CN113345922B - 驱动背板及其制作方法、显示面板 - Google Patents
驱动背板及其制作方法、显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113345922B CN113345922B CN202110592445.3A CN202110592445A CN113345922B CN 113345922 B CN113345922 B CN 113345922B CN 202110592445 A CN202110592445 A CN 202110592445A CN 113345922 B CN113345922 B CN 113345922B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- protective
- protection
- driving
- electrode layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 51
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 405
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 43
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 18
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 9
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- ZXVONLUNISGICL-UHFFFAOYSA-N 4,6-dinitro-o-cresol Chemical compound CC1=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C1O ZXVONLUNISGICL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910015338 MoNi Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 208000010392 Bone Fractures Diseases 0.000 description 1
- 206010017076 Fracture Diseases 0.000 description 1
- 229910016027 MoTi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- -1 silicon oxide compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种驱动背板及其制作方法、显示面板；该驱动背板包括驱动线路层、位于该驱动线路层上的保护封装层及位于该保护封装层上的像素电极层；其中，该保护封装层包括多个第一过孔，该第一过孔贯穿该保护封装层，该像素电极层通过该第一过孔与该驱动线路层电连接；本发明实施例通过保护封装层将驱动背板的驱动线路层进行保护封装，提高了驱动背板的阻隔水氧能力，增强了驱动背板的性能，延长了驱动背板的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，具体涉及一种驱动背板及其制作方法、显示面板。
背景技术
在显示领域中，驱动背板是重要的组成部分，驱动背板的性能及寿命长短关系到显示效果的高低，目前驱动背板的阻隔水氧能力不高，降低了驱动背板的性能及寿命。
因此，亟需一种驱动背板及其制作方法、显示面板以解决上述技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种驱动背板及其制作方法、显示面板，可以解决目前驱动背板的阻隔水氧能力不高的技术问题。
本发明实施例提供一种驱动背板，包括驱动线路层、位于所述驱动线路层上的保护封装层及位于所述保护封装层上的像素电极层；
其中，所述保护封装层包括多个第一过孔，所述第一过孔贯穿所述保护封装层，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述驱动线路层电连接。
在一实施例中，所述保护封装层包括第一保护层、位于所述第一保护层上的第一平坦层及位于所述第一平坦层上的第二保护层，所述像素电极层位于所述第二保护层上；其中，所述第一平坦层在所述第一保护层上的正投影位于所述第一保护层内，所述第一平坦层在所述第二保护层上的正投影位于所述第二保护层内。
在一实施例中，所述第一保护层与所述第二保护层搭接设置。
在一实施例中，所述保护封装层还包括位于所述第二保护层上的第二平坦层及位于所述第二平坦层上的第三保护层；所述像素电极层包括第一电极层及第二电极层，所述第一电极层通过所述第一过孔与所述驱动线路层电连接，所述第二电极层位于所述第三保护层上；所述第三保护层包括多个第二过孔，所述第二过孔贯穿所述第三保护层及所述第二平坦层，所述第二电极层通过所述第二过孔与所述第一电极层电连接。
在一实施例中，在远离所述第一过孔及所述第二过孔的方向上，所述第二保护层及所述第三保护层搭接设置。
在一实施例中，所述第二保护层向远离对应所述第一过孔方向延伸并位于所述第一保护层上；所述第二平坦层在所述第一平坦层上的正投影位于所述第一平坦层内；所述第三保护层向远离对应所述第二过孔方向延伸并搭接在所述第一保护层上。
在一实施例中，所述第二电极层在所述驱动线路层上的正投影的面积小于所述第一电极层在所述驱动线路层上的正投影的面积。
在一实施例中，所述驱动线路层包括多个薄膜晶体管单元，所述薄膜晶体管单元在所述像素电极层上的正投影位于所述像素电极层内。
本发明实施例还提供了一种驱动背板的制作方法，包括：
在衬底上形成驱动线路层；
在所述驱动线路层上保护封装层；
在所述保护封装层上形成像素电极层；
其中，所述保护封装层包括多个第一过孔，所述第一过孔贯穿所述保护封装层，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述驱动线路层电连接。
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括如任一上述的驱动背板、位于所述驱动背板上的多个发光单元，所述发光单元与所述像素电极层电连接。
本发明实施例通过保护封装层将驱动背板的驱动线路层进行保护封装，提高了驱动背板的阻隔水氧能力，增强了驱动背板的性能，延长了驱动背板的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的驱动背板的第一种结构的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的驱动背板的第二种结构的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的驱动背板的第三种结构的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的驱动背板的制作方法的步骤流程图；
图5是本发明实施例提供的驱动背板的制作方法的第一种流程示意图；
图6是本发明实施例提供的驱动背板的制作方法的第二种流程示意图；
图7是本发明实施例提供的驱动背板的制作方法的第三种流程示意图；
图8是本发明实施例提供的驱动背板的制作方法的第四种流程示意图；
图9是本发明实施例提供的驱动背板的制作方法的第五种流程示意图；
图10是本发明实施例提供的驱动背板的制作方法的第六种流程示意图；
图11是本发明实施例提供的驱动背板的制作方法的第七种流程示意图；
图12是本发明实施例提供的显示面板的第一种结构的结构示意图；
图13是本发明实施例提供的显示面板的第二种结构的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
在显示领域中，驱动背板是重要的组成部分，驱动背板的性能及寿命长短关系到显示效果的高低，目前驱动背板的阻隔水氧能力不高，降低了驱动背板的性能及寿命。
请参阅图1至图3，本发明实施例提供了一种驱动背板100，包括驱动线路层300、位于所述驱动线路层300上的保护封装层400及位于所述保护封装层400上的像素电极层500；
其中，所述保护封装层400包括多个第一过孔610，所述第一过孔610贯穿所述保护封装层400，所述像素电极层500通过所述第一过孔610与所述驱动线路层300电连接。
本发明实施例通过保护封装层将驱动背板的驱动线路层进行保护封装，提高了驱动背板的阻隔水氧能力，增强了驱动背板的性能，延长了驱动背板的使用寿命。
现结合具体实施例对本发明的技术方案进行描述。
所述驱动背板100包括驱动线路层300、位于所述驱动线路层300上的保护封装层400及位于所述保护封装层400上的像素电极层500；其中，所述保护封装层400包括多个第一过孔610，所述第一过孔610贯穿所述保护封装层400，所述像素电极层500通过所述第一过孔610与所述驱动线路层300电连接，具体请参阅图1。
本实施例中，所述保护封装层400包括第一保护层410、位于所述第一保护层410上的第一平坦层420及位于所述第一平坦层420上的第二保护层430，所述像素电极层500位于所述第二保护层430上；其中，所述第一平坦层420在所述第一保护层410上的正投影位于所述第一保护层410内，所述第一平坦层420在所述第二保护层430上的正投影位于所述第二保护层430内，具体请参阅图1。将所述第一平坦层420的面积设置为稍小于所述第一保护层410及所述第二保护层430的面积，可以增加所述第一保护层410及所述第二保护层430的保护效果，增强驱动背板100的机械性能。
本实施例中，所述第一保护层410与所述第二保护层430搭接设置，具体请参阅图1。所述第一保护层410与所述第二保护层430搭接设置，所述第一保护层410及所述第二保护层430主要起到阻隔水氧的作用，两膜层搭接可以进一步提高所述保护封装层400的阻隔水氧能力。
本实施例中，所述保护封装层400还包括位于所述第二保护层430上的第二平坦层440及位于所述第二平坦层440上的第三保护层450；所述像素电极层500包括第一电极层510及第二电极层520，所述第一电极层510通过所述第一过孔610与所述驱动线路层300电连接，所述第二电极层520位于所述第三保护层450上；所述第三保护层450包括多个第二过孔620，所述第二过孔620贯穿所述第三保护层450及所述第二平坦层440，所述第二电极层520通过所述第二过孔620与所述第一电极层510电连接，具体请参阅图2。增加所述第三保护层450以及所述第二电极层520，所述第三保护层450可以提供更好地阻隔水氧的效果，所述第二电极层520与所述第一电极层510通过所述第二过孔620电连接，所述第一电极层510与所述驱动线路层300通过所述第一过孔610电连接，所述第一过孔610与所述第二过孔620的位置不重合，当有水氧入侵是，可以延长水氧的侵入路线，提高阻隔水氧能力，同时，两层电极层的设置，也可以避免单层走线过厚，适当减小所述第一保护层410、所述第一平坦层420及所述第二保护层430的厚度，从而减小所述第一过孔610的深度，减少在第一过孔610处出现断裂的风险，所述第一电极层510还可以作为大电流走线的线路及金属薄膜封装层，进一步保护驱动背板100的驱动线路层300。
本实施例中，在远离所述第一过孔610及所述第二过孔620的方向上，所述第二保护层430及所述第三保护层450搭接设置，具体请参阅图2。所述第二保护层430及所述第三保护层450主要作用是阻隔水氧，二者搭接设置，可以提高所述驱动背板100的阻隔水氧能力。
本实施例中，所述第二保护层430向远离对应所述第一过孔610方向延伸并位于所述第一保护层410上；所述第二平坦层440在所述第一平坦层420上的正投影位于所述第一平坦层420内；所述第三保护层450向远离对应所述第二过孔620方向延伸并搭接在所述第一保护层410上，具体请参阅图3。所述第三保护层450、所述第二保护层430及所述第一保护层410程堆叠相互搭接设置，三者搭接，最大化提高所述驱动背板100的阻隔水氧能力。
本实施例中，所述第二电极层520在所述驱动线路层300上的正投影的面积小于所述第一电极层510在所述驱动线路层300上的正投影的面积，具体请参阅图2。减小所述第二电极层520与所述第一电极层510之间的相对面积，节省材料的同时，可以减少二者之间的寄生电容，提高驱动背板100的工作性能。
本实施例中，所述驱动线路层300包括多个薄膜晶体管单元301，所述薄膜晶体管单元301在所述像素电极层500上的正投影位于所述像素电极层500内，具体请参阅图1至图3。所述像素电极层500可以提供一定的遮光能力，提高所述薄膜晶体管单元301的工作性能。
本实施例中，所述薄膜晶体管单元301在所述第一电极层510上的正投影位于所述第一电极层510内，具体请参阅图1，只需所述第一电极层510即可实现遮光效果。
本实施例中，所述薄膜晶体管单元301在所述第一电极层510上的正投影位于所述第一电极层510内，所述薄膜晶体管单元301在所述第二电极层520上的正投影位于所述第二电极层520内，具体请参阅图2、图3，所述第一电极层510及所述第二电极层520可以提供更好地遮光效果。
本实施例中，所述驱动背板100包括衬底200，所述驱动线路层300包括位于所述衬底200上的遮光层310、位于所述遮光层310上的缓冲层320、位于所述缓冲层320上的有源层330、位于所述有源层330上的第一绝缘层340、位于所述第一绝缘层340上的栅极层350、位于所述栅极层350上的第二绝缘层360、位于所述第二绝缘层360上的源漏极层370，所述第一保护层410位于所述源漏极层370与所述第二绝缘层360上。所述第二绝缘层360包括多个第三过孔及多个第四过孔，所述源漏极层370通过所述第三过孔与所述有源层330电连接，所述源漏极层370通过所述第四过孔与所述遮光层310连接。在图中，易于理解，仅以所述驱动线路层300中膜层对应部分组成所述薄膜晶体管单元301，例如所述有源层330可以包括多个有源单元，所述栅极层350可以包括多个栅极单元，所述源漏极层370可以包括多个源漏极单元，一所述有源单元、一所述栅极单元、一所述源漏极单元相对应，在图中的所述薄膜晶体管单元301中，仅用所述有源层330代表一所述有源单元，用所述栅极层350代表一栅极单元，用所述源漏极层370代表一所述源漏极单元，所述薄膜晶体管单元301可以包括所述遮光层310，也可以不包括所述遮光层310，不作具体限定，具体请参阅图1至图3。
本实施例中，所述像素电极层500与所述源漏极层370电连接，所述第一电极层510通过所述第一过孔610与所述源漏极层370电连接，具体请参阅图1。
本实施例中，所述阵列基还包括外围位于所述缓冲层320上的外围线路层380，具体请参阅图3，所述外围线路层380靠近所述驱动背板100的边缘，用于与绑定端子连接或者与覆晶薄膜连接。
本实施例中，所述第二绝缘层360还包括多个第五过孔，所述外围线路层380包括与所述栅极层350同时形成的第一部分381以及与所述源漏极层370同时形成的第二部分382，所述第二绝缘层360所述第一部分381与所述第二部分382之间，所述第二部分382位于所述第五过孔内，所述第一保护层410搭接在所述第二部分382上，可以形成闭口，充分保护所述驱动背板100内部的线路。
本实施例中，所述第一部分381可以与所述第二部分382电连接，所述第一部分381可以与所述第二部分382通过过孔电连接。
本实施例中，所述遮光层310的材料可以为以下任意一种：Mo或Mo/Al或Mo/Cu或MoTi/Cu或MoTi/Cu/MoT或TiAlTi或Ti/Cu/Ti或Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO或Mo/Cu/ITO或Ni/Cu/Ni或MoTiNi/Cu/MoTiNi或MoNi/Cu/MoNi或NiCr/Cu/NiCr或TiNi/Cu/TiNi或TiCr/Cu/TiCr或CuNb，其中，“/”表示是膜层的层叠，例如“Ni/Cu/Ni”表示Ni层、Cu层、Ni层，下文对于材料的限定中“/”表示相同，不再赘述。
本实施例中，所述缓冲层320的材料可以为以下任意一种或多种的组合：SiOx或SiNx或SiNx/SiOx或SiNOx，其中化学式中的“x”表示其类化合物，例如“SiOx”表示硅氧化合物，下文对于材料的限定中“x”表示相同，不再赘述。
本实施例中，所述有源层330的材料包括以下任意一种：Mo或Mo/Al或Mo/Cu或Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO或Mo/Cu/ITO或Ni/Cu/Ni或MoTiNi/Cu/MoTiNi或NiCr/Cu/NiCr或CuNb。
本实施例中，所述第二绝缘层360的材料可以为以下任意一种：SiOx或SiNx或SiNOx。
本实施例中，所述源漏极层370的材料可以为以下任意一种：Mo或Mo/Al或Mo/Cu或Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO或Mo/Cu/ITO或Ni/Cu/Ni或MoTiNi/Cu/MoTiNi或NiCr/Cu/NiCr或CuNb。
本实施例中，所述第一保护层410或/和所述第二保护层430或/和所述第三保护层450的材料可以为以下任意一种：SiOx，SiNx，SiNOx，SiOx/SiNx、AlOx。
本实施例中，所述像素电极层500的材料可以为一下任意一种：ITO或IZO或Mo或MoTi或MoTiNi或Mo/Cu Mo或Mo/Al或Mo/Cu或Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO或Mo/Cu/ITO或Ni/Cu/Ni或MoTiNi/Cu/MoTiNi或NiCr/Cu/NiCr或CuNb。
本实施例中，所述第一平坦层420或/和所述第二平坦层440的材料为聚酰亚胺或丙烯酸酯。
本发明实施例通过保护封装层将驱动背板的驱动线路层进行保护封装，提高了驱动背板的阻隔水氧能力，增强了驱动背板的性能，延长了驱动背板的使用寿命。
请参阅图4，本发明实施例还提供了一种驱动背板100的制作方法，包括：
S100、在衬底200上形成驱动线路层300；
S200、在所述驱动线路层300上形成保护封装层400；
S300、在所述保护封装层400上形成像素电极层500；
其中，所述保护封装层400包括多个第一过孔610，所述第一过孔610贯穿所述保护封装层400，所述像素电极层500通过所述第一过孔610与所述驱动线路层300电连接。
本发明实施例通过保护封装层将驱动背板的驱动线路层进行保护封装，提高了驱动背板的阻隔水氧能力，增强了驱动背板的性能，延长了驱动背板的使用寿命。
现结合具体实施例对本发明的技术方案进行描述。
所述驱动背板100的制作方法包括：
S100、在衬底200上形成驱动线路层300，具体请参阅图5。
本实施例中，具体所述驱动线路层300的结构请参阅任一上述驱动背板100关于驱动线路层300的实施例。
S200、在所述驱动线路层300上形成保护封装层400，具体请参阅图6至图11。
本实施例中，步骤S200包括：
S210、在所述驱动线路层300上形成第一保护层410，具体请参阅图6。
本实施例中，具体所述第一保护层410的结构请参阅任一上述驱动背板100关于第一保护层410的实施例。
S220、在所述第一保护层410上形成第一平坦层420，具体请参阅图7。
本实施例中，步骤S220包括：
S221、在所述第一保护层410上形成第一有机材料层。
S222、将所述第一有机材料层进行图案化处理，形成第一平坦层420。
本实施例中，所述第一平坦层420包括第一预过孔611，所述第一预过孔611使所述源漏极层370裸露，具体请参阅图7。
S230、在所述第一平坦层420上形成包括多个第一过孔610的第二保护层430，具体请参阅图8。
本实施例中，步骤S230包括：
S231、在所述第一平坦层420上形成第二无机材料层。
S232、将所述第二无机材料层进行图案化处理，形成包括多个第一过孔610的第二保护层430，具体请参阅图8。
本实施例中，所述第一过孔610对应所述第一预过孔611，所述第一过孔610贯穿所述第二保护层430及所述第一保护层410，所述第一平坦层420在所述第一保护层410上的正投影位于所述第一保护层410内，所述第一平坦层420在所述第二保护层430上的正投影位于所述第二保护层430内，具体请参阅图8。
S300、在所述保护封装层400上形成像素电极层500，具体请参阅图9、图2。
本实施例中，所述像素电极层500可以根据保护层的数量进行变化，当只有所述封装层只包括所述第一保护层410及所述第二保护层430时，步骤S300包括：
S310、在所述第二保护层430上形成第一电极层510，具体请参阅图9。本实施例中，所述封装层还包括其他膜层时，在步骤S230之后还包括：
S240、在所述第一电极层510上形成第二平坦层440，具体请参阅图10。
本实施例中，所述第一开孔内填充有所述第二平坦层440，所述第二平坦层440包括第二预过孔621，所述第二预过孔621使远离所述第一开孔内的所述第一电极层510裸露，具体请参阅图10。
S250、在所述第二平坦层440上形成包括多个第二开孔的第三保护层450，具体请参阅图11。
本实施例中，所述第二开孔与所述第二预过孔621对应，所述第二过孔620贯穿所述第三保护层450及所述第二平坦层440，具体请参阅图11。
本实施例中，在步骤S240及S250之后，需要在所述第三保护层450上形成引出的像素电极线，步骤S300还包括：
S320、在所述第三保护层450上形成第二电极层520，即可具体请参阅图2，不再重复作图。
本实施例中，所述第二电极层520通过所述第二过孔620与所述第一电极层510电连接，具体请参阅图2，不再重复作图。
本实施例中，所述驱动背板100的保护封装层400、所述驱动电路层及所述像素电极层500的具体结构及相关描述请参阅任一上述驱动背板100的相关实施例。
本发明实施例通过保护封装层将驱动背板的驱动线路层进行保护封装，提高了驱动背板的阻隔水氧能力，增强了驱动背板的性能，延长了驱动背板的使用寿命。
请参阅图12、图13本发明实施例还提供了一种显示面板，包括如任一上述的驱动背板100、位于所述驱动背板100上的多个发光单元20，所述发光单元20与所述像素电极层500电连接。
本发明实施例通过保护封装层将驱动背板的驱动线路层进行保护封装，提高了驱动背板的阻隔水氧能力，增强了驱动背板的性能，延长了驱动背板的使用寿命。
现结合具体实施例对本发明的技术方案进行描述。
所述显示面板包括如任一上述的驱动背板100、位于所述驱动背板100上的多个发光单元20，所述发光单元20与所述像素电极层500电连接。
本实施例中，所述驱动背板100的结构请参阅任一上述的驱动背板100的实施例，在此不再赘述。
本实施例中，所述发光单元20可以为Mini-LED或Micro-LED。
本实施例中，所述显示面板还包括位于所述驱动背板100及所述发光单元20上的封装层。
本实施例中，所述封装层的材料可以为UV胶和/或硅胶。
本发明实施例通过保护封装层将驱动背板的驱动线路层进行保护封装，提高了驱动背板的阻隔水氧能力，增强了驱动背板的性能，延长了驱动背板的使用寿命。
本发明实施例公开了一种驱动背板及其制作方法、显示面板；该驱动背板包括驱动线路层、位于该驱动线路层上的保护封装层及位于该保护封装层上的像素电极层；其中，该保护封装层包括多个第一过孔，该第一过孔贯穿该保护封装层，该像素电极层通过该第一过孔与该驱动线路层电连接；本发明实施例通过保护封装层将驱动背板的驱动线路层进行保护封装，提高了驱动背板的阻隔水氧能力，增强了驱动背板的性能，延长了驱动背板的使用寿命。
以上对本发明实施例所提供的一种驱动背板及其制作方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (6)
1.一种驱动背板，其特征在于，包括驱动线路层、位于所述驱动线路层上的保护封装层及位于所述保护封装层上的像素电极层；
其中，所述保护封装层包括多个第一过孔，所述第一过孔贯穿所述保护封装层，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述驱动线路层电连接；
所述保护封装层包括第一保护层、位于所述第一保护层上的第一平坦层、位于所述第一平坦层上的第二保护层、位于所述第二保护层上的第二平坦层及位于所述第二平坦层上的第三保护层；
所述像素电极层包括第一电极层及第二电极层，所述第一电极层位于所述第二保护层上，所述第二电极层位于所述第三保护层上；
所述第二保护层包括多个第一过孔，所述第一过孔贯穿所述第二保护层、所述第一平坦层及所述第一保护层，所述第一电极层通过所述第一过孔与所述驱动线路层电连接，所述第三保护层包括多个第二过孔，所述第二过孔贯穿所述第三保护层及所述第二平坦层，所述第二电极层通过所述第二过孔与所述第一电极层电连接；
所述第一保护层、所述第二保护层及所述第三保护层呈堆叠设置，且所述第一保护层、所述第二保护层及所述第三保护层的所有端面均搭接，所述第二电极层在所述驱动线路层上的正投影的面积小于所述第一电极层在所述驱动线路层上的正投影的面积。
2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一平坦层在所述第一保护层上的正投影位于所述第一保护层内，所述第一平坦层在所述第二保护层上的正投影位于所述第二保护层内。
3.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第二保护层向远离对应所述第一过孔方向延伸并位于所述第一保护层上；
所述第二平坦层在所述第一平坦层上的正投影位于所述第一平坦层内；
所述第三保护层向远离对应所述第二过孔方向延伸并搭接在所述第一保护层上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动线路层包括多个薄膜晶体管单元，所述薄膜晶体管单元在所述像素电极层上的正投影位于所述像素电极层内。
5.一种驱动背板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成驱动线路层；
在所述驱动线路层上保护封装层；
在所述保护封装层上形成像素电极层；
其中，所述保护封装层包括多个第一过孔，所述第一过孔贯穿所述保护封装层，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述驱动线路层电连接；
所述保护封装层包括第一保护层、位于所述第一保护层上的第一平坦层、位于所述第一平坦层上的第二保护层、位于所述第二保护层上的第二平坦层及位于所述第二平坦层上的第三保护层；
所述像素电极层包括第一电极层及第二电极层，所述第一电极层位于所述第二保护层上，所述第二电极层位于所述第三保护层上；
所述第二保护层包括多个第一过孔，所述第一过孔贯穿所述第二保护层、所述第一平坦层及所述第一保护层，所述第一电极层通过所述第一过孔与所述驱动线路层电连接，所述第三保护层包括多个第二过孔，所述第二过孔贯穿所述第三保护层及所述第二平坦层，所述第二电极层通过所述第二过孔与所述第一电极层电连接；
所述第一保护层、所述第二保护层及所述第三保护层呈堆叠设置，且所述第一保护层、所述第二保护层及所述第三保护层的所有端面均搭接，所述第二电极层在所述驱动线路层上的正投影的面积小于所述第一电极层在所述驱动线路层上的正投影的面积。
6.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至4中任一项所述的驱动背板、位于所述驱动背板上的多个发光单元，所述发光单元与所述像素电极层电连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110592445.3A CN113345922B (zh) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 驱动背板及其制作方法、显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110592445.3A CN113345922B (zh) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 驱动背板及其制作方法、显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113345922A CN113345922A (zh) | 2021-09-03 |
| CN113345922B true CN113345922B (zh) | 2023-01-24 |
Family
ID=77471925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110592445.3A Active CN113345922B (zh) | 2021-05-28 | 2021-05-28 | 驱动背板及其制作方法、显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113345922B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150144908A1 (en) * | 2013-11-26 | 2015-05-28 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display panel and organic light emitting display device including the same |
| WO2017206796A1 (zh) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及其制备方法、阵列基板和显示装置 |
| CN111969132A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-11-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10775913B2 (en) * | 2014-06-30 | 2020-09-15 | Lg Display Co., Ltd. | Touch sensor integrated display device and method of manufacturing the same |
| US10133376B2 (en) * | 2015-03-31 | 2018-11-20 | Lg Display Co., Ltd. | Touch sensor integrated display device with multiple planarization layers |
| KR102418577B1 (ko) * | 2017-12-13 | 2022-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서를 가지는 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20200108176A (ko) * | 2019-03-07 | 2020-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN112216706B (zh) * | 2020-11-13 | 2022-07-29 | 武汉华星光电技术有限公司 | 驱动背板及发光基板 |
-
2021
- 2021-05-28 CN CN202110592445.3A patent/CN113345922B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150144908A1 (en) * | 2013-11-26 | 2015-05-28 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display panel and organic light emitting display device including the same |
| WO2017206796A1 (zh) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及其制备方法、阵列基板和显示装置 |
| CN111969132A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-11-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113345922A (zh) | 2021-09-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11462714B2 (en) | Organic light emitting diode display device | |
| JP7002908B2 (ja) | 表示装置 | |
| US10409121B2 (en) | Array substrate and display device including the same | |
| US11037995B2 (en) | Organic light-emitting display panel and display apparatus | |
| US11101437B2 (en) | Display substrate motherboard, display substrate and display device | |
| JP5119529B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
| US9966393B2 (en) | Array substrate and method of fabricating the same | |
| CN113826210B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| US20240206252A1 (en) | Display Substrate and Display Apparatus | |
| US9799713B2 (en) | Organic light-emitting diode display with barrier layer | |
| US20240130175A1 (en) | Display substrate and manufacturing method therefor, and display device | |
| EP4060744A1 (en) | Array substrate and display device | |
| US20230207578A1 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel | |
| CN106960836B (zh) | 显示设备及其制造方法 | |
| KR20160116248A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| TWI679788B (zh) | 畫素結構 | |
| CN113345922B (zh) | 驱动背板及其制作方法、显示面板 | |
| KR20210074549A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| KR102533228B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| CN216749900U (zh) | 显示基板和显示装置 | |
| US20220320236A1 (en) | Display substrate and manufacture method thereof, display device | |
| US11903298B2 (en) | Display panel and display device | |
| KR20190049173A (ko) | 표시장치 | |
| KR20210080811A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| CN114063835B (zh) | 触控显示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |