CN105892181B - 液晶显示器 - Google Patents

液晶显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN105892181B
CN105892181B CN201610088232.6A CN201610088232A CN105892181B CN 105892181 B CN105892181 B CN 105892181B CN 201610088232 A CN201610088232 A CN 201610088232A CN 105892181 B CN105892181 B CN 105892181B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistor
electrode
liquid crystal
disposed
exemplary embodiment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610088232.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105892181A (zh
Inventor
金勋
申旗澈
柳在镇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN105892181A publication Critical patent/CN105892181A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105892181B publication Critical patent/CN105892181B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0443—Pixel structures with several sub-pixels for the same colour in a pixel, not specifically used to display gradations
    • G09G2300/0447—Pixel structures with several sub-pixels for the same colour in a pixel, not specifically used to display gradations for multi-domain technique to improve the viewing angle in a liquid crystal display, such as multi-vertical alignment [MVA]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0465—Improved aperture ratio, e.g. by size reduction of the pixel circuit, e.g. for improving the pixel density or the maximum displayable luminance or brightness
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0876—Supplementary capacities in pixels having special driving circuits and electrodes instead of being connected to common electrode or ground; Use of additional capacitively coupled compensation electrodes

Abstract

根据示例性实施方式的液晶显示器包括第一基板、布置在第一基板上的栅极线和数据线、连接至栅极线和数据线的第一薄膜晶体管(“TFT”)和第二TFT、连接至第一TFT的第一子像素电极、连接至第二TFT的第一电阻器以及连接至第一电阻器的第二子像素电极。

Description

液晶显示器
本申请要求于2015年2月17日提交的韩国专利申请第10-2015-0024468号的优先权，通过引用将其全部内容结合在此。
技术领域
所描述的技术的示例性实施方式通常涉及液晶显示器。
背景技术
液晶显示器(“LCD”)是现在广泛使用的平板显示器之一。LCD通常包括其中形成场产生电极(诸如像素电极和共用电极)的两个显示面板以及介于两个显示面板之间的液晶层。在LCD中，电压施加至场产生电极以在液晶层中产生确定液晶层的液晶分子的方向的电场。通过控制穿过液晶层的入射光的偏振来显示图像。
在LCD之中，由于垂直配向模式LCD(在该LCD中，在未施加电场的情况下，液晶分子被配向为使得其长轴垂直于上面板和下面板)的对比度大并且易于实现宽参考视角而备受瞩目。
为了在垂直配向模式LCD中使侧面可视性接近正面可视性，已经提出了一种使透射率不同的方法，所述方法包括将一个像素划分成两个子像素并且将不同电压施加到两个子像素。
发明内容
当通过将一个像素划分成两个子像素并且使透射率不同而使侧面可视性接近正面可视性时，液晶显示器(“LCD”)的开口率会由于薄膜晶体管(“TFT”)和接触孔而减小。即，由于多个晶体管被形成为将不同的电压施加至两个子像素并且多个接触孔被形成为连接晶体管和子像素，所以LCD的开口率减小。
所描述的技术致力于提供这样一种LCD，其可以防止LCD的开口率由于TFT和接触孔而减小并且通过将一个像素划分成两个子像素并使其透射率不同而使侧面可视性接近正面可视性。
根据示例性实施方式的LCD包括第一基板、布置在第一基板上的栅极线和数据线、连接至栅极线和数据线的第一TFT和第二TFT、连接至第一TFT的第一子像素电极、连接至第二TFT的第一电阻器以及连接至第一电阻器的第二子像素电极。
在示例性实施方式中，第一电阻器可以包括连接至第二TFT的输出端的电阻器输入端以及连接至第二子像素电极的电阻器输出端。
在示例性实施方式中，可以进一步包括布置在电阻器输入端和电阻器输出端下面的电阻器半导体层。
在示例性实施方式中，电阻器输入端的边缘的一部分和电阻器输出端的边缘的一部分可以与电阻器半导体层的边缘的至少一部分重叠。
在示例性实施方式中，LCD可以进一步包括布置在第一基板上的电阻器参考电压线，并且第一电阻器可以包括连接至电阻器参考电压线的第一电阻器电容器和第二电阻器电容器。
在示例性实施方式中，电阻器参考电压线可以施加有预定幅度的参考电压，并且参考电压的预定幅度可以大于施加至数据线的数据电压的幅度。
在示例性实施方式中，连接至第一电阻器电容器和第二电阻器电容器的一个端子可以连接至电阻器参考电压线，第一电阻器电容器的另一个端子可以连接至电阻器输入端，并且第二电阻器电容器的另一个端子可以连接至电阻器输出端。
在示例性实施方式中，电阻器参考电压线可以包括电阻器参考电极，并且电阻器参考电极可以布置在电阻器半导体层的下面。
在示例性实施方式中，电阻器参考电极的边缘和电阻器半导体层的边缘可以彼此重叠，并且电阻器输入端的边缘的一部分和电阻器输出端的边缘的一部分可以与电阻器参考电极的边缘和电阻器半导体层的边缘的至少一部分重叠。
根据另一示例性实施方式的LCD包括：第一基板、布置在第一基板上的栅极线和数据线、连接至栅极线和数据线的第一TFT和第二TFT、连接至第一TFT的第一子像素电极、连接至第二TFT的第二子像素电极以及连接在数据线与第二TFT之间的第二电阻器。
在示例性实施方式中，第二电阻器可以包括连接至数据线的电阻器输入端以及连接至第二TFT的输入端的电阻器输出端。
根据示例性实施方式的LCD，可以防止由于晶体管和接触孔引起的LCD的开口率的减小，并且通过将一个像素划分成两个子像素并且使其透射率不同而可以使侧面可视性接近正面可视性。
附图说明
通过参考附图更详细地描述本公开的示例性实施方式，本公开的上述和其他示例性实施方式、优点和特征将变得更加显而易见，其中：
图1是根据示例性实施方式的液晶显示器(“LCD”)的一个像素的等效电路图。
图2是根据本发明的LCD的示例性实施方式的平面图。
图3是沿着线III-III截取的图2的LCD的截面图。
图4A和图4B是部分地示出图2的LCD的示图。
图5是图2的LCD的像素电极的基本区域的俯视平面图。
图6示出了通过使用由诸如紫外线的光聚合的预聚物使液晶分子具有预倾角(pretilt)的处理。
图7是根据本发明的LCD的一个像素的另一示例性实施方式的等效电路图。
图8是根据本发明的LCD的另一示例性实施方式的平面图。
图9是沿着线IX-IX截取的图8的LCD的截面图。
图10是部分地示出了图8的LCD的示图。
图11是根据本发明的LCD的另一示例性实施方式的平面图。
图12是沿着线XII-XII截取的图11的LCD的截面图。
图13是根据本发明的另一示例性实施方式的LCD的一个像素的等效电路图。
图14是根据本发明的LCD的另一示例性实施方式的平面图。
图15是沿着线XV-XV截取的图14的LCD的截面图。
图16是部分地示出了图14的LCD的示图。
图17是示出了根据本发明示例性实施方式的实验例的结果的曲线图。
图18是示出了根据本发明示例性实施方式的另一实验例的结果的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将参考示出本发明的示例性实施方式的附图更加全面地描述本发明。如本领域技术人员将认识到的，在完全不背离本发明的精神和范围的情况下，可以各种不同的方式对所描述的实施方式进行修改。
在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。贯穿本说明书，相同的参考标号指代相同的元件。应当理解的是，当诸如层、膜、区域或者基板的元件被称为在另一元件上时，其可直接在另一元件上或者也可存在中间元件。相对地，当一个元件被称为“直接”位于另一个元件“上”时，不存在中间元件。
将理解的是，尽管在本文中可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅仅用于区分一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分。因此，在不背离本文的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区域”、“第一层”或者“第一部分”可被称作第二元件、第二部件、第二区域、第二层或者第二部分。
为了便于描述如附图中示出的一个元件或者特征与另一元件或者特征的关系，本文可以使用诸如“在...之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等空间相关术语。应当理解的是，空间相关术语旨在包括除图中所描述的定向之外的使用中或者操作中的设备的不同的定向。例如，如果将图中的设备翻转，则被描述为在其他元件或者特征的“下方”或者“之下”的元件将被定向为在其他元件或者特征的“上方”。因此，示例性术语“下方”或“在…之下”可包括上面和下面两个定向。设备可以另外定向并相应地解释在此使用的空间相关描述符。
应当理解的是，虽然在本文中可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本发明的教导的情况下，下文所讨论的第一元件可以被称为第二元件。如本文使用的，除非上下文另有明确指示，否则，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包含(comprise)”和/或“包含(comprising)”时，它们规定存在指定的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件，而并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或者添加。
本文中所使用的“约”或者“近似”包含所述值和由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值，考虑了所讨论的测量和与特定数量的测量相关联的误差(即，测量系统的局限性)。例如，“约”可表示在一个或者多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、20％、10％、5％内。
除非另有明确定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与由本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，术语(诸如在通常使用的词典中定义的那些)应被解释为具有与它们在相关领域和公开的背景下的含义一致的含义，并且不得以理想化或过度形式化的意义进行解释，除非本文中明确如此定义。
在本文中，参照作为理想实施方式的示意性示图的截面示图来描述示例性实施方式。因此，可以预期由于例如制造技术和/或容差所产生的示图的形状上的变化。因此，本文中所描述的实施方式不应当被解释为局限于如本文中所示的区域的特定形状，而是包括由于例如制造而产生的形状上的偏差。例如，被示出或描述为平坦的区域通常可具有粗糙和/或非线性的特征。而且，示出的锐角可以为圆形的(rounded)。因此，在图中所示出的区域在本质上是示意性的并且其形状并不旨在示出区域的精确形状并且并不旨在限制权利要求的范围。
首先，将参考图1描述根据示例性实施方式的液晶显示器(“LCD”)的信号线和像素的布置及其驱动方法。图1是根据示例性实施方式的LCD的一个像素的等效电路图。
参考图1，根据示出的示例性实施方式的LCD的一个像素PX包括多个信号线，多个信号线包括传输栅极信号的栅极线GL、传输数据信号的数据线DL以及传输电阻器参考电压的电阻器参考电压线CL；连接到多个信号线的第一开关元件Qa和第二开关元件Qb；以及第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb。
第一开关元件Qa和第二开关元件Qb中的每个被连接至栅极线GL和数据线DL。
第一开关元件Qa和第二开关元件Qb是诸如薄膜晶体管(“TFT”)的三端元件，其控制端连接至栅极线GL，其输入端连接至数据线DL，第一开关元件Qa的输出端连接至第一液晶电容器Clca，并且第二开关元件Qb的输出端连接至第二液晶电容器Clcb。
第一电阻器R1连接在第二开关元件Qb的输出端与第二液晶电容器Clcb之间。第一电阻器R1连接至电阻器参考电压线CL，并且包括第一电阻器电容器Rc1和第二电阻器电容器Rc2。电阻器参考电压线CL施加有预定幅度的参考电压，并且参考电压的幅度大于施加于数据线DL的数据电压的幅度。
当栅极导通信号施加于栅极线GL时，连接至此的第一开关元件Qa和第二开关元件Qb被导通。因此，施加至数据线DL的数据电压通过导通的第一开关元件Qa和第二开关元件Qb被施加至第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb。在这种情况下，施加至第二开关元件Qb的数据电压在施加至第二液晶电容器Clcb之前在通过第一电阻器R1时减小。
因此，充入第二液晶电容器Clcb中的电压通过第一电阻器R1的电阻减小。从而，充入第一液晶电容器Clca的电压高于充入第二液晶电容器Clcb的电压。
因此，充入第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb的电压变得彼此不同。由于第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb的电压变得彼此不同，所以包含分别具有不同倾角的液晶分子的第一子像素和第二子像素具有不同的亮度。从而，当适当地调节第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb的电压时，从正面看到的图像尽可能接近从侧面看到的图像，从而改善了侧面可视性。
接下来，将参考图2至图5描述在图1中示出的根据示例性实施方式的LCD的详细配置。
图2是根据示例性实施方式的LCD的平面图。图3是沿着线III-III截取的图2的LCD的截面图。图4A和图4B是部分地示出图2的LCD的示图。图5是图2的LCD的像素电极的基本区域的俯视平面图。
首先，参考图2和图3，根据示出的示例性实施方式的LCD设备包括面向彼此的下显示面板100和上显示面板200、介于两个显示面板100和200之间的液晶层3、以及附接至显示面板100和200的外表面的一对偏振器(未示出)。
首先，将描述下显示面板100。
在示例性实施方式中，例如，包括栅极线121、电阻器参考电压线123以及存储电压线131的栅极导体布置在包括透明玻璃或者塑料的第一基板110上。
栅极线121包括第一栅电极124a和第二栅电极124b。
电阻器参考电压线123包括第一电阻器参考电极125a和第二电阻器参考电极125b。
存储电压线131包括第一存储电极135和136。未连接至存储电压线131但与第二子像素电极191b重叠的第二存储电极138和139布置在下面板中。
栅极绝缘层140布置在栅极线121、电阻器参考电压线123以及存储电压线131上。
第一半导体154a、第二半导体154b以及第三半导体154c布置在栅极绝缘层140上。
多个欧姆接触163a、165a、163b、165b、167a以及167b布置在半导体154a、154b以及154c上。
包括数据线171、第一源电极173a、第二源电极173b、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第一电阻器输入电极177a以及第一电阻器输出电极177b的数据导体布置在欧姆接触163a、165a、163b、165b、167a和167b以及栅极绝缘层140上。
第一源电极173a和第二源电极173b从数据线171延伸。
第一电阻器输入电极177a连接至第二漏电极175b，并且第一电阻器输出电极177b连接至第二子像素电极191b。
可通过使用一个掩模同时提供数据导体、布置在数据导体下方的半导体以及欧姆接触。
第一栅电极124a、第一源电极173a以及第一漏电极175a与第一半导体154a一起提供第一TFT Qa，并且第一TFT的沟道限定在第一源电极173a与第一漏电极175a之间的第一半导体154a处。类似地，第二栅电极124b、第二源电极173b以及第二漏电极175b与第二半导体154b一起提供第二TFT Qb，并且其沟道限定在第二源电极173b与第二漏电极175b之间的第二半导体154b处。
电阻器参考电极125a和125b布置在第一电阻器输入电极177a和第一电阻器输出电极177b的下面，并且电阻器参考电极125a和125b的边缘与第一电阻器输入电极177a和第一电阻器输出电极177b的边缘重叠。
第一钝化层180p布置在数据线171、第一源电极173a、第二源电极173b、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第一电阻器输入电极177a、第一电阻器输出电极177b、以及半导体154a、154b和154c的暴露的部分上。在示例性实施方式中，例如，第一钝化层180p可以包括包含氮化硅、氧化硅等的无机绝缘层。第一钝化层180p可防止布置在其上的滤色器80的颜料流入暴露的半导体154a、154b以及154c中。
滤色器80布置在第一钝化层180p上。滤色器80沿相邻两条数据线在垂直方向上延伸。尽管未示出，遮光件可以布置在第一显示面板100上。
第二钝化层180q布置在滤色器80上。
在示例性实施方式中，例如，第二钝化层180q可以包括包含氮化硅、氧化硅等的无机绝缘层。第二钝化层180q防止滤色器80的剥落，并且抑制液晶层3被诸如从滤色器80流出的溶剂的有机材料污染，从而防止可能在屏幕被驱动时发生的诸如余像的缺陷。
第一接触孔185a和第二接触孔185b限定在第一钝化层180p、第二钝化层180q和滤色器80中以分别暴露第一漏电极175a，第一电阻器输出电极177b。
多个像素电极191设置在第二钝化层180q上。每一个像素电极191包括第一子像素电极191a和第二子像素电极191b，第一子像素电极191a和第二子像素电极191b彼此分离同时栅极线121插入其间并且基于栅极线121在列方向上相邻。在示例性实施方式中，像素电极191可以包括诸如铟锡氧化物(“ITO”)或铟锌氧化物(“IZO”)的透明材料。像素电极191还可以包括反射金属，诸如铝、银、铬、或其合金。
第一子像素电极191a和第二子像素电极191b中的每一个包括在图5中示出的一个或多个基电极(basic electrode)199或其变形。
第一子像素电极191a和第二子像素电极191b通过第一接触孔185a和第二接触孔185b物理地并且电连接至第一漏电极175a和第二漏电极175b，并且分别施加有来自第一漏电极175a和第二漏电极175b的数据电压。
如上所述，提供第一电阻器R1的第一电阻器输入电极177a和第一电阻器输出电极177b布置在第二子像素电极191b第二子像素电极191b之间，从而减小施加至第二漏电极175b的数据电压的幅度。因此，施加至第一子像素电极191a的电压大于施加至第二子像素电极191b的电压。
施加了数据电压的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b连同上显示面板200的共用电极270一起产生电场以确定两个电极191与270之间的液晶层3的液晶分子的定向。穿过液晶层3的光的亮度根据这样确定的液晶分子的定向而变化。
第一配向层(未示出)布置在像素电极191上。
现将描述上面板200。
共用电极270布置在第二基板210上。第二配向层(未示出)布置在共用电极270上。
在示例性实施方式中，例如，液晶层3具有负介电各向异性，并且在不存在电场时，液晶层3的液晶分子31被配向成使得它们的长轴垂直于两个显示面板100和200的表面。
在示例性实施方式中，第一配向层、第二配向层以及液晶层中的至少一个可以包括光聚合物(photopolymer)。
接下来，将参考图4A和图4B描述根据示例性实施方式的LCD的第一电阻器R1。
参考图4A，第一电阻器参考电极125a和第二电阻器参考电极125b布置在第一基板110上，并且栅极绝缘层140布置在第一电阻器参考电极125a和第二电阻器参考电极125b上。第三半导体154c布置在栅极绝缘层140上，并且欧姆接触167a和167b布置在第三半导体154c上。第一电阻器输入电极177a和第一电阻器输出电极177b分别布置在欧姆接触167a和167b上。
参考图4B，当第一电阻器参考电极125a和第二电阻器参考电极125b施加有电阻器参考电压时，通过施加至第一电阻器参考电极125a的电压收集第一电阻器输入电极177a和第一电阻器输出电极177b的下表面上的电荷。然而，由于电阻器参考电极并未布置在第一电阻器输入电极177a与第一电阻器输出电极177b之间，所以在第一电阻器输入电极177a的下表面上收集的电荷不会移动进入第一电阻器输出电极177b。如上所述，施加至第一电阻器参考电极125a和第二电阻器参考电极125b的电阻器参考电压的幅度大于施加于数据线171的数据电压的幅度。以这种方式，当施加至第一电阻器参考电极125a和第二电阻器参考电极125b的电阻器参考电压的幅度充分高时，在第一电阻器输入电极177a上累积的电荷的量增大并且累积的电荷逐渐地移动通过第三半导体154c，并且然后移动进入第一电阻器输出电极177b使得电压被传输到第一电阻器输出电极177b。然而，由于在第一电阻器输入电极177a与第一电阻器输出电极177b之间的第三半导体154c下面没有布置控制电极，所以第三半导体154c不是沟道并且其间的第三半导体154c是电阻器，使得施加至第一电阻器输入电极177a的电压的一部分被传输到第一电阻器输出电极177b。因此，施加至第一电阻器输出电极177b的电压的幅度小于施加于第一漏电极175a的数据电压的幅度。
以这种方式，根据示出的示例性实施方式的LCD，为了减小施加至第二子像素电极191b的电压的幅度而无需另外的TFT，通过使用栅极导体、半导体以及数据导体提供电阻器，不同的电压可以被施加至第一子像素电极191a和第二子像素电极191b而无需进一步提供TFT或者接触孔，侧面可视性可以接近正面可视性，并且可以防止由于TFT和接触孔而引起的LCD的开口率的减小。
现在将参考图5描述基电极199。
如在图5中示出的，基电极199的整体形状是四边形，并且其包括十字形主干(cross-shaped stem)，十字形主干包括水平主干193和垂直于水平主干193的垂直主干192。进一步地，基电极199被水平主干193以及垂直主干192分成第一子区域Da、第二子区域Db、第三子区域Dc以及第四子区域Dd，并且子区域Da、Db、Dc以及Dd中的每一个分别包括多个第一至第四小分支194a、194b、194c以及194d。
第一小分支194a从水平主干193或者垂直主干192沿左上方向倾斜延伸，并且第二小分支194b从水平主干193或者垂直主干192沿右上方向倾斜延伸。此外，第三小分支194c从水平主干193或者垂直主干192沿左下方向倾斜延伸，并且第四小分支194d从水平主干193或者垂直主干192沿右下方向倾斜延伸。
第一至第四小分支194a、194b、194c和194d与栅极线121或水平主干193限定了大约45度(°)或者大约135°的角度。此外，两个邻近的子区域Da、Db、Dc以及Dd的小分支194a、194b、194c和194d可彼此垂直。
如上所述，第一子像素电极191a和第二子像素电极191b通过第一接触孔185a和第二接触孔185b分别连接至第一漏电极175a和第二漏电极175b，并且从第一漏电极175a和第二漏电极175b接收电压。在这种情况下，第一至第四小分支194a、194b、194c以及194d的边使电场扭曲，从而产生确定液晶分子31的倾斜方向的水平分量。电场的水平分量几乎水平于第一至第四小分支194a、194b、194c以及194d的边。因此，如图5所示，液晶分子31在平行于小分支194a、194b、194c和194d的长度方向的方向上倾斜。由于一个基电极199包括四个子区域Da至Dd，其中，小分支194a、194b、194c、和194d的长度方向彼此不同，大概存在液晶分子31倾斜的四个方向，并且在液晶层3中限定了液晶分子31的配向方向彼此不同的四个域。如上所述，当液晶分子倾斜的方向多样化时，LCD的参考视角增大。
接下来，将参考图6描述使液晶分子31初始配向以具有预倾角(pretilt)的方法。
图6示出了通过使用由诸如紫外(“UV”)线的光聚合的预聚物使液晶分子具有预倾角的处理。
首先，由诸如UV线的光聚合的诸如单体的预聚物33与液晶材料一起被注入在两个显示面板100和200之间。在示例性实施方式中，预聚物33可以是通过诸如UV线的光聚合的反应性介晶(reactive mesogen)。
接下来，通过将数据电压施加到第一子像素电极191a和第二子像素电极191b并且将共用电压施加到上面板200的共用电极270，在显示面板100与200之间的液晶层3中产生电场。因此，液晶层3的液晶分子31响应于电场通过如上所述的两个步骤在平行于小分支194a、194b、194c以及194d的长度方向的方向上倾斜，并且因此一个像素PX中的液晶分子31总共在四个方向上倾斜。
当在液晶层3中产生电场之后照射诸如UV线的光时，预聚物33被聚合以提供聚合物370，如图6所示。聚合物370被提供为接触显示面板100和200。通过聚合物370，液晶分子31的配向方向被确定为具有对应于上述方向的预倾角。因此，甚至在电压未施加至场产生电极191和270的状态下，液晶分子31被布置为具有对应于四个不同的方向的预倾角。
接下来，将参考图7至图10描述根据示例性实施方式的LCD。图7是根据另一示例性实施方式的LCD的一个像素的等效电路图。图8是根据另一示例性实施方式的LCD的平面图。图9是沿着线IX-IX截取的图8的LCD的截面图。图10是部分地示出了图8的LCD的示图。
首先，将参考图7描述根据另一示例性实施方式的LCD的信号线和像素的布置及其驱动方法。
参考图7，根据示出的示例性实施方式的LCD的一个像素PX包括多个信号线，多个信号线包括传输栅极信号的栅极线GL和传输数据信号的数据线DL；连接到多个信号线的第一开关元件Qa和第二开关元件Qb；以及第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb。
第一开关元件Qa和第二开关元件Qb分别连接至栅极线GL和数据线DL。
第一开关元件Qa和第二开关元件Qb是诸如TFT的三端元件，其控制端连接至栅极线GL，其输入端连接至数据线DL，第一开关元件Qa的输出端连接至第一液晶电容器Clca，并且第二开关元件Qb的输出端连接至第二液晶电容器Clcb。
第二电阻器R2连接在第二开关元件Qb的输出端与第二液晶电容器Clcb之间。
当栅极导通信号施加至栅极线GL时，连接至此的第一开关元件Qa和第二开关元件Qb被导通。因此，施加至数据线DL的数据电压通过导通的第一开关元件Qa和第二开关元件Qb被施加至第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb。在这种情况下，施加至第二开关元件Qb的数据电压在施加至第二液晶电容器Clcb之前在通过第二电阻器R2时减小。
因此，充入第二液晶电容器Clcb中的电压通过第二电阻器R2的电阻减小。从而，充入第一液晶电容器Clca的电压高于充入第二液晶电容器Clcb的电压。
因此，充入第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb的电压变得彼此不同。由于第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb的电压变得彼此不同，包含分别具有不同倾角的液晶分子的第一子像素和第二子像素具有不同的亮度。从而，当适当地调节第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb的电压时，从正面看到的图像尽可能接近从侧面看到的图像，从而改善了侧面可视性。
接下来，将参考图8至图10描述根据在图7中示出的示例性实施方式的LCD的详细配置。
参考图8和图9，根据示出的示例性实施方式的LCD与根据参考图2和图3描述的示例性实施方式的LCD相似。省去了相同组成元件的详细说明。
参照图8和图9，根据示出的示例性实施方式的LCD包括面向彼此的下面板100和上面板200，介于两个显示面板100和200之间的液晶层3以及附接至显示面板100和200的外表面的一对偏振器(未示出)。
将首先描述下面板100。
包括栅极线121和存储电压线131的栅极导体布置在包括透明玻璃、塑料等的第一基板110上。
栅极线121包括第一栅电极124a和第二栅电极124b。存储电压线131包括第一存储电极135和136，并且未连接至存储电压线131但与第二子像素电极191b重叠的第二存储电极138和139布置在下面板中。
栅极绝缘层140布置在栅极线121和存储电压线131上。
第一半导体154a、第二半导体154b以及第三半导体154c布置在栅极绝缘层140上。
多个欧姆接触163a、165a、163b、165b、167a以及167b布置在半导体154a、154b以及154c上。
包括数据线171、第一源电极173a和第二源电极173b、第一漏电极175a和第二漏电极175b、第二电阻器输入电极178a以及第二电阻器输出电极178b的数据导体布置在欧姆接触163a、165a、163b、165b、167a和167b以及栅极绝缘层140上。
第一源电极173a和第二源电极173b从数据线171延伸以连接至数据线171。
第二电阻器输入电极178a连接至第二漏电极175b，并且第二电阻输出电极178b连接至第二子像素电极191b。
第一钝化层180p布置在数据线171、第一源电极173a、第二源电极173b、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第二电阻器输入电极178a、第二电阻器输出电极178b、以及半导体154a、154b和154c的暴露的部分上。
滤色器80布置在第一钝化层180p上。
第二钝化层180q布置在滤色器80上。
暴露第一漏电极175a和第二电阻器输出电极178b的第一接触孔185a和第二接触孔185b限定在第一钝化层180p、第二钝化层180q和滤色器80中。
多个像素电极191布置在第二钝化层180q上。每个像素电极191包括第一子像素电极191a和第二子像素电极191b。
第一子像素电极191a和第二子像素电极191b分别包括在图5中示出的一个或多个基电极199或其变形。
第一子像素电极191a和第二子像素电极191b通过第一接触孔185a和第二接触孔185b物理地并且电连接至第一漏电极175a和第二电阻器输出电极178b，并且分别施加有来自第一漏电极175a和第二漏电极175b的数据电压。
如上所述，提供第二电阻器R2的第二电阻器输入电极178a和第二电阻器输出电极178b布置在第二子像素电极191b与第二漏电极175b之间，从而减小施加至第二子像素电极191b的数据电压的幅度。因此，施加至第一子像素电极191a的电压大于施加至第二子像素电极191b的电压。
施加了数据电压的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b连同上面板200的共用电极270一起产生电场以确定两个电极191与270之间的液晶层3的液晶分子的定向。穿过液晶层3的光的亮度根据这样确定的液晶分子的定向而变化。
第一配向层(未示出)布置在像素电极191上。
现将描述上面板200。
共用电极270布置在第二基板210上。第二配向层(未示出)布置在共用电极270上。
在示例性实施方式中，例如，液晶层3具有负介电各向异性，并且在不存在电场时液晶层3的液晶分子31被配向成使得它们的长轴垂直于两个显示面板100和200的表面。
第一配向层、第二配向层以及液晶层中的至少一个可以包括光聚合物。
接下来，将参考图10描述根据示例性实施方式的LCD的第二电阻器R2。
参考图10，栅极绝缘层140布置在第一基板110上。第三半导体154c布置在栅极绝缘层140上，并且欧姆接触167a和167b布置在第三半导体154c上。第二电阻器输入电极178a和第二电阻器输出电极178b分别布置在欧姆接触167a和167b上。
第二电阻器R2的值与第三半导体154c的电阻率和面积成比例。
如果通过第二源电极173b将数据电压施加至第二电阻器输入电极178a，累积至第二电阻器输入电极178a的电荷通过在第三半导体154c中振动的电荷被传输至第二电阻器输出电极178b。在这种情况下，施加至第二电阻器输入电极178a的电压因由第三半导体154c的电阻率被部分传输至第二电阻器输出电极178b。因此，施加至第二电阻器输出电极178b的电压的幅度小于施加至第一漏电极175a的数据电压的幅度。
以这种方式，根据示出的示例性实施方式的LCD，为了减小施加至第二子像素电极191b的电压的幅度而无需另外的TFT，通过使用栅极导体、半导体以及数据导体提供电阻器，可以将不同的电压施加至第一子像素电极191a和第二子像素电极191b而无需进一步提供TFT或接触孔，侧面可视性可以接近正面可视性，并且可以防止由于TFT和接触孔引起的LCD的开口率的减小。
接下来，将参考图11和图12描述根据本发明的另一个示例性实施方式的LCD。图11是根据另一示例性实施方式的LCD的平面图。图12是沿着线XII-XII截取的图11的LCD的截面图。
参考图11和图12，根据示出的示例性实施方式的LCD与根据参考图8和图9描述的示例性实施方式的LCD相似。省去了相同组成元件的详细说明。
参照图11和图12，根据示出的示例性实施方式的LCD包括面向彼此的下面板100和上面板200，介于两个显示面板100和200之间的液晶层3，以及附接至显示面板100和200的外表面的一对偏振器(未示出)。
将首先描述下面板100。
在示例性实施方式中，例如，包括栅极线121和存储电压线131的栅极导体布置在包括透明玻璃、塑料等的第一基板110上。在根据示出的示例性实施方式的LCD中，与根据图8和图9中示出的示例性实施方式的LCD不同，遮光层126布置在第三半导体154c的下面。遮光层126包括栅极导体。
栅极线121包括第一栅电极124a和第二栅电极124b。存储电压线131包括第一存储电极135和136，并且未连接至存储电压线131但与第二子像素电极191b重叠的第二存储电极138和139布置在下面板中。
栅极绝缘层140布置在栅极线121、存储电压线131以及遮光层126上。
第一半导体154a、第二半导体154b以及第三半导体154c布置在栅极绝缘层140上。
多个欧姆接触163a、165a、163b、165b、167a以及167b布置在半导体154a、154b以及154c上。
包括数据线171、第一源电极173a、第二源电极173b、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第二电阻器输入电极178a以及第二电阻器输出电极178b的数据导体布置在欧姆接触163a、165a、163b、165b、167a和167b以及栅极绝缘层140上。
第一源电极173a和第二源电极173b从数据线171延伸以连接至数据线171。第二电阻器输入电极178a连接至第二源电极173b，并且第二电阻器输出电极178b连接至第二漏电极175b。
第一钝化层180p布置在数据线171、第一源电极173a、第二源电极173b、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第二电阻器输入电极178a、第二电阻器输出电极178b、以及半导体154a、154b和154c的暴露的部分上。
滤色器80布置在第一钝化层180p上。
第二钝化层180q布置在滤色器80上。
暴露第一漏电极175a和第二漏电极175b的第一接触孔185a和第二接触孔185b限定在第一钝化层180p、和第二钝化层180q和滤色器80中。
多个像素电极191布置在第二钝化层180q上。每个像素电极191包括第一子像素电极191a和第二子像素电极191b。
第一子像素电极191a和第二子像素电极191b分别包括在图5中示出的一个或多个基电极199或其变形。
第一子像素电极191a和第二子像素电极191b通过第一接触孔185a和第二接触孔185b物理地并且电连接至第一漏电极175a和第二漏电极175b，并且分别施加有来自第一漏电极175a和第二漏电极175b的数据电压。
如上所述，提供第二电阻器R2的第二电阻器输入电极178a和第二电阻器输出电极178b布置在第一源电极173b与第二漏电极175b之间，从而减小施加至第二漏电极175b的数据电压的幅度。因此，施加至第一子像素电极191a的电压大于施加至第二子像素电极191b的电压。
施加了数据电压的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b连同上面板200的共用电极270一起产生电场以确定两个电极191与270之间的液晶层3的液晶分子的定向。穿过液晶层3的光的亮度根据这样确定的液晶分子的定向而变化。
第一配向层(未示出)布置在像素电极191上。
现将描述上面板200。
共用电极270布置在第二基板210上。第二配向层(未示出)布置在共用电极270上。
在示例性实施方式中，例如，液晶层3具有负介电各向异性，并且在不存在电场时液晶层3的液晶分子31被配向成使得它们的长轴垂直于两个显示面板100和200的表面。
第一配向层、第二配向层以及液晶层中的至少一个可以包括光聚合物。
如上所述，在根据示出的示例性实施方式的LCD中，与根据图8和图9中示出的示例性实施方式的LCD不同，包括栅极导体的遮光层126布置在第三半导体154c的下面。遮光层126防止从背光入射的光入射至第三半导体154c。从而，可以防止由于背光引起的光泄漏电流。
此外，由于根据示出的示例性实施方式的LCD包括第二电阻器R2，第二电阻器R2包括第三半导体154c、第二电阻器输入电极178a以及第二电阻器输出电极178b，为了减小施加至第二子像素电极191b的电压的幅度而无需另外的TFT，通过使用栅极导体、半导体以及数据导体提供电阻器，不同的电压可以施加至第一子像素电极191a和第二子像素电极191b而无需进一步提供TFT或接触孔，侧面可视性可以接近正面可视性，并且可以防止由于TFT和接触孔引起的LCD的开口率的减小。
接下来，将参考图13至图15描述根据本发明的另一个示例性实施方式的LCD。
首先，将参考图13描述根据另一示例性实施方式的LCD的信号线和像素的布置及其驱动方法。图13是根据另一示例性实施方式的LCD的一个像素的等效电路图。
参考图13，根据示出的示例性实施方式的LCD的一个像素PX包括多个信号线，多个信号线包括传输栅极信号的栅极线GL和传输数据信号的数据线DL；连接到多个信号线的第一开关元件Qa和第二开关元件Qb；以及第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb。
第一开关元件Qa和第二开关元件Qb分别连接至栅极线GL和数据线DL。
第一开关元件Qa和第二开关元件Qb是诸如TFT的三端元件，其控制端连接至栅极线GL，其输入端连接至数据线DL，第一开关元件Qa的输出端连接至第一液晶电容器Clca，并且第二开关元件Qb的输出端连接至第二液晶电容器Clcb。
第三电阻器R3连接在数据线DL与第二开关元件Qb的输入端之间。
当栅极导通信号施加至栅极线GL时，连接至此的第一开关元件Qa和第二开关元件Qb被导通。因此，施加至数据线DL的数据电压通过导通的第一开关元件Qa和第二开关元件Qb被施加至第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb。在这种情况下，施加至第二开关元件Qb的数据电压在施加至第二液晶电容器Clcb之前在通过第三电阻器R3时减小。
因此，充入第二液晶电容器Clcb中的电压通过第三电阻器R3的电阻减小。因此，充入第一液晶电容器Clca的电压高于充入第二液晶电容器Clcb的电压。
因此，充入第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb的电压变得彼此不同。由于第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb的电压变得彼此不同，包含分别具有不同倾角的液晶分子的第一子像素和第二子像素具有不同的亮度。因此，当适当地调节第一液晶电容器Clca和第二液晶电容器Clcb的电压时，从正面看到的图像尽可能接近从侧面看到的图像，因此改善了侧面可视性。
接下来，将参考图14和图15描述根据在图13中示出的示例性实施方式的LCD的详细配置。图14是根据另一示例性实施方式的LCD的平面图。图15是沿着线XV-XV截取的图14的LCD的截面图。
参考图14和图15，根据示出的示例性实施方式的LCD与根据参考图2和图3描述的示例性实施方式的LCD相似。省去了相同组成元件的详细说明。
参照图14和图15，根据示出的示例性实施方式的LCD包括面向彼此的下面板100和上面板200，介于两个显示面板100和200之间的液晶层3以及附接至显示面板100和200的外表面的一对偏振器(未示出)。
将首先描述下面板100。
包括栅极线121和存储电压线131的栅极导体布置在包括透明玻璃、塑料等的第一基板110上。
栅极线121包括第一栅电极124a和第二栅电极124b。存储电压线131包括第一存储电极135和136，并且未连接至存储电压线131但与第二子像素电极191b重叠的第二存储电极138和139布置在下面板中。
栅极绝缘层140布置在栅极线121和存储电压线131上。
第一半导体154a、第二半导体154b以及第三半导体154c布置在栅极绝缘层140上。
多个欧姆接触163a、165a、163b、165b、167a以及167b布置在半导体154a、154b以及154c上。
包括数据线171、第一源电极173a和第二源电极173b、第一漏电极175a和第二漏电极175b、第三电阻器输入电极179a以及第三电阻器输出电极179b的数据导体布置在欧姆接触163a、165a、163b、165b、167a和167b以及栅极绝缘层140上。
第一源电极173a和第二源电极173b从数据线171延伸以连接至数据线171。
第三电阻器输入电极179a连接至数据线171，并且第三电阻器输出电极179b连接至第二源电极173b。
第一钝化层180p布置在数据线171、第一源电极173a、第二源电极173b、第一漏电极175a、第二漏电极175b、第三电阻器输入电极179a、第三电阻器输出电极179b、以及半导体154a、154b和154c的暴露的部分上。
滤色器80布置在第一钝化层180p上。
第二钝化层180q布置在滤色器80上。
暴露第一漏电极175a和第二漏电极175b的第一接触孔185a和第二接触孔185b限定在第一钝化层180p和第二钝化层180q中。
多个像素电极191布置在第二钝化层180q上。每个像素电极191包括第一子像素电极191a和第二子像素电极191b。
第一子像素电极191a和第二子像素电极191b分别包括在图5中示出的一个或多个基电极199或其变形。
第一子像素电极191a和第二子像素电极191b通过第一接触孔185a和第二接触孔185b物理地并且电连接至第一漏电极175a和第二漏电极175b，并且分别施加有来自第一漏电极175a和第二漏电极175b的数据电压。
如上所述，提供第三电阻器R3的第三电阻器输入电极179a和第三电阻器输出电极179b布置在数据线171与第二源电极173b之间，从而减小施加至数据线171的数据电压的幅度。因此，施加至第一子像素电极191a的电压大于施加至第二子像素电极191b的电压。
施加了数据电压的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b连同上面板200的共用电极270一起产生电场以确定两个电极191与270之间的液晶层3的液晶分子的定向。穿过液晶层3的光的亮度根据这样确定的液晶分子的定向而变化。
第一配向层(未示出)布置在像素电极191上。
现将描述上面板200。
共用电极270布置在第二基板210上。第二配向层(未示出)布置在共用电极270上。
在示例性实施方式中，例如，液晶层3具有负介电各向异性，并且在不存在电场时液晶层3的液晶分子31被配向成使得它们的长轴垂直于两个显示面板100和200的表面。
第一配向层、第二配向层以及液晶层中的至少一个可以包括光聚合物。
接下来，将参考图16描述根据示例性实施方式的LCD的第三电阻器R3。图16是部分示出了图14的LCD的示图。
参考图16，根据示出的示例性实施方式的LCD的第三电阻器R3的层结构与根据图10中示出的示例性实施方式的LCD的第二电阻器R2相似。
如在图16中示出的，栅极绝缘层140布置在第一基板110上。第三半导体154c布置在栅极绝缘层140上，并且欧姆接触167a和167b布置在第三半导体154c上。第三电阻器输入电极179a和第三电阻器输出电极179b分别布置在欧姆接触167a和167b上。
第三电阻器R3的电阻与第三半导体154c的电阻率和面积成比例。
如果通过数据线171施加数据电压，累积至第三电阻器输入电极179a的电荷通过第三半导体154c中振动的电荷输出至第三电阻器输出电极179b。在这种情况下，因由第三半导体154c的电阻率，施加至第三电阻器输入电极179a的电压被部分地传输至第三电阻器输出电极179b。因此，施加至第二漏电极175b的电压的幅度小于施加至第一漏电极175a的数据电压的幅度。
以这种方式，根据示出的示例性实施方式的LCD，为了减小施加至第二子像素电极191b的电压的幅度而无需另外的TFT，通过使用栅极导体、半导体以及数据导体提供电阻器，不同的电压可以施加至第一子像素电极191a和第二子像素电极191b而无需进一步提供TFT或接触孔，侧面可视性可以接近正面可视性，并且可以防止由于TFT和接触孔引起的LCD的开口率的减小。
根据上述几个示例性实施方式的LCD的很多特性可以应用至根据示出的示例性实施方式的LCD。
接下来，将参考图17描述根据示例性实施方式的实验例。图17是示出了根据示例性实施方式的实验例的结果的曲线图。
在实验例中，如同传统的LCD，对于通过提供连接至第一开关元件Qa和第二开关元件Qb的栅极线和连接至第二漏电极175b的第三开关元件来使施加至第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的电压的幅度不同的第一种情况X，以及如同根据示例性实施方式的LCD，在第二子像素电极191b与第二漏电极175b之间提供第一电阻器R1的第二种情况Y1，在第二子像素电极191b与第二漏电极175b之间提供第二电阻器R2的第三种情况Y2，以及在数据线171与第二源电极173b之间提供第三电阻器R3的第四种情况Y3，测量施加至第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的电压并且在图17中示出了测量结果。
参考图17，对于第一种情况、第二种情况、第三种情况以及第四种情况来说，施加至第一子像素电极191a的电压完全一样。
另外，与如同传统LCD的第一种情况相比较，施加至第二子像素电极191b的电压的幅度小于施加至第一子像素电极191a的电压的幅度，并且在如同根据示例性实施方式的LCD的第二种情况到第四种情况中，还可以确认的是，可以控制第二子像素电极191b的电压的幅度。
接下来，将参考表1描述本发明的另一实验例。
在实验例中，如同传统的LCD，对于通过提供连接至第一开关元件Qa和第二开关元件Qb的栅极线和连接至第二漏电极175b的第三开关元件来使施加至第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的电压的幅度不同的第一种情况X，测量施加至第一子像素电极191a的第一电压的幅度和施加至第二子像素电极191b的第二电压的幅度。另外，如同根据示例性实施方式的LCD，对于在第二源电极173b与第二漏电极175b之间提供第一电阻器R1或者第二电阻器R2的第二种情况，以及在数据线171与第二源电极173b之间提供第三电阻器R3的第三种情况，在使每个电阻器的大小不同的同时测量施加至第一子像素电极191a的第一电压的幅度和施加至第二子像素电极191b的第二电压的幅度。在表1中示出了测量结果。
[表1]
Figure BDA0000925028670000241
参考表1，与如同传统LCD的第一种情况相比较，在如同根据示例性实施方式的LCD的第二种情况和第三种情况中，通过控制电阻器的大小，可以将第二子像素电极191b的电压幅度控制为小于第一子像素电极191a的电压幅度。
以这种方式，根据示出的示例性实施方式的LCD，为了减小施加至第二子像素电极191b的电压的幅度而无需另外的TFT，通过使用栅极导体、半导体以及数据导体提供电阻器，不同的电压可以施加至第一子像素电极191a和第二子像素电极191b而无需进一步提供TFT或接触孔，侧面可视性可以接近正面可视性，并且可以防止由于TFT和接触孔引起的LCD的开口率的减小。
接下来，将参考图18描述根据另一示例性实施方式的实验例。图18是示出了根据示例性实施方式的实验例的结果的曲线图。
在实验例中，如同传统的LCD，对于通过提供连接至第一开关元件Qa和第二开关元件Qb的栅极线和连接至第二漏电极175b的第三开关元件来使施加至第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的电压的幅度不同的第一种情况X，测量施加至第二子像素电极191b的第二电压的变化。另外，如同根据示例性实施方式的LCD，对于在第二源电极173b与第二漏电极175b之间提供第一电阻器R1或者第二电阻器R2的第二种情况YY1和在数据线171与第二源电极173b之间提供第三电阻器R3的第三种情况YY2，测量施加至第二子像素电极191b的第二电压的变化。在图18中示出了测量结果。
如在图18中示出的，在第一种情况X、第二种情况YY1以及第三种情况YY2中，施加至第二子像素电极191b的第二电压可以随着时间而减小。该现象称为反冲现象(kick-backphenomenon)。
然而，如同根据示例性实施方式的LCD，在第二种情况YY1和第三种情况YY2中，由于连接至第二子像素电极191b的电阻器干扰电阻器的电荷移动，所以被充入第二子像素电极191b的电荷移动也被电阻器干扰。因此，在如同根据示例性实施方式的LCD的第二种情况YY1和第三种情况YY2中，与如同传统LCD的第一种情况X1相比较，可以确认的是，由于反冲现象引起的电压降的量减小。
以这种方式，根据示出的示例性实施方式的LCD，为了减小施加至第二子像素电极191b的电压的幅度而无需另外的TFT，通过使用栅极导体、半导体以及数据导体提供电阻器，不同的电压可以施加至第一子像素电极191a和第二子像素电极191b而无需进一步提供TFT或接触孔，侧面可视性可以接近正面可视性的同时，可以防止由于TFT和接触孔引起的LCD的开口率的减小并且可以减小由于反冲现象引起的电压降。
尽管已经结合目前被视为实际的示例性实施方式描述了本发明，然而，应当理解的是，本发明并不局限于所公开的实施方式，而是，相反，本发明旨在覆盖所附权利要求的精神和范围内包括的各种变形和等同布置。

Claims (8)

1.一种液晶显示器，包括：
第一基板；
栅极线和数据线，布置在所述第一基板上；
第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，均连接至所述栅极线和所述数据线；
第一子像素电极，连接至所述第一薄膜晶体管；
第一电阻器，连接至所述第二薄膜晶体管；
第二子像素电极，连接至所述第一电阻器，其中，所述第一电阻器包括：电阻器输入电极，连接至所述第二薄膜晶体管的输出端；以及电阻器输出电极，连接至所述第二子像素电极；
电阻器半导体层，布置在所述电阻器输入电极和所述电阻器输出电极的下面；
第一电阻器参考电极，布置在所述电阻器半导体层下面，并且与所述电阻器输入电极叠置；以及
第二电阻器参考电极，布置在所述电阻器半导体层下面，并且与所述电阻器输出电极叠置。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中
所述电阻器输入电极的边缘的一部分和所述电阻器输出电极的边缘的一部分与所述电阻器半导体层的边缘的至少一部分重叠。
3.根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括：
电阻器参考电压线，布置在所述第一基板上，并且
所述第一电阻器包括连接至所述电阻器参考电压线的第一电阻器电容器和第二电阻器电容器。
4.根据权利要求3所述的液晶显示器，其中
所述电阻器参考电压线施加有预定幅度的参考电压，并且所述参考电压的预定幅度大于施加至所述数据线的数据电压的幅度。
5.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中
连接至所述第一电阻器电容器和所述第二电阻器电容器的一个端子连接至所述电阻器参考电压线，
所述第一电阻器电容器的另一个端子连接至所述电阻器输入电极，并且
所述第二电阻器电容器的另一个端子连接至所述电阻器输出电极。
6.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中
所述电阻器参考电压线包括电阻器参考电极，并且所述电阻器参考电极包括所述第一电阻器参考电极和所述第二电阻器参考电极。
7.根据权利要求6所述的液晶显示器，其中
所述电阻器参考电极的边缘和所述电阻器半导体层的边缘彼此重叠，并且
所述电阻器输入电极和所述电阻器输出电极的边缘的一部分与所述电阻器参考电极的所述边缘的至少一部分重叠，并且
所述电阻器输入电极和所述电阻器输出电极的所述边缘的所述一部分与所述电阻器半导体层的所述边缘的至少一部分重叠。
8.一种液晶显示器，包括：
第一基板；
栅极线和数据线，布置在所述第一基板上；
第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，均连接至所述栅极线和所述数据线；
第一子像素电极，连接至所述第一薄膜晶体管；
第二子像素电极，连接至所述第二薄膜晶体管；
第二电阻器，连接在所述数据线与所述第二薄膜晶体管之间，其中，所述第二电阻器包括：电阻器输入电极，连接至所述数据线；以及电阻器输出电极，连接至所述第二薄膜晶体管的输入端；
电阻器半导体层，布置在所述电阻器输入电极和所述电阻器输出电极的下面；
第一电阻器参考电极，布置在所述电阻器半导体层下面，并且与所述电阻器输入电极叠置；以及
第二电阻器参考电极，布置在所述电阻器半导体层下面，并且与所述电阻器输出电极叠置。
CN201610088232.6A 2015-02-17 2016-02-17 液晶显示器 Active CN105892181B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0024468 2015-02-17
KR1020150024468A KR102342694B1 (ko) 2015-02-17 2015-02-17 액정 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105892181A CN105892181A (zh) 2016-08-24
CN105892181B true CN105892181B (zh) 2021-08-03

Family

ID=56622472

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610088232.6A Active CN105892181B (zh) 2015-02-17 2016-02-17 液晶显示器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10002890B2 (zh)
KR (1) KR102342694B1 (zh)
CN (1) CN105892181B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107589575A (zh) * 2017-09-30 2018-01-16 联想(北京)有限公司 显示屏
CN111474790A (zh) * 2020-05-14 2020-07-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和液晶显示面板

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101364017B (zh) * 2007-08-10 2013-01-02 群康科技(深圳)有限公司 薄膜晶体管基板及其制造方法、液晶显示装置及其驱动方法
KR101699398B1 (ko) * 2009-10-28 2017-01-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101659831B1 (ko) * 2010-04-22 2016-09-27 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치, 이를 구동하는 방법 및 이의 제조 방법
KR101833498B1 (ko) 2010-10-29 2018-03-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101817791B1 (ko) * 2010-12-14 2018-01-12 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101941984B1 (ko) 2011-09-27 2019-04-12 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR102082406B1 (ko) * 2012-10-05 2020-02-28 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101961145B1 (ko) 2012-10-17 2019-03-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101995919B1 (ko) 2013-01-30 2019-07-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US20140306219A1 (en) * 2013-04-10 2014-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20150015997A (ko) * 2013-08-02 2015-02-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102342694B1 (ko) 2021-12-23
CN105892181A (zh) 2016-08-24
KR20160101820A (ko) 2016-08-26
US20160240161A1 (en) 2016-08-18
US10002890B2 (en) 2018-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6710744B2 (ja) 液晶表示装置
US8098358B2 (en) Liquid crystal display
KR102241382B1 (ko) 액정 표시 장치
US10788714B2 (en) Liquid crystal display and manufacturing method of the same
US9759965B2 (en) Liquid crystal display
US9372362B2 (en) Liquid crystal display
US9298043B2 (en) Liquid crystal display
US20160154280A1 (en) Liquid crystal display
US9696590B2 (en) Liquid crystal display
US9454040B2 (en) Liquid crystal display
KR102221551B1 (ko) 액정 표시 장치
US20160320672A1 (en) Liquid crystal display device
CN105892181B (zh) 液晶显示器
US20150036072A1 (en) Liquid crystal display
US9799684B2 (en) Liquid crystal display
US9786237B2 (en) Liquid crystal display

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant