JP5203061B2

JP5203061B2 - 液晶表示パネル

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Publication number: JP5203061B2
Application number: JP2008158835A
Authority: JP
Inventors: 隼人倉澤
Original assignee: 株式会社ジャパンディスプレイウェスト
Priority date: 2008-06-18
Filing date: 2008-06-18
Publication date: 2013-06-05
Anticipated expiration: 2028-06-18
Also published as: JP2010002447A

Description

本発明はＦＦＳモードの液晶表示パネルに関し、特に信号線に沿った方向に延びるくし
歯状の画素電極を備え、信号線に印加される信号による影響を受け難く、高い開口率を有
すると共に表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルに関する。

液晶表示パネルはＣＲＴ（陰極線管）と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴が
あるため、表示用として多くの電子機器に使用されている。液晶表示パネルは、配向膜に
ラビング処理することにより、所定方向に整列した液晶分子の向きを電界により変えて、
光の透過量ないし反射量を変化させて画像を表示させるものである。

液晶表示パネルの液晶に電界を印加する方法として、縦電界方式のものと横電界方式の
ものとがある。縦電界方式の液晶表示パネルは、液晶を挟んで配置される一対の電極によ
り、概ね縦方向の電界を液晶分子に印加するものである。この縦電界方式の液晶表示パネ
ルとしては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モード、Ｍ
ＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等のものが知られている。横電界方式
の液晶表示パネルは、液晶を挟んで配設される一対の基板のうちの一方の内面側に一対の
電極を互いに絶縁して設け、実質的に横方向の電界を液晶分子に対して印加するものであ
る。この横電界方式の液晶表示パネルとしては、一対の電極が平面視で重ならないＩＰＳ
（In-Plane Switching）モードのものと、重なるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モー
ドのものとが知られている。

このうち、ＩＰＳモードの液晶表示パネルは、画素電極と共通電極とからなる一対の電
極をそれぞれ互いに電気的に絶縁された状態で噛み合うようにくし歯状に形成し、画素電
極と共通電極との間に横方向の電界を液晶に印加するものである（下記特許文献１参照）
。これに対し、ＦＦＳモードの液晶表示パネルは、電極間絶縁膜を介して画素電極と共通
電極とからなる一対の電極をそれぞれ異なる層に配置し、画素電極にスリット状の開口を
形成し、このスリット状開口を通る実質的に横方向の電界を液晶に印加するものである（
下記特許文献２参照）。このＦＦＳモードの液晶表示パネルは、ＩＰＳモードの液晶表示
パネルに比すると、高開口率であり、広い視野角を得ることができると共に液晶に対する
駆動効率が良好であるために低電圧で駆動できるという長所も存在する。
特開平１１−００２８３６特開２００２− １４３６３

上述のＩＰＳモードの液晶表示パネル及びＦＦＳモードの液晶表示パネルは、ともに基
板面内に実質的に平行な電界を発生させて液晶を駆動している。一方、液晶表示パネルの
個々の画素の周囲には、走査線及び信号線が存在しているため、この走査線ないし信号線
に印加される信号と画素電極との間に発生する電界によって液晶が駆動され、光漏れの原
因となることがある。また、カラー表示を行うために１画素を色毎に区分して区分された
各々のサブ画素を駆動する場合、各サブ画素の形状は縦長となる。そして、ＩＰＳモード
の液晶表示パネル及びＦＦＳモードの液晶表示パネルは、共にこのサブ画素の形状に合わ
せてサブ画素の長辺方向に平行にくし歯状電極を配置すれば、くし歯状電極のうち液晶の
駆動に使用し得る部分が大きくなり、高い開口率を得ることができる。しかしながら、こ
のような構成を採用すると、くし歯状電極と信号線等が平行になるため、前述の画素電極
と信号線等間での電界の発生に起因する問題が生じる。この光漏れに対する対応策として
遮光膜等による遮光を行う構成を採用すると、その分だけ開口率が低くなってしまうため
に、採用することが困難である。

このうちＩＰＳモードの液晶表示パネルにおいては、共通電極を信号線と平面視で重畳するように積層して配置することによって信号線の電界を遮蔽する構造をとることができる（例えば、上記特許文献１参照）。ここで、上記特許文献１に記載されているＩＰＳモードの液晶表示パネルについて説明する。

このＩＰＳモードの液晶表示パネルは、透明基板上に、走査線と信号線が格子状に配置されており、その交点に対応してアクティブ素子である薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。このＴＦＴには画素電極が接続されており、その画素電極と透明基板上に対して平行に電界を形成するように共通電極が形成されている。この共通電極は走査線と並列構造となっている共通配線に接続されている。ここで共通電極は信号線の直上にも配置されている。また、信号線の下方に信号線と重畳するように、どの電極とも接続されていない電極、つまり浮遊電極が形成されている。すなわち、下側のアレイ基板ＡＲは、透明基板上に浮遊電極、ゲート絶縁膜、信号線、パッシベーション膜、共通電極及び画素電極、配向膜が積層された構造となっている。また、透明基板の画素電極とは反対側の面には偏光板が貼付されている。

一方、カラーフィルタ基板ＣＦは、透明基板の表面に、カラーフィルタ層、平坦化膜、配向膜が積層された構成となっている。また、透明基板のカラーフィルタ層とは反対側の面には偏光板が貼付されている。そして、このアレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦとの間には液晶が挟持された構成を有している。

この液晶表示パネルにおいては、液晶は、画素電極と共通電極との間に生じる電界によって駆動される。しかも、信号線からの電界（電気力線）は、上方側は共通電極によって押え込まれ、下方側は浮遊電極に収束するため、画素電極と共通電極との間の液晶への影響は非常に少なくなるというものである。

しかしながら、ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいては、画素電極に対向する電極として矩形の共通電極を配置している。このような構成を採用するのは、製造プロセスを容易とするためであるが、上述のＩＰＳモードの液晶表示パネルのように、信号線で共通電極を遮蔽する構造を採用することができない。このため、ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいては、信号線と画素電極の間にも電界が発生するので、特に各サブ画素が信号線に沿った縦方向に長いスリットを形成する場合、信号線の表面に樹脂層からなるオーバーレイヤー（「層間膜」とも称される。）を形成し、このオーバーレイヤー上に画素電極を形成することにより、画素電極と信号線との間の距離を大きくする必要がある。なお、ＦＦＳモードの液晶表示パネルの場合、共通電極をくし歯状電極とする方法もあるが、この場合は信号線と画素電極とを同一レイヤーとなるように形成する必要があり、信号線と画素電極との間に寄生容量が発生するという新たな問題点が生じる。

本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、特にオ
ーバーレイヤーを必要とせず、各サブ画素が信号線に沿った縦方向に長いスリットを有し
ながらも光漏れが生じ難く、しかも、高開口率で、表示画質が良好な可能なＦＦＳモード
の液晶表示パネルを得ることを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係る液晶表示パネルは、液晶層を挟持した一対の基板のうち、一方の基板上には平行に設けられた複数の走査線及び共通配線と、走査線と交差する方向に設けられた複数の信号線と、走査線及び信号線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、を備え、走査線及び信号線で区画された領域を各画素の画素領域とする液晶表示パネルであって、画素領域内に矩形状に形成されていると共に、共通配線に接続された共通電極と、信号線に沿って延在される棒状部を有し、共通電極の表面に絶縁膜を介して形成されていると共に、スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、信号線の表面及び走査線の表面に絶縁膜を介して形成され、信号線及び走査線を被覆すると共に、共通配線に電気的に接続されている導電性材料層と、を有し、画素電極の棒状部のうち、平面視において信号線に最も近い位置に形成される棒状部は、共通電極よりも導電性材料層の近くに配置される。

係る構成を有する液晶表示パネルはオーバーレイヤー層なしのＦＦＳモードで作動するものとなる。なお、絶縁膜としては酸化ケイ素ないし窒化ケイ素等の無機絶縁膜が使用されるが、絶縁性の観点からは窒化ケイ素が望ましい。また、共通電極及び画素電極としてはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料が使用される。更に、本発明に係る液晶表示パネルにおいて使用し得るスイッチング素子としては、半導体材料としてアモルファスシリコンを使用した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）、ポリシリコンを使用したＴＦＴ、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Low Temperature Poly Silicon）ＴＦＴ、薄膜ダイオードＴＦＤ（Thin Film Diode）等を使用することができる。

従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルでは、画素電極の棒状部を信号線に沿って延在させると、信号線と画素電極の間にも電界が発生するので、画素電極と信号線との間に存在している液晶が駆動されてしまい、光漏れが発生することがある。それに対し、本発明に係る液晶表示パネルでは、信号線の表面に絶縁膜を介して共通電極と同電位に維持された導電性材料層が形成されている。そうすると、画素電極の棒状部を信号線に沿って延在させても、信号線と導電性材料層との間の距離は信号線と画素電極との間の距離よりも短く、しかも画素電極と導電性材料層との間の距離は画素電極と信号線との間の距離よりも短くなる。そのため、信号線に印加された信号による電界は導電性材料層に収束するため、画素電極と信号線との間には、実質的に電界は生じ難くなると共に寄生容量が小さくなる。従って、本発明の液晶表示パネルによれば、上述した従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルに比すると、信号線に印加された信号による光漏れが生じることがなくなると共に、クロストークが抑制された表示画質が良好な液晶表示パネルが得られる。

また、導電性材料層は共通電極と同電位とされているので、導電性材料層と画素電極との間には実質的にＩＰＳモードの液晶表示パネルと同様の構成となっている。この導電性材料層と画素電極との間の部分は、従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルでは表示に寄与することがなかった部分であり、しかも、画素電極と導電性材料とが近い位置に配置されるので、強い電界を発生させることができる。そのため、係る態様の液晶表示パネルによれば、導電性材料層と画素電極との間の部分が付加的にＩＰＳモードで作動することになるので、より開口率が大きく、明るい表示が可能な液晶表示パネルが得られる。さらに、走査線にはスイッチング素子のオン及びオフを切り替えるための絶対値が大きな信号が印加されている。そのため、従来のＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいては、走査線に印加されている信号に起因する焼き付き現象が生じやすい。それに対し、上記態様の液晶表示パネルによれば、走査線の表面が絶縁膜を介して共通配線と同電位に維持されている導電性材料層が形成されているため、この導電性材料層がシールド電極としての機能を果たすので、上記本発明の効果を奏しながらもより焼き付き現象が少ない液晶表示パネルが得られる。

また、本発明に係る液晶表示パネルにおいては、導電性材料層は信号線より平面視で幅広であることが好ましい。

信号線の表面に絶縁膜を介して形成された導電性材料層を信号線よりも幅広とすると、信号線に印加された信号に基づく電界がより導電性材料層に収束されるために信号線と画素電極との間に電界が生じ難くなる。加えて、電極間に発生する電界の強さは電極間距離に反比例するから、信号線の表面に絶縁膜を介して形成された導電性材料層を信号線よりも幅広とすると、画素電極と導電性材料層との距離がより短くなるので、画素電極と導電性材料層との間の液晶はよりＩＰＳモードで駆動されやすくなる。そのため、係る態様の液晶表示パネルによれば、信号線に印加される信号に起因する悪影響がより小さい液晶表示パネルが得られる。

また、本発明に係る液晶表示パネルにおいては、導電性材料層が絶縁膜を介して走査線の表面も被覆している場合、導電性材料層は平面視でスイッチング素子と重複しない部分に設けられていることが好ましい。

走査線の表面を被覆する導電性材料層の面積が広い方がシールド効果は大きくなるが、
導電性材料層は共通配線と同電位とされているため、スイッチング素子の表面まで被覆す
ると、スイッチング素子の動作特性に影響を与えてしまうことがある。それに対し、上記
態様の液晶表示パネルによれば、導電性材料層は平面視でスイッチング素子と重複しない
部分に設けられているので、上記効果を奏しながらもスイッチング素子の動作特性に悪影
響を与えることがない液晶表示パネルが得られる。

また、本発明に係る液晶表示パネルにおいては、導電性材料層は画素電極と同一の材料で形成されていることが好ましい。

係る態様の液晶表示パネルによれば、導電性材料層を画素電極と同じ材料で形成したた
め、画素電極の形成時に同時に導電性材料層を形成することができ、特に導電性材料層の
形成のために工数を増やす必要がなくなる。

また、本発明に係る液晶表示パネルにおいては、共通電極は共通配線と直接電気的に接続されており、導電性材料層は絶縁膜を介して共通配線上にも形成され、当該絶縁膜に形成されたコンタクトホールを経て共通配線と直接電気的に接続されていることが好ましい。

ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいては、一般的に画素電極及び共通電極共にＩＴＯ
ないしＩＺＯ等の透明酸化物導電性材料から形成され、走査線及び共通配線は共にアルミ
ニウムないしアルミニウム合金等の金属材料で形成される。しかしながら、透明酸化物導
電性材料を複層構造とすると、導電性材料層間の接触抵抗が大きくなる。それに対し、共
通電極を共通配線と直接電気的に接続すると共に、導電性材料層を絶縁膜に形成されたコ
ンタクトホールを介して共通配線と直接電気的に接続すると、共通電極と導電性材料層と
の間の抵抗値が小さくなる。そのため、上記態様の液晶表示パネルによれば、導電性材料
層に印加されている共通電位が劣化しないため、フリッカが少なく、表示画質が良好な液
晶表示パネルが得られる。

また、本発明に係る液晶表示パネルにおいては、共通電極が形成される層と導電性材料層との間に形成される絶縁膜は第１絶縁膜及び第２絶縁膜の複層構造からなり、信号線及び画素電極は第１絶縁膜と第２絶縁膜との間に形成されていると共に、導電性材料層は第２絶縁膜の表面に形成されているものとすることもできる。

信号線及び画素電極を同一レイヤーに形成すると、信号線と画素電極との間の距離が短
くなり、信号線と画素電極との間の寄生容量は増大する。しかしながら、上記態様の液晶
表示パネルによれば、信号線の表面に第２絶縁膜を介して導電性材料層が形成されている
ため、等価的に画素電極と信号線との間で生じる寄生容量が小さくなり、特に信号線と画
素電極との間の距離が短くなったことの悪影響が抑制される。加えて、上記態様の液晶表
示パネルによれば、画素電極の表面が第２の絶縁膜で被覆されているので、ＦＦＳモード
の液晶表示パネルにおいて発生し易い焼き付き現象が抑制された液晶表示パネルが得られ
る。

以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示パネルを例示するものであって、本発
明をこの液晶表示パネルに特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含ま
れるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。更に、この明細書における
説明のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法
に比例して表示されているものではない。

図１は第１の実施形態のＦＦＳモードの液晶表示パネルの１サブ画素分の平面図である
。図２Ａは図１のIIA−IIA線に沿った断面図であり、図２Ｂは図１のIIB−IIB線に沿った
断面図である。図３は第２の実施形態のＦＦＳモードの液晶表示パネルの１サブ画素分の
平面図である。図４Ａは図３のIVA−IVA線に沿った断面図であり、図４Ｂは図３のIVB−I
VB線に沿った断面図である。図５は第３の実施形態のＦＦＳモードの液晶表示パネルの１
サブ画素分の平面図である。図６Ａは図５のVIA−VIA線に沿った断面図であり、図６Ｂは
図５のVIB−VIB線に沿った断面図である。

［第１の実施形態］
第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａを図１及び図２を用いて製造工程順に説明する
。ＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａのアレイ基板ＡＲは、ガラス基板等の透明基板１
１の表面に、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、例えばアルミニウム金
属ないしアルミニウム合金からなる複数の走査線１２及び複数の共通配線１３を互いに平
行になるように形成する。共通配線１３は、ここでは同一のサブ画素の走査線１２に沿っ
て設けられている例を示したが、列方向に隣接するサブ画素の走査線１２側に形成しても
よい。次いで、走査線１２及び共通配線１３を形成した透明基板１１の表面に、フォトリ
ソグラフィー法及びエッチング法によって、サブ画素毎に例えばＩＴＯやＩＺＯ等からな
る共通電極１４を矩形状に形成する。この共通電極１４は、共通配線１３とは接続されて
いるが、走査線１２ないしゲート電極Ｇとは接続されていない。

更に、この表面全体に窒化ケイ素層ないしは酸化ケイ素層からなるゲート絶縁膜１５を
被覆し、次いで、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、例えばアモルファ
ス・シリコン（以下「ａ−Ｓｉ」という。）からなる半導体層１６をＴＦＴ形成領域に形
成する。この半導体層１６が形成されている位置の走査線１２の領域がＴＦＴのゲート電
極Ｇを形成する。次いで、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、例えばア
ルミニウム金属又はアルミニウム合金からなるドレイン電極Ｄ及びソース電極Ｓ部分を有
する信号線１７を形成する。この信号線１７のソース電極Ｓ部分及びドレイン電極Ｄ部分
は、いずれも半導体層１６の表面に部分的に重なっている。更に、この基板の表面全体に
例えば窒化ケイ素層からなるパッシベーション膜１８を被覆する。

次いで、ドレイン電極Ｄに対応する位置のパッシベーション膜１８にコンタクトホール
１９ａを形成してドレイン電極Ｄの一部を露出させると共に、共通配線１３上のパッシベ
ーション膜１８及びゲート絶縁膜１５にもコンタクトホール１９ｂを形成して共通配線１
３の一部を露出させる。更に、この表面全体に亘って例えばＩＴＯやＩＺＯ等からなる透
明導電性層を被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、図１に
示したように、くし歯状のパターンとなるように画素電極２０を形成すると共に、信号線
１７の表面を被覆するように導電性材料層２１を形成する。また、画素電極２０は、走査
線１２及び信号線１７で囲まれたサブ画素毎に、パッシベーション膜１８の表面に切り欠
き部２２を有するくし歯状に形成される。この画素電極２０のくし歯状部分は信号線１７
に沿って平行に延在するように形成する。また、導電性材料層２１は、走査線１２よりも
広幅に、かつ平面視で共通配線１３の一部を被覆するように形成されると共に、画素電極
２０のくし歯部分と平行になるように形成される。

この画素電極２０はコンタクトホール１９ａを介してドレイン電極Ｄと接続されており
、導電性材料層２１はコンタクトホール１９ｂを介して共通配線１３と接続されている。
従って、第１の実施形態のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａにおいては、導電性材料
層２１は共通電極１４と同電位になっている。なお、ＴＦＴの動作特性に影響を与えない
ようにするため、導電性材料層２１はＴＦＴの表面を覆わないようにした方がよい。また
、工程数が増加してもよいのであれば、導電性材料層２１を画素電極２０の形成材料とは
異なる材料、例えばアルミニウム等の導電性金属で形成してもよい。更に、この表面全体
に亘り所定の配向膜２３を形成することによりアレイ基板ＡＲが完成される。

また、カラーフィルタ基板ＣＦは、従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルと同様の構
成を備えている。すなわち、ガラス基板等の透明基板２５の表面に、アレイ基板ＡＲの走
査線１２、信号線１７及びＴＦＴ部分を遮光するように遮光部材２６が形成され、また、
サブ画素毎に周囲が遮光部材２６で囲まれた異なる色光（例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ、無色等）
を透過するカラーフィルタ層２７が形成されている。このカラーフィルタ層２７の表面を
覆うようにオーバーコート層２８及び配向膜２９が順に積層されている。

上述のようにして作製されたアレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦとを対向させ、
周囲をシール材でシールして両基板間に液晶３０を封入する。その後、アレイ基板ＡＲ及
びカラーフィルタ基板ＣＦのそれぞれ表面に偏光板３１及び３２を貼付することにより、
第１の実施形態に係るＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａが得られる。

このようにして得られた第１の実施形態に係る液晶表示パネル１０Ａは、信号線１７の
表面が導電性材料層２１で被覆されている。このような構成を備えていると、信号線１７
と導電性材料層２１との間の距離は信号線１７と画素電極２０との間の距離よりも短く、
しかも画素電極２０と導電性材料層２１との間の距離は画素電極２０と信号線１７との間
の距離よりも短くなる。そのため、画素電極２０のくし歯部分が信号線１７に沿って平行
に延在されているとしても、信号線１７に印加された信号による電界は導電性材料層２１
に収束するため、画素電極２０と信号線１７との間には、実質に電界は生じ難くなると共
に寄生容量が小さくなる。従って、第１の実施形態に係る液晶表示パネル１０Ａによれば
、従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルに比すると、信号線１７に印加された信号によ
る光漏れが生じることがなくなると共に、クロストークが抑制され、表示画質が良好とな
る。

また、第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａにおいては、導電性材料層２１と共通配
線１３との接続のためのコンタクトホール１９ｂをＴＦＴのドレイン電極Ｄと画素電極２
０との接続のためのコンタクトホール１９ａの形成時に同時に形成することができる。そ
のため、特に導電性材料層２１用のコンタクトホール１９ｂの形成のための工数が増える
ことがない。同様に、導電性材料層２１と画素電極２０を同時に形成することもできるた
め、特に導電性材料層２１を形成するための工数が増えることもない。また、第１の実施
形態の液晶表示パネル１０Ａにおいては、導電性材料層２１に直接共通配線１３から信号
が印加されているため、特に導電性材料層２１を共通電極１４を介して共通配線１３に接
続した場合と比すると、導電性材料層２１と共通電極１４との間に生じる接触抵抗の影響
を受けなくなるので、フリッカが少なく、表示画質が良好な液晶表示パネルが得られる。

加えて、第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａでは、導電性材料層２１は共通電極１
４と同電位とされているので、導電性材料層２１と画素電極２０との間は実質的にＩＰＳ
モードの液晶表示パネルと同様の構成となっている。この導電性材料層２１と画素電極２
０との間の部分は、従来例のＦＦＳモードの液晶表示パネルでは表示に寄与することがな
かった部分である。そのため、第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａでは、導電性材料
層２１と画素電極２０との間の部分が付加的にＩＰＳモードで作動することになるので、
より開口率が大きく、明るい表示が可能となる。

［第２の実施形態］
第２の実施形態の液晶表示パネル１０Ｂを図３及び図４を用いて説明する。なお、第２
の実施形態の液晶表示パネル１０Ｂにおいては、第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａ
と同一の構成部分には同一の参照符号を付与して、その詳細な説明は省略する。第２の実
施形態の液晶表示パネル１０Ｂと第１の実施形態の液晶表示パネル１０Ａは、共に導電性
材料層２１が信号線１７の表面を被覆しているとともに、共通配線１３の一部を被覆して
いる点では共通している。しかしながら、第２の実施形態の液晶表示パネル１０Ｂにおい
ては、導電性材料層２１が更に走査線１２の一部をも被覆している点で第１の実施形態の
液晶表示パネル１０Ａと構成が相違している。

走査線１２にはスイッチング素子であるＴＦＴのオン及びオフを切り替えるための絶対
値が大きな信号が印加されている。そのため、従来のＦＦＳモードの液晶表示パネルと同
様の構成では、走査線に印加されている絶対値が大きな信号よって焼き付き現象が生じや
すい。しかしながら、第２の実施形態の液晶表示パネル１０Ｂにおいては、導電性材料層
２１が走査線１２も被覆しており、しかも、この導電性材料層２１は共通配線１３と同電
位に維持されているので、走査線１２の表面が絶縁膜を介して共通配線１３と同電位に維
持されていることになる。そのため、この導電性材料層２１はシールド電極としての機能
を果たすので、第２の実施形態の液晶表示パネル１０Ｂにおいては、第１の実施形態の液
晶表示パネル１０Ａと同様の作用及び効果を奏しながらも、更に焼き付き現象が少なくな
るという効果も奏するようになる。

［第３の実施形態］
第３の実施形態の液晶表示パネル１０Ｃを図５及び図６を用いて説明する。なお、第３
の実施形態の液晶表示パネル１０Ｃにおいては、第２の実施形態の液晶表示パネル１０Ｂ
と同一の構成部分には同一の参照符号を付与して、その詳細な説明は省略する。第３の実
施形態の液晶表示パネル１０Ｃと第２の実施形態の液晶表示パネル１０Ｂは、共に導電性
材料層２１が信号線１７の表面、共通配線１３の一部及び走査線１２の一部をも被覆して
いる点では共通する。しかしながら、第２の実施形態の液晶表示パネル１０Ｂでは画素電
極２０がパッシベーション膜１８の表面に形成されているのに対し、第３の実施形態の液
晶表示パネル１０Ｃでは画素電極２０がゲート絶縁膜１５の表面に形成されている点で、
両者は構成が相違している。すなわち、第２の実施形態の液晶表示パネル１０Ｂでは画素
電極２０と信号線１７とが互いに異なるレイヤー上に位置しているが、第３の実施形態の
液晶表示パネル１０Ｂでは画素電極２０と信号線１７とが同一のレイヤー（ゲート絶縁膜
１５）上に形成されているわけである。

このように、画素電極２０と信号線１７とが同一のレイヤー上に形成されていると、画
素電極２０と信号線１７との間の寄生容量が大きくなってしまうため、通常はクロストー
クが大きくなって表示画質の悪化に繋がる。しかしながら、第３の実施形態の液晶表示パ
ネル１０Ｃにおいては、信号線１７の表面にパッシベーション膜１８を介して導電性材料
層２１が形成されている。このパッシベーション膜１８の厚さは画素電極２０と信号線１
７との間の距離よりも十分に薄く、しかも、導電性材料層２１は共通配線１３と同電位と
なっているので、信号線１７に印加されている信号による電界は導電性材料層２１に収束
し、信号線１７と画素電極２０との間に形成される電界は非常に弱くなる。そのため、第
３の実施形態の液晶表示パネル１０Ｃにおいては、等価的に信号線１７と画素電極２０と
の間で生じる寄生容量は小さくなるので、特に信号線１７と画素電極２０との間の距離が
短くなったことの悪影響が抑制される。加えて、第３の実施形態の液晶表示パネル１０Ｃ
においては、画素電極２０の表面がパッシベーション膜１８で被覆されているので、従来
のＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいて発生し易い焼き付き現象が抑制されるという効
果も奏するようになる。

第１の実施形態のＦＦＳモードの液晶表示パネルの１サブ画素分の平面図である。図２Ａは図１のIIA−IIA線に沿った断面図であり、図２Ｂは図１のIIB−IIB線に沿った断面図である。第２の実施形態のＦＦＳモードの液晶表示パネルの１サブ画素分の平面図である。図４Ａは図３のIVA−IVA線に沿った断面図であり、図４Ｂは図３のIVB−IVB線に沿った断面図である。第３の実施形態のＦＦＳモードの液晶表示パネルの１サブ画素分の平面図である。図６Ａは図５のVIA−VIA線に沿った断面図であり、図６Ｂは図５のVIB−VIB線に沿った断面図である。

符号の説明

１０Ａ〜１０Ｃ：液晶表示パネル１１：透明基板１２：走査線１３：共通配線１
４：共通電極１５：ゲート絶縁膜１６：半導体層１７：信号線１８：パッシベー
ション膜１９ａ、１９ｂ：コンタクトホール２０：画素電極２１：導電性材料層
２２：切り欠き部ＡＲ：アレイ基板ＣＦ：カラーフィルタ基板

Claims

液晶層を挟持した一対の基板のうち、一方の基板上には平行に設けられた複数の走査線及び共通配線と、前記走査線と交差する方向に設けられた複数の信号線と、前記走査線及び前記信号線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、を備え、前記走査線及び前記信号線で区画された領域を各画素の画素領域とする液晶表示パネルであって、
前記画素領域内に矩形状に形成されていると共に、前記共通配線に接続された共通電極と、
前記信号線に沿って延在される棒状部を有し、前記共通電極の表面に絶縁膜を介して形成されていると共に、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、
前記信号線の表面及び前記走査線の表面に絶縁膜を介して形成され、前記信号線及び前記走査線を被覆すると共に、前記共通配線に電気的に接続されている導電性材料層と、
を有し、
前記画素電極の棒状部のうち、平面視において前記信号線に最も近い位置に形成される棒状部は、前記共通電極よりも前記導電性材料層の近くに配置される、
液晶表示パネル。
前記導電性材料層は、前記信号線より平面視で幅広である、請求項１に記載の液晶表示パネル。
前記導電性材料層は、平面視で前記スイッチング素子と重複しない部分に設けられている、請求項１に記載の液晶表示パネル。
前記導電性材料層は、前記画素電極と同一の材料で形成されている、請求項１に記載の液晶表示パネル。
前記共通電極は前記共通配線と直接電気的に接続されており、前記導電性材料層は絶縁膜を介して前記共通配線上にも形成され、当該絶縁膜に形成されたコンタクトホールを経て前記共通配線と直接電気的に接続されている、請求項３に記載の液晶表示パネル。
前記共通電極が形成される層と前記導電性材料層との間に形成される絶縁膜は第１絶縁膜及び第２絶縁膜の複層構造からなり、前記信号線及び前記画素電極は前記第１絶縁膜と第２絶縁膜との間に形成されていると共に、前記導電性材料層は前記第２絶縁膜の表面に形成されている、請求項１〜５の何れかに記載の液晶表示パネル。
前記共通電極が形成される層と前記導電性材料層との間に形成される絶縁膜は第１絶縁膜及び第２絶縁膜の複層構造からなり、前記信号線は前記第１絶縁膜と第２絶縁膜との間に形成されていると共に、前記導電性材料層及び前記画素電極は前記第２絶縁膜の表面に形成されている、請求項１〜５の何れかに記載の液晶表示パネル。