KR20160065315A - 액정 표시 장치 - Google Patents

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성병훈
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 복수의 화소 영역이 위치하는 표시 영역, 및 상기 표시 영역의 테두리를 둘러싸며 위치하는 주변 영역을 포함하고, 상기 주변 영역은, 공통 전압을 전달하는 공통 전압 인가 배선, 및 데이터 전압을 전달하는 데이터 전압 인가 배선이 위치하고, 상기 공통 전압 인가 배선의 폭과 상기 데이터 전압 인가 배선의 폭은 2:1 내지 1:1의 비율을 가진다.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
일반적인 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)는 두 표시판과 그 사이에 들어 있는 유전율 이방성(dielectric anisotropy)을 갖는 액정층을 포함한다. 액정층에 전계를 인가하고, 이 전계의 세기를 조절하여 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절함으로써 원하는 화상을 얻는다. 이러한 액정 표시 장치는 휴대가 간편한 평판 표시 장치(flat panel display, FPD) 중에서 대표적인 것으로서, 이 중에서도 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 스위칭 소자로 이용한 TFT-LCD가 주로 이용되고 있다.
박막 트랜지스터가 형성되는 표시판에는 복수의 게이트선과 데이터선이 각각 행과 열 방향으로 형성되어 있고, 박막 트랜지스터를 통하여 이들 게이트선과 데이터선에 연결된 화소 전극이 형성되어 있다. 박막 트랜지스터는 게이트선을 통해 전달되는 게이트 신호에 따라 데이터선을 통해 전달되는 데이터 신호를 제어하여 화소 전극으로 전송한다.
한편, 액정 표시 장치가 발달함에 따라 베젤의 폭이 감소된 표시 장치에 대한 필요성이 대두되고 있다. 이에 따라 내로우 베젤(NARROW BEZEL)을 구비한 표시 장치에 대한 연구가 진행 중이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 내로우 베젤을 구비한 액정 표시 장치에 있어서, 실런트의 불균일한 경화에 의해 발생하는 액정층의 오염 및 빛샘 현상을 제거하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 복수의 화소 영역이 위치하는 표시 영역, 및 상기 표시 영역의 테두리를 둘러싸며 위치하는 주변 영역을 포함하고, 상기 주변 영역은, 공통 전압을 전달하는 공통 전압 인가 배선, 및 데이터 전압을 전달하는 데이터 전압 인가 배선이 위치하고, 상기 공통 전압 인가 배선의 폭과 상기 데이터 전압 인가 배선의 폭은 약 2:1 내지 1:1의 비율을 가진다.
상기 데이터 전압 인가 배선의 폭은 약 10μm 이하일 수 있다.
공통 전압 인가 슬릿은 인접한 상기 공통 전압 인가 배선 사이의 폭이며, 상기 공통 전압 인가 배선 및 상기 공통 전압 인가 슬릿의 폭은 동일할 수 있다.
상기 주변 영역 중 일부 영역에 위치하는 상기 공통 전압 인가 배선과 상기 데이터 전압 인가 배선의 폭의 비는 2:1 보다 클 수 있다.
액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 위치하는 하부 표시판, 공통 전극이 위치하는 상부 표시판, 및 상기 하부 표시판 및 상기 상부 표시판을 합착하는 실런트를 포함할 수 있다.
상기 공통 전압 인가 배선의 폭은 약 10μm 이하일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는 화소 영역이 위치하는 표시 영역, 및 상기 표시 영역을 둘러싸며 위치하는 주변 영역을 포함하고, 상기 주변 영역은, 공통 전압을 전달하는 공통 전압 인가 배선, 인접한 상기 공통 전압 인가 배선 사이의 공간인 공통 전압 인가 슬릿, 데이터 전압을 전달하는 데이터 전압 인가 배선, 및 인접한 상기 데이터 전압 인가 배선 사이의 공간인 데이터 전압 인가 슬릿이 위치하고, 상기 공통 전압 인가 슬릿과 상기 공통 전압 인가 배선의 폭의 비는 상기 데이터 전압 인가 슬릿과 상기 데이터 전압 인가 배선 폭의 비보다 크다.
상기 공통 전압 인가 배선과 상기 공통 전압 인가 슬릿의 폭의 합(Wcp)은 약 40μm 내지 약 60μm일 수 있다.
상기 공통 전압 인가 배선의 폭은, 상기 공통 전압 인가 배선과 상기 공통 전압 인가 슬릿의 폭의 합(Wcp)의 약 30% 이하일 수 있다.
상기 주변 영역 중 일부 영역에 위치하는 상기 공통 전압 인가 슬릿과 상기 공통 전압 인가 배선 폭의 비는 상기 데이터 전압 인가 슬릿과 상기 데이터 전압 인가 배선 폭의 비와 동일할 수 있다.
상기 액정 표시 장치는, 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 위치하는 하부 표시판, 공통 전극이 위치하는 상부 표시판, 및 상기 하부 표시판 및 상기 상부 표시판을 합착하는 실런트를 포함할 수 있다.
상기 데이터 전압 인가 배선 및 상기 데이터 전압 인가 슬릿의 폭의 합은 약 20μm 이하일 수 있다.
상기 데이터 전압 인가 배선과 상기 데이터 전압 인가 슬릿의 폭은 거의 동일할 수 있다.
이상과 같은 액정 표시 장치에 따르면, 양 표시판을 합착하고 있는 실런트가 표시 장치 전면에서 균일하게 경화될 수 있으며, 이를 통해 불균일한 경화로 인해 발생하는 빛샘 현상을 제거할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 공통 전압 인가부의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 데이터 전압 인가부의 단면도이다.
도 4A 및 도 4B는 본 발명의 일 실시예에 따른 데이터 전압 인가 배선 영역과 공통 전압 인가 배선 영역의 개략적인 평면도이다.
도 5A 및 도 5B는 본 발명의 다른 실시예에 따른 데이터 전압 인가 배선 영역과 공통 전압 인가 배선 영역의 개략적인 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소 평면도이다.
도 7은 도 6의 VII-VII선에 따라 자른 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기본 화소 전극의 평면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 일 화소의 회로도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 일부에 대한 빛샘 여부 이미지이다.
도 11은 비교예에 따른 표시 장치 일부에 대한 빛샘 여부 이미지이다.
도 12는 본 발명의 실시예와 비교예에 대한 빛샘 정도를 나타낸 그래프이다.
도 13은 공통 전압 인가 배선의 폭에 따른 광 세기 그래프이다.
도 14는 공통 전압 인가 배선 영역의 개구율에 따른 광 세기 그래프이다.
도 15은 슬릿의 폭에 따른 회절 정도를 나타낸 그래프이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
이하에서는 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치를 살펴본다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 공통 전압 인가부의 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 데이터 전압 인가부의 단면도이고, 도 4A 및 도 4B는 본 발명의 일 실시예에 따른 데이터 전압 인가 배선 영역과 공통 전압 인가 배선 영역의 개략적인 평면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치(10)는 복수의 화소(PX)가 형성되어 있는 하부 표시판(100), 하부 표시판(100)에 대향 배치되어 있으며, 공통 전극(270)이 위치하는 상부 표시판(200), 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 주입된 액정층(3), 및 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200)을 합착시키는 실런트(400)를 포함한다.
하부 표시판(100)은 복수의 화소(PX)가 위치하며 영상을 표시하는 표시 영역(DA), 표시 영역(DA)의 좌측 및 상측 테두리를 둘러싸는 제1 주변 영역(PA1) 및 표시 영역(DA)의 우측 및 하측 테두리를 둘러싸는 제2 주변 영역(PA2)을 포함한다. 실런트(400)는 표시 영역(DA)의 테두리를 감싸도록 형성된다.
하부 표시판(100)의 표시 영역(DA)에는 복수의 화소(PX)가 위치하고, 제1 주변 영역(PA1)에는 게이트 전압 인가 배선, 데이터 전압 인가 배선 및 공통 전압 인가 배선이 위치하고, 제2 주변 영역(PA2)에는 공통 전압 인가 배선이 위치한다.
표시 영역(DA)에는 복수의 게이트 라인(GL1 ~ GLn), 상기 복수의 게이트 라인(GL1 ~ GLn)과 절연되게 교차하는 복수의 데이터 라인(DL1 ~ DLm)이 위치한다. 표시 영역(DA)에는 복수의 게이트 라인(GL1 ~ GLn)과 복수의 데이터 라인(DL1 ~ DLm)에 의해서 복수의 화소(PX)가 매트릭스 형태로 형성된다. 복수의 화소는 각각 동일한 구조로 형성되며, 일 화소에 대한 설명은 도 6 내지 9를 참조하여 구체적으로 후술한다.
제1 주변 영역(PA1)에는 복수의 게이트 라인(GL1 ~ GLn)과 복수의 데이터 라인(DL1-DLm)이 연장된 게이트 전압 인가 배선(128) 및 데이터 전압 인가 배선(178)이 위치한다. 게이트 전압 인가 배선(128) 및 데이터 전압 인가 배선(178)은 구동 회로(미도시)로부터 (게이트 또는 데이터) 신호를 인가받는 게이트 패드(129) 및 데이터 패드(179)를 포함한다.
공통 전압 인가 배선(125) 및 공통 전압 패드(127)가 인접한 게이트 구동칩 사이 또는 인접한 데이터 구동칩 사이에 위치한다. 공통 전압 인가 배선(125) 및 공통 전압 패드(127)는 게이트선(121)과 동일한 층에 위치할 수 있으며, 동일한 재질로서 동일 공정을 통해 형성될 수 있다.
공통 전압 패드(127)는 구동 회로(미도시)로부터 공통 전압 신호를 인가받아 공통 전압 인가 배선(125)으로 전달하고, 공통 전압 인가 배선(125)은 도전볼(410) 등을 통해 공통 전극(270)과 전기적으로 연결되어, 공통 전극(270)에 공통 전압을 전달한다.
한편, 공통 전압 인가 배선(125)은 제1 주변 영역(PA1)에 위치할 뿐만 아니라, 표시 영역(DA)의 우측 및 좌측 테두리에 위치하는 제2 주변 영역(PA2)에도 위치할 수 있다. 제2 주변 영역(PA2)에 위치하는 공통 전압 인가 배선(125)은 제1 주변 영역(PA1)에 위치하는 공통 전압 인가 배선(125)으로부터 연장될 수 있으며, 이를 통해 별도의 공통 전압 패드(127) 없이도 공통 전압의 전달이 가능하다.
공통 전압 인가 배선(125)은 공통 전압을 전달하기 위한 어떠한 형상도 가능하며, 배선(125)이 위치하는 영역에 격자 형태(미도시)로 형성될 수도 있다.
데이터 전압 인가 배선(178) 위에 위치하는 보호막(180p, 180q)의 상부에는 투명 전극(197, 198)이 위치한다. 투명 전극(197, 198)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어져 있다. 투명 전극(197, 198)은 접촉 구멍을 통해 드레인 전극(175)과 전기적으로 접촉하고 있는 화소 전극(191), 각각의 접촉 구멍을 통해 게이트 패드(129), 데이터 패드(179) 및 공통 전압 인가 배선(125)과 접하고 있는 접촉 부재(197, 198)를 포함한다.
다음, 상부 표시판(200)을 설명한다.
상부 표시판(200)은 제2 절연 기판(210), 차광 부재(220), 오버 코트층(250) 및 공통 전극(270)을 포함한다.
차광 부재(220)는 제1 및 제2 주변 영역(PA1, PA2)과 실런트(400)가 위치하는 영역에 중첩하도록 제2 절연 기판(210) 상에 위치한다. 또한, 차광 부재(220)는 표시 영역(DA) 중 박막 트랜지스터가 형성된 영역과 같은 비유효 표시 영역에도 위치한다.
공통 전극(270)은 차광 부재(220) 위에 위치하며, 평탄층을 형성하는 오버 코트층(250) 위에 위치한다. 이때 공통 전극(270)은 공통 전압 인가 배선(125)과 연결된 접촉 부재(198)에 접촉하는 도전볼(410)을 통해 공통 전압을 전달받는다.
하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 액정 분자(31)를 포함하는 액정층(3)이 위치한다. 액정층(3)은 액정 분자(31) 및 액정 분자(31)의 선경사를 돕는 반응성 메조겐(RM, Reactive Mesogen)을 포함할 수 있다.
또한 액정 표시 장치(10)는 하부 표시판(100) 및 상부 표시판(200)을 합착하는 실런트(400)를 더 포함한다. 실런트(400)는 광 경화성 물질일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 실런트(400)는 표시 장치(10) 전반적으로 균일하게 경화될 수 있으며, 이를 통해 실런트(400)가 액정층(3)으로 침투하여 반응성 메조겐과 반응하는 것을 방지할 수 있다. 실런트(400)의 미경화에 의해 액정층(3) 반응하는 경우 액정층(3)의 오염으로 인한 빛샘 현상이 발생할 수 있기 때문이다.
이하에서는 도 4A 내지 도 4B를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 데이터 전압 인가 배선(178)과 공통 전압 인가 배선(125)의 구체적인 구성에 대해 살펴본다.
우선, 데이터 전압 인가 배선(178)이 위치하는 A 영역을 살펴보면, 복수의 데이터 전압 인가 배선(178)과 인접한 데이터 전압 인가 배선(178) 사이에 위치하는 빈 공간인 데이터 전압 인가 슬릿(178s)이 위치한다.
이때 데이터 전압 인가 배선(178)의 폭(Wd)은 데이터 전압 인가 슬릿(178s)의 폭(Wds)와 동일할 수 있다. 즉, 해당 영역에서 데이터 전압 인가 슬릿(178s)이 차지하는 개구율은 약 50%일 수 있다.
또한 데이터 전압 인가 배선(178)의 폭(Wd)은 약 10 μm 이하일 수 있으며, 이에 따라 데이터 전압 인가 슬릿(178s)의 폭(Wds) 역시 약 10 μm 이하일 수 있다. 따라서, 데이터 전압 인가 배선(178)과 데이터 전압 인가 슬릿(178s)의 폭의 합(Wdp)은 약 20 μm 이하일 수 있다.
한편, 공통 전압 인가 배선(125)이 위치하는 B 영역을 살펴보면, 복수의 공통 전압 인가 배선(125)과 인접한 데이터 전압 인가 배선(125) 사이에 위치하는 빈 공간인 공통 전압 인가 슬릿(125s)이 위치한다.
이때 공통 전압 인가 배선(125)과 데이터 전압 인가 배선(178)의 폭의 비는 약 2:1 내지 1:1일 수 있다. 따라서, 공통 전압 인가 배선(125)의 폭은 적어도 20 μm 이하일 수 있다.
또한, 공통 전압 인가 배선(125)의 폭(Wc)과 공통 전압 인가 슬릿(125s)의 폭(Wcs)의 비는 동일할 수 있다. 즉, 공통 전압 인가 배선(125)과 공통 전압 인가 슬릿(125s)의 B 영역에서의 개구율은 약 50%일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 공통 전압 인가 배선(125)의 폭(Wc)은 데이터 전압 인가 배선(125)의 폭(Wd)과 2:1 내지 1:1의 비율을 가지며, A 영역 및 B 영역의 개구율은 동일하다.
이러한 배선 폭 비(ratio) 및 개구율에 따르면, 실런트 경화를 위한 배면 노광에 있어서, 조사되는 빛의 회절 정도가 데이터 전압 인가 배선이 위치하는 A 영역과 공통 전압 인가 배선이 위치하는 B 영역에서 거의 동일하게 일어난다. 따라서, 표시 장치 전체 영역에 대한 균일한 광 조사에 의해 실런트 경화 공정이 가능하며, 이를 통해 실런트 일부 미경화에 의한 액정층의 오염을 방지할 수 있다.
이하에서는 도 5A 내지 도 5B를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해 설명한다. 도 5A 및 도 5B는 본 발명의 다른 실시예에 따른 데이터 전압 인가 배선 영역과 공통 전압 인가 배선 영역의 개략적인 평면도이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 이하에서 설명함에 있어, 본 발명의 일 실시예와 동일 유사한 구성요소에 대한 설명은 생략한다.
우선, 데이터 전압 인가 배선(178)이 위치하는 A 영역을 살펴보면, 복수의 데이터 전압 인가 배선(178)과 인접한 데이터 전압 인가 배선(178) 사이에 위치하는 빈 공간인 데이터 전압 인가 슬릿(178s)이 있다.
이때 데이터 전압 인가 배선(178)의 폭(Wd)은 데이터 전압 인가 슬릿(178s)의 폭(Wds)와 동일할 수 있다. 즉, 데이터 전압 인가 배선(178)의 폭(Wd)은 약 10μm 이하일 수 있으며, 이에 따라 데이터 전압 인가 슬릿(178s)의 폭(Wds) 역시 약 10 μm 이하일 수 있다. 따라서, 데이터 전압 인가 배선(178)과 데이터 전압 인가 슬릿(178s)의 폭의 합은 약 20 μm 이하일 수 있다.
전술한 내용에 따르면 A 영역에서 데이터 전압 인가 슬릿(178s)이 차지하는 개구율은 약 50%일 수 있다.
다음, 공통 전압 인가 배선(125)이 위치하는 B 영역을 살펴보면, 복수의 공통 전압 인가 배선(125)과 인접한 공통 전압 인가 배선(125) 사이에 위치하는 빈 공간인 공통 전압 인가 슬릿(125s)이 있다.
이때, 하나의 공통 전압 인가 배선(125)과 공통 전압 인가 슬릿(125s)의 폭의 합은 약 40μm 내지 약 60μm 일 수 있으며, 공통 전압 인가 슬릿(125s)의 폭이 차지하는 비율은 약 70% 이상일 수 있다. 이를 제외한 부분이 공통 전압 인가 배선(125)의 폭이 된다.
예를 들어 공통 전압 인가 슬릿의 폭이 차지하는 비율이 약 70%인 경우, 공통 전압 인가 슬릿(125s)의 폭은 약 28μm 내지 약 42μm일 수 있으며, 공통 전압 인가 배선(125)의 폭은 약 12μm 내지 약 18 μm 일 수 있다. 따라서 공통 전압 인가 슬릿의 폭이 차지하는 비율이 변경됨에 따라, 공통 전압 인가 슬릿(125s) 및 공통 전압 인가 배선(125)의 폭이 변경됨은 물론이다.
이와 같은 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 데이터 전압 인가 배선(178)이 위치한 A 영역의 개구율은 약 50% 이나, 공통 전압 인가 배선(125)이 위치하는 B 영역의 개구율은 약 70% 이상이 된다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 데이터 전압 인가 배선이 위치하는 A 영역이나 공통 전압 인가 배선이 위치하는 B 영역에서 배면 노광을 위해 조사된 빛이 균일하게 회절된다. 따라서, 이러한 빛에 의해 실런트가 균일하게 경화되는바, 미경화된 실런트에 의해 액정층이 오염되는 문제점을 방지할 수 있다. 이와 같은 표시 장치는 화면의 품질 및 신뢰성 역시 향상될 수 있다.
한편, 도 4 내지 도 5를 참조하여 설명한 본 발명의 실시예의 공통 전압 인가 배선 영역은 표시 장치의 제1 주변 영역(PA1) 및 제2 주변 영역(PA2) 전체적으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 제1 주변 영역(PA1)에 대해서만 형성될 수도 있다. 제2 주변 영역(PA2)은 공통 전압 인가 배선만이 위치하여, 실런트의 불균일한 경화가 발생할 확률이 낮기 때문이다.
이하에서는 도 6 내지 도 9를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치를 설명한다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소 평면도이고, 도 7은 도 6의 VII - VII 선에 따라 자른 단면도이고, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기본 화소 전극의 평면도이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 일 화소의 회로도이다.
먼저, 도 6 및 도 7을 참고하면, 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200), 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3) 및 표시판(100, 200) 바깥 면에 부착되어 있는 한 쌍의 편광자(도시하지 않음)를 포함한다.
먼저 하부 표시판(100)에 대하여 설명한다.
투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 제1 절연 기판(110) 위에 게이트선(121)과 분압 기준 전압선(131)을 포함하는 게이트 도전체가 위치한다.
게이트선(121)은 제1 게이트 전극(124a), 제2 게이트 전극(124b), 제3 게이트 전극(124c) 및 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다.
분압 기준 전압선(131)은 제1 유지 전극(135, 136), 그리고 기준 전극(137)을 포함한다. 분압 기준 전압선(131)에 연결되어 있지는 않으나, 제2 부화소 전극(191b)과 중첩하는 제2 유지 전극(138, 139)이 있다.
게이트선(121) 및 분압 기준 전압선(131) 위에는 게이트 절연막(140)이 위치한다. 게이트 절연막(140) 위에는 제1 반도체층(154a), 제2 반도체층(154b) 및 제3 반도체층(154c)이 위치한다. 반도체층(154a, 154b, 154c) 위에는 복수의 저항성 접촉 부재(163a, 165a, 163b, 165b, 163c, 165c)가 위치한다.
저항성 접촉 부재(163a, 165a, 163b, 165b, 163c, 165c) 및 게이트 절연막(140) 위에는 제1 소스 전극(173a) 및 제2 소스 전극(173b)를 포함하는 복수의 데이터선(171), 제1 드레인 전극(175a), 제2 드레인 전극(175b), 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)을 포함하는 데이터 도전체가 위치한다.
데이터 도전체 및 그 아래에 위치되어 있는 반도체 및 저항성 접촉 부재는 하나의 마스크를 이용하여 동시에 형성될 수 있으며, 실질적으로 동일한 평면 형상을 가진다.
데이터선(171)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다.
제1 게이트 전극(124a), 제1 소스 전극(173a) 및 제1 드레인 전극(175a)은 제1 섬형 반도체층(154a)과 함께 하나의 제1 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(Qa)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 제1 소스 전극(173a)과 제1 드레인 전극(175a) 사이의 반도체층(154a)에 형성된다. 유사하게, 제2 게이트 전극(124b), 제2 소스 전극(173b) 및 제2 드레인 전극(175b)는 제2 섬형 반도체층(154b)과 함께 하나의 제2 박막 트랜지스터(Qb)를 이루며, 채널은 제2 소스 전극(173b)과 제2 드레인 전극(175b) 사이의 반도체층(154b)에 형성되고, 제3 게이트 전극(124c), 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)는 제3 섬형 반도체층(154c)과 함께 하나의 제3 박막 트랜지스터(Qc)를 이루며, 채널은 제3 소스 전극(173c)과 제3 드레인 전극(175c) 사이의 제3 반도체층(154c)에 형성된다.
제2 드레인 전극(175b)은 제3 소스 전극(173c)과 연결되어 있으며, 넓게 확장된 확장부(177)를 포함한다.
데이터 도전체(171, 173c, 175a, 175b, 175c) 및 노출된 반도체층(154a, 154b, 154c) 부분 위에는 제1 보호막(180p)이 위치한다. 제1 보호막(180p)은 질화규소 또는 산화규소 등의 무기 절연막을 포함할 수 있다. 제1 보호막(180p)은 색필터(230)의 안료가 노출된 반도체층(154a, 154b, 154c) 부분으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
제1 보호막(180p) 위에는 색필터(230)가 위치한다. 색필터(230)는 서로 인접한 두 개의 데이터선을 따라 세로 방향으로 뻗어 있다.
색필터(230) 위에는 제2 보호막(180q)이 위치한다.
제2 보호막(180q)은 질화규소 또는 산화규소 등의 무기 절연막을 포함할 수 있다. 제2 보호막(180q)은 색필터(230)가 들뜨는 것을 방지하고 색필터(230)로부터 유입되는 용제(solvent)와 같은 유기물에 의한 액정층(3)의 오염을 억제하여 화면 구동 시 초래할 수 있는 잔상과 같은 불량을 방지한다.
제1 보호막(180p) 및 제2 보호막(180q)에는 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)을 드러내는 제1 접촉 구멍(contact hole)(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)이 형성되어 있다.
제1 보호막(180p) 및 제2 보호막(180q), 그리고 게이트 절연막(140)에는 기준 전극(137)의 일부와 제3 드레인 전극(175c)의 일부를 드러내는 제3 접촉 구멍(185c)이 형성되어 있고, 제3 접촉 구멍(185c)은 연결 부재(195)가 덮고 있다. 연결 부재(195)는 제3 접촉 구멍(185c)을 통해 드러나 있는 기준 전극(137)과 제3 드레인 전극(175c)을 전기적으로 연결한다.
제2 보호막(180q) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191)이 위치한다. 각 화소 전극(191)은 게이트선(121)을 사이에 두고 서로 분리되어, 게이트선(121)을 중심으로 열 방향으로 이웃하는 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)을 포함한다.
화소 전극(191)은 ITO 및 IZO 등의 투명 물질로 이루어질 수 있다. 화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수도 있다.
제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)은 각각 도 5에 도시한 기본 전극(191) 또는 그 변형을 하나 이상 포함하고 있다.
제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)은 제1 접촉 구멍(185a) 및 제2 접촉 구멍(185b)을 통하여 각각 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 이 때, 제2 드레인 전극(175b)에 인가된 데이터 전압 중 일부는 제3 소스 전극(173c)을 통해 분압되어, 제1 부화소 전극(191a)에 인가되는 전압의 크기는 제2 부화소 전극(191b)에 인가되는 전압의 크기보다 크게 된다.
데이터 전압이 인가된 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)은 상부 표시판(200)의 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 휘도가 달라진다.
화소 전극(191) 위에는 제1 배향막(11)이 위치한다. 제1 배향막(11)은 수직 배향막일 수 있다.
배향막(11, 21)은 폴리 아믹산(Polyamic acid) 또는 폴리 이미드(Polyimide) 등의 액정 배향막이며, 일반적으로 사용되는 물질들 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
이제 상부 표시판(200)에 대하여 설명한다.
절연 기판(210) 위에 차광 부재(220)가 위치한다. 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(Black Matrix, BM)이라고도 한다. 차광 부재(220)는 데이터선(171)을 따라 뻗으면서 인접한 두 개의 색필터(230) 사이에 위치할 수 있다.
또한, 차광 부재(220)는 제1 트랜지스터(Qa), 제2 트랜지스터(Qb) 및 제3 트랜지스터(Qc)이 위치하는 영역을 덮도록 위치하면서 게이트선(121)과 같은 방향으로 뻗을 수 있다.
차광 부재(220) 위에 오버 코트층(250)이 위치하며, 오버 코트층(250) 위에 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270) 위에는 제2 배향막(21)이 형성되어 있다. 제2 배향막(21)은 수직 배향막일 수 있으며, 전술한 제1 배향막(11)과 동일한 물질일 수 있다.
본 명세서는 색 필터(230)가 하부 표시판(100)에 위치하고 차광 부재(230)가 상부 표시판에 위치하는 실시예를 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 색 필터(230) 및 차광 부재(220)가 상부 표시판(200)에 위치하거나, 하부 표시판(100)에 위치하는 실시예도 가능함은 물론이다.
액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 앞서 설명한 음의 유전율 이방성을 가지는 액정 조성물을 포함할 수 있다. 액정층(3)의 액정 분자(31)는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 액정층(3)은 자외선 등의 광에 의한 중합 반응(polymerization)에 의해 경화되는 단량체(monomer) 등의 화합물을 포함할 수 있다. 상기 화합물은 자외선 등의 광에 의해 중합 반응을 하는 반응성 메조겐(reactive mesogen)일 수 있다.
이러한 반응성 메조겐은 제조 공정에 따라 중합 반응을 하여 중합체를 형성할 수 있고, 액정 분자(31)들은 중합체에 의해 선경사를 가지도록 배향된다.
전술한 실시예에 따른 표시 장치(10)는 내로우 베젤(narrow bezel)을 구비한 하우징에 의해 실장될 수 있으며, 이때 베젤의 폭은 약 10mm 이하일 수 있다.
그러면, 도 8를 참고하여, 기본 전극(191)에 대하여 설명한다.
도 8에 도시한 바와 같이, 기본 전극(191)의 전체적인 모양은 사각형이며 가로 줄기부(193) 및 이와 직교하는 세로 줄기부(192)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한 기본 전극(191)은 가로 줄기부(193)와 세로 줄기부(192)를 기준으로 구분되는 제1 부영역(Da), 제2 부영역(Db), 제3 부영역(Dc), 그리고 제4 부영역(Dd)을 포함하고, 각 부영역(Da-Dd)에는 복수의 제1 미세 가지부(194a), 복수의 제2 미세 가지부(194b), 복수의 제3 미세 가지부(194c), 그리고 복수의 제4 미세 가지부(194d)가 위치한다.
제1 미세 가지부(194a)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 왼쪽 위 방향으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 제2 미세 가지부(194b)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 오른쪽 위 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다. 또한 제3 미세 가지부(194c)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 왼쪽 아래 방향으로 뻗어 있으며, 제4 미세 가지부(194d)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 오른쪽 아래 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다.
이때, 제1 내지 제4 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 변은 전기장을 왜곡하여 액정 분자(31)들의 경사 방향을 결정하는 수평 성분을 만들어낸다. 전기장의 수평 성분은 제1 내지 제4 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 변에 거의 수평하다. 따라서 도 4에 도시한 바와 같이 액정 분자(31)들은 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 길이 방향에 평행한 방향으로 기울어진다. 한 화소 전극(191)은 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)의 길이 방향이 서로 다른 네 개의 부영역(Da-Dd)을 포함하므로 액정 분자(31)가 기울어지는 방향은 대략 네 방향이 되며 액정 분자(31)의 배향 방향이 다른 네 개의 영역이 액정층(3)에 형성된다. 이와 같이 액정 분자가 기울어지는 방향을 다양하게 하면 액정 표시 장치의 기준 시야각이 커진다.
이상과 같은 표시 장치는 도 9와 같은 회로도를 가질 수 있는바 이하에서 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 게이트 신호를 전달하는 게이트선(GL) 및 데이터 신호를 전달하는 데이터선(DL), 분압 기준 전압을 전달하는 분압 기준 전압선(RL)을 포함하는 복수의 신호선, 그리고 복수의 신호선에 연결되어 있는 제1, 제2 및 제3 스위칭 소자(Qa, Qb, Qc), 제1 및 제2 액정 축전기(Clca, Clcb)를 포함한다.
제1 및 제2 스위칭 소자(Qa, Qb)는 각각 게이트선(GL) 및 데이터선(DL)에 연결되어 있으며, 제3 스위칭 소자(Qc)는 제2 스위칭 소자(Qb)의 출력 단자 및 분압 기준 전압선(RL)에 연결되어 있다.
제1 스위칭 소자(Qa) 및 제2 스위칭 소자(Qb)는 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 그 제어 단자는 게이트선(GL)과 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(DL)과 연결되어 있으며, 제1 스위칭 소자(Qa)의 출력 단자는 제1 액정 축전기(Clca)에 연결되어 있고, 제2 스위칭 소자(Qb)의 출력 단자는 제2 액정 축전기(Clcb) 및 제3 스위칭 소자(Qc)의 입력 단자에 연결되어 있다.
제3 스위칭 소자(Qc) 역시 박막 트랜지스터 등의 삼단자 소자로서, 제어 단자는 게이트선(GL)과 연결되어 있고, 입력 단자는 제2 액정 축전기(Clcb)와 연결되어 있으며, 출력 단자는 분압 기준 전압선(RL)에 연결되어 있다.
게이트선(GL)에 게이트 온 신호가 인가되면, 이에 연결된 제1 스위칭 소자(Qa), 제2 스위칭 소자(Qb), 그리고 제3 스위칭 소자(Qc)가 턴 온된다. 이에 따라 데이터선(DL)에 인가된 데이터 전압은 턴 온된 제1 스위칭 소자(Qa) 및 제2 스위칭 소자(Qb)를 통하여 제1 부화소 전극(PEa) 및 제2 부화소 전극(PEb)에 인가된다. 이 때 제1 부화소 전극(PEa) 및 제2 부화소 전극(PEb)에 인가된 데이터 전압은 서로 동일하고, 제1 액정 축전기(Clca) 및 제2 액정 축전기(Clcb)는 공통 전압과 데이터 전압의 차이만큼 동일한 값으로 충전된다. 이와 동시에, 제2 액정 축전기(Clcb)에 충전된 전압은 턴 온된 제3 스위칭 소자(Qc)를 통해 분압된다. 이에 의해 제2 액정 축전기(Clcb)에 충전된 전압 값은 공통 전압과 분압 기준 전압의 차이에 의해 낮아지게 된다. 즉, 제1 액정 축전기(Clca)에 충전된 전압은 제2 액정 축전기(Clcb)에 충전된 전압보다 더 높게 된다.
이처럼, 제1 액정 축전기(Clca)에 충전된 전압과 제2 액정 축전기(Clcb)에 충전된 전압은 서로 달라지게 된다. 제1 액정 축전기(Clca)의 전압과 제2 액정 축전기(Clcb)의 전압이 서로 다르므로 제1 부화소와 제2 부화소에서 액정 분자들이 기울어진 각도가 다르게 되고 이에 따라 두 부화소의 휘도가 달라진다. 따라서 제1 액정 축전기(Clca)의 전압과 제2 액정 축전기(Clcb)의 전압을 적절하게 조절하면 측면에서 바라보는 영상이 정면에서 바라보는 영상에 최대한 가깝게 되도록 할 수 있으며 이렇게 함으로써 측면 시인성을 향상할 수 있다.
도시한 실시예에서는 제1 액정 축전기(Clca)에 충전된 전압과 제2 액정 축전기(Clcb)에 충전된 전압을 다르게 하기 위하여, 제2 액정 축전기(Clcb)와 분압 기준 전압선(RL)에 연결된 제3 스위칭 소자(Qc)를 포함하였지만, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 경우, 제2 액정 축전기(Clcb)를 감압(step-down) 축전기에 연결할 수도 있다.
구체적으로, 감압 게이트선에 연결된 제1 단자, 제2 액정 축전기(Clcb)에 연결된 제2 단자, 그리고 감압 축전기에 연결된 제3 단자를 포함하는 제3 스위칭 소자를 포함하여, 제2 액정 축전기(Clcb)에 충전된 전하량의 일부를 감압 축전기에 충전되도록 하여, 제1 액정 축전기(Clca)와 제2 액정 축전기(Clcb) 사이의 충전 전압을 다르게 설정할 수도 있다. 또한, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 경우, 제1 액정 축전기(Clca)와 제2 액정 축전기(Clcb)가 각기 서로 다른 데이터선에 연결되어, 서로 다른 데이터 전압을 인가 받도록 함으로써, 제1 액정 축전기(Clca)와 제2 액정 축전기(Clcb) 사이의 충전 전압을 다르게 설정할 수도 있다. 이외에, 다른 여러 가지 방법에 의하여, 제1 액정 축전기(Clca)와 제2 액정 축전기(Clcb) 사이의 충전 전압을 다르게 설정할 수도 있다.
본 명세서는 도 9를 참조하여 일 화소 영역에 대한 회로도를 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 다양한 회로도를 가질 수 있음은 물론이다.
이하에서는 도 10 내지 도 15를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 빛샘 현상 여부 등에 대해 살펴본다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 일부에 대한 빛샘 여부 이미지이고, 도 11은 비교예에 따른 표시 장치 일부에 대한 빛샘 여부 이미지이고, 도 12는 본 발명의 실시예와 비교예에 대한 빛샘 정도를 나타낸 그래프이고, 도 13은 공통 전압 인가 배선의 폭에 따른 광 세기 그래프이고, 도 14는 공통 전압 인가 배선 영역의 개구율에 따른 광 세기 그래프이며, 도 15은 슬릿의 폭에 따른 회절 정도를 나타낸 그래프이다.
우선, 도 10을 참조하면, 데이터 전압 인가 배선과 공통 전압 인가 배선의 폭 및 데이터 전압 인가 슬릿과 공통 전압 인가 슬릿의 폭이 동일한 실시예에 대한 빛샘 여부 확인 이미지이다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치이며, 구체적으로 데이터 전압 인가 배선과 공통 전압 인가 배선의 폭의 비가 1:1인 경우이다. 이에 대해 빛샘 현상의 발생 여부를 확인한 결과, 도 10과 같이 별도의 빛샘이 발생하지 않음을 확인하였다.
반면, 도 11을 참조하면, 데이터 전압 인가 배선이 위치한 A 영역과 공통 전압 인가 배선이 위치한 B 영역의 개구율이 동일하나(개구율 50%), 데이터 전압 인가 배선보다 공통 전압 인가 배선의 폭이 더 큰 경우이다. 구체적으로, 데이터 전압 인가 슬릿과 공통 전압 인가 슬릿의 폭의 비(또는 데이터 전압 인가 배선과 공통 전압 인가 배선의 폭이 비)가 1:5인 경우이다.
이에 대해 빛샘 현상의 발생 여부를 확인한 결과, 도 11의 화살표와 같이 공통 전압 인가 배선이 위치하는 B 영역에 대해 동일한 간격으로 빛샘 현상이 발생함을 확인하였다.
공통 전압 인가 배선과 데이터 전압 인가 배선이 동일한 개구율을 가지면서 공통 전압 인가 배선의 폭이 데이터 전압 인가 배선의 폭보다 큰 경우, 공통 전압 인가 배선이 위치하는 B 영역에서 실런트의 미경화가 발생하고, 이를 통해 액정층의 오염 및 빛샘 현상이 나타났다.
이러한 빛샘 여부는 도 12의 그래프를 통해 보다 정확하게 알 수 있다. 도 12에 나타난 바와 같이 비교예에 따른 표시 장치는 실시예에 따른 표시 장치에 비해 테두리 빛샘 현상이 더 발생하였다.
이하 첨부된 표 1을 참고하여 보다 구체적으로 살펴보면, 실시예 1과 같이 데이터 전압 인가 배선 영역이 약 50%의 개구율을 가지고, 공통 전압 인가 배선 영역이 약 50%의 개구율을 가지며, 공통 전압 인가 슬릿과 데이터 전압 인가 슬릿의 폭의 비가 약 3.8:1인 경우, 빛샘 현상이 발생함을 확인하였다.
또한, 실시예 2와 같이, 공통 전압 인가 배선 영역 및 데이터 전압 인가 배선 영역이 거의 동일한 개구율을 가지면서, 공통 전압 인가 슬릿과 데이터 전압 인가 슬릿의 폭의 비가 약 1.92:1인 경우, 빛샘 현상이 발생하지 않음을 확인하였다.
다음, 실시에 3와 같이, 공통 전압 인가 배선 영역과 데이터 전압 인가 배선 영역이 거의 동일한 개구율을 가지면서, 공통 전압 인가 슬릿과 데이터 전압 인가 슬릿의 폭의 비가 약 1:1인 경우, 역시 빛샘이 발생하지 않음을 확인하였다.
즉, 공통 전압 인가 배선 영역과 데이터 전압 인가 배선 영역이 동일한 개구율을 가지는 경우에 있어서, 공통 전압 인가 슬릿과 데이터 전압 인가 슬릿의 폭의 비가 약 2:1 내지 1:1이면 빛샘 현상이 발생하지 않음을 확인할 수 있었다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3
데이터 전압 인가 배선/슬릿의 폭(μm) 4/6.6 4/6 30/40
공통 전압 인가 배선/슬릿의 폭(μm) 25/25 8.5/11.5 30/40
빛샘 발생 유무 유 무 무
슬릿의 비 3.8:1 1.92:1 1:1
광 세기 81.7% 88.7% 100%
한편, 상기 표 1을 광 세기 측면에서 살펴보면, 약 88% 이상의 광 세기를 나타내는 경우 빛샘 현상이 발생하지 않음을 알 수 있다. 이를 바탕으로 데이터 전압 인가 배선 및 슬릿의 폭(데이터 전압 인가 배선의 피치)과 공통 전압 인가 배선 및 슬릿의 폭(공통 전압 인가 배선의 피치)이 상이한 경우를 도 13 내지 도 14를 참조하여 살펴본다.
표 1과 같이 빛샘 현상을 제거하기 위해서는 광 세기가 약 88% 이상으로 제어되어야 한다. 이를 바탕으로 도 13을 살펴보면, 공통 전압 인가 배선의 폭은 약 20 μm 이하가 되어야 한다. 또한 이를 바탕으로 도 14를 살펴보면, 개구율(공통 전압 인가 슬릿의 폭/(공통 전압 인가 슬릿 및 공통 전압 인가 배선의 폭의 합) X 100)이 약 70% 이상이 되어야 함을 알 수 있다.
다시 말해, 공통 전압 인가 배선의 폭이 데이터 전압 인가 배선의 폭과 거의 동일하게 제어되기 위해, 공통 전압 인가 슬릿의 폭이 커지고, 공통 전압 인가 배선의 폭이 작아지게 된다. 공통 전압 인가 배선 영역의 개구율이 데이터 전압 인가 배선 영역의 개구율 보다 커지게 된다.
다음, 도 15를 살펴보면, 배선과 슬릿의 폭(피치)의 합에서 슬릿의 폭이 차지하는 비율인 개구율이 동일한 경우, 슬릿의 폭이 커질수록 회절 정도가 낮음을 알 수 있다. 즉, 실런트 경화를 위해 배면 노광을 실시하는 경우, 슬릿의 폭이 큰 경우에 대해 회절이 잘 일어나지 않고, 이에 따라 실런트의 경화가 어렵다.
따라서, 본 발명의 일 실시예와 같이 데이터 전압 인가 배선 영역과 공통 전압 인가 배선 영역이 동일한 개구율을 가지면서 공통 전압 인가 슬릿의 폭을 감소시킴을 통해, 표시 장치 전반에 대해 실런트의 균일한 경화를 제공할 수 있다.
정리하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는, 배면 노광에 의한 실런트 경화 공정에 있어서, 조사되는 빛의 회절 정도가 공통 전압 인가 배선이 위치하는 영역과 데이터 전압 인가 배선이 위치하는 영역에서 거의 동일하게 일어난다. 이는 데이터 전압 인가 배선과 공통 전압 인가 배선의 폭이 거의 동일하거나, 공통 전압 인가 배선 영역의 개구율이 커짐에 따라 회절이 균일하게 발생하기 때문이다. 따라서, 표시 장치 전체 영역에 대해 실런트의 균일한 경화가 가능하고, 실런트 미경화에 의한 액정층의 오염을 방지할 수 있다. 또한 이와 같은 표시 장치는 화면의 품질 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100 : 하부 표시판 200 : 상부 표시판
3 : 액정층 31 : 액정 분자
PX : 화소 DA : 표시 영역
PA : 주변 영역

Claims (13)

  1. 복수의 화소가 위치하는 표시 영역, 및
    상기 표시 영역의 테두리를 둘러싸며 위치하는 주변 영역을 포함하고,
    상기 주변 영역은,
    공통 전압을 전달하는 공통 전압 인가 배선, 및
    데이터 전압을 전달하는 데이터 전압 인가 배선이 위치하고,
    상기 공통 전압 인가 배선의 폭과 상기 데이터 전압 인가 배선의 폭은 2:1 내지 1:1의 비를 가지는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 데이터 전압 인가 배선의 폭은 10μm 이하인 액정 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    공통 전압 인가 슬릿은 인접한 상기 공통 전압 인가 배선 사이의 폭이며 상기 공통 전압 인가 배선 및 상기 공통 전압 인가 슬릿의 폭은 동일하고,
    데이터 전압 인가 슬릿은 인접한 상기 데이터 전압 인가 배선 사이의 폭이며, 상기 데이터 전압 인가 배선 및 상기 데이터 전압 인가 슬릿의 폭은 동일한 액정 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 주변 영역 중 일부 영역에 위치하는 상기 공통 전압 인가 배선과 상기 데이터 전압 인가 배선의 폭의 비는 2:1 보다 큰 액정 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 액정 표시 장치는,
    박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 위치하는 하부 표시판,
    공통 전극이 위치하는 상부 표시판, 및
    상기 하부 표시판 및 상기 상부 표시판을 합착하는 실런트를 포함하는 액정 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 공통 전압 인가 배선의 폭은 10μm 이하인 액정 표시 장치.
  7. 복수의 화소가 위치하는 표시 영역, 및
    상기 표시 영역을 둘러싸며 위치하는 주변 영역을 포함하고,
    상기 주변 영역에는,
    공통 전압을 전달하는 공통 전압 인가 배선,
    인접한 상기 공통 전압 인가 배선 사이의 공간인 공통 전압 인가 슬릿,
    데이터 전압을 전달하는 데이터 전압 인가 배선, 및
    인접한 상기 데이터 전압 인가 배선 사이의 공간인 데이터 전압 인가 슬릿이 위치하고,
    상기 공통 전압 인가 슬릿과 상기 공통 전압 인가 배선의 폭의 비는 상기 데이터 전압 인가 슬릿과 상기 데이터 전압 인가 배선 폭의 비보다 큰 액정 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 공통 전압 인가 배선과 상기 공통 전압 인가 슬릿의 폭의 합(Wcp)은 40μm 내지 60μm인 액정 표시 장치.
  9. 제7항에서,
    상기 공통 전압 인가 배선의 폭은,
    상기 공통 전압 인가 배선과 상기 공통 전압 인가 슬릿의 폭의 합(Wcp)의 30% 이하인 액정 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 주변 영역 중 일부 영역에 위치하는 상기 공통 전압 인가 슬릿과 상기 공통 전압 인가 배선 폭의 비는 상기 데이터 전압 인가 슬릿과 상기 데이터 전압 인가 배선 폭의 비와 동일한 액정 표시 장치.
  11. 제7항에서,
    상기 액정 표시 장치는,
    박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 위치하는 하부 표시판,
    공통 전극이 위치하는 상부 표시판, 및
    상기 하부 표시판 및 상기 상부 표시판을 합착하는 실런트를 포함하는 액정 표시 장치.
  12. 제8항에서,
    상기 데이터 전압 인가 배선 및 상기 데이터 전압 인가 슬릿의 폭의 합은 20μm 이하인 액정 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 데이터 전압 인가 배선과 상기 데이터 전압 인가 슬릿의 폭은 거의 동일한 액정 표시 장치.
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