CN106960836B - 显示设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示设备及其制造方法。所述显示设备包括:第一基底,与动作区和围绕动作区的密封区对应;第二基底,面对第一基底;显示部,位于动作区中;密封构件,位于密封区中,在第一基底与第二基底之间;引导标记,位于第二基底的一个表面上,位于密封构件与第二基底彼此重叠的区域中。

Description

显示设备及其制造方法
本申请要求于2016年1月8日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0002800号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示设备及其制造方法。
背景技术
随着信息技术的发展,已经使作为用于连接用户和信息的媒介的显示设备的市场增长。已经以各种形式开发了显示设备。在各种形式中,有机发光显示设备已经作为具有诸如薄、质轻和低功耗的优异特性的显示设备而备受关注。
有机发光显示设备包括在显示区域中的有机发光器件。因为有机发光器件对湿气和氧十分敏感,所以应减少或防止有机发光器件因湿气和/或氧的侵入而导致的劣化。作为解决前述问题的一种方法,通过利用密封构件将上基底和下基底彼此紧密结合。在这方面,结合的步骤可以伴随将激光束照射在将要形成为密封构件层的图案上的工艺。
然而,在现有的显示设备及其制造方法的情况下,在用于密封构件的图案的精确位置处照射激光束存在限制。
发明内容
一个或更多个实施例包括能够在形成密封构件期间改善密封构件与激光束之间的位置精确度的显示设备及其制造方法。
另外的方面将在随后的描述中部分地被阐述,部分地将通过所述描述变得明显,或者可通过对所提出的实施例的实践来获知。
根据一个或更多个实施例,显示设备包括:第一基底,与动作区和围绕动作区的密封区对应;第二基底,面对第一基底;显示部,位于动作区中;密封构件,位于密封区中,在第一基底与第二基底之间;引导标记,位于第二基底的一个表面上,位于密封构件与第二基底彼此重叠的区域中。
引导标记可以沿密封构件的纵向方向延伸。
引导标记可以包括多个标记,所述多个标记均沿密封构件的纵向方向延伸。
引导标记可以包括:多个第一标记,沿着在密封构件的纵向方向上延伸的虚拟第一行布置;多个第二标记,沿着在密封构件的纵向方向上延伸的虚拟第二行布置。
虚拟第一行与虚拟第二行之间的距离可以基本上恒定。
引导标记与动作区之间的距离可以小于密封构件的中心与动作区之间的距离。
显示设备还可以包括:触摸屏布线,位于第二基底的外表面上,所述外表面与第二基底的接触密封构件的内表面相对,其中,引导标记可以布置在第二基底的外表面上。
引导标记可以包括与触摸屏布线的材料相同的材料。
引导标记可以包括耐热材料。
根据一个或更多个实施例,一种制造显示设备的方法包括:准备具有动作区和围绕动作区的密封区的第一基底;在第一基底的动作区中制造显示部;准备第二基底,第二基底具有分别与第一基底的动作区和密封区对应的动作区和密封区;在第二基底的密封区中,在第二基底的一个表面上制造引导标记;在第一基底的密封区中或在第二基底的密封区中制造密封构件图案;在第一基底上方布置第二基底,使得第一基底的密封区面对第二基底的密封区;通过将激光束照射到引导标记上来熔化密封构件图案;通过固化已熔化的密封构件图案来制造密封构件。
所述方法还可以包括,制造与引导标记相同材料的触摸屏布线。
引导标记可以位于密封构件图案与第二基底彼此重叠的区域内。
引导标记与第二基底的动作区之间的距离可以比密封构件的中心与第二基底的动作区之间的距离短。
引导标记可以具有沿密封构件的纵向方向延伸的形状。
引导标记可以包括多个标记,所述多个标记均具有沿密封构件的纵向方向延伸的形状。
引导标记可以包括:多个第一标记,沿着在密封构件的纵向方向上延伸的虚拟第一行布置;多个第二标记,沿着在密封构件的纵向方向上延伸的虚拟第二行布置。
第一标记中对应的第一标记与第二标记中对应的第二标记之间的距离可以基本上恒定。
所述通过将激光束照射到引导标记上来熔化密封构件图案的步骤可以包括:将激光束照射在所述多个第一标记和所述多个第二标记之间的间隙区中。
所述通过将激光束照射到引导标记上来熔化密封构件图案步骤可以包括:将激光束沿从第二基底到第一基底的方向照射。
引导标记可以包括耐热材料。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述,这些和/或其它方面将变得明显并且更容易理解,在附图中:
图1是示意性示出根据实施例的显示设备的平面图;
图2是沿着图1的线Ⅱ-Ⅱ'截取的剖视图;
图3是示意性示出根据另一实施例的显示设备的剖视图;
图4是示意性示出图1的部分A的放大视图;
图5是示意性示出根据另一实施例的显示设备的一部分的放大视图;
图6是示意性示出根据另一实施例的显示设备的一部分的放大视图;
图7至图10是示意性示出根据实施例的制造显示设备的工艺的剖视图。
具体实施方式
通过参照附图和下面对实施例的详细描述,可更容易地理解发明构思的特征及其实现方法。在下文中,将参照附图更详细地描述示例实施例,在附图中,同样的附图标记始终表示同样的元件。然而,本发明可以以各种不同的形式来实施,并且不应该被解释为仅限于在此示出的实施例。相反地,提供这些实施例作为示例,使得本公开将是彻底的和完整的,并将本发明的方面和特征充分地传达给本领域技术人员。因此,可以不描述对于本领域普通技术人员用于完全理解本发明的方面和特征不必要的工艺、元件和技术。除非另外指出,否则同样的附图标记在附图和书面描述中始终表示同样的元件,因此,将不重复对其的描述。在附图中,为了清晰起见,可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。
将理解的是,虽然在这里可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了便于解释,在这里可使用诸如“在……之下”、“在……下面”、“下面的”、“在……下方”、“在……上面”和“上面的”等的空间相对术语,以描述如在附图中所示的一个元件或特征与另一个或另外多个元件或特征的关系。将理解的是,空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作时的不同方位。例如,如果附图中的装置被翻转,则被描述为“在”其它元件或特征“下面”、“之下”或“下方”的元件将随后被定位为“在”所述其它元件或特征“上面”。因而,示例术语“在……下面”和“在……下方”可包含上面和下面两种方位。可以另外对装置进行定向(例如,旋转90度或在其它方位),并且应该对在此使用的空间相对描述符做出相应的解释。
将理解的是,当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,该元件或层可直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层,或者可以存在一个或更多个中间元件或中间层。此外,还将理解的是,当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时,该元件或层可以是两个元件或层之间的唯一的元件或层,或者还可存在一个或更多个中间元件或中间层。
在这里使用的术语仅出于描述具体实施例的目的,并非意图限制本发明。如这里所使用的,除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式的“一”和“一个(种/者)”也意图包括复数形式。还将理解的是,术语“包括”、“包含”及其变形用在本说明书中时,说明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关列出的项的任意和全部组合。当诸如“……中的至少一个(种)”的表述位于一列元件(要素)之后时,修饰整列的元件(要素),而不是修饰该列中的个别元件(要素)。
如这里使用的,术语“基本上”、“大约”和类似的术语被用作近似的术语而不是程度的术语,并且意图说明本领域普通技术人员将认可的测量值或计算值中的固有偏差。此外,在描述本发明的实施例时使用的“可以”是指“本发明的一个或更多个实施例”。如这里使用的,术语“使用”及其变形可以被认为分别与术语“利用”及其变形同义。另外,术语“示例性”意在指示例或图示。
这里描述的根据本发明的实施例的电子或电气装置和/或任何其它相关的装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如,专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实施。例如,这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或在单独的IC芯片上。此外,这些装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载封装件(TCP)、印刷电路板(PCB)上实施,或形成在一个基底上。此外,这些装置的各种组件可以是用于执行在此描述的各种功能的进程或线程,所述进程或线程在一个或更多个计算装置中在一个或更多个处理器上运行,执行计算机程序指令,并且与其它系统组件交互。计算机程序指令被存储在存储器中,所述存储器可以在使用标准存储器装置(诸如以随机存取存储器(RAM)为例)的计算装置中实施。计算机程序指令也可以被存储在诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例的其它非暂时计算机可读介质中。另外,本领域技术人员应该意识到的是,在不脱离本发明的示例性实施例的精神和范围的情况下,各种计算装置的功能可以被组合或集成到单个计算装置中,或者特定的计算装置的功能可以分布在一个或更多个其它计算装置中。
除非另有限定,否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是,除非这里明确这样限定,否则术语(诸如通用词典中所定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义,并且不应该以理想化或过于正式的含义来解释。
图1是示意性示出根据实施例的显示设备的平面图,图2是沿着图1的线Ⅱ-Ⅱ'截取的剖视图,图3是示意性示出根据另一实施例的显示设备的剖视图。
首先,参照图1和图2,根据实施例的显示设备可以包括第一基底100、第二基底110、密封构件310和引导标记410(例如,图2中的上表面引导标记410a或图3中的下表面引导标记410b)。第一基底100和相应的第二基底110可以包括对应于显示区的动作区AA(例如,图2、图3、图7和图10中的AA1以及图8和图9中的AA2)和对应于非显示区的密封区SA(例如,图2、图3、图7和图10中的SA1以及图8和图9中的SA2)动作区。
显示部布置在第一基底100的动作区AA1中。根据显示设备的类型,显示部可以具有各种形状。然而,在下面的描述中,为了方便解释,主要讨论包括有机发光器件(OLED)的显示部。这适用于以下描述的实施例及其修改示例。
第一基底100的动作区AA1可以包括用于向外发射光的发光区EA1。第一薄膜晶体管TFT1和与其连接的有机发光器件(OLED)可以布置在第一基底100的发光区EA1中。电连接到第一薄膜晶体管TFT1的OLED可以具有电连接到第一薄膜晶体管TFT1的像素电极231。第二薄膜晶体管TFT2可以布置在围绕第一基底100的动作区AA1的发光区EA1的区域中。例如,第二薄膜晶体管TFT2可以是电路部的一部分,以控制在发光区EA1中的电信号的传输。
OLED的对电极233布置在第一基底100的动作区AA1中。对电极233面对第一基底100布置,使得第一薄膜晶体管TFT1和像素电极231在对电极233和第一基底100之间的空间内。
用于将电信号或电压传输到像素的各种布线以及连接到布线的驱动器可以布置在围绕第一基底100的动作区AA1的发光区EA1的区域中。例如,用于驱动沿Y轴方向延伸的多条水平布线的水平电路部226可以布置在围绕第一基底100的动作区AA1的发光区EA1的区域中。水平布线可以是用于传输扫描信号的连接到像素的扫描线。如图1所示,包括水平电路部226的驱动器朝向第一基底100的焊盘区PA延伸,并且连接到布置在焊盘区PA中的焊盘部PAD。
第一基底100可由玻璃材料、塑性材料或金属材料形成。
薄膜晶体管可以布置在第一基底100的动作区AA1中。第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2中的每个可以包括有源图案221、栅电极222、源电极223和漏电极224。
缓冲层212可以形成在第一基底100上。缓冲层212是防止杂质/杂质元素通过第一基底100侵入并在第一基底100上提供平坦的表面的层。缓冲层212可以由能够执行上述功能的各种材料形成。例如,缓冲层212可以包括无机材料或有机材料,并且可以形成为多个堆叠。
有源图案221可以在缓冲层212上由诸如硅的无机半导体或有机半导体来形成。有源图案221可以具源区、漏区以及在源区与漏区之间的沟道区。例如,当使用非晶硅形成有源图案221时,在第一基底100的整个表面上形成非晶硅层,然后,将非晶硅层结晶化以形成多晶硅层,然后,将多晶硅层图案化。在图案化之后,将杂质掺杂到在图案化的多晶硅层的边缘处的源区和漏区中从而可以形成包括源区、漏区和在源区与漏区之间的沟道区的有源图案221。
栅极绝缘膜213形成在有源图案221上。栅极绝缘膜213可以由诸如SiNx或SiO2的无机材料形成,以使有源图案221和栅电极222绝缘。
栅电极222形成在栅极绝缘膜213上的特定区域中。栅电极222连接到用于将开/关信号传输到第一薄膜晶体管TFT1的扫描线。
栅电极222可以包括Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al和/或Mo或者诸如Al:Nd和/或Mo:W的合金,但不限于此,并且栅电极222可以由考虑设计条件的各种材料形成。
扫描线与栅电极222形成在同一层上。此外,用于将扫描信号通过扫描线传输到对应的像素的水平电路部226可以与栅电极222布置在同一层上。扫描线可以由与栅电极222的材料相同的材料形成。
层间绝缘膜214形成在栅电极222上,以使栅电极222与源电极223绝缘并使栅电极222与漏电极224绝缘,层间绝缘膜214可以由诸如氮化硅SiNx和/或氧化硅SiO2的无机材料以单层或多层形成。
源电极223和漏电极224形成在层间绝缘膜214上。详细而言,层间绝缘膜214和栅极绝缘膜213形成为暴露有源图案221的源区和漏区,源电极223和漏电极224形成为分别接触有源图案221的暴露的源区和漏区。
用于将数据信号传输到对应的像素的布线和用于传输电源电压的布线与源电极223和漏电极224形成在同一层上。布线大致平行于一个方向形成。例如,如图1所示,布线可以在X轴方向上平行。
图2示出了顺序地包括有源图案221、栅电极222、源电极223和漏电极224的顶栅型的薄膜晶体管。然而,本公开不限于此,栅电极222可以布置在有源图案221下面。
保护膜215可以覆盖第一薄膜晶体管TFT1的源电极223和漏极224,从而保护第一薄膜晶体管TFT1。保护膜215可以由无机材料形成,例如,通用聚合物PMMA或PS、具有酚基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和/或它们的共混物。
OLED可以包括像素电极231中的一个、中间层232和对电极233。
像素电极231形成在保护膜215上,并且经由形成在保护膜215中的接触孔230电连接到漏电极224。
像素电极231可以形成为透明或半透明电极,或者可以形成为反射电极。当像素电极231形成为透明/半透明电极时,像素电极231可以由例如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和/或AZO来形成。当像素电极231形成为反射电极时,像素电极231可以具有由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或它们的混合物形成的反射膜以及由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和/或AZO形成的层。本公开不限于此,像素电极231可以由各种材料来形成。另外,像素电极231的结构可以以各种形式修改为单层或多层。
布置为面对像素电极231的对电极233可以形成为透明或半透明电极或者反射电极。当对电极233形成为透明/半透明电极时,对电极233可以包括由诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和/或它们的混合物的具有逸出功的金属形成的层,并且可以包括由诸如ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的材料形成的透明/半透明导电层。当对电极233形成为反射电极时,对电极233可以包括由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和/或它们的混合物形成的层。对电极233的结构和材料不限于此,并且其修改与公开的实施例相容。
因此,对电极233可以传输从包括在中间层232中的有机发光层发射的光。换言之,从有机发光层发射的光可以直接朝向对电极233传输,或者可被作为反射电极的像素电极231反射。
然而,根据本实施例的显示设备不限于顶部发射型,可以改为包括从有机发光层朝向第一基底100发射光的底部发射型。当根据本实施例的显示设备为底部发射型时,像素电极231可以形成为透明或半透明电极,对电极233可以形成为反射电极。此外,根据本实施例的显示设备可以是通过顶表面和底表面沿相对方向发光的双发射型。
像素限定膜216由绝缘材料形成在像素电极231上。像素限定膜216暴露像素电极231的特定区域,包括有机发光层的中间层232位于暴露的区域中。
中间层232除了包括有机发光层之外还可以选择性地包括功能层,诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
包括在中间层232中的有机发光层可以由低分子有机材料或聚合物有机材料形成。低分子有机材料可以包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)和/或三-8-羟基喹啉铝(Alq3),反之,聚合物有机材料可以包括聚苯撑乙烯撑(PPV)类材料和/或聚芴类材料。
第二基底110布置在OLED上方,并面对第一基底100。
第二基底110可以包括透明材料,并且与第一基底100类似,可以由玻璃材料和/或塑料材料来形成。第二基底110可以由与第一基底100的材料相同的材料形成。
密封构件310设置在第一基底100和第二基底110之间,以将第一基底100和第二基底110紧密结合。密封构件310形成在第一基底100的密封区SA1中,以围绕第一基底100的动作区AA1。密封构件310密闭地密封第一基底100的动作区AA1,以防止湿气或氧气侵入到位于动作区AA1中的显示部分中。此外,间隔件320可以布置在第一基底100和第二基底110之间,以保持在第一基底100与第二基底110之间的间隙。
密封构件310可以与包括在水平电路部226中的布线的至少一部分叠置。由于密封构件310被布置为尽可能地邻近动作区AA1,所以可以减少显示设备的无效空间(deadspace)。
可以通过在第一基底100或第二基底110的一个表面上沿第一基底100或第二基底110的边缘形成密封构件图案,然后通过将激光束照射到图案上来熔化图案以研制熔化的密封构件图案而后将该图案固化来形成密封构件310。密封构件310可以包括玻璃料。玻璃料可以包括钒(V)氧化物、铋(Bi)氧化物和/或其它各种材料。其它材料可以包括例如包含TeO2、ZnO、BaO、Nb2O5、SiO2、Al2O3、ZrO2和/或P2O5的组中的至少一种。此外,密封构件310可以包括各种材料的填料,以改善密封的特性。
引导标记410形成在第二基底110的一个表面上。引导标记410位于密封构件310与第二基底110彼此叠置的区域中。换言之,第二基底110的引导标记410所处的区域被完全地包括在第二基底110的密封构件310所处的区域中。因此,引导标记410的沿Y轴方向的宽度小于密封构件310的沿Y轴方向的宽度。
引导标记410用于在形成密封构件310期间引导激光束照射在密封构件图案的准确位置处。通常,激光束的能量具有高斯分布,其中,光束的中心部分的能量大于光束的边缘部分处的能量。当激光束未照射在密封构件图案的准确位置处时,那么在密封构件图案中的温度分布不规则,从而密封构件图案不会充分熔化。因此,会劣化密封构件图案与第一基底100和第二基底110的结合状态。此外,当激光束朝向第一基底100的动作区AA1照射时,会损坏位于动作区AA1中的显示部的有机膜。因此,根据本实施例,引导标记410形成在与第二基底110的密封构件图案叠置的区域中,以使激光束可以沿密封构件图案的纵向方向持续地照射在准确位置处。
在第二基底110的一个表面上形成引导标记410的方法之一中,首先,如图2中所示,可以在第二基底110上形成上表面引导标记410a。换言之,上表面引导标记410a在第二基底110的表面上,该表面与第二基底110的接触密封构件310且与密封构件310重叠的表面相对,第二基底110介于上表面引导标记410a与密封构件310之间。
上表面引导标记410a与触摸屏面板的感测电极420以及与连接到感测电极420的触摸屏布线形成在同一层上。此外,上表面引导标记410a可以由与触摸屏布线相同的材料形成。触摸屏布线可以由与感测电极420的材料相同或不同的材料形成。因此,上表面引导标记410a可以由诸如ITO或IZO的透明导电材料或者诸如Mo、Ti或Al的金属材料形成。
在第二基底110的一个表面上形成引导标记410的另一方法中,如图3中所示,可以在第二基底110的与密封构件310接触的表面上形成下表面引导标记410b。下表面引导标记410b可以由与上表面引导标记410a的材料相同或相似的材料形成。
在引导激光束的工艺中,上表面引导标记410a和下表面引导标记410b暴露于从第二基底110上面照射的激光束。因此,上表面引导标记410a和下表面引导标记410b可以由耐热材料形成,使得它不熔化,从而它不被激光束的高温能量损坏。
在下面的描述中,参照图4至图6描述在第二基底110的一个平面表面上的引导标记410的形状和布置。引导标记410可以包括图2的上表面引导标记410a和图3的下表面引导标记410b两者。
图4是示意性示出图1的部分A的放大视图,图5和图6是示意性示出根据其他实施例的显示设备的部分的放大视图。
首先,参照图4,引导标记410可以具有沿密封构件310的纵向方向延伸的形状。如上所述,因为引导标记410沿着密封构件310的纵向方向引导激光束,所以引导标记410可以基本上平行于密封构件310的纵向方向来形成,即,可以沿着X轴方向形成。
引导标记410可以(例如,沿+Y轴方向)形成在远离密封构件310的中心的位置处。为了方便解释,位于密封构件310的中心处并沿密封构件310的纵向方向延伸的虚拟线被假定为中心线CL1。如图4所示,假设中心线CL1与第一基底100的动作区AA之间的距离为“d1”,并且假设引导标记410与第一基底100的动作区AA之间的距离为“d2”,那么“d2”比“d1”短。在这种状态下,“d2”可以是从引导标记410的中心到动作区AA的边缘的距离。
这样,由于引导标记410被布置为从密封构件310的中心朝向动作区AA偏离或偏移,所以照射到引导标记410上的激光束也可以从密封构件310的中心朝向动作区AA偏移。因此,可以减小激光束对第一基底100和第二基底110的动作区AA的外部的热影响。详细而言,当第一基底100和第二基底110的外部被激光束过度影响时,会在切割期间在母基底的切割表面上产生裂纹。裂纹会逐渐蔓延到单元基底(即,第一基底100和第二基底110)的内部中,导致严重的问题。当母基底为玻璃材料时,会容易产生这样的问题。因此,由于激光束的照射位置沿从密封构件310的中心向动作区AA的方向稍微偏移,所以可以减少或防止在第一基底100和第二基底110的边缘中裂纹的产生以及已产生的裂纹朝着第一基底100和第二基底110的动作区AA蔓延。此外,由于母基底的切割位置朝向动作区AA移动,所以可以减小无效空间。然而,在设定引导标记410的位置时,注意防止动作区AA中的构成元件被激光束退化,这会是有用的。
如上所述在从密封构件310的中心沿Y轴方向偏移的位置处形成引导标记410可被应用于下面的实施例及其修改示例。
返回参照图1,引导标记410可以形成在沿Y轴延伸的密封构件310的一部分上。在这种情况下,引导标记410可以具有与密封构件310的形状对应的沿Y轴方向延伸的形状。例如,如图1中所示,引导标记410可以形成在密封构件310的四条边中的每条处。此外,引导标记410可以沿密封构件310的边缘形成为封闭的曲线或周界。这与在随后描述的实施例及其修改示例中的相同。
参照图5,引导标记410可以包括多个标记411。标记411可被布置为沿密封构件310的纵向方向延伸。换言之,标记411可被布置为彼此间隔开,并且沿X轴方向近似地彼此平行或者彼此对齐。
参照图6,引导标记410可以包括:多个第一标记411a,布置在沿密封构件310的纵向方向延伸的虚拟第一行R1中;多个第二标记411b,布置在沿密封构件310的纵向方向延伸的虚拟第二行R2中。在这种状态下,第一行R1和第二行R2之间的距离为常量。因此,在沿第一行R1布置的第一标记411a与沿第二行R2布置的第二标记411b之间的间隙区G具有确定的宽度,激光束照射在间隙区G中。换言之,间隙区G可以形成在与图4的引导标记410的位置相同的位置处,因此执行与图4的引导标记410相同的功能。因此,间隙区G可以形成在沿Y轴方向(例如,+Y轴方向)从密封构件310的中心偏移的位置处。
虽然图6示出了第一标记411a和第二标记411b沿Y轴方向彼此相邻布置,但是本公开不限于此,第一标记411a和第二标记411b可以布置为以之字形图案交替。
在下面的描述中,参照图7至图10在下面描述根据实施例的制造显示设备的工艺。
图7至图10是示意性示出根据实施例的显示设备的制造工艺的剖视图。
首先,如图7中所示,准备第一基底100,在第一基底100上形成显示部。第一基底100包括动作区AA1和围绕动作区AA1的密封区SA1。在动作区AA1中限定用于向外发射光的发光区EA1。在第一基底100的动作区AA1中形成显示部。在发光区EA1中形成设置在显示部中的OLED。因为设置在OLED和显示部中的其它构成元件的制造工艺对于上述参照图1至图3提供的描述是冗余的,所以省略其描述。
接下来,如图8中所示,准备第二基底110,在第二基底110的一个表面上形成上表面引导标记410a。在这种情况下,第二基底110可以包括动作区AA2和密封区SA2,分别对应于第一基底100的动作区AA1和密封区SA1。上表面引导标记410a位于第二基底110的密封区SA2内。换言之,第二基底110的形成有上表面引导标记410a的区域被第二基底110的密封区SA2完全围绕。
可以在与触摸屏面板的感测电极420和/或连接到感测电极420的触摸屏布线同一层上形成上表面引导标记410a。此外,可以由与触摸屏面板的感测电极420和/或触摸屏布线的材料相同的材料形成上表面引导标记410a。在这种情况下,可以在同一工艺中形成上表面引导标记410a、感测电极420和/或触摸屏布线。
虽然图8示出了将上表面引导标记410a与感测电极420和/或触摸屏布线形成在同一层上,但是本公开不限于此。换言之,如图3中所示,可以在第二基底110的与第二基底110的形成感测电极420和/或触摸屏布线的表面(例如,外表面)相对的表面(例如,内表面)上形成下表面引导标记410b。在这种情况下,可以在形成感测电极420和/或触摸屏布线的工艺之外增加形成下表面引导标记410b的工艺。为了方便解释,下面主要描述上表面引导标记410a与感测电极420和/或触摸屏布线形成在同一层上的情况。
接下来,如图9中所示,在第二基底110的密封区SA2中形成密封构件图案311。在这种状态下,形成密封构件图案311,使得已经在第二基底110的一个表面上形成的上表面引导标记410a位于密封构件图案311和第二基底110彼此重叠的区域中。换言之,第二基底110的上表面引导标记410a所处的区域被第二基底110的密封构件图案311所处的区域完全地围绕。
此外,形成密封构件图案311,使得上表面引导标记410a与第二基底110的动作区AA2之间的距离比密封构件图案311的中心与第二基底110的动作区AA2之间的距离短。为了方便解释,假设位于密封构件图案311的中心处并沿密封构件图案311的厚度方向延伸(例如,沿Z轴方向延伸)的虚拟线为中心线CL2。在这种情况下,形成密封构件图案311,使得密封构件311的中心线CL2相比上表面引导标记410a与动作区AA2间隔开更远。
接下来,如图10所示,在第一基底100的上方布置第二基底110,使得第一基底100的密封区SA1面对第二基底110的密封区SA2。
然后,将激光束L照射到形成在第二基底110的一个表面上的上表面引导标记410a上,以使密封构件图案311熔化。由于通过使用上表面引导标记410a引导激光束L,所以可以在密封构件图案311的准确位置处照射激光束L。
在这种状态下,可以将激光束L照射到如图4和图5所示的沿一行布置的引导标记410和411上。在另一示例中,可以将激光束L照射到以多行布置的引导标记上。例如,如图6中所示,当沿第一行R1布置第一标记411a、沿紧邻第一行R1的第二行R2布置第二标记411b时,可以将激光束L照射在第一标记411a和第二标记411b之间的间隙区G中。
然后,如图1中所示,通过固化由激光束L熔化的密封构件图案311来形成密封构件310。这样,通过熔化然后固化密封构件图案311的工艺,将密封构件310在-Z轴方向上的一端和密封构件310在+Z轴方向上的一端分别附着到第一基底100和第二基底110。因此,可以密封被第一基底100、第二基底110和密封构件310围绕的显示部。
如上所述,可以实现显示设备,并可以实现其制造方法,所述显示设备可改善密封构件与激光束之间的位置的精确度,并且还可减小密封构件之外的无效空间。
应该理解的是,在此描述的实施例应仅被视为描述性的含义,而非出于限制的目的。对每个实施例中的特征和方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它相似的特征或方面。
尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解的是,在不脱离如权利要求及其等同物所限定的精神和范围的情况下,可在其中做出形式上和细节上的各种变化。

Claims (20)

1.一种显示设备,所述显示设备包括:
第一基底,与动作区和围绕所述动作区的密封区对应;
第二基底,面对所述第一基底;
显示部,位于所述动作区中;
密封构件,位于所述密封区中,在所述第一基底与所述第二基底之间;
引导标记,位于所述第二基底的一个表面上并且位于所述密封构件与所述第二基底彼此重叠的区域中,
其中,所述引导标记在与所述密封构件的纵向方向垂直的方向上的宽度比所述密封构件在与所述密封构件的所述纵向方向垂直的方向上的宽度小。
2.如权利要求1所述的显示设备,其中,在平面图中,所述引导标记沿所述密封构件的所述纵向方向延伸。
3.如权利要求1所述的显示设备,其中,所述引导标记包括多个标记,所述多个标记均沿所述密封构件的所述纵向方向延伸。
4.如权利要求1所述的显示设备,其中,所述引导标记包括:
多个第一标记,在平面图中沿着在所述密封构件的所述纵向方向上延伸的虚拟第一行布置;
多个第二标记,在平面图中沿着在所述密封构件的所述纵向方向上延伸的虚拟第二行布置。
5.如权利要求4所述的显示设备,其中,所述虚拟第一行与所述虚拟第二行之间的距离恒定。
6.如权利要求1所述的显示设备,其中,所述引导标记与所述动作区之间的距离小于所述密封构件的中心与所述动作区之间的距离。
7.如权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括:
触摸屏布线,位于所述第二基底的外表面上,所述外表面与所述第二基底的接触所述密封构件的内表面相对,
其中,所述引导标记布置在所述第二基底的所述外表面上。
8.如权利要求7所述的显示设备,其中,所述引导标记包括与所述触摸屏布线的材料相同的材料。
9.如权利要求1所述的显示设备,其中,所述引导标记包括耐热材料。
10.一种制造显示设备的方法,所述方法包括:
准备具有动作区和围绕所述动作区的密封区的第一基底;
在所述第一基底的所述动作区中制造显示部;
准备第二基底,所述第二基底具有分别与所述第一基底的所述动作区和所述密封区对应的动作区和密封区;
在所述第二基底的所述密封区中,在所述第二基底的一个表面上制造引导标记;
在所述第一基底的所述密封区中或在所述第二基底的所述密封区中制造密封构件图案;
在所述第一基底上方布置所述第二基底,使得所述第一基底的所述密封区面对所述第二基底的所述密封区;
通过将激光束照射到所述引导标记上来熔化所述密封构件图案;
通过固化已熔化的密封构件图案来制造密封构件,
其中,所述引导标记在与所述密封构件的纵向方向垂直的方向上的宽度比所述密封构件在与所述密封构件的所述纵向方向垂直的方向上的宽度小。
11.如权利要求10所述的方法,所述方法还包括:制造与所述引导标记相同材料的触摸屏布线。
12.如权利要求10所述的方法,其中,所述引导标记位于所述密封构件图案与所述第二基底彼此重叠的区域内。
13.如权利要求10所述的方法,其中,所述引导标记与所述第二基底的所述动作区之间的距离比所述密封构件的中心与所述第二基底的所述动作区之间的距离短。
14.如权利要求10所述的方法,其中,在平面图中,所述引导标记具有沿所述密封构件的所述纵向方向延伸的形状。
15.如权利要求10所述的方法,其中,所述引导标记包括多个标记,在平面图中,所述多个标记均具有沿所述密封构件的所述纵向方向延伸的形状。
16.如权利要求10所述的方法,其中,所述引导标记包括:
多个第一标记,沿着在所述密封构件的所述纵向方向上延伸的虚拟第一行布置;
多个第二标记,沿着在所述密封构件的所述纵向方向上延伸的虚拟第二行布置。
17.如权利要求16所述的方法,其中,所述第一标记中对应的第一标记与所述第二标记中对应的第二标记之间的距离恒定。
18.如权利要求16所述的方法,其中,所述通过将激光束照射到所述引导标记上来熔化所述密封构件图案的步骤包括:将所述激光束照射在所述多个第一标记和所述多个第二标记之间的间隙区中。
19.如权利要求10所述的方法,其中,所述通过将激光束照射到所述引导标记上来熔化所述密封构件图案的步骤包括:将所述激光束沿从所述第二基底到所述第一基底的方向照射。
20.如权利要求10所述的方法,其中,所述引导标记包括耐热材料。
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