JPH1068960A

JPH1068960A - 液晶パネルおよびその欠陥修正方法

Info

Publication number: JPH1068960A
Application number: JP22637696A
Authority: JP
Inventors: Touko Kasahara; 塔子笠原; Katsumi Irie; 勝美入江
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1996-08-28
Filing date: 1996-08-28
Publication date: 1998-03-10

Abstract

(57)【要約】【課題】 Cs On Common構造の液晶パネルにおいて、開
口率を低下させることなく、欠陥を修正する方法を提供
する。【解決手段】共通線３の上に、一方の信号線２から延
出したソース−共通線接続用パッド１４が設けられると
共に、絵素電極１０にはこのパッド１４と重ならないよ
うにコの字型の切欠部が設けられている。また、パッド
１４が設けられた信号線２とは別の信号線２の内側に
も、絵素電極１０に、共通線３と重なるような、コの字
型の切欠部が設けられている。欠陥絵素の共通線３を絵
素電極１０と信号線２の外側で切断し、共通線３には共
通線端子３ａ、３ｂから信号を入力し、パッド１４と共
通線３にレーザ光などを照射し、信号線２、共通線３お
よび絵素電極１０を接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータ、ワ
ードプロセッサ、テレビ等の表示装置に用いられる液晶
パネルおよびその欠陥修正方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶等を表示媒体として用いたフ
ラット型の表示パネルが普及している。特にＶＧＡ、Ｓ
−ＶＧＡ、ＸＧＡ等の高解像度が要求され、表示用の絵
素として機能する電極数が膨大な数となる表示パネルに
は、アクティブマトリクス型液晶パネルが用いられてい
る。

【０００３】アクティブマトリクス液晶パネルは、液晶
層を挟んでアクティブマトリクス基板と対向基板とが対
向配設された構成となっており、アクティブマトリクス
基板においては、絶縁性基板上に複数の絵素電極と該絵
素電極を駆動するためのスイッチング素子とがマトリク
ス状に配置され、該スイッチング素子と各々接続し、か
つ交互に交差して走査線および信号線が形成されてい
る。もう一方の対向基板には対向電極が形成されてい
る。

【０００４】以下、図６乃至図８を用いて従来の液晶パ
ネルの説明を行う。

【０００５】図６は従来の液晶パネルの等価回路であ
り、図７（ａ）は、図６の液晶パネルの一絵素部分を示
す拡大構成図である。また、図８は図７（ａ）の液晶パ
ネルのＣ−Ｃ断面図を示す。

【０００６】図６乃至図８において、アクティブマトリ
クス基板には、ガラスなどからなる基板２１上に走査線
１、走査線端子１ａ、信号線２、信号線端子２ａ、共通
線３、共通線端子３ａ、ＴＦＴ４および絵素電極１０が
形成されている。走査線１と信号線２とは、絶縁膜２２
を間に介し、かつ、互いに交差するように配線され、そ
の交差部近傍にＴＦＴ４が形成されている。また、ＴＦ
Ｔ４のゲート電極１１に走査線１が、ソース電極１２に
信号線２が、ドレイン電極１３に絵素電極１０が、それ
ぞれ接続されている。さらに、共通線３は各走査線１に
平行に、かつ、信号線２とは間に絶縁膜を介して形成さ
れており、各共通線３は共通線端子３ａを介して短絡さ
れている。ここで、共通線３は、入力信号の伝搬遅延が
生じないよう、金属で形成されているため、遮光性を有
している。

【０００７】また、絵素電極１０と共通線３との間には
補助容量５が形成され、さらに絵素電極１０と上記アク
ティブマトリクス基板と対向する対向基板の基板２１上
に設けられた対向電極７との間には液晶容量６が形成さ
れている。絵素駆動面積が小さい（高精細方式など）場
合は液晶容量６が小さく、安定した表示を得ることがで
きないため、上記のように補助容量５を設け共通線３に
接続することにより液晶容量６の数倍の容量を得ること
が可能となる。共通線３はすべての絵素に対し共通に形
成され、また、対向電極７と同じコモン信号が印加され
ているため、安定した表示を得ることが可能となる。
尚、液晶パネルにおけるこのような構造をCs On Common
構造と呼ぶ。

【０００８】図７（ａ）および図８において、透明導電
膜からなる絵素電極１０は走査線１、信号線２、ＴＦＴ
４との間に厚い絶縁膜２０を介して形成されている構造
（Pixel On Passivation構造）であるので、絵素電極１
０を走査線１および信号線２の上にオーバーラップさせ
ることができ、これにより高い開口率を得ることができ
る。また、この構造においては透明導電膜によって形成
されているＴＦＴ４のドレイン電極１３と絵素電極１０
とがそれぞれ別の層に設けられているので、絵素電極１
０は上記絶縁膜を貫くように設けられたコンタクトホー
ル９を介してドレイン電極１３と接続されている。

【０００９】このような液晶パネルの製造工程では、以
下に挙げるような点欠陥による歩留まりの低下が問題と
なっていた。（１）ＴＦＴ４を構成する配線間での短絡や断線による
動作不良に起因する点欠陥。（２）コンタクトホール９を形成する際、絶縁膜２０の
開孔不良によりドレイン電極１３と絵素電極１０との接
続が高抵抗となることに起因する点欠陥（以下、高抵抗
欠陥と称する）。

【００１０】（１）の点欠陥は、ＴＦＴ４の動作不良に
よって絵素電極１０に正常な電圧信号が入力されない、
もしくは、全く電圧が印加されない、といった現象が生
じることにより発生するものである。また（２）の点欠
陥は、絵素電極１０に電圧が印加されにくく、対向電極
７との電位差が小さくなるために発生するものであり、
この結果、絵素電極１０に印加されている電位と対向電
極７に印加されている電位がほぼ等しい場合に光を透過
するモード（以下ノーマリーホワイトモードと称する）
では輝点となり、絵素電極１０に印加されている電位と
対向電極７に印加されている電位がほぼ等しい場合に光
を遮断するモード（以下ノーマリーブラックモードと称
する）では黒点となる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従来、上記点欠陥
（１）に対しては、次のような修正方法が採用されてい
る。

【００１２】図９に示すようにレーザなどを用いて、ゲ
ート電極１１を切断し、ＴＦＴ４のソース電極１２とド
レイン電極１３とを接続するという修正（以下ソース−
ドレイン接続修正と称する）を施すことにより、実際に
ドライバを実装した場合に点欠陥を目立たなくするとい
う方法である。

【００１３】しかしながら、このような修正方法を用い
れば、以下の理由により、開口率の低下を招くことにな
る。上記修正方法においては、図９のようにソース電極
１２とドレイン電極１３とを接続すると共に、ＴＦＴ４
と走査線１との接続を解除しなければならない。そこ
で、このような修正を可能とするためにアクティブマト
リクス基板においては、走査線１から延出して設けたゲ
ート電極１１を長く形成してＴＦＴ４と走査線１との隙
間を広くし、かつ、隙間の部分のゲート電極１１の幅を
狭めることにより、レーザ切断部を設けている。

【００１４】例えば、このように、遮光性の金属材料で
形成されるゲート電極１１を長く延出させた６．４inch
のＳ−ＶＧＡパネルでは、ゲート電極１１を１０μｍ程
度延長しなければならず、ゲート電極１１を延長しない
（レーザ切断部を設けない）基板（開口率６１％）と比
べて、開口率は３ポイント低下（開口率５８％）するこ
とになる。

【００１５】また、このような開口率の低下は図７
（ａ）に示したアクティブマトリクス基板に限らず、図
１０に示すようなアクティブマトリクス基板においても
顕著に現れる。

【００１６】図１０においては、絵素電極１０が走査線
１、信号線２およびＴＦＴ４とオーバーラップしないの
で、ゲート電極１１を長く形成してＴＦＴ４と走査線１
との隙間が拡大するほど絵素電極１０の面積が減少し、
これに伴い開口率の低下が生じるという問題があった。

【００１７】さらに、上記ソース−ドレイン接続修正
は、図７（ｂ）に示すような、走査線１上にＴＦＴ４を
形成した（以下TFT On Gateと称する）構造のアクティ
ブマトリクス基板に対しては実施することができなかっ
た。図７（ｂ）のアクティブマトリクス基板は、図７
（ａ）のアクティブマトリクス基板とＴＦＴ４の形成箇
所は異なるが、絵素電極１０と、走査線１、信号線２お
よびＴＦＴ４とが絶縁膜２０を介してオーバーラップし
ている点では同様である。このような基板に対してソー
ス−ドレイン接続修正を行うと、ソース電極１２と走査
線１に短絡が生じて新たに線欠陥が発生するために、上
記修正方法を実施することができなかった。

【００１８】一方、上記点欠陥（２）に対しては上記ソ
ース−ドレイン接続修正を採用することができず、ま
た、ドレイン電極１３と絵素電極１０とをレーザ照射に
より溶着させようとしても、両電極は共に透明導電膜で
形成されているため、レーザ照射を行っても熱エネルギ
が吸収されにくいので、両者を溶着させることは難し
い。たとえ接続できたとしても透明導電膜は、熱、振
動、通電等のストレスに弱いため信頼性は低い。結局の
ところ、点欠陥（２）に対して修正を施すことはできな
かった。

【００１９】本発明は上記従来技術の課題を解決すべく
なされたものであり、その目的とするところは、TFT on
Gate構造を含むすべてのCs On Common構造の液晶パネ
ルにおいて、開口率を低下させることなく欠陥修正を行
う方法を提供することにある。また、Pixel On Passiva
tion構造の液晶パネルにおいて、コンタクトホール部分
の高抵抗欠陥に対する修正方法を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶パネルは、
絶縁性基板上に、複数の薄膜トランジスタと、該薄膜ト
ランジスタを動作させる複数の走査線および信号線と、
前記薄膜トランジスタに接続された絵素電極と、該絵素
電極と補助容量を形成するための共通線とが形成された
アクティブマトリクス基板と、絶縁性基板上に透明電極
が形成された対向基板とが、ある間隔をもって対向配置
されていると共に、前記二枚の基板間に液晶が封入され
ている液晶パネルにおいて、前記共通線に対し、両側よ
りコモン信号が入力されると共に、前記信号線より、前
記共通線と重畳するような第１の接続用パッドが延出さ
れていることを特徴とし、そのことにより上記目的が達
成される。

【００２１】上記液晶パネルの欠陥修正方法は、前記絵
素電極よりも外側で前記共通線を切断し、前記第１の接
続用パッドをレーザ照射することにより前記信号線と前
記共通線とを接続し、かつ前記共通線をレーザ照射する
ことにより前記共通線と前記絵素電極とを接続し、該絵
素電極に、前記信号線からの信号を直接入力することが
好ましい。

【００２２】本発明の液晶パネルは、絶縁性基板の上
に、複数の薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタを
動作させる複数の走査線および信号線とが形成され、前
記薄膜トランジスタ、前記走査線および前記信号線とが
絶縁膜により被覆され、絵素電極が、前記薄膜トランジ
スタのドレイン電極と、前記絶縁膜に形成されたコンタ
クトホールを介して接続され、前記ドレイン電極と補助
容量を形成する共通線が形成されたアクティブマトリク
ス基板と、絶縁性基板上に透明電極が形成された対向基
板とが、ある間隔をもって対向配置されていると共に、
前記二枚の基板間に液晶が封入されている液晶パネルに
おいて、前記ドレイン電極と、前記絵素電極との接続部
よりも下方に、上下絵素電極接続用パッドを設けている
ことを特徴とし、そのことにより上記目的が達成され
る。

【００２３】また、上記液晶パネルにおける欠陥修正方
法は、上下絵素接続用パッドをレーザ照射することによ
り前記ドレイン電極と前記絵素電極とを接続するもので
ある。

【００２４】以下、上記構成による作用について説明を
行う。

【００２５】請求項１の発明によれば、信号線よりパッ
ドを延出して設け、両側より信号が入力される共通線と
重畳させた構成としている。請求項２の液晶パネルの欠
陥修正方法によれば、絵素電極よりも外側で前記共通線
を切断し、第１の接続用パッドをレーザ照射することに
より信号線と共通線とを接続し、かつ共通線をレーザ照
射することにより前記共通線と前記絵素電極とを接続
し、より目立たない欠陥に修正する。これにより、絵素
電極に信号線のデータが直接入力され、点欠陥を目立た
なくする程度に駆動することができ、かつ、開口率が低
下しない。また、TFT On Gate構造においてもソース−
ドレイン接続を可能とする。さらに、共通線に対し両側
から信号が入力されるので、共通線を切断しても、共通
線方向の他の絵素に影響を及ぼすことがない。

【００２６】また請求項３の発明において、コンタクト
ホール部に金属材料が塗付されたパッドが設けられてい
る。請求項４の液晶パネルの欠陥修正方法にあっては、
絵素電極とドレインが高抵抗欠陥となっている部分のパ
ッドにレーザ光を照射し、ドレインと絵素電極の接続を
行う。これにより、接続が成功する確率が高くなるの
で、絵素電極を正常に駆動させることができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】

（実施形態１）以下、図面に基づき本発明の実施形態を
説明する。本実施形態１の液晶パネルは共通線３とソー
ス電極１２に特徴があり、以下に詳述する。

【００２８】図１は実施形態１における液晶パネルの等
価回路図である。この液晶パネルのアクティブマトリク
ス基板において、共通線３は各走査線１に平行に形成さ
れる配線と、基板端部において信号線２に平行に形成さ
れ上記平行線の一端をそれぞれ結ぶ二本の配線とからな
り、信号線２に平行な二本の配線の一端にはそれぞれ、
共通線端子３ａおよび３ｂが設けられている。両共通線
端子３ａ、３ｂからは、共通線３に対して対向電極７に
印加されているコモン信号と同様の信号を印加する。さ
らに、共通線３は走査線１、信号線２、および絵素電極
（図示せず）との間に絶縁膜（図示せず）を介して形成
されると共に、これらと交差している。共通線３は、製
造プロセスの短縮化を考慮して、走査線１と同じ工程で
形成され、また、入力信号の伝搬遅延を回避するため
に、抵抗の低い金属材料で形成されることが多い。この
結果、共通線３は遮光性を有している。

【００２９】また、絵素電極と共通線３との間には補助
容量５が形成され、さらに絵素電極と上記アクティブマ
トリクス基板と対向する対向基板上に設けられた対向電
極７との間には液晶容量６が形成されている。絵素駆動
面積が小さい（高精細方式など）場合は液晶容量６が小
さく、安定した表示を得ることができないため、上記の
ように補助容量５を設け共通線３に接続することにより
液晶容量の数倍の容量を得ることが可能となる。共通線
３はすべての絵素に対し共通に形成され、また、対向電
極７と同じコモン信号が印加されているため、安定した
表示を得ることが可能となる。

【００３０】この液晶パネルにおいては、共通線端子３
ａおよび３ｂを設けたことにより、共通線３に対し両端
子からコモン信号を送ることが可能となっている。

【００３１】以下、本実施形態１の液晶パネルの構成、
ならびにその液晶パネルに成膜不良によるＴＦＴの動作
不良や短絡が生じて欠陥箇所ができた場合の修正方法に
ついて説明する。

【００３２】図２（ａ）および（ｂ）は本実施形態１の
液晶パネルのアクティブマトリクス基板およびその修正
方法を説明するための図である。図２（ａ）は本実施形
態１の液晶パネルの一絵素部分の拡大平面図である。ま
た、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。こ
のアクティブマトリクス基板においては、ガラスなどか
らなる基板２１上に走査線１、信号線２が互いに交差す
るように形成され、走査線１と信号線２との交差部分近
傍にＴＦＴ４が形成され、走査線１と平行に、かつ、各
絵素の中央を貫通するように共通線３が形成されてい
る。共通線３は、信号線２とは絶縁膜を介して交差して
いる。また、それぞれ二本の走査線１と信号線２とが囲
む領域の内側に絵素電極１０が形成されている。尚、本
実施形態１において、信号線２は二層構造となってい
る。これにより一方の層が断線していても、信号は他の
層を伝搬して各絵素に到達することが可能となる。

【００３３】さらに本実施形態１では、共通線３の上
に、一方の信号線２から延出したソース−共通線接続用
パッド１４が設けられると共に、絵素電極１０にはこの
ソース−共通線接続用パッド１４と重ならないようにコ
の字型の切欠部が設けられている。また、ソース−共通
線接続用パッド１４が設けられた信号線２とは別の隣接
する信号線２の内側にも、絵素電極１０に、共通線３と
重なるような、コの字型の切欠部が設けられている。

【００３４】このようにして構成された本実施形態１の
液晶パネルのアクティブマトリクス基板において、ＴＦ
Ｔ４の動作不良が存在する場合の修正例を、図３（ａ）
〜（ｃ）に基づき以下に説明する。尚、図３（ａ）は図
２（ａ）のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法を
示す平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ’−
Ａ’断面図である。また、図３（ｃ）は、この修正方法
を示す等価回路図である。

【００３５】図３（ａ）および（ｂ）のアクティブマト
リクス基板は、ＴＦＴ部で半導体層が十分に成膜されず
動作不良となったものである。この場合、まず、欠陥絵
素の共通線３を絵素電極１０と信号線２の外側で切断す
る。共通線３には共通線端子３ａ、３ｂ（図１）から信
号を入力する。これにより共通線３の切断部分には両側
から信号が印加されるので、共通線３の切断によっても
共通線方向の他の絵素の補助容量５に支障を来すことは
ない。次に、信号線２と共通線３との交差部に設けられ
たソース−共通線接続用パッド１４にレーザ光などを照
射し、信号線２と共通線３とを接続する。さらに、共通
線３にレーザ光などを照射することにより共通線３と絵
素電極１０とを接続する。

【００３６】以上のようにして信号線２と共通線３、共
通線３と絵素電極１０とをそれぞれ接続することによ
り、絵素電極１０には信号線２のデータ信号が直接入力
されるようになる。補助容量５やＴＦＴ４の増幅作用が
無いため、修正を施した絵素電極１０は正常には駆動で
きないが、この液晶パネルに対し実装状態でドライバ駆
動を行うと、ノーマリーホワイトの輝点や、ノーマリー
ブラックの黒点といった点欠陥を目立たなくする程度に
絵素電極１０を駆動できることが確認された。

【００３７】以上のように、本実施形態１の液晶パネル
によれば、従来、ソース−ドレイン接続修正を行うため
にＴＦＴ４と走査線１との間隔を広げたために生じてい
た開口率の低下を緩和することができる。

【００３８】尚、ソース−共通線接続用パッド１４の形
状としては、どのような形状であってもよく、また、サ
イズとしては開口率を低下させないように、共通線３か
らはみ出さない程度であることが好ましいが、概ね５μ
ｍ×５μｍ程度の大きさを確保できればよい。但し、５
μｍ×５μｍというサイズは、信号線２と共通線３との
間に設けられる絶縁膜の一般的な厚みである０．３μｍ
の場合を想定しており、その厚みに応じては変動させる
べきである。また、開口率の観点からは、絵素電極１０
の切欠部に関しても、共通線３をはみ出さないようにす
るのが好ましい。一方、絶縁膜の厚みに関しては、必要
に応じて、ソース−共通線接続用パッド１４の存在する
部分の絶縁膜の厚みを薄くしてもよい。

【００３９】また、ソース−共通線接続用パッド１４を
設けなくても欠陥修正を行うことは可能である。この場
合、絵素電極１０に切欠部を設け、レーザを信号線２の
端部に照射すればよい。但し、信号線２の端部にレーザ
照射する理由は、信号線２におけるデータ信号の伝搬が
欠陥を生じた絵素の共通線３のみではなく信号線２の長
手方向の絵素にも良好に行われるようにするためであ
る。

【００４０】さらに、図１１に示すように、共通線３よ
りも上層に、共通線３と絵素電極１０との接続をさらに
良好とするための共通線−絵素電極接続用パッド１５が
設けられていてもよい。この場合、信号線２と共通線３
との交差部に設けられたソース−共通線接続用パッド１
４、および共通線３上に設けられた共通線−絵素電極接
続用パッド１５にレーザ光などを照射し、信号線２と絵
素電極１０とを接続する。共通線−絵素電極接続用パッ
ド１５としては紫外光吸収率の高いＴａのような金属で
形成するのが好ましい。これにより共通線−絵素電極接
続用パッド１５がレーザ照射によってメルトしやすくな
るので、共通線３と絵素電極１０との接続がさらに容易
になる。共通線−絵素電極接続用パッド１５の形状とし
ては、どのような形状であってもよく、また、サイズと
しては開口率を低下させないよう、共通線からはみ出さ
ない程度であることが好ましい。

【００４１】さらに、絵素電極１０の他方の切欠部は共
通線３をレーザ切断するために設けられているので、サ
イズは共通線３の幅よりも大きく形成する必要がある
が、開口率を低下させないよう、できる限り小さく形成
すべきである。切欠部としては、共通線３の両端から概
ね５μｍずつ外側へ、幅６μｍ程度の大きさがあれば、
レーザ切断を行ったとしても、切断しきれずに新たなリ
ーク欠陥を生じさせることがない。このように、共通線
３の幅を越える切欠部を形成したとしても、共通線３に
遮光されている部分は開口率に寄与せず、共通線３より
はみ出た切欠部の面積のみ開口率を低下させるが、従来
ほど開口率を低下させることはない。

【００４２】尚、本実施形態１においては、修正手段と
してレーザを用いたが、これに限られるものではなく、
他の化学的手段または物理的手段を用いることも可能で
ある。

【００４３】また、本実施形態１の液晶パネルの欠陥修
正方法は、絵素電極１０が、走査線１、信号線２、ＴＦ
Ｔ４などと同じ層に形成された構造の液晶パネルについ
て説明を行ったが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、Pixel On Passivation構造の液晶パネルについて
も同様に採用することが可能である。

【００４４】（実施形態２）本実施形態２の液晶パネル
は、Pixel On Passivation構造を有するものである。

【００４５】以下、本実施形態２の液晶パネルの構成お
よび修正方法に関し、以下に説明を行う。図４（ａ）は
実施形態２における液晶パネルのアクティブマトリクス
基板の平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−
Ｂ断面図である。

【００４６】図４（ａ）および（ｂ）において、透明導
電膜からなるドレイン電極１３は、絵素電極１０と、走
査線１、信号線２およびＴＦＴ４との間にある絶縁膜２
０に設けられたコンタクトホール９を介して絵素電極１
０と電気的に接続されている。

【００４７】さらに、本実施形態２の液晶パネルのアク
ティブマトリクス基板においては、コンタクトホール９
の部分に共通線３とは絶縁膜を挟んで金属材料からなる
上下絵素電極接続用パッド１６が設けられている。ま
た、共通線３には、コンタクトホール９部分それぞれ
に、コンタクトホール９よりも大きな凹状の切欠部が設
けられている。ここで、上下絵素接続用パッド１６のサ
イズは、切欠部からの光漏れを防止するために、切欠部
よりも大きくしてある。

【００４８】この構造の液晶パネルにおいて、コンタク
トホール９の形成時に絶縁膜が残存するなどして絵素電
極１０とドレイン電極１３の接続が高抵抗となる、所謂
高抵抗欠陥に起因する点欠陥が発生した液晶パネルの修
正方法について、図５（ａ）および（ｂ）に基づき説明
する。

【００４９】尚、図５（ａ）は図４（ａ）のアクティブ
マトリクス基板の欠陥修正方法を示す平面図であり、図
５（ｂ）は図５（ａ）のＢ’−Ｂ’断面図である。

【００５０】このような高抵抗欠陥に対しては、レーザ
などにより上下絵素電極接続用パッド１６を照射・接続
修正することで、絵素電極１０とドレイン電極１３とが
完全に導通するので、絵素電極１０が正常な動作を行う
ようになる。

【００５１】ドレイン電極１３の下部に金属材料からな
る上下絵素接続用パッド１６を設けたことにより、従来
の液晶パネルでは困難であった高抵抗欠陥に対する修正
が可能となった。

【００５２】尚、上下絵素接続用パッド１６の形状とし
てはどのような形状であってもよく、また、サイズとし
ては、コンタクトホールのサイズよりも大きいことが好
ましい。さらに好ましくは、切欠部からの光漏れを防止
するために、切欠部のサイズよりも大きいことが好まし
い。

【００５３】また、上下絵素接続用パッド１６の材質と
しては、紫外光を吸収しやすいＴａ、Ｔｉなどの金属を
用いることが好ましいが、製造の簡便性を考慮すれば、
ソース電極に用いた金属材料を用いることがより好まし
い。

【００５４】尚、本実施形態２の上下絵素電極接続用パ
ッドは、実施形態１で説明したソース−共通線接続用パ
ッドが設けられた液晶パネルにおいて用いても、同様の
効果を得ることができる。

【００５５】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、信号線よりパ
ッドを延出して設け、両側より信号が入力される共通線
と重畳させた構成としている。請求項２の液晶パネルの
欠陥修正方法によれば、絵素電極よりも外側で前記共通
線を切断し、第１の接続用パッドをレーザ照射すること
により信号線と共通線とを接続し、かつ共通線をレーザ
照射することにより前記共通線と前記絵素電極とを接続
し、より目立たない欠陥に修正する。これにより、絵素
電極に信号線のデータが直接入力され、点欠陥を目立た
なくする程度に駆動することができ、かつ、開口率の低
下を低減できる。また、TFT On Gate構造においてもソ
ース−ドレイン接続を可能とする。さらに、共通線に対
し両側から信号が入力されるので、共通線を切断して
も、共通線方向の他の絵素に影響を及ぼすことがない。

【００５６】また請求項３の発明において、コンタクト
ホール部に金属材料が塗付されたパッドが設けられてい
る。請求項４の液晶パネルの欠陥修正方法にあっては、
絵素電極とドレインが高抵抗欠陥となっている部分のパ
ッドにレーザ光を照射し、ドレインと絵素電極の接続を
行う。これにより、接続が成功する確率が高くなるの
で、絵素電極を正常に駆動させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１における液晶パネルの構成を示す等
価回路図である。

【図２】（ａ）は実施形態１における液晶パネルのアク
ティブマトリクス基板を示す平面図、（ｂ）は図２
（ａ）のＡ−Ａ断面図である。

【図３】（ａ）は実施形態１における液晶パネルのアク
ティブマトリクス基板の欠陥修正方法を示す平面図、
（ｂ）は図３（ａ）のＡ’−Ａ’断面図、（ｃ）はその
欠陥修正方法を示す等価回路図である。

【図４】（ａ）は実施形態２における液晶パネルのアク
ティブマトリクス基板を示す平面図、（ｂ）は図４
（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。

【図５】（ａ）は実施形態２における液晶パネルのアク
ティブマトリクス基板の欠陥修正方法を示す平面図、
（ｂ）は図５（ａ）のＢ’−Ｂ’断面図である。

【図６】従来の液晶パネルの構成を示す等価回路図であ
る。

【図７】（ａ）および（ｂ）は、従来のアクティブマト
リクス基板を示す平面図である。

【図８】図７（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。

【図９】図７（ａ）のアクティブマトリクス基板の欠陥
修正方法を示す図である。

【図１０】従来のアクティブマトリクス基板を示す平面
図である。

【図１１】（ａ）は実施形態１における別のアクティブ
マトリクス基板を示す平面図、（ｂ）は図１１（ａ）の
Ｄ−Ｄ断面図である。

【符号の説明】

１走査線１ａ走査線端子２信号線２ａ信号線端子３共通線３ａ、３ｂ共通線端子４ＴＦＴ５補助容量６液晶容量７対向電極９コンタクトホール１０絵素電極１１ゲート電極１２ソース電極１３ドレイン電極１４ソース−共通線接続用パッド１５共通線−絵素電極接続用パッド１６上下絵素電極接続用パッド２０絶縁膜２１基板２２絶縁膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板上に、複数の薄膜トランジス
タと、該薄膜トランジスタを動作させる複数の走査線お
よび信号線と、前記薄膜トランジスタに接続された絵素
電極と、該絵素電極と補助容量を形成するための共通線
とが形成されたアクティブマトリクス基板と、絶縁性基
板上に透明電極が形成された対向基板とが、ある間隔を
もって対向配置されていると共に、前記二枚の基板間に
液晶が封入されている液晶パネルにおいて、前記共通線に対し、両側よりコモン信号が入力されてい
ると共に、前記信号線より、前記共通線と重畳するよう
な第１の接続用パッドが延出されていることを特徴とす
る液晶パネル。
【請求項２】請求項１記載の液晶パネルにおいて、前
記絵素電極よりも外側で前記共通線を切断し、前記第１
の接続用パッドをレーザ照射することにより前記信号線
と前記共通線とを接続し、かつ前記共通線をレーザ照射
することにより前記共通線と前記絵素電極とを接続し、
該絵素電極に前記信号線からの信号を直接入力すること
を特徴とする液晶パネルの欠陥修正方法。
【請求項３】絶縁性基板上に、複数の薄膜トランジス
タと、該薄膜トランジスタを動作させる複数の走査線お
よび信号線とが形成され、前記薄膜トランジスタ、前記
走査線および前記信号線とが絶縁膜により被覆され、絵
素電極が、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と、前
記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続さ
れ、前記ドレイン電極と補助容量を形成する共通線が形
成されたアクティブマトリクス基板と、絶縁性基板上に
透明電極が形成された対向基板とが、ある間隔をもって
対向配置されていると共に、前記二枚の基板間に液晶が
封入されている液晶パネルにおいて、前記ドレイン電極と、前記絵素電極との接続部よりも下
方に、上下絵素電極接続用パッドを設けていることを特
徴とする液晶パネル。
【請求項４】請求項３記載の液晶パネルにおいて、上
下絵素接続用パッドをレーザ照射することにより前記ド
レイン電極と前記絵素電極とを接続することを特徴とす
る液晶パネルの欠陥修正方法。