CN104749805A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置。该显示装置包括第一基板。该第一基板包括有源区域和形成在有源区域的外边缘中的虚拟区域，该有源区域包括多个像素区域并被配置为实现实际图像，虚拟区域包括面板中栅极(GIP)电路、控制信号线、接地部和公共线。GIP电路与控制信号线、接地部和公共线中的至少一部分重叠，其中绝缘层介于GIP电路与控制信号线、接地部和公共线中的至少一部分之间。显示装置还包括：用于移位寄存器的薄膜晶体管(TFT)，其设置在GIP电路的多个级中的每一级中；以及用于移位寄存器的每个TFT的源极接触孔和栅极接触孔，源极接触孔和栅极接触孔沿着对应的控制信号线形成。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置，具体地，涉及通过使得外边缘区域中的电路线重叠并将薄膜晶体管(TFT)与电路线直接连接来最小化外框(bezel)的显示装置，其中绝缘层介于这些电路线之间。
背景技术
现有技术中的液晶显示器(LCD)可以通过使用电场调整具有介电各向异性的液晶的透光率来显示图像。LCD装置可以包括像素区域以矩阵形式布置在其中的液晶面板以及用于驱动液晶面板的驱动电路。
液晶面板包括彼此附接的第一基板和第二基板以及形成在第一基板与第二基板之间的液晶层。多条栅极线和多条数据线可以被布置成彼此垂直交叉以定义像素区域。像素电极形成在每个像素区域中，并且薄膜晶体管(TFT)形成在栅极线与数据线的每个交叉点处。根据栅极线的扫描信号来接通TFT以向每个像素电极施加数据线的数据信号，从而驱动液晶层。
阻止除了像素区域外的区域中的光透射的黑矩阵(black matrix)和形成在每个像素区域中以实现实际颜色的滤色器层设置在第二基板上。
驱动电路可以包括驱动多条栅极线的栅极驱动器、驱动多条数据线的数据驱动器、提供用于控制栅极驱动器和数据驱动器的控制信号、数据信号等的定时控制器。栅极驱动器包括用以顺序地将扫描脉冲分别输出到栅极线的移位寄存器。
移位寄存器包括相关地彼此连接的多个级。多个级顺序地输出扫描脉冲以顺序地扫描液晶面板的栅极线。在多个级当中，第一级从定时控制器接收启动信号作为触发信号，并且除了第一级外的其他级从第一级(在其他级前面的级)接收输出信号作为触发信号。多个级中的每一级均接收多个时钟脉冲当中的至少一个时钟脉冲，这多个时钟脉冲分别具有连续的相位差。相应地，扫描脉冲顺序地从第一级输出到最后级。
栅极驱动器可以包括其中安装有移位寄存器的栅极驱动器集成电路(IC)。栅极驱动器IC可以被设置并使用例如TCP处理来连接到液晶面板的栅极线衬垫(pad)。数据驱动器可以使用数据驱动器IC，并且栅极驱动器可以通过面板中栅极(GIP)技术而在LCD装置上形成移位寄存器，以减少材料成本、处理次数和处理时间。
图1是具有GIP结构的现有技术的LCD装置的平面图。LCD装置可以具有GIP结构、第一基板1和第二基板2。第一基板1和第二基板2使用密封剂10而附接在一起，其中第一基板1与第二基板2之间保持预定间隔。这里，第一基板1被形成为大于第二基板2，以形成其中可以安装例如数据驱动器的非显示区域。显示区域形成在基于密封剂10的内侧，其中第一基板1与第二基板2利用该密封剂10来附接。
所附接的第一基板1和第二基板2的显示区域被划分成有源区域A/A和虚拟区域(dummy region)D。栅极线、数据线、像素电极和TFT形成在第一基板1的有源区域A/A中。黑矩阵层和滤色器层形成在第二基板2的有源区域A/A中。
第一基板1的虚拟区域D可以包括GIP栅极驱动器3、GIP虚拟栅极驱动器4、接地部11、控制信号线12、被配置为移位寄存器的GIP电路13以及公共线14。栅极驱动器3、GIP虚拟栅极驱动器4、接地部11和控制信号线12用于施加例如从定时控制器输出到GIP栅极驱动器3和GIP虚拟栅极驱动器4的各种信号，诸如时钟信号、使能信号、启动信号或公共电压。被形成为阻止至虚拟区域D的光透射的黑矩阵可以形成在第二基板2的虚拟区域D中。
可以使现有技术中包括虚拟区域的外框的尺寸最小化以减小显示装置的尺寸并获得精细外观，同时保持具有相同尺寸的屏幕。
图2是图1中的区域‘A’的放大平面图。具有GIP结构的LCD装置包括设置在虚拟区域D中的接地部11、控制信号线12、移位GIP电路13和公共线15。虚拟区域D必须具有预定宽度d1或更大的宽度。因而，在减小虚拟区域D的面积方面的限制导致在减小外框面积方面的限制，从而使得无法制造具有非常小(窄)的外框面积的LCD装置。
TFT 23形成在移位GIP电路13中，并且来自控制信号线12的控制信号被输入至TFT 23。TFT 23通过金属线24连接至信号线12。这里，为了利用金属线24连接多条控制信号线12，TFT 23通过形成在控制信号线12上的绝缘层而与交叉的控制信号线12电绝缘。金属线24形成在绝缘层上，并且接触孔随后形成在TFT 23的源极电极上以将控制信号线12和TFT 23电连接。
因而，具有GIP结构的现有技术的LCD装置具有复杂的结构和处理，从而增加了制造成本以及由于复杂结构而产生缺陷的可能性。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种虚拟区域的布线在绝缘层介于其之间的情况下彼此部分地重叠的显示装置，从而使外框面积最小化并且简化处理。
为了实现这些和其他优点以及根据本说明书的目的，如本文中体现且广泛描述的那样，一种显示装置可以包括第一基板，该第一基板包括有源区域和形成在有源区域的外边缘中的虚拟区域，其中该有源区域包括多个像素区域并实现实际图像；虚拟区域包括面板中栅极(GIP)电路、控制信号线、接地部和公共线。GIP电路与控制信号线、接地部和公共线中的至少一部分重叠，其中绝缘层介于GIP电路与控制信号线、接地部和公共线中的至少一部分之间。用于移位寄存器的薄膜晶体管(TFT)设置在GIP电路的多个级的每一级中，并且用于移位寄存器的每个TFT的源极接触孔和栅极接触孔沿着对应的控制信号线形成。
控制信号线可以包括时钟信号线、使能信号线和启动信号线，并且控制信号线可以与GIP电路完全重叠。
控制信号线可以形成在钝化层上并通过源极接触孔电连接至GIP电路的用于移位寄存器的TFT。GIP电路的用于移位寄存器的TFT的源极接触孔可以与前一级的用于移位寄存器的TFT相隔预定间隙。
栅极接触孔可以形成在与前一级的用于移位寄存器的TFT的源极接触孔相对应的控制信号线中。
该显示装置可以应用于各种显示装置，包括例如LCD装置、发光显示装置、有机发光显示装置或者等离子体显示装置。
在本发明中，控制信号线、接地部和公共线的部分在GIP电路区域中形成在GIP电路上方并与GIP电路重叠，其中绝缘层介于这些部分与GIP电路之间。与现有技术的LCD装置相比，减小了其中形成有线的区域，从而减小了虚拟区域的宽度，导致具有非常窄的外框的显示装置。由于GIP电路的用于移位寄存器的多个TFT的接触孔沿着控制信号线形成，因此使外框的面积最小化。
根据下文中给出的详细描述，本申请的可应用性的进一步的范围将变得更加明显。然而，应该理解，详细描述和具体示例尽管表示了本发明的优选实施例，但是这仅作为例示而给出。根据详细描述，在本发明的精神和范围内的各种改变和修改对于本领域技术人员将变得显而易见。
附图说明
被包括以提供对本发明的进一步理解并且并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图示出了示例性实施例并且连同描述一起用来说明本发明的原理。在附图中：
图1是示出现有技术的液晶显示(LCD)装置的结构的平面图；
图2是图1中的区域‘A’的放大平面图；
图3是示出根据本发明的第一实施例的LCD装置的结构的平面图；
图4A是图3中的区域‘B’的放大平面图；
图4B是图3中的区域‘B’的示意性横截面图；
图5是具体示出根据本发明的第二实施例的LCD装置的结构的横截面图；
图6是具体示出根据本发明的第三实施例的LCD装置的结构的横截面图；
图7是具体示出根据本发明的第四实施例的LCD装置的结构的横截面图；以及
图8A至图8D是示出根据本发明的第五实施例的制造LCD装置的方法的视图。
具体实施方式
将参照附图详细描述根据本发明的实施例的显示装置。为了描述的目的，液晶显示(LCD)装置将被描述为显示装置的示例，但本发明不限于此。本发明可以应用于各种平面显示装置，即，任何已知且已使用的显示装置。
图3是示出根据本发明的第一实施例的LCD装置的结构的平面图。根据本发明的第一实施例的具有面板中栅极(GIP)结构的LCD装置可以包括由诸如玻璃或塑料的透明材料形成并利用密封剂110附接的第一基板101和第二基板102。第一基板101可以大于第二基板102以形成其中安装有例如数据驱动器的非显示区域。显示区域形成在利用密封剂110附接的第一基板101和第二基板102的基于密封剂110的内侧。
所附接的第一基板101和第二基板102的显示区域被划分成有源区域A/A和虚拟区域D。有源区域A/A是实际实现图像的区域。有源区域A/A可以包括由设置在第一基板101上的多条栅极线和多条数据线定义的多个像素区域、分别形成在像素区域中并根据向其施加的信号而被驱动以向图像区域施加图像信号的薄膜晶体管(TFT)和切换元件。有源区域A/A可以包括像素电极和公共电极，像素电极和公共电极形成在像素区域中，以在根据TFT的操作提供图像信号时，通过驱动液晶层的液晶分子来控制透过液晶层的光的透射率从而实现图像。有源区域A/A可以包括形成在第二基板上以阻止至除了实现图像的区域外的区域的光透射的黑矩阵。有源区域A/A可以包括滤色器层，该滤色器层包括R滤色器、G滤色器和B滤色器并实现实际颜色。
在本发明的第一实施例中，LCD装置被示为显示装置的示例，但本发明不限于此并且还可以应用于例如场发射显示装置、有机发光显示装置、电泳显示装置或等离子体显示装置。
因而，当本发明应用于电致发光显示器或有机发光显示装置时，发光单元或有机发光单元而不是液晶层形成在有源区域A/A中的像素电极与公共电极之间。当本发明应用于电泳显示装置时，电泳层而不是液晶层可以形成在有源区域A/A中的像素电极与公共电极之间。当本发明应用于等离子体显示装置时，等离子体层而不是液晶层可以形成在有源区域A/A中的像素电极与公共电极之间。
GIP栅极驱动器103、GIP虚拟栅极驱动器、接地部111、控制信号线112用于施加各种信号。各种信号包括例如从定时控制器输出至GIP栅极驱动器103和GIP虚拟栅极驱动器104的时钟信号、使能信号、启动信号、公共电压。被配置为移位寄存器的GIP电路113和公共线114形成在第一基板101的虚拟区域D中。黑矩阵可以形成在第二基板102的虚拟区域D中以阻止至除了实现图像的区域外的区域的光透射。控制信号线112包括例如时钟信号线、使能信号线和启动信号线。
图4A和图4B是图3的区域B的放大视图。图4A是示出虚拟区域D的多个级中的线的布局的平面图，以及图4B是示意性地示出层结构的横截面图。在具有GIP结构的LCD装置中，多个TFT形成在虚拟区域中。下文中，将描述多个TFT当中的上拉晶体管的形状和连接结构。
在虚拟区域D中，公共线114、GIP电路113、控制信号线112和接地部111从有源区域A/A的边界开始顺序地设置(参照图4A)。如本发明的图4A和图4B中所示的公共线114和控制信号线112仅仅是说明性的，而不限于具体数量。线的数量可以根据例如制造的液晶面板的尺寸、像素的数量或者安装在液晶面板上的GIP栅极驱动器103的数量来确定。
GIP电路113设置在第一基板101上(参照图4A和图4B)。接地部111和公共线114设置在GIP电路的两侧，以及控制信号线112设置在GIP电路113上。这里，控制信号线112以完全重叠方式形成在GIP电路113上，以及接地部111和公共线114以部分重叠方式形成在第一基板101和GIP电路上。即，接地部111和公共线114的部分形成在第一基板101上，以及接地部111和公共线114的部分形成在GIP电路113上。这里，控制信号线112的仅一部分还可以与GIP电路113重叠。由于控制信号线112形成在GIP电路113上以及接地部111和公共线114的部分形成在GIP电路113上，因此相对于现有技术的LCD装置，可以减小虚拟区域的宽度。
现有技术的LCD装置包括设置在第一基板1上的、分别具有宽度a1、a2、a3和a4的接地部11、GIP电路13、控制信号线12和公共线14(参照图2)。然而，在根据本发明的第一实施例的LCD装置中，分别具有宽度a1’、a3’和a4’的接地部111、GIP电路113和公共线114形成在第一基板101上(参照图4A)。
由于控制信号线112形成在GIP电路113上，因此控制信号线112不占用第一基板101的任何区域。此外，由于接地部111与GIP电路113部分重叠，因此宽度a1’小于宽度a1(a1'<a1)，以及由于公共线114与GIP电路113部分重叠，因此宽度a4’小于宽度a4(a4’<a4)。在这种情况下，接地部111与GIP电路113的整个面积的50％至100％重叠，以及公共线114与GIP电路113的整个面积的50％至100％重叠。结果，在本发明的第一实施例中，可以减小对应于a3+(a1-a1')+(a4-a4')的虚拟区域D的宽度(即，d1>d2)。
根据第一实施例，GIP电路113包括多个薄膜晶体管123(参照图4A)。这里，由于控制信号线112形成在GIP电路113上，因此控制信号线112形成在GIP电路113的TFT 123上。因而，虽然现有技术的LCD装置包括利用金属线连接到TFT的控制信号线，但是在本发明的第一实施例中的LCD装置包括通过接触孔直接连接到TFT的控制信号线。
根据第一实施例，每个TFT 123均可以包括栅极电极、半导体层、源极电极123c和漏极电极123d(参照图4A)。源极电极123c被形成为从GIP电路的一侧到另一端加宽，以及漏极电极123d被形成为面向源极电极123c。源极接触孔129a分别形成在多个TFT 123的源极电极123c上。栅极接触孔129b形成在栅极电极上。
由于信号分别从控制信号线112输入至源极电极123c，因此源极接触孔129a沿着控制信号线112形成。控制信号线112以预定间隔设置，因而，多个TFT的源极接触孔129a也在沿着控制信号线112的x方向上以预定间隔形成。也就是说，每一级中形成源极电极123c的区域是相同的，但源极接触孔129a的位置根据控制信号线112而不同。
栅极接触孔129b也沿着控制信号线112形成。根据第一实施例的TFT是上拉晶体管并且接收前级的源极输入信号作为栅极信号。因而，栅极接触孔129b沿着与前级的源极接触孔129a相对应的控制信号线112形成。这里，为了防止源极电极123a和栅极电极短路，去除每个源极电极的形成有栅极接触孔129b的区域，并且绝缘层暴露于该区域。因而，由于控制信号线112和GIP电路113彼此重叠，因此GIP电路113的TFT的形状(即，接触孔和源极电极的形状)根据每一级而不同。
接下来，图5是示出根据本发明的第二实施例的LCD装置的仅虚拟区域的视图。第一基板101的虚拟区域D包括接地区域、GIP电路区域和公共线区域。在第一基板101的接地区域、GIP电路区域和公共线区域中，分别形成第一接地部111a、用于形成GIP电路113的移位寄存器的TFT 123的栅极电极123a以及第一公共线114a。
第一接地部111a、用于移位寄存器的TFT 123的栅极电极123a和第一公共线114a可以通过不同处理由不同金属形成或者可通过相同处理由相同金属形成。这里，第一接地部111a、用于移位寄存器的TFT 123的栅极电极123a和第一公共线114a可被形成为由具有良好导电性的金属(诸如，铝(Al)或Al合金)形成的单一层。此外，第一接地部111a、用于移位寄存器的TFT 123的栅极电极123a以及第一公共线114a可以被形成为诸如AlNd/Mo的多个层。
由诸如SiOx或SiNx的无机绝缘材料形成的栅极绝缘层142形成在第一基板101上，其中第一接地部111a、用于移位寄存器的TFT 123的栅极电极123a以及第一公共线114a形成在第一基板101上。半导体层123b形成在GIP电路区域的栅极绝缘层142上。作为半导体层123b的材料，主要使用非晶硅a-Si，但还可以使用晶体硅或氧化物半导体。源极电极123c和漏极电极123d形成在半导体层123b上，从而完成用于移位寄存器的TFT 123。这里，源极电极123c和漏极电极123d可以由具有良好导电性的金属(包括例如Al、Al合金或Mo)形成。线以及用于移位寄存器的TFT可以形成在GIP电路区域中。
钝化层144形成在第一基板101上，其中用于移位寄存器的TFT形成在第一基板101上。钝化层144可由诸如光固化丙烯酸类(photoacryl)的有机材料或者诸如SiOx或SiNx的无机材料形成。替选地，钝化层144可以形成为包括无机钝化层和有机钝化层的双层。
第一接触孔119a、第二接触孔119b和第三接触孔119c形成在接地区域、GIP电路区域和公共线区域中。这里，第二接触孔119b仅形成在钝化层144中，从而使得TFT 123通过第二接触孔119b暴露，并且第一接触孔119a和第三接触孔119c形成在栅极绝缘层142和钝化层144中，从而使得第一接地部11a和第一公共线114a分别通过第一接触孔119a和第三接触孔119c暴露。
分别地，第二接地部111b形成在接地区域中的钝化层144上，控制信号线112形成在GIP电路区域中的钝化层144上，以及第二公共线114b形成在公共线区域中的钝化层144上。第二接地部111b通过第一接触孔119a电连接到第一接地部111a，控制信号线112通过第二接触孔119b直接电连接到用于移位寄存器(即，GIP电路)的TFT 123的源极电极123c，并且第二公共线114b通过第三接触孔119c电连接到第一公共线119a。
控制信号线112通过第二接触孔119b直接连接到用于移位寄存器的TFT 123的漏极电极123d，但替选地，除了控制信号线112外，另外的金属线可以形成并连接到用于移位寄存器的TFT的漏极电极123d。这里，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的金属氧化物或者不透明金属可以用作金属线。即使当使用另外的金属线时，金属线也不与例如控制信号线112、绝缘层或接触孔重叠。因此，不需要控制信号线112与金属线绝缘。
第二接地部111b的一部分和第二公共线114b的一部分可以延伸到GIP电路区域。因而，由于第二接地部111b的一部分和第二公共线114b的一部分以及控制信号线112形成在GIP电路区域中，因此GIP电路(例如，移位寄存器)可以与控制信号线112、第二接地部111b和第二公共线114b的部分重叠，其中绝缘层(例如，栅极绝缘层142)和/或钝化层144介于GIP电路与控制信号线112、第二接地部111b和第二公共线114b的部分之间。
以该方式，在本发明的第二实施例中，由于控制信号线112、第二接地部111b和第二公共线114b的部分在GIP电路区域中形成在GIP电路上方(其中插入有绝缘层)，因此与现有技术的LCD装置相比，可以减小虚拟区域的宽度。第二接地部111b和第二公共线114b的部分与GIP电路重叠，但替选地，仅控制信号线112可以被形成为与GIP电路重叠，而第二接地部111b和第二公共线114b不与GIP电路重叠，或者第二接地部111b和第二公共线114b中的仅一个的一部分可以与GIP电路重叠。也就是说，在本发明的第二实施例中，控制信号线112、第二接地部111b和第二公共线114b的全部或部分可以与GIP电路重叠，其中绝缘层介于控制信号线112、第二接地部111b和第二公共线114b的全部或部分与GIP电路之间。
接下来，图6是具体地示出根据本发明的第三实施例的LCD装置的结构的横截面图。第一基板101的虚拟区域D包括接地区域、GIP电路区域和公共线区域。在第一基板101的接地区域和公共线区域中，分别形成有第一接地部111a和第一公共线114a。在GIP电路区域中，形成GIP电路113，该GIP电路113包括具有栅极电极123a、半导体层123b、源极电极123c和漏极电极123d的用于多个移位寄存器的TFT控制电路线123。栅极绝缘层142形成在第一接地部111a、第一公共线114a和用于移位寄存器的TFT 123的栅极电极123a上。由无机层或有机层或者有机层/无机层形成的钝化层144形成第一基板101上，其中用于移位寄存器的TFT形成在该第一基板101上。滤色器层146形成在钝化层144上。
即，根据本发明的第三实施例的LCD装置是具有TFT上滤色器(COT)结构的LCD装置，在该TFT上滤色器(COT)结构中，滤色器层146形成在第一基板101上。与如图4所示的滤色器层形成在第二基板上(例如，在上部基板上)的LCD装置相比，根据第三实施例的LCD装置包括形成在第一基板101上的滤色器层146。
由于R滤色器、G滤色器、B滤色器直接形成在具有COT结构的LCD装置中的像素上，因此不需要考虑由于当滤色器层形成在第二基板上时可能发生的第一基板和第二基板的未对准而导致的缺陷或附接空白(margin)。
滤色器层146可以是R滤色器层、G滤色器层和B滤色器层当中的单个层，包括R滤色器层、G滤色器层和B滤色器层的三层或者具有不同颜色的两层。第一接触孔119a、第二接触孔119b和第三接触孔119c分别形成在接地区域、GIP电路区域和公共线区域中。这里，第二接触孔119b仅形成在钝化层144和滤色器层146中，从而使得用于移位寄存器的TFT 123通过该第二接触孔119b暴露，并且第一接触孔119a和第三接触孔119c形成在栅极绝缘层142、钝化层144和滤色器层中，从而使得第一接地部111a和第一公共线114a分别通过第一接触孔119a和第三接触孔119c暴露。分别地，第二接地部111b形成在接地区域中的滤色器层146上，控制信号线112形成在GIP电路区域中的滤色器层146上，第二公共线114b形成在公共线区域中的滤色器层146上。第二接地部111b通过第一接触孔119a电连接到第一接地部111a，以及控制信号线112通过第二接触孔119b直接连接到用于移位寄存器(例如，GIP电路)的TFT123的漏极电极123d，以及第二公共线114b通过第三接触孔119c电连接到第一公共线119a。
缓冲层可以由无机绝缘材料或有机绝缘材料形成，并且形成在滤色器层146上。缓冲层用来在形成控制信号线112、第二接地部111b和第二公共线114b时增强相对于滤色器层146的接口特性。此外，第一接触孔119a、第二接触孔119b和第三接触孔119c还可以形成在缓冲层中。黑矩阵可以形成在第二基板的虚拟区域中以阻止至该虚拟区域的光透射，从而防止图像质量的下降。
接下来，图7是具体地示出根据本发明的第四实施例的LCD装置的结构的横截面图。第一基板101的虚拟区域D包括接地区域、GIP电路区域和公共线区域。在第一基板101的接地区域和公共线区域中，分别形成有第一接地部111a和第一公共线114a。在GIP电路区域中，形成有GIP电路113，该GIP电路113包括具有栅极电极123a、半导体层123b、源极电极123c和漏极电极123d的用于多个移位寄存器的TFT控制电路线123。栅极绝缘层142形成在第一接地部111a、第一公共线114a和用于移位寄存器的TFT 123的栅极电极123a上。
由无机层或有机层、或者有机层/无机层形成的钝化层144形成在第一基板101上，其中用于移位寄存器的TFT形成在第一基板101上。第一接触孔119a和第三接触孔119c分别形成在接地区域和公共线区域的栅极绝缘层142和钝化层144中，并且第一接地部111a和第一公共线114a通过第一接触孔119a和第三接触孔119c暴露。分别地，第二接地部111b形成在接地区域中的钝化层144上，控制信号线112形成在GIP电路区域中的钝化层144上，以及第二公共线114b形成在公共线区域中的钝化层144上。第二接地部111b通过第一接触孔119b电连接到第一接地部111a，以及第二公共线114b通过第三接触孔119c电连接到第一公共线114a。
层间绝缘层146形成在钝化层144上。层间绝缘层146可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。第二接触孔119b和第四接触孔119d形成在GIP电路区域中。这里，第二接触孔119b可以形成在层间绝缘层146和钝化层144中，从而使得用于移位寄存器的TFT 123通过该第二接触孔119b暴露，以及第四接触孔119d形成在层间绝缘层146中，从而使得控制信号线112通过该第四接触孔119d暴露。
连接线125形成在层间绝缘层146上。连接线125还形成在第二接触孔119b和第四接触孔119d上以连接到分别通过第二接触孔119b和第四接触孔119d暴露的控制信号线112和用于移位寄存器的TFT 123，从而将控制信号线112和用于移位寄存器的TFT 123电连接。连接线125可以由诸如透明的ITO或IZO的金属氧化物形成，或者可以由不透明金属形成。滤色器层可以形成在层间绝缘层146上，从而形成具有COT结构的LCD装置。
在本发明的第四实施例中，连接线125被形成为将控制信号线112和用于移位寄存器的TFT电连接。然而，由于连接线125没有与任何其他线交叉，因此可以防止由于两条线的短路导致的缺陷。此外，在第四实施例中，TFT 123可以被形成为在沿着控制信号线112的x方向和y方向上彼此相隔预定距离(参照图4A)。因而，由于TFT 123没有被设置成彼此相邻，因此可以最小化TFT之间的间隔而不引起电缺陷。
接下来，图8A至图8D是示出根据本发明的第五实施例的制造LCD装置的方法的视图。该方法用于制造具有图5所示的结构的LCD装置，但还可以通过相同的方法来制造具有图6和图7所示的结构的LCD装置。此外，用于制造LCD装置的方法针对具有特定像素结构的LCD装置，但本发明不限于此并可以应用于各种类型的LCD装置，包括例如平面切换(IPS)模式LCD装置、扭曲向列(TN)模式LCD装置或垂直排列(VA)模式LCD装置。此外，用于制造LCD装置的方法针对包括如下所述的各种电极或绝缘层的LCD装置，但本发明不限于此。本发明可以应用于具有任意结构的LCD装置，该任意结构包括以重叠方式形成的虚拟区域的线。
如图8A所示，通过溅射将AlNd和Mo连续地堆叠在由透明玻璃或塑料形成并包括虚拟区域D和有源区域A/A的第一基板101的整体上，并通过光刻法对其进行蚀刻以形成第一接地部111a、用于移位寄存器的TFT的栅极电极123a、以及虚拟区域D中的第一公共线114a和有源区域A/A中的像素的切换TFT的栅极电极151。随后，通过化学气相沉积(CVD)将诸如SiOx或SiNx的无机绝缘材料堆叠在第一基板101的整个表面上以形成栅极绝缘层142。
随后，如图8B所示，将诸如非晶硅的非晶态半导体材料堆叠在第一基板101上，并对其进行蚀刻以在用于移位寄存器的栅极电极123a上方在栅极绝缘层142上形成用于移位寄存器的TFT的半导体层123b以及在像素的切换TFT的栅极电极151上方在栅极绝缘层142上形成切换TFT的半导体层152。
此后，通过溅射堆叠诸如Mo的金属，并通过光刻法对其进行蚀刻以形成用于移位寄存器的TFT的源极电极123c和漏极电极123d以及切换TFT的源极电极153和漏极电极154，从而分别形成在虚拟区域D中的包括移位寄存器的GIP电路线以及有源区域A/A的每个像素区域中的切换TFT。
随后，将诸如光固化丙烯酸类的有机材料或者诸如SiOx或SiNx的无机材料堆叠在其上形成有TFT的第一基板101上，以形成钝化层144。这里，可以通过连续地堆叠无机材料和有机材料来将钝化层144形成为双层。
此后，如图8C所示，对钝化层144的部分进行蚀刻以在虚拟区域D中形成第一接触孔119a、第二接触孔119b和第三接触孔119c，从而分别暴露第一接地部111a、用于移位寄存器的TFT的源极电极123c和第一公共线114a，并且在有源区域A/A中形成第四接触孔119d以暴露切换TFT的漏极电极154。
随后，如图8D所示，将诸如ITO的透明导电材料堆叠在钝化层144上并对其进行蚀刻，以在有源区域A/A中形成至少一对公共电极156与像素电极158。这里，公共电极156和像素电极158具有宽度预定的带形状并被平行布置，并且像素电极158通过第四接触孔119d电连接到切换TFT的漏极电极154，以及通过切换TFT从外部施加图像信号。
随后，将Mo、Al和Mo连续地堆叠在钝化层144上并对其进行蚀刻，以在虚拟区域D中形成第二接地部111b、控制信号线112和第二公共线114b。第二接地部111b通过第一接触孔119a电连接到第一接地部111a，控制信号线112通过第二接触孔119b连接到GIP电路(例如，用于移位寄存器的源极电极123c)，以及第二公共线114b通过第三接触孔119c电连接到第一公共线114a。
这里，第二接地部111b、控制信号线112和第二公共线114b可以通过相同处理而被形成为相同的金属层(例如，Mo/Al/Mo)，或者通过不同处理而由不同金属形成。形成在钝化层144上的第二接地部111b可以与GIP电路部分重叠或者不与GIP电路部分重叠。此外，第二公共线114b可以与GIP电路部分重叠或者不与GIP电路部分重叠。此后，可以在第二基板上形成滤色器层和黑矩阵，可以利用密封剂来附接第一基板和第二基板，并且可以在第一基板和第二基板之间形成液晶层，从而完成LCD装置。
如上所述，在本发明中，形成在虚拟区域中的一些线与其他线重叠，其中绝缘层介于这一些线与其他线之间，从而最小化虚拟区域的面积，结果，可以最小化LCD装置的外框区域的面积，从而减小LCD装置的尺寸并获得精细外观。此外，由于用于移位寄存器的TFT沿着控制信号线以交叉方式设置，因此用于移位寄存器的TFT未被形成为在同一条线中相邻，从而最小化其中形成有用于移位寄存器的TFT的面积并且进一步减小了外框的面积。虽然已描述了具有特定结构的LCD装置，但这仅出于描述的目的并且本发明不限于此。
本发明可以应用于任何类型的LCD装置，这样的LCD装置包括各种线的部分，各种线的部分在绝缘层介于其之间的情况下彼此重叠以减小虚拟区域的面积。另外，本发明不仅仅限于LCD装置，而是可以应用于各种显示装置，诸如，例如电致发光显示装置、有机发光显示装置、电泳显示装置或等离子体显示装置。
上述实施例和优点仅仅是示例性的并且不被认为是限制本发明。本教导可以容易地应用于其他类型的设备。该描述旨在为说明性的，而不是限制权利要求的范围。许多替选、修改和变化对于本领域技术人员而言将是显而易见的。可以按各种方式结合本文中描述的示例性实施例的特征、结构、方法和其他特性以获得附加的和/或替选的示例性实施例。
由于在不背离当前特征的特性的情况下可以以若干种形式体现当前特征，因此还应该理解，上述实施例不由以上描述的详情中的任一个限制，除非另外指定，而是应该在如所附权利要求限定的其范围内广泛地考虑，因此，落入权利要求的界限和边界或者这样的界限和边界的等同物内的所有改变和修改意在由所述权利要求包括在内。

Claims (21)

1.一种显示装置，包括：
第一基板，包括有源区域和形成在所述有源区域的外边缘中的虚拟区域，所述有源区域包括多个像素区域并且被配置为实现实际图像，所述虚拟区域包括面板中栅极电路、控制信号线、接地部和公共线，其中，所述面板中栅极电路与所述控制信号线、所述接地部和所述公共线中的至少一部分重叠，其中绝缘层介于所述面板中栅极电路与所述控制信号线、所述接地部和所述公共线中的至少一部分之间；
用于移位寄存器的薄膜晶体管，设置在所述面板中栅极电路的多个级中的每一级中；以及
用于所述移位寄存器的每个薄膜晶体管的源极接触孔和栅极接触孔，所述源极接触孔和所述栅极接触孔沿着对应的控制信号线形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，用于所述移位寄存器的每个薄膜晶体管包括：
栅极电极，通过栅极接触孔暴露并被配置为通过所述栅极接触孔接收栅极信号；
半导体层，形成在所述栅极电极上；
源极电极，形成在所述半导体层上，通过源极接触孔暴露，并且被配置为沿着所述控制信号线接收信号；以及
漏极电极，形成在所述半导体层上。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述控制信号线包括时钟信号线、使能信号线和启动信号线。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述控制信号线与所述面板中栅极电路完全重叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
多条栅极线和多条数据线，形成在所述有源区域中以定义多个像素区域；
切换薄膜晶体管，形成在每个所述像素区域中；以及
钝化层，形成在所述第一基板上，其中用于所述移位寄存器的薄膜晶体管形成在所述第一基板上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述钝化层由光固化丙烯酸类形成。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述钝化层由无机绝缘材料形成。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述钝化层包括：
无机钝化层；以及
有机钝化层，形成在所述无机钝化层上。
9.根据权利要求5所述的显示装置，其中，每个切换薄膜晶体管均包括：
栅极电极，形成在所述第一基板上；
栅极绝缘层，形成在所述第一基板上并覆盖所述栅极电极；
半导体层，形成在所述栅极绝缘层上；以及
源极电极和漏极电极，形成在所述半导体层上。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述接地部包括：
第一接地部，形成在所述第一基板上；以及
第二接地部，形成在所述钝化层上并通过接触孔电连接到所述第一接地部。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述公共线包括：
第一公共线，形成在所述第一基板上；以及
第二公共线，形成在所述钝化层上并通过第二接触孔电连接到所述第一公共线。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述控制信号线形成在钝化层上并通过对应的源极接触孔电连接到所述面板中栅极电路的用于所述移位寄存器的对应薄膜晶体管。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述GIP电路的特定级的用于所述移位寄存器的薄膜晶体管的源极接触孔与前一级的用于所述移位寄存器的薄膜晶体管相隔预定间隙。
14.根据权利要求2所述的显示装置，其中，特定级的用于所述移位寄存器的薄膜晶体管的栅极接触孔形成在与前一级的用于所述移位寄存器的薄膜晶体管的源极接触孔相对应的控制信号线中。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，形成有所述栅极接触孔的区域中的源极电极被去除。
16.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：
滤色器层，形成在所述钝化层上。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述控制信号线、所述第二接地部和所述第二公共线形成在所述滤色器层上。
18.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：
层间绝缘层，形成在所述钝化层上；
第三接触孔，形成在所述钝化层和所述层间绝缘层中；
第四接触孔，形成在所述层间绝缘层上；以及
连接线，形成在所述层间绝缘层上并且分别通过第三接触孔和第四接触孔电连接所述控制信号线和用于所述移位寄存器的相应薄膜晶体管。
19.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第二基板，附接到所述第一基板；
黑矩阵，形成在所述第二基板上；以及
液晶层，形成在所述第一基板与所述第二基板之间。
20.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第二基板，附接到所述第一基板；以及
发光单元或有机发光单元，形成在所述第一基板与所述第二基板之间。
21.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第二基板，附接到所述第一基板；以及
电泳层，形成在所述第一基板与所述第二基板之间。
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