WO2011125950A1

WO2011125950A1 - 発光装置およびその製造方法

Info

Publication number: WO2011125950A1
Application number: PCT/JP2011/058450
Authority: WO
Inventors: 優梶谷
Original assignee: 住友化学株式会社
Priority date: 2010-04-07
Filing date: 2011-04-01
Publication date: 2011-10-13
Also published as: JP2011233512A; TW201203648A

Abstract

　支持基板上の配線の厚みを大きくすることなく、電圧降下が抑制された発光装置を提供する。発光装置は、支持基板（１１）と、第１電極（１６）、有機ＥＬ層（１７）、および第２電極（１８）が、第１電極が前記支持基板寄りとなるようにこの順で前記支持基板上に積層されて構成される複数の有機ＥＬ素子（１５）と、前記支持基板と対向して配置され、前記支持基板側には導電性を示す部材（３３）が設けられる対向基板（３１）と、前記支持基板から前記対向基板に向けて突起する突起部（３４）と、前記第２電極から前記突起部上にまで延在して、前記導電性を有する部材に当接する接続電極（３５）とを備える。

Description

発光装置およびその製造方法

　本発明は発光装置およびその製造方法に関する。

　表示装置には、その構成や原理を異にする様々な種類の装置がある。そのひとつとして現在、画素の光源に有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという。）素子（Electroluminescent　Element）を使用した表示装置が実用化されつつある。

　表示装置は画像情報を表示する表示領域を有している。この表示領域に複数の有機ＥＬ素子が配列されている。各有機ＥＬ素子には電力供給源から電力が供給される。しかしながら各有機ＥＬ素子に接続される配線で生じる電圧降下のために、各有機ＥＬ素子に印加される電圧は低下する。
　電圧降下は電力供給源と有機ＥＬ素子との距離が離れるほど大きくなる。よってその大きさは有機ＥＬ素子の配置によって異なる。たとえば表示領域の中央部に配置される有機ＥＬ素子と、表示領域の周縁部に配置される有機ＥＬ素子とでは、電力を供給する際に生じる電圧降下の大きさが異なる。このように電圧降下の大きさは有機ＥＬ素子の配置によって異なるため、各有機ＥＬ素子に印加される電圧もその配置によって異なる。結果として表示領域内の発光強度にむらが生じる（たとえば特許文献１参照）。

　電圧降下を小さくするためには各有機ＥＬ素子に接続される配線の電気抵抗を小さくすればよい。そして配線の電気抵抗を小さくするためには配線の厚みを大きくすればよい。しかしながら配線の厚みを大きくしようとすると、配線の形成に要する時間が長くなる。特に有機ＥＬ素子が搭載される表示装置では、有機ＥＬ素子へ与えるダメージを抑制するために通常は成膜速度の遅い真空蒸着法によって配線を形成する。よって配線の形成に要する時間がより長くなる。電圧降下に起因する発光強度のむらは表示領域が大きくなるほど顕著になる。よって表示装置の大型化にともなって、配線の厚みをより大きくする必要がある。結果として配線の形成に要する時間がより長くなるという問題がある。

特開２００５－７０２９５号公報

　従って本発明の目的は、支持基板上の配線の厚みを大きくすることなく、電圧降下を抑制できる発光装置を提供することにある。

　本発明は、下記［１］～［７］を提供する。
［１］　支持基板と、
　第１電極、有機エレクトロルミネッセンス層、および第２電極が、第１電極が前記支持基板寄りとなるようにこの順で前記支持基板上に積層されて構成される複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、
　前記支持基板と対向して配置され、前記支持基板側に設けられた導電性を有する部材を備える対向基板と、
　前記支持基板から前記対向基板に向けて突起する突起部と、
　前記第２電極から前記突起部上にまで延在して、前記導電性を有する部材に当接する接続電極とを備える、発光装置。
［２］　前記支持基板上に設けられ、前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を区分けする隔壁をさらに有し、前記突起部は前記隔壁上に設けられる、［１］記載の発光装置。
［３］　前記対向基板が導電性を有する材料から構成されている、［１］または［２］記載の発光装置。
［４］　前記対向基板は、電気絶縁性を示す絶縁性基板と、この絶縁性基板上に設けられる導電性薄膜とから構成されている、［１］～［３］のいずれか１つに記載の発光装置。
［５］　前記導電性薄膜はスパッタリング法によって絶縁性基板上に形成されている、［４］記載の発光装置。
［６］　前記導電性薄膜は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、およびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の金属の薄膜によって構成される、［４］または［５］記載の発光装置。
［７］　［１］～［６］のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法であって、
　前記突起部、前記有機ＥＬ素子および前記接続電極が設けられた支持基板を用意する工程と、
　導電性を有する部材が設けられた対向基板を用意する工程と、
　前記接続電極と前記導電性を有する部材とを当接させて前記支持基板と対向基板とを貼り合わせる工程と
を含む発光装置の製造方法。

　本発明によれば、支持基板上の配線の厚みを大きくすることなく、電圧降下が抑制された発光装置を実現することができる。

図１は、発光装置の一部を拡大して模式的に示す平面図である。図２は、発光装置において、１つの有機ＥＬ素子が設けられた領域を拡大して模式的に示す断面図である。図３Ａは、発光装置を模式的に示す平面図である。図３Ｂは、発光装置を模式的に示す平面図である。図４Ａは、発光装置を模式的に示す平面図である。図４Ｂは、発光装置を模式的に示す平面図である。図５は、発光装置を模式的に示す平面図である。

　以下、図面を参照して本発明の実施の一形態について説明する。なお以下の説明において、各図は発明が理解できる程度に構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎず、これにより本発明が特に限定されるものではない。また各図において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、その重複する説明を省略する場合がある。
　本発明の発光装置は、支持基板と、第１電極、有機ＥＬ層、および第２電極が、第１電極が支持基板寄りとなるようにこの順で前記支持基板上に積層されて構成される複数の有機ＥＬ素子と、前記支持基板と対向して配置され、前記支持基板側に設けられた導電性を示す部材を備える対向基板と、前記支持基板から前記対向基板に向けて突起する突起部と、前記第２電極から前記突起部上にまで延在して、前記導電性を示す部材に当接する接続電極とを備える。

　本発明の発光装置はたとえば表示装置として利用される。表示装置は主にアクティブマトリクス駆動型の装置と、パッシブマトリクス駆動型の装置とがある。本発明は両方の駆動型の表示装置に適用可能である。本実施形態では一例としてアクティブマトリクス駆動型の表示装置に適用される発光装置について説明する。

　＜発光装置の構成＞
　まず発光装置の構成について図１および図２を参照して説明する。図１は発光装置の一部を拡大して模式的に示す平面図である。また図２は発光装置において、１つの有機ＥＬ素子が設けられた領域を拡大して模式的に示す断面図である。

　本実施形態の発光装置は主に、支持基板１１と、この支持基板１１上に配列される複数の有機ＥＬ素子１５と、支持基板１１に対向して配置される対向基板３１とを含んで構成される。

　本実施形態では支持基板１１上に隔壁１２が設けられる。この隔壁１２は支持基板１１上に予め設定される区画を画成するために設けられる。なお複数の有機ＥＬ素子１５は、この隔壁１２によって画成される区画にそれぞれ設けられる。本実施形態における隔壁１２は、第１隔壁部材１３と第２隔壁部材１４とが第１隔壁部材１３が支持基板１１寄りとなるようにこの順で積層されて構成される。以下において第１隔壁部材１３および第２隔壁部材１４を特に区別せずに説明する場合、第１隔壁部材１３および第２隔壁部材１４を総称して隔壁１２という。

　本実施形態における隔壁１２は、支持基板１１の厚み方向Ｚの一方から見て（以下、「平面視で」ということがある。）格子状に設けられる。すなわち隔壁１２は、行方向Ｘに延在する複数本の部分と、列方向Ｙに延在する複数本の部分とから構成される。行方向Ｘに延在する複数本の部分は、列方向Ｙに所定の間隔をあけて配置され、列方向Ｙに延在する複数本の部分は、行方向Ｘに所定の間隔をあけて配置される。そして行方向Ｘに延在する複数本の部分と、列方向Ｙに延在する部分とは、互いに直交し、一体的に形成されている。換言すると隔壁１２は、平板状の絶縁性部材に複数の開口部１９が形成された形状を有する。すなわち隔壁には行方向Ｘに所定の間隔をあけるとともに、列方向Ｙに所定の間隔をあけて配置される複数の開口部１９が形成されている。なお本明細書において行方向Ｘと列方向Ｙとは、互いに直交し、かつそれぞれが支持基板１１の厚み方向Ｚに直交する方向を意味する。隔壁１２を構成する上述の複数本の部分の幅は、発光装置の仕様、製造工程の簡易さなどによって決まる。隔壁１２を構成する上述の複数本の部分の幅は、通常１０μｍ～１００μｍ程度である。

　第１隔壁部材１３および第２隔壁部材１４は、平面視で、それぞれ上述のように格子状に設けられる。第１隔壁部材１３および第２隔壁部材１４は、平面視におけるその外縁が互いに異なる位置に来る。第２隔壁部材１４はその外縁が、第１隔壁部材１３の外縁から、第１隔壁部材１３上の内側に退避して形成されている。換言すると平面視で第１隔壁部材１３はその外縁が第２隔壁部材１４の外縁からはみ出すように、行方向Ｘの幅がより大きくなるように形成されている。

　第１隔壁部材１３の厚み方向Ｚの厚みは、発光装置の仕様、製造工程の簡易さなどによって決まる。第１隔壁部材１３の厚みは、通常３０ｎｍ～５００ｎｍ程度である。また第２隔壁部材１４の厚み方向Ｚの厚みは、発光装置の仕様や製造工程の簡易さなどによって決まる。第２隔壁部材１４の厚みは、通常０．５μｍ～５μｍ程度である。

　支持基板１１上には複数の有機ＥＬ素子１５が設けられる。各有機ＥＬ素子１５は、それぞれ隔壁１２に囲まれる領域に設けられる。すなわち各有機ＥＬ素子１５は、隔壁１２に形成された複数の開口部１９に対応するようにそれぞれ設けられる。本実施形態では格子状の隔壁１２が設けられるので、複数の有機ＥＬ素子１５はそれぞれマトリクス状に配列される。すなわち複数の有機ＥＬ素子１５は、それぞれ行方向Ｘに所定の間隔をあけるとともに、列方向Ｙに所定の間隔をあけて配列される。有機ＥＬ素子１５または開口部１９のサイズは、発光装置の仕様、製造工程の簡易さなどによって決まる。たとえば表示装置では、有機ＥＬ素子１５または開口部１９の行方向Ｘおよび列方向Ｙの幅は、それぞれ３０μｍ～３００μｍ程度である。

　発光装置は支持基板１１から対向基板３１に向けて厚み方向Ｚに突起する突起部３４をさらに備える。本実施形態では突起部３４は隔壁１２とは別に設けられる。なお後述するように隔壁１２とは別に突起部３４を設けるのではなく、突起部３４としても機能する隔壁１２を設けてもよい。

　本実施形態では突起部３４は隔壁１２上に設けられる。突起部３４は、隔壁１２上において所定の方向に連続するように形成されていてもよい。また突起部３４は、所定の間隔をあけて離散的に形成されていてもよい。図３Ａおよび図３Ｂは、連続する突起部を備える発光装置を模式的に示す平面図である。図４Ａおよび図４Ｂは、所定の間隔をあけて配置される突起部を備える発光装置を模式的に示す平面図である。
　突起部３４は支持基板１１から離間して対向基板３１側に向かうにつれて側面が傾斜を有する先細状になるように形成される。このように突起部３４を先細状に形成することによって、互いに連続する接続電極３５と第２電極１８とを容易に形成することができる。

　連続する突起部３４を設ける場合、たとえば図３Ａに示されるように隔壁１２と同様に格子状の突起部３４を形成してもよい。また図３Ｂに示されるように行方向Ｘまたは列方向Ｙに延在する複数本のストライプ状の突起部３４を形成してもよい。このような連続する突起部３４は、たとえば断面形状が台形状に形成される。また図４Ａに示されるように離散的に突起部３４を配置する場合、たとえば格子状の隔壁１２の交差する部位に突起部３４を形成してもよい。また図４Ｂに示されるように行方向Ｘまたは列方向Ｙに隣り合う有機ＥＬ素子１５の間に突起部３４を形成してもよい。このような離散的に配置される突起部３４はたとえば、円錐台形状および角錐台形状などの錐台形状、などに形成される。

　なお支持基板１１と対向基板３１とを貼り合わせる際に、たとえ意図しないパーティクルが支持基板１１上に存在していたとしても、突起部３４は上記のように錐台形状に形成し、かつ離散的に配置すれば、パーティクルは通常、隔壁１７によって画成される凹部に収容される。よって、対向基板３１と突起部３４とがパーティクルを挟むようにして接続されることを防ぐことができる。このような観点からは突起部３４を離散的に配置することが好ましい。

　突起部３４のサイズは、発光装置の仕様、製造工程の簡易さなどによって決まる。たとえば表示装置では突起部３４の高さは１μｍ～１０μｍ程度である。

　有機ＥＬ素子１５は、陽極および陰極から構成される一対の電極と、一対の電極間に設けられる有機ＥＬ層１７とから構成される。有機ＥＬ層１７は１層のみから構成されていてもよい。また有機ＥＬ層１７は、複数の層が積層されて構成されていてもよい。なお有機ＥＬ素子１５は有機ＥＬ層１７として少なくとも１層の発光層を備える。

　以下では陽極および陰極から構成される一対の電極のうちの、支持基板１１寄りに配置される一方の電極を第１電極１６といい、この第１電極１６よりも支持基板１１から離間して配置される他方の電極を第２電極１８という。

　本実施形態では支持基板１１としてアクティブマトリクス駆動型の基板が用いられる。そのため支持基板１１には有機ＥＬ素子１５と同数の第１電極１６が設けられる。複数の第１電極１６は、複数の有機ＥＬ素子１５と同様にマトリクス状に配置される。すなわち複数の第１電極１６は、それぞれ行方向Ｘに所定の間隔をあけるとともに、列方向Ｙに所定の間隔をあけて配置される。第１電極１６は、薄膜状に形成され、平面視でたとえば略矩形状や略楕円形状などに形成される。第１電極１６は平面視で主に第１隔壁部材１３の設けられる領域を除く領域に形成される。本実施形態では第１電極１６の周縁部が第１隔壁部材１３に覆われている。
　換言すると本実施形態における第１隔壁部材１３は第１電極１６の周縁部を覆って第１電極の一部を露出させるように形成されている。

　有機ＥＬ層１７は、有機ＥＬ素子１５のうちで、第１電極１６および第２電極１８に挟持される全ての層を意味する。有機ＥＬ層１７としては、前述したように少なくとも１層の発光層が設けられる。この他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層および電子注入層などが必要に応じて設けられる。有機ＥＬ層１７は、第１電極１６上であって、かつ隔壁１２によって画成された領域に設けられる。すなわち有機ＥＬ層１７は、第１電極１６上、すなわち開口部１９上に設けられる。

　第２電極１８は、本実施形態では複数の有機ＥＬ素子１５に共通の電極として設けられる。すなわち第２電極１８は、有機ＥＬ層１７上のみならず、隔壁１２および突起部３４上に延在するように設けられ、複数の有機ＥＬ素子１５にまたがって、連続して形成されている。

　このように本実施形態では第２電極１８は、隔壁１２および前記突起部３４上にまで導電性を有する材料により構成される膜が延在するように形成される。この突起部３４上に形成される第２電極１８のうちの一部を本明細書では接続電極３５という。

　対向基板３１は支持基板１１と対向して配置される。対向基板３１は、前記支持基板１１に臨む側の表面部に導電性を有する部材が設けられている。対向基板３１は少なくともその表面部に導電性を有する部材が設けられていればよいため、その全てが導電性を有する部材によって構成されていてもよい。本実施形態では対向基板３１は、電気的な絶縁性を有する絶縁性基板３２と、この絶縁性基板３２上に設けられる導電性薄膜３３とから構成されている。

　対向基板３１は、導電性薄膜３３を支持基板１１の突起部３４上に設けられた接続電極３５に対向させて、支持基板１１と貼り合わされる。このように対向基板３１を配置して貼り合わせることで、前記突起部３４上に形成された接続電極３５が、対向基板３１に当接する。なお本実施形態では導電性薄膜３３に接続電極３５が当接している。

　＜発光装置の製造方法＞
　次に発光装置の製造方法について説明する。

　（支持基板を用意する工程）
　本工程では前記突起部３４、前記有機ＥＬ素子１５および前記接続電極３５がその上に設けられた支持基板を用意する。

　本実施形態ではアクティブマトリクス型の表示装置を実現するために、複数の有機ＥＬ素子１５を個別に駆動するための回路が予め形成された基板を支持基板１１として使用することができる。たとえばＴＦＴ（Thin　Film　Transistor）およびキャパシタなどが予め形成された基板を支持基板１１として使用することができる。

　次に支持基板１１上に複数の第１電極１６をマトリクス状に形成する。第１電極１６は、たとえば支持基板１１上の一面に透明導電性薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィ法によってマトリクス状にパターニングしたマスクパターンを用いて、不要な部分をエッチングにより除去することによって形成される。またたとえば所定の部位に開口が形成されたマスクを支持基板１１上に配置し、このマスクを介して支持基板１１上の所定の部位に透明導電性材料を選択的に堆積することにより第１電極１６をパターン形成してもよい。第１電極１６の材料については後述する。

　次に隔壁１２を支持基板１１上に形成する。本実施形態ではまず第１隔壁部材１３を形成する。第１隔壁部材１３は有機物または無機物によって構成される。第１隔壁部材１３を構成する有機物としてはアクリル樹脂、フェノール樹脂、およびポリイミド樹脂などの樹脂を挙げることができる。また第１隔壁部材１３を構成する無機物としてはＳｉＯ_ｘ、ＳｉＮ_ｘなどを挙げることができる。

　有機物からなる第１隔壁部材１３を形成する場合、まずたとえばポジ型またはネガ型の感光性樹脂を一面に塗布し、所定の部位を露光、現像する。さらにこれを硬化することによって、格子状の第１隔壁部材１３が形成される。また無機物からなる第１隔壁部材１３を形成する場合、無機物からなる薄膜をプラズマＣＶＤ法、スパッタ法などによって一面に形成し、次に所定の部位を除去することにより格子状の第１隔壁部材１３が形成される。所定の部位の除去はたとえばフォトリソグラフィ法とエッチング法とによって行われる。

　次に格子状の第２隔壁部材１４を形成する。第２隔壁部材１４はたとえば第１隔壁部材１３の材料として例示した材料を用いて、第１隔壁部材１３を形成する方法と同様にして格子状に形成することができる。

　次に突起部３４を形成する。突起部３４は、たとえば第１隔壁部材１３の材料として例示した材料を用いて、第１隔壁部材１３を形成する方法と同様にして隔壁１２上にパターン形成することができる。
　隔壁１２は有機ＥＬ層１７を形成する前に必要に応じて撥液化される。たとえば第２隔壁部材１４が有機物から構成される場合、フッ化物を含有する雰囲気中でプラズマ処理を行うことにより、第２隔壁部材１４の表面に撥液性を付与することができる。本処理ではフッ化物として、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_２、Ｃ_３Ｆ_８、Ｃ_４Ｆ_６、Ｃ_４Ｆ_８などを用いることができる。このように第２隔壁部材１４の表面に撥液性を付与することによって、隔壁１２に囲まれる領域（開口部１９）に供給されるインキを、開口部１９内で保持することができる。

　次に有機ＥＬ素子１５を形成する。なお本実施形態では支持基板１１に第１電極１６が予め形成されているため、さらに有機ＥＬ層１７、第２電極１８を形成することによって有機ＥＬ素子１５を作製する。

　有機ＥＬ層１７はたとえば塗布法によって形成される。まず有機ＥＬ層１７となる有機ＥＬ材料を含むインキを、隔壁１２に囲まれる領域（開口部１９）に選択的に供給する。
インキを選択的に供給する方法としては、インクジェットプリント法、凸版印刷法、凹版印刷法などの印刷法およびノズルコート法などの塗布法が挙げられる。次に供給されたインキを固化することによって有機ＥＬ層１７を形成する。

　なお全ての有機ＥＬ素子１５に共通する層を形成する場合、有機ＥＬ材料を含むインキを、隔壁１２に囲まれる領域に選択的に供給する必要がないこともある。全ての有機ＥＬ素子１５に共通する層は、上述の方法と同様に、インキを選択的に供給することによって形成してもよいが、たとえばスピンコート法、キャピラリーコート法、ディップコート法などによって、全面にインキを塗布し、これを固化することによって形成してもよい。

　次に第２電極１８を形成する。第２電極１８は本実施形態では全面に形成する。すなわち有機ＥＬ層１７上、隔壁１２上および突起部３４上に、全面に導電性を有する材料により構成される薄膜を形成する。
これによって全ての有機ＥＬ素子１５に連続して設けられる第２電極１８が形成され、結果として接続電極３５が突起部３４上に形成される。第２電極１８の材料については後述する。

　次に対向基板３１を用意する。本実施形態では絶縁性基板３２と、この絶縁性基板３２上に設けられる導電性薄膜３３とから構成される対向基板３１を用意する。

　絶縁性基板３２はたとえばガラス基板、石英ガラス基板によって構成される。

　導電性薄膜３３はたとえばスパッタリング法、イオンプレーティング法によって絶縁性基板３２上に形成される。第２電極１８は成膜する際に有機ＥＬ素子１５に損傷を与えることがあるため、有機ＥＬ素子１５に与える損傷の少ない方法によって形成することが好ましく、成膜方法が限定されることがある。他方、導電性薄膜３３を形成する方法は特に限定されないため、導電性薄膜３３は、第２電極１８よりも成膜速度の速い方法によって形成することが好ましく、たとえばスパッタリング法によって形成することが好ましい。

　導電性薄膜３３はたとえば電気抵抗の低い材料によって構成することが好ましく、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、およびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の金属の薄膜によって構成されることが好ましい。

　対向基板３１はたとえば所定の接着部材によって支持基板１１に貼り合わされる。たとえばまず対向基板３１の周縁部に接着部材を配置し、次に支持基板１１に対向基板３１を貼り合わせる。その後、接着部材を硬化することによって、対向基板３１と支持基板１１とを接着することができる。対向基板３１を支持基板１１に貼り合わせる工程はたとえば不活性ガス雰囲気、または真空雰囲気において行うことが好ましい。接着部材にはたとえば熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、フリットガラスが用いられる。

　以上説明したように本実施形態の発光装置には、接続電極３５を介して第２電極１８に電気的に接続される導電性薄膜３３が対向基板３１に設けられる。電力供給源から供給される電流は、第２電極１８だけでなく、導電性薄膜３３も通って流れるため、この導電性薄膜３３を設けることによって、電力供給源から各有機ＥＬ素子１５に電力を供給する際に生じる電圧降下を小さくすることができる。これによって支持基板上の第２電極１８の厚みを大きくすることなく、電圧降下の抑制された発光装置を実現することができる。

　また上述したように導電性薄膜３３の成膜方法には制限がないため、成膜速度の速い方法で導電性薄膜３３を形成することができ、発光装置の製造に要する時間を短くすることができる。

　また導電性薄膜３３を設けることによって、第２電極１８の厚みを抑えることができるため、第２電極１８を形成する際に有機ＥＬ素子１５に与えられるダメージを抑制することができる。

　なお突起部３４を対向基板３１に形成することも考えられる。しかしながらこの場合、対向基板３１と支持基板１１とを貼り合わせる際に、両者の位置合わせを高精度に行う必要がある。本実施形態のように突起部３４を支持基板１１に形成することによって、位置合わせを高精度に行うことなく貼り合わせを行うことができる。結果として、発光装置の製造工程を簡易化することができる。

　また突起部３４はスペーサとしても機能するため、対向基板３１にかかる応力を分散し、対向基板３１が撓むことを防ぐことができる。このように突起部３４をスペーサとしても用いることによって、スペーサを別に形成する必要がなくなる。結果として、発光装置の製造工程を簡略化することができる。

　上述の実施形態の発光装置では、対向基板３１は、電気的に絶縁性である絶縁性基板３２と、この絶縁性基板３２上に設けられる導電性薄膜３３とから構成されている。対向基板３１は導電性部材から構成されていてもよい。たとえば対向基板３１はＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、およびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の金属の薄板によって構成されていてもよい。

　前述の実施形態の発光装置では突起部３４が隔壁１２とは別に設けられている。しかしながら、たとえば突起部３４と隔壁１２との両方の機能を発揮する突起部３４を設けてもよい。図５は突起部と隔壁との両方の機能を発揮する突起部を備える発光装置を模式的に示す平面図である。
　図５に示されるように、突起部３４と隔壁１２との両方の機能を発揮する突起部３４を設ける場合、隔壁１２と別に突起部３４を形成する必要がなくなる。よって発光装置の製造工程を簡略化することができる。

　また本実施形態における隔壁１２は第１隔壁部材１３と第２隔壁部材１４とが、隔壁部材１３が支持基板１１寄りとなるようにこの順で積層されて構成されている。しかしながら、隔壁１２は、単層構造のものであってもよい。

　また本実施形態における隔壁１２は、第１隔壁部材１３と第２隔壁部材１４とがともに格子形状を有するとしたが、隔壁１２の形状は格子形状に限られない。たとえば格子形状の第１隔壁部材１３上に、ストライプ状の第２隔壁部材１４を設けてもよく、また第１隔壁部材１３と第２隔壁部材１４とをともにストライプ形状に形成してもよい。

　＜有機ＥＬ素子の構成＞
　前述したように有機ＥＬ素子１５は種々の層構成をとりうる。以下では有機ＥＬ素子の層構造、各層の構成、および各層の形成方法についてさらに詳しく説明する。

　前述したように有機ＥＬ素子１５は、陽極および陰極からなる一対の電極と、一対の電極間に設けられる１層以上の有機ＥＬ層１７とを含んで構成され、１層以上の有機ＥＬ層１７として少なくとも１層の発光層を有する。なお有機ＥＬ素子１５は、無機物と有機物とを含む層、および無機層などを含んでいてもよい。有機層を構成する有機物としては、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、また低分子化合物と高分子化合物との混合物でもよい。有機層は、高分子化合物を含むことが好ましく、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０^３～１０^８である高分子化合物を含むことが好ましい。

　陰極と発光層との間に設けられる有機ＥＬ層１７としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などを挙げることができる。陰極と発光層との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に近い層を電子注入層といい、発光層に近い層を電子輸送層という。陽極と発光層との間に設けられる有機ＥＬ層１７としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などを挙げることができる。正孔注入層と正孔輸送層との両方の層が設けられる場合、陽極に近い層を正孔注入層といい、発光層に近い層を正孔輸送層という。

　本実施の形態の有機ＥＬ素子１５のとりうる層構成の一例を以下に示す。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｃ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｄ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｅ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｆ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｇ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｊ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｋ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｌ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｍ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｎ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｏ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｐ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
　ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。
以下同じ。
　本実施の形態の有機ＥＬ素子は２層以上の発光層を有していてもよい。上記ａ）～ｐ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極と陰極とに挟持された積層体を「構造単位Ａ」とすると、２層の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、下記ｑ）に示す層構成を挙げることができる。なお２つある（構造単位Ａ）の層構成は互いに同じでも、異なっていてもよい。
ｑ）陽極／（構造単位Ａ）／電荷発生層／（構造単位Ａ）／陰極
　また「（構造単位Ａ）／電荷発生層」を「構造単位Ｂ」とすると、３層以上の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、下記ｒ）に示す層構成を挙げることができる。
ｒ）陽極／（構造単位Ｂ）ｘ／（構造単位Ａ）／陰極
　なお記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、（構造単位Ｂ）ｘは、構造単位Ｂがｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位Ｂ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。

　ここで、電荷発生層とは電界を印加することにより正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、たとえば酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　　Ｔｉｎ　　Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。

　有機ＥＬ素子１５は、陽極および陰極から構成される一対の電極のうちの陽極を陰極よりも支持基板１１寄りに配置して、支持基板１１に設けてもよく、また陰極を陽極よりも支持基板１１寄りに配置して、支持基板１１に設けてもよい。たとえば上記ａ）～ｒ）において、右側に記載された層から順に各層を支持基板１１上に積層して有機ＥＬ素子１５を構成してもよく、また左側に記載された層から順に各層を支持基板１１上に積層して有機ＥＬ素子１５を構成してもよい。

　積層する層の順序、層数、および各層の厚さについては、発光効率、素子寿命を勘案して適宜設定することができる。

　次に、有機ＥＬ素子１５を構成する各層の材料および形成方法についてより具体的に説明する。

　＜陽極＞
　発光層から放たれる光が陽極を通って有機ＥＬ素子外に出射する構成の場合、陽極には光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、電気伝導度および光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。

　陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。また陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。

　陽極の厚みは、求められる特性、成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定される。陽極の厚みは、たとえば１０ｎｍ～１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ～１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ～５００ｎｍである。

　＜陰極＞
　陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す構成の有機ＥＬ素子では、発光層から放たれる光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光に対する反射率の高い材料が好ましい。陰極には、たとえばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の第１３族金属などを用いることができる。陰極の材料の例としては、たとえばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウムと銀との合金、マグネシウムとインジウムとの合金、マグネシウムとアルミニウムとの合金、インジウムと銀との合金、リチウムとアルミニウムとの合金、リチウムとマグネシウムとの合金、リチウムとインジウムとの合金、カルシウムとアルミニウムとの合金などを挙げることができる。また陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、およびＩＺＯを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお陰極は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお電子注入層が陰極として用いられることもある。

　陰極の厚みは、求められる特性、成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定される。陰極の厚みは、たとえば１０ｎｍ～１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ～１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ～５００ｎｍである。

　陰極の作製方法としては、真空蒸着法、イオンプレーティング法などを挙げることができる。

　＜正孔注入層＞
　正孔注入層を構成する正孔注入材料の例としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物、フェニルアミン化合物、スターバースト型アミン化合物、フタロシアニン化合物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。

　正孔注入層の厚みは、求められる特性および成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定される。正孔注入層の厚みは、たとえば１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。

　＜正孔輸送層＞
　正孔輸送層を構成する正孔輸送材料の例としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５－チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などを挙げることができる。

　正孔輸送層の膜厚は、求められる特性および成膜工程の簡易さなどを考慮して設定される。正孔輸送層の膜厚は、たとえば１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。

　＜発光層＞
　発光層は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、たとえば発光効率の向上、発光波長を変化させるために加えられる。なお発光層を構成する有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、塗布法によって発光層を形成する場合には、発光層は高分子化合物を含むことが好ましい。発光層を構成する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量はたとえば１０^３～１０^８程度である。発光層を構成する発光材料としては、たとえば以下の色素材料、金属錯体材料、高分子材料、ドーパント材料を挙げることができる。

　（色素材料）
　色素材料としては、たとえば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。

　（金属錯体材料）
　金属錯体材料としては、たとえばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、またはＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｐｔなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、たとえばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。

　（高分子材料）
　高分子材料の例としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素材料、金属錯体材料を高分子化したものなどを挙げることができる。

　発光層の厚みは、通常約２ｎｍ～２００ｎｍである。

　＜電子輸送層＞
　電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用できる。電子輸送材料の例としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８－ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。

　電子輸送層の厚みは、求められる特性、成膜工程の簡易さなどを考慮して適宜設定される。電子輸送層の厚みは、たとえば１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。

　＜電子注入層＞
　電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択される。電子注入層を構成する材料の例としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの１種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の炭酸塩、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、およびアルカリ金属の炭酸塩の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の炭酸塩の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、２層以上を積層した積層体で構成されてもよい。電子注入層は、たとえばＬｉＦ膜とＣａ膜との積層体などを挙げることができる。

　電子注入層の厚みとしては、１ｎｍ～１μｍ程度が好ましい。

　上述の各有機ＥＬ層は、上述した塗布法、真空蒸着法、およびラミネート法などによって形成することができる。

　なお塗布法では、各有機ＥＬ層となる有機ＥＬ材料を含むインキを塗布成膜することによって有機ＥＬ層を形成する。使用されるインキの溶媒には、たとえばクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル溶媒、および水などが用いられる。

　１１　　支持基板
　１２　　隔壁
　１３　　第１隔壁部材
　１４　　第２隔壁部材
　１５　　有機ＥＬ素子
　１６　　第１電極
　１７　　有機ＥＬ層
　１８　　第２電極
　１９　　開口部
　３１　　対向基板
　３２　　絶縁性基板
　３３　　導電性薄膜
　３４　　突起部
　３５　　接続電極

Claims

　支持基板と、
　第１電極、有機エレクトロルミネッセンス層、および第２電極が、第１電極が前記支持基板寄りとなるようにこの順で前記支持基板上に積層されて構成される複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、
　前記支持基板と対向して配置され、前記支持基板側に設けられた導電性を有する部材を備える対向基板と、
　前記支持基板から前記対向基板に向けて突起する突起部と、
　前記第２電極から前記突起部上にまで延在して、前記導電性を有する部材に当接する接続電極とを備える、発光装置。
　前記支持基板上に設けられ、前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を区分けする隔壁をさらに有し、前記突起部は前記隔壁上に設けられる、請求項１記載の発光装置。
　前記対向基板が導電性を有する材料から構成されている、請求項１記載の発光装置。
　前記対向基板は、電気絶縁性を示す絶縁性基板と、この絶縁性基板上に設けられる導電性薄膜とから構成されている、請求項１に記載の発光装置。
　前記導電性薄膜はスパッタリング法によって絶縁性基板上に形成されている、請求項４記載の発光装置。
　前記導電性薄膜は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、およびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の金属の薄膜によって構成される、請求項４記載の発光装置。
　請求項１に記載の発光装置の製造方法であって、
　前記突起部、前記有機ＥＬ素子および前記接続電極が設けられた支持基板を用意する工程と、
　導電性を有する部材が設けられた対向基板を用意する工程と、
　前記接続電極と前記導電性を有する部材とを当接させて前記支持基板と対向基板とを貼り合わせる工程と
を含む発光装置の製造方法。