JP2005092154A - アクティブ基板、表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 TFT4のドレイン領域を構成する半導体層を延在させた延在部12から突出した半導体層突出部12Aを設け、ソースバスライン2にコンタクトホール部2Aを介して接続されるようにゲートバスライン1と同じ金属層で同一工程で形成されたゲートメタル突出部7を設ける。半導体層突出部12Aとゲートメタル突出部7とはゲート絶縁膜13を介して重畳部7aで一部重畳している。絵素部に不良が発生した場合には、重畳部7aを含む隅部にレーザ照射して、ゲートメタル突出部7と半導体層突出部12Aとを短絡させ、ソースバスライン2と絵素電極3とを電気的に接続させる。
【選択図】 図1
Description
図1(a)は、本発明のアクティブ型液晶表示装置の実施形態1において、液晶層を間に挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板の構成例を示す平面図であり、図1(b)は(a)のA−A’線部分の断面図である。なお、図9(a)〜図9(c)の従来の構成部材とほぼ同様の作用効果を奏する構成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。また、図9(b)および図9(c)の各断面は図1(a)の同じ位置における各断面と同様であるのでその説明を省略する。
上記実施形態1では、TFT4のチャネル層12a上にゲート絶縁膜13を介してゲート金属層(ゲート電極1a)が配置されたトップゲート構造について説明したが、本実施形態2では、図4(a)および図4(b)と図5(a)および図5(b)に示すように、チャネル層12aの下層側にゲート絶縁膜13を介してゲート金属層(ゲート電極1a)が配置されたボトムゲート構造について説明する。
上記実施形態1,2では、リペア時に、導電性物質の金属層からなるゲートメタル突出部7と、半導体層からなる半導体層突出部12Aとの重畳部7aとを短絡させるように構成したが、本実施形態3では、リペア時に、導電性物質の金属層からなるゲートメタル突出部7と、半導体(Si)層の延在部12に接続された導電性物質層突出部12Bとの重畳部7bとを短絡させる場合について説明する。
上記実施形態1〜3では、第1の突出部として、半導体層突出部12Aまたは導電性物質層突出部12Bを半導体層の延在部12(付加容量の一方電極)から突出させ、これと、ゲートメタル突出部7または半導体または導電性物質からなる第2の突出部7Bとの重畳部7aまたは7bとを、その間のゲート絶縁膜13を絶縁破壊して短絡させるように構成したが、本実施形態4では、TFT4のドレイン電極D(ドレイン電極Dから延在した延在部12を含む)から突出した導電性物質突出部12Dと、導電性物質突出部7Dとの重畳部を、その間の層間膜14を絶縁破壊して短絡させる場合について説明する。
1a ゲート電極
2 ソースバスライン
2A,6A コンタクトホール部
3 透明電極(絵素電極)
4 TFT
5 付加容量バスライン
5A 幅広部
6 ソースバスラインと同じ金属層(ソースメタル)
7 ゲートメタル突出部(第2の突出部)
7B 半導体または導電性物質からなる第2の突出部
10 ガラス基板
11 ベースコート膜
12 半導体層の延在部
12a チャネル領域
12b LDD領域(n-層)
12c ソース領域・ドレイン領域(n+層)
12A 半導体層突出部(第1の突出部)
13 ゲート絶縁膜
14 層間膜
15 樹脂層
110,120,130,140 アクティブマトリクス基板
Claims (23)
- 信号配線が一方駆動領域に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子の他方駆動領域に接続された絵素電極とを有する絵素部が二次元状に複数配列されたアクティブ基板において、
該スイッチング素子の他方駆動領域を構成する半導体層または該半導体層に接続された導電性物質層からなる第1層と、該信号配線に接続された導電性物質層または半導体層からなる第2層とが間に絶縁膜を挟んで、エネルギー付与により短絡可能なように一部重畳されているアクティブ基板。 - 走査配線が平行に複数設けられ、前記信号配線が該複数の走査配線と交叉するように平行に複数設けられ、両配線の交叉部毎に前記絵素電極がそれぞれマトリクス状に配設され、該走査配線が前記スイッチング素子の制御領域に接続されている請求項1に記載のアクティブ基板。
- 前記スイッチング素子の他方駆動領域を構成する半導体層を延長した延在部がコンタクトホール部を介して前記絵素電極と接続されている請求項1または2に記載のアクティブ基板。
- 前記スイッチング素子の他方駆動領域を構成する半導体層を延長した延在部がコンタクトホール部を介して導電性物質層に接続され、該導電性物質層が別のコンタクトホール部を介して前記絵素電極と接続されている請求項1または2に記載のアクティブ基板。
- 前記走査配線毎に該走査配線と平行に付加容量配線が設けられ、前記延在部の少なくとも一部が該付加容量配線の幅広部と絶縁膜を挟んで対向配置されている請求項3または4に記載のアクティブ基板。
- 前記第1層は、前記延在部から突出した第1の突出部であり、前記第2層は、前記信号配線とコンタクトホール部を介して接続され、該信号配線から該第1の突出部側に一部重畳するように突出した第2の突出部である請求項3または4に記載のアクティブ基板。
- 前記第1の突出部は、前記延在部がコンタクトホール部を介して接続された導電性物質層である請求項4に記載のアクティブ基板。
- 前記絶縁膜は前記スイッチング素子のゲート絶縁膜と同一の材料である請求項1に記載のアクティブ基板。
- 前記絶縁膜は層間膜である請求項7に記載のアクティブ基板。
- 前記第2の突出部は前記走査配線と同じ金属層からなる請求項6に記載のアクティブ基板。
- 前記第1の突出部と第2の突出部とはそれぞれ、その重畳部よりもさらに所定量だけ互いにそれぞれ突出している請求項6に記載のアクティブ基板。
- 前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタ素子、MIM素子、MOSトランジスタ素子およびダイオードのいずれかである請求項1に記載のアクティブ基板。
- 前記薄膜トランジスタ素子は、前記半導体層として多結晶シリコン層を用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタである請求項12に記載のアクティブ基板。
- 前記薄膜トランジスタ素子は、前記半導体層に接続されるチャネル層の上層側に前記絶縁層を介して制御領域が設けられたトップゲート構造である請求項12に記載のアクティブ基板。
- 前記薄膜トランジスタ素子は、前記半導体層に接続されるチャネル層の下層側に前記絶縁層を介して制御領域が設けられたボトムゲート構造である請求項12に記載のアクティブ基板。
- 前記第1層および第2層の少なくとも一方は半導体シリコン層からなる請求項1に記載のアクティブ基板。
- 前記第1層および第2層の少なくとも一方は、Ta、W、Ti、Mo、AlおよびCuのうちのいずれかの金属材料、これらの金属元素のうちの少なくとも1種類を主成分とする合金材料または化合物材料からなる請求項1に記載のアクティブ基板。
- 請求項1〜17のいずれかに記載のアクティブ基板と、該アクティブ基板との間に表示媒体を挟んで該アクティブ基板に対向配置され、該アクティブ基板の複数の絵素電極に対向する対向電極が設けられた対向基板とを有し、該絵素電極と対向電極間に印加される表示信号により該表示媒体を駆動して画面表示可能とする表示装置。
- 前記複数の絵素部の少なくともいずれかが欠陥絵素部の場合に、該欠陥絵素部の第1層と第2層間の絶縁膜がエネルギー照射により破壊されて該第1層と第2層とが短絡状態にされている請求項18に記載の表示装置。
- 前記表示媒体は、液晶、EL発光層およびプラズマ発光体のいずれかである請求項18に記載の表示装置。
- 請求項18に記載の表示装置の絵素電極と対向電極間に、前記走査配線および信号配線から所定の信号を印加して前記絵素部の点欠陥を検出する欠陥検出工程と、
該点欠陥が検出された欠陥絵素部に対して、基板外側からエネルギー照射を行って前記第1層と第2層の間の絶縁膜を破壊して該第1層と第2層を短絡させて点欠陥を修復するエネルギー照射工程とを有する表示装置の製造方法。 - 前記エネルギー照射工程において、前記第1層の第1の突出部と前記第2層の第2の突出部との重畳部から更に互いに突出した両突出部分および該重畳部を含む隅部にエネルギー照射を行う請求項21に記載の表示装置の製造方法。
- 前記エネルギーとしてレーザ光を用いる請求項21または22に記載の表示装置の製造方法。
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