JP6775325B2 - 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置に関し、特に、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置に関するものである。

マトリックス状に配置された複数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）をスイッチングデバイスとして用いたＴＦＴアクティブマトリックス基板（薄膜トランジスタ基板：以下、「ＴＦＴ基板」と称する）は、例えば、液晶を利用した表示装置（液晶表示装置（以下、「ＬＣＤ」とも称する。））、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）を利用した表示装置（発光表示装置）などの電気光学装置に利用されている。ＬＣＤには、ＴＦＴをスイッチングデバイスとして用いるＴＦＴ−ＬＣＤと、単純マトリックス型ＬＣＤとがあり、ＴＦＴ−ＬＣＤの方が表示品位の点で優れている。このためＴＦＴ−ＬＣＤは、モバイルコンピュータ、ノート型パソコン、あるいはテレビジョンなどのディスプレイ製品に広く用いられている。ＴＦＴ−ＬＣＤは、ＴＦＴ基板と、カラーフィルタなどが設けられた対向基板と、それらの間に保持された液晶層とを有している。その前面側と背面側の各々には偏光板が設けられ、うち一方の外側にはバックライトが設けられる。

ＬＣＤにおける液晶の駆動方式としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モードなどの縦電界方式と、ＩＰＳ（In Plane Switching）モード（「ＩＰＳ」は登録商標）、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードなどの横電界方式とがある。ＴＮモードに代表される縦電界方式の液晶表示装置では、画像信号に応じた電圧が印加される画素電極がＴＦＴ基板に設けられ、一定の電位（共通電位）に固定される共通電極が対向基板に設けられる。したがって、液晶層の液晶は、液晶表示装置の表面に対してほぼ垂直な電界によって駆動される。一方、横電界方式の液晶表示装置では、画素電極および共通電極の両方がＴＦＴ基板に設けられる。液晶層の液晶は、液晶表示装置の表面に対してほぼ水平な電界によって駆動される。特に、ＦＦＳモードのＴＦＴ基板では、画素電極と共通電極とが絶縁膜を介して上下に対向するように配置される。画素電極および共通電極はどちらが下に（液晶層から遠くに）配置されてもよい。下側（液晶層から遠い側）に配置される方は平板状に形成され、上側（液晶層に近い側）に配置される方は、スリットを有する格子状または櫛歯状に形成される。一般に、横電界方式の液晶表示装置は、縦電界方式のものに比べて、広い視野角を得るのに有利であり、パソコン、車載用表示機器などのディスプレイ製品では主流になりつつある。

ＴＦＴ基板の半導体材料としてはアモルファスシリコン（ａ-Ｓｉ）がこれまで広く用いられている。その場合において、液晶の駆動方式としては様々なものが用いられている。例えば特許文献１によれば、ＴＮモード用のＴＦＴ基板が開示されている。このようなＴＦＴ基板は、一般的には、（１）ゲート電極の形成工程、（２）ゲート絶縁膜およびチャネル層の形成工程、（３）ソース電極およびドレイン電極の形成工程、（４）保護絶縁膜へのコンタクトホール形成工程、（５）画素電極の形成工程、という計５回の写真製版工程を用いて製造され得る。また、例えば特許文献２によれば、ＦＦＳモード用のＴＦＴ基板が開示されている。このようなＴＦＴ基板は、一般的には、（１）ゲート電極の形成工程、（２）ゲート絶縁膜およびチャネル層の形成工程、（３）ソース電極およびドレイン電極の形成工程、（４）保護絶縁膜へのコンタクトホール形成工程、（５）画素電極の形成工程、（６）層間絶縁膜へのコンタクトホール形成工程、（７）共通電極の形成工程、という計７回の写真製版工程を用いて製造され得る。

ＦＦＳモード用のＴＦＴ基板の画素単位の各々には、絶縁膜によってＴＦＴから隔てられた共通電極および画素電極が設けられる。表示情報を表す外部からの任意の信号（電圧）は、信号線から、ＴＦＴと、絶縁膜に形成されたコンタクトホールとを介して、画素電極に印加される。ここで画素単位において、実際に表示に用いられる領域（以下、画素単位で表示に用いられる領域を「画素表示領域」と称する）となるのは、共通電極と画素電極とが重畳した領域である。一方、ＴＦＴ、コンタクトホール、信号線および走査線が配置された領域は、表示には用いられない領域（以下、「非画素表示領域」と称する）である。画素単位において、非画素表示領域が占める割合が大きくなることは、画素表示領域が占める割合が小さくなることを意味する。すなわち、開口率が下がることを意味する。開口率の低下は、表示装置の高精細化の妨げとなる。したがって、できる限り非画素表示領域を小さくすることが望まれる。

近年、ＴＦＴのための半導体材料として酸化物半導体を用い得ることが、非特許文献１に開示されている。酸化物半導体は従来のａ-Ｓｉよりも高い移動度を有しているので、性能を維持しつつＴＦＴの大きさを小さくすることができる。よって酸化物半導体は、上述した開口率を確保するのに有利である。このため酸化物半導体は、スマートフォンおよびモバイルコンピュータなどの携帯機器、ならびにパソコンなどへ適用され始めている。酸化物半導体としては、主に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料、または、ＺｎＯに酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃）および酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）が添加されている非晶質のＩｎＧａＺｎＯ系材料が用いられる。これらの技術は、例えば特許文献３および４などに開示されている。

酸化物半導体は、一般に、紫外線などの光により劣化しやすい。そこで、酸化物半導体層の上方に遮光の役割を持つ膜を配置することで、上方からの光入射の影響を防ぐことが考えられる。例えば特許文献５によれば、ＦＦＳモード用のＴＦＴ基板において、酸化物半導体を用いたＴＦＴ上に絶縁膜を介して共通電極が設けられている。共通電極上に部分的に遮光導体が設けられている。その上に、さらなる絶縁膜を介して、透明導電材料からなる画素電極が設けられている。画素電極は、両絶縁膜を貫通するコンタクトホールを通ってＴＦＴのドレイン電極に接続されている。遮光導体は、上述した遮光の役割だけでなく、共通電極を通る電気的経路の電気抵抗も下げる役割も有する。電気抵抗の低減は、より良好な画質を得ることにつながり得る。

特開平１０−２６８３５３号公報 特開２００９−１５１２８５号公報 特開２００５−７７８２２号公報 特開２００７−２８１４０９号公報 特開２０１３−１２２５３６号公報

Kenji Nomura外、「Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors」、Nature 2004年、第432巻、第488頁〜第492頁

上記特許文献５の技術においては、厚み方向において、ＴＦＴと、透明導電材料からなる画素電極との間に、共通電極が配置される。よって、ＴＦＴと画素電極との間の電気的経路が長くなる。またこの電気的経路が、金属材料の抵抗率に比して大きな抵抗率を有する透明導電材料によって形成される。このため電気的経路の電気抵抗が大きくなりやすい。それに起因して、表示不良が発生しやすい。この電気的経路を構成するコンタクトホールの面積を広くすれば、電気抵抗を小さくすることができる。しかしながら、それにより、非画素表示領域の面積が大きくなってしまう。その結果、開口率が下がってしまう。以上のように、従来技術では、十分な開口率を確保しつつ表示不良を抑制することが難しい。

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、開口率を確保しつつ表示不良を抑制することができる薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置を提供することである。

本発明の一の局面に従う薄膜トランジスタ基板は、マトリックス状に配置された複数の画素を有する表示領域を含むものである。薄膜トランジスタ基板は、支持基板と、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、チャネル層と、ソース配線と、ドレイン電極と、第１の絶縁膜と、画素電極と、第２の絶縁膜と、共通電極と、金属層とを有している。ゲート配線は、支持基板上に設けられており、画素の各々に配置されたゲート電極を含む。ゲート絶縁膜はゲート配線を覆っている。チャネル層は、ゲート絶縁膜を介してゲート電極の各々の上に設けられており、酸化物半導体からなる。ソース配線は、画素の各々に配置されかつチャネル層に接するソース電極を含む。ドレイン電極は、画素の各々に配置されており、チャネル層に接しており、ソース電極から離れている。第１の絶縁膜は、チャネル層とソース配線とドレイン電極との上に設けられており、ドレイン電極に達するドレインコンタクトホールが設けられている。画素電極は、画素の各々において第１の絶縁膜上に設けられており、ドレインコンタクトホールによってドレイン電極に電気的に接続された接続導電層を含み、透明導電材料からなる。第２の絶縁膜は画素電極を覆っている。共通電極は、第２の絶縁膜上に設けられており、厚み方向において画素電極と対向する開口部を有しており、透明導電材料からなる。金属層は、共通電極の一部と積層構造を有しており、平面視においてチャネル層と少なくとも部分的に重なる遮光部を有している。金属層の一部は、画素電極と同層に配置されるように第１の絶縁膜の一部の上に設けられており、第２の絶縁膜に覆われている。

本発明の他の局面に従う薄膜トランジスタ基板は、マトリックス状に配置された複数の画素を有する表示領域を含むものである。薄膜トランジスタ基板は、支持基板と、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、チャネル層と、ソース配線と、ドレイン電極と、第１の絶縁膜と、画素電極と、金属層と、第２の絶縁膜と、共通電極とを有している。ゲート配線は、支持基板上に設けられており、画素の各々に配置されたゲート電極を含む。ゲート絶縁膜は、ゲート配線を覆っており、ゲート配線に達する第１のゲートコンタクトホールが設けられている。チャネル層は、ゲート絶縁膜を介してゲート電極の各々の上に設けられており、酸化物半導体からなる。ソース配線は、画素の各々に配置されかつチャネル層に接するソース電極を含む。ドレイン電極は、画素の各々に配置されており、チャネル層に接しており、ソース電極から離れている。第１の絶縁膜は、チャネル層とソース配線とドレイン電極との上に設けられており、第１のゲートコンタクトホールにつながれた第２のゲートコンタクトホールと、ドレイン電極に達するドレインコンタクトホールとが設けられている。画素電極は、画素の各々において第１の絶縁膜上に設けられており、ドレインコンタクトホールによってドレイン電極に電気的に接続された接続導電層を含み、透明導電材料からなる。金属層は、第１の絶縁膜上に部分的に設けられており、平面視においてチャネル層と少なくとも部分的に重なる遮光部を有している。第２の絶縁膜は画素電極および金属層を覆っている。共通電極は、第２の絶縁膜上に設けられており、厚み方向において画素電極と対向する開口部を有しており、透明導電材料からなる。金属層は、第１のゲートコンタクトホールおよび第２のゲートコンタクトホールによってゲート配線に電気的に接続されている。

本発明の一の局面に従う薄膜トランジスタ基板によれば、厚み方向において、ＴＦＴと、透明導電材料からなる画素電極との間に、共通電極が配置されなくてよい。これにより、これらの間に共通電極が配置される場合に比して、ＴＦＴと画素電極との間の電気的経路を短くし得る。よって、その電気抵抗が過度に大きくなることを避けつつ、当該電気的経路を構成するコンタクトホールの面積を抑えることができる。よって、非画素表示領域の面積を抑えることができる。よって、大きな開口率を確保しやすくなる。さらに、第１に、チャネル層にとっての遮光部を有する金属層が設けられる。これにより、酸化物半導体からなるチャネル層の、光に起因した劣化が抑制される。よって、チャネル層の劣化に起因しての表示制御の不良が抑制される。第２に、金属層は共通電極の一部と積層構造を有している。この積層構造は、低抵抗の電気的経路を構成する。これにより、薄膜トランジスタ基板内での共通電極の電位の差異が抑制される。よって、薄膜トランジスタ基板を用いた表示装置の表示むらが抑制される。以上から、開口率を確保しつつ、表示不良を抑制することができる。

本発明の他の局面に従う薄膜トランジスタ基板によれば、厚み方向において、ＴＦＴと、透明導電材料からなる画素電極との間に、共通電極が配置されなくてよい。これにより、これらの間に共通電極が配置される場合に比して、ＴＦＴと画素電極との間の電気的経路を短くし得る。よって、その電気抵抗が過度に大きくなることを避けつつ、当該電気的経路を構成するコンタクトホールの面積を抑えることができる。よって、非画素表示領域の面積を抑えることができる。よって、大きな開口率を確保しやすくなる。さらに、第１に、チャネル層にとっての遮光部を有する金属層が設けられる。これにより、酸化物半導体からなるチャネル層の、光に起因した劣化が抑制される。よって、チャネル層の劣化に起因しての表示制御の不良が抑制される。第２に、金属層はゲート電極に電気的に接続されている。これにより、金属層に含まれる遮光部と、ゲート電極との間での高電界の発生が避けられる。よって、遮光部とゲート電極との間に配置されたチャネル層が高電界に起因して劣化することが防止される。よって、チャネル層の劣化に起因しての表示制御の不良がより抑制される。以上から、十分な開口率を確保しつつ、表示不良を抑制することができる。

本発明の実施の形態１における液晶装置の構成を概略的に示す部分断面図である。 図１の薄膜トランジスタ基板の構成を模式的に示す平面図である。 図２の薄膜トランジスタ基板が有する複数の画素の各々の構成を概略的に示す部分平面図である。 図３と同様の視野での図であり、複数の画素の各々の構成を、一部の部材の図示を省略しつつ概略的に示す部分平面図である。 図３および図４の線Ｖ−Ｖに沿う概略部分断面図である。 本発明の実施の形態２における薄膜トランジスタ基板が有する複数の画素の各々の構成を、一部の部材の図示を省略しつつ概略的に示す部分平面図である。 図６の線ＶＩＩ−ＶＩＩに沿う概略部分断面図である。 本発明の実施の形態３における薄膜トランジスタ基板が有する複数の画素の各々の構成を、一部の部材の図示を省略しつつ概略的に示す部分平面図である。 図８の線ＩＸ−ＩＸに沿う概略部分断面図である。 本発明の実施の形態５における薄膜トランジスタ基板の額縁領域の構成を概略的に示す部分断面図である。 図１０の変形例を示す部分断面図である。

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、図面は模式的なものであり、示された構成要素の正確な大きさなどを反映するものではない。また、図面が煩雑とならないように、発明の主要部以外の省略および構成の一部簡略化などを適宜行っている。さらに、図２以降の図においては、既出の図において説明したものと同一のまたは相当する構成要素には同一の符号を付し、その説明については省略する。

＜実施の形態１＞
（液晶表示装置の構成）
図１は、本実施の形態における液晶表示装置５００の構成を概略的に示す部分断面図である。液晶表示装置５００は、ＴＦＴ基板２００（薄膜トランジスタ基板）と、カラーフィルタ基板３００（対向基板）と、液晶層４００と、配向層１６１と、配向層１６２とを有している。カラーフィルタ基板３００は、ＴＦＴ基板２００と間隔を空けて配置されている。液晶層４００はＴＦＴ基板２００およびカラーフィルタ基板３００の間に保持されている。配向層１６１および１６２の各々は、液晶層４００を配向させるものである。配向層１６１および１６２のそれぞれは、ＴＦＴ基板２００およびカラーフィルタ基板３００上に設けられている。本実施の形態においては、液晶表示装置５００はＦＦＳモードのものである。

（ＴＦＴ基板の構成）
図２は、ＴＦＴ基板２００の構成を模式的に示す平面図である。ＴＦＴ基板２００は、画像を表示する表示領域１０１と、表示領域１０１の外に設けられた額縁領域１０２とを有している。額縁領域１０２は、典型的には、図２に示されているように、表示領域１０１を囲んでいる。配向層１６１および１６２（図１）の各々は、平面視において、少なくとも表示領域１０１を包含するように配置されている。

ＴＦＴ基板２００は、額縁領域１０２において、複数の外部配線１０７と、複数の端子電極１０８と、複数のＩＣ（Integrated Circuit）チップ１０９とを有している。なお、図２では、便宜上、一つの端子電極１０８のみを図示している。外部配線１０７は、表示領域１０１の信号線１０３（ソース配線）および走査線１０４（ゲート配線）の各々から額縁領域１０２まで延びている配線である。端子電極１０８は、外部配線１０７の端部と電気的に接続されており、端子電極１０７の幅よりも大きな幅を有している。端子電極１０８は、外部接続用の端子であり、ここではＩＣチップ１０９およびプリント基板１１０などの外部部材と重なるように配置されている。これにより、外部部材が外部配線１０７に電気的に接続されている。ＩＣチップ１０９の端子は、端子電極１０８と、バンプまたはＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して電気的に接続されている。同じように、プリント基板１１０の端子は、端子電極１０８とバンプまたはＡＣＦを介して電気的に接続されている。

表示領域１０１には、複数の信号線１０３と、複数の走査線１０４と、これらと電気的に接続された複数のＴＦＴ１０５と、共通配線１０６とが設けられている。複数の信号線１０３および複数の走査線１０４は、互いに直交するように配設されている。隣接する信号線１０３と、隣接する走査線１０４とが囲む領域の各々には、１つの画素ＰＸ１が構成されている。これにより、複数の画素ＰＸ１がマトリックス状に配置されている。複数の画素ＰＸ１の各々にはＴＦＴ１０５が設けられている。よって複数のＴＦＴ１０５がマトリックス状に配列されている。

（画素の構成および機能）
図３は、各画素ＰＸ１の構成を概略的に示す部分平面図である。図４は、図３と同様の視野での図であり、各画素ＰＸ１の構成を、一部の部材の図示を省略しつつ概略的に示す部分平面図である。図５は、線Ｖ−Ｖ（図３および図４）に沿う概略部分断面図である。なお、図を見やすくするために、図４において金属層１５にドット模様が付されている。

ＴＦＴ基板２００は、透明絶縁性基板１００（支持基板）と、走査線１０４と、ゲート絶縁膜２と、チャネル層３１と、信号線１０３と、ドレイン電極４２と、絶縁膜２０（第１の絶縁膜）と、画素電極７１と、層間絶縁膜８（第２の絶縁膜）と、共通電極９１と、金属層１５とを有している。

走査線１０４は透明絶縁性基板１００上に設けられている。画素ＰＸ１の各々において走査線１０４の一部の領域はゲート電極１１としての機能を有している。言い換えれば、走査線１０４は、画素ＰＸ１の各々に配置されたゲート電極１１を含む。

ゲート絶縁膜２は走査線１０４を覆っている。ゲート絶縁膜２としては、例えばＳｉＮ膜もしくはＳｉＯ膜またはＳｉＯとＳｉＮとの積層膜などが用いられる。

チャネル層３１は、ゲート絶縁膜２を介してゲート電極１１の各々の上に、島状に設けられている。チャネル層３１は酸化物半導体からなる。酸化物半導体は、一般に、光によって劣化しやすい。

ゲート電極１１は、典型的にはＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｎｄ、Ｍｏ、Ｎｂなどの金属材料からなるので、遮光性を有している。この遮光性により、液晶表示装置５００（図１）の動作時に、図１の下側からのバックライトの光がチャネル層３１へ入射することが抑制される。この効果を高めるためには、チャネル層３１が平面視においてゲート電極１１に包含されていることが好ましい。

信号線１０３（図４）はゲート絶縁膜２（図５）上に設けられている。画素ＰＸ１の各々において信号線１０３の一部の領域はソース電極４１としての機能を有している。言い換えれば、信号線１０３は、画素ＰＸ１の各々に配置されたソース電極４１を含む。ソース電極４１はチャネル層３１の一方端部上に接している。

ドレイン電極４２は画素ＰＸ１の各々に配置されている。ドレイン電極４２は、チャネル層３１の他方端部上に接しており、ソース電極４１から離れている。チャネル層３１のうちソース電極４１とドレイン電極４２との間の部分が、ＴＦＴ１０５のチャネル領域として機能する。

絶縁膜２０は、表示領域１０１（図２）および額縁領域１０２（図２）に跨って設けられている。表示領域１０１において、絶縁膜２０はチャネル層３１と信号線１０３とドレイン電極４２との上に設けられている。絶縁膜２０には、ドレイン電極４２に達するドレインコンタクトホール１２１が設けられている。

絶縁膜２０は、保護絶縁膜５と、その上に積層された平坦化膜６とを有している。保護絶縁膜５および平坦化膜６のそれぞれにはコンタクトホール５１およびコンタクトホール６１が設けられている。これらが互いにつながることで、上述したドレインコンタクトホール１２１が構成されている。額縁領域１０２において、絶縁膜２０は、外部配線１０７上に設けられている。絶縁膜２０と外部配線１０７との間にゲート絶縁膜２が延びていてもよい。

保護絶縁膜５としては、例えば、ＳｉＮ膜もしくは酸化シリコン膜（ＳｉＯ膜）、またはＳｉＮとＳｉＯの積層膜などの無機絶縁膜が用いられる。保護絶縁膜５にＳｉＮ膜などの無機絶縁膜を用いることで、平坦化膜６などからの水分などによりＴＦＴ１０５の特性が劣化することを抑制することができる。それでだけでなく、無機絶縁膜は高い機械強度を有することから、外部からの傷が生じ難いという効果も得られる。

平坦化膜６はＴＦＴ１０５上に保護絶縁膜５を介して配置されている。平坦化膜６は、平坦化された上面を有している。平坦化膜６としては、例えば有機樹脂膜が用いられてもよい。有機樹脂は、優れた平坦性を有するので、平坦化膜６の材料に有機樹脂が適用された場合には、平坦化膜６下方のＴＦＴ１０５などの構造物の段差（高低差）が、平坦化膜６の上面に反映され難くなる。これにより、画素電極７１ひいては共通電極９１を平坦な平面上に形成することができる。

平坦化膜６としては、例えば、アクリルを主体とした有機樹脂膜、またはスピンオングラス（Spin On Glass：ＳＯＧ）膜が用いられてもよい。これらの比誘電率は３〜４程度であり、ＳｉＮの比誘電率（６〜７）などと比べて低い。このため、平坦化膜６にアクリル樹脂またはＳＯＧ膜が適用された場合には、信号線１０３と下部電極（画素電極７１）との間の寄生容量が小さくなる。これにより、信号線１０３から画素電極７１へのノイズの影響を抑制することができる。よって、ノイズに起因した表示品位の悪化を抑制することができる。なお、ノイズの影響を抑制するという点だけをみれば、平坦化膜６に、ＳＯＧ膜の誘電率と同程度の誘電率を有するＳｉＯ膜を適用することも考えられる。ただし、ＳｉＯ膜は、ＳｉＮ膜と同様、平坦化がやや困難である。

平坦化膜６の材料には、例えば、感光性を有する材料から形成された有機樹脂膜が用いられてもよい。その場合、フォトリソグラフィーによって、平坦化膜６に所望のパターンを有する開口を形成することができる。よって、コンタクトホール６１を、エッチングを行うことなく容易に形成することができる。そして、コンタクトホール６１が設けられた平坦化膜６をエッチングマスクとして用いたドライエッチングにより、保護絶縁膜５にコンタクトホール５１を形成することができる。

画素電極７１は絶縁膜２０の平坦化膜６上に設けられている。画素電極７１は、画素ＰＸ１の各々に配置されたパターンを有している。画素電極７１は透明導電材料からなる。透明導電材料としては、例えば、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）またはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などが用いられる。画素電極７１は、平板電極部分に加えて、接続導電層７１ａを有している。接続導電層７１ａはドレインコンタクトホール１２１によってドレイン電極４２に電気的に接続されている。接続導電層７１ａが設けられることにより、画素電極７１はドレイン電極４２に電気的に接続されている。図５においては画素電極７１の平板電極部分と接続導電層７１ａとが分離されているように見えるが、図４に示すように、両者は互いにつながっている。

層間絶縁膜８は画素電極７１上に設けられている。層間絶縁膜８は画素電極７１を覆っている。

共通電極９１は層間絶縁膜８上に設けられている。共通電極９１は透明導電材料からなる。透明導電材料としては、例えば、ＩＺＯまたはＩＴＯなどが用いられる。共通電極９１は、平面視において画素電極７１と部分的に重畳している。画素ＰＸ１の各々において共通電極９１はスリット９１ａ（開口部）を有している。スリット９１ａは厚み方向において層間絶縁膜８を介して画素電極７１と対向している。下部電極としての画素電極７１と、上部電極としての共通電極９１との間に電圧を印加すると、両電極間でフリンジ電界が発生する。フリンジ電界は、画素電極７１から出て、共通電極９１のスリット９１ａの開口部を介して上方に進み、共通電極９１の上方に配設された液晶層４００（図１）内にて水平方向（横方向）に向かってから、下側に位置する共通電極９１に向かう。このようにフリンジ電界は、透明絶縁性基板１００とほぼ水平な電界を含む。この水平な電界によって液晶層４００内の液晶分子が水平方向に駆動される。これにより、当該液晶分子を通過する光の偏光方向が画素ごとに適宜変更される。よって、表示領域１０１（図２）において、画素ＰＸ１を単位とした所望の表示を行うことが可能となる。

なお、共通電極９１（図３）と画素電極７１（図４）とが重畳された領域が、画素ＰＸ１を単位とした表示に用いられる領域、つまり画素表示領域１５１（図３）、である。カラーフィルタ基板３００（図１）が有する遮光膜（ブラックマトリックス）は、平面視において、画素表示領域１５１に対応する領域に開口部を有する。また、共通電極９１は複数の画素ＰＸ１に跨っていることで、共通配線１０６（図２）としての機能も有している。

ゲート電極１１とゲート絶縁膜２とチャネル層３１とソース電極４１とドレイン電極４２とにより、画素電極７１および共通電極９１の下方において透明絶縁性基板１００上に、ＴＦＴ１０５が構成されている。走査線１０４からゲート電極１１に供給される電圧により、ＴＦＴ１０５のオンとオフとが制御される。また、外部から入力された信号データに基づいて信号線１０３からソース電極４１に電圧が供給される。この構成により、信号線１０３から供給される信号データに基づいた電圧を、特定の画素ＰＸ１のドレイン電極４２に選択的に印加することができる。ドレイン電極４２に接続された画素電極７１には、電流（信号データ）が伝達される。信号データは、端子電極１０８（図２）に接続されたＩＣチップ１０９およびプリント基板１１０によって制御される。この制御は、外部から入力された表示データに基づいて行われる。以上により、複数の画素ＰＸ１の各々の表示が、外部から入力された表示データに基づいて制御される。

金属層１５は、共通電極９１の一部と積層構造を有している。図５に示された例においては、金属層１５は層間絶縁膜８上に設けられている。金属層１５は、金属材料からなり、ここでいう「金属材料」は合金材料であってもよい。金属材料は、一般に、高い遮光性を有している。

金属層１５は遮光部１５ｆを有している。遮光部１５ｆは、平面視において、チャネル層３１と少なくとも部分的に重なっており、好ましくは、図４に示すようにチャネル層３１を包含している。遮光部１５ｆにより、チャネル層３１の上方から入射する光を遮光することができる。よって、酸化物半導体層からなるＴＦＴ１０５の電気特性の変化を防ぐことができる。チャネル層３１へ向かう上方からの光としては、製造時に用いられる照射光、または、液晶表示装置５００としての動作時の回り込み光などがある。製造時に用いられる光としては、例えば、ＴＦＴ基板２００の洗浄工程において照射されるＵＶ（ultraviolet:紫外）光がある。

平坦化膜６として、有機樹脂膜、特に、感光性を有する有機樹脂から形成された有機樹脂膜、が用いられる場合は、平坦化膜６が可視光の短波長側およびＵＶ光を吸収しやすい。このような平坦化膜６は、チャネル層３１への光入射を、ある程度抑制する。しかしながら、より十分な抑制のためには遮光部１５ｆが必要である。平坦化膜６としてＳＯＧ膜が用いられる場合は、有機樹脂膜が用いられる場合と異なり、可視光の短波長側およびＵＶ光が平坦化膜６を透過しやすい。このため、遮光部１５ｆなしでは、酸化物半導体層を用いたＴＦＴ１０５の電気特性が大きく変化しやすい。よって、遮光部１５ｆによる大きな効果が得られる。

金属層１５は共通電極９１と接触している。これにより、共通電極９１に加えて金属層１５も共通配線１０６（図１）を構成する。よって共通配線１０６の電気抵抗を低くすることができる。金属層１５が走査線１０４に沿って延びている場合、共通配線１０６の電気抵抗を顕著に低くすることができる。これにより、共通配線１０６の異なる箇所間での、電圧降下に起因した電位差を低くすることができる。よって、この電位差に起因しての、共通電極９１と画素電極７１との間の電圧の変動が抑制される。よって、共通電極９１と画素電極７１との間の電圧に応じて生じるフリンジ電界の、異なる画素ＰＸ１間でのばらつきが抑制される。よって、液晶表示装置５００の表示むらを抑えることができる。また、共通配線１０６の電気抵抗を低くすることで、信号遅延に起因した表示むらも抑えることができる。金属層１５の材料としては、低い抵抗率を有するものが好ましく、例えば、Ａｌ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ａｇ、Ｎｄ、Ｃｕなどの金属材料、または、それらの複数の金属材料を含む金属合金が用いられる。

金属層１５は、平面視において、走査線１０４と、少なくとも部分的に重なっている。これにより、表示領域１０１（図１）中の画素表示領域１５１（図３）の割合、すなわち開口率、を高く保ちつつ、金属層１５のための面積を大きく確保することができる。

金属層１５の上述した機能のみを考慮すれば、金属層１５は、共通電極９１の上面および下面のいずれに配置されてもよい。しかしながら、金属層１５が共通電極９１の上面上に設けられると、金属層１５が液晶層４００（図１）に、より近く配置される。このため、液晶層４００と金属層１５との接触の可能性が高まる。液晶層４００に異種の金属が接触すると、接触電位差に起因して液晶層４００に直流電圧が印加される。この結果、液晶層４００に液晶材料の組成変質などの悪影響が生じることがある。このような現象を防ぐためには、金属層１５は、共通電極９１の上面ではなく下面に配置されることが好ましい。言い換えれば、金属層１５は、層間絶縁膜８と共通電極９１との間に配置されることが好ましい。

（効果のまとめ）
本実施の形態によれば、図５に示されているように、共通電極９１は画素電極７１の上方に配置される。これにより、厚み方向において、ＴＦＴ１０５と、透明導電材料からなる画素電極７１との間に、共通電極９１が配置されなくてよい。よって、これらの間に共通電極９１が配置される場合に比して、ＴＦＴ１０５と画素電極７１との間の電気的経路を短くし得る。よって、その電気抵抗が過度に大きくなることを避けつつ、当該電気的経路を構成するコンタクトホールの面積を抑えることができる。よって、非画素表示領域の面積を抑えることができる。よって、大きな開口率を確保しやすくなる。さらに、第１に、チャネル層３１への光を遮る遮光部１５ｆを有する金属層１５が設けられる。これにより、酸化物半導体からなるチャネル層３１の、光に起因した劣化が抑制される。よって、チャネル層３１の劣化に起因しての表示制御の不良が抑制される。第２に、金属層１５は共通電極９１の一部と積層構造を有している。この積層構造は、低抵抗の電気的経路を構成する。これにより、ＴＦＴ基板２００内での共通電極９１の電位の差異が抑制される。よって、ＴＦＴ基板２００を用いた表示装置の表示むらが抑制される。以上から、大きな開口率を確保しつつ、表示不良を抑制することができる。

好ましくは、金属層１５は、図４における横方向に沿って、すなわち走査線１０４に沿って、延びている。これにより、走査線１０４の延在方向、言い換えればＴＦＴ基板２００（図２）の行方向、に沿った、共通電極９１による電流経路の電気抵抗を、大幅に低減することができる。よって、行方向における複数の画素ＰＸ１間での表示むらが抑制される。

好ましくは、図４に示されているように、チャネル層３１は平面視においてゲート電極１１に包含されている。これにより、透明絶縁性基板１００からチャネル層３１へ向かう光がゲート電極１１によって十分に遮られる。よって、光に起因した酸化物半導体の劣化が抑制される。よって、酸化物半導体からなるチャネル層３１の劣化に起因しての表示制御の不良が、より抑制される。

好ましくは、図５に示されているように、金属層１５は層間絶縁膜８と共通電極９１との間に配置されている。これにより、金属層１５が液晶層４００（図１）からより遠ざけられる。よって、金属層１５と液晶層４００との間の接触電位差が液晶層４００へ及ぼす悪影響を防止することができる。

絶縁膜２０は有機樹脂膜を含み得る。これにより、絶縁膜２０の表面の平坦性を容易に高めることができる。また、比較的低い誘電率を有する有機樹脂膜によって画素電極７１と信号線１０３とが互いに絶縁されることで、両者の間の寄生容量が小さくなる。これにより、信号線１０３から画素電極７１へのノイズに起因しての表示品位の悪化を抑制することができる。

絶縁膜２０はＳＯＧ膜を含み得る。これにより、絶縁膜２０の表面の平坦性を容易に高めることができる。また、比較的低い誘電率を有する有機樹脂膜によって画素電極７１と信号線１０３とが互いに絶縁されることで、両者の間の寄生容量が小さくなる。これにより、信号線１０３から画素電極７１へのノイズに起因しての表示品位の悪化を抑制することができる。

＜実施の形態２＞
図６および図７を参照して、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板２００（図１および図２）は、実施の形態１で説明した画素ＰＸ１（図４および図５）に代わり、画素ＰＸ２を有している。

画素ＰＸ２において、ＴＦＴ基板２００は、共通透明導電層１０６ａを有している。共通透明導電層１０６ａは絶縁膜２０上に配置されている。言い換えれば、共通透明導電層１０６ａは、画素電極７１と同層に配置されている。共通透明導電層１０６ａは画素電極７１から離れて設けられている。共通透明導電層１０６ａは透明導電材料からなる。好ましくは、共通透明導電層１０６ａは、画素電極７１の材料と同じ材料からなり、この場合、両者を同時に形成することが可能である。これにより、工程数を増やすことなく共通透明導電層１０６ａを形成することができる。

層間絶縁膜８には、共通透明導電層１０６ａに達する共通透明導電層コンタクトホール８１が設けられている。金属層１５は、接続金属層１５ａを有している。接続金属層１５ａは共通透明導電層コンタクトホール８１によって共通透明導電層１０６ａに電気的に接続されている。よって本実施の形態においては、共通配線１０６が、共通電極９１および金属層１５だけでなく共通透明導電層１０６ａによっても構成されている。これにより、共通配線１０６の電気抵抗を下げることができる。これにより、ＴＦＴ基板２００内での共通電極９１の電位の差異が、より抑制される。よって、ＴＦＴ基板２００を用いた表示装置の表示むらが、より抑制される。

共通透明導電層１０６ａは、平面視において、走査線１０４に、少なくとも部分的に重なっていることが好ましい。これにより、表示領域１０１（図１）中の画素表示領域１５１（図３）の割合、すなわち開口率、を高く保ちつつ、共通透明導電層１０６ａのための面積を大きく確保することができる。

共通透明導電層１０６ａが、平面視においてチャネル層３１と、少なくとも部分的に重なっている場合、厚み方向において共通透明導電層１０６ａとゲート電極１１との間にチャネル層３１が挟まれる。この場合に共通透明導電層１０６ａとゲート電極１１との間に電位差が生じると、チャネル層３１に、厚み方向（図７における縦方向）の電界が加わる。この電界が大きいとチャネル層３１が劣化し得る。特に、共通透明導電層１０６ａ上において層間絶縁膜８に共通透明導電層コンタクトホール８１がドライエッチングによって形成される際に、チャネル層３１に大きな電界が印加されやすい。よって、このドライエッチング時にチャネル層３１が特に劣化しやすい。チャネル層３１のこのような劣化を避けるため、共通透明導電層１０６ａは、平面視においてチャネル層３１の外に配置されることが好ましい。

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

＜実施の形態３＞
（構成）
図８および図９を参照して、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板２００（図１および図２）は、実施の形態１で説明した画素ＰＸ１（図４および図５）に代わり、画素ＰＸ３を有している。

画素ＰＸ３において、ゲート絶縁膜２には、走査線１０４に達する下部ゲートコンタクトホール５３（第１のゲートコンタクトホール）が設けられている。絶縁膜２０には、下部ゲートコンタクトホール５３につながれた上部ゲートコンタクトホール１２２（第２のゲートコンタクトホール）が設けられている。上部ゲートコンタクトホール１２２は、保護絶縁膜５および平坦化膜６のそれぞれに設けられたコンタクトホール５２およびコンタクトホール６２によって構成されている。

金属層１５は、本実施の形態においては、図９に示すように、絶縁膜２０の平坦化膜６上に部分的に設けられている。言い換えれば、金属層１５は、画素電極７１と同層に配置されている。層間絶縁膜８は画素電極７１および金属層１５を覆っている。なお、金属層１５に含まれる遮光部１５ｆの平面視における配置は実施の形態１と同様である。

金属層１５は接続金属層１５ａを有している。接続金属層１５ａは、下部ゲートコンタクトホール５３および上部ゲートコンタクトホール１２２を通って走査線１０４に達している。言い換えれば、金属層１５は、下部ゲートコンタクトホール５３および上部ゲートコンタクトホール１２２によって走査線１０４に電気的に接続されている。

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

（効果）
実施の形態１と同様、本実施の形態においても、厚み方向において、ＴＦＴ１０５と、透明導電材料からなる画素電極７１との間に、共通電極９１が配置されなくてよい。これにより、これらの間に共通電極９１が配置される場合に比して、ＴＦＴ１０５と画素電極７１との間の電気的経路を短くし得る。よって、その電気抵抗が過度に大きくなることを避けつつ、当該電気的経路を構成するコンタクトホールの面積を抑えることができる。よって、非画素表示領域の面積を抑えることができる。よって、大きな開口率を確保しやすくなる。さらに、チャネル層３１への光を遮る遮光部１５ｆを有する金属層１５が設けられる。これにより、酸化物半導体からなるチャネル層３１の、光に起因した劣化が抑制される。よって、チャネル層３１の劣化に起因しての表示制御の不良が抑制される。以上から、大きな開口率を確保しつつ、表示不良を抑制することができる。

さらに本実施の形態によれば、金属層１５は、走査線１０４に電気的に接続されている。すなわち、金属層１５と走査線１０４とが互いに電気的に短絡されている。これにより、金属層１５に含まれる遮光部１５ｆと、走査線１０４に含まれるゲート電極１１との間での高電界の発生が避けられる。よって、遮光部１５ｆとゲート電極１１との間に配置されたチャネル層３１が高電界に起因して劣化することが防止される。よって、チャネル層３１の劣化に起因しての表示制御の不良がより抑制される。仮に、金属層１５がゲート電極１１に電気的に接続されていないとすると、金属層１５とゲート電極１１との間に、ＴＦＴ基板２００の製造時または使用時における何らかの要因により電位差が発生し得る。この場合、金属層１５の遮光部１５ｆとゲート電極１１との間に配置されたチャネル層３１に、厚み方向（図９における縦方向）の電界が加わる。この電界が大きいとチャネル層３１が劣化し得る。

好ましくは、金属層１５は走査線１０４に沿って延びている。これにより、走査線１０４の延在方向、言い換えれば行方向、に沿った、走査線１０４による電流経路の電気抵抗を低減することができる。よって、ＴＦＴ基板２００内での各走査線１０４の電位差、および、走査線１０４の信号遅延が抑制される。よって、行方向における複数の画素ＰＸ３間での表示むらが抑制される。

（変形例）
上記本実施の形態においては、図８および図９に示すように、画素電極７１と金属層１５とが互いに重ならないように配置されている。

第１の変形例として、金属層１５は、接続金属層１５ａに加えて、接続導電層７１ａと積層された接続金属層を含んでもよい。これにより、ドレイン電極４２へのコンタクト抵抗が低減される。よって、表示特性をより向上させることができる。なお、走査線１０４と画素電極７１との短絡を避けるため、追加される接続金属層が接続金属層１５ａからは分離されている必要がある。

第２の変形例として、画素電極７１の材料と同じ透明導電材料からなり接続金属層１５ａと積層された接続導電層が設けられてもよい。これにより、走査線１０４へのコンタクト抵抗が低減される。よって、表示特性をより向上させることができる。なお、走査線１０４と画素電極７１との短絡を避けるためには、追加される接続導電層が画素電極７１からは分離されている必要がある。この変形例に上記第１の変形例が組み合わされてもよい。

＜実施の形態４＞
本実施の形態においては、配向層１６１（図１）は、光配向性を有する材料からなる。この場合、液晶表示装置５００の製造方法は、光配向性を有する材料からなる配向層１６１をＴＦＴ基板２００上に形成する工程と、この配向層１６１に対して光配向処理を行う工程とを有する。光配向処理により、配向層１６１の表面の配向状態が所望のものに変化させられる。光配向処理は、例えば、ＴＦＴ基板２００の上面に配向層１６１を形成した後、上方向または斜め上方向からＵＶ光を照射することにより行われる。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１〜３の構成とほぼ同じである。

本実施の形態によれば、光配向処理において、チャネル層３１へ向かう光が遮光部１５ｆによって遮られる。これにより、遮光部１５ｆがない場合に比して、酸化物半導体からなるチャネル層３１の光に起因した劣化が抑制される。よって、チャネル層３１の劣化に起因しての表示制御の不良が抑制される。

＜実施の形態５＞
（構成）
図１０を参照して、外部配線１０７（図２）は、典型的には、外部ゲート配線１０７ａ（第１の配線）と、外部ソース配線１０７ｂ（第２の配線）とを含む。外部ゲート配線１０７ａは、透明絶縁性基板１００上に配置されている。言い換えれば、外部ゲート配線１０７ａは、走査線１０４と同層に配置されている。外部ゲート配線１０７ａは、走査線１０４の材料と同じ材料からなる。よって外部ゲート配線１０７ａは、走査線１０４と同時に形成され得る。外部ソース配線１０７ｂは、ゲート絶縁膜２上に配置されている。言い換えれば、外部ソース配線１０７ｂは、信号線１０３と同層に配置されている。外部ソース配線１０７ｂは信号線１０３の材料と同じ材料からなる。よって外部ソース配線１０７ｂは、信号線１０３と同時に形成され得る。外部配線１０７の構成上、外部ゲート配線１０７ａと外部ソース配線１０７ｂとが額縁領域１０２（図２）において互いに電気的に接続される場合がある。本実施の形態は、このような場合について説明する。

本実施の形態においては、額縁領域１０２において、ゲート絶縁膜２にはコンタクトホール５５が設けられており、保護絶縁膜５にはコンタクトホール５４およびコンタクトホール５６が設けられており、平坦化膜６にはコンタクトホール６４およびコンタクトホール６６が設けられている。コンタクトホール６４とコンタクトホール５４とコンタクトホール５５とがつながることによって、絶縁膜２０およびゲート絶縁膜２を貫通する外部ゲートコンタクトホール１２４（第１のコンタクトホール）が構成されている。コンタクトホール６６とコンタクトホール５６とがつながることによって、絶縁膜２０を貫通する外部ソースコンタクトホール１２６（第２のコンタクトホール）が構成されている。

金属層１５は、額縁領域１０２内に配置された接続金属層１５ｐを含む。接続金属層１５ｐは、外部ゲートコンタクトホール１２４によって外部ゲート配線１０７ａに電気的に接続されており、かつ、外部ソースコンタクトホール１２６によって外部ソース配線１０７ｂに電気的に接続されている。これにより、外部ゲート配線１０７ａと外部ソース配線１０７ｂとが互いに電気的に接続されている。金属層１５は、本実施の形態においては、実施の形態１または２と同様、層間絶縁膜８上に配置されている。このため層間絶縁膜８には、外部ゲートコンタクトホール１２４および外部ソースコンタクトホール１２６のそれぞれにつながるコンタクトホール８２およびコンタクトホール８３が設けられている。

額縁領域１０２には、接続導電層７１ｐが設けられてもよい。接続導電層７１ｐは、絶縁膜２０上に配置されている。言い換えれば、接続導電層７１ｐは、画素電極７１（図５または図７）と同層に配置されている。また接続導電層７１ｐは、画素電極７１の透明導電材料と同じものから形成され得る。よって接続導電層７１ｐは、画素電極７１と同時に形成され得る。接続導電層７１ｐが接続金属層１５ｐと外部ゲートコンタクトホール１２４において積層されることで、そのコンタクト抵抗を低減することができる。接続導電層７１ｐが接続金属層１５ｐと外部ソースコンタクトホール１２６において積層されることで、そのコンタクト抵抗を低減することができる。接続導電層７１ｐのうち外部ゲートコンタクトホール１２４に配置された部分と外部ソースコンタクトホール１２６に配置された部分とは、必ずしも互いにつながっている必要はないが、図示されているように互いにつながっている場合、外部ゲート配線１０７ａと外部ソース配線１０７ｂとの間の電気抵抗をより低減することができる。

額縁領域１０２には、接続導電層９１ｐが設けられてもよい。接続導電層９１ｐは、層間絶縁膜８上に配置されており、図１０においては、接続金属層１５ｐが設けられた層間絶縁膜８上に配置されている。言い換えれば、接続導電層９１ｐは、共通電極９１（図５または図７）と同層に配置されている。また接続導電層９１ｐは、共通電極９１の透明導電材料と同じものから形成され得る。よって接続導電層９１ｐは、共通電極９１と同時に形成され得る。接続導電層９１ｐが接続金属層１５ｐと外部ゲートコンタクトホール１２４およびコンタクトホール８２において積層されることで、そのコンタクト抵抗を低減することができる。接続導電層９１ｐが接続金属層１５ｐと外部ソースコンタクトホール１２６およびコンタクトホール８３において積層されることで、そのコンタクト抵抗を低減することができる。接続導電層９１ｐのうち外部ゲートコンタクトホール１２４に配置された部分と外部ソースコンタクトホール１２６に配置された部分とは、必ずしも互いにつながっている必要はないが、図示されているように互いにつながっている場合、外部ゲート配線１０７ａと外部ソース配線１０７ｂとの間の電気抵抗をより低減することができる。

なお上記以外の構成については、上述した実施の形態１または２の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

（効果）
本実施の形態によれば、外部ゲート配線１０７ａと外部ソース配線１０７ｂとの間が接続金属層１５ｐによって接続される。接続金属層１５ｐは、透明導電材料の抵抗率に比して一般に低い抵抗率を有する材料である金属からなる。これにより、外部ゲート配線１０７ａと外部ソース配線１０７ｂとの間を低抵抗で接続することができる。よって、外部ゲート配線１０７ａと外部ソース配線１０７ｂとを有する外部配線１０７の配線抵抗および信号遅延を小さくし得る。言い換えれば、表示領域１０１へ至る外部配線１０７の配線抵抗および信号遅延を小さくし得る。よって表示特性を向上させることができる。

なお額縁領域１０２（図２）に配置される接続金属層１５ｐは、金属層１５の他の部分と同時に形成され得る。よって、接続金属層１５ｐを設けることによる工程数の増加は避けることができる。

（第１の変形例）
外部配線１０７（図２）と同様の機能を有する構成の少なくとも一部が、表示領域１０１内に分散配置されてもよい。このような配置は、例えば、表示領域１０１内に駆動回路が分散配置される場合に適用される。この場合、上述した接続金属層１５ｐは、額縁領域１０２に代わりまたはそれに加えて表示領域１０１内に配置され得る。

（第２の変形例）
上記の本実施の形態においては、接続金属層１５ｐ（図１０）が実施の形態１または２（図５または図７）の構成に適用される場合について説明した。一方、本変形例の接続金属層１５ｐ（図１１）は、実施の形態３（図９）の構成に適用されるものである。この場合、金属層１５の接続金属層１５ｐ（図１１）は、接続金属層１５ａおよび遮光部１５ｆ（図９）と共に、絶縁膜２０の平坦化膜６上に配置される。よって、接続金属層１５ｐの配置に関する限り、層間絶縁膜８のコンタクトホール８２およびコンタクトホール８３は、必ずしも必要ではない。ただしこれらのコンタクトホールは、接続導電層９１ｐが設けられる場合に必要となる。

（第３の変形例）
ＴＦＴ１０５の製造工程と同様の工程を用いて、ＩＣチップ１０９（図２）の機能を有する電子回路を額縁領域１０２に形成し得る。この電子回路内の配線として、外部ゲート配線１０７ａおよび外部ソース配線１０７ｂが用いられ得る。これにより、当該電子回路内の配線抵抗および信号遅延が低減される。よって表示特性を向上させることができる。

上記各実施の形態においては、液晶の駆動方式として一般的なＦＦＳモードが用いられる場合について詳しく説明したが、一般的なＦＦＳモード以外の他のモードが用いられてもよい。またＴＦＴ基板が適用される表示装置として液晶表示装置について詳しく説明したが、ＴＦＴ基板が液晶表示装置以外の他の表示装置に適用されてもよい。

本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。

ＰＸ１〜ＰＸ３ 画素、２ ゲート絶縁膜、５ 保護絶縁膜、６ 平坦化膜、８ 層間絶縁膜（第２の絶縁膜）、１１ ゲート電極、１５ａ，１５ｐ 接続金属層、１５ 金属層、１５ｆ 遮光部、２０ 絶縁膜（第１の絶縁膜）、３１ チャネル層、４１ ソース電極、４２ ドレイン電極、５１，５２，５４〜５６，６１，６２，６４，６６，８２，８３ コンタクトホール、５３ 下部ゲートコンタクトホール（第１のゲートコンタクトホール）、７１ 画素電極、７１ａ，７１ｐ，９１ｐ 接続導電層、８１ 共通透明導電層コンタクトホール、９１ 共通電極、９１ａ スリット（開口部）、１００ 透明絶縁性基板、１０１ 表示領域、１０２ 額縁領域、１０３ 信号線（ソース配線）、１０４ 走査線（ゲート配線）、１０５ ＴＦＴ、１０６ 共通配線、１０６ａ 共通透明導電層、１０７ 外部配線、１０７ａ 外部ゲート配線（第１の配線）、１０７ｂ 外部ソース配線（第２の配線）、１２１ ドレインコンタクトホール、１２２ 上部ゲートコンタクトホール（第２のゲートコンタクトホール）、１２４ 外部ゲートコンタクトホール（第１のコンタクトホール）、１２６ 外部ソースコンタクトホール（第２のコンタクトホール）、１５１ 画素表示領域、１６１，１６２ 配向層、２００ ＴＦＴ基板（薄膜トランジスタ基板）、３００ カラーフィルタ基板（対向基板）、４００ 液晶層、５００ 液晶表示装置。

Claims (11)

1. マトリックス状に配置された複数の画素を有する表示領域を含む薄膜トランジスタ基板において、
   支持基板と、
   前記支持基板上に設けられ、前記画素の各々に配置されたゲート電極を含むゲート配線と、
   前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極の各々の上に設けられ、酸化物半導体からなるチャネル層と、
   前記画素の各々に配置されかつ前記チャネル層に接するソース電極を含むソース配線と、
   前記画素の各々に配置され、前記チャネル層に接し、前記ソース電極から離れたドレイン電極と、
   前記チャネル層と前記ソース配線と前記ドレイン電極との上に設けられ、前記ドレイン電極に達するドレインコンタクトホールが設けられた第１の絶縁膜と、
   前記画素の各々において前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記ドレインコンタクトホールによって前記ドレイン電極に電気的に接続された接続導電層を含み、透明導電材料からなる画素電極と、
   前記画素電極を覆う第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に設けられ、厚み方向において前記画素電極と対向する開口部を有し、透明導電材料からなる共通電極と、
   前記共通電極の一部と積層構造を有し、平面視において前記チャネル層と少なくとも部分的に重なる遮光部を有する金属層と、
   を備え、
   前記金属層の一部は、前記画素電極と同層に配置されるように前記第１の絶縁膜の一部の上に設けられており、前記第２の絶縁膜に覆われている、
   薄膜トランジスタ基板。
2. 前記第１の絶縁膜上に前記画素電極から離れて設けられ、透明導電材料からなる共通透明導電層をさらに備え、
   前記第２の絶縁膜には、前記共通透明導電層に達する共通透明導電層コンタクトホールが設けられており、前記金属層は、前記共通透明導電層コンタクトホールによって前記共通透明導電層に電気的に接続されており、前記共通透明導電層は平面視において前記チャネル層の外に配置されている、
   請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
3. 前記金属層は前記ゲート配線に沿って延びている、請求項１または請求項２に記載の薄膜トランジスタ基板。
4. 前記金属層は前記第２の絶縁膜と前記共通電極との間に配置されている、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板。
5. 前記チャネル層は平面視において前記ゲート電極に包含されている、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板。
6. 前記第１の絶縁膜は有機樹脂膜を含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板。
7. 前記第１の絶縁膜はスピンオングラス膜を含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板。
8. 前記支持基板上に設けられ、前記ゲート配線の材料と同じ材料からなる第１の配線と、
   前記ゲート絶縁膜上に設けられ、前記ソース配線の材料と同じ材料からなる第２の配線と、
   をさらに備え、
   前記金属層は接続金属層を含み、
   前記接続金属層が、前記第１の絶縁膜および前記ゲート絶縁膜を貫通する第１のコンタクトホールによって前記第１の配線に電気的に接続され、かつ、前記第１の絶縁膜を貫通する第２のコンタクトホールによって前記第２の配線に電気的に接続されることにより、前記第１の配線と前記第２の配線とは互いに電気的に接続されている、
   請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板。
9. 前記薄膜トランジスタ基板は前記表示領域の外に設けられた額縁領域を有し、前記接続金属層は前記額縁領域内に配置されている、請求項８に記載の薄膜トランジスタ基板。
10. 請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板と、
    前記薄膜トランジスタ基板と間隔を空けて配置された対向基板と、
    前記薄膜トランジスタ基板および前記対向基板の間に保持された液晶層と、
    を備える、
    液晶表示装置。
11. 前記薄膜トランジスタ基板上に設けられ、前記液晶層を配向させる配向層をさらに備え、
    前記配向層は、光配向性を有する材料からなる、
    請求項１０に記載の液晶表示装置。

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