JP2020021000A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 表示品位の劣化を抑制することを可能とする。【解決手段】 第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に位置し、間隔を置いて並んでいる第１ソース線及び第２ソース線と、前記第１絶縁層、前記第１ソース線及び前記第２ソース線の上に位置し、コンタクトホールを有する有機絶縁層と、前記第１絶縁層の上で前記第１ソース線及び前記第２ソース線の間に位置し、前記コンタクトホール内で前記有機絶縁層から露出しているドレイン電極と、前記コンタクトホール内で前記ドレイン電極を覆っている導電材と、前記有機絶縁層の上に位置する第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に位置し、前記ドレイン電極に電気的に接続されている画素電極と、を備え、前記導電材は、前記コンタクトホールにおいて前記有機絶縁層及び前記ドレイン電極の間で前記有機絶縁層から露出している前記第１絶縁層と接触している、表示装置。【選択図】 図１

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、ＶＲ（Ｖｉｔｒｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）の普及に伴い超高精細の表示装置が望まれている。超高精細の表示装置は、従来の表示装置と比較して画素サイズが小さくなる。そのため、従来の表示装置では絶縁層等で覆われていた部分が超高精細の表示装置では絶縁層等から露出し得る。

特許第５２３５３６３号公報

本実施形態の目的は、信頼性の向上が可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態によれば、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に位置し、間隔を置いて並んでいる第１ソース線及び第２ソース線と、前記第１絶縁層、前記第１ソース線及び前記第２ソース線の上に位置し、コンタクトホールを有する有機絶縁層と、前記第１絶縁層の上で前記第１ソース線及び前記第２ソース線の間に位置し、前記コンタクトホール内で前記有機絶縁層から露出しているドレイン電極と、前記コンタクトホール内で前記ドレイン電極を覆っている導電材と、前記有機絶縁層の上に位置する第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に位置し、前記ドレイン電極に電気的に接続されている画素電極と、を備え、前記導電材は、前記コンタクトホールにおいて前記有機絶縁層及び前記ドレイン電極の間で前記有機絶縁層から露出している前記第１絶縁層と接触している、表示装置が提供される。

他の実施形態によれば、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に位置し、間隔を置いて並んでいる第１ソース線及び第２ソース線と、前記第１絶縁層、前記第１ソース線及び前記第２ソース線の上に位置し、コンタクトホールを有する有機絶縁層と、前記第１絶縁層の上で前記第１ソース線及び前記第２ソース線の間に位置し、前記コンタクトホール内で前記有機絶縁層から露出している前記第１ソース線側の第１端部及び前記第２ソース線側の第２端部を有するドレイン電極と、前記コンタクトホール内で前記第１端部及び前記第２端部を覆っている導電材と、前記有機絶縁層の上に位置する第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に位置し、前記ドレイン電極に電気的に接続されている画素電極と、を備えている、表示装置が提供される。

他の実施形態によれば、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に位置し、間隔を置いて並んでいる第１ソース線及び第２ソース線と、前記第１絶縁層、前記第１ソース線及び前記第２ソース線の上に位置し、コンタクトホールを有する有機絶縁層と、前記第１絶縁層の上で前記第１ソース線及び前記第２ソース線の間に位置し、前記コンタクトホール内で前記有機絶縁層から露出しているドレイン電極と、前記コンタクトホール内で前記ドレイン電極を覆っている導電材と、前記有機絶縁層の上に位置する第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に位置し、前記ドレイン電極に電気的に接続されている画素電極と、を備える第１基板と、前記第１基板と対向している第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持されている液晶層と、を備え、前記導電材は、前記コンタクトホールにおいて前記有機絶縁層及び前記ドレイン電極の間で前記有機絶縁層から露出している前記第１絶縁層と接触している、表示装置が提供される。

図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置の外観の一例を示す斜視図である。 図２は、第１実施形態に係る第１基板を模式的に示す平面図である。 図３は、第１実施形態に係る第１基板の第２電極を示す平面図である。 図４は、図３のＡ−Ａにおける表示パネルの断面図である。 図５は、図３のＢ−Ｂにおける表示パネルの断面図である。 図６は、図３のＣ−Ｃにおける表示パネルの断面図である。 図７は、図３のＤ−Ｄにおける表示パネルの断面図である。 図８は、第１実施形態の表示装置の他の構成例に係る表示パネルの断面図である。 図９は、第１実施形態の表示装置の他の構成例に係る表示パネルの断面図である。 図１０は、第１実施形態の表示装置の他の構成例に係る表示パネルの断面図である。

以下、実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

実施形態においては、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、ＶＲ（Ｖｉｔｒｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）ビュアー、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。

図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの外観の一例を示す斜視図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、液晶表示装置（以下、単に、表示装置と称する）ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面図を示している。以下の説明において、第３方向ＺからＸ−Ｙ平面を見ることを平面視という。

表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、照明装置ＢＬとを備えている。
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向している第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に保持された液晶層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを備えている。表示領域ＤＡは、画像を表示する領域である。表示領域ＤＡは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが対向する領域のほぼ中央に位置している。非表示領域ＮＤＡは、画像が表示されない領域であり、表示領域ＤＡの外側に位置している。
第１基板ＳＵＢ１は、接続部ＣＮを備えている。接続部ＣＮは、フレキシブルプリント配線基板やＩＣチップなどの信号供給源を接続するための端子を備えている。接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡに位置している。

照明装置ＢＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側（第２基板ＳＵＢ２との対向面の反対側）に配置されている。このような照明装置ＢＬとしては、種々の形態が適用可能である。一例として、照明装置ＢＬは、第１基板ＳＵＢ１と対向する導光板、この導光板の端部に沿って配置された複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光源、導光板の一方の主面側に配置された反射シート、導光板の他方の主面側に積層された各種光学シートなどを備えている。

なお、図示した例の表示パネルＰＮＬは、照明装置ＢＬからの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過型であるが、これに限らない。例えば、表示パネルＰＮＬは、外光あるいは外部光源からの光を選択的に反射させることで画像を表示させる反射型であってもよいし、透過型及び反射型の双方の表示機能を備えた半透過型であってもよい。

また、ここでは表示パネルＰＮＬの詳細な構成については説明を省略するが、表示パネルＰＮＬの法線に沿った縦電界を利用する表示モード、表示パネルＰＮＬの法線に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、表示パネルＰＮＬの主面に沿った横電界を利用する表示モードのいずれも適用可能である。
以下、実施形態において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）とし、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）とする。

図２は、第１実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１を模式的に示す平面図である。図２では、第１基板ＳＵＢ１の主要部を示している。ここでは、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードを適用した構成例について説明する。
第１基板ＳＵＢ１は、複数のゲート線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）、複数の遮光層ＬＳ、複数のソース線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…）、スイッチング素子ＳＷ、ドレイン電極ＲＥ、画素電極ＰＥ、導電材ＣＭ、金属配線ＭＴ、第１電極Ｅ１、及び第２電極Ｅ２などを備えている。なお、図２では、説明に必要な構成のみを図示しており、第２電極Ｅ２などの図示を省略している。

複数のゲート線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）は、所定の間隔をおいて第２方向Ｙに並んでいる。複数のゲート線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）は、それぞれ、第１方向Ｘに延出し、直線状に形成されている。なお、複数のゲート線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）は、一部が屈曲していてもよい。複数のゲート線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）は、例えば、モリブデンタングステン合金膜である。平面視した場合、ゲート線Ｇは、遮光層ＬＳに重畳している。

複数のソース線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…）は、所定の間隔をおいて第１方向Ｘに並んでいる。複数のソース線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…）は、それぞれ、第２方向Ｙに延出している。なお、複数のソース線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…）は、一部が屈曲していても良い。複数のソース線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…）は、例えば、チタン、アルミニウム、チタンの３層積層膜、又は、アルミニウム、チタン、アルミニウムの順に積層した３層積層膜等である。図中において、副画素ＰＸは、隣接する２本のゲート線Ｇ、及び、隣接する２本のソース線Ｓによって区画される領域に相当する。一例として、副画素ＰＸは、ゲート線Ｇ１及びゲート線Ｇ２と、ソース線Ｓ１及びソース線Ｓ２とによって区画される領域に相当する。

複数の遮光層ＬＳは、各ゲート線Ｇに重畳し、各ゲート線Ｇに沿って第１方向Ｘに間隔を置いて配置されている。言い換えると、複数の遮光層ＬＳは、ゲート線Ｇに重畳し、ゲート線Ｇに沿って島状に配置されている。図示した例では、遮光層ＬＳは、第１方向Ｘにおいて隣接する２つのソース線Ｓの間でゲート線Ｇに重畳している。なお、複数の遮光層ＬＳは、それぞれ、複数のゲート線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３…）に沿って第１方向Ｘに延出し、直線上に形成されていてもよい。また、複数の遮光層ＬＳは、一部が屈曲していてもよい。複数の遮光層ＬＳは、一例では、モリブデンタングステン合金製である。図示した例では、遮光層ＬＳの第２方向Ｙの幅は、ゲート線Ｇの第２方向Ｙの幅より大きい。

スイッチング素子ＳＷは、各副画素ＰＸに配置されている。スイッチング素子ＳＷは、ゲート線Ｇ及びソース線Ｓと電気的に接続されている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、各副画素ＰＸにおいて、ゲート線Ｇと２か所で交差している。なお、スイッチング素子ＳＷは、各副画素ＰＸにおいて、ゲート線Ｇと１か所で交差していてもよい。スイッチング素子ＳＷの詳細については後述する。
ドレイン電極ＲＥは、各副画素ＰＸに配置されている。図示した例では、ドレイン電極ＲＥは、第１方向Ｘで隣接する２つのソース線Ｓと第２方向Ｙで隣接する２つのゲート線Ｇとの間に位置している。ドレイン電極ＲＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。

画素電極ＰＥは、各副画素ＰＸに配置されている。図示した例では、画素電極ＰＥは、第１方向Ｘで隣接する２つのソース線Ｓと第２方向Ｙで隣接する２つのゲート線Ｇとの間に位置している。画素電極ＰＥは、ドレイン電極ＲＥと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、画像信号に対応した電位を印加される。図示した例では、画素電極ＰＥは、スリット等を有していない矩形の平板形状であり、ソース線Ｓと略平行に延出している。なお、画素電極ＰＥは、一例として、スリット等を有していない矩形の平板形状としたが、スリット等を有する形状であってもよいし、他の形状であってもよい。導電材ＣＭは、ドレイン電極ＲＥに重畳している。図中のＣＨ１は、第２方向Ｙで隣接する２つの第１電極Ｅ１の間に位置する開口部ＯＰに位置し、導電材ＣＭ及びドレイン電極ＲＥと画素電極ＰＥとを電気的に接続するためのコンタクトホールである。コンタクトホールＣＨ１は、ドレイン電極ＲＥ、画素電極ＰＥ、及び導電材ＣＭに重畳している。また、図中のＣＨ２は、ドレイン電極ＲＥとスイッチング素子ＳＷとを電気的に接続するためのコンタクトホールである。図中のＣＨ３は、スイッチング素子ＳＷとソース線Ｓとを電気的に接続するためのコンタクトホールである。

第１電極Ｅ１は、複数の副画素ＰＸに亘って配置されている。図示した例では、複数の第１電極Ｅ１は、Ｘ−Ｙ平面上で、第１方向Ｘに帯状に延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。平面視した場合、第１電極Ｅ１は、第２方向Ｙで隣接する２つのゲート線の間でソース線Ｓ及び画素電極ＰＥなどに重畳している。なお、第１電極Ｅ１は、Ｘ−Ｙ平面で、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに平面状に延出していてもよい。例えば、第１電極Ｅ１は、ソース線Ｓ、ゲート線Ｇ、遮光層ＬＳ、ドレイン電極ＲＥ、及び画素電極ＰＥなどと重畳していてもよい。第１電極Ｅ１は、例えば、共通電位を印加されている共通電極である。

複数の金属配線ＭＴ（ＭＴ１、ＭＴ２、ＭＴ３、ＭＴ４…）は、所定の間隔を置いて第１方向Ｘに並んでいる。複数の金属配線ＭＴ（ＭＴ１、ＭＴ２、ＭＴ３、ＭＴ４…）は、それぞれ、第２方向Ｙに延出している。なお、複数の金属配線ＭＴは、一部が屈曲していてもよい。金属配線ＭＴは、モリブデン（Ｍｏ）などの金属材料や、モリブデンを主成分とする金属材料を組み合わせた合金などによって形成されている。金属配線ＭＴは、ソース線Ｓ及び第１電極Ｅ１などに重畳している。

図３は、第１実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１の第２電極Ｅ２を示す平面図である。ここでは、図２に示した第１基板ＳＵＢ１の主要部を点線及び一点鎖線等で示している。
第１基板ＳＵＢ１は、第２電極Ｅ２、及びスペーサＤＰＳ、ＤＸＳなどを備えている。第２電極Ｅ２は、Ｘ―Ｙ平面で格子状に形成されている。第２電極Ｅ２は、複数の開口部ＡＰを備えている。開口部ＡＰは、ソース線Ｓに沿って第２方向Ｙに延出している。開口部ＡＰは、第１方向Ｘで対向し、且つ平行ではない（非平行な）２つの辺を有する。図示した例では、開口部ＡＰは、台形状に形成されている。なお、開口部ＡＰは、三角形状に形成されていてもよいし、台形状や三角形状以外の他の形状に形成されていてもよい。一例として、平面視した場合、開口部ＡＰは、画素電極ＰＥに重畳している。なお、平面視した場合、開口部ＡＰは、第２電極Ｅ２の第２方向Ｙの全幅に亘って重畳していてもよい。一例として、平面視した場合、第２電極Ｅ２は、第１方向Ｘで２つの隣接する開口部ＡＰの間の部分でソース線Ｓに重畳している。また、一例として、平面視した場合、第２電極Ｅ２は、第２方向Ｙで２つの隣接する開口部ＡＰの間の部分でドレイン電極ＲＥ及びゲート線Ｇなどに重畳している。図中のＣＨ４は、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２とを電気的に接続するためのコンタクトホールである。なお、コンタクトホールＣＨ４は、他の位置に形成されていてもよく、例えば、非表示領域ＮＤＡに形成されていてもよい。第２電極Ｅ２は、例えば、第１電極Ｅ１と同等の共通電位を印加されている共通電極である。

スペーサＤＸＳは、スペーサＤＰＳよりも延長している。スペーサＤＰＳ及びスペーサＤＸＳは、第２電極Ｅ２に重畳している。図示した例では、スペーサＤＸＳは、スペーサＤＰＳよりも第２方向Ｙに延長している。スペーサＤＸＳは、第２方向Ｙに延長している楕円形状である。スペーサＤＰＳは、円形状である。なお、スペーサＤＸＳは、スペーサＤＰＳよりも第１方向Ｘに延長していてもよい。スペーサＤＸＳは、楕円形状でなくともよい。また、スペーサＤＰＳは、円形状でなくともよい。スペーサＤＰＳ及びスペーサＤＸＳは、それぞれ、第２電極Ｅ２に重畳している。スペーサＤＰＳ及びスペーサＤＸＳは、それぞれ、ソース線Ｓ及びゲート線Ｇが交差する位置に配置されている。スペーサＤＰＳ及びスペーサＤＸＳは、第１方向Ｘに交互に配置されている。また、スペーサＤＰＳ及びスペーサＤＸＳは、第２方向Ｙに交互に配置されている。なお、スペーサＤＰＳ及びＤＸＳは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにおいて交互に配置されていなくともよいし、複数個の副画素分の距離を置いて配置されていてもよい。また、スペーサＤＰＳ及びＤＸＳの少なくとも一方が配置されていればよい。

図４は、図３のＡ−Ａにおける表示パネルＰＮＬの断面図である。
第１基板ＳＵＢ１は、支持基板１０、絶縁層１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、ソース線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２）、第１電極Ｅ１、金属配線ＭＴ（ＭＴ１、ＭＴ２）、画素電極ＰＥ、第２電極Ｅ２、及び配向膜ＡＬ１などを備えている。偏光板ＰＬ１は、支持基板１０の下に設けられている。なお、絶縁層１１乃至１７をそれぞれ層間絶縁層と表現する場合もある。

支持基板１０は、透明であり、一例ではホウケイ酸ガラス等のガラス製であるが、プラスチック等の樹脂製であってもよい。
絶縁層１１乃至１７は、いずれも透明である。絶縁層１１乃至１４、１６、１７は、無機絶縁層であり、一例では、窒化ケイ素製あるいは酸化ケイ素製である。絶縁層１５は、有機絶縁層であり、一例では、アクリル樹脂などの樹脂製である。絶縁層１１は、支持基板１０の上に位置し、支持基板１０に接触している。絶縁層１２は、絶縁層１１の上に位置し、絶縁層１１に接触している。絶縁層１３は、絶縁層１２の上に位置し、絶縁層１２に接触している。絶縁層１４は、絶縁層１３の上に位置し、絶縁層１３に接触している。ソース線Ｓ１、Ｓ２は、絶縁層１４の上に位置し、絶縁層１４に接触している。ソース線Ｓ１及びソース線Ｓ２は、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。絶縁層１５は、絶縁層１４及びソース線Ｓ１、Ｓ２の上に位置し、絶縁層１４及びソース線Ｓ１、Ｓ２に接触している。なお、絶縁層１１乃至絶縁層１４をまとめて絶縁層ＩＬと称する場合もある。

第１電極Ｅ１は、絶縁層１５の上に位置し、絶縁層１５に接触している。言い換えると、第１電極Ｅ１は、絶縁層１５及び絶縁層１６の間に位置している。第１電極Ｅ１は、複数の画素電極ＰＥに亘って延在している。なお、第１電極Ｅ１は、一例では、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＧＯ（indium gallium oxide）等の透明な導電材料製である。なお、第１電極Ｅ１は、表示に寄与する領域と重なる部分が透明であればよく、その他の部分については透明でない材料製であってもよい。金属配線ＭＴ１、ＭＴ２は、第１電極Ｅ１の上に位置し、第１電極Ｅ１に接触している。金属配線ＭＴ１は、ソース線Ｓ１の直上に位置している。金属配線ＭＴ２は、ソース線Ｓ２の直上に位置している。なお、金属配線ＭＴ１、ＭＴ２は、絶縁層１５及び第１電極Ｅ１の間に位置し、第１電極Ｅ１に接触していてもよい。また、金属配線ＭＴ１、ＭＴ２は、後述する絶縁層１６よりも上の層に位置していてもよい。絶縁層１６は、第１電極Ｅ１及び金属配線ＭＴ１、ＭＴ２の上に位置し、第１電極Ｅ１及び金属配線ＭＴ１、ＭＴ２に接触している。金属配線ＭＴ（ＭＴ１、ＭＴ２）は、例えば、混色の防止や第１電極Ｅ１の低抵抗化等に寄与し得る。

画素電極ＰＥは、絶縁層１６の上に位置している。図示した例では、複数の画素電極ＰＥは、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。画素電極ＰＥは、ソース線Ｓ１、Ｓ２の上に位置していない。画素電極ＰＥは、第１電極Ｅ１と異なる電位を有している。画素電極ＰＥは、透明な導電材料製であり、例えば、第１電極Ｅ１と同じ部材で形成されている。なお、画素電極ＰＥは、表示に寄与する領域と重なる部分が透明であればよく、その他の部分については透明でない材料製であってもよい。
絶縁層１７は、絶縁層１６及び画素電極ＰＥの上に位置し、絶縁層１６及び画素電極ＰＥに接触している。

第２電極Ｅ２は、絶縁層１７の上に位置し、絶縁層１７に接触している。図示した例では、開口部ＡＰと画素電極ＰＥとが絶縁層１７を介して対向している。第２電極Ｅ２は、前述したコンタクトホールＣＨ４に延在し、コンタクトホールＣＨ４で金属配線ＭＴに接触している。第２電極Ｅ２は、金属配線ＭＴを介して第１電極Ｅ１に電気的に接続されている。図示した例では、第２電極Ｅ２は、コンタクトホールＣＨ４で金属配線ＭＴ２に接触している。第２電極Ｅ２は、金属配線ＭＴ２を介して第１電極Ｅ１に電気的に接続されている。コンタクトホールＣＨ４は、絶縁層１６及び１７を貫通して金属配線ＭＴに到達している。図示した例では、コンタクトホールＣＨ４は、ソース線Ｓ２の直上に位置し、絶縁層１６及び１７を貫通して金属配線ＭＴ２に到達している。第２電極Ｅ２は、透明な導電材料製であり、例えば、第１電極Ｅ１と同じ部材で形成されている。なお、第２電極Ｅ２は、表示に寄与する領域と重なる部分が透明であればよく、その他の部分については透明でない材料製であってもよい。
配向膜ＡＬ１は、絶縁層１７及び第２電極Ｅ２を覆っている。配向膜ＡＬ１は、例えば、ポリイミド膜である。

液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１の上に位置している。液晶層ＬＣは、正の誘電率異方性を有するポジ型であってもよいし、負の誘電率異方性を有するネガ型であってもよい。
第２基板ＳＵＢ２は、液晶層ＬＣの上に位置している。第２基板ＳＵＢ２は、支持基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、絶縁層２１、及び配向膜ＡＬ２などを備えている。
偏光板ＰＬ２は、支持基板２０の上に設けられている。偏光板ＰＬ１の吸収軸と偏光板ＰＬ２の吸収軸とは、平面視した場合に互いに直交するように設定されている。

支持基板２０は、透明であり、一例ではホウケイ酸ガラス等のガラス製であるが、プラスチック等の樹脂製であってもよい。遮光層ＢＭは、支持基板２０の下に位置し、支持基板２０に接触している。遮光層ＢＭは、ソース線Ｓ１、Ｓ２の直上に位置している。カラーフィルタＣＦは、支持基板２０及び遮光層ＢＭの下に位置し、支持基板２０及び遮光層ＢＭに接触している。図示した例では、カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層ＢＭに接触している。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されてもよい。また、カラーフィルタＣＦは、４色以上のカラーフィルタを含んでいてもよい。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されてもよいし、無着色の樹脂材料が配置されてもよいし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置してもよい。

絶縁層２１は、カラーフィルタＣＦの下に位置し、カラーフィルタＣＦに接触している。絶縁層２１は、透明な有機絶縁層であり、一例ではアクリル樹脂などの樹脂製である。配向膜ＡＬ２は、絶縁層２１の下に位置し、絶縁層２１に接触し、絶縁層２１を覆っている。配向膜ＡＬ２は、光配向性のポリイミド膜である。

図５は、図３のＢ−Ｂにおける表示パネルＰＮＬの断面図である。なお、ここでは、主に図４に示した断面図とは異なる部分について説明する。
第１基板ＳＵＢ１は、遮光層ＬＳ、スイッチング素子ＳＷ、導電材ＣＭ、金属配線ＭＴ（ＭＴ２）、及びドレイン電極ＲＥなどを備えている。遮光層ＬＳは、支持基板１０及び絶縁層１１の間に位置し、支持基板１０の上面に接触している。遮光層ＬＳは、一例では、モリブデンタングステン合金製である。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＰＳを備えている。図示した例では、半導体層ＰＳは、絶縁層１１及び絶縁層１２の間に位置し、絶縁層１１の上面に接触している。半導体層ＰＳは、一例では、多結晶シリコン製である。なお、半導体層ＰＳは、酸化物半導体製であってもよい。酸化物半導体製である場合、半導体層ＰＳは、絶縁層１１及び絶縁層１２の間以外の位置に配置されていてもよい。ゲート線Ｇ（Ｇ２）の一部であるゲート電極ＷＧは、絶縁層１２及び絶縁層１３の間に位置し、絶縁層１２の上面に接触している。ドレイン電極ＲＥは、絶縁層１４及び絶縁層１５の間に位置し、絶縁層１４の上面に接触している。ドレイン電極ＲＥは、コンタクトホールＣＨ２に延在し、半導体層ＰＳの上面に接触している。コンタクトホールＣＨ２は、絶縁層１２乃至１４を貫通して半導体層ＰＳに到達している。ソース線Ｓ２は、コンタクトホールＣＨ３に延在し、半導体層ＰＳの上面に接触している。コンタクトホールＣＨ３は、絶縁層１２乃至１４を貫通して半導体層ＰＳに到達している。導電材ＣＭは、コンタクトホールＣＨ１内でドレイン電極ＲＥを覆っている。言い換えると、導電材ＣＭは、コンタクトホールＣＨ１内でドレイン電極ＲＥに接触している。金属配線ＭＴ２は、第１電極Ｅ１及び絶縁層１５と絶縁層１６の間に位置し、第１電極Ｅ１及び絶縁層１５の上面に接触している。絶縁層１６は、金属配線ＭＴ２、絶縁層１５、及び導電材ＣＭの上に位置し、金属配線ＭＴ２、絶縁層１５、及び導電材ＣＭに接触している。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ１に延在し、導電材ＣＭに接触している。言い換えると、画素電極ＰＥは、導電材ＣＭを介してドレイン電極ＲＥに電気的に接続している。コンタクトホールＣＨ１は、絶縁層１５を貫通してドレイン電極ＲＥに到達している。なお、ゲート電極ＷＧと遮光層ＬＳとは、例えば互いに電気的に接続され、同電位であることが望ましい。
第２基板ＳＵＢ２は、遮光層ＢＭなどを備えている。遮光層ＢＭは、支持基板２０と絶縁層２１との間において、ゲート電極ＷＧ及びコンタクトホールＣＨ１の上に位置している。

図６は、図３のＣ−Ｃにおける表示パネルＰＮＬの断面図である。なお、ここでは、主に図４及び図５に示した断面図とは異なる部分について説明する。
図示した例では、コンタクトホールＣＨ１は、絶縁層１５を貫通して絶縁層１４に到達している。ドレイン電極ＲＥは、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいるソース線Ｓ１及びＳ２の間に位置している。ドレイン電極ＲＥは、コンタクトホールＣＨ１内で絶縁層１５から露出している。ドレイン電極ＲＥの第１方向Ｘの幅ＲＷは、コンタクトホールＣＨ１の第１方向Ｘの幅ＨＷよりも小さい。ドレイン電極ＲＥは、第１方向Ｘにおけるソース線Ｓ１側の端部ＲＥＥ１とソース線Ｓ２側の端部ＲＥＥ２とを有している。ドレイン電極ＲＥの端部ＲＥＥ１及びＲＥＥ２は、それぞれ、絶縁層１５から露出し、第１方向Ｘにおいて絶縁層１５から離間している。ドレイン電極ＲＥは、金属層ＭＬ１、ＭＬ２、及びＭＬ３の順に積層した３層積層膜等である。金属層ＭＬ１及びＭＬ３は、例えば、チタン、モリブデン、チタンを主成分とする金属、又はモリブデンを主成分とする金属で形成されている。金属層ＭＬ２は、例えば、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする金属で形成されている。なお、ドレイン電極ＲＥは、少なくともアルミニウムやアルミニウムを主成分とする金属で形成された層を有していればよい。また、ドレイン電極ＲＥは、３層よりも少ない数の層で構成されていてもよいし、３層よりも多い数の層で構成されていてもよい。絶縁層１４は、コンタクトホールＣＨ１において、絶縁層１５及び端部ＲＥＥ１の間で絶縁層１５から露出している領域ＡＲ１と絶縁層１５及び端部ＲＥＥ２の間で絶縁層１５から露出している領域ＡＲ２とを有している。導電材ＣＭは、コンタクトホールＣＨ１内でドレイン電極ＲＥの上面と端部ＲＥＥ１及びＲＥＥ２とを覆っている。導電材ＣＭは、領域ＡＲ１及び領域ＡＲ２に接触している。なお、導電材ＣＭは、第１基板ＳＵＢ１の製造時にエッチング等で削れる可能性のある部分、例えば、金属層ＭＬ２を覆っていればよい。導電材ＣＭは、導電性材料、例えば、金属配線ＭＴ又は第１電極Ｅ１と同じ部材で形成されている。絶縁層１６は、絶縁層１５、金属配線ＭＴ１、ＭＴ２、及び導電材ＣＭの上に位置し、絶縁層１５、金属配線ＭＴ１、ＭＴ２、及び導電材ＣＭに接触している。

図７は、図３のＤ−Ｄにおける表示パネルＰＮＬの断面図である。なお、ここでは、主に図４乃至図６に示した断面図とは異なる部分について説明する。
第１基板ＳＵＢ１は、スペーサＤＰＳ、ＤＸＳなどを備えている。図示した例では、スペーサＤＰＳは、ソース線Ｓ１の直上で第２電極Ｅ２の上に位置し、第２電極Ｅ２に接触している。スペーサＤＰＳは、第２基板ＳＵＢ２に向かって突出している。スペーサＤＰＳの断面形状は、第２基板ＳＵＢ２側に位置する先端部に向かって先細るテーパー形状に形成されている。なお、スペーサＤＰＳの断面形状は、テーパー形状以外の形状に形成されていてもよい。スペーサＤＸＳは、ソース線Ｓ２の直上で第２電極Ｅ２の上に位置し、第２電極Ｅ２に接触している。スペーサＤＸＳは、第２基板ＳＵＢ２に向かって突出している。スペーサＤＸＳの断面形状は、第２基板ＳＵＢ２側に位置する先端部に向かって先細るテーパー形状に形成されている。なお、スペーサＤＸＳの断面形状は、テーパー形状以外の形状で形成されていてもよい。配向膜ＡＬ１は、第２電極Ｅ２、スペーサＤＰＳの側面、及びスペーサＤＸＳの側面を覆っている。

第２基板ＳＵＢ２は、スペーサＵＰＳ、ＵＸＳなどを備えている。図示した例では、スペーサＵＰＳは、スペーサＤＰＳから第１方向Ｘにずれた位置に配置されている。スペーサＵＰＳは、ソース線Ｓ１の直上で絶縁層２１の下に位置し、絶縁層２１に接触している。スペーサＵＰＳは、第１基板ＳＵＢ１に向かって突出している。スペーサＵＰＳの断面形状は、第１基板ＳＵＢ１側に位置する先端部に向かって先細るテーパー形状に形成されている。なお、スペーサＵＰＳの断面形状は、テーパー形状以外の形状に形成されていてもよい。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２に第１方向Ｘに力が加わった場合、スペーサＤＰＳ及びスペーサＵＰＳが互いに係止することで、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が互いに第１方向Ｘにずれることを抑制できる。スペーサＵＸＳは、ソース線Ｓ２の直上で絶縁層２１の下に位置し、絶縁層２１に接触している。スペーサＵＸＳは、第１基板ＳＵＢ１に向かって突出している。スペーサＵＸＳの断面形状は、第１基板ＳＵＢ１側に位置する先端部に向かって先細るテーパー形状に形成されている。なお、スペーサＵＸＳの断面形状は、テーパー形状以外の形状に形成されていてもよい。スペーサＵＸＳの先端部は、スペーサＤＸＳの先端部に接触している。スペーサＵＸＳは、スペーサＤＸＳよりも第１方向Ｘに延出している。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２に第１方向Ｘに力が加わり、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が第１方向Ｘにずれたとしても、スペーサＵＸＳがスペーサＤＸＳから離脱することを抑制することができる。

本実施形態によれば、表示装置ＤＳＰは、絶縁層１４と、絶縁層１４の上に位置し、コンタクトホールＣＨ１を有する絶縁層１５と、絶縁層１４の上に位置し、コンタクトホールＣＨ１内で絶縁層１５から露出しているドレイン電極ＲＥと、絶縁層１５の上に位置する第１電極Ｅ１と、絶縁層１５及び第１電極Ｅ１の上に位置し、第１電極Ｅ１に接触している金属配線ＭＴと、コンタクトホールＣＨ１内でドレイン電極ＲＥを覆っている導電材ＣＭとを備えている。ドレイン電極ＲＥは、金属層ＭＬ１、ＭＬ２、及びＭＬ３の順に積層されている。金属層ＭＬ２は、例えば、アルミニウム、又はアルミニウムを主成分とする金属で形成されている。ドレイン電極ＲＥは、端部ＲＥＥ１及び端部ＲＥＥ２を有している。端部ＲＥＥ１及びＲＥＥ２は、それぞれ、第１方向Ｘにおいて絶縁層１５から離間している。導電材ＣＭは、例えば、金属配線ＭＴ又は第１電極Ｅ１と同じ部材で形成されている。導電材ＣＭは、コンタクトホールＣＨ１内でドレイン電極ＲＥの上面と端部ＲＥＥ１及びＲＥＥ２とを覆っている。そのため、表示装置ＤＳＰの製造工程、例えば、金属配線ＭＴをエッチングする工程において、ドレイン電極ＲＥ、例えば、金属層ＭＬ２がエッチング等で削られることを抑制することができる。従って、信頼性の向上が可能な表示装置ＤＳＰが提供される。
なお、表示装置ＤＳＰは、上記構成例に限らず、第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２を画素電極に置き換え、且つ画素電極ＰＥを共通電位の電極に置き換えた構成であってもよい。

次に、第１実施形態の他の構成例について図８乃至図１０を参照しながらそれぞれ説明する。以下に説明する第１実施形態の他の構成例において、前述した第１実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付しその詳細な説明を省略し、前述した第１実施形態と異なる部分を中心に詳細に説明する。なお、他の構成例においても、前述の第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

図８に示した構成例は、図６に示した構成例と比較して、導電材ＣＭの構成が相違している。導電材ＣＭは、第１導電層ＣＭＬ１及び第２導電層ＣＭＬ２の順に積層されている。第１導電層ＣＭＬ１は、例えば、第１電極Ｅ１と同じ部材で形成されている。第２導電層ＣＭＬ２は、例えば、金属配線ＭＴと同じ部材で形成されている。このような構成例においても、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。

図９に示した構成例は、図６に示した構成例と比較して、第１基板ＳＵＢ１が金属配線ＭＴを有していない点が相違している。絶縁層１６は、絶縁層１５の上に位置し、絶縁層１５に接触している。導電材ＣＭは、例えば、第１電極Ｅ１と同じ部材で形成されている。このような構成例においても、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。

図１０に示した構成例は、図６に示した構成例と比較して、第１基板ＳＵＢ１の構成が相違している。第１基板ＳＵＢ１は、絶縁層１７及び第２電極Ｅ２を有していない。配向膜ＡＬ１は、絶縁層１６及び画素電極ＰＥを覆っている。このような構成例においても、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置 ＰＮＬ…表示パネル
ＳＵＢ１…第１基板 ＳＵＢ２…第２基板 １０…支持基板
２０…支持基板 ＤＡ…表示領域 ＮＤＡ…非表示領域
Ｇ…ゲート線 Ｓ…ソース線 ＬＳ…遮光層
ＰＥ…画素電極 Ｅ１…第１電極 Ｅ２…第２電極
ＲＥ…ドレイン電極 ＣＭ…導電材

Claims (12)

1. 第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上に位置し、間隔を置いて並んでいる第１ソース線及び第２ソース線と、
   前記第１絶縁層、前記第１ソース線及び前記第２ソース線の上に位置し、コンタクトホールを有する有機絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上で前記第１ソース線及び前記第２ソース線の間に位置し、前記コンタクトホール内で前記有機絶縁層から露出しているドレイン電極と、
   前記コンタクトホール内で前記ドレイン電極を覆っている導電材と、
   前記有機絶縁層の上に位置する第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層の上に位置し、前記ドレイン電極に電気的に接続されている画素電極と、を備え、
   前記導電材は、前記コンタクトホールにおいて前記有機絶縁層及び前記ドレイン電極の間で前記有機絶縁層から露出している前記第１絶縁層と接触している、表示装置。
2. 前記第１絶縁層は、前記有機絶縁層と前記第１ソース線側の前記ドレイン電極の第１端部との間で前記有機絶縁層から露出している第１領域と前記有機絶縁層と前記第２ソース線側の前記ドレイン電極の第２端部との間で前記有機絶縁層から露出している第２領域とを有し、
   前記導電材は、前記第１領域及び前記第２領域に接触している、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記有機絶縁層及び前記第２絶縁層の間に位置する第１電極と、前記第１ソース線に重畳し、前記第１電極に接触している第１金属配線と、前記第２ソース線に重畳し、前記第１電極に接触している第２金属配線とをさらに備えている、請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記導電材は、前記第１電極と同じ第１部材で形成されている、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記導電材は、前記第１金属配線及び前記第２金属配線と同じ第２部材で形成されている、請求項３に記載の表示装置。
6. 前記導電材は、前記第１電極と同じ第１部材に前記第１金属配線及び前記第２金属配線と同じ第２部材が積層されて形成されている、請求項３に記載の表示装置。
7. 前記第１金属配線及び前記第２金属配線は、前記第１電極の上に位置している、請求項３乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記画素電極の上に位置し、前記第１電極と電気的に接続している第２電極をさらに備えている、請求項３乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記画素電極は、前記導電材に接触している、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記ドレイン電極は、アルミニウムを含んでいる、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 第１絶縁層と、
    前記第１絶縁層の上に位置し、間隔を置いて並んでいる第１ソース線及び第２ソース線と、
    前記第１絶縁層、前記第１ソース線及び前記第２ソース線の上に位置し、コンタクトホールを有する有機絶縁層と、
    前記第１絶縁層の上で前記第１ソース線及び前記第２ソース線の間に位置し、前記コンタクトホール内で前記有機絶縁層から露出している前記第１ソース線側の第１端部及び前記第２ソース線側の第２端部を有するドレイン電極と、
    前記コンタクトホール内で前記第１端部及び前記第２端部を覆っている導電材と、
    前記有機絶縁層の上に位置する第２絶縁層と、
    前記第２絶縁層の上に位置し、前記ドレイン電極に電気的に接続されている画素電極と、を備えている、表示装置。
12. 第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に位置し、間隔を置いて並んでいる第１ソース線及び第２ソース線と、前記第１絶縁層、前記第１ソース線及び前記第２ソース線の上に位置し、コンタクトホールを有する有機絶縁層と、前記第１絶縁層の上で前記第１ソース線及び前記第２ソース線の間に位置し、前記コンタクトホール内で前記有機絶縁層から露出しているドレイン電極と、前記コンタクトホール内で前記ドレイン電極を覆っている導電材と、前記有機絶縁層の上に位置する第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に位置し、前記ドレイン電極に電気的に接続されている画素電極と、を備える第１基板と、
    前記第１基板と対向している第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に保持されている液晶層と、を備え、
    前記導電材は、前記コンタクトホールにおいて前記有機絶縁層及び前記ドレイン電極の間で前記有機絶縁層から露出している前記第１絶縁層と接触している、表示装置。

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