JPH03230125A

JPH03230125A - アクティブマトリクス表示装置

Info

Publication number: JPH03230125A
Application number: JP2026766A
Authority: JP
Inventors: Ken Kanamori; 金森　謙; Mikio Katayama; 幹雄片山; Hiroaki Kato; 博章加藤; Kiyoshi Nakazawa; 中沢　清
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1990-02-05
Filing date: 1990-02-05
Publication date: 1991-10-14
Anticipated expiration: 2011-07-10
Also published as: KR910015876A; DE69109321T2; EP0441595B1; TW198140B; JP2514731B2; EP0441595A3; KR940006988B1; US5164851A; EP0441595A2; DE69109321D1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、絵素電極にスイッチング素子を介して駆動信
号を印加することにより表示を行なう表示装置に関し、
特に絵素電極をマトリクス状に配列して高密度表示を行
うアクティブマトリクス表示装置に関する。

（従来の技術）従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、プラズマ表示
装置等に於いては、マトリクス状に配列された絵素電極
を選択駆動することにより、画面上に表示パターンが形
成される。選択された絵素電極とこれに対向する対向電
極との間に電圧が印加され、その間に介在する表示媒体
の光学的変調が行われる。この光学的変調が表示パター
ンとして視認される。絵素電極の駆動方式として、個々
の独立した絵素電極を配列し、この絵素電極のそれぞれ
にスイッチング素子を接続して駆動するアクティブマト
リクス駆動方式が知られている。絵素電極を選択駆動す
るスイッチング素子としては、ＴＰＴ　（薄膜トランジ
スタ）素子、ＭＩＭ（金属絶縁層−金属）素子、ＭＯＳ
）ランジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が一般的に
知られている。

アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラストの表
示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードプロセ、す
、コンピュータの端末表示装置等に実用化されている。

このような表示装置を用いて高密度の表示を行う場合、
非常に多数の絵素電極とスイッチング素子とを配列量る
ことが必要となる。しかしながら、スイッチング素子は
基板上に作製した時点で動作不良素子として形成される
ことがある。このような不良素子に連結された絵素電極
は、表示に寄与しない絵素欠陥を生ずることになる。

絵素欠陥を修正する為の構成が、例えば特開昭６１−１
５３６１９号公報に開示されている。この構成では、絵
素電極１個当り複数個のスイッチング素子が設けられる
。複数個のスイッチング素子のうちの一つが絵素電極に
接続され、他は絵素電極には接続されない。絵素電極に
接続されたスイッチング素子が不良の場合は、レーザト
リマ、超音波力、夕等により該スイッチング素子が絵素
電極から切り離され、他のスイッチング素子が絵素電極
に接続される。スイッチング素子と絵素電極との接続は
、微小な導体をデイスペンサ等で付着させることにより
、或いは基板上にＡｕ、ＡＩ等を所定部位にコートする
ことにより行われる。

更に、特開昭６１−５６３８２号公報及び特開昭５９−
１０１６９３号公報には、レーザ光を照射して金属を溶
融させることにより、金属層相互間を電気的に接続する
構成が開示されている。

上記の欠陥修正は、表示装置を組み立てる前のアクティ
ブマトリクス基板の状態で行われなければならない。と
ころが、絵素欠陥をアクティブマトリクス基板の製作段
階で検出することは極めて困難である。特に、ｌＯ万個
〜５０万個、又はそれ以上の絵素数を有する大型表示装
置では、全ての絵素電極の電気的特性を検出して不良ス
イッチング素子を発見するには、極めて高精度の測定機
器等を使用しなければならない。このため、検査工程が
繁雑となり、量産性が阻害される。従って、コスト高に
なるという結果を招く。このような理由で、絵素数の多
い大型表示装置では、上述のレーザ光を用いた基板の状
態での絵素欠陥の修正を行なうことができないというの
が実情である。

第５図に従来の冗長構造を有するアクティブマトリクス
基板の一例を示す。絶縁性基板上に走査線として機能す
るゲートバス配線２１と、信号線として機能するソース
バス配線２３とが交差してしている。ゲートバス配線２
１及びソースパス配Ｒ２３によって囲まれた領域には、
絵素電極４０が形成されている。ゲートバス配線２１の
ゲートバス配線２１及びソースバス配線２３の交差部付
近からは、絵素電極４０が形成されている領域に向かっ
て、ゲートバス支線２２が延びている。ゲートバス支線
２２上には、スイッチング素子として薄膜トランジスタ
（以下では「ＴＦＴ」と称する）３１が形成されている
。ＴＦＴ３１のソース電極はソースバス配線２３に接続
され、ドレイン電極は絵素電極４０に接続されている。

また、ゲートバス支線２２上には、予備ＴＦＴ３４が形
成されている。予備ＴＦＴ３４のソース電極は、ＴＦＴ
３１のソース電極と同様に、ソースバス配線２３に接続
されている。しかし、予備ＴＦＴ３４のドレイン電極は
絵素電極４０には接続されておらず、後に接続し得るよ
うに絵素電極４０に近接して設けられている。

（発明が解決しようとする課題）このアクティブマトリクス表示装置では、ＴＦＴ３１の
不良によって絵素欠陥が発生すると、予備ＴＦＴ３４を
用いてこの欠陥が修正される。即ち、予備ＴＦＴ３４が
絵素電極４０と電気的に接続される。この接続は、前述
のように、微小な導体をデイスペンサ等で付着させるこ
とにより、或いはＡｕ、ＡＩ等を基板上の所定部位にコ
ートすることにより、或いはレーザ光照射によって金属
層を溶融させて電気的に接続することにより、行われる
。しかし、前述のようにこれらの修正はＴＰＴが基板上
に完成された時点で行われるべきものであり、絵素欠陥
の発生位置の特定が容易な表示装置の状態では行われ得
ない。

第５図に示すアクティブマトリクス基板を用いた表示装
置では、絵素電極４０の絶縁不良等によって生じた絵素
欠陥は修正され得ない。このような絵素欠陥の発生によ
る影響を低減するため、絵素電極４０を複数の分割絵素
電極に分割し、それぞれの分割絵素電極にＴＦＴを備え
ることが考えられる。このような構成によれば、分割絵
素電極の絶縁不良などによって絵素欠陥が発生しても、
絵素電極の全体が絵素欠陥となることを防ぐことができ
る。

このような表示装置では、分割絵素電極の絶縁不良等に
よって、絵素電極全体が絵素欠陥となることを避けるこ
とができるが、分割絵素？ｔｆ極に接続されたＴＰＴの
一つに不良が生じた場合にも、絵素電極全体が正常に機
能することができない。

即ち、ＴＰＴの不良のみを考慮する場合には、第５図の
基板の方が冗長性に優れていると言える。

本発明は上述のような問題点を解決するものであり、本
発明の目的は、絵素電極の絶縁不良等によって絵素欠陥
が生じても、該欠陥の影響が少なく、しかもスイッチン
グ素子の不良による絵素欠陥を、絵素欠陥の発生位置を
容易に特定できる表示装置の状態で修正し得るアクティ
ブマトリクス表示装置を提供することである。

（課題を解決するための手段）本発明のアクティブマトリクス表示装置は、少なくとも
一方が透光性を有する一対の絶縁性基板と、該一対の基
板間に封入され印加電圧に応答して光学的特性が変調さ
れる表示媒体と、該一対の基板のうちの何れか一方の基
板内面にマトリクス状に配され且つ１Ｍ数の分割絵素電
極に分割された絵素電極と、該分割絵素電極のそれぞれ
に電気的に接続されたスイッチング素子と、を有するア
クティブマトリクス表示装置であって、互いに隣接する
該分割絵素電極間を橋絡する接続部と、該接続部に近接
して設けられた予備スイッチング素子と、を備え、該接
続部が、該隣接する分割絵素電極のそれぞれに電気的に
接続された一対の金属片と、該予備スイッチング素子の
出力端子と、該−対の金属片と該予備スイッチング素子
の該出力端子とに絶縁膜を挟んで重畳された継手金属層
と、を有しており、そのことによって上記目的が達成さ
れる。

（作用）上記構成からなるアクティブマトリクス表示装置を全面
駆動すれば、絵素欠陥を生じている分割絵素電極の位置
を容易に確認することができる。

全絵素電極の駆動により、これに対応する表示媒体は駆
動電圧に応じた光学的変調を生ずる。しかし、スイッチ
ング素子が不良の場合は、この光学的変調が起こらず、
絵素の一部が絵素欠陥として視覚的に認識される。この
絵素欠陥は微小な絵素電極が数十万個以上配列されてい
る表示装置に於いても、拡大レンズ等を使用すれば容易
に識別が可能である。

絵素欠陥の発生位置が確認されると、透光性の基板を介
して外部より、接続部の一対の金属片と、継手金属層と
の重畳部にレーザ光等の光エネルギーが照射される。レ
ーザ光照射によって、一対の金属片と継手金属層との間
の絶縁膜が破壊される。

絶縁膜の破壊により、隣接する分割絵素電極に電気的に
接続されたそれぞれの金属片と、継手金属層とが電気的
に接続される。

このようにして隣接する分割絵素電極が接続部によって
電気的に接続される。このように修正を行うと、隣接す
る２つの分割絵素電極を１つのスイッチング素子で駆動
することになるため、隣接する２つの分割絵素電極を正
常に駆動し得ない場合がある。このような場合には、更
に予備スイッチング素子の出力端子と継手金属層とが光
エネルギー照射によって電気的に接続される。この接続
により、隣接する２つの分割絵素電極が、一方の正常な
スイッチング素子と、予備スイッチング素子とによって
駆動されることになる。

上述のように予備スイッチング素子を継手金属層に電気
的に接続すると、隣接する分割絵素電極に接続された両
方のスイッチング素子の不良により絵素欠陥が発生して
いる場合にも、この絵素欠陥が修正され得る。即ち、上
記の接続により、絵素欠陥を生じている隣接する２つの
分割絵素電極を、１つの予備スイッチング素子によって
駆動することもできる。

また、接続部に形成されている一対の金属片のうち、不
良スイッチング素子が接続されている分割絵素電極に接
続された金属片のみと継手金属層とを電気的に接続し、
更に継手金属層と予備スイッチング素子の出力端子とを
接続してもよい。このように接続すれば、絵素欠陥を生
じている分割絵素電極が予備スイッチング素子によって
駆動され、正常な分割絵素電極は元の正常なスイッチン
グ素子のみによって駆動されることになる。

上記の何れの場合に於いても、絵素欠陥がスイッチング
素子のリーク不良によって生じている場合には、更に該
不良スイッチング素子が光エネルギーの照射により絵素
電極から切り離される。

本発明のアクティブマトリクス表示装置では、絵素欠陥
が分割絵素電極の何れかの絶縁不良によって生じている
場合には、絵素欠陥を修正することはできない。しかし
、絵素電極が複数の分割絵素電極に分割されているため
、分割絵素電極の一つに絵素欠陥が発生しても、絵素電
極全体が絵素欠陥を生じることはない。

（実施例）本発明を実施例について以下に説明する。

第１図に本発明のアクティブマトリクス表示装置の一実
施例に用いられるアクティブマトリクス基板の平面図を
示す。第２図に第１図のｎ−ｎ線に沿った断面図を示す
。本実施例は透過型の液晶表示装置であるが、反射型の
液晶表示装置であっても同様である。本実施例を製造工
程に従って説明する。透明絶縁性基板５１上にベースコ
ート膜５２を堆積した。透明絶縁性基板５１として、本
実施例ではガラス基板を用いた。また、ベースコート膜
５２として適切な材料は、Ｓ　Ｉ　ＮＸ、Ｔａ２０５、
Ａｌ２Ｏ３等である。本実施例ではＴａ２０５を用いた
。ベースコート膜５２として適切な厚さは３０００〜９
０００人であるが、本実施例では２０００〜３５００人
に設定した。また、ベースフート膜５２を必ずしも設け
る必要はない。

次に、スパッタリング法によってベースコート膜５２上
にＴａ金属層を堆積し、このＴａ金属層のパターニング
を行って、ゲートバス配ｇ２１及びゲートバス支線２２
を形成した。ゲートバス配線２１及びゲートバス支線２
２として適切な材料は、Ｔ　ａｓ　　Ｔ　ｉｓ　　Ａ　
１％　　Ｃｒ等の単層又はこれらの多層金属層である。

また、ゲートバス配線２１及びゲートバス支線２２のパ
ターン形成と同時に、継手金属層４６もパターン形成し
た。従って、継手金属層４６もＴａ金属で形成される。

次に、基板５１上の全面にゲート絶縁膜５４を堆積した
。

ゲート絶縁膜５４もベースフート膜５２と同様の材料を
用いて形成される。本実施例ではプラズマＣＶＤによっ
て形成したＳ　ｉ　Ｎ　ｘを用いた。また、ゲート絶縁
Ｈ５４として適切な厚さは１０００〜７０００人である
。本実施例ではゲート絶縁膜５４の厚さを２０００〜３
５００人とした。

次に、ＴＦＴ３１．３２及び予備ＴＦＴ３４を、通常の
製造工程によって作成した。これらのＴＦＴ３１，３２
及び予備ＴＦＴ３４は、それぞれスイッチング素子及び
予備スイッチング素子として機能する。上述のゲート絶
縁膜５４上に、後に半導体層となる真性半導体アモルフ
ァスシリコン（以下ではｒａ−Ｓｆ（ｉ）Ｊと称する）
層、及び後に半導体層のエツチングストッパとなる５Ｉ
Ｎｘ層を連続して堆積した。次に、上記ＳｉＮｘ層のパ
ターニングを行い、エツチングストッパを形成した。更
に、Ｐ（リン）を添加したｎ＋型のアモルファスシリコ
ン（以下ではｒａ−Ｓ　ｉ　（ｎ”）　Ｊと称する）層
をプラズマＣＶＤによって堆積した。

ａ−８ｉ　（ｎ”）層は、後に形成される半導体層とソ
ース電極及びドレイン電極との間のオーミックコンタク
トをとるためのフンタクト層となる。このａ−３ｉ（ｎ
”）層及びａ−Ｓ＋（１）層のパターニングを行い、半
導体層及びコンタクト層を形成した。

次に、この基板上の全面にＴｊ金属層をスパッタリング
法によって形成し、パターニングを行って、ソースバス
配線２３、ソース電極６１．６２、６４、ドレイン電極
７１，７２．７４、及び金属片４４．４５を形成した。

これらに用いる材料として、Ｔｉ金属層の他に、ＡＩ、
Ｍｏ、Ｃｒ等の金属が適している。以上の工程により、
第１図に示すように、ゲートバス支線２２上にＴＰＴ３
１゜３２、及び予備ＴＦＴ３４が形成される。第２図に
示すように、金属片４４及び４５は継手金属層４６の両
端に位置し、予＠Ｔ　Ｆ　Ｔ　３４の出力端子であるド
レイン電極７４は継手金属層４６の中央に位置するよう
に形成されている。従って、継手金属層４６と、金属片
４４．４５及び予備ＴＦＴ３４のドレイン電極７４とは
、前述のゲート絶縁膜５４を挟んで絶縁状態で重畳され
ている。継手金属層４６、ゲート絶縁膜５４、金属片４
４．４５、及び予備ＴＦＴ３４のドレイン電極７４によ
って、接続部３０が形成されている。

次に、この基板上の全面に透明導電膜からなる絵素電極
４０を形成した。本実施例では透明導電膜として、スパ
ッタリング法によって形成されたＩ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）膜を用いた。このＩＴＯ膜
のパターニングを行い、絵素電極４０を形成した。第１
図に示すように、絵素電極４０は分割絵素電極４１及び
４２からなる。また、第２図に示すように、分割絵素電
極４１及び４２は、それぞれ金属片４４及び４５上にも
形成されている。

従って、金属片４４及び４５と、分割絵素電極４１及び
４２とはそれぞれ電気的に接続されている。

上述のように絵素電極４０を形成した基板５１上の全面
に保護膜５５を形成した。本実施例では保護膜としてＳ
ｉＮｘを用いた。本実施例では保護膜を基板５１上の全
面に形成したが、分割絵素電極４１及び４２の中央の部
分で除去した窓開き構造としてもよい。また、分割絵素
電極４１及び４２の間からの光の漏れを防ぐため、分割
絵素電極４１及び４２の間にＴａ金属層等を用いて光シ
ールドを形成してもよい。

次に、保護膜５５上の全面に配向膜６０を形成した。以
上により、第１図のアクティブマトリクス基板が完成さ
れる。第１図のアクティブマトリクス基板に対向する対
向基板上には、ＩＴＯからなる対向電極、及び配向膜が
形成されている。第１図の基板と、第１図の基板に対向
する対向基板との間に、表示媒体として液晶７０が封入
され、本実施例のアクティブマトリクス表示装置が完成
される。

本実施例のアクティブマトリクス表示装置では、ＴＰＴ
３１及び３２の不良により絵素欠陥を生じても、この絵
素欠陥を修正し得る。ＴＰＴの不良には、断不良とリー
ク不良とがある。断不良とは、ＴＰＴがオン状態の時に
もソース電極及びドレイン電極の間に電流が流れない状
態を言う。また、リーク不良とは、ＴＰＴがオフ状態の
時にもソース電極及びドレイン電極の間に電流が流れる
状態を言う。ＴＰＴの断不良及びリーク不良の何れかに
よる絵素欠陥が発生している場合には、以下のようにし
てこの絵素欠陥の修正が行われる。

まず、本実施例のアクティブマトリクス表示装置を全面
駆動し、絵素欠陥の発生位置を確認する。

全絵素電極の駆動により、これらに対応する液晶７０は
駆動電圧に応じて配向変換され、光学的変調を生ずる。

しかし、ＴＰＴ３１及び３２の何れかが不良の場合はこ
の光学的変調が起こらず、絵素の一部が絵素欠陥として
視覚的に認識される。

この絵素欠陥は拡大レンズ等を使用すれば容易に識別が
可能である。

分割絵素電極４１に接続されたＴＰＴ３１が不良の場合
には、第２図の矢印８１及び８２に示すように、透光性
の基板５１を介して外部より、接続部３０の金属片４４
及び４５と継手金属層４６との重畳部に、レーザ光等の
光エネルギーが照射される。本実施例ではＹＡＧレーザ
光を用いた。

レーザ光照射により、金属片４４と継手金属層４６との
間、及び金属片４５と継手金属層４６との間のゲート絶
縁膜５４が絶縁破壊される。ゲート絶縁膜５４の絶縁破
壊により、隣接する分割絵素電極４１及び４２に電気的
に接続されたそれぞれの金属片４４及び４５と、継手金
属層４６とが電気的に接続される。そして、本実施例で
は保護膜５５が形成されているので、レーザ光照射によ
って溶融した金属等が表示媒体である液晶７０中に混入
することもない。このようにして不良ＴＦＴ３１が接続
された分割絵素電極４１は、接続部３０の継手金属層４
６を通じて、分割絵素電極４２に電気的に接続される。

このように接続を行うと、隣接する２つの分割絵素電極
４１及び４２を１つのＴＦＴ３２で駆動することになる
。

上述のような絵素欠陥の修正を行うと、隣接する２つの
分割絵素電極４１及び４２を正常に駆動し得ない場合が
ある。このような場合には、更に予備ＴＦＴ３４の出力
端子であるドレイン電極７４と、継手金属層４６とが光
エネルギー照射によって電気的に接続される。この接続
により、隣接する２つの分割絵素電極４１及び４２が、
一方の正常なＴＦＴ３２と、予備ＴＦＴ３４とによって
駆動されることになる。

上述のように予備ＴＦＴ３４を継手金属層４６に電気的
に接続すると、隣接する分割絵素電極４１及び４２に接
続された両方のＴＦＴ３１及び３２の不良により絵素電
極４０の全体に絵素欠陥が発生している場合にも、この
絵素欠陥が修正され得る。即ち、上記の接続により、絵
素欠陥を生じている２つの分割絵素電極４１及び４２を
、１つの予備ＴＦＴ３４によって駆動することもできる
。

また、一対の金属片４４及び４５のうち、不良ＴＦＴ３
１が接続されている分割絵素電極４１に接続された金属
片４４のみと継手金属層４６とを電気的に接続し、更に
、継手金属層４６と予備ＴＦＴ３４のドレイン電極７４
とを接続してもよい。

このように接続すれば、絵素欠陥を生じている分割絵素
電極４１が予備ＴＦＴ３４によって駆動され、正常な分
割絵素電極４２は正常なＴＦＴ３２のみによって駆動さ
れることになる。

上記の何れの場合に於いても、ＴＦＴ３１がリーク不良
を起こしている場合には、この不良ＴＦＴ３１のドレイ
ン電極７１に光エネルギーが照射され、分割絵素電極４
１と不良ＴＦＴ３１とが切り離される。このような切断
を確実に行うには、１’　Ｆ　Ｔ　３１と分割絵素電極
４１との間の距離が５μｍ以上であることが必要なこと
が確認されている。

分割絵素電極４２に接続されたＴＦＴ３２の不良によっ
て絵素欠陥が発生している場合も、同様に修正され得る
ことは明らかである。

本発明のアクティブマトリクス表示装置では、絵素欠陥
が分割絵素電極４１及び４２の何れか一方の絶縁不良に
よって生じている場合には、絵素欠陥を修正することは
できない。しかし、絵素電極４０が２つの分割絵素電極
４１及び４２に分割されているため、分割絵素電極４１
及び４２の一つに絵素欠陥が発生しても、他方の分割絵
素電極が正常に動作する。従って、絵素電極４０の全体
が絵素欠陥を生じることはない。

第３図に本発明の他の実施例に用いられるアクティブマ
トリクス基板の平面図を示す。本実施例では、ＴＦＴ３
１，３２及び予備ＴＦＴ３４はゲートバス配線２１上に
直接膜けられ、ゲートバス支線２２を有していない。ま
た、ＴＦＴ３１，３２及び予１ｉＴＦＴ３４のそれぞれ
のソース電極６Ｌ　　６２及び６４は、ソースバス支線
２４によってソースバス配線２３に電気的に接続されて
いる。

接続部３０の断面構成は、第２図に示すものと同様であ
る。本実施例に於いても、ＴＦＴ３１，３２の不良によ
って絵素欠陥が生じても、第１図の実施例と同様に修正
され得る。

第４図に本発明の更に他の実施例に用いられるアクティ
ブマトリクス基板の平面図を示す。本実施例では絵素電
極４０は３つの分割絵素電極４１．４２及び４３に分割
されている。分割絵素電極４１１４２及び４３には、Ｔ
ＦＴ３１．３２及び３３がそれぞれ接続されている。こ
れらのＴＦＴ３１．３２及び３３はゲートバス支線２２
上に形成されている。隣接する２つの分割絵素電極４１
及び４２の間には、これらの間を橋絡する接続部３０ａ
が形成され、該接続部３０ａに近接して予備ＴＦＴ３４
が形成されている。予１ＴＦＴ３４のドレイン電極が接
続部３０ａの継手金属層４６上に延びている。同様に、
分割絵素電極４２及び４３の間には、これらの間を橋絡
する接続部３０ｂが形成され、該接続部３０ｂに近接し
て予備ＴＦＴ３５が形成されている。予１ＴＦＴ３５の
ドレイン電極が接続部３０ｂの継手金属層４６上に延び
ている。予備ＴＦＴ３４及び３５もＴＦＴ３１゜３２．
３３と同様に、ゲートバス支線２２上ニ形成されている
。接続部３０ａ及び３０ｂの断面構成は、第２図に示す
ものと同様である。

本実施例に於いて、ＴＦＴ３１又は３２の不良により絵
素欠陥を生じている場合には、接続部３０ａを用いて第
１図の実施例と同様に修正することができる。また、本
実施例ではＴＦＴ３２又は３３の不良により絵素欠陥を
生じている場合にも、接続部３０ｂを用いて第１図の実
施例と同様に修正することができる。従って、ＴＦＴ３
２の不良による絵素欠陥は、接続部３０ａ及び３０ｂの
何れを用いても修正され得る。また、本実施例では絵素
電極４０が３つの分割絵素電極４１．４２及び４３に分
割されているので、これらの分割絵素電極の１つが絶縁
不良となり絵素欠陥を生じても、残りの２つの分割絵素
電極が正常に動作すれば、該絵素欠陥による画像品位の
低下を抑制することができる。

第４図の実施例では、絵素電極４ｏは３つの分割絵素電
極に分割されているが、更に多くの分割絵素電極に分割
することもできる。しかし、絵素電極をより多くの分割
絵素電極に分割すると、それに伴いＴＦＴ及び予備ＴＦ
Ｔの占める面積が大きくなり、表示装置の開口率（画面
の面積に対する表示に寄与する部分の面積の割合）が低
下する。

従って、絵素電極を適切な分割絵素電極の数に分割する
ことが必要である。

上記の３つの実施例では、スイッチング素子としてＴＰ
Ｔを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではない
。本発明はＭｆＭ素子、ダイオード、バリスタ等の種々
のスイッチング素子を用いた広範囲の表示装置にも適用
可能である。

更に、表示媒体として、薄膜発光層、分散型ＥＬ発光層
、プラズマ発光体等を用いた各種表示装置にも適用し得
る。

（発明の効果）本発明のアクティブマトリクス表示装置では、分割絵素
電極の絶縁不良による絵素欠陥の影響を低減することが
できる。また、スイッチング素子の不良による絵素欠陥
が、該絵素欠陥の発生位置を容易に特定できる表示装置
の状態で修正され得るので、表示装置の歩留りが向上し
、コスト低減に寄与することができる。

４、゛　　の。単な脱Ｂ第１図は本発明のアクティブマトリクス表示装ａ　１７
）　−実施例に用いられるアクティブマトリクス基板の
平面図、第２図は第１図のＵ−４１線に沿った断面図、
第３図は本発明の表示装置の他の実施例に用いられるア
クティブマトリクス基板の平面図、第４図は本発明の表
示装置の更に池の実施例に用いられるアクティブマトリ
クス基板の平面図、第５図は従来の表示装置に用いられ
るアクティブマトリクス基板の平面図である。

２１・・・ゲートバス配線、２２・・・ゲートバス支線
、２３　ソー７、ハＡ配Ｒ１２４・・・ソースバス支線
、３０．３０ａ、３０ｂ−接続部、３１．　３２．　３
３・・・ＴＰＴ、３４．３５・・・予ＩＴＦＴ、４０・
・・絵素電極、４１，４２．４３・・・分割絵素電極、
４４゜４５・・・金属片、４６・・・継手金属層、５１
・・・透明絶縁性基板、５２・・・ベースコート膜、５
４・・・ゲート絶縁膜、５５・・・保護膜、６１，６２
．６４・・・ソース電極、７０・・・液晶、７１．　７
２．　７４・・・□ドレイン電極。

以上

Claims

【特許請求の範囲】

１、少なくとも一方が透光性を有する一対の絶縁性基板
と、該一対の基板間に封入され印加電圧に応答して光学
的特性が変調される表示媒体と、該一対の基板のうちの
何れか一方の基板内面にマトリクス状に配され且つ複数
の分割絵素電極に分割された絵素電極と、該分割絵素電
極のそれぞれに電気的に接続されたスイッチング素子と
、を有するアクティブマトリクス表示装置であって、互
いに隣接する該分割絵素電極間を橋絡する接続部と、該
接続部に近接して設けられた予備スイッチング素子と、
を備え、該接続部が、該隣接する分割絵素電極のそれぞ
れに電気的に接続された一対の金属片と、該予備スイッ
チング素子の出力端子と、該一対の金属片と該予備スイ
ッチング素子の該出力端子とに絶縁膜を挟んで重畳され
た継手金属層と、を有するアクティブマトリクス表示装
置。