가한다. 여기서, 구동 전압(ELVDD)과 구동 저전압(ELVSS)은 무기 절연막으로 형성되는 게이트 절연막(130)을 사이에 두고 인가되므로, 제1 전압선(155)과 제2 전압선(156)은 단락될 위험이 줄고, 번트(Burnt) 불량 발생이 감소될 수 있다.
제2 데이터 배선층(153, 156) 및 층간 절연막(160) 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 유기 절연 물질로 형성되며, 단차를 없애고 평탄화시키는 특성을 가진다.
보호막(180) 위에는 캐소드 전극 연결부(192)가 형성되어 있다. 캐소드 전극 연결부(192)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 타측 전극인 캐소드 전극(270)에 구동 저전압(ELVSS)을 인가할 수 있는 연결부이다. 캐소드 전극 연결부(192)는 제2 전압선(156)과 일부 중첩하며 위치하고 있다. 캐소드 전극 연결부(192)는 오프닝(62)을 통해 제2 전압선(156)과 전기적으로 연결되어 있으며, 후술하는 캐소드 전극(270)과도 전기적으로 연결되어 있다.
캐소드 전극 연결부(192) 및 보호막(180) 위에는 상부 유기막(350)이 형성되어 있다. 상부 유기막(350)은 캐소드 전극 연결부(192)를 노출시키는 오프닝(63)을 포함한다. 상부 유기막(350)은 애노드 전극(이하, 도 13의 191)이 노출되는 오프닝(이하, 도 13의 91)을 더 포함할 수 있으며, 오프닝(91) 내에 유기 발광층(이하, 도 13의 370)이 형성될 수 있다.
상부 유기막(350) 위에는 캐소드 전극(270)이 형성되어 있다. 캐소드 전극(270)은 캐소드 전극 연결부(192)와 중첩하여 위치하며, 오프닝(63)을 통해 캐소드 전극 연결부(192)와 전기적으로 연결되어 있다. 즉, 캐소드 전극(270)은 캐소드 전극 연결부(192)를 통해 제2 전압선(156)으로부터 구동 저전압(ELVSS)을 인가받는다.
이상 도 4 및 도 5 에서는, 금속층(111)을 통해 구동 전압(ELVDD)이 인가되는 구조를 살펴보았으며, 이하 도 6 내지 도 9에서는 금속층(111)을 통해 구동 저전압(ELVSS)이 인가되는 구조를 살펴보도록 한다.
도 6 및 도 9를 참고하면, 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(100), 제1 데이터 배선층(136, 146, 155, 143, 148, 158), 제2 데이터 배선층(153, 156, 146, 155), 캐소드 전극 연결부(192), 및 캐소드 전극(270)을 포함한다. 제1 데이터 배선층(136, 146, 155, 143, 148, 158), 제2 데이터 배선층(153, 156, 146, 155), 캐소드 전극 연결부(192), 및 캐소드 전극(270)은 기판(100) 위에 순서대로 형성되며, 이들 층은 오프닝에 의하여 연결되지 않은 한 사이에 절연막을 두어 서로 절연되어 있다. 여기서, 절연막은 무기 절연막 또는 유기 절연막을 포함하며, 유기 절연막은 후술하는 층간 절연막(160), 보호막(180), 및 상부 유기막(350)을 포함한다.
이하에서는, 상기 서술한 내용과 중복되는 내용의 설명은 생략하고, 차이점을 중심으로 기술하도록 한다.
기판(100) 위에는 배리어층(110)이 형성되어 있다.
금속층(111)은 배리어층(110) 위에 형성되어 있다. 금속층(111)은 제2 전압선(156)과 전기적으로 연결되어 구동 저전압(ELVSS)을 전달한다. 금속층(111)은 비표시 영역(NA)에서 사각형으로 형성되어 있다. 금속층(111)은 후술하는 제1 전압선(155)과 일부 중첩하며, 제2 전압 인가 연결부(136), 제2 전압선 보조 연결부(148)와도 일부 중첩한다.
제1 데이터 배선층(136, 143, 146, 148, 155, 158)은 게이트 절연막(130) 위에 형성되어 있고, 제1 전압선 보조부(145), 제2 전압 인가 연결부(136), 및 제2 전압선 보조 연결부(148)를 포함한다.
제1 전압선 보조부(145)는 제1 전압선(155)에 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 보조 전극이다. 제1 전압선 보조부(145)는 금속층(111)의 내에 완전히 중첩되도록 형성되며, 섬형 구조를 가진다.
제2 전압 인가 연결부(136)는 금속층(111)에 구동 저전압(ELVSS)를 전달하는 연결부이다. 제2 전압 인가 연결부(136)는 금속층(111)의 하측 일부 영역과 중첩되어 있다. 제2 전압 인가 연결부(136)는 금속층(111)과 오프닝(81)에 의해 전기적으로 연결되어 있다.
제2 전압선 보조 연결부(148)는 금속층(111)으로부터 후술하는 캐소드 전극(270)에 구동 저전압(ELVSS)를 전달하는 연결부이다. 제2 전압선 보조 연결부(148)는 금속층(111)의 상측 일부 영역과 중첩되어 있다. 제2 전압선 보조 연결부(148)는 금속층(111)과 오프닝(60)에 의해 전기적으로 연결되어 있다.
층간 절연막(160) 위에는 제2 데이터 배선층(153, 156, 146, 155)이 형성되어 있다. 제2 데이터 배선층(153, 156, 146, 155)은 제1 전압선(155), 제2 전압 인가 배선(154), 및 제2 전압선 연결부(158)를 포함한다.
제1 전압선(155)은 표시 영역(DA)에 구동 전압(ELVDD)을 인가하기 위한 배선이다. 제1 전압선(155)은 비표시 영역(NA) 하부에서 가로 방향으로 형성되는 가로부(155c), 가로부(155c)에서 복수의 패드(300)로 연장된 제1 전압 인가 배선(153) 및 가로부(155c)에서 표시 영역(DA)을 향해 연장된 복수의 배선(155b)을 포함한다. 제1 전압선(155)의 가로부(155c)에는 후술하는 제1 전압선 보조부(145)이 완전히 중첩되어 있다. 제1 전압 인가 배선(153)은 패드(300)로부터 구동 전압(ELVDD)을 인가 받는 부분이고, 복수의 배선(155b)은 표시 영역(DA)에 연결되어 구동 전압(ELVDD)을 인가하는 부분이다. 복수의 배선(155b)은 도면에 도시되지 않았으나, 표시 영역(DA)에 세로 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 비표시 영역(NA)의 하부에는 복수의 배선(155b) 사이에 제2 전압선 보조 연결부(148)가 형성되어 있다.
제2 전압 인가 배선(154)은 패드(300)와 연결되어 구동 저전압(ELVSS)을 전달하는 배선이다. 제2 전압 인가 배선(154)은 제2 전압 인가 연결부(136)와 중첩하고 있으며, 제2 전압 인가 연결부(136)와 오프닝(82)을 통해 전기적으로 연결되어 있다. 제2 전압 인가 배선(154)에서 인가된 구동 저전압(ELVSS)은 제2 전압 인가 연결부(136)를 통해 금속층(111)에 전달된다. 제2 전압 인가 배선(154)은 제2 전압선(156)과 패드(300)와 연결되는 일 부분으로, 제2 전압 배선(154)과 제2 전압선(156)은 동일층에 형성된다.
제2 전압선 연결부(158)는 캐소드 전극(270)에 구동 저전압(ELVSS)를 전달하기 위한 연결부이다. 제2 전압선 연결부(158)는 제2 전압선 보조 연결부(148)와 중첩하여 위치하고 있으며, 제2 전압선 보조 연결부(148)와 오프닝(61)을 통해 전기적으로 연결되어 있다.
보호막(180) 위에는 캐소드 전극 연결부(192)가 형성되어 있다. 캐소드 전극 연결부(192)는 제2 전압선 연결부(158)와 일부 중첩되어 있으며, 제2 전압선 보조 연결부(148)와 일부 중첩하도록 위치하고 있다. 캐소드 전극 연결부(192)는 오프닝(62)을 통해 제2 전압선 연결부(158)과 전기적으로 연결되어 있으며, 후술하는 캐소드 전극(270)과도 전기적으로 연결되어 있다.
상부 유기막(350) 위에는 캐소드 전극(270)이 형성되어 있다. 캐소드 전극(270)은 캐소드 전극 연결부(192)와 중첩하여 위치하고 있으며, 오프닝(63)을 통해 캐소드 전극 연결부(192)와 전기적으로 연결되어 있다. 즉, 캐소드 전극(270)은 캐소드 전극 연결부(192)를 통해 제2 전압선(156)으로부터 구동 저전압(ELVSS)을 인가받는다.
다시 도 6을 참고하면, 제2 전압선(156)은 표시 영역(DA)의 상부, 좌우 영역을 둘러싸도록 형성되어 있으며, 비표시 영역(NA)의 상부, 하부, 좌우 영역에 형성되어 있다. 하지만, 제2 전압선(156)은 비표시 영역(NA)의 하부에서 일부 개방된 형태로 형성되어 있다. 따라서, 일 측의 패드(300)에서 인가된 구동 저전압(ELVSS)에 의한 전류는 제2 전압선(156)과 캐소드 전극(270)이 중첩하는 단부(B 영역)에서 집중될 수 있다. 하지만, 패드(300)에서 제2 전압 인가 배선(154)을 통해 인가된 구동 저전압(ELVSS)은 제2 전압 인가 배선(154)이 오프닝(82)을 통해 연결된 제2 전압 인가 연결부(136), 및 제2 전압 인가 연결부(136)가 오프닝(81)을 통해 연결된 금속층(111)에 인가된다. 여기서, 금속층(111)에서 오프닝(61)을 통해 제2 전압선 보조 연결부(148)에 인가된 구동 저전압(ELVSS)은 제2 전압선 보조 연결부(148)와 오프닝(62)을 통해 연결된 제2 전압선 연결부(158)에 인가되고, 제2 전압선 연결부(158)에서 오프닝(63)을 통해 연결된 캐소드 전극 연결부(192), 및 캐소드 전극 연결부(192)가 오프닝(63)을 통해 연결된 캐소드 전극(270)에 인가된다. 따라서, 패드(300)에서 인가된 구동 저전압(ELVSS)이 캐소드 전극(270)에 인가될 수 있으므로, 제2 전압 인가선(156)의 단부(B 영역)에 집중되는 전류를 분산시킬 수 있다. 또한, 구동 전압(ELVDD)과 구동 저전압(ELVSS)은 무기 절연막으로 형성되는 게이트 절연막(130)을 사이에 두고 인가되므로, 제1 전압선(155)과 제2 전압선(156)은 단락될 위험이 줄고, 번트(Burnt) 불량 발생이 감소될 수 있다.
이상 도 6 및 도 7에서는 금속층(111)을 통해 구동 저전압(ELVSS)이 인가되는 구조를 살펴보았다. 여기서, 제2 전압선(156)은 비표시 영역(NA)의 하부 영역에도 형성되어, 제2 전압 인가 배선(154)을 통해 패드(300)에서 구동 저전압(ELVSS)가 직접 인가된다. 하지만, 제2 전압선(156)이 비표시 영역(NA) 하부에 형성되기 위해서는, 비표시 영역(NA)에 일정한 공간이 요구되므로, 데드 스페이스(Dead Space)가 형성될 수 있다.
이하, 도 8 및 도 9를 통해 비표시 영역(NA)의 하부 영역에 제2 전압선(156)이 형성되지 않고, 데드 스페이스를 줄일 수 있는 일 실시예를 살펴본다.
도 8 및 도 9는 도 6, 도 7에서 설명한 내용을 포함하고 있으므로, 차이점을 중심으로 기술하도록 한다.
도 8을 참고하면, 기판(100) 위에는 배리어층(110)이 형성되어 있다.
금속층(111)은 배리어층(110) 위에 형성되어 있다. 금속층(111)은 제2 전압선(156)과 전기적으로 연결되어 구동 저전압(ELVSS)을 전달한다. 금속층(111)은 비표시 영역(NA)에서 가로 방향으로 형성되는 중첩부(111a)와 중첩부(111a)로부터 세로 방향으로 연장되어 패드(300)로 연결되는 하부 연장부(111b)를 포함한다. 중첩부(111a)는 제1 전압선(155), 및 제2 전압선 보조 연결부(148)의 일부 영역과 중첩한다. 하부 연장부(111b)는 제2 전압 인가 연결부(136)의 전체 영역과 중첩한다.
제2 전압 인가 연결부(136)는 금속층(111)에 구동 저전압(ELVSS)를 전달하는 연결부이다. 제2 전압 인가 연결부(136)의 전체 영역은 금속층(111)의 하부 연장부(111b)의 일부 영역과 중첩되어 있다. 제2 전압 인가 연결부(136)는 금속층(111)의 하부 연장부(111b)와 오프닝(81)에 의해 전기적으로 연결되어 있다.
제2 전압 인가 배선(154)은 패드(300)와 연결되어 구동 저전압(ELVSS)을 전달하는 배선이다. 제2 전압 인가 배선(154)은 제2 전압 인가 연결부(136)와 중첩하고 있으며, 제2 전압 인가 연결부(136)와 오프닝(82)을 통해 전기적으로 연결되어 있다. 제2 전압 인가 배선(154)에서 인가된 구동 저전압(ELVSS)은 제2 전압 인가 연결부(136)를 통해 금속층(111)에 전달된다. 여기서, 제2 전압 인가 배선(154)은 제2 전압선(156)과 동일층에 형성된다.
제2 전압선(156)은 표시 영역(DA)의 상부, 좌우 영역을 둘러싸도록 형성되어 있으나, 비표시 영역(NA)의 하부에는 형성되지 않는다. 즉, 제2 전압선(156)은 비표시 영역(NA)의 좌우 영역의 단부(C 지점)까지만 형성되어 있다. 따라서, 제2 전압선(156)에 구동 저전압(ELVSS)이 인가되기 위해서는, 구동 저전압(ELVSS)이 패드(300)에서 제2 전압 인가 배선(154)을 통해 인가되고, 제2 전압 인가 배선(154)이 오프닝(82)을 통해 연결된 제2 전압 인가 연결부(136)에 인가되며, 제2 전압 인가 연결부(136)가 오프닝(81)을 통해 연결된 금속층(111)에 인가된다. 여기서, 금속층(111)에서 오프닝(61)을 통해 제2 전압선 보조 연결부(148)에 인가된 구동 저전압(ELVSS)은 제2 전압선 보조 연결부(148)와 오프닝(62)을 통해 연결된 제2 전압선 연결부(158)에 인가되고, 제2 전압선 연결부(158)에서 오프닝(63)을 통해 연결된 캐소드 전극 연결부(192), 및 캐소드 전극 연결부(192)가 오프닝(63)을 통해 연결된 캐소드 전극(270)에 인가된다.
다시 도 6을 참고하면, 도 6에 도시된 제2 전압선(156)은 비표시 영역(NA)의 상부, 좌우, 하부 일부 영역에 형성되어 있으나, 도 8에 도시된 제2 전압선(156)은 비표시 영역(NA)의 상부, 좌우에만 형성되어 있음을 확인할 수 있다. 도 8 및 도 9에 도시된, 제2 전압선(156)은 비표시 영역(NA)의 하부에 형성되지 않으므로, 표시 영역(DA)과 복수의 패드(300) 사이의 데드 스페이스(Dead space)를 줄일 수 있다. 또한, 구동 전압(ELVDD)과 구동 저전압(ELVSS)은 무기 절연막으로 형성되는 게이트 절연막(130)을 사이에 두고 인가되므로, 제1 전압선(155)과 제2 전압선(156)이 단락될 위험이 줄고, 번트(Burnt) 불량 발생 및 발열이 감소될 수 있다.
이상에서 유기 발광 표시 장치의 비표시 영역(NA)의 하부에서 제1 전압선(155) 및 제2 전압선(156)이 일부 중첩하거나, 비표시 영역(NA)의 하부에 금속층(111)이 더 형성된 일 실시예에 대하여 살펴보았다. 유기 발광 표시 장치는 제1 전압선(155)과 제2 전압선(156) 사이에 무기 절연막만을 포함하여도, 비표시 영역(NA) 하부에 발생되는 발열을 방지할 수 있다. 이하 도 10 및 도 11을 통해 제1 전압선(155)과 제2 전압선(156) 사이에 무기 절연막만이 포함된 구조를 살펴본다.
도 10 및 도 11을 참고하면, 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(100), 제1 전압선(155), 무기 절연막(135), 제2 전압선(156), 캐소드 전극 연결부(192), 및 캐소드 전극(270)을 포함한다. 제1 전압선(155), 제2 전압선(156), 캐소드 전극 연결부(192), 및 캐소드 전극(270)은 기판(100) 위에 순서대로 형성되며, 이들 층은 오프닝에 의하여 연결되지 않은 한 사이에 절연막을 두어 서로 절연되어 있다. 여기서, 절연막은 무기 절연막 또는 유기 절연막을 포함하며, 유기 절연막은 후술하는 층간 절연막(160), 보호막(180), 및 상부 유기막(350)을 포함한다.
기판(100) 위에는 게이트 절연막(130)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(130)은 무기 물질로 형성될 수 있다. 기판(100)과 게이트 절연막(130) 사이에는 배리어층(110), 및 버퍼층(120)을 포함하는 무기 절연막이 더 형성될 수 있다.
게이트 절연막(130) 위에는 제1 전압선(155)이 형성되어 있다. 제1 전압선(155)은 비표시 영역(NA)에서 가로 방향으로 형성된 중첩부(155a)와 중첩부(155a)에서 복수의 패드(300)로 연장된 제1 전압 인가 배선(153), 및 중첩부(155a)에서 표시 영역(DA)을 향해 연장된 복수의 배선(155b)을 포함한다. 제1 전압선(155)의 중첩부(155a)는 제2 전압선(156)과 중첩한다. 제1 전압 인가 배선(153)은 패드(300)로부터 구동 전압(ELVDD)을 인가 받는 부분이고, 복수의 배선은 표시 영역(DA)에 연결되어 구동 전압(ELVDD)을 인가하는 부분이다. 중첩부(155a) 및 복수의 배선(155b)은 구동 전압(ELVDD)을 전달받아 표시 영역(DA)의 화소(PX)에 구동 전압(ELVDD)을 인가한다. 복수의 배선(155b)은 도면에 도시되지 않았으나, 표시 영역(DA)에 세로 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
제1 전압선(155) 및 게이트 절연막(130) 위에는 무기 절연막(135)이 덮여 있다.
무기 절연막(135) 위에는 층간 절연막(160)이 형성되어 있으며, 층간 절연막(160)은 유기 물질로 형성되어 있다.
층간 절연막(160) 위에는 제2 전압선(156)이 형성되어 있다. 제2 전압선(156)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 비표시 영역(NA)의 상부, 하부, 좌우 영역에 형성되어 있다.
제2 전압선(156) 및 층간 절연막(160) 위에는 보호막(180)이 덮여 있다. 보호막(180)은 유기 물질로 형성될 수 있다.
보호막(180) 위에는 캐소드 전극 연결부(192)가 형성되어 있다. 캐소드 전극 연결부(192)는 제2 전압선(156)과 중첩하여 위치하고 있으며, 제2 전압선(156)과 오프닝(62)을 통해 전기적으로 연결되어 있다.
캐소드 전극 연결부(192) 위에는 상부 유기막(350)이 형성되어 있다. 상부 유기막(350)은 유기 물질로 형성될 수 있다.
상부 유기막(350) 위에는 캐소드 전극(270)이 형성되어 있다. 캐소드 전극(270)은 캐소드 전극 연결부(192)와 중첩하여 위치하며, 오프닝(63)을 통해 캐소드 전극 연결부(192)와 전기적으로 연결되어 있다. 즉, 캐소드 전극(270)은 캐소드 전극 연결부(192)를 통해 제2 전압선(156)으로부터 구동 저전압(ELVSS)을 인가받는다.
일반적으로 화소(PX)를 구동하기 위하여 제1 전압선(155)과 제2 전압선(156)에는 많은 양의 전류가 흐르기 때문에, 제1 전압선(155)과 제2 전압선(156)이 중첩하는 부분에 유기 절연막만 존재하는 경우 제1 전압선(155)과 제2 전압선(156)은 단락될 수 있다. 하지만, 일 실시예에서는 제1 전압선(155)과 제2 전압선(156) 사이에 무기 절연막(135)이 더 형성되어 있으므로, 번트 불량 및 비표시 영역(NA) 하부에서 발생하는 발열을 방지할 수 있다.
이상에서, 유기 발광 표시 장치의 비표시 영역(NA) 하부에 발열이 발생하는 문제점을 해결할 수 있는 일 실시예에 대하여 살펴보았다.
이하에서는, 유기 발광 표시 장치의 표시 영역(DA)의 화소(PX) 구조에 대하여 간략히 살펴보도록 한다.
도 12는 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소의 회로도이고, 도 13은 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 영역의 단면도이다.
먼저, 도 12를 참고하면, 유기 발광 표시 장치의 화소(PX)는 여러 신호선들(127, 151, 152, 153, 159, 171, 172, 741)에 연결되어 있는 복수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7), 유지 축전기(Cst), 그리고 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함한다.
복수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7)는 구동 트랜지스터(T1)를 포함하며, 스캔선(151)에 연결되어 있는 스위칭 트랜지스터, 즉, 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)를 포함하고, 그 외의 트랜지스터는 유기 발광 다이오드(OLED)를 동작시키는데 필요한 동작을 하기 위한 트랜지스터(이하 '보상 트랜지스터'라 함)이다. 이러한 보상 트랜지스터(T4, T5, T6, T7)는 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있다.
복수의 신호선(127, 151, 152, 153, 159, 171, 172, 741)은 스캔선(151), 전단 스캔선(152), 발광 제어선(157), 바이패스 제어선(159), 데이터선(171), 제1 전압선(155), 초기화 전압선(127) 및 제2 전압선(156)을 포함할 수 있다. 바이패스 제어선(159)은 전단 스캔선(152)의 일부이거나 전기적으로 연결되어 있을 수 있다.
스캔선(151)은 게이트 구동부(도시되지 않음)에 연결되어 스캔 신호(Sn)를 스위칭 트랜지스터, 즉, 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)에 전달한다. 전단 스캔선(152)은 게이트 구동부에 연결되어 전단에 위치하는 화소(PX)에 인가되는 전단 스캔 신호(Sn-1)를 제4 트랜지스터(T4)에 전달한다. 제4 트랜지스터(T4)는 직렬 연결된 두 트랜지스터를 포함하므로, 전단 스캔 신호(Sn-1)는 제4 트랜지스터(T4)에 포함되는 직렬 연결된 두 트랜지스터의 게이트 전극 모두에 인가된다. 발광 제어선(157)은 발광 제어부(도시되지 않음)에 연결되어 있으며, 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광하는 시간을 제어하는 발광 제어 신호(EM)를 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)에 전달한다. 바이패스 제어선(159)은 바이패스 신호(GB)를 제7 트랜지스터(T7)에 전달하며, 실시예에 따라서는 전단 스캔 신호(Sn-1)와 동일한 신호를 전달할 수 있다.
데이터선(171)은 데이터 구동부(도시되지 않음)에서 생성되는 데이터 전압(Dm)를 전달하는 배선으로 데이터 전압(Dm)에 따라서 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광하는 휘도가 변한다. 제1 전압선(155)은 구동 전압(ELVDD)을 인가하며, 초기화 전압선(127)은 구동 트랜지스터(T1)를 초기화시키는 초기화 전압(Vint)을 전달하며, 제2 전압선(156)은 구동 저전압(ELVSS)을 인가한다. 제1 전압선(155), 초기화 전압선(127) 및 제2 전압선(156)에 인가되는 전압은 각각 일정한 전압이 인가될 수 있다.
이하에서는 복수의 트랜지스터에 대하여 살펴본다.
먼저, 구동 트랜지스터(T1)는 인가되는 데이터 전압(Dm)에 따라서 출력되는 전류의 크기를 조절하는 트랜지스터로, 출력되는 구동 전류(Id)가 유기 발광 다이오드(OLED)로 인가되어 데이터 전압(Dm)에 따라서 유기 발광 다이오드(OLED)의 밝기가 조절된다. 이를 위하여 구동 트랜지스터(T1)의 제1 전극(S1)은 구동 전압(ELVDD)을 인가 받을 수 있도록 배치되어, 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 전압선(155)과 연결되어 있다. 또한, 구동 트랜지스터(T1)의 제1 전극(S1)은 제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극(D2)과도 연결되어 데이터 전압(Dm)도 인가 받는다. 제2 전극(D1; 출력측 전극)은 유기 발광 다이오드(OLED)를 향하여 전류를 출력할 수 있도록 배치되어, 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드와 연결되어 있다. 한편, 게이트 전극(G1)은 유지 축전기(Cst)의 일 전극(제2 유지 전극(E2))과 연결되어 있다. 이에 유지 축전기(Cst)에 저장된 전압에 따라서 게이트 전극(G1)의 전압이 변하고 그에 따라 구동 트랜지스터(T1)가 출력하는 구동 전류(Id)가 변경된다.
제2 트랜지스터(T2)는 데이터 전압(Dm)을 화소(PX)내로 받아들이는 트랜지스터이다. 게이트 전극(G2)은 스캔선(151)과 연결되어 있고, 제1 전극(S2)은 데이터선(171)과 연결되어 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극(D2)은 구동 트랜지스터(T1)의 제1 전극(S1)과 연결되어 있다. 스캔선(151)을 통해 전달되는 스캔 신호(Sn)에 따라 제2 트랜지스터(T2)가 켜지면, 데이터선(171)을 통해 전달되는 데이터 전압(Dm)이 구동 트랜지스터(T1)의 제1 전극(S1)으로 전달된다.
제3 트랜지스터(T3)는 데이터 전압(Dm)이 구동 트랜지스터(T1)를 거치면서 변화된 보상 전압(Dm + Vth의 전압)이 유지 축전기(Cst)의 제2 유지 전극(E2)에 전달되도록 하는 트랜지스터이다. 제3 트랜지스터(T3)는 직렬 연결된 제3-1 트랜지스터(T3-1) 및 제3-2 트랜지스터(T3-2)를 포함한다. 두 트랜지스터(T3-1, T3-2)의 게이트 전극(G3-1, G3-2)는 모두 스캔선(151)과 연결되어 있다. 제3-2 트랜지스터(T3-2)의 제1 전극(S3-2)은 구동 트랜지스터(T1)의 제2 전극(D1)과 연결되어 있고, 제3-1 트랜지스터(T3-1)의 제2 전극(D3-1)은 유지 축전기(Cst)의 제2 유지 전극(E2) 및 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)과 연결되어 있다. 또한, 제3-1 트랜지스터(T3-1)의 제1 전극(S3-1)과 제3-2 트랜지스터(T3-2)의 제2 전극(D3-2)은 제3 노드(N3)에서 서로 연결되어 있다. 제3 트랜지스터(T3)를 하나의 트랜지스터로 기술하는 경우에는 제3-2 트랜지스터(T3-2)의 제1 전극(S3-2)이 제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극이 되고, 제3-1 트랜지스터(T3-1)의 제2 전극(D3-1)이 제3 트랜지스터(T3)의 제2 전극이 된다. 제3 트랜지스터(T3)는 스캔선(151)을 통해 전달받은 스캔 신호(Sn)에 따라 켜져서 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)과 제2 전극(D1)을 연결시키고, 구동 트랜지스터(T1)의 제2 전극(D1)과 유지 축전기(Cst)의 제2 유지 전극(E2)도 연결시킨다.
제4 트랜지스터(T4)는 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1) 및 유지 축전기(Cst)의 제2 유지 전극(E2)을 초기화시키는 역할을 한다. 게이트 전극(G4)은 전단 스캔선(152)과 연결되어 있고, 제1 전극(S4)은 초기화 전압선(127)과 연결되어 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 제2 전극(D4)은 제3 트랜지스터(T3)의 제2 전극(D3)을 경유하여 유지 축전기(Cst)의 제2 유지 전극(E2) 및 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 연결되어 있다. 제4 트랜지스터(T4)도 직렬 연결된 두 개의 트랜지스터를 포함하는 구조를 가진다. 제4 트랜지스터(T4)는 전단 스캔선(152)을 통해 전달받은 전단 스캔 신호(Sn-1)에 따라 초기화 전압(Vint)을 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1) 및 유지 축전기(Cst)의 제2 유지 전극(E2)에 전달한다. 이에 따라 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)의 게이트 전압 및 유지 축전기(Cst)가 초기화된다. 초기화 전압(Vint)는 저전압값을 가져 구동 트랜지스터(T1)를 턴 온 시킬 수 있는 전압일 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)는 구동 전압(ELVDD)을 구동 트랜지스터(T1)에 전달시키는 역할을 한다. 게이트 전극(G5)은 발광 제어선(157)과 연결되어 있고, 제1 전극(S5)은 제1 전압선(155)과 연결되어 있다. 제5 트랜지스터(T5)의 제2 전극(D5)은 구동 트랜지스터(T1)의 제1 전극(S1)과 연결되어 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 구동 트랜지스터(T1)에서 출력되는 구동 전류(Id)를 유기 발광 다이오드(OLED)로 전달하는 역할을 한다. 게이트 전극(G6)은 발광 제어선(157)과 연결되어 있고, 제1 전극(S6)은 구동 트랜지스터(T1)의 제2 전극(D1)과 연결되어 있다. 제6 트랜지스터(T6)의 제2 전극(D6)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드와 연결되어 있다.
제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)는 발광 제어선(157)을 통해 전달받은 발광 제어 신호(EM)에 따라 동시에 켜지며, 제5 트랜지스터(T5)를 통하여 구동 전압(ELVDD)이 구동 트랜지스터(T1)의 제1 전극(S1)에 인가되면, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)의 전압(즉, 유지 축전기(Cst)의 제2 유지 전극(E2)의 전압)에 따라서 구동 트랜지스터(T1)가 구동 전류(Id)를 출력한다. 출력된 구동 전류(Id)는 제6 트랜지스터(T6)를 통하여 유기 발광 다이오드(OLED)에 전달된다. 유기 발광 다이오드(OLED)에 전류(Ioled)가 흐르게 되면서 유기 발광 다이오드(OLED)가 빛을 방출한다.
제7 트랜지스터(T7)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드를 초기화시키는 역할을 한다. 게이트 전극(G7)은 바이패스 제어선(159)과 연결되어 있고, 제1 전극(S7)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드와 연결되어 있고, 제2 전극(D7)은 초기화 전압선(127)과 연결되어 있다. 바이패스 제어선(159)은 전단 스캔선(152)에 연결되어 있을 수 있으며, 바이패스 신호(GB)는 전단 스캔 신호(Sn-1)와 동일한 타이밍의 신호가 인가된다. 바이패스 제어선(159)은 전단 스캔선(152)에 연결되지 않고 전단 스캔 신호(Sn-1)와 별개의 신호를 전달할 수도 있다. 바이패스 신호(GB)에 따라 제7 트랜지스터(T7)가 턴 온 되면 초기화 전압(Vint)이 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드로 인가되어 초기화된다.
유지 축전기(Cst)의 제1 유지 전극(E1)은 제1 전압선(155)과 연결되어 있으며, 제2 유지 전극(E2)은 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1), 제3 트랜지스터(T3)의 제2 전극(D3) 및 제4 트랜지스터(T4)의 제2 전극(D4)과 연결되어 있다. 그 결과 제2 유지 전극(E2)은 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)의 전압을 결정하며, 제3 트랜지스터(T3)의 제2 전극(D3)을 통하여 데이터 전압(Dm)을 인가 받거나, 제4 트랜지스터(T4)의 제2 전극(D4)을 통하여 초기화 전압(Vint)을 인가 받는다.
한편, 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드는 제6 트랜지스터(T6)의 제2 전극(D6) 및 제7 트랜지스터(T7)의 제1 전극(S7)과 연결되어 있으며, 캐소드는 구동 저전압(ELVSS)을 전달하는 제2 전압선(156)과 연결되어 있다.
도 12의 실시예에서 화소 회로는 7개의 트랜지스터(T1-T7)와 1개의 축전기(Cst)를 포함하지만 이에 제한되지 않으며, 트랜지스터의 수와 축전기의 수, 그리고 이들의 연결은 다양하게 변경 가능하다.
도 13을 참고하면, 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(100) 위에 형성된 중첩 금속층(112), 반도체층(130, 131), 제1 게이트 전극층(121, 122, 123), 제2 게이트 전극층(125, 126), 제1 데이터 전극층(165, 166, 147, 176), 제2 데이터 전극층(167, 155), 애노드 전극(191), 유기 발광층(370), 및 캐소드 전극(270)을 포함하며, 이들 층은 오프닝에 의하여 연결되지 않은 한 사이에 절연막을 두어 서로 절연되어 있다.
기판(100)은 플라스틱, 폴리이미드(PI)를 포함하는 플렉서블한 기판(100)으로 형성될 수 있다.
기판(100) 위에는 배리어층(110)이 형성되어 있다. 배리어층(110)은 무기 물질로 형성될 수 있다.
중첩 금속층(112)은 배리어층(110) 위에 형성되어 있다. 중첩 금속층(112)은 화소를 포함하는 표시 영역에 형성되는 금속층으로, 비표시 영역에 형성되는 금속층(111)과 동일층에 형성된다. 여기서, 중첩 금속층(112)은 표시 영역에서 형성되지 않고, 비표시 영역에 금속층(111)만 형성될 수 있다.
버퍼층(120)은 중첩 금속층(112) 및 배리어층(110)을 덮도록 형성되어 있다.
반도체층(130, 131)은 버퍼층(120) 위에 위치하며, 다결정 실리콘(polycrystalline silicon), 산화물 반도체 물질 및 비정질 실리콘 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 반도체층(130)은 인듐(In), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 게르마늄(Ge) 등과 같은 금속원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다.
제1 게이트 절연막(131)은 반도체층(130) 및 기판(100)을 덮도록 형성된다.
제1 게이트 전극층(121, 122, 123)은 제1 게이트 절연막(131) 위에 형성되며, 제1 게이트 전극(121), 제2 게이트 전극(122), 및 제3 게이트 전극(123)을 포함한다.
제2 게이트 절연막(132)은 제1 게이트 전극층(121, 122, 123) 및 제1 게이트 절연막(131)을 덮도록 형성된다.
제2 게이트 전극층(125, 126)은 제2 게이트 절연막(132) 위에 형성되며, 중첩 게이트 전극(125), 및 유지 전극(126)을 포함한다.
제3 게이트 절연막(133)은 제2 게이트 전극층(125, 126) 및 제2 게이트 절연막(132)을 덮도록 형성된다.
제1 데이터 전극층(165, 166, 147, 146)은 제3 게이트 절연막(133) 위에 형성되며, 소스 전극(165), 드레인 전극(166), 게이트 연결부(147), 및 구동 전압 연결부(176)를 포함한다.
소스 전극(165) 및 드레인 전극(166)은 제1 반도체(130)와 연결되며, 제1 게이트 전극(121)과 함께 하나의 박막 트랜지스터를 형성한다.
게이트 연결부(147)는 제3 게이트 전극(123)과 중첩하여 위치하며, 제2 게이트 절연막(132) 및 제3 게이트 절연막(133)에 형성된 오프닝을 통해 전기적으로 연결되어 있다.
구동 전압 연결부(176)는 유지 전극(126)과 일부 중첩하며, 제2 게이트 절연막(132) 및 제3 게이트 절연막(133)에 형성된 오프닝을 통해 전기적으로 연결되어 있다.
제4 게이트 절연막(134)는 제1 데이터 전극층(165, 166, 147, 146) 및 제3 게이트 절연막(133)을 덮도록 형성된다. 여기서, 제1 게이트 절연막(131), 제2 게이트 절연막(132), 제3 게이트 절연막(133), 및 제4 게이트 절연막(134)을 모두 포함하여 게이트 절연막(130)이라 할 수 있다.
층간 절연막(160)은 제4 게이트 절연막(134) 위에 형성되며, 유기 절연막으로 형성될 수 있다.
제2 데이터 전극층(167, 155)은 층간 절연막(160) 위에 형성되며, 애노드 전극 연결부(167) 및 제1 전압선(155)을 포함한다.
애노드 전극 연결부(167)는 애노드 전극(191)에 구동 전류(Id)를 제공하는 연결부이다. 애노드 전극 연결부(167)는 박막 트랜지스터의 소스 전극(165)과 일부 중첩하며, 층간 절연막(160)에 형성된 오프닝을 통해 전기적으로 연결되어 있다.
제1 전압선(155)은 구동 전압(ELVDD)을 인가하는 배선이다. 제1 전압선(155)은 구동 전압 연결부(176)과 일부 중첩하며, 층간 절연막(160)에 형성된 오프닝을 통해 전기적으로 연결되어 있다.
보호막(180)은 제2 데이터 전극층(167, 155) 및 층간 절연막(160)을 덮도록 형성된다. 보호막(180)은 유기 절연막으로 형성될 수 있다.
애노드 전극(191)은 보호막(180) 위에 형성되어 있다. 애노드 전극(191)은 투명한 도전 물질이나 반사성 금속으로 형성될 수 있다. 애노드 전극(191)은 보호막(180)에 형성된 오프닝을 통해 애노드 전극 연결부(167)와 전기적으로 연결되어 유기 발광 다이오드(OLED)의 화소 전극이 될 수 있다.
상부 유기막(350)은 애노드 전극(191) 및 보호막(180)을 덮도록 형성되어 있다. 상부 유기막(350)은 유기 물질로 형성될 수 있다.
유기 발광층(370)은 상부 유기막(350)의 오픈부에 형성되어 있다. 유기 발광층(370)은 발광층, 정공 주입층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron-transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron-injection layer, EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
캐소드 전극(270)은 상부 유기막(350) 및 유기 발광층(370) 위에 형성되어 있다. 캐소드 전극(270)은 투명한 도전 물질 또는 반사성 금속으로 형성될 수 있다. 캐소드 전극(270)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 공통 전극이 될 수 있다. 애노드 전극(191), 유기 발광층(370) 및 캐소드 전극(270)은 유기 발광 다이오드(OLED)를 이룬다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 기판 110: 배리어층
111: 금속층 120: 버퍼막
130: 게이트 절연막 135: 무기 절연막
160: 층간 절연막 180: 보호막
350: 상부 유기막, 191: 애노드 전극
270: 캐소드 전극, 192: 캐소드 전극 연결부
155: 제1 전압선 156: 제2 전압선
146: 제2 전압선 보조부 145: 제1 전압선 보조부
153: 제1 전압 인가 배선 154: 제2 전압 인가 배선
143: 제1 전압 인가 연결부 136: 제2 전압 인가 연결부
158: 제2 전압선 연결부 148: 제2 전압선 보조 연결부

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판의 비표시 영역 위에 형성되는 금속층;
    상기 금속층 및 상기 기판을 덮는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 위에 위치하며, 구동 전압이 인가되는 제1 전압선;
    상기 게이트 절연막 위에 위치하며, 구동 저전압이 인가되는 제2 전압선;
    상기 제1 전압선 및 상기 제2 전압선을 덮는 유기 절연막; 및
    상기 유기 절연막 위에 형성되는 캐소드 전극을 포함하고,
    상기 제2 전압선과 상기 캐소드 전극은 상기 유기 절연막에 형성된 오프닝을 통해 전기적으로 연결되며,
    상기 제1 전압선 또는 상기 제2 전압선은 무기 물질로 이루어진 상기 게이트 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 금속층과 전기적으로 연결되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제2 전압선은 상기 표시 영역의 네 변을 둘러싸도록 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 전압선은 상기 제2 전압선과 상기 비표시 영역에서 일부 중첩하도록 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 유기 절연막은,
    상기 게이트 절연막 위에 위치하는 상기 제1 전압선을 덮도록 형성되는 층간 절연막;
    상기 층간 절연막 위에 위치하는 상기 제2 전압선을 덮도록 형성되는 보호막; 및
    상기 보호막 위에 형성되는 상부 유기막을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 게이트 절연막 위에 위치하는 제1 전압 인가 연결부; 및
    상기 층간 절연막 위에 위치하는 제1 전압 인가 배선을 더 포함하고,
    상기 제1 전압 인가 배선은 상기 층간 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 제1 전압 인가 연결부에 전기적으로 연결되고,
    상기 제1 전압 인가 연결부는 상기 게이트 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 금속층과 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 전압선은 상기 게이트 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 금속층과 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제4항에서,
    상기 보호막과 상기 상부 유기막 사이에 형성되는 애노드 전극; 및
    상기 애노드 전극 위에 형성되는 유기 발광층을 더 포함하고,
    상기 캐소드 전극은 상기 유기 발광층 위에 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제4항에서,
    상기 보호막 위에 형성되는 캐소드 전극 연결부를 더 포함하고,
    상기 캐소드 전극 연결부는 상기 상부 유기막에 형성된 오프닝을 통해 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결되며,
    상기 캐소드 전극 연결부는 상기 보호막에 형성된 오프닝을 통해 상기 제2 전압선과 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 게이트 절연막 위에 위치하는 제2 전압선 연결부를 더 포함하고,
    상기 제2 전압선 연결부는 상기 층간 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 제2 전압선과 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 제2 전압선은 상기 표시 영역의 적어도 세변을 둘러싸도록 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 유기 절연막은,
    상기 게이트 절연막 위에 위치하는 상기 제1 전압선을 덮도록 형성되는 층간 절연막;
    상기 층간 절연막 위에 위치하는 상기 제2 전압선을 덮도록 형성되는 보호막; 및
    상기 보호막 위에 형성되는 상부 유기막을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 게이트 절연막 위에 위치하는 제1 전압선 보조부를 더 포함하고,
    상기 제1 전압선은 상기 층간 절연막 위에 위치하며, 상기 층간 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 제1 전압선 보조부와 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제11항에서,
    상기 게이트 절연막 위에 위치하는 제2 전압선 연결부를 더 포함하고,
    상기 제2 전압선 연결부는 상기 게이트 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 금속층과 전기적으로 연결되고,
    상기 제2 전압선은 상기 층간 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 제2 전압선 연결부와 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제11항에서,
    상기 보호막 위에 위치하는 캐소드 전극 연결부를 더 포함하고,
    상기 캐소드 전극 연결부는 상기 상부 유기막에 형성된 오프닝을 통해 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결되며,
    상기 캐소드 전극 연결부는 상기 보호막에 형성된 오프닝을 통해 상기 제2 전압선과 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제11항에서,
    상기 게이트 절연막 위에 위치하는 제2 전압 인가 연결부; 및
    상기 층간 절연막 위에 위치하는 제2 전압 인가 배선을 더 포함하고,
    상기 제2 전압 인가 배선은 상기 층간 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 제2 전압 인가 연결부와 전기적으로 연결되고,
    상기 제2 전압 인가 연결부는 상기 게이트 절연막에 형성된 오프닝을 통해 상기 금속층과 전기적으로 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제1항에서,
    상기 제2 전압선은 상기 표시 영역의 세 변만을 둘러싸도록 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  17. 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 위에 형성되는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 위에 위치하며, 구동 전압이 인가되는 제1 전압선;
    상기 제1 전압선 및 상기 게이트 절연막을 덮는 무기 절연막;
    상기 무기 절연막 위에 형성되는 층간 절연막;
    상기 층간 절연막 위에 위치하며, 구동 저전압이 인가되는 제2 전압선;
    상기 제2 전압선 위에 형성되는 유기 절연막; 및
    상기 유기 절연막 위에 형성되는 캐소드 전극을 포함하고,
    상기 제2 전압선과 상기 캐소드 전극은 상기 유기 절연막에 형성된 오프닝을 통해 전기적으로 연결되며,
    상기 제1 전압선 및 상기 제2 전압선은 상기 비표시 영역의 하부에서 일부 중첩하도록 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 제2 전압선은 상기 표시 영역의 네 변을 둘러싸도록 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  19. 제17항에서,
    상기 유기 절연막은,
    상기 층간 절연막 위에 위치하는 상기 제2 전압선을 덮도록 형성되는 보호막; 및
    상기 보호막 위에 형성되는 상부 유기막을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  20. 제19항에서,
    상기 보호막과 상기 상부 유기막 사이에 형성되는 애노드 전극; 및
    상기 애노드 전극 위에 형성되는 유기 발광층을 더 포함하고,
    상기 캐소드 전극은 상기 유기 발광층 위에 형성되는 유기 발광 표시 장치.
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