JP4462981B2 - アクティブマトリクス基板及び該基板を備える液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、アクティブマトリクス基板及び該基板を備える液晶表示装置に関する。

近年、高解像度のディスプレイとして、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ：Thin Film Transistorと略記する。）を画素のスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置が広く用いられている。この液晶表示装置は、配向した液晶分子のダイレクタの方向をＴＦＴ基板に対して垂直な方向に回転させるツイステッド・ネマティック（Twisted Nematic：ＴＮ）方式と、ＴＦＴ基板に対して平行な方向に回転させるＩＰＳ（In Plane Switching）方式とに分類される。

ＩＰＳ方式の液晶表示装置は、ＴＦＴを形成するＴＦＴ基板上に互いに平行な画素電極と共通電極とを交互に形成し、これらの間に電圧を印加して基板面に平行な電界を形成することにより液晶のダイレクタの向きを変化させ、これによって透過光量を制御するものであり、この表示方式ではダイレクタが基板面内で回転するため、ＴＮ方式の場合のようにダイレクタの方向から見たときと基板法線方向から見込んだときとで透過光量と印加電圧の関係が大きく異なってしまうといった問題は発生せず、非常に広い視角から見て、良好な画像を得ることができる。

ＴＦＴ基板には、マトリクス状に配置されたＴＦＴを駆動するために、複数のゲート配線（走査線と同義）と複数のドレイン配線（信号線と同義）とが略直交する方向に配設され、ＴＦＴ基板周縁部の端子領域には、ゲート配線に接続されるゲート端子又はドレイン配線に接続されるドレイン端子が配列されるが、ＩＰＳ方式では、画素毎に形成される共通電極を接続する共通配線もゲート配線と同層に形成され、この共通配線に接続される共通配線端子も上記端子領域に形成しなければならない。

ここで、液晶表示装置の小型化、高集積化に伴ってＴＦＴ基板のサイズが小さくなると各々の共通配線を個別に端子に接続することができないため、通常、表示領域と端子領域との間に、ドレイン配線に略平行な方向に延在する配線（以下、バス配線と呼ぶ。）を形成し、各々の共通配線をバス配線で統合し所定の間隔で設けられる共通配線端子に分岐する方法が用いられる。この方法について、図１６を用いて説明する。図１６は、ＴＦＴ基板のゲート端子側の辺近傍の構造を示す平面図及びそのＤ−Ｄ’線における断面図である。図１６に示すように、表示領域から伸びる各々の共通配線６の端部はコンタクト１１ｂを介してバス配線９ａに接続されて統合され、バス配線９ａから再度コンタクト１１ｃを介してゲート配線５と同層に形成された共通配線端子１２ｂの引き出し配線１３に接続される。

このような方法を用いることにより、共通配線端子１２ｂの数を減らすことができるが、共通配線６は表示領域内ではゲート配線５と同層に形成され、コンタクト１１ｂを介してドレイン配線と同層のバス配線９ａに接続され、その後再びコンタクト１１ｃを介してゲート配線５と同層に形成された引き出し配線１３に接続されるため、共通配線６から共通配線端子１２ｂに至る経路で少なくとも２回、コンタクトを通過しなければならず、共通配線経路の抵抗が大きくなってしまい、その結果、共通配線経路の信号が遅延し、横クロストークやフリッカなどの表示不良が発生する。

上記横クロストークやフリッカなどの共通配線経路の抵抗に起因する表示不良を抑制するために各種方法が提案されており、例えば、下記特許文献１には、ガラス基板の端部に所定のピッチで設けられ、複数個のブロックに分割及び集約された端子群の間に、バックライトから放射される光の透過率が極めて低い金属膜からなり、ブロック間の間隔をほぼ埋めるように形成され、表示領域に面する一部が共通配線に接続された引き出し配線を備えた液晶表示装置が開示されている（図１６参照）。

特開２００２−５５３５２号公報（第７−１２頁、第２図）

上記特許文献１に記載されているように、隣り合うゲート端子５ａ群（ブロック）の両端部に設けられる共通配線端子１２ｂに接続される引き出し配線１３の挟まれた略二等辺三角形状の領域に金属膜を形成することにより、共通配線経路の抵抗をある程度は低減することはできるが、上述したように表示領域の共通配線６と端子領域の共通配線端子１２ｂとを接続するためには、ゲート配線５と同層の共通配線６から一旦ドレイン配線９と同層のバス配線９ａを経由して再びゲート配線５と同層の共通配線端子１２ｂに接続しなければならず、少なくとも２回コンタクト１１ｂ、１１ｃを介さなければならない。このコンタクトは通常、共通電極として利用されるＩＴＯを用いて形成されるが、コンタクト部分の面積は小さく、かつＩＴＯは金属配線に比べて抵抗が高いために、特許文献１記載の構造では共通配線経路の低抵抗化には限界があり、共通配線経路の信号の遅延に起因する横クロストークやフリッカなどの表示不良を十分に抑制することができない。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、横クロストークやフリッカなどの共通配線経路の遅延に起因する表示不良を抑制することができるアクティブマトリクス基板及び該基板を備える液晶表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明のアクティブマトリクス基板は、一の方向に延在する複数の走査線及び共通配線と、他の方向に延在する複数の信号線とを有し、前記走査線及び前記信号線に囲まれる領域に形成される画素がマトリクス状に配列される表示領域の外側に、前記信号線に略平行な方向に延在するバス配線を有し、前記バス配線の外側の、外部とコンタクトする導体に接続される矩形状の端子が形成される端子領域に、一定方向に配列された矩形状の複数の走査線端子からなる走査線端子群が複数配設され、各々の走査線端子群の両端側には、前記共通配線に接続される、前記走査線端子と同一形状の矩形状の共通配線端子が配置され、隣り合う前記走査線端子群に挟まれる２つの前記矩形状の共通配線端子は、略三角形状の共通配線用引き出し配線の２つの頂点付近にそれぞれ接続され、前記略三角形状の共通配線用引き出し配線のもう１つの頂点付近と前記バス配線とが接続されてなるアクティブマトリクス基板において、前記バス配線と前記共通配線用引き出し配線と前記共通配線端子とが、同層の配線材料を用いて形成され、前記隣り合う前記走査線端子群に挟まれる２つの前記共通配線端子と、当該２つの共通配線端子を前記バス配線に接続する前記共通配線用引き出し配線とで囲まれる領域の略全面が金属膜で覆われているものである。

また、本発明のアクティブマトリクス基板は、一の方向に延在する複数の走査線及び共通配線と、他の方向に延在する複数の信号線とを有し、前記走査線及び前記信号線に囲まれる領域に形成される画素がマトリクス状に配列される表示領域の外側に、前記信号線に略平行な方向に延在するバス配線を有し、前記バス配線の外側の、外部とコンタクトする導体に接続される矩形状の端子が形成される端子領域に、一定方向に配列された矩形状の複数の走査線端子からなる走査線端子群が複数配設され、各々の走査線端子群の両端側には、前記共通配線に接続される、前記走査線端子と同一形状の矩形状の共通配線端子が配置され、隣り合う前記走査線端子群に挟まれる２つの前記矩形状の共通配線端子は、略三角形状の共通配線用引き出し配線の２つの頂点付近にそれぞれ接続され、前記略三角形状の共通配線用引き出し配線のもう１つの頂点付近と前記バス配線とが接続されてなるアクティブマトリクス基板において、前記バス配線と前記共通配線用引き出し配線と前記共通配線端子とが、前記信号線と同層に形成され、前記隣り合う前記走査線端子群に挟まれる２つの前記共通配線端子と、当該２つの共通配線端子を前記バス配線に接続する前記共通配線用引き出し配線とで囲まれる領域の略全面が金属膜で覆われているものである。

また、本発明の液晶表示装置は、上記記載のアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する基板との間に液晶が挟持され、前記信号線に接続される画素電極と、前記共通配線に接続される共通電極との間の電界により前記液晶が駆動されるものである。

このように、本発明は上記各種構造により、共通配線経路の抵抗を低減することができ、これにより共通配線経路の信号の遅延に起因する表示不良を抑制することができる。また、シール材に紫外線を照射する際の妨げにならないように引き出し配線を形成することにより、シール材を確実に硬化させることができる。

本発明の液晶表示装置によれば下記記載の効果を奏する。

本発明の第１の効果は、共通配線経路の抵抗を低減して、共通配線経路の信号の遅延に起因する横クロストークやフリッカなどの表示不良を抑制することができるということである。

その理由は、所定数のゲート端子が集合してブロックが形成され、各々のブロックの両端に共通配線端子が設けられる端子構造のアクティブマトリクス基板において、共通配線端子とその引き出し配線とをドレイン配線と同層に形成し、ドレイン配線と同層に形成された表示領域外側のバス配線と上記引き出し配線とをコンタクトを介さずに同一層内で接続したり、共通配線端子の引き出し配線とバス配線とを複数の接続部で接続したり、対向する共通配線端子とその引き出し配線に囲まれる領域の略全面を金属膜で覆ったり、少なくとも引き出し配線とバス配線との接続部に他の層の導電材を積層したり、表示領域内の共通配線とバス配線と引き出し配線と共通配線端子とをゲート配線又はドレイン配線とは異なる層の配線を用いて同一層内に連続して形成したり、これらを組み合わせることにより、共通配線経路の抵抗を低減することができるからである。

また、本発明の第２の効果は、引き出し配線による紫外線の反射を抑制してシール材を確実に硬化させることができるということである。

その理由は、少なくともシール材が塗布又は描画されるシール領域の引き出し配線に所定の紫外線透過窓を形成したり、引き出し配線自体をＩＴＯなどの紫外線を透過する導電材を用いて形成しているからである。

本発明に係る液晶表示装置は、その好ましい一実施の形態において、一の方向に延在する複数のゲート配線及び共通配線と、該一の方向に略直交する方向に延在する複数のドレイン配線を有し、表示領域の外側にドレイン配線に略平行に延在するバス配線を有し、所定数のゲート端子で構成されるブロックの両側に共通配線端子が設けられるＴＦＴ基板に、共通配線経路の抵抗を低減するための各種構造を設ける。具体的には、表示領域内の共通配線と端子領域の共通配線端子とを少ない層間移動で接続したり、バス配線と引き出し配線との間や引き出し配線と共通配線端子との間の抵抗を低減し、これにより共通配線経路の信号の遅延に起因する表示不良を抑制する。また、少なくともシール材が塗布又は描画されるシール領域内の引き出し配線による紫外線の反射を抑制して、共通配線経路の抵抗を低減しつつ、シール材を確実に硬化させる。

上記した本発明の実施の形態についてさらに詳細に説明すべく、本発明の第１の実施例に係るアクティブマトリクス基板及び液晶表示装置について、図１乃至図９を参照して説明する。図１は、第１の実施例に係る液晶表示装置のアクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）の構成を模式的に示す平面図であり、図２は、ＴＦＴ基板の表示領域に形成される各々の画素の構成を示す平面図及び断面図である。また、図３は、ＴＦＴ基板の端子領域近傍の構造を示す平面図及びＤ−Ｄ’線における断面図であり、図４乃至図９はそのバリエーションを示す図である。なお、以下の説明では、液晶表示装置としてＩＰＳ方式の液晶表示装置を例にするが、同一基板上にゲート配線及びドレイン配線と、共通配線とが形成される任意の種類の液晶表示装置に適用することができる。また、アクティブマトリクス基板としてＴＦＴがマトリクス状に配列されるＴＦＴ基板を例にするが、ＴＦＴ以外のスイッチング素子を用いるアクティブマトリクス基板に対しても同様に適用することができる。

まず、本実施例のＩＰＳ液晶表示装置の構成について説明すると、ＩＰＳ液晶表示装置は、ＴＦＴが形成されるＴＦＴ基板と、対向する基板と、その間に狭持される液晶とから構成される。また、ＴＦＴ基板１は、図１に示すように、画素２ａがマトリクス状に配列される表示領域２と、その外側の、対向する基板を保持、固定し、液晶を挟持するためのシール材が塗布又は描画されるシール領域３と、更にその外側の、外部の回路と接続するための端子が配列される端子領域４とで構成される。

また、表示領域２の各々の画素２ａは、図２に示すように、略直交して延在するゲート配線５（走査線）とドレイン配線９（信号線）とで囲まれる領域に表示部が形成され、ゲート配線５とドレイン配線９との交差部近傍にＴＦＴが配置されている。また、各表示部にはドレイン配線９と同層に形成される画素電極９ｃ及びＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などで構成される共通電極１１ａが形成されており、画素電極９ｃはＴＦＴのソース電極に接続され、共通電極１１ａはゲート配線５に略平行に延在する共通配線６に接続されている。そして、これらの電極を覆うようにパッシベーション膜が形成されている。

一方、図示しない対向基板上には、表示部以外の部分に入射する余分な光を遮光するためのブラックマトリクス、カラー表示を行うためのＲＧＢ各色の色層、さらに色層を覆うように平坦化膜が形成されている。そして、ＴＦＴ基板１及び対向基板の表面には配向膜が塗布されて所定の方向にラビング処理され、両基板の間に液晶が狭持されている。また、各々のゲート配線５及び共通配線６とこれらに略直交するドレイン配線９は、端子領域４で所定数毎に束ねられてブロックが構成され、各々のブロックは異方性導電膜（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）などによってフレキシブル基板に接続され、全ての共通電極１１ａに共通配線６を通じて一定の共通電位を供給し、ＴＦＴを介して画素電極９ｃに電位を書き込み、画素電極９ｃと共通電極１１ａとの間に横電界を与えることにより、液晶を基板に平行な面内でツイスト変形させて表示が制御される。

ここで、表示領域２上ではゲート配線５と共通配線６とは交互に配設されており、これらの配線をそのまま端子領域４まで延在させると端子数が増えてしまう。そこで、表示領域２外側のドレイン配線９に略平行な方向に、ドレイン配線９と同層のバス配線を配設し、各々の共通配線６をコンタクトを介して一旦バス配線に接続して統合し、バス配線からブロック単位に配線を引き出して、各々のブロックの両端部に設けた共通配線端子に接続する方法が用いられる。

しかしながら、従来の液晶表示装置では、図１６に示すように、共通配線端子１２ｂをゲート配線５と同層に形成しているため、少なくとも、各共通配線６とバス配線９ａとの間、及び、バス配線９ａと引き出し配線１３との間をその上層の導電材（通常はＩＴＯ）からなるコンタクトを介して接続する必要があり、コンタクト部分の抵抗により共通配線経路の抵抗を低減することができなかった。また、引き出し配線１３はゲート配線５と同層に形成されているため、バス配線９ａと引き出し配線１３との接続部を大きくすることができず、バス配線９ａと引き出し配線１３との間の抵抗が高くなるという問題があった。

そこで、本実施例では、図３に示すように、各ブロックの両端部に設けられる共通配線端子１２ａ及び該共通配線端子１２ａに接続される引き出し配線１３をドレイン配線９と同層に形成し、引き出し配線１３とバス配線９ａとをコンタクトを介さずに同一層内で直接接続することにより共通配線経路の抵抗の低減を図り、共通配線経路の信号の遅延に起因する横クロストークやフリッカなどの表示不良を抑制している。

なお、図３では、共通配線端子１２ａを各ブロックの両端部に各々１本ずつ設けているが、共通配線端子１２ａの数は任意であり、各ブロックの両端部の各々に複数本ずつ設けてもよいし、両端部の各々で共通配線端子１２ａの数を変えてもよいし（例えば、一方の端部には１本、他方の端部には２本など）、ブロック毎に両端部に設ける共通配線端子１２ａの数を変えてもよい。また、本実施例の構成の場合、共通配線端子１２ａ及びその引き出し配線１３はドレイン配線９と同層に形成されており、ゲート端子５ａ及びその引き出し配線１３との間には層間絶縁膜１０が形成されているため、共通配線端子１２ａの引き出し配線１３とゲート端子５ａの引き出し配線１３とはショートすることはない。従って、引き出し配線１３の引き回し経路は自由に設定することができるため、共通配線端子１２ａは必ずしもブロックの端部に形成しなくてもよい。

このように、図３の構造を用いることにより、共通配線経路の抵抗を低減することができるが、共通配線端子１２ａの引き出し配線１３のバス配線９ａ近傍部分が図のように隣り合うゲート配線の間に配置される場合は、接続部の幅が小さくなる。ここで、上述したように、本実施例の構造では共通配線端子１２ａの引き出し配線１３はドレイン配線９と同層に形成されているため、共通配線端子１２ａとバス配線９ａとをどのような経路で接続してもゲート端子５ａの引き出し配線１３とショートすることはない。そこで、図４に示すようにバス配線９ａと共通配線端子１２ａの引き出し配線１３との間を複数の接続部１４で接続することによって更に共通配線経路の抵抗を低減することができる。なお、共通配線端子１２ａの引き出し配線１３とゲート端子５ａの引き出し配線１３とが交差すると、両配線経路間に容量が発生して共通配線６の電位が変動することが考えられるため、交差する領域の面積が極力小さくなるようにすることが好ましい。また、図４では、共通配線端子１２ａの引き出し配線１３の両側（図の上下）に各々３本の接続部１４を形成したが、接続部１４の本数、配置、太さ、形状などは任意であり、上記容量によるデメリットと共通配線経路の抵抗の低減効果とを比較考量して設定すればよい。

また、図３及び図４では、バス配線９ａと共通配線端子１２ａの引き出し配線１３との間の抵抗を低減する構造について記載したが、共通配線端子１２ａは通常、細長い形状で形成されているため、共通配線端子１２ａと引き出し配線１３との間で抵抗が高くなる場合もある。ここで、隣り合うブロックの対向する共通配線端子１２ａで挟まれた領域は通常使用されない領域であることから、図５に示すように、対向する共通配線端子１２ａ間の領域にも金属膜を形成して、共通配線端子１２ａと引き出し配線１３とで囲まれる領域の略全面を金属膜で覆い、共通配線端子１２ａと引き出し配線１３間の抵抗を低減することもできる。このように引き出し配線１３を面状（ベタ状）に形成することにより共通配線端子１２ａからバス配線９ａまでの抵抗を略１／３に低減することができる。なお、図５では、共通配線端子１２ａの端部（すなわち、ＴＦＴ基板１の周端部）まで金属膜を形成しているが、共通配線端子１２ａと引き出し配線１３との間に細い領域が形成されなければよく、対向する共通配線端子１２ａの少なくとも一部の間の領域に金属膜を形成してもよいし、金属膜の一部分に任意の切り込みや穴などを形成してもよい。また、図６に示すように、図５の構造に図４の接続部１４を付加する構成としてもよく、この場合には更に共通配線経路の抵抗を低減することができる。

また、図３乃至図９では、バス配線９ａと引き出し配線１３間をドレイン配線９の金属膜（例えばＣｒなど）のみで形成したが、更に抵抗を低減するために、ドレイン配線層よりも上層に形成される導電膜（例えば、共通電極やコンタクトを形成するＩＴＯ膜）などを部分的に積層することもできる。例えば、図７に示すように、バス配線９ａと引き出し配線１３の一部にＩＴＯ膜１１ｅを形成し、共通配線６とバス配線９ａの接続部分及びバス配線９ａと引き出し配線１３の接続部分の抵抗を低減することもできる。なお、ＩＴＯ膜１１ｅを形成する領域は図の構成に限定されず、バス配線９ａと引き出し配線１３の接続部のみに形成してもよいし、バス配線９ａと引き出し配線１３の全面に形成してもよく、また、ＩＴＯ膜１１ｅに代えて他の導電膜を用いてもよい。また、図７の構造に加えて、図４乃至図６に示す構造を付加すれば、更に共通配線経路の抵抗を低減することができる。

また、ドレイン端子９ｂが配列される辺の構造は特に限定されないが、図１７に示すように、従来は共通配線端子１２ｂがゲート配線５と同層に形成されていたため、ドレイン端子９ｂ側の辺（ここでは上側の辺）のブロックの端部にもゲート配線５と同層に形成された共通配線端子１２ｂが形成され、ゲート端子５ａ側と同様に共通配線経路の抵抗の増加を招いていた。一方、本実施例のようにゲート端子５ａ側の辺の共通配線端子１２ａ及び引き出し配線１３をドレイン配線９と同層に形成する場合には、図８に示すように、ドレイン端子９ｂ側の辺の共通配線端子１２ａもドレイン配線９と同層に形成されるため、ドレイン端子９ｂ側の辺の共通配線端子１２ａとバス配線９ａともコンタクトを介さずに直接接続することができるため、共通配線経路の抵抗を低減することができる。

このように、本実施例では、共通配線端子１２ａ及びその引き出し配線１３をドレイン配線９と同層に形成し、コンタクトを介さずに直接バス配線９ａに接続し、また、バス配線９ａと引き出し配線１３との間に他の接続部１４を設けたり、対向する共通配線端子１２ａ間の領域を金属膜で覆ったり、バス配線９ａと引き出し配線１３の間の任意の領域にＩＴＯ膜１１ｅなどの他の導電材を積層することにより、共通配線経路の抵抗を低減することができ、これにより、信号の遅延に起因する横クロストークやフリッカなどの表示不良を抑制することができる。

なお、上記では、バス配線９ａと共通配線端子１２ａとその引き出し配線１３とをドレイン配線９と同層に形成する場合について記載したが、バス配線９ａと共通配線端子１２ａとその引き出し配線１３に加えて、共通配線６も同層に形成すればコンタクトを１回も介さずに共通配線６と共通配線端子１２ａとを接続することができる。その場合には、ゲート配線５又はドレイン配線９を使用することはできないため、例えば、図９に示すように、共通電極を構成するＩＴＯを共通配線端子１２ｃまで一括して形成したり、共通配線専用の配線層を新たに設けて、共通配線から共通配線端子までの配線経路を一括して形成することにより上記構造を実現することができる。

次に、本発明の第２の実施例に係るアクティブマトリクス基板及び液晶表示装置について、図１０乃至図１３を参照して説明する。図１０は、ＴＦＴ基板の端子領域近傍の構造を示す平面図及び断面図であり、図１１乃至図１３はそのバリエーションを示す図である。

前記した第１の実施例では、共通配線端子１２ａ及びその引き出し配線１３をドレイン配線９と同層に形成したが、共通配線端子及びその引き出し配線をゲート配線５と同層に形成する従来の構造においても、図４乃至図７の構造を利用することにより共通配線経路の抵抗を低減することは可能である。

例えば、図１０に示すように、バス配線９ａと引き出し配線１３との間に、バス配線９ａと同層（ドレイン配線９と同層）の接続部１４を形成し、接続部１４と引き出し配線１３との間をコンタクト１１ｄを介して接続することもでき、このような構造によっても従来構造に比べて共通配線経路の抵抗を低減することができる。なお、この構造の場合、第１の実施例で示したように、ゲート端子５ａの引き出し配線１３と共通配線端子１２ｂの引き出し配線１３とが交差する部分に容量が発生して共通配線６の電位が変動することが考えられるため、交差する領域の面積が極力小さくなるように接続部１４の本数や配置、太さ、形状などを設定することが好ましい。

また、図１１に示すように、対向する共通配線端子１２ｂに挟まれる領域の少なくとも一部に、共通配線端子１２ｂと同層（ゲート配線５と同層）の金属膜を形成し、共通配線端子１２ｂと引き出し配線１３との接続面積を大きくすることによっても従来構造に比べて共通配線経路の抵抗を低減することができる。また、図１２に示すように、図１０の構造と図１１の構造とを組み合わせることによって、更に共通配線経路の抵抗を低減することができる。

また、図１３に示すように、バス配線９ａから引き出し配線１３に至る領域の少なくとも一部にドレイン層よりも上層に形成される導電膜（例えば、ＩＴＯ膜１１ｅ）を形成して該部分を積層構造にすることによっても共通配線経路の抵抗を低減することができ、また、この構造に、図１０乃至図１２の構造を付加することによって、更に共通配線経路の抵抗を低減することができる。

このように、共通配線端子１２ｂとその引き出し配線１３がゲート配線５と同層に形成される構造においても、バス配線９ａと引き出し配線１３との間を複数の接続部１４で接続したり、対向する共通配線端子１２ｂ間の領域を金属膜で覆ったり、バス配線９ａと引き出し配線１３との間の任意の領域にＩＴＯ膜１１ｅなどの他の導電材を積層することにより、共通配線経路の抵抗を低減することができ、これにより、信号の遅延に起因する横クロストークやフリッカなどの表示不良を抑制することができる。

次に、本発明の第３の実施例に係るアクティブマトリクス基板及び液晶表示装置について、図１４及び図１５を参照して説明する。図１４及び図１５は、ＴＦＴ基板の端子領域近傍の構造を示す平面図及び断面図である。

前記した第１の実施例及び第２の実施例では共通配線経路の低減のみに着目した構造を示したが、液晶表示装置は第１の実施例で示したようにＴＦＴ基板１又は対向基板の少なくとも一方のシール領域３にシール材を塗布又は描画し、液晶を滴下又は注入して一対の基板を対向させて貼り合わせた後、シール材を硬化させることによって形成される。このシール材は熱や紫外線などによって硬化するが、紫外線硬化型のシール材を用いる場合は通常ＴＦＴ基板１の裏面側から紫外線を照射して硬化させる。従ってシール領域３が紫外線を反射する金属膜で覆われるとシール材に紫外線を十分に照射することができなくなってしまい、シール材を確実に硬化させることができなくなってしまう。

そこで、本実施例では、図３乃至図７又は図１０乃至図１３のように、シール領域３にゲート配線５又はドレイン配線９の金属膜を形成する場合であってもシール材の硬化に影響がでないように、図１４に示すようにシール領域３内の引き出し配線１３に紫外線を透過させる窓（紫外線透過窓１６）を設けて、紫外線透過窓１６から紫外線を透過させてシール材を確実に硬化させている。なお、図１４では図５の構造に対して紫外線透過窓１６を形成する場合を示しているが、他の構造に対しても同様に形成することができ、また、紫外線透過窓１６の形状、大きさ、配置などはシール材の硬化条件、引き出し配線１３の抵抗値などを考慮して適宜設定することができる。

また、更に紫外線の透過率を高めるために、シール領域３内に紫外線を反射する金属膜（例えば、ゲート配線５やドレイン配線９の金属膜）で形成される引き出し配線１３を設けるのではなく、紫外線を透過する導電材（例えば、ＩＴＯ膜）で形成される引き出し配線１３を設けることもできる。例えば、図１５に示すように、バス配線９ａと共通配線端子１２ａとの間にＩＴＯ膜１１ｅを形成し、該ＩＴＯ膜１１ｅによってバス配線９ａと共通配線端子１２ａとを接続することも可能である。この構造の場合、ゲート端子５ａの引き出し配線１３と共通配線端子１２ａの引き出し配線１３（ここではＩＴＯ膜１１ｅ）とが異なる層に形成されるため、引き出し配線の形状を任意に設定することができ、また、ＩＴＯ膜１１ｅを用いる場合は、これらの引き出し配線が離れて形成される（すなわち、少なくともゲート絶縁膜７と層間絶縁膜１０とで隔てられる）ため、ゲート配線経路と共通配線経路との間に形成される容量を小さくすることができ、共通配線経路の電位の変動を抑制することができる。

このように、引き出し配線１３を金属膜で形成する場合にはシール領域３内の金属膜に紫外線透過窓１６を形成したり、シール領域３内の引き出し配線１３を紫外線を透過するＩＴＯ膜１１ｅなどの導電材を用いて形成することにより、共通配線経路の抵抗を低減するのみならず、シール材に確実に紫外線を照射し、シール材を硬化させやすくすることができる。

なお、上記各実施例では、液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板について記載したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、有機ＥＬ表示装置などの他の表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板についても同様に適用することができる。

本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の構造を模式的に示す平面図である。 本発明の第１の実施例に係るＴＦＴ基板の一画素の構造を示す平面図及び断面図である。 本発明の第１の実施例に係るＴＦＴ基板の端子領域近傍の構造を示す平面図及び断面図である。 本発明の第１の実施例に係るＴＦＴ基板の端子領域近傍の他の構造を示す平面図及び断面図である。 本発明の第１の実施例に係るＴＦＴ基板の端子領域近傍の他の構造を示す平面図及び断面図である。 本発明の第１の実施例に係るＴＦＴ基板の端子領域近傍の他の構造を示す平面図及び断面図である。 本発明の第１の実施例に係るＴＦＴ基板の端子領域近傍の他の構造を示す平面図及び断面図である。 本発明の第１の実施例に係るＴＦＴ基板の角部近傍の構造を示す平面図である。 本発明の第１の実施例に係るＴＦＴ基板の端子領域近傍の他の構造を示す平面図及び断面図である。 本発明の第２の実施例に係るＴＦＴ基板の端子領域近傍の構造を示す平面図及び断面図である。 本発明の第２の実施例に係るＴＦＴ基板の端子領域近傍の他の構造を示す平面図及び断面図である。 本発明の第２の実施例に係るＴＦＴ基板の端子領域近傍の他の構造を示す平面図及び断面図である。 本発明の第２の実施例に係るＴＦＴ基板の端子領域近傍の他の構造を示す平面図及び断面図である。 本発明の第３の実施例に係るＴＦＴ基板の端子領域近傍の構造を示す平面図及び断面図である。 本発明の第３の実施例に係るＴＦＴ基板の端子領域近傍の他の構造を示す平面図及び断面図である。 従来のＴＦＴ基板の端子領域近傍の構造を示す平面図及び断面図である。 従来のＴＦＴ基板の角部近傍の他の構造を示す平面図である。

符号の説明

１ ＴＦＴ基板
２ 表示領域
２ａ 画素
３ シール領域
４ 端子領域
５ ゲート配線
５ａ ゲート端子
６ 共通配線
７ ゲート絶縁膜
８ 半導体層
８ａ ａ−Ｓｉ層
８ｂ ｎ^＋ａ−Ｓｉ層
９ ドレイン配線
９ａ バス配線
９ｂ ドレイン端子
９ｃ 画素電極
１０ 層間絶縁膜
１１ａ 共通電極
１１ｂ〜１１ｄ コンタクト
１１ｅ ＩＴＯ膜
１２ａ 共通配線端子（ドレイン層）
１２ｂ 共通電極端子（ゲート層）
１２ｃ 共通電極端子（ＩＴＯ）
１３ 引き出し配線
１４ 接続部
１５ 無効端子
１６ 紫外線透過窓

Claims (4)

1. 一の方向に延在する複数の走査線及び共通配線と、他の方向に延在する複数の信号線とを有し、
   前記走査線及び前記信号線に囲まれる領域に形成される画素がマトリクス状に配列される表示領域の外側に、前記信号線に略平行な方向に延在するバス配線を有し、
   前記バス配線の外側の、外部とコンタクトする導体に接続される矩形状の端子が形成される端子領域に、一定方向に配列された矩形状の複数の走査線端子からなる走査線端子群が複数配設され、各々の走査線端子群の両端側には、前記共通配線に接続される、前記走査線端子と同一形状の矩形状の共通配線端子が配置され、隣り合う前記走査線端子群に挟まれる２つの前記矩形状の共通配線端子は、略三角形状の共通配線用引き出し配線の２つの頂点付近にそれぞれ接続され、前記略三角形状の共通配線用引き出し配線のもう１つの頂点付近と前記バス配線とが接続されてなるアクティブマトリクス基板において、
   前記バス配線と前記共通配線用引き出し配線と前記共通配線端子とが、同層の配線材料を用いて形成され、
   前記隣り合う前記走査線端子群に挟まれる２つの前記共通配線端子と、当該２つの共通配線端子を前記バス配線に接続する前記共通配線用引き出し配線とで囲まれる領域の略全面が金属膜で覆われていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
2. 一の方向に延在する複数の走査線及び共通配線と、他の方向に延在する複数の信号線とを有し、
   前記走査線及び前記信号線に囲まれる領域に形成される画素がマトリクス状に配列される表示領域の外側に、前記信号線に略平行な方向に延在するバス配線を有し、
   前記バス配線の外側の、外部とコンタクトする導体に接続される矩形状の端子が形成される端子領域に、一定方向に配列された矩形状の複数の走査線端子からなる走査線端子群が複数配設され、各々の走査線端子群の両端側には、前記共通配線に接続される、前記走査線端子と同一形状の矩形状の共通配線端子が配置され、隣り合う前記走査線端子群に挟まれる２つの前記矩形状の共通配線端子は、略三角形状の共通配線用引き出し配線の２つの頂点付近にそれぞれ接続され、前記略三角形状の共通配線用引き出し配線のもう１つの頂点付近と前記バス配線とが接続されてなるアクティブマトリクス基板において、
   前記バス配線と前記共通配線用引き出し配線と前記共通配線端子とが、前記信号線と同層に形成され、
   前記隣り合う前記走査線端子群に挟まれる２つの前記共通配線端子と、当該２つの共通配線端子を前記バス配線に接続する前記共通配線用引き出し配線とで囲まれる領域の略全面が金属膜で覆われていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
3. 前記バス配線と前記略三角形状の共通配線用引き出し配線とが、複数の領域で接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス基板。
4. 請求項１乃至３のいずれか一に記載のアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する基板との間に液晶が挟持され、前記信号線に接続される画素電極と、前記共通配線に接続される共通電極との間の電界により前記液晶が駆動されることを特徴とする横電界方式の液晶表示装置。

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