JP2514731B2 - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス表示装置Info
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、絵素電極にスイッチング素子を介して駆動
信号を印加することにより表示を行なう表示装置に関
し、特に絵素電極をマトリクス状に配列して高密度表示
を行うアクティブマトリクス表示装置に関する。
信号を印加することにより表示を行なう表示装置に関
し、特に絵素電極をマトリクス状に配列して高密度表示
を行うアクティブマトリクス表示装置に関する。
（従来の技術） 従来より、液晶表示装置、EL表示装置、プラズマ表示
装置等に於いては、マトリスク状に配列された絵素電極
を選択駆動することにより、画面上に表示パターンが形
成される。選択された絵素電極とこれに対向する対向電
極との間に電圧が印加され、その間に介在する表示媒体
の光学的変調が行われる。この光学的変調が表示パター
ンとして視認される。絵素電極の駆動方式として、個々
の独立した絵素電極を配列し、この絵素電極のそれぞれ
にスイッチング素子を接続して駆動するアクティブマト
リクス駆動方式が知られている。絵素電極を選択駆動す
るスイッチング素子としては、TFT（薄膜トランジス
タ）素子、MIM（金属−絶縁層−金属）素子、MOSトラン
ジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が一般的に知られ
ている。アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラ
ストの表示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードプ
ロセッサ、コンピュータの端末表示装置等に実用化され
ている。
装置等に於いては、マトリスク状に配列された絵素電極
を選択駆動することにより、画面上に表示パターンが形
成される。選択された絵素電極とこれに対向する対向電
極との間に電圧が印加され、その間に介在する表示媒体
の光学的変調が行われる。この光学的変調が表示パター
ンとして視認される。絵素電極の駆動方式として、個々
の独立した絵素電極を配列し、この絵素電極のそれぞれ
にスイッチング素子を接続して駆動するアクティブマト
リクス駆動方式が知られている。絵素電極を選択駆動す
るスイッチング素子としては、TFT（薄膜トランジス
タ）素子、MIM（金属−絶縁層−金属）素子、MOSトラン
ジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が一般的に知られ
ている。アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラ
ストの表示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードプ
ロセッサ、コンピュータの端末表示装置等に実用化され
ている。
このような表示装置を用いて高密度の表示を行う場
合、非常に多数の絵素電極とスイッチング素子とを配列
することが必要となる。しかしながら、スイッチング素
子は基板上に作製した時点で動作不良素子として形成さ
れることがある。このような不良素子に連結された絵素
電極は、表示に寄与しない絵素欠陥を生ずることにあ
る。
合、非常に多数の絵素電極とスイッチング素子とを配列
することが必要となる。しかしながら、スイッチング素
子は基板上に作製した時点で動作不良素子として形成さ
れることがある。このような不良素子に連結された絵素
電極は、表示に寄与しない絵素欠陥を生ずることにあ
る。
絵素欠陥を修正する為の構成が、例えば特開昭61−15
3619号公報に開示されている。この構成では、絵素電極
１個当り複数個のスイッチング素子が設けられる。複数
個のスイッチング素子のうち一つが絵素電極に接続さ
れ、他は絵素電極には接続されない。絵素電極に接続さ
れたスイッチング素子が不良の場合は、レーザトリマ、
超音波カッタ等により該スイッチング素子が絵素電極か
ら切り離され、他のスイッチング素子が絵素電極に接続
される。スイッチング素子と絵素電極との接続は、微小
な導体をディスペンサ等で付着させることにより、或い
は基板上にAu、Al等を所定部位にコートすることにより
行われる。更に、特開昭61−56382号公報及び特開昭59
−101693号公報には、レーザ光を照射して金属を溶融さ
せることにより、金属層相互間を電気的に接続する構成
が開示されている。
3619号公報に開示されている。この構成では、絵素電極
１個当り複数個のスイッチング素子が設けられる。複数
個のスイッチング素子のうち一つが絵素電極に接続さ
れ、他は絵素電極には接続されない。絵素電極に接続さ
れたスイッチング素子が不良の場合は、レーザトリマ、
超音波カッタ等により該スイッチング素子が絵素電極か
ら切り離され、他のスイッチング素子が絵素電極に接続
される。スイッチング素子と絵素電極との接続は、微小
な導体をディスペンサ等で付着させることにより、或い
は基板上にAu、Al等を所定部位にコートすることにより
行われる。更に、特開昭61−56382号公報及び特開昭59
−101693号公報には、レーザ光を照射して金属を溶融さ
せることにより、金属層相互間を電気的に接続する構成
が開示されている。
上記の欠陥修正は、表示装置を組み立てる前のアクテ
ィブマトリクス基板の状態で行われなければならない。
ところが、絵素欠陥をアクティブマトリクス基板の製作
段階で検出することは極めて困難である。特に、10万個
〜50万個、又はそれ以上の絵素数を有する大型表示装置
では、全ての絵素電極の電気的特性を検出して不良スイ
ッチング素子を発見するには、極めて高精度の測定機器
等を使用しなければならない。このため、検査工程が繁
雑となり、量産性が阻害される。従って、コスト高にな
るという結果を招く。このような理由で、絵素数の多い
大型表示装置では、上述のレーザ光を用いた基板の状態
での絵素欠陥の修正を行なうことができないというのが
実情である。
ィブマトリクス基板の状態で行われなければならない。
ところが、絵素欠陥をアクティブマトリクス基板の製作
段階で検出することは極めて困難である。特に、10万個
〜50万個、又はそれ以上の絵素数を有する大型表示装置
では、全ての絵素電極の電気的特性を検出して不良スイ
ッチング素子を発見するには、極めて高精度の測定機器
等を使用しなければならない。このため、検査工程が繁
雑となり、量産性が阻害される。従って、コスト高にな
るという結果を招く。このような理由で、絵素数の多い
大型表示装置では、上述のレーザ光を用いた基板の状態
での絵素欠陥の修正を行なうことができないというのが
実情である。
第５図に従来の冗長構造を有するアクティブマトリク
ス基板の一例を示す。絶縁性基板上に走査線として機能
するゲートバス配線21と、信号線として機能するソース
バス配線23とが交差してしている。ゲートバス配線21及
びソースバス配線23によって囲まれた領域には、絵素電
極40が形成されている。ゲートバス配線21のゲートバス
配線21及びソースバス配線23の交差部付近からは、絵素
電極40が形成されている領域に向かって、ゲートバス支
線22が延びている。ゲートバス支線22上には、スイッチ
ング素子として薄膜トランジスタ（以下では「TFT」と
称する）31が形成されている。TFT31のソース電極はソ
ースバス配線23に接続され、ドレイン電極は絵素電極40
に接続されている。また、ゲートバス支線22上には、予
備TFT34が形成されている。予備TFT34のソース電極は、
TFT31のソース電極と同様に、ソースバス配線23に接続
されている。しかし、予備TFT34のドレイン電極は絵素
電極40には接続されておらず、後に接続し得るように絵
素電極40に近接して設けられている。
ス基板の一例を示す。絶縁性基板上に走査線として機能
するゲートバス配線21と、信号線として機能するソース
バス配線23とが交差してしている。ゲートバス配線21及
びソースバス配線23によって囲まれた領域には、絵素電
極40が形成されている。ゲートバス配線21のゲートバス
配線21及びソースバス配線23の交差部付近からは、絵素
電極40が形成されている領域に向かって、ゲートバス支
線22が延びている。ゲートバス支線22上には、スイッチ
ング素子として薄膜トランジスタ（以下では「TFT」と
称する）31が形成されている。TFT31のソース電極はソ
ースバス配線23に接続され、ドレイン電極は絵素電極40
に接続されている。また、ゲートバス支線22上には、予
備TFT34が形成されている。予備TFT34のソース電極は、
TFT31のソース電極と同様に、ソースバス配線23に接続
されている。しかし、予備TFT34のドレイン電極は絵素
電極40には接続されておらず、後に接続し得るように絵
素電極40に近接して設けられている。
（発明が解決しようとする課題） このアクティブマトリクス表示装置では、TFT31の不
良によって絵素欠陥が発生すると、予備TFT34を用いて
この欠陥が修正される。即ち、予備TFT34が絵素電極40
と電気的に接続される。この接続は、前述のように、微
小な導体をディスペンサ等で付着させることにより、或
いはAu、Al等を基板上の所定部位にコートすることによ
り、或いはレーザ光照射によって金属層を溶融させて電
気的に接続することにより、行われる。しかし、前述の
ようにこれらの修正はTFTが基板上に完成された時点で
行われるべきものであり、絵素欠陥の発生位置の特定が
容易な表示装置の状態では行われ得ない。
良によって絵素欠陥が発生すると、予備TFT34を用いて
この欠陥が修正される。即ち、予備TFT34が絵素電極40
と電気的に接続される。この接続は、前述のように、微
小な導体をディスペンサ等で付着させることにより、或
いはAu、Al等を基板上の所定部位にコートすることによ
り、或いはレーザ光照射によって金属層を溶融させて電
気的に接続することにより、行われる。しかし、前述の
ようにこれらの修正はTFTが基板上に完成された時点で
行われるべきものであり、絵素欠陥の発生位置の特定が
容易な表示装置の状態では行われ得ない。
第５図に示すアクティブマトリクス基板を用いた表示
装置では、絵素電極40の絶縁不良等によって生じた絵素
欠陥は修正され得ない。このような絵素欠陥の発生によ
る影響を低減するため、絵素電極40を複数の分割絵素電
極に分割し、それぞれの分割絵素電極にTFTを備えるこ
とが考えられる。このような構成によれば、分割絵素電
極の絶縁不良などによって絵素欠陥が発生しても、絵素
電極の全体が絵素欠陥となることを防ぐことができる。
装置では、絵素電極40の絶縁不良等によって生じた絵素
欠陥は修正され得ない。このような絵素欠陥の発生によ
る影響を低減するため、絵素電極40を複数の分割絵素電
極に分割し、それぞれの分割絵素電極にTFTを備えるこ
とが考えられる。このような構成によれば、分割絵素電
極の絶縁不良などによって絵素欠陥が発生しても、絵素
電極の全体が絵素欠陥となることを防ぐことができる。
このような表示装置では、分割絵素電極の絶縁不良等
によって、絵素電極全体が絵素欠陥となることを避ける
ことができるが、分割絵素電極に接続されたTFTの一つ
に不良が生じた場合にも、絵素電極全体が正常に機能す
ることができない。即ち、TFTの不良のみを考慮する場
合には、第５図の基板の方が冗長性に優れていると言え
る。
によって、絵素電極全体が絵素欠陥となることを避ける
ことができるが、分割絵素電極に接続されたTFTの一つ
に不良が生じた場合にも、絵素電極全体が正常に機能す
ることができない。即ち、TFTの不良のみを考慮する場
合には、第５図の基板の方が冗長性に優れていると言え
る。
本発明は上述のような問題点を解決するものであり、
本発明の目的は、絵素電極の絶縁不良等によって絵素欠
陥が生じても、該欠陥の影響が少なく、しかもスイッチ
ング素子の不良による絵素欠陥を、絵素欠陥の発生位置
を容易に特定できる表示装置の状態で修正し得るアクテ
ィブマトリクス表示装置を提供することである。
本発明の目的は、絵素電極の絶縁不良等によって絵素欠
陥が生じても、該欠陥の影響が少なく、しかもスイッチ
ング素子の不良による絵素欠陥を、絵素欠陥の発生位置
を容易に特定できる表示装置の状態で修正し得るアクテ
ィブマトリクス表示装置を提供することである。
（課題を解決するための手段） 本発明は、少なくとも一方が透光性を有する一対の絶
縁性基板と、該一対の絶縁性基板間に封入され印加電圧
に応答して光学的特性が変調される表示媒体と、前記透
光性を有する絶縁性基板内面にマトリクス状に配されか
つ複数の分割絵素電極に分割された絵素電極と、該分割
絵素電極のそれぞれに電気的に接続されたスイッチング
素子と、を有するアクティブマトリスク表示装置におい
て、互いに隣設する分割絵素電極の下方に敷設された欠
陥修正用接続部と、該接続部の中央付近に絶縁膜を介し
てドレイン電極が重畳された予備スイッチング素子と、
を備え、前記接続部は、その両端がそれぞれ分割絵素電
極に電気的に接続された金属片と絶縁膜を介して重畳さ
れ、外部からのレーザ光照射により前記金属片及び前記
ドレイン電極と相互熔融して導通状態となる金属材料で
構成されていることを特徴としている。
縁性基板と、該一対の絶縁性基板間に封入され印加電圧
に応答して光学的特性が変調される表示媒体と、前記透
光性を有する絶縁性基板内面にマトリクス状に配されか
つ複数の分割絵素電極に分割された絵素電極と、該分割
絵素電極のそれぞれに電気的に接続されたスイッチング
素子と、を有するアクティブマトリスク表示装置におい
て、互いに隣設する分割絵素電極の下方に敷設された欠
陥修正用接続部と、該接続部の中央付近に絶縁膜を介し
てドレイン電極が重畳された予備スイッチング素子と、
を備え、前記接続部は、その両端がそれぞれ分割絵素電
極に電気的に接続された金属片と絶縁膜を介して重畳さ
れ、外部からのレーザ光照射により前記金属片及び前記
ドレイン電極と相互熔融して導通状態となる金属材料で
構成されていることを特徴としている。
（作用） 上記構成からなるアクティブマトリクス表示装置を全
面駆動すれば、絵素欠陥を生じている分割絵素電極の位
置を容易に確認することができる。全絵素電極の駆動に
より、これに対応する表示媒体は駆動電圧に応じた光学
的変調を生ずる。しかし、スイッチング素子が不良の場
合は、この光学的変調が起こらず、絵素の一部が絵素欠
陥として視覚的に認識される。この絵素欠陥は微小な絵
素電極が数十万個以上配列されている表示装置に於いて
も、拡大レンズ等を使用すれば容易に識別が可能であ
る。
面駆動すれば、絵素欠陥を生じている分割絵素電極の位
置を容易に確認することができる。全絵素電極の駆動に
より、これに対応する表示媒体は駆動電圧に応じた光学
的変調を生ずる。しかし、スイッチング素子が不良の場
合は、この光学的変調が起こらず、絵素の一部が絵素欠
陥として視覚的に認識される。この絵素欠陥は微小な絵
素電極が数十万個以上配列されている表示装置に於いて
も、拡大レンズ等を使用すれば容易に識別が可能であ
る。
絵素欠陥の発生位置が認識されると、透光性の基板を
介して外部より、接続部の一対の金属片と、継手金属層
との重畳部にレーザ光等の光エネルギーが照射される。
レーザ光照射によって、一対の金属片と継手金属層との
間の絶縁膜が破壊される。絶縁膜の破壊により、隣接す
る分割絵素電極に電気的に接続されたそれぞれの金属片
と、継手金属層とが電気的に接続される。
介して外部より、接続部の一対の金属片と、継手金属層
との重畳部にレーザ光等の光エネルギーが照射される。
レーザ光照射によって、一対の金属片と継手金属層との
間の絶縁膜が破壊される。絶縁膜の破壊により、隣接す
る分割絵素電極に電気的に接続されたそれぞれの金属片
と、継手金属層とが電気的に接続される。
このようにして隣接する分割絵素電極が接続部によっ
て電気的に接続される。このように修正を行うと、隣接
する２つの分割絵素電極を１つのスイッチング素子で駆
動することになるため、隣接する２つの分割絵素電極を
正常に駆動し得ない場合がある。このような場合には、
更に予備スイッチング素子の出力端子と継手金属層とが
光エネルギー照射によって電気的に接続される。この接
続により、隣接する２つの分割絵素電極が、一方の正常
なスイッチング素子と、予備スイッチング素子とによっ
て駆動されることになる。
て電気的に接続される。このように修正を行うと、隣接
する２つの分割絵素電極を１つのスイッチング素子で駆
動することになるため、隣接する２つの分割絵素電極を
正常に駆動し得ない場合がある。このような場合には、
更に予備スイッチング素子の出力端子と継手金属層とが
光エネルギー照射によって電気的に接続される。この接
続により、隣接する２つの分割絵素電極が、一方の正常
なスイッチング素子と、予備スイッチング素子とによっ
て駆動されることになる。
上述のように予備スイッチング素子を継手金属層に電
気的に接続すると、隣接する分割絵素電極に接続された
両方のスイッチング素子の不良により絵素欠陥が発生し
ている場合にも、この絵素欠陥が修正され得る。即ち、
上記の接続により、絵素欠陥を生じている隣接する２つ
の分割絵素電極を、１つの予備スイッチング素子によっ
て駆動することもできる。
気的に接続すると、隣接する分割絵素電極に接続された
両方のスイッチング素子の不良により絵素欠陥が発生し
ている場合にも、この絵素欠陥が修正され得る。即ち、
上記の接続により、絵素欠陥を生じている隣接する２つ
の分割絵素電極を、１つの予備スイッチング素子によっ
て駆動することもできる。
また、接続部に形成されている一対の金属片のうち、
不良スイッチング素子が接続されている分割絵素電極に
接続された金属片のみと継手金属層とを電気的に接続
し、更に継手金属層と予備スイッチング素子の出力端子
とを接続してもよい。このように接続すれば、絵素欠陥
を生じている分割絵素電極が予備スイッチング素子によ
って駆動され、正常な分割絵素電極は元の正常なスイッ
チング素子のみによって駆動されることになる。
不良スイッチング素子が接続されている分割絵素電極に
接続された金属片のみと継手金属層とを電気的に接続
し、更に継手金属層と予備スイッチング素子の出力端子
とを接続してもよい。このように接続すれば、絵素欠陥
を生じている分割絵素電極が予備スイッチング素子によ
って駆動され、正常な分割絵素電極は元の正常なスイッ
チング素子のみによって駆動されることになる。
上記の何れの場合に於いても、絵素欠陥がスイッチン
グ素子のリーク不良によって生じている場合には、更に
該不良スイッチング素子が光エネルギーの照射により絵
素電極から切り離される。
グ素子のリーク不良によって生じている場合には、更に
該不良スイッチング素子が光エネルギーの照射により絵
素電極から切り離される。
本発明のアクティブマトリクス表示装置では、絵素欠
陥が分割絵素電極の何れかの絶縁不良によって生じてい
る場合には、絵素欠陥を修正することはできない。しか
し、絵素電極が複雑の分割絵素電極に分割されているた
め、分割絵素電極の一つに絵素欠陥が発生しても、絵素
電極全体が絵素欠陥を生じることはない。
陥が分割絵素電極の何れかの絶縁不良によって生じてい
る場合には、絵素欠陥を修正することはできない。しか
し、絵素電極が複雑の分割絵素電極に分割されているた
め、分割絵素電極の一つに絵素欠陥が発生しても、絵素
電極全体が絵素欠陥を生じることはない。
（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。
第１図に本発明のアクティブマトリクス表示装置の一
実施例に用いられるアクティブマトリクス基板の平面図
を示す。第２図に第１図のII−II線に沿った断面図を示
す。本実施例は透過型の液晶表示装置であるが、反射型
の液晶表示装置であっても同様である。本実施例を製造
工程に従って説明する。透明絶縁性基板51上にベースコ
ート膜52を堆積した。透明絶縁性基板51として、本実施
例ではガラス基板を用いた。また、ベースコート膜52と
して適切な材料は、SiNX、Ta2O5、Al2O3等である。本実
施例ではTa2O5を用いた。ベースコート膜52として適切
な厚さは3000〜9000Åであるが、本実施例では2000〜35
00Åに設定した。また、ベースコート膜52を必ずしも設
ける必要はない。
実施例に用いられるアクティブマトリクス基板の平面図
を示す。第２図に第１図のII−II線に沿った断面図を示
す。本実施例は透過型の液晶表示装置であるが、反射型
の液晶表示装置であっても同様である。本実施例を製造
工程に従って説明する。透明絶縁性基板51上にベースコ
ート膜52を堆積した。透明絶縁性基板51として、本実施
例ではガラス基板を用いた。また、ベースコート膜52と
して適切な材料は、SiNX、Ta2O5、Al2O3等である。本実
施例ではTa2O5を用いた。ベースコート膜52として適切
な厚さは3000〜9000Åであるが、本実施例では2000〜35
00Åに設定した。また、ベースコート膜52を必ずしも設
ける必要はない。
次に、スパッタリング法によってベースコート膜52上
にTa金属層を堆積し、このTa金属層のパターニングを行
って、ゲートバス配線21及びゲートバス支線22を形成し
た。ゲートバス配線21及びゲートバス支線22として適切
な材料は、Ta、Ti、Al、Cr等の単層又はこれらの多層金
属層である。また、ゲートバス配線21及びゲートバス支
線22のパターン形成と同時に、継手金属層46もパターン
形成した。従って、継手金属層46もTa金属で形成され
る。次に、基板51上の全面にゲート絶縁膜54を堆積し
た。ゲート絶縁膜54もベースコート膜52と同様の材料を
用いて形成される。本実施例ではプラズマCVDによって
形成したSiNXを用いた。また、ゲート絶縁膜54として適
切な厚さは1000〜7000Åである。本実施例ではゲート絶
縁膜54の厚さを2000〜3500Åとした。
にTa金属層を堆積し、このTa金属層のパターニングを行
って、ゲートバス配線21及びゲートバス支線22を形成し
た。ゲートバス配線21及びゲートバス支線22として適切
な材料は、Ta、Ti、Al、Cr等の単層又はこれらの多層金
属層である。また、ゲートバス配線21及びゲートバス支
線22のパターン形成と同時に、継手金属層46もパターン
形成した。従って、継手金属層46もTa金属で形成され
る。次に、基板51上の全面にゲート絶縁膜54を堆積し
た。ゲート絶縁膜54もベースコート膜52と同様の材料を
用いて形成される。本実施例ではプラズマCVDによって
形成したSiNXを用いた。また、ゲート絶縁膜54として適
切な厚さは1000〜7000Åである。本実施例ではゲート絶
縁膜54の厚さを2000〜3500Åとした。
次に、TFT31、32及び予備TFT34を、通常の製造工程に
よって作成した。これらのTFT31、32及び予備TFT34は、
それぞれスイッチング素子及び予備スイッチング素子と
して機能する。上述のゲート絶縁膜54上に、後に半導体
層となる真性半導体アモルファスシリコン（以下では
「ａ−Si（ｉ）」と称する）層、及び後に半導体層のエ
ッチングストッパとなるSiNX層を連続して堆積した。次
に、上記SiNX層のパターニングを行い、エッチングスト
ッパを形成した。更に、Ｐ（リン）を添加したn+型のア
モルファスシリコン（以下では「ａ−Si（n+）」と称す
る）層をプラズマCVDによって堆積した。ａ−Si（n+）
層は、後に形成される半導体層とソース電極及びドレイ
ン電極との間のオーミックコンタクトをとるためのコン
タクト層となる。このａ−Si（n+）層及びａ−Si（ｉ）
層のパターニングを行い、半導体層及びコンタクト層を
形成した。
よって作成した。これらのTFT31、32及び予備TFT34は、
それぞれスイッチング素子及び予備スイッチング素子と
して機能する。上述のゲート絶縁膜54上に、後に半導体
層となる真性半導体アモルファスシリコン（以下では
「ａ−Si（ｉ）」と称する）層、及び後に半導体層のエ
ッチングストッパとなるSiNX層を連続して堆積した。次
に、上記SiNX層のパターニングを行い、エッチングスト
ッパを形成した。更に、Ｐ（リン）を添加したn+型のア
モルファスシリコン（以下では「ａ−Si（n+）」と称す
る）層をプラズマCVDによって堆積した。ａ−Si（n+）
層は、後に形成される半導体層とソース電極及びドレイ
ン電極との間のオーミックコンタクトをとるためのコン
タクト層となる。このａ−Si（n+）層及びａ−Si（ｉ）
層のパターニングを行い、半導体層及びコンタクト層を
形成した。
次に、この基板上の全面にTi金属層をスパッタリング
法によって形成し、パターニングを行って、ソースバス
配線23、ソース電極61、62、64、ドレイン電極71、72、
74、及び金属片44、45を形成した。これらに用いる材料
として、Ti金属層の他に、Al、Mo、Cr等の金属が適して
いる。以上の工程により、第１図に示すように、ゲート
バス支線22上にTFT31、32、及び予備TFT34が形成され
る。第２図に示すように、金属片44及び45が継手金属層
46の両端に位置し、予備TFT34の出力端子であるドレイ
ン電極74は継手金属層46の中央に位置するように形成さ
れている。従って、継手金属層46と、金属片44、45及び
予備TFT34のドレイン電極74とは、前述のゲート絶縁膜5
4を挟んで絶縁状態で重畳されている。継手金属層46、
ゲート絶縁膜54、金属片44、45、及び予備TFT34のドレ
イン電極74によって、接続部30が形成されている。
法によって形成し、パターニングを行って、ソースバス
配線23、ソース電極61、62、64、ドレイン電極71、72、
74、及び金属片44、45を形成した。これらに用いる材料
として、Ti金属層の他に、Al、Mo、Cr等の金属が適して
いる。以上の工程により、第１図に示すように、ゲート
バス支線22上にTFT31、32、及び予備TFT34が形成され
る。第２図に示すように、金属片44及び45が継手金属層
46の両端に位置し、予備TFT34の出力端子であるドレイ
ン電極74は継手金属層46の中央に位置するように形成さ
れている。従って、継手金属層46と、金属片44、45及び
予備TFT34のドレイン電極74とは、前述のゲート絶縁膜5
4を挟んで絶縁状態で重畳されている。継手金属層46、
ゲート絶縁膜54、金属片44、45、及び予備TFT34のドレ
イン電極74によって、接続部30が形成されている。
次に、この基板上の全面に透明導電膜からなる絵素電
極40を形成した。本実施例では透明導電膜として、スパ
ッタリング法によって形成されたITO（Indium Tin Oxid
e）膜を用いた。このITO膜のパターニングを行い、絵素
電極40を形成した。第１図に示すように、絵素電極40は
分割絵素電極１及び42からなる。また、第２図に示すよ
うに、分解絵素電極41及び42は、それぞれ金属片44及び
45上にも形成されている。従って、金属片44及び45と、
分割絵素電極41及び42とはそれぞれ電気的に接続されて
いる。
極40を形成した。本実施例では透明導電膜として、スパ
ッタリング法によって形成されたITO（Indium Tin Oxid
e）膜を用いた。このITO膜のパターニングを行い、絵素
電極40を形成した。第１図に示すように、絵素電極40は
分割絵素電極１及び42からなる。また、第２図に示すよ
うに、分解絵素電極41及び42は、それぞれ金属片44及び
45上にも形成されている。従って、金属片44及び45と、
分割絵素電極41及び42とはそれぞれ電気的に接続されて
いる。
上述のように絵素電極40を形成した基板51上の全面に
保護膜55を形成した。本実施例では保護膜としてSiNXを
用いた。本実施例では保護膜を基板51上の全面に形成し
たが、分割絵素電極41及び42の中央の部分で除去した窓
開き構造としてもよい。また、分割絵素電極41及び42の
間からの光の漏れを防ぐために、分割絵素電極41及び42
の間にTa金属層等を用いて光シールドを形成してもよ
い。
保護膜55を形成した。本実施例では保護膜としてSiNXを
用いた。本実施例では保護膜を基板51上の全面に形成し
たが、分割絵素電極41及び42の中央の部分で除去した窓
開き構造としてもよい。また、分割絵素電極41及び42の
間からの光の漏れを防ぐために、分割絵素電極41及び42
の間にTa金属層等を用いて光シールドを形成してもよ
い。
次に、保護膜55上の全面に配向膜60を形成した。以上
により、第１図のアクティブマトリクス基板が完成され
る。第１図のアクティブマトリクス基板に対向する対向
基板上には、ITOからなる対向電極、及び配向膜が形成
されている。第１図の基板と、第１図の基板に対向する
対向基板との間に、表示媒体として液晶70が封入され、
本実施例のアクティブマトリクス表示装置が完成され
る。
により、第１図のアクティブマトリクス基板が完成され
る。第１図のアクティブマトリクス基板に対向する対向
基板上には、ITOからなる対向電極、及び配向膜が形成
されている。第１図の基板と、第１図の基板に対向する
対向基板との間に、表示媒体として液晶70が封入され、
本実施例のアクティブマトリクス表示装置が完成され
る。
本実施例のアクティブマトリクス表示装置では、TFT3
1及び32の不良により絵素欠陥を生じても、この絵素欠
陥を修正し得る。TFTの不良には、断不良とリーク不良
とがある。断不良とは、TFTがオン状態の時にもソース
電極及びドレイン電極の間に電流が流れない状態を言
う。また、リーク不良とは、TFTがオフ状態の時にもソ
ース電極及びドレイン電極の間に電流が流れる状態を言
う。TFTの断不良及びリーク不良の何れかによる絵素欠
陥が発生している場合には、以下のようにしてこの絵素
欠陥の修正が行われる。
1及び32の不良により絵素欠陥を生じても、この絵素欠
陥を修正し得る。TFTの不良には、断不良とリーク不良
とがある。断不良とは、TFTがオン状態の時にもソース
電極及びドレイン電極の間に電流が流れない状態を言
う。また、リーク不良とは、TFTがオフ状態の時にもソ
ース電極及びドレイン電極の間に電流が流れる状態を言
う。TFTの断不良及びリーク不良の何れかによる絵素欠
陥が発生している場合には、以下のようにしてこの絵素
欠陥の修正が行われる。
まず、本実施例のアクティブマトリクス表示装置を全
面駆動し、絵素欠陥の発生位置を確認する。全絵素電極
の駆動により、これらに対応する液晶70は駆動電圧に応
じて配向変換され、光学的変調を生ずる。しかし、TFT3
1及び32の何れかが不良の場合はこの光学的変調が起こ
らず、絵素の一部が絵素欠陥として視覚的に認識され
る。この絵素欠陥は拡大レンズ等を使用すれば容易に認
識が可能である。
面駆動し、絵素欠陥の発生位置を確認する。全絵素電極
の駆動により、これらに対応する液晶70は駆動電圧に応
じて配向変換され、光学的変調を生ずる。しかし、TFT3
1及び32の何れかが不良の場合はこの光学的変調が起こ
らず、絵素の一部が絵素欠陥として視覚的に認識され
る。この絵素欠陥は拡大レンズ等を使用すれば容易に認
識が可能である。
分割絵素電極41に接続さえたTFT31が不良の場合に
は、第２図の矢印81及び82に示すように、透光性の基板
51を介して外部より、接続部30の金属片44及び45と継手
金属層46との重畳部に、レーザ光等の光エネルギーが照
射される。本実施例ではYAGレーザ光を用いた。レーザ
光照射により、金属片44と継手金属層46との間、及び金
属片45と継手金属層46との間のゲート絶縁膜54が絶縁破
壊される。ゲート絶縁膜54の絶縁破壊により、隣接する
分割絵素電極41及び42に電気的に接続されたそれぞれの
金属片44及び45と、継手金属層46とが電気的に接続され
る。そして、本実施例では保護膜55が形成されているの
で、レーザ光照射によって溶融した金属等が表示媒体で
ある液晶70中に混入することもない。このようにして不
良TFT31が接続された分割絵素電極41は、接続部30の継
手金属層46を通じて、分割絵素電極42に電気的に接続さ
れる。このように接続を行うと、隣接する２つの分割絵
素電極41及び42を１つのTFT32で駆動することになる。
は、第２図の矢印81及び82に示すように、透光性の基板
51を介して外部より、接続部30の金属片44及び45と継手
金属層46との重畳部に、レーザ光等の光エネルギーが照
射される。本実施例ではYAGレーザ光を用いた。レーザ
光照射により、金属片44と継手金属層46との間、及び金
属片45と継手金属層46との間のゲート絶縁膜54が絶縁破
壊される。ゲート絶縁膜54の絶縁破壊により、隣接する
分割絵素電極41及び42に電気的に接続されたそれぞれの
金属片44及び45と、継手金属層46とが電気的に接続され
る。そして、本実施例では保護膜55が形成されているの
で、レーザ光照射によって溶融した金属等が表示媒体で
ある液晶70中に混入することもない。このようにして不
良TFT31が接続された分割絵素電極41は、接続部30の継
手金属層46を通じて、分割絵素電極42に電気的に接続さ
れる。このように接続を行うと、隣接する２つの分割絵
素電極41及び42を１つのTFT32で駆動することになる。
上述のような絵素欠陥の修正を行うと、隣接する２つ
の分割絵素電極41及び42を正常に駆動し得ない場合があ
る。このような場合には、更に予備TFT34の出力端子で
あるドレイン電極74と、継手金属層46とが光エネルギー
照射によって電気的に接続される。この接続により、隣
接する２つの分割絵素電極41及び42が、一方の正常なTF
T32と、予備TFT34とによって駆動されることになる。
の分割絵素電極41及び42を正常に駆動し得ない場合があ
る。このような場合には、更に予備TFT34の出力端子で
あるドレイン電極74と、継手金属層46とが光エネルギー
照射によって電気的に接続される。この接続により、隣
接する２つの分割絵素電極41及び42が、一方の正常なTF
T32と、予備TFT34とによって駆動されることになる。
上述のように予備TFT34を継手金属層46に電気的に接
続すると、隣接する分割絵素電極41及び42に接続された
両方のTFT31及び32の不良により絵素電極40の全体に絵
素欠陥が発生している場合にも、この絵素欠陥が修正さ
れ得る。即ち、上記の接続により、絵素欠陥を生じてい
る２つの分割絵素電極41及び42を、１つの予備TFT34に
よって駆動することもできる。
続すると、隣接する分割絵素電極41及び42に接続された
両方のTFT31及び32の不良により絵素電極40の全体に絵
素欠陥が発生している場合にも、この絵素欠陥が修正さ
れ得る。即ち、上記の接続により、絵素欠陥を生じてい
る２つの分割絵素電極41及び42を、１つの予備TFT34に
よって駆動することもできる。
また、一対の金属片44及び45のうち、不良TFT31が接
続されている分割絵素電極41に接続された金属片44のみ
と継手金属層46とを電気的に接続し、更に、継手金属層
46と予備TFT34のドレイン電極74とを接続してもよい。
このように接続すれば、絵素欠陥を生じている分割絵素
電極41が予備TFT34によって駆動され、正常な分割絵素
電極42は正常なTFT32のみによって駆動されることにな
る。
続されている分割絵素電極41に接続された金属片44のみ
と継手金属層46とを電気的に接続し、更に、継手金属層
46と予備TFT34のドレイン電極74とを接続してもよい。
このように接続すれば、絵素欠陥を生じている分割絵素
電極41が予備TFT34によって駆動され、正常な分割絵素
電極42は正常なTFT32のみによって駆動されることにな
る。
上記の何れの場合に於いても、TFT31がリーク不良を
起こしている場合には、この不良TFT31のドレイン電極7
1に光エネルギーが照射され、分割絵素電極41と不良TFT
31とが切り離される。このような切断を確実に行うに
は、TFT31と分割絵素電極41との間の距離が５μｍ以上
であることが必要なことが確認されている。
起こしている場合には、この不良TFT31のドレイン電極7
1に光エネルギーが照射され、分割絵素電極41と不良TFT
31とが切り離される。このような切断を確実に行うに
は、TFT31と分割絵素電極41との間の距離が５μｍ以上
であることが必要なことが確認されている。
分割絵素電極42に接続されたTFT32の不良によって絵
素欠陥が発生している場合も、同様に修正され得ること
は明らかである。
素欠陥が発生している場合も、同様に修正され得ること
は明らかである。
本発明のアクティブマトリクス表示装置では、絵素欠
陥が分割絵素電極41及び42の何れか一方の絶縁不良によ
って生じている場合には、絵素欠陥を修正することはで
きない。しかし、絵素電極40が２つの分割絵素電極41及
び42に分割されているため、分割絵素電極41及び42の一
つに絵素欠陥が発生しても、他方の分割絵素電極が正常
に動作する。従って、絵素電極40の全体が絵素欠陥を生
じることはない。
陥が分割絵素電極41及び42の何れか一方の絶縁不良によ
って生じている場合には、絵素欠陥を修正することはで
きない。しかし、絵素電極40が２つの分割絵素電極41及
び42に分割されているため、分割絵素電極41及び42の一
つに絵素欠陥が発生しても、他方の分割絵素電極が正常
に動作する。従って、絵素電極40の全体が絵素欠陥を生
じることはない。
第３図に本発明の他の実施例に用いられるアクティブ
マトリクス基板の平面図を示す。本実施例では、TFT3
1、32及び予備TFT34はゲートバス配線21上に直接設けら
れ、ゲートバス支線22を有していない。また、TFT31、3
2及び予備TFT34のそれぞれのソース電極61、62及び64
は、ソースバス支線24によってソースバス配線23に電気
的に接続されている。接続部30の断面構成は、第２図に
示すものと同様である。本実施例に於いても、TFT31、3
2の不良によって絵素欠陥が生じても、第１図の実施例
と同様に修正され得る。
マトリクス基板の平面図を示す。本実施例では、TFT3
1、32及び予備TFT34はゲートバス配線21上に直接設けら
れ、ゲートバス支線22を有していない。また、TFT31、3
2及び予備TFT34のそれぞれのソース電極61、62及び64
は、ソースバス支線24によってソースバス配線23に電気
的に接続されている。接続部30の断面構成は、第２図に
示すものと同様である。本実施例に於いても、TFT31、3
2の不良によって絵素欠陥が生じても、第１図の実施例
と同様に修正され得る。
第４図に本発明の更に他の実施例に用いられるアクテ
ィブマトリクス基板の平面図を示す。本実施例では絵素
電極40は３つの分割絵素電極41、42及び43に分割されて
いる。分割絵素電極41、42及び43には、TFT31、32及び3
3がそれぞれ接続されている。これらのTFT31、32及び33
はゲートバス支線22上に形成されている。隣接する２つ
の分割絵素電極41及び42の間には、これらの間を橋絡す
る接続部30aが形成され、該接続部30aに近接して予備TF
T34が形成されている。予備TFT34のドレイン電極が接続
部30aの継手金属層46上に延びている。同様に、分割絵
素電極42及び43の間には、これらの間を橋絡する接続部
30bが形成され、該接続部30bに近接して予備TFT35が形
成されている。予備TFT35のドレイン電極が接続部30bの
継手金属層46上に延びている。予備TFT34及び35もTFT3
1、32、33と同様に、ゲートバス支線22上に形成されて
いる。接続部30a及び30bの断面構成は、第２図に示すも
のと同様である。
ィブマトリクス基板の平面図を示す。本実施例では絵素
電極40は３つの分割絵素電極41、42及び43に分割されて
いる。分割絵素電極41、42及び43には、TFT31、32及び3
3がそれぞれ接続されている。これらのTFT31、32及び33
はゲートバス支線22上に形成されている。隣接する２つ
の分割絵素電極41及び42の間には、これらの間を橋絡す
る接続部30aが形成され、該接続部30aに近接して予備TF
T34が形成されている。予備TFT34のドレイン電極が接続
部30aの継手金属層46上に延びている。同様に、分割絵
素電極42及び43の間には、これらの間を橋絡する接続部
30bが形成され、該接続部30bに近接して予備TFT35が形
成されている。予備TFT35のドレイン電極が接続部30bの
継手金属層46上に延びている。予備TFT34及び35もTFT3
1、32、33と同様に、ゲートバス支線22上に形成されて
いる。接続部30a及び30bの断面構成は、第２図に示すも
のと同様である。
本実施例に於いて、TFT31又は32の不良により絵素欠
陥を生じている場合には、接続部30aを用いて第１図の
実施例と同様に修正することができる。また、本実施例
ではTFT32又は33の不良により絵素欠陥を生じている場
合にも、接続部30bを用いて第１図の実施例と同様に修
正することができる。従って、TFT32の不良による絵素
欠陥は、接続部30a及び30bの何れを用いても修正され得
る。また、本実施例では絵素電極40が３つの分割絵素電
極41、42及び43に分割されているので、これらの分割絵
素電極の１つが絶縁不良となり絵素欠陥を生じても、残
りの２つの分割絵素電極が正常に動作すれば、該絵素欠
陥による画像品位の低下を抑制することができる。
陥を生じている場合には、接続部30aを用いて第１図の
実施例と同様に修正することができる。また、本実施例
ではTFT32又は33の不良により絵素欠陥を生じている場
合にも、接続部30bを用いて第１図の実施例と同様に修
正することができる。従って、TFT32の不良による絵素
欠陥は、接続部30a及び30bの何れを用いても修正され得
る。また、本実施例では絵素電極40が３つの分割絵素電
極41、42及び43に分割されているので、これらの分割絵
素電極の１つが絶縁不良となり絵素欠陥を生じても、残
りの２つの分割絵素電極が正常に動作すれば、該絵素欠
陥による画像品位の低下を抑制することができる。
第４図の実施例では、絵素電極40は３つの分割絵素電
極に分割されているが、更に多くの分割絵素電極に分割
することもできる。しかし、絵素電極をより多くの分割
絵素電極に分割すると、それに伴いTFT及び予備TFTの占
める面積が大きくなり、表示装置の開口率（画面の面積
に対する表示に寄与する部分の面積の割合）が低下す
る。従って、絵素電極を適切な分割絵素電極の数に分解
することが必要である。
極に分割されているが、更に多くの分割絵素電極に分割
することもできる。しかし、絵素電極をより多くの分割
絵素電極に分割すると、それに伴いTFT及び予備TFTの占
める面積が大きくなり、表示装置の開口率（画面の面積
に対する表示に寄与する部分の面積の割合）が低下す
る。従って、絵素電極を適切な分割絵素電極の数に分解
することが必要である。
上記の３つの実施例では、スイッチング素子としてTF
Tを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
い。本発明はMIM素子、ダイオード、バリスタ等の種々
のスイッチング素子を用いた広範囲の表示装置にも適用
可能である。更に、表示媒体として、薄膜発光層、分散
型EL発光層、プラズマ発光体等を用いた各種表示装置に
も適用し得る。
Tを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
い。本発明はMIM素子、ダイオード、バリスタ等の種々
のスイッチング素子を用いた広範囲の表示装置にも適用
可能である。更に、表示媒体として、薄膜発光層、分散
型EL発光層、プラズマ発光体等を用いた各種表示装置に
も適用し得る。
（発明の効果） 本発明のアクティブマトリクス表示装置では、分割絵
素電極の絶縁不良による絵素欠陥の影響を低減すること
ができる。また、スイッチング素子の不良による絵素欠
陥が、該絵素欠陥の発生位置を容易に特定できる表示装
置の状態で修正され得るので、表示装置の歩留りが向上
し、コスト低減に寄与することができる。
素電極の絶縁不良による絵素欠陥の影響を低減すること
ができる。また、スイッチング素子の不良による絵素欠
陥が、該絵素欠陥の発生位置を容易に特定できる表示装
置の状態で修正され得るので、表示装置の歩留りが向上
し、コスト低減に寄与することができる。
第１図は本発明のアクティブマトリクス表示装置の一実
施例に用いられるアクティブマトリクス基板の平面図、
第２図は第１図のII−II線に沿った断面図、第３図は本
発明の表示装置の他の実施例に用いられるアクティブマ
トリクス基板の平面図、第４図は本発明の表示装置の更
に他の実施例に用いられるアクティブマトリクス基板の
平面図、第５図は従来の表示装置に用いられるアクティ
ブマトリクス基板の平面図である。 21……ゲートバス配線、22……ゲートバス支線、23ソー
スバス配線、24……ソースバス支線、30,30a,30b……接
続部、31,32,33……TFT、34,35……予備TFT、40……絵
素電極、41,42,43……分割絵素電極、44,45……金属
片、46……継手金属層、51……透明絶縁性基板、52……
ベースコート膜、54……ゲート絶縁膜、55……保護膜、
61,62,64……ソース電極、70……液晶、71,72,74……ド
レイン電極。
施例に用いられるアクティブマトリクス基板の平面図、
第２図は第１図のII−II線に沿った断面図、第３図は本
発明の表示装置の他の実施例に用いられるアクティブマ
トリクス基板の平面図、第４図は本発明の表示装置の更
に他の実施例に用いられるアクティブマトリクス基板の
平面図、第５図は従来の表示装置に用いられるアクティ
ブマトリクス基板の平面図である。 21……ゲートバス配線、22……ゲートバス支線、23ソー
スバス配線、24……ソースバス支線、30,30a,30b……接
続部、31,32,33……TFT、34,35……予備TFT、40……絵
素電極、41,42,43……分割絵素電極、44,45……金属
片、46……継手金属層、51……透明絶縁性基板、52……
ベースコート膜、54……ゲート絶縁膜、55……保護膜、
61,62,64……ソース電極、70……液晶、71,72,74……ド
レイン電極。
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも一方が透光性を有する一対の絶
縁性基板と、該一対の絶縁性基板間に封入され印加電圧
に応答して光学的特性が変調される表示媒体と、前記透
光性を有する絶縁性基板内面にマトリクス状に配されか
つ複数の分割絵素電極に分割された絵素電極と、該分割
絵素電極のそれぞれに電気的に接続されたスイッチング
素子と、を有するアクティブマトリスク表示装置におい
て、 互いに隣設する分割絵素電極の下方に敷設された欠陥修
正用接続部と、該接続部の中央付近に絶縁膜を介してド
レイン電極が重畳された予備スイッチング素子と、を備
え、 前記接続部は、その両端がそれぞれ分割絵素電極に電気
的に接続された金属片と絶縁膜を介して重畳され、外部
からのレーザ光照射により前記金属片及び前記ドレイン
電極と相互熔融して導通状態となる金属材料で構成され
ていることを特徴とするアクティブマトリクス表示装
置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2676690A JP2514731B2 (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | アクティブマトリクス表示装置 |
| US07/647,634 US5164851A (en) | 1990-02-05 | 1991-01-31 | Active matrix display device having spare switching elements connectable to divisional subpixel electrodes |
| TW080100842A TW198140B (ja) | 1990-02-05 | 1991-02-02 | |
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