JPH0419618A - アクティブマトリクス型表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、表示用絵素電極にスイッチング素子を介して
駆動信号を印加することにより、表示を実行する表示装
置の製造方法に関し、特に絵素電極をマトリクス状に配
列して高密度表示を行うアクティブマトリクス駆動方式
の表示装置の製造方法に関する。

（従来の技術） 従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、プラズマ表示
装置等に於いては、マトリクス状に配列された絵素電極
を選択駆動することにより、両面上に表示パターンが形
成される。選択された絵素電極とこれに対向する対向電
極との間に電圧が印加され、これらの電極の間に介在す
る液晶等の表示媒体の光学的変調が行われる。この光学
的変調が表示パターンとして視認される。絵素電極の駆
動方式として、個々の独立した絵素電極を配列し、この
絵素電極のそれぞれにスイッチング素子を連結して駆動
するアクティブマトリクス駆動方式が知られている。絵
素電極を選択駆動するスイッチング素子としては、ＴＰ
Ｔ　（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ（金属−絶縁層
−金属）素子、ＭＯＳトランジスタ素子、ダイオード、
バリスタ等が一般的に知られている。アクティブマトリ
クス駆動方式は、高コントラストの表示が可能であり、
液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コンピュータの
端末表示装置等に実用化されている。

第１１図笈び第１２図に従来のアクティブマトリクス型
表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の平面
図を示す。第１１図の基板では、互いに平行に配列され
たゲートバス配線２１　（：直交して、ソースバス配＠
２３が配設されている。

２本のゲートバス配線２１及び２本のソースバス配線２
３に囲まれた矩形の各領域には、絵素電極４１が配され
ている。ゲートバス配線２１とソースバス配線２３との
交差部近傍のゲートバス配線２１上には、スイッチング
素子として機能するＴＰＴ３１が形成されている。ゲー
トバス配線２１の一部がＴＰＴ３１のゲート電極として
機能している。ＴＰＴ３１のドレイン電極は絵素電極４
１に電気的に接続されている。ＴＰＴ３１のソース電極
には、ソースバス配線２３から分岐した支線が接続され
ている。

第１２図のアクティブマトリクス基板は、第１１図の基
板と同様であるが、ＴＰＴ３１付近の構成が異なる。即
ち、ＴＰＴ３１はゲートバス配線２１から分岐したゲー
トバス支線２２上に形成されている。ゲートバス支線２
２の一部がＴＰＴ３１のゲート電極として機能している
。

（発明が解決しようとする課題） このような基板を有する表示装置を用いて高密度の表示
を行う場合、非常に多数の絵素電極４１とＴＰＴ３１と
を配列することが必要となる。ところが、ＴＰＴ３１は
基板上に作製した時点で動作不良素子として形成される
ことかある。このような不良素子に連結された絵素電極
は、表示に寄与しない点欠陥を生ずる。点欠陥は表示装
置の画像品位を著しく損ない、製品の歩留りを大きく低
下させる。

点欠陥の主な発生原因は、大別すると２種類ある。１つ
は走査信号によって絵素電極が選択されている時間内に
、絵素電極に十分な充電が行われないために起こる不良
（以下では「オン不良」と称す）である。他の１つは、
充電された絵素電極の電荷が非選択時間内に漏洩してし
まう不良（以下では「オフ不良」と称す）である。オン
不良はＴＰＴの不良に起因する。オフ不良はＴＰＴを介
する電気的漏洩によって生ずる場合と、絵素電極とバス
配線との間の電気的漏洩によって生じる場合とがある。

何れの不良が生じても、絵素電極と対向電極との間に２
・要な電圧が印加されないため、点欠陥を生じることに
なる。このような不良は、絵素電極と対向電極との間に
印加される電圧が０■のときに光の透過率が最大となる
ノーマリホワイトモードでは輝点として現れ、該電圧が
ｏ■のときに光の透過率が最低となるノーマリブラック
モードでは黒点として現れる。

このような欠陥は、レーザトリミング等を行うことによ
り修正し得る。しかし、この欠陥修正は、表示装置を組
み立てる前のアクティブマトリクス基板の段階で行われ
なければならない。絵素欠陥を表示装置として組み立て
た後に検出することは容易であるが、絵素欠陥をアクテ
ィブマトリクス基板の段階で検出することは極めて困難
である。

特に絵素数が１０万個〜５０万個以上もある大型表示装
置では、全ての絵素電極の電気的特性を検出して不良Ｔ
ＰＴを発見するには、極めて高精度の測定機器等を使用
しなければならない。このため、検査工程が繁雑となり
、量産性が阻害される。

従って、コスト高になるという結果を招く。このような
理由で、絵素数の多い大型表示装置では、上述のレーザ
光を用いた基板の状態での絵素欠陥の修正を行なうこと
ができないというのが実情である。

本発明はこのような問題点を解決するものであり、本発
明の目的は、スイッチング素子の不良による絵素欠陥が
生じても、表示装置を組み立てた状態で該欠陥を目立た
ないように修正し得るアクティブマトリクス型表示装置
の製造方法を提供することである。

（課題を解決するための手段） 本発明のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法は
、絶縁性基板と、該基板上に縦横に配線された走査線及
び信号線と、該走査線から分岐した走査支線と、該走査
支線の先端部に形成されスイッチング素子と、該スイッ
チング素子に接続された絵素電極とを、備えており、該
スイッチング素子の該走査線側の側部から該走査線まで
の距離が、光エネルギーを照射して該走査支線を切断し
得る大きさであるアクティブマトリクス基板を形成する
工程と、該アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼
り合わせて、該アクティブマトリクス基板と該対向基板
との間に表示媒体を封入する工程と、該走査線及び該信
号線から該スイッチング素子を介して該絵素電極に駆動
電圧を印加し、絵素欠陥を検出する工程と、該絵素欠陥
を生じている欠陥絵素電極に接続されているスイッチン
グ素子に光エネルギーを照射して該欠陥絵素電極と信号
線とを電気的に接続し、且つ、該走査支線に光エネルギ
ーを照射して該走査支線を該走査線から切り離す工程と
、を包含しており、そのことによって上記目的が達成さ
れる。

また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置の製造
方法は、絶縁性基板と、該基板上に縦横に配線された走
査線及び信号線と、該走査線及び該信号線とにスイッチ
ング素子を介して接続された絵素電極と、該信号線及び
該絵素電極の下方に絶縁膜を挟んで重畳された導電層と
、該絵素電極と該絶縁膜との間に形成された導電片と、
を備えたアクティブマトリクス基板を形成する工程と、
該アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ
て、該アクティブマトリクス基板と該対句基板との間に
表示媒体を封入する工程と、該走査線及び該信号線から
該スイッチング素子を介して該絵素電極に駆動電圧を印
加し、絵素欠陥を検出する工程と、該絵素欠陥を生じて
いる欠陥絵素電極に接続された該導電片と該導電層との
重畳部に光エネルギーを照射して、該欠陥絵素電極と該
導電層とを電気的に接続し、且つ、該信号線と該導電層
との重畳部に光エネルギーを照射して該信号線と該導電
層とを電気的に接続する工程と、を包含しており、その
ことによって上記目的が達成される。

（作用） 本発明のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法に
於て、スイッチング素子の不良、信号線と絵素電極との
間の弱いリーク電流の発生等のオン不良又はオフ不良に
よる絵素欠陥が検出されると、表示装置を組み立てた状
態で絵素欠陥の修正が行なわれる。まず、絵素欠陥を生
じている絵素電極に接続されている走査支線かレーザ光
照射等によって切断される。本発明の表示装置の製造方
法では、スイッチング素子の走査線側の側部から該走査
線までの距離が、レーザ光等の光エネルギーを照射して
走査支線を切断し得る大きさに設定されているので、走
査支線を確実に切断し得る。

次に、スイッチング素子の絵素電極に接続された電極と
、信号線に接続された電極との間が、光エネルギー照射
によって電気的に接続される。これにより、欠陥絵素電
極は信号線に直接接続される。

スイッチング素子がＴＰＴである場合には、この電気的
接続は、ソース電極とゲート電極との重畳部、及びドレ
イン電極とゲート電極との重畳部にそれぞれ光エネルギ
ーを照射することにより行われる。光エネルギーとして
レーザ光を照射することにより、これらの重畳部にはス
ポット状に穴が開く。この穴の周囲では、ソース電極と
ゲート電極とが電気的に接続され、ドレイン電極とケー
ト電極とか電気的に接続される。このように、ノース電
極とドレイン電極とは、ゲート電極を介して電気的に接
続される。

本発明の導電層及び導電片か形成されるアクティブマト
リクス型表示装置の製造方法に於ても、オン不良又はオ
フ不良による絵素欠陥が検出されると、表示装置を組み
立てた状態で絵素欠陥の修正が行なわれる。まず、信号
線と導電層との重畳部ニ光エネルギーが照射され、信号
線と導電層との間が電気的に接続される。次に、導電層
と導電片との重畳部に光エネルギーが照射され、導電層
と導電片との間が電気的に接続される。こ、れにより、
信号線と絵素電極とがスイッチング素子を介することな
く直接電気的に接続される。

以上のようにして信号線に接続された絵素電極（以下で
は「修正絵素電極」と称する）に印加される電圧につい
て、第１０図を参照しながら説明する。第１０図に於て
、Ｇｏはｎ番目の走査線の信号電圧（縦軸）と時間（横
軸）との関係を表わし、Ｓ、はｍ番目の信号線の信号電
圧（縦軸）と時間〈横軸）との関係を表わす。Ｐ、□は
、ｎ番目の走査線とｍ番目の信号線とに接続された正常
な絵素電極に印加される電圧を表す。Ｐ′。、は、ｎ＠
目の走査線とｍ番目の信号線とに接続された修正絵素電
極に印加される電圧を表わす。

走査線にはＧ、、Ｇ　ｎ＋＋に示すように順次スイッチ
ング素子を選択する信号（Ｖ　ｇｈ）が選択時間Ｔ。。

の聞出力される。走査線の選択時間Ｔ。。に対応して、
信号線には映像信号電圧Ｖθが出力され、正常な絵素電
極ではｐＨｌｌに示すように、この信号電圧ｖ８が非選
択時間Ｔ。ｆＴの間保持される。そして、次に選択信号
電圧Ｖ、ｈが印加されると、信号線には、−■ａの映像
信号が印加される。

これに対し、修正絵素電極には、Ｐ′、、に示すように
、信号線からの映像信号が常に印加されるため、修正絵
素電極は正常には機能し得ない。しかし、この修正絵素
電極によって表示される絵素は、１周期を通してみると
この１周期の間に信号線に印加された映像信号の実効値
に相当する表示を行う。従って、この絵素は完全な輝点
又は黒点となることはなく、信号線に沿って並ふ絵素の
平均的な明るさの表示を行う。従って、この絵素はきわ
めて判別し難い絵素欠陥となる。

上述のようにして光エネルギー照射によって接続された
部分に於ける電気抵抗は、スイッチング素子の選択状態
での抵抗（以下では「オン抵抗」と称する）よりも小さ
いことが必要である。その理由は以下のようである。ス
イッチング素子のオン抵抗の値は、スイッチング素子か
選択されている時間内に絵素電極に電荷を充電し得るだ
けの電流が流れるように設定されている。従って、上記
の接続を行った部分での抵抗がオン抵抗より大きいと、
修正絵素電極にはスイッチング素子の選択時間毎に変化
する信号電圧が確実に書き込まれず、修正絵素電極に印
加される電圧の実効値が小さくなってしまう。このよう
な状態では、修正絵素電極によって表示される絵素と他
の正常な絵素との間で明るさの違いが大きくなり、絵素
欠陥として視覚的にＬＦ　ｍされることになる。

（実施例） 本発明の実施例について以下に説明する。

第１図に本発明のアクティブマトリクス型表示装置の製
造方法によるアクティブマトリクス基板の平面図を示す
。第３図に第１図の基板を用いた表示装置の箪１図に於
ける■−■線に沿った断面図を示す。本実施例のアクテ
ィブマトリクス型表示装置の製造工程について説明する
。本実施例では、絶縁性基板として透明のガラス基板を
用いた。

ガラス基板１上に走査線として機能するゲートバス配線
２１と、該ゲートバス配線２１から分岐するゲートバス
支線２２とを形成した。ゲートバス配線２１及びゲート
バス支線２２は一般にＴａ。

Ｔ　ｔ　ＳＡ　１、Ｃｒ等の単層又はこれらの多層金属
で形成されるが、本実施例ではＴａを使用した。

ゲートバス配線２１及びゲートバス支線２２は、スパッ
タリング法により形成されたＴａ金属層をパターニング
することにより形成される。ゲートバス配線２１及びゲ
ートバス支線２２を形成する前に、ガラス基板１上にＴ
ａ２０５等から成るベースコート膜を形成してもよい。

尚、ゲートバス支線２２については後述する。

ゲートバス配線２１及びゲートバス支線２２上には、Ｓ
ｉＮ、からなるベース絶縁膜１１を全面に形成した。ゲ
ート絶縁膜１１は、プラズマＣＶＤ法により３０００人
の厚さに形成されている。

次に、ゲートバス支線２２の先端部に、スイッチング素
子として機能するＴＦＴ３１を形成した。

ゲートバス支線２２の一部がＴＦＴ３１のゲート電極２
５として機能する。上述のようにゲート絶縁膜１１を形
成した後、後にチャネル層１２となるアモルファスンリ
コン（ａ−Ｓｉ）Ｎｉと、後にエツチングストツバ層１
３となるＳｉＮ、層とを堆積させた。ａ−３！層の厚さ
は３００人、ＳｉＮ８層の厚さは２０００人である。次
に、ＳｉＮｘ層のバターニングを行い、エツチングスト
・７パ層１３を形成した。更に、ａ−３！層及びエツチ
ングストッパ層１３上の全面に、後にコンタクト層１４
．１４となる、Ｐ（リン）を添加したｎ＋型ａＳｉＪｌ
を、プラズマＣＶＤ法により８００人の厚さに堆積させ
た。次に、上記ａ−３ｉ層及びｎ＋型ａ−３！層のパタ
ーニングを同時に行い、チャネル層１２及びコンタクト
層１４．１４を形成した。

次に、後にソース電極３２、信号線として機能するソー
スバス配線２３、及びドレイン電極３３となるＴｉ金属
層を形成した。上記ソースバス配線２３等は、一般に、
Ｔｉ、ＡＩ、ＭｏＳ　Ｃｒ等の単層又はこれらの多層金
属で形成されるが、本実施例ではＴ１を使用した。Ｔ１
金属層はスパッタリング法により形成した。このＴｉ金
属層をバターニングすることにより、ソース電極３２、
ソースバス配線２３、及びドレイン電極３３を形成シタ
。ソースバス配線２３とゲートバス配線２１とは、前述
のゲート絶縁膜１１を挟んで交差している。

次に、第１図に示すように、ゲートバス配線２１とソー
スバス配線２３とに囲まれた矩形の領域に、Ｉ　Ｔ　Ｏ
（Ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）から成る絵素電
極４１を形成した。絵素電極４１はＴＦＴ３１のドレイ
ン電極３３の端部に重畳され、ドレイン電極３３に電気
的に接続されている。

更に、ＴＦＴ３１及び絵素電極４１を形成した基板上の
全面に、ＳｉＮ、からなる保護膜１７を堆積した。保護
膜１７は、絵素電極４１の中央部の上で除去した窓状の
形状としてもよい。保護膜１７上には配向膜１９を形成
した。ガラス基板１に対向するガラス基板２上には、対
向電極３及び配向膜９を形成した。これらの基板１及び
２上の間には液晶層１８を封入した。

ＴＦＴ３１の近傍の構成について説明する。ＴＦＴ３１
付近の拡大図を第２図に示す。前述のようにＴＦＴ３１
はゲートバス配線２１から分岐したケートバス支線２２
上に形成されている。ＴＦＴ３１のドレイン電極３３は
絵素電極４１に電気的に１！され、ソース電極３２はソ
ースバス５１２３に電気的に接続されている。ＴＦＴ３
１のゲートバス配線２１側の側部からゲートバス配線２
１までの距離Ｘは、前述の第１２図の従来例のそれより
も大きく、レーザ光等の光エネルギーを用いてゲートバ
ス支線２２を切断し得る大きさである。距離Ｘが１０μ
ｍ以上であれば確実に切断できることを確認した。距離
Ｘが・ｊｌさいと、ＴＦＴ３１を損傷することなくゲー
トバス支線２２を切断することが不可能であるばかりで
はなく、照射されるレーザ光がゲートバス配線２１とソ
ースバス配線２３との交差部に悪影響を及ぼし、これら
のバス配線２１及び２３間の絶縁不良を起こす場合が生
じる。

前述のように基板ｌ及び２の間に液晶層１８を封入した
後、ゲートバス配線２１及びソースバス配線２３からＴ
ＦＴ３１を介して全絵素電極４１に駆動電圧を印加し、
絵素欠陥を検圧した。ＴＦＴ３１が不良となったり、ソ
ースバス配線２３と絵素電極４１との間に弱いリーク電
流が発生している場合には、絵素欠陥が生じる。生じた
絵素欠陥の発生位置を確認した後、次のようにして修正
が行われる。まず、第２図に破線で示す領域５１に光エ
ネルギーを照射することにより、ゲートバス支線２２を
切断した。これにより、ゲートバス支線２２はゲートバ
ス配線２１から電気的に絶縁される。本実施例では光エ
ネルギーとして、ＹＡＧレーザ光（波長１０１０６４ｎ
を用いた。前述のように、距離Ｘは十分大きく設定され
ているので、ゲートバス支線２２の切断は確実に行われ
る。

レーザ光は基板１及び２の何れの基板から照射してもよ
いが、基板２には遮光膜が形成されている場合が多く、
その場合には基板１　（ｉｌＪがら照射した。

本実施例でも基板ｌ側から照射した。次に、第２図に破
線で示す領域５２及び５３、即ち、第３図の矢印２６及
び２７で示す部分にレーザ光を照射した。これにより、
領域５２ではソース電極３２とゲート電極２５とが電気
的に接続され、領域５３ではドレイン電極３３とゲート
電極２５とが電気的に接続される。従って、ソース電極
３２とドレイン電極３３とはゲート電極２５を介して電
気的に接続される。

以上のようにして修正されたＴＦＴ３１に接続された絵
素電極４１（修正絵素電極）には、ソースバス配線２３
の信号が常に印加されるため、修正絵素電極は正常には
機能することはできない。

しかし、修正絵素電極によって表示される絵素は、ソー
スバス配線２３に印加される信号の実効値に相当する表
示を行うので、この絵素は完全な輝点又は黒点となるこ
とはなく、ソースバス配線２３に沿って並ぶ絵素の平均
的な明るさの表示を行うことになる。従って、この絵素
は、きわめて判別し難い絵素欠陥となる。

上述のようにレーザ光照射を行っても、ゲートバス支線
２２及びＴＦＴ３１上には保護膜１７が形成されている
ので、溶融した金属等が表示媒体である液晶層１８に混
入することもなく、表示には影響しない。また、レーザ
光の照射条件を変えることにより、同じレーザ光を用い
て金属層間の溶融接続と金属層の切断とを行うことが可
能であることが確認されている。

本発明の構成は、第４図に示すように、付加容量４２を
有するアクティブマトリクス型表示装置にも適用できる
。第４図の表示装置は、前述の第１図〜第３図に示す実
施例に付加窓１４２を設けたものである。付加容量４２
は、基板１上にゲートバス配線２１と並行して設けられ
た付加容量用電極２４と、絵素電極４１との重畳部く斜
線部）に形成されている。第４図の表示装置に於いても
前述の第１図〜第３図の実施例と同様に絵素欠陥を修正
することができる。

更に、本発明は第５図の構成を有するアクティブマトリ
クス型表示装置にも適用することができる。この表示装
置は、第４図の表示装置に於いて、付加窓１４２の占め
る部分による絵素の面積が減少するという欠点を解消し
たものである。この表示装置では、ゲートバス配線２１
の幅を広げ、絵素電極４１の一部と重畳されている。こ
の構成では、隣接する非選択状【のゲートバス配線２１
を付加容量用電極として用いることができる。しかも、
第４図のようにゲートバス配線２１と付加容量用電極２
４との間に隙間が存在しないので、絵素の面積の減少を
抑えることができる。この表示装置に於いても、第１図
〜第３図の実施例と同様に絵素欠陥が修正される。

第６図に本発明の他の表示装置の製造方法によるアクテ
ィブマトリクス基板の平面図を示す。第７Ａ図に第６図
の導電層３４近傍の拡大図を、第７Ｂ図１ｍ第６図の■
−■線に沿った断面図を示す。

第６図の基板を用いた表示装置の第６図に於けるｍ’−
ｍ’線に沿った断面図は、前述の第３図と同様である。

本実施例のアクティブマトリクス型表示装置を製造工程
に従って説明する。本実施例でも、絶縁性基板として透
明のガラス基板を用いた。ガラス基板１上に走査線とし
て機能するゲートバス配線２１と、該ゲートバス配線２
１かう分岐するゲートバス支線２２と、導電層３４とを
形成した。ゲートバス配線２１、及びゲートバス支線２
２にはＴａを使用した。導電層３４もゲートバス配線２
１と同じ金属によって形成した。ゲートバス配線２１、
ゲートバス支線２２及び導電層３４は、スパッタリング
法により形成されたＴａ金属層をパターニングすること
により形成した。

ゲートバス配線２１、ゲートバス支線２２及び導電層３
４を形成する前に、ガラス基板ｌ上にＴａ２０５等から
成るベースコート膜を形成してもよい。

ゲートバス配置ｉ１！２１．ゲートバス支線２２及び導
電層３４上には、ＳｉＮ、からなるベース絶縁膜１１を
全面に形成した。ゲート絶縁膜１１は、プラズマＣＶＤ
法により３０００人の厚さに形成されている。

次に、ゲートバス支線２２の先端部に、スイ。

チング素子として機能するＴＦＴ３１を形成した。

ＴＦＴ３１の断面構成は、前述の箪３図と同様である。

ゲートバス支線２２の一部がＴＦＴ３１のゲート電極２
５として機能する。上述のようにゲート絶縁膜１１を形
成した後、ａ−Ｓ　ｉ層とＳｉＮ８層とを堆積させた。

ａ−Ｓ　ｉＪｌの厚さは３００人、Ｓ　ｉ　Ｎ　ｘ層の
厚さは２０００人である。次に、ＳｉＮ工層のパターニ
ングを行い、工、チンゲストツバ層１３を形成した。更
に、ａ−３ｉ層及びエツチングストッパ層１３上の全面
に、Ｐ（リン）を添加したｎ４型ａ−Ｓｉ層を、プラズ
マＣＶＤ法により８００人の厚さに堆積させた。次に、
上記ａ−３ｉ層及びｎゝ型ａ−３ｉ層のパターニングを
同時に行い、チャネル層１２及びコンタクト層１４．１
４を形成した。

次に、Ｔｉ金属層をスパッタリング法により形成した。

このＴｉ金属層をパターニングすることにより、ソース
電極ｓ　２、ソースバス配線２３、ドレイン電極３３、
及び導電片３５を形成した。

ソースバス配線２３はゲートバス配線２１と、前述のゲ
ート絶縁膜１１を挟んで交差している。また、第７Ｂ図
に示すように、ソースバス配線２３は導電層３４の一方
の端部にゲート絶縁膜１１を挾んで重畳されるように形
成される。導電片３５は導電層３４のソースバス配線２
３とは重畳されていない端部の上にゲート絶縁膜１１を
挟んで形成される。

次に、第６図に示すように、ゲートバス配線２１とソー
スバス配線２３とに囲まれた矩形の領域に、Ｉ　Ｔｏ　
（Ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）から成る絵素電
極４１を形成した。絵素電極４１はＴＦＴ３１のドレイ
ン電極３３の端部に重畳されている。また、第７Ｂ図に
示すように、絵素電極４１は導電片３５上にも重畳され
、導電片３５に電気的に接続されている。

更に、絵素電極４１を形成した基板上の全面に、５ｉＮ
ｔからなる保護膜１７を堆積した。保護膜１７上には配
向膜１９を形成した。ガラス基板１に対向するガラス基
板２上には、対向電極３及び配向膜９が形成されている
。これらの基板１及び２上の間には液晶層１８を封入し
た。

次に、ゲートバス配線２１及びソースバス配線２３から
ＴＦＴ３１を介して全絵素電極４１に駆動電圧を印加し
、絵素欠陥を検出した。ＴＦＴ３１が不良となったり、
ソースバス配線２３と絵素電極４１との間に弱いリーク
電流が発生した場合には、絵素欠陥が生じる。絵素欠陥
の発生位置を特定した後、次のようにして修正が行われ
る。まず、第７Ａ図に破線で示すソースバス配線２３と
導電層３４との重畳領域６１　（第７Ｂ図の矢印６５で
示す部分）、及び導電層３４と導電片３５との重畳領域
６２（第７Ｂ図の矢印６４で示す部分）に光エネルギー
を照射する。これにより、ソースバス配線２３と導電層
３４と導電片３５とは電気的に接続される。導電片３５
と絵素電極４１とは電気的に接続されているので、絵素
電極４１はソースバス配線２３に電気的に接続されるこ
とになる。

以上のようにしてソースバス配線２３に直接接続された
絵素電極４１（修正絵素電極）には、ソースバス配線２
３の信号が常に印加されるため、修正絵素電極によって
表示される絵素は、完全な輝点又は黒点となることはな
く、ソースバス配線２３に沿って並ぶ絵素の平均的な明
るさの表示を行うことになる。従ってｔ　この絵素は、
きわめて判別し難い絵素欠陥となる。

上述のようにレーザ光照射を行っても、導電層３４とソ
ースバス配線２３との重畳部、及び導電層３４と導電片
３５との重畳部の上には保護膜１７が形成されているの
で、溶融した金属等が表示媒体である液晶層１８に混入
することもなく、表示には影響しない。

第６図の構成も、第８図に示すように、付加容ｊｉ４２
を有するアクティブマトリクス型表示装置に適用できる
。第８図の基板は、第４図の基板と同様に、付加容量４
２を設けたアクティブマトリクス基板に、導電層３４及
び導電片３５を設けたものである。第８図の表示装置に
於いても前述の第６図の実施例と同様に絵素欠陥を修正
することができる。

更に、第６図の構成は、第９図の構成を有するアクティ
ブマトリクス型表示装置にも適用することができる。こ
の表示装置は、第５図の基板と同様に、付加容１４２の
占める部分による・絵素の面積の減少を抑えたものであ
る。この表示装置に於いても、第６図の実施例と同様に
絵素欠陥が修正される。

上記何れの実施例に於いても、ＴＦＴ３１のゲート電極
の上方に、ソース電極及びドレイン電極が形成されてい
る例を示したが、ゲート電極が上に、ソース電極及びド
レイン電極が下に形成されたタイプのＴＰＴを用いるこ
ともできる。

また、上記の実施例では何れもスイッチング素子として
ＴＰＴを用いたが、レーザ光等の光エネルギー照射によ
って、信号線側の電極と絵素電極側の電極とを電気的に
接続し得るスイッチング素子であれば本発明に用いるこ
とができる。

（発明の効果） 本発明のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法に
よれば、絵素欠陥を容易に検出することができる表示装
置の状態で、該絵素欠陥を目立たないように修正した表
示装置を得ることができる。

従って、本発明によれば、高い歩留りで表示装置を生産
することができ、表示装置のコスト低下に寄与すること
ができる。

４、図　の、単な８日 第１図は本発明の表示装置の製造方法によるアクティブ
マトリクス基板の平面図、第２図は策１図のＴＰＴ近傍
の拡大平面図、第３図は第１図の基板を用いた表示装置
の第１図に於ける■−■線に沿った断面図、第４図及び
第５図はそれぞれ本発明の製造方法による付加容量を有
するアクティブマトリクス基板の平面図、第６図は本発
明の製造方法による他のアクティブマトリクス基板の平
面図、第７Ａ図は第６図の導電層近傍の拡大平面図、第
７Ｂ図は第６図の■−■線に沿った断面図、第８図及び
第９図はそれぞれ本発明の製造方法による付加容量を有
する基板の平面図、第１０図は走査線及び信号線に印加
される信号と絵素電極の電圧との関係を示す図、第１１
図及び第１２図はそれぞれ従来のアクティブマトリクス
型表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の平
面図である。

１２・・・ガラス基板、３・・・対向電極、９，１９・
・配向膜、１１・・・ゲート絶縁膜、１２・・・チャネ
ル層、１３・・・エツチングストッパ層、１４・・・コ
ンタクト層、１８・・・液晶層、２１・・・ゲートバス
配線、２２・・・ゲートバス支線、２３・・・ソースバ
ス配線、２４・・・付加容量用電極、２５・・・ゲート
電極、３１・・ＴＦＴ、３２・・・ソース電極、３３−
・・ドレイン電極、３４・・・導電層、３５・・・導電
片、４１・・・絵素電極、４２・・・付加容量。

以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板と、該基板上に縦横に配線された走査線
   及び信号線と、該走査線から分岐した走査支線と、該走
   査支線の先端部に形成されスイッチング素子と、該スイ
   ッチング素子に接続された絵素電極とを、備えており、
   該スイッチング素子の該走査線側の側部から該走査線ま
   での距離が、光エネルギーを照射して該走査支線を切断
   し得る大きさであるアクティブマトリクス基板を形成す
   る工程と、 該アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ
   て、該アクティブマトリクス基板と該対向基板との間に
   表示媒体を封入する工程と、該走査線及び該信号線から
   該スイッチング素子を介して該絵素電極に駆動電圧を印
   加し、絵素欠陥を検出する工程と、 該絵素欠陥を生じている欠陥絵素電極に接続されている
   スイッチング素子に光エネルギーを照射して該欠陥絵素
   電極と信号線とを電気的に接続し、且つ、該走査支線に
   光エネルギーを照射して該走査支線を該走査線から切り
   離す工程と、 を包含するアクティブマトリクス型表示装置の製造方法
   。 ２、絶縁性基板と、該基板上に縦横に配線された走査線
   及び信号線と、該走査線及び該信号線とにスイッチング
   素子を介して接続された絵素電極と、該信号線及び該絵
   素電極の下方に絶縁膜を挟んで重畳された導電層と、該
   絵素電極と該絶縁膜との間に形成された導電片と、を備
   えたアクティブマトリクス基板を形成する工程と、 該アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ
   て、該アクティブマトリクス基板と該対向基板との間に
   表示媒体を封入する工程と、該走査線及び該信号線から
   該スイッチング素子を介して該絵素電極に駆動電圧を印
   加し、絵素欠陥を検出する工程と、 該絵素欠陥を生じている欠陥絵素電極に接続された該導
   電片と該導電層との重畳部に光エネルギーを照射して、
   該欠陥絵素電極と該導電層とを電気的に接続し、且つ、
   該信号線と該導電層との重畳部に光エネルギーを照射し
   て該信号線と該導電層とを電気的に接続する工程と、 を包含するアクティブマトリクス型表示装置の製造方法
   。