CN114063835B - 触控显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种触控显示面板,涉及显示技术领域,旨在解决触控信号在非显示区的触控线中传输时容易引起ELVSS信号扰动,而导致显示异常的技术问题,该触控显示面板的非显示区具有与显示区相连的第一区域,以及与第一区域相连的第二区域;触控显示面板包括阵列基板、封装层和触控层,在非显示区,封装层覆盖位于第一区域的阵列基板,位于第二区域的阵列基板暴露在封装层外,触控层覆盖封装层及位于第二区域的阵列基板;在第二区域,阵列基板具有ELVSS信号线,触控层具有触控线,在触控线与ELVSS信号线相对于阵列基板上投影的重叠区域内,触控线设置有第一通孔以减小重叠区域的面积。本申请提供的触控显示面板可实现显示功能和触控功能。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种触控显示面板。
背景技术
触控显示面板因具有方便人机交互的优点而受到消费者的亲睐,触控显示面板通常包括显示屏以及设置在显示屏上的触控层,通过显示屏可以实现显示功能,通过触控层可以实现触控功能。
在相关技术中,触控显示面板的显示屏具有显示区和位于显示区边缘的非显示区,在非显示区中,显示屏包括阵列基板,阵列基板上设置有用于连接公共接地端电压(ELVSS)的ELVSS信号线,触控层包括触控电极以及与触控电极连接的触控线,触控电极产生的触控信号经过触控线传输至驱动芯片。
然而,当触控信号在非显示区的触控线中传输时,容易引起ELVSS信号扰动,导致触控显示面板的显示异常。
发明内容
鉴于上述问题,本申请实施例提供一种触控显示面板,能够降低触控信号在非显示区的触控线中传输时对ELVSS信号的扰动,减轻或避免触控显示面板出现显示异常。
为了实现上述目的,本申请实施例提供如下技术方案:
本申请实施例的提供了一种触控显示面板,具有显示区和位于所述显示区边缘的非显示区,所述非显示区具有与所述显示区相连的第一区域,以及与所述第一区域相连的第二区域;所述触控显示面板包括阵列基板、封装层和触控层,在所述非显示区,所述封装层覆盖位于所述第一区域的所述阵列基板,位于所述第二区域的所述阵列基板暴露在所述封装层外,所述触控层覆盖所述封装层和位于所述第二区域的所述阵列基板;在所述第二区域,所述阵列基板具有用于连接公共接地端电压ELVSS的ELVSS信号线,所述触控层具有与触控电极连接的触控线,所述触控线在所述阵列基板上的投影与所述ELVSS信号线在所述阵列基板上的投影具有重叠区域,且在所述重叠区域,所述触控线设置有用于减小所述重叠区域的面积的第一通孔。
在一种可选的实施例中,所述触控线上设置有沿所述触控线的延伸方向间隔分布的多个所述第一通孔。
在一种可选的实施例中所述非显示区设置有辅助导电层,所述辅助导电层位于所述ELVSS信号线朝向所述触控线的一侧;在所述重叠区域,所述辅助导电层与所述ELVSS信号线之间设置有第一填充层;所述辅助导电层设置有与所述第一通孔相对的第二通孔,所述第二通孔延伸至所述第一填充层。
在一种可选的实施例中,所述第一通孔与所述第二通孔一一对应;所述第一通孔和所述第二通孔均为方形孔,或者所述第一通孔和所述第二通孔均为圆形孔。
在一种可选的实施例中,还包括设置于所述显示区的显示器件;所述显示器件包括设置于所述阵列基板的像素限定层,所述像素限定层延伸至所述非显示区,并覆盖所述第一区域和所述第二区域;所述像素限定层位于所述触控线与所述辅助导电层之间。
在一种可选的实施例中,所述辅助导电层与所述像素限定层之间设置有第一平坦层。
在一种可选的实施例中,所述显示器件与所述触控层之间设置有第一缓冲层;所述第一缓冲层位于所述像素限定层与所述触控层之间。
在一种可选的实施例中,在所述显示区,所述阵列基板包括衬底和设置于所述衬底上的薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管,每个所述薄膜晶体管包括源极、漏极和金属层;位于所述非显示区内的所述ELVSS信号线与所述显示区内的所述金属层同层设置。
在一种可选的实施例中,在所述非显示区,所述阵列基板包括依次层叠设置的衬底、第二缓冲层、栅绝缘层、电容绝缘层及第三缓冲层;所述ELVSS信号线设置于所述第三缓冲层上,并位于所述第三缓冲层远离所述电容绝缘层的一侧。
在一种可选的实施例中,所述触控显示面板还包括偏光片及玻璃盖板;所述偏光片设置在所述触控层上,所述玻璃盖板设置在所述偏光片远离所述触控层的一侧。
与相关技术相比,本申请实施例提供的触控显示面板具有以下优点;
本申请实施例提供的触控显示面板,其包括显示区和非显示区,非显示区包括相连第一区域和第二区域,第一区域与显示区相连;触控显示面板包括阵列基板、封装层和触控层,其中封装层覆盖第一区域的阵列基板,且未覆盖第二区域的阵列基板。
在第二区域,阵列基板设置有ELVSS信号线,触控层设置有触控线,触控线在阵列基板上的投影与ELVSS信号线在阵列基板上的投影具有重叠区域,在两者的重叠区域内,触控线设置有第一通孔,以减少ELVSS信号线与触控线之间的重叠区域面积。如此设置,可降低触控线与ELVSS信号线之间的耦合电容,从而降低触控信号在非显示区的触控线中传输时对ELVSS信号的扰动,减轻或避免触控显示面板出现显示异常。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例一提供的触控显示面板整体结构示意图;
图2为图1中A-A剖视图;
图3为本申请实施例一提供的第二区域的剖视图一;
图4为本申请实施例一提供的第二区域的剖视图二;
图5为本申请实施例一提供的第二区域的剖视图三;
图6为本申请实施例二提供的第二区域剖视图一;
图7为本申请实施例二提供的第二区域剖视图二;
图8为本申请实施例二提供的第二区域的俯视图。
附图标记说明:
10-阵列基板;
11-衬底;12-第二缓冲层;13-栅绝缘层;14-电容绝缘层;15-第三缓冲层;16-ELVSS信号线;17-第一填充层;18-辅助导电层;19-第一平坦层;
20-显示器件;
21-第一缓冲层;22-像素限定层;
30-封装层;
40-触控层;
41-触控线;42-防护层;
50-偏光片;
60-玻璃盖板;
70-第一通孔;
80-第二通孔;
100-触控显示面板;
101-显示区;102-非显示区;1021-第一区域;1022-第二区域。
具体实施方式
正如背景技术所述,当触控信号在显示区的触控线中传输时,容易引起ELVSS信号扰动,导致显示面板出现显示异常,经发明人研究发现,出现这种问题的主要原因是:触控显示面板包括阵列基板、显示器件及触控层,显示器件设置在阵列基板上,触控层设置在显示器件上。阵列基板设置有ELVSS信号线,ELVSS信号线用于传输ELVSS信号,触控层设置有与触控电极连接的触控线,触控线用于传输信号线,触控线在阵列基板上的投影与ELVSS信号线在阵列基板上的投影具有重叠区域。其中ELVSS信号为恒压信号,触控信号为方波信号,方波信号包括交替的高电平和低电平阶段,当触控信号跳变时会对ELVSS信号产生一定干扰。
进一步地,在触控显示面板的显示区,显示器件与触控层之间设置有封装层,封装层具有一定厚度,因此在封装层覆盖的区域,触控线与ELVSS信号线之间的间隔较大,两者之间产生的耦合电容较小,因此,在显示区触控信号跳变时不会引起ELVSS信号扰动。然而未被封装层覆盖的非显示区,ELVSS信号线与触控线之间的间隔较小,两者之间产生的耦合电容较大,当触控信号在非显示区传输时,触控信号跳变可引起ELVSS信号扰动,导致触控显示面板出现显示异常。
针对上述技术问题,本申请实施例提供了一种触控显示面板,通过在未被封装层覆盖的非显示区,且触控线在阵列基板的投影与ELVSS信号线在阵列基板上的投影的重叠区域内,触控线设置有第一通孔,以降低触控线与ELVSS信号线的重叠区域面积,从而降低触控线与ELVSS信号线之间的耦合电容,以降低触控信号在非显示区的触控线中传输时对ELVSS信号的扰动,减轻或避免触控显示面板出现显示异常。
为了使本申请实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,均属于本申请保护的范围。
实施例一
图1为本申请实施例一提供的触控显示面板的整体结构示意图;图2为图1中A-A剖视图;图3为本申请实施例一提供的第二区域的剖视图一。
如图1所示,本申请实施例提供的触控显示面板包括显示区101和非显示区102;其中,非显示区102包括第一区域1021和第二区域1022,第一区域1021靠近显示区101设置,且第一区域1021一侧与显示区101相连;第一区域1021的另一侧与第二区域1022相连。
例如,位于触控显示面板100的底端的非显示区102,其包括相邻的弯折区和绑定区,弯折区的一侧与显示区101相连,弯折区的另一侧与绑定区相连;显示区101设置有封装层,封装层的边缘可延伸至非显示区102,并覆盖部分非显示区102;其中,弯折区和绑定区被封装层所覆盖的区域为第一区域1021,弯折区和绑定区未被封装层所覆盖的区域为第二区域1022。需要说明的是,上述绑定区用于绑定驱动芯片,弯折区可进行弯折,以使驱动芯片可绑定在触控显示面板的背侧,以实现触控显示面板的窄边框设计。
如图2和图3所示,本申请实施例提供的触控显示面板100包括阵列基板10、显示器件20、封装层30以及触控层40,其中,显示器件20设置在显示区101,并且显示器件20位于阵列基板10上,封装层30覆盖显示器件20,并延伸至非显示区102;在非显示区102,封装层30可覆盖位于第一区域1021的阵列基板10,并未覆盖位于非显示区102的第二区域1022内的阵列基板10,以使位于第二区域1022内的阵列基板10暴露。
触控层40设置在封装层30上,并覆盖封装层30;触控层40可延伸至非显示区102;在非显示区102,触控层40可覆盖封装层30以及暴露在第二区域1022内的阵列基板10。
在非显示区102的第二区域1022,阵列基板10设置有ELVSS信号线16,ELVSS信号线16的一端与公共接地端电压连接,ELVSS信号线16的另一端可与显示器件的阴极连接。需要说明的是,本实施例中的显示器件可以是有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode,简称OLED)显示器件,且显示器件的阴极通过过孔与ELVSS信号线16连接。
触控层40包括触控线41及触控电极(图中未示出),且触控线41与触控电极连接,触控线41用于传输触控电极产生的触控信号,并将触控信号传输至驱动芯片,即触控线41穿过上述弯折区并传输至绑定区,以将触控信号传输至驱动芯片。其中,触控信号为方波信号,ELVSS信号为恒压信号,当触控信号在传输过程中,会对ELVSS信号产生干扰。
由于在触控显示面板100的显示区101内,显示器件20设置有封装层30,封装层30具有一定的厚度,可增大触控线41与ELVSS信号线16之间的间隔,可减轻或避免触控信号跳变时对ELVSS信号的干扰。也就是说,被封装层30覆盖的区域内,触控信号跳变时对ELVSS信号的干扰可以忽略。
然而,在触控显示面板100的非显示区102未被封装层30所覆盖的区域,ELVSS信号线16与触控线41之间的间隔较小,从而当触控信号跳变时,其能够对ELVSS信号产生干扰。对此,本申请实施例在非显示区102,且触控线41和ELVSS信号线16相对于阵列基板10的投影重叠区域内,触控线41设置有至少一个第一通孔70,从而可减少触控线41与ELVSS信号线16之间的重叠面积,以降低触控线41与ELVSS信号线16之间的耦合电容,从而减少当触控信号跳变时对ELVSS信号产生干扰,降低或避免对阵列基板10上的像素电路造成影响。
需要说明的是,在未被封装层30覆盖的第二区域1022内,触控线41沿其延伸方向可间隔设置有多个第一通孔70。例如,相邻两个第一通孔70之间的间隔可相等,且第一通孔70可以是圆形孔或者方形孔;本实施例对此不加以限制,其能够减少触控线41与ELVSS信号线16的相对于阵列基板10的投影重叠面积即可。
图4为申请实施例一提供的第二区域剖视图二。如图4所示,本申请实施例提供的触控显示面板,在非显示区102还设置有辅助导电层18,辅助导电层18位于ELVSS信号线16朝向显示器件20的一侧,并且辅助导电层18与ELVSS信号线16电连接,辅助导电层18和ELVSS信号线共同用于传输ELVSS信号,以降低ELVSS信号在ELVSS信号线16传输过程中的压降,提升触控显示面板100的显示效果。
上述辅助导电层18相比ELVSS信号线16更加靠近触控线41,为进一步降低触控信号跳变时对ELVSS信号的干扰,辅助导电层18设置有第二通孔80,以降低辅助导电层18与触控线41之间的重叠面积。
具体地,本实施例中ELVSS信号线16与触控线41相对阵列基板10的投影重叠区域内,辅助导电层18与ELVSS信号线16之间设置有第一填充层17;辅助导电层18设置有第二通孔80,且第二通孔80贯穿辅助导电层18,并延伸至第一填充层17的表面。第二通孔80可以是圆形孔或者方形孔,本实施例对此不加以限制。
如此设置,可避免对辅助导电层18上进行刻蚀第二通孔80时破坏ELVSS信号线16的结构,以保证ELVSS信号线16的结构的完整性,从而避免位于ELVSS信号线16远离辅助导电层18一侧的其他信号线中的信号受到触控信号跳变时的影响。
图5为本申请实施例一提供的第二区域的剖视图三。如图5所示,在一些实施例中,在触控线41与辅助导电层18上分别设置有通孔,即在非显示区102,触控线41与辅助导电层18,相对阵列基板10投影重叠区域内,触控线41设置有第一通孔70,辅助导电层18可设置有第二通孔80,且第一通孔70与第二通孔80可相对设置,并一一对应。
如此设置,可减少触控线41与辅助导电层18之间相对于阵列基板10的投影重叠面积,以减少当触控信号跳变时对ELVSS信号产生干扰,可进一步避免或降低对阵列基板10上的像素电路造成影响。
实施例二
图6为本申请实施例二提供的第二区域的剖视图一;图7为本申请实施例二提供的第二区域剖视图二;图8为本申请实施例二提供的第二区域的俯视图。
如图6所示,在触控面板的显示区101,显示器件20位于阵列基板10与触控层40之间,显示器件20设置有像素限定层22,且像素限定层22可延伸至非显示区102。在非显示区102,像素限定层22覆盖第一区域1021及第二区域1022,以在非显示区102的触控线41与辅助导电层18之间增设一层像素限定层22,从而增大触控线41与辅助导电层18之间的间隔,使得降低触控信号跳变时对ELVSS信号的干扰。
如此设置,形成在非显示区102的像素限定层22可与形成显示区101内的像素限定层22一起制作,无需增加新的工艺流程,便可在触控显示面板100的非显示区102内形成像素限定层22,达到节约成本的目的。
在上述实施例的基础上,显示器件20与阵列基板10之间还设置有第一平坦层19,即在阵列基板10上形成显示器件20之前,需在阵列基板10的上形成第一平坦层19,以在第一平坦层19上形成发光层等。
上述第一平坦层19可设置在ELVSS信号线16与像素限定层22之间,若ELVSS信号线16朝向显示器件20的一侧设置有辅助导电层18,则第一平坦层19可设置在辅助导电层18与像素限定层22之间。如此设置,可进一步增大触控线41与辅助导电层18之间的间隔,以降低触控信号跳变时对ELVSS信号的干扰。
继续参阅图7,进一步地,显示器件20与触控层40之间设置有第一缓冲层21,且第一缓冲层21位于像素限定层22与触控线41之间;即在显示器件20靠近触控层40的一侧设置有第一缓冲层21,第一缓冲层21不仅能够降低触控层40的震动,以对触控层40进行有效防护;而且还可增大触控线41与辅助导电层18之间的间隔,可进一步降低触控信号跳变时对ELVSS信号的干扰。
可理解的是,本实施例二中通过增大触控线41与ELVSS信号线16之间的间隔的实施方案可与实施例一中的减少ELVSS信号线16与触控线41之间的重叠面积的各实施例方案进行组合,可进一步降低当触控信号跳变时对ELVSS信号产生干扰,从而降低或避免对阵列基板10上的像素电路造成影响。
如图8所示,本实施例可在辅助导电层18与触控线41之间设置有第一平坦层19、第一缓冲层21及像素限定层22,以增大触控线41与辅助导电层18之间的间隔;同时,在触控线41与ELVSS信号线16在相对阵列基板10的重叠区域,触控线41设置有第一通孔70,与ELVSS信号线16电连接的辅助导电层18设置有第二通孔80,且第一通孔70与第二通孔80一一对应,以降低触控线41与辅助导电层18之间的重叠区域面积。
如此设置,在增大触控线41与辅助导电层18之间的间隔的同时,可降低触控线41与辅助导电层18之间的重叠区域面积,从而可进一步降低当触控信号跳变时对ELVSS信号产生干扰,从而降低或避免对阵列基板10上的像素电路造成影响。
在上述实施例的基础上,阵列基板10不仅包括上述ELVSS信号线16,还包括衬底11、第二缓冲层12、栅绝缘层13、电容绝缘层14及第三缓冲层15,其中第二缓冲层12、栅绝缘层13、电容绝缘层14及第三缓冲层15依次层叠设置在衬底11上,ELVSS信号线16设置于第三缓冲层15上,并位于第三缓冲层15远离电容绝缘层14的一侧。
需要说明的是,在触控显示面板100的显示区101,衬底11上设置有薄膜晶体管层,薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管,每个薄膜晶体管包括源极、漏极和金属层;其中金属层上具有与源极或者漏极连接的信号线,在非显示区102内的ELVSS信号线16与上述显示区101内的金属层位于同一层;即在位于同一金属层不同区域,可形成ELVSS信号线16以及薄膜晶体管;如此设置,利用同一金属层,便可在触控显示面板100的非显示区102内形成ELVSS信号线16,以及在显示区101形成薄膜晶体管,达到节约成本的目的。
进一步地,参阅图2和图3,本申请实施例中的触控显示面板100还包括偏光片50及玻璃盖板60;其中,偏光片50设置在触控层40上,玻璃盖板60设置在偏光片50远离触控层40的一侧。
例如,触控层40远离显示器件20的一侧还设置有触控线41的防护层42,防护层42覆盖触控线41。偏光片50贴合在防护层42的表面上,并且玻璃盖板60与偏光片50之间通过粘结层连接,玻璃盖板60可为整个触控显示面板100提供防护,防止水汽等侵蚀触控显示面板100,以提高触控显示面板100的寿命。
本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。
应当指出,在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“一些实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性,但未必每个实施例都包括该特定特征、结构或特性。此外,这样的短语未必是指同一实施例。此外,在结合实施例描述特定特征、结构或特性时,结合明确或未明确描述的其他实施例实现这样的特征、结构或特性处于本领域技术人员的知识范围之内。
应当容易地理解,应当按照最宽的方式解释本公开中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”,以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”,还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义,并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义,还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即,直接处于某物上)的含义。
文中使用的术语“衬底”是指在其上添加后续材料层的材料。衬底本身可以被图案化。添加到衬底顶上的材料可以被图案化,或者可以保持不被图案化。此外,衬底可以包括宽范围内的一系列材料,例如,硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地,衬底可以由非导电材料(例如,玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等)制成。
文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸,或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外,层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域,其厚度小于该连续结构的厚度。例如,层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。衬底可以是层,可以在其中包括一个或多个层,和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如,互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种触控显示面板,其特征在于,所述触控显示面板具有显示区和位于所述显示区边缘的非显示区,所述非显示区具有与所述显示区相连的第一区域,以及与所述第一区域相连的第二区域;
所述触控显示面板包括阵列基板、封装层和触控层,在所述非显示区,所述封装层覆盖位于所述第一区域的所述阵列基板,位于所述第二区域的所述阵列基板暴露在所述封装层外,所述触控层覆盖所述封装层和位于所述第二区域的所述阵列基板;
在所述第二区域,所述阵列基板具有用于连接公共接地端电压ELVSS的ELVSS信号线,所述触控层具有与触控电极连接的触控线,所述触控线在所述阵列基板上的投影与所述ELVSS信号线在所述阵列基板上的投影具有重叠区域,且在所述重叠区域,所述触控线设置有用于减小所述重叠区域的面积的第一通孔;
所述非显示区设置有辅助导电层,所述辅助导电层位于所述ELVSS信号线朝向所述触控线的一侧;
还包括设置于所述显示区的显示器件;
所述显示器件包括设置于所述阵列基板上的像素限定层,所述像素限定层延伸至所述非显示区,并覆盖所述第一区域和所述第二区域;
所述像素限定层位于所述触控线与所述辅助导电层之间。
2.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述触控线上设置有沿所述触控线的延伸方向间隔分布的多个所述第一通孔。
3.根据权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,在所述重叠区域,所述辅助导电层与所述ELVSS信号线之间设置有第一填充层;
所述辅助导电层设置有与所述第一通孔相对的第二通孔,所述第二通孔延伸至所述第一填充层。
4.根据权利要求3所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一通孔与所述第二通孔一一对应;
所述第一通孔和所述第二通孔均为方形孔,或者所述第一通孔和所述第二通孔均为圆形孔。
5.根据权利要求3所述的触控显示面板,其特征在于,所述辅助导电层与所述像素限定层之间设置有第一平坦层。
6.根据权利要求3所述的触控显示面板,其特征在于,所述显示器件与所述触控层之间设置有第一缓冲层;
所述第一缓冲层位于所述像素限定层与所述触控层之间。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的触控显示面板,其特征在于,在所述显示区,所述阵列基板包括衬底和设置于所述衬底上的薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管,每个所述薄膜晶体管包括源极、漏极和金属层;
位于所述非显示区内的所述ELVSS信号线与所述显示区内的所述金属层同层设置。
8.根据权利要求7所述的触控显示面板,其特征在于,在所述非显示区,所述阵列基板包括依次层叠设置的衬底、第二缓冲层、栅绝缘层、电容绝缘层及第三缓冲层;
所述ELVSS信号线设置于所述第三缓冲层上,并位于所述第三缓冲层远离所述电容绝缘层的一侧。
9.根据权利要求7所述的触控显示面板,其特征在于,所述触控显示面板还包括偏光片及玻璃盖板;
所述偏光片设置在所述触控层上,所述玻璃盖板设置在所述偏光片远离所述触控层的一侧。
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