JPH04278927A - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表示用絵素電極にスイ
ッチング素子を介して駆動信号を印加することにより、
表示を実行する表示装置に関し、特に絵素電極をマトリ
クス状に配列して高密度表示を行うアクティブマトリク
ス駆動方式の表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装置
、プラズマ表示装置等においては、マトリクス状に配設
された絵素電極を選択駆動することにより、画面上に表
示パターンが形成される。表示絵素の選択方式として、
個々の独立した絵素電極を配設し、この絵素電極のそれ
ぞれにスイッチング素子を接続して表示駆動するアクテ
ィブマトリクス駆動方式が知られている。

【０００３】絵素電極を選択駆動するスイッチング素子
としては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ（
金属−絶縁層−金属）素子、ＭＯＳトランジスタ素子、
ダイオード、バリスタ等が一般的に使用され、絵素電極
とこれに対向する対向電極間に印加される電圧をスイッ
チング素子でスイッチングして、両電極間に介在させた
液晶、ＥＬ発光層あるいはプラズマ発光体等の表示媒体
を光学的に変調して、該光学的変調が表示パターンとし
て視認される。このような、アクティブマトリクス駆動
方式は、高コントラストの表示が可能であり、液晶テレ
ビジョン、ワードプロセッサ、コンピュータの端末表示
装置等に実用化されている。

【０００４】ところで、この種の表示装置において、不
良状態のスイッチング素子をそのまま組み込んだ場合に
は、該スイッチング素子に接続される絵素電極には本来
印加されるべき信号が入力されないため、表示装置上に
おいて点欠陥として認識されることになる。

【０００５】このような点欠陥は、スイッチング素子が
配設される側の基板の制作段階で発見されれば、レーザ
トリミング等で修正できる。しかるに、何十万という数
の表示絵素の中から点欠陥を発見することは極めて困難
であり、時間およびコストを考慮すると、量産レベルで
はほとんど不可能に近い。　　上記アクティブマトリク
ス型液晶表示板は、アクティブマトリクス基板と対向基
板とを貼り合わせて、両基板間に液晶を封入して形成さ
れる。そして、アクティブマトリクス基板は、格子状に
配線されたゲートバス配線およびソースバス配線で囲ま
れた領域内に絵素電極を形成してマトリクス状に複数の
絵素を配列し、上記両バス配線と絵素電極とに電気的に
接続されたスイッチング素子で絵素電極への入力信号を
スイッチングするように構成されている。このようなア
クティブマトリクス型液晶表示板に於て、例えばスイッ
チング素子が不良素子として形成されると、その不良素
子に接続された絵素電極には本来印加されるべき信号が
印加されないため、表示画面上では点状の絵素欠陥、即
ち、点欠陥として現れる。

【０００６】上記した不良素子は、スイッチング素子を
形成した後、表示装置を組み立てる前に発見できれば、
レーザトリミング等で修正可能なものもある。しかし、
表示装置を組み立てる前の基板の状態で、何十万という
数のスイッチング素子の中から不良素子を検出すること
は極めて困難である。即ち、量産レベルで上記の検出を
行うことは、時間及びコストの面で不可能に近い。

【０００７】一方、スイッチング素子が配設される基板
と対向基板とを貼り合わせ、両基板間に液晶を封入して
液晶表示装置を作成した後では、各絵素電極に所定の電
気信号を加えて表示動作を行わせることにより、点欠陥
を目視で容易に検出することができる。しかるに、液晶
表示装置を作成した段階では点欠陥の修復作業が困難で
あるため、結果的に点欠陥のある製品を廃棄せざるを得
ず、歩留りが低下し、コストアップを招く欠点がある。

【０００８】ところで、以下に示す方法によれば点欠陥
を容易に検出でき、且つ簡単に修復できる。すなわち、
液晶を封入した表示装置を点灯させて点欠陥を発見し、
点欠陥が発生している不良絵素にガラス基板越しにレー
ザー光を照射し、これにより不良絵素の絵素電極とこれ
に１番近いソースバスラインを短絡させて電気的に導通
させる方法である。この方法によれば、ゲートバスライ
ンからの信号にかかわらず、ソースバスラインからの信
号が不良絵素の絵素電極にそのまま入力されることにな
る。

【０００９】ここで、点欠陥のない正常な絵素では、ゲ
ートバスラインの選択時間内に供給されたソース信号の
みを充電し、充電した電荷を１周期分、すなわち、次の
選択時間が来るまでの間保持することになる。一方、レ
ーザー光の照射により絵素電極とソースバスラインが短
絡された絵素では、ゲートバスラインの選択、非選択に
かかわらず、常にソース信号が入力され、充電されるこ
とになる。従って、１周期を通して見ると、この間に入
力されたソース電圧の実効値が液晶に印加されることに
なる。このため、不良絵素が該不良絵素に帰属するソー
スバスラインに接続されたすべての絵素の平均的な明る
さに点灯することになる。このことは、不良絵素が完全
な輝点でも、黒点でもなく中間的な輝度で点灯すること
を意味する。それ故、レーザー光の照射で修正された不
良絵素は、正常に作動しているわけではないが、点欠陥
として極めて認識されにくい状態になる。すなわち、点
欠陥が実質的に修復されたといえる状態になる。

【００１０】図７は上記方法による修復動作を可能とし
た表示装置の一従来例を示しており、レーザー光の照射
によって絵素電極１２０とソースバスライン１１０とを
短絡し得る冗長構造を各絵素毎に具備する構成をとる。 この冗長構造は図７において、絵素電極１２０の左下部
に相当する部分に設けられ、ゲートバスライン１００か
ら絵素電極１２０に向けて突出するゲートバスライン突
出部１５０、該ゲートバスライン突出部１５０の先端部
に絶縁膜を介して重畳される導電体片１７０およびソー
スバスライン１１０から突出し、ゲートバスライン突出
部１５０に重畳されるソースバスライン突出部１６０で
構成される。これらはレーザー光が照射される前の初期
状態では相互に電気的に絶縁されている。なお、図中１
３０はＴＦＴを示している。

【００１１】図８はこの冗長構造を拡大して示しており
、上記のようにして点欠陥が発見されると、ガラス基板
越しに、まずレーザー光を図中破線で示す領域１７１に
照射し、これによりゲートバスライン突出部１５０の基
端部を切断する。次いで、ゲートバスライン突出部１５
０およびソースバスライン突出部１６０の重畳部におけ
る破線で示す領域１７２に２回目のレーザー光照射を行
い、これにより両突出部１５０、１６０を溶融させて両
者を電気的に接続する。その後、導電体片１７０の領域
１７３に３回目のレーザー光照射を行い、これにより導
電体片１７０とゲートバスライン突出部１５０とを電気
的に接続する。そうすると、導電体片１７０が絵素電極
１２０に電気的に接続されているので、以上３回のレー
ザー光照射によりソースバスライン１１０と絵素電極１
２０とが短絡され、これにより上記した理由によって点
欠陥が修正される。

【００１２】ところで、この種の表示装置においては、
表示品位を向上させるために付加容量が形成される。図
９は付加容量を備えた表示装置の一従来例を示しており
、絵素電極１２０の図中下部に相当する部分にゲートバ
スライン１００と平行に付加容量を形成するための付加
容量バスライン１８１を配線し、これにより図中斜線で
示される付加容量１８０を形成する構成をとる。より具
体的には、下部電極となる付加容量バスライン１８１上
に絶縁膜を挟んで絵素電極１２０と同じ材質の導電体膜
（上部電極）を積層して形成され、付加容量バスライン
１８１と導電体膜との間に付加容量１８０を持つ。

【００１３】なお、ガラス基板上に複数本配線される付
加容量バスライン１８１は該ガラス基板の端縁で短絡さ
れ、該ガラス基板と貼り合わせられる対向側基板と同電
位に設定される。それ故、電気回路的には付加容量１８
０が、絵素電極１２０と対向側基板との間に封入される
液晶容量に並列に配列されることになる。

【００１４】また、図１０は付加容量が形成される表示
装置の他の従来例を示しており、この従来例では、ＴＦ
Ｔ１３０を介して絵素電極１２０に接続されるゲートバ
スライン１００に隣接するゲートバスライン１００に図
中斜線で示す付加容量１８０を形成する構成をとる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、付加容
量を形成した図９および図１０に示す表示装置において
は、付加容量１８０を形成したことに伴う特有の絵素欠
陥を生じるおそれがある。すなわち、いずれの場合も付
加容量１８０にピンホール等の欠陥１８３が発生し、こ
れに起因して付加容量バスライン１８１およびゲートバ
スライン１００と絵素電極１２０との間に電流リークを
生じ、絵素欠陥を招来するという欠点がある。因みに、
図９の場合には、絵素電極１２０と付加容量バスライン
１８１との間で発生する電流リークにより、該絵素電極
１２０に対応する液晶に電圧が全く印加されないため、
絵素欠陥を生じる。

【００１６】このような欠陥１８３に伴う絵素欠陥は、
上記したレーザー光照射による短絡方法では修復するこ
とができない。すなわち、図９の場合では、ソースバス
ライン１１０を短絡したとしても、ソースバスライン１
１０からの信号が対向基板に流れるだけで、液晶には全
く電圧が印加されないため、絵素欠陥を修復することが
できない。また、図１０の場合には、絵素電極１２０を
介してソースバスライン１１０とゲートバスライン１０
０との間で電流リークを生じるため、線状の絵素欠陥と
して認識されるため、より大きな欠点となる。

【００１７】本発明はこのような従来技術の欠点を解決
するものであり、付加容量形成部に発生するピンホール
等の欠陥に起因する絵素欠陥を制作後に容易に修復でき
、歩留りの向上およびコストダウンが図れるアクティブ
マトリクス表示装置を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス表示装置は、一対の絶縁性基板の何れか一方の基
板上にゲートバスラインおよびソースバスラインを格子
状に配線し、両バスラインで囲まれた領域に絵素電極を
それぞれ配設すると共に、該絵素電極と該ゲートバスラ
インおよびソースバスラインにそれぞれスイッチング素
子を接続したアクティブマトリクス液晶表示装置におい
て、該絵素電極に臨設され、付加容量形成のための下部
電極となる導電体バスラインと、該導電体バスラインに
絶縁膜を介して一端部が重畳された第１導電体と、該第
１導電体の他端部下方に絶縁膜を挟んで重畳された第２
導電体と、該ソースバスラインから突出され、該第２導
電体の他端部上方に絶縁膜を挟んで重畳されたソースバ
スライン突出部と、該導電体バスラインの上に絶縁膜を
挟んで重畳され、該第１導電体形成部の上で該絵素電極
に接続された付加容量形成のための上部電極とを備えて
なり、そのことにより、上記目的が達成される。

【００１９】前記導電体バスラインの代わりに、前記ゲ
ートバスラインに隣接するゲートバスラインに絶縁膜を
介して前記第１導電体の一端部および前記上部電極を重
畳する構造であってもよい。

【００２０】

【作用】上記構造において、付加容量形成部にピンホー
ル等の欠陥に起因する絵素欠陥が発生していることを検
出すると、まず、該当する位置の第１導電体片の導電体
バスライン側端部に光エネルギの一例として、例えばレ
ーザー光を照射し、照射部で第１導電体片を導電体バス
ラインから切断する。この結果第１導電体片と導電体バ
スラインが絶縁状態になるので、付加容量部における電
流リークの影響が絵素電極に及ぶことがない。それ故、
この状態の絵素は、液晶に全く電圧が印加されない不良
を生じていない状態になる。

【００２１】次いで、ソースバスラインからの突出部と
第２導電体片の重畳部および第１導電体片と第２導電体
との重畳部にレーザー光を照射する。前者へのレーザー
光の照射により、ソースバスライン突出部と第２導電体
片に挟まれた絶縁膜が溶融破壊され、これにより照射部
の端部において両者が短絡されることになる。同様にし
て後者へのレーザー光の照射によって第１導電体片と第
２導電体片が短絡され、第１導電体片と電気的に接続状
態にある絵素電極と第２導電体片とが導通されることに
なる。従って、このような修復作業により、結局、ソー
スバスラインと絵素電極が電気的に接続されることにな
る。

【００２２】この結果、ゲートバスラインの選択、非選
択にかかわらず、不良絵素に常にソース信号が入力され
、結局、ソース電圧の実効値が液晶に印加され、不良絵
素は隣接したソースバスラインに接続されたすべての絵
素の平均的な明るさに点灯することになる。従って、欠
陥に伴う絵素不良が実質的に修復される。

【００２３】

【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。

【００２４】図１は本発明の一実施例にかかるアクティ
ブマトリクス表示装置を示しており、この表示装置は、
上下一対の透明絶縁性基板間に液晶を封入してなる。下
側のガラス基板１（図２および図３参照）上には、走査
線として機能する複数本のゲートバスライン１０、１０
…および信号線として機能する複数本のソースバスライ
ン２０、２０…が格子状に配線され、両バスライン１０
、２０で囲まれる矩形上の領域それぞれにＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ　　Ｔｉｎ　　Ｏｘｉｄｅ）膜からなる絵素電
極４０がマトリクス状に配設される。ゲートバスライン
１０にはこれから絵素電極４０側に向けて突出するゲー
ト電極１１が分岐され、該ゲート電極１１の先端寄りの
部分にＴＦＴ３０が形成される。ＴＦＴ３０はスイッチ
ング素子として機能し、絵素電極４０に接続される。ゲ
ート電極１１の先端は、ソースバスライン２０から絵素
電極４０に向けて突出形成されるソース電極３１の前方
まで延伸する。

【００２５】ＴＦＴ３０が接続されたゲートバスライン
１０に隣接するゲートバスライン１０と絵素電極４０と
の間には付加容量を形成するための付加容量バスライン
（下部電極）７０がゲートバスライン１０と平行に配線
され、該付加容量バスライン７０上には、ゲート絶縁膜
５０（図２および図３参照）を挟んで付加容量電極（上
部電極）７１が形成される。該付加容量バスライン７０
の前記ＴＦＴ３０と対向する部分にはこの方向に長い矩
形状をなす第１導電体片７２の一端部が絶縁膜７３を挟
んで積層されている。第１導電体片７２の他端部下方に
はゲート絶縁膜５０を挟んで第２導電体片７４が重畳さ
れる。なお、付加容量電極７１と絵素電極４０はＩＴＯ
膜をパターニングして同時に形成され、両者は第１導電
体片７２の上方で接続された状態にある。これにより図
中斜線で示す付加容量が形成される。

【００２６】加えて、第２導電体片７４の上方にはゲー
ト絶縁膜５０を挟んでソースバスライン突出部２１が重
畳される。該ソースバスライン突出部２１はソースバス
ライン２０の該当する位置から第１導電体片７２に向け
て突出形成される。

【００２７】次に、図２および図３に従いこの表示装置
の断面構造を工程順に説明する。まず、ガラス基板１上
にＴａ膜をスパッタリング法で積層し、次いで、フォト
リソグラフィの手法によりＴａ膜をパターニングしてゲ
ートバスライン１０およびゲート電極１１を形成する。 この時、同時に図３に示される第２導電体片７４が形成
される。なお、Ｔａ単層の膜に代えてＴｉ、Ａｌ、Ｃｒ
等の単層またはＴａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒの多層構造から
なる導電体で形成することにしてもよい。また、ゲート
バスライン１０とガラス基板１との間に、ベースコート
膜としてＴａ２Ｏ５等の絶縁膜１２（図３参照）を形成
することにしてもよい。

【００２８】次いで、ゲートバスライン１０上にプラズ
マＣＶＤ法により膜厚３００ｎｍのＳｉＮｘ膜からなる
ゲート絶縁膜５０を積層する。なお、ゲートバスライン
１０を陽極酸化してその表面にＴａ酸化膜を形成するこ
とにしてもよい。このようにすれば、２層の絶縁膜が形
成されるので、絶縁性をより向上できる利点がある。

【００２９】次に、ゲート絶縁膜５０に連続して、膜厚
３０ｎｍのａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜からな
る半導体層５２および膜厚２００ｎｍのＳｉＮｘ膜から
なるエッチングストッパー層５３を、プラズマＣＶＤ法
により順次積層する。そして、エッチングストッパー層
５３をパターニングすると、その後、リンを添加したｎ
＋アモルファスシリコン膜（以下ａ−Ｓｉという）をプ
ラズマＣＶＤ法により膜厚８０ｎｍで積層し、これをパ
ターニングしてコンタクト層６０ａ、６０ｂを形成する
。このコンタクト層６０ａ、６０ｂは、半導体層５２と
次に積層されるソース電極３１およびドレイン電極３２
とのオーミックコンタクトを良好にするために形成され
る。

【００３０】コンタクト層６０ａ、６０ｂをパターニン
グすると、その上にソース導電体をスパッタリング法に
より積層する。ソース導電体としては、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍ
ｏ、Ｃｒ等を選択し得るが、本実施例ではＴｉを採用し
た。次いで、ソース導電体をパターニングし、これによ
り、ソースバスライン２０（およびその突出部２１）、
ＴＦＴ３０のソース電極３１、ドレイン電極３２および
第１導電体片７２を形成する。次いで、ガラス基板１上
にＩＴＯ膜をスパッタリング法により積層し、これをパ
ターニングして絵素電極４０および付加容量電極７１を
形成する。絵素電極４０はＴＦＴ３０のドレイン電極３
２および第１導電体片７２上に積層され、これらと導通
した状態にある。

【００３１】次に、絵素電極４０上にＳｉＮｘからなる
保護膜層７５を積層し、その上に配向膜７６（図２参照
）を積層する。この保護膜層７５は絵素電極４０の中央
部を開口させた窓開き状に形成することもできる。また
、配向膜７６はガラス基板１と、該ガラス基板１に貼り
合わせられる対向基板との間に封入される表示媒体とし
ての液晶の液晶分子を配向させるために形成され、両基
板が貼り合わされて本実施例のアクティブマトリクス表
示装置が作成される。

【００３２】以上の表示装置において、付加容量電極７
１にピンホール等の欠陥が発生し、この欠陥により絵素
欠陥が発生している場合の修復方法を図４に従い以下に
説明する。なお、このような絵素欠陥は表示装置に表示
動作を行わせ、それを視認して発見される。また、この
時、上記従来技術で説明した絵素欠陥も発見されるが、
この修復方法については従来例同様であるので省略する
。

【００３３】さて、ピンホール等の欠陥に起因する絵素
欠陥を検出すると、まず、該当する位置の第１導電体片
７２の図中破線で示す領域９０（第導電体片７２の基部
）にガラス基板１越しに光エネルギの一例としてレーザ
ー光を照射する。本実施例では、レーザー照射装置とし
て、ＹＡＧレーザーを使用した。なお、レーザー光の照
射方向はガラス基板１側からでも、対向基板側からでも
よいが、本実施例では対向基板が遮光性の導電体で覆わ
れ、レーザー光を直接照射できないので、図３の白抜き
矢符で示すようにガラス基板１の裏面側から照射すると
よい。

【００３４】上記領域９０へのレーザー光の照射によっ
て、領域９０の導電体（第２導電体片７２および絵素電
極４０と付加容量電極７１との連設部）が四散し、照射
部を境にして両側部が切断される。この結果、絵素電極
４０と付加容量電極７１が絶縁状態になる。従って、こ
の状態では、付加容量部における電流リークの影響が絵
素電極４０に及ぶことがない。それ故、この状態の絵素
は、液晶に全く電圧が印加されない不良を生じていない
状態になる。

【００３５】次に、図４に破線で示す領域９１、９２に
順次レーザー光を照射する。ここで、領域９１はソース
バスライン２０からの突出部２１と第２導電体片７４の
重畳部に相当し、一方、領域９２は第１導電体片７２と
第２導電体７４との重畳部に相当する。従って、領域９
１への照射によってソースバスライン突出部２１と第２
導電体片７４に挟まれたゲート絶縁膜５０が溶融破壊さ
れ、これにより照射部の端部においてソースバスライン
突出部２１と第２導電体片７４が短絡されることになる
。同様にして領域９２への照射によって第１導電体片７
２と第２導電体片７４が短絡され、第１導電体片７２と
電気的に接続状態にある絵素電極４０と第２導電体片７
４が導通されることになる。それ故、領域９１および９
２へのレーザー光の照射によって、結局ソースバスライ
ン２０と絵素電極４０とが電気的に接続されることにな
る。

【００３６】この結果、ゲートバスラインの選択、非選
択にかかわらず、不良絵素に常にソース信号が入力され
、結局、ソース電圧の実効値が液晶に印加され、不良絵
素は隣接したソースバスラインに接続されたすべての絵
素の平均的な明るさに点灯することになる。従って、欠
陥に伴う絵素不良が実質的に修復される。加えて、両導
電体片７２、７４およびソースバスライン突出部２１で
形成される冗長構造部分は、上記のように保護膜層７５
で覆われているので、レーザー光の照射によって溶融し
た導電体原子が液晶中に混入するおそれがない。従って
、液晶の表示特性は良好に維持される。

【００３７】なお、領域９０への照射では導電体たる第
１導電体片７２および付加容量電極７１と絵素電極４０
の連設部を切断し、領域９１、９２への照射ではソース
バスライン突出部２１、両導電体片７２、７４を溶融す
るが、これはレーザー光の照射条件を適宜設定すること
により可能である。また、領域９０〜９２への照射順序
は、上記順序に限定されるものではない。

【００３８】上記した冗長構造は図５に示す構造であっ
てもよい。この場合には、レーザー光照射前の初期状態
において、ゲート絶縁膜５０を挟んだ上下の導電体、す
なわち、第２導電体片７４と第１導電体片７２およびゲ
ートバスライン突出部２１との間で電流リークを生じる
のを防止するために、ゲート絶縁膜５０とソースバスラ
イン突出部２１および第１導電体片７２との間に、半導
体層５２、エッチングストッパー層５３およびコンタク
ト層６１を積層する構造になっている。

【００３９】図６は本発明の他の実施例を示しており、
この実施例では付加容量電極７１をＴＦＴ３０に接続さ
れたゲートバスライン１０に隣接するゲートバスライン
１０上に形成すると共に、該ゲートバスライン１０のＴ
ＦＴ３０と対向する部分に前記第１導電体片７２、第２
導電体片７４を設け、該第２導電体片７４にソースバス
ライン突出部２１を重畳する冗長構造をとる。この実施
例によれば、上記実施例同様の修復動作が可能になるこ
とはもちろんのこと、以下に示す利点を有する。

【００４０】即ち、上記実施例のように、付加容量バス
ライン７０を設けると、該付加容量バスライン７０を設
けた分だけ光の遮断領域が増加するため、表示画面全体
が暗くなるが、この実施例の構造によれば、付加容量バ
スライン７０を設けないので、当然のことながら光の遮
断領域を低減でき、表示画面全体を明るくすることがで
きる。

【００４１】なお、この実施例による場合は、隣接する
ゲートバスライン１０が非選択状態のときに、これに対
向側と同じ信号を入力して、該ゲートバスライン１０を
付加容量バスラインとして活用する。

【００４２】

【発明の効果】以上の本発明によれば、従来困難であっ
た付加容量形成部におけるピンホール等の欠陥に起因す
る絵素不良をアクティブマトリクス表示層との作成後に
容易に修復することができる。また、スイッチング素子
の不良に起因する絵素不良の検出および修復をも併せて
行うことができる。従って、本発明によれば、アクティ
ブマトリクス表示装置の製造歩留りを向上でき、大幅な
コストダウンが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例にかかるアクティブマトリク
ス表示装置の平面図。

【図２】図１のＡ−Ａ線による断面図。

【図３】図４のＢ−Ｂ線による断面図。

【図４】図１の部分拡大図。

【図５】アクティブマトリクス表示装置の冗長構造の他
の例を示す図面。

【図６】本発明の他の実施例を示す平面図。

【図７】従来例を示す平面図。

【図８】図７の部分拡大図。

【図９】付加容量を有するアクティブマトリクス表示装
置の従来例を示す平面図。

【図１０】付加容量を有するアクティブマトリクス表示
装置の他の従来例を示す平面図。

【符号の説明】

１　　ガラス基板 １０　　ゲートバスライン ２０　　ソースバスライン ２１　　ソースバスライン突出部 ３０　　ＴＦＴ ４０　　絵素電極 ５０　　ゲート絶縁膜 ７０　　付加容量バスライン ７１　　付加容量電極 ７２　　第１導電体片 ７４　　第２導電体片

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一対の絶縁性基板の何れか一方の基板上に
   ゲートバスラインおよびソースバスラインを格子状に配
   線し、両バスラインで囲まれた領域に絵素電極をそれぞ
   れ配設すると共に、該絵素電極と該ゲートバスラインお
   よびソースバスラインにそれぞれスイッチング素子を接
   続したアクティブマトリクス液晶表示装置において、該
   絵素電極に臨設され、付加容量形成のための下部電極と
   なる導電体バスラインと、該導電体バスラインに絶縁膜
   を介して一端部が重畳された第１導電体と、該第１導電
   体の他端部下方に絶縁膜を挟んで重畳された第２導電体
   と、該ソースバスラインから突出され、該第２導電体の
   他端部上方に絶縁膜を挟んで重畳されたソースバスライ
   ン突出部と、該導電体バスラインの上に絶縁膜を挟んで
   重畳され、該第１導電体形成部の上で該絵素電極に接続
   された付加容量形成のための上部電極とを備えたアクテ
   ィブマトリクス表示装置。
2. 【請求項２】前記導電体バスラインの代わりに、前記ゲ
   ートバスラインに隣接するゲートバスラインに絶縁膜を
   介して前記第１導電体の一端部および前記上部電極を重
   畳した請求項１記載のアクティブマトリクス表示装置。