JP5925901B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置及び表示装置に関する。

液晶表示装置に用いられる液晶パネルには、各画素の動作を制御するためのスイッチング素子としてＴＦＴを行列状に多数個設けられている。従来では、ＴＦＴに用いられる半導体膜としては、アモルファスシリコンなどのシリコン半導体が用いられるのが一般的であったが、近年では、半導体膜としてより電子移動度が高い酸化物半導体を用いることが提案されている。このような酸化物半導体を用いたＴＦＴをスイッチング素子として用いた液晶表示装置の一例が下記特許文献１に記載されている。

特開２０１０−２３０７４４号公報

（発明が解決しようとする課題）
酸化物半導体は、電子移動度が高いため、ＴＦＴをより小型化することができて液晶パネルにおける開口率の向上を図ることができるのに加えて、ＴＦＴが設けられたアレイ基板上に様々な回路部を設けることを可能とする。ところが、アレイ基板上に回路部を形成すると、例えば製造過程において発生した静電気が回路部に印加されることが懸念され、そうなると回路部に不良が発生するおそれがあった。

本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、静電気に起因する不良の発生を抑制することを目的とする。

（課題を解決するための手段）
本発明の半導体装置は、基板と、前記基板上に形成される第１金属膜と、少なくとも前記第１金属膜上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成される半導体膜と、少なくとも前記半導体膜上に形成されて前記半導体膜を保護する保護膜と、前記保護膜上に形成される第２金属膜と、前記第２金属膜からなる２つの電極部と、前記保護膜からなり２つの前記電極部と重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの半導体機能部側開口部を有する保護部と、前記半導体膜からなり２つの前記半導体機能部側開口部を通して２つの前記電極部にそれぞれ接続されるとともに平面に視て前記電極部の外縁部に対して交差する外縁部を有する半導体部とを少なくとも有する半導体機能部と、前記第１金属膜からなり平面に視て前記半導体機能部に対して隣り合う位置に配され前記基板の板面に沿い且つ２つの前記電極部の並び方向と交差する方向に沿って延在するとともに静電気を逃がすことが可能な静電気逃がし配線部と、前記第２金属膜からなり２つの前記電極部のうちの一方に連なるとともに前記基板の板面に沿い且つ２つの前記電極部の並び方向に沿って延在することで前記静電気逃がし配線部と交差する半導体機能部接続配線部と、前記第２金属膜または前記半導体膜からなり平面に視て前記静電気逃がし配線部に対して少なくとも一部が重畳し且つ前記静電気逃がし配線部と前記半導体機能部接続配線部との交差部位よりも相対的に前記半導体機能部の近くに配されるとともに静電気を誘引するための静電気誘引部を少なくとも有する静電気保護部と、が備えられる。

このように、半導体機能部は、２つの電極部に接続された半導体部が平面に視て電極部の外縁部に対して交差する外縁部を有しているため、半導体部の外縁部と電極部の外縁部との交差位置において下層側に配された絶縁膜のカバレッジが局所的に悪化して絶縁性が低下してしまい、上記交差位置に当該半導体装置の製造過程で発生した静電気が印加されるおそれがある。その点、第１金属膜からなり平面に視て半導体機能部に対して隣り合う位置には、基板の板面に沿い且つ２つの電極部の並び方向と交差する方向に沿って延在する静電気逃がし配線部が配されるとともに、その静電気逃がし配線部に対して平面に視て少なくとも一部が重畳するよう第２金属膜または半導体膜からなる静電気誘引部が配されているから、静電気誘引部と静電気逃がし配線部との間に挟まれる絶縁膜のカバレッジが局所的に悪化して絶縁性が低くなる。これにより、当該半導体装置の製造過程で静電気が発生しても、その静電気を静電気誘引部へと誘引することができ、もって半導体機能部に静電気が直接印加され難くすることができる。しかも、静電気保護部が有する静電気誘引部は、第２金属膜からなり２つの電極部のうちの一方に連なるとともに基板の板面に沿い且つ２つの電極部の並び方向に沿って延在する半導体機能部接続配線部と静電気逃がし配線部との交差部位よりも相対的に半導体機能部の近くに配されているので、半導体機能部へと向かう静電気をより好適に誘引することができ、もって半導体機能部に静電気が直接印加するのをより抑制することができる。

本発明の実施態様として、次の構成が好ましい。
（１）前記半導体膜は、酸化物半導体からなる。このようにすれば、半導体膜を酸化物半導体とすると、製造過程において第２金属膜を成膜する際にエッチングされ易くなったり、また成膜後においても酸化または還元され易い傾向にあるものの、半導体膜と第２金属膜との間には保護膜が介在しており、半導体膜が保護膜によって保護されるので、第２金属膜を成膜する際にエッチングされ難くなり、また成膜後において半導体膜が酸化または還元され難くなる。

（２）前記静電気誘引部は、前記半導体膜からなる。このようにすれば、静電気誘引部の直下に配される絶縁膜のカバレッジがより悪化することになるので、静電気誘引効果をより高めることができる。また、静電気誘引部を半導体膜からなるものとすれば、仮に静電気誘引部を第２金属膜により構成した場合に比べると、例えば下層側の静電気逃がし配線部の線幅を十分に確保できなかった場合でも、静電気逃がし配線部に対して短絡が生じ難くなるので、歩留まりを向上させることができる。

（３）前記静電気保護部は、前記第２金属膜からなり前記静電気誘引部に対して少なくとも一部が平面に視て重畳するよう配されるとともに前記静電気誘引部の外縁部と交差する外縁部を有する第２の静電気誘引部を有する。このようにすれば、第２の静電気誘引部が平面に視て静電気誘引部の外縁部に対して交差する外縁部を有しているため、第２の静電気誘引部の外縁部と静電気誘引部の外縁部との交差位置において下層側に配された保護膜及び絶縁膜のカバレッジが局所的に悪化して絶縁性が低下することから、上記交差位置へと静電気を誘引することができる。これにより、半導体機能部に静電気が直接印加されるのを一層抑制することができる。

（４）前記静電気誘引部は、平面に視て方形状をなしているのに対し、前記第２の静電気誘引部は、その外縁部が前記静電気誘引部の外縁部に対して少なくとも４位置にて交差するよう配されている。このようにすれば、平面に視て方形状をなす静電気誘引部の外縁部と、第２の静電気誘引部の外縁部と、が少なくとも４位置にて交差することになるから、半導体機能部へと向かう静電気を一層好適に誘引することができ、もって半導体機能部に静電気が直接印加する確率をより一層低下させることができる。

（５）前記第２の静電気誘引部は、前記静電気誘引部における４辺の各外縁部に対してそれぞれ並行する４つの外縁部を少なくとも有するとともに、互いに並行する外縁部間の距離が、前記静電気誘引部における互いに並行する外縁部間の距離とは異なるよう形成されている。このようにすれば、第２の静電気誘引部における平面に視た形状が簡単なものとなるから、製造に際して歩留まりが良好なものとなる、などの効果を得ることができる。

（６）前記第２金属膜からなり前記半導体機能部が有する２つの前記電極部のうちの他方に連なる第２の半導体機能部接続配線部と、前記絶縁膜及び前記保護膜からなり前記第２の半導体機能部接続配線部と平面に視て重畳する位置に貫通して形成される第２の半導体機能部接続配線部側開口部を有する第２の半導体機能部接続配線部側絶縁部と、前記第１金属膜からなり前記静電気逃がし配線部に連なるとともに平面に視て前記第２の半導体機能部接続配線部と少なくとも一部が重畳するよう配されるとともに前記第２の半導体機能部接続配線部側開口部を通して前記第２の半導体機能部接続配線部に接続される静電気逃がし配線側接続部と、を備える。このようにすれば、半導体機能部が有する２つの電極部のうち一方が半導体機能部接続配線部に、他方が第２の半導体機能部接続配線部にそれぞれ接続され、そのうち第２の半導体機能部接続配線部が第２の半導体機能部接続配線部側開口部を通して静電気逃がし配線部に連なる静電気逃がし配線側接続部に接続されているから、例えば静電気に起因して半導体機能部接続配線部側が静電気逃がし配線部側よりも高電位になった場合には、半導体機能部の半導体部を通して静電気逃がし配線部側に電流が流されることで、生じた電位差を解消することができる。

（７）前記第２金属膜からなる２つの第２の電極部と、前記保護膜からなり２つの前記第２の電極部と重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの第２の半導体機能部側開口部を有する第２の保護部と、前記半導体膜からなり２つの前記第２の半導体機能部側開口部を通して２つの前記第２の電極部にそれぞれ接続される第２の半導体部とを少なくとも有する第２の半導体機能部を備えており、前記半導体機能部接続配線部が２つの前記電極部のうちの一方と２つの前記第２の電極部のうちの一方とを短絡させるのに対し、前記第２の半導体機能部接続配線部が２つの前記電極部のうちの他方と２つの前記第２の電極部のうちの他方とを短絡させている。このようにすれば、半導体機能部及び第２の半導体機能部は、一方の電極部と一方の第２の電極部とが半導体機能部接続配線部により短絡されるのに対し、他方の電極部と他方の第２の電極部とが第２の半導体機能部接続配線部により短絡されている。従って、静電気に起因して静電気逃がし配線部側と半導体機能部接続配線部側との間に大きな電位差が生じた場合には、半導体機能部の半導体部または第２の半導体機能部の第２の半導体部に電流が流されることで、電位差を解消することができる。

（８）前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記半導体機能部接続配線部と重畳する位置に貫通して形成されるゲート電極部側開口部を有するゲート電極部側絶縁部と、前記半導体機能部に備えられるものであって、前記第１金属膜からなり平面に視て２つの前記電極部、前記半導体部及び前記半導体機能部接続配線部の少なくとも一部と重畳するよう配されるとともに前記ゲート電極部側開口部を通して前記半導体機能部接続配線部に接続されるゲート電極部と、前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記半導体機能部接続配線部と重畳する位置に貫通して形成される第２のゲート電極部側開口部を有する第２のゲート電極部側絶縁部と、前記第２の半導体機能部に備えられるものであって、前記第１金属膜からなり平面に視て２つの前記第２の電極部、前記第２の半導体部及び前記第２の半導体機能部接続配線部の少なくとも一部と重畳するよう配されるとともに前記第２のゲート電極部側開口部を通して前記第２の半導体機能部接続配線部に接続される第２のゲート電極部と、を備える。このようにすれば、ゲート電極部は、半導体機能部接続配線部によって一方の電極部及び一方の第２の電極部に短絡されるのに対し、第２のゲート電極部は、第２の半導体機能部接続配線部によって他方の電極部及び他方の第２の電極部に短絡されている。従って、半導体機能部及び第２の半導体機能部は、それぞれトランジスタ型のダイオードを構成していると言え、その閾値電圧を、例えば信号配線部に伝送される信号に係る電圧値よりも高いものの、静電気が発生した際に印加される電圧値よりも低くすることで、静電気が発生した場合にのみその静電気を静電気逃がし配線部に逃がすことができる。しかも、第２のゲート電極部が静電気逃がし配線側接続部に対して第２の半導体機能部接続配線部を介して間接的に接続されているので、仮に第２のゲート電極部が静電気逃がし配線側接続部に直接的に連なる構成とした場合に比べると、静電気が静電気誘引部に誘引されたときに、誘引された静電気に起因して半導体機能部及び第２の半導体機能部に不良が生じ難くなる。

（９）前記第１金属膜からなり前記静電気逃がし配線部に対して前記半導体機能部側とは反対側に配される信号配線部と、前記第１金属膜からなり前記信号配線部の端部に形成される信号配線側接続部と、前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記信号配線側接続部と重畳する位置に貫通して形成されるコンタクト部側開口部を有するコンタクト部側絶縁部と、前記第２金属膜からなり前記半導体機能部接続配線部の端部に形成されて前記信号配線側接続部と平面に視て重畳するとともに前記コンタクト部側開口部を通して前記信号配線側接続部に接続される半導体機能部側接続部とを少なくとも有するコンタクト部と、を備える。このようにすれば、第１金属膜からなる信号配線部は、コンタクト部において端部に形成された信号配線側接続部が第２金属膜からなり半導体機能部が有する電極部のいずれか一方に連なる半導体機能部接続配線部の端部に形成された半導体機能部側接続部に対してコンタクト部側絶縁部を貫通するコンタクト部側開口部を通して接続され、それにより半導体機能部側からの信号が信号配線部側に供給されるようになっている。

（１０）前記コンタクト部を構成する前記信号配線側接続部と、前記静電気逃がし配線部とにおける対向部位には、互いに接近するよう突出することで静電気を誘引することが可能な突出型静電気誘引部がそれぞれ形成されている。このようにすれば、当該半導体装置の製造過程において、半導体機能部とコンタクト部とのいずれか一方側にて静電気が発生した場合でも、その静電気を、他方側に至る途中に存在する突出型静電気誘引部へと誘引することができる。これにより、半導体機能部またはコンタクト部に静電気に起因する不良がより発生し難くすることができる。

（１１）前記保護膜及び前記絶縁膜からなり前記半導体機能部接続配線部と重畳する位置に貫通して形成されるゲート電極部側開口部を有するゲート電極部側絶縁部と、前記半導体機能部に備えられるものであって、前記第１金属膜からなり平面に視て２つの前記電極部、前記半導体部及び前記半導体機能部接続配線部の少なくとも一部と重畳するよう配されるとともに前記ゲート電極部側開口部を通して前記半導体機能部接続配線部に接続されるゲート電極部と、前記半導体部に連なり平面に視て前記ゲート電極部とは非重畳となる位置にて、２つの前記電極部のうちの他方における外縁部に対して平面に視て交差する外縁部を有するゲート非重畳型静電気誘引部と、を備える。このようにすれば、半導体機能部が有する２つの電極部のうちの他方における外縁部と、半導体膜からなるゲート非重畳型静電気誘引部の外縁部と、が平面に視て交差すると、その交差位置において下層側に配された保護膜及び絶縁膜のカバレッジが局所的に悪化して絶縁性が低下することから、上記交差位置へと静電気を誘引することができる。そして、他方の電極部における外縁部と、ゲート非重畳型静電気誘引部の外縁部との交差位置が、ゲート電極部とは平面に視て非重畳となる位置とされているから、上記交差位置において静電気が印加されたとしても、他方の電極部とゲート電極部とが短絡されるのを避けることができる。

次に、上記課題を解決するために、本発明の表示装置は、上記した半導体装置と、前記半導体装置と対向するように配置された対向基板と、前記半導体装置と前記対向基板との間に配置された液晶層と、前記半導体装置に設けられるとともに少なくとも前記半導体機能部に接続されたスイッチング素子とを備える。

このような表示装置によると、上記した半導体装置が静電気に起因する不良の発生を抑制されたものであるから、動作信頼性などに優れる。

（発明の効果）
本発明によれば、静電気に起因する不良の発生を抑制することができる。

本発明の実施形態１に係るドライバを実装した液晶パネルとフレキシブル基板と制御回路基板との接続構成を示す概略平面図 液晶表示装置の長辺方向に沿った断面構成を示す概略断面図 液晶パネルの断面構成を示す概略断面図 アレイ基板の表示部におけるＴＦＴの断面構成を示す断面図 液晶パネルを構成するアレイ基板の配線構成を概略的に示す平面図 アレイ基板の静電気保護回路部、共通配線、静電気保護部及びコンタクト部を示す平面図 図６のvii-vii線断面図 図６のviii-viii線断面図 図６のix-ix線断面図 図６のx-x線断面図 図６のxi-xi線断面図 図６のxii-xii線断面図 静電気保護回路部が有する静電気保護回路の回路構成を概略的に示す回路図 静電気保護部を示す拡大平面図 本発明の実施形態２に係るアレイ基板の静電気保護回路部、共通配線、静電気保護部及びコンタクト部を示す平面図 本発明の実施形態３に係るアレイ基板の静電気保護回路部、共通配線、静電気保護部及びコンタクト部を示す平面図 図１６のxvii-xvii線断面図 第２金属膜を成膜する前の段階におけるアレイ基板の静電気保護回路部、共通配線、静電気保護部及びコンタクト部を示す平面図 図１８のxix-xix線断面図 本発明の実施形態４に係るアレイ基板の静電気保護回路部、共通配線、静電気保護部及びコンタクト部を示す平面図 図２０のxxi-xxi線断面図 本発明の実施形態５に係るアレイ基板の静電気保護回路部、共通配線、静電気保護部及びコンタクト部を示す平面図 本発明の実施形態６に係るアレイ基板の静電気保護回路部、共通配線、静電気保護部及びコンタクト部を示す平面図 図２３のxxiv-xxiv線断面図

＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１から図１４によって説明する。本実施形態では、液晶表示装置１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、上下方向については、図２などを基準とし、且つ同図上側を表側とするとともに同図下側を裏側とする。

液晶表示装置１０は、図１及び図２に示すように、画像を表示可能な表示部ＡＡ及び表示部ＡＡ外の非表示部ＮＡＡを有する液晶パネル（表示装置）１１と、液晶パネル１１を駆動するドライバ（パネル駆動部）２１と、ドライバ２１に対して各種入力信号を外部から供給する制御回路基板（外部の信号供給源）１２と、液晶パネル１１と外部の制御回路基板１２とを電気的に接続するフレキシブル基板（外部接続部品）１３と、液晶パネル１１に光を供給する外部光源であるバックライト装置（照明装置）１４とを備える。また、液晶表示装置１０は、相互に組み付けた液晶パネル１１及びバックライト装置１４を収容・保持するための表裏一対の外装部材１５，１６をも備えており、このうち表側の外装部材１５には、液晶パネル１１の表示部ＡＡに表示された画像を外部から視認させるための開口部１５ａが形成されている。本実施形態に係る液晶表示装置１０は、携帯型情報端末（電子ブックやＰＤＡなどを含む）、携帯電話（スマートフォンなどを含む）、ノートパソコン（タブレット型ノートパソコンなどを含む）、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、電子インクペーパなどの各種電子機器（図示せず）に用いられるものである。このため、液晶表示装置１０を構成する液晶パネル１１の画面サイズは、数インチ〜１０数インチ程度とされ、一般的には小型または中小型に分類される大きさとされている。

先にバックライト装置１４について簡単に説明する。バックライト装置１４は、図２に示すように、表側（液晶パネル１１側）に向けて開口した略箱形をなすシャーシ１４ａと、シャーシ１４ａ内に配された図示しない光源（例えば冷陰極管、ＬＥＤ、有機ＥＬなど）と、シャーシ１４ａの開口部を覆う形で配される図示しない光学部材とを備える。光学部材は、光源から発せられる光を面状に変換するなどの機能を有するものである。

続いて、液晶パネル１１について説明する。液晶パネル１１は、図１に示すように、全体として縦長な方形状（矩形状）をなしており、その長辺方向における一方の端部側（図１に示す上側）に片寄った位置に表示部（アクティブエリア）ＡＡが配されるとともに、長辺方向における他方の端部側（図１に示す下側）に片寄った位置にドライバ２１及びフレキシブル基板１３がそれぞれ取り付けられている。この液晶パネル１１において表示部ＡＡ外の領域が、画像が表示されない非表示部（ノンアクティブエリア）ＮＡＡとされ、この非表示部ＮＡＡは、表示部ＡＡを取り囲む略枠状の領域（後述するＣＦ基板１１ａにおける額縁部分）と、長辺方向の他方の端部側に確保された領域（後述するアレイ基板１１ｂのうちＣＦ基板１１ａとは重畳せずに露出する部分）とからなり、このうちの長辺方向の他方の端部側に確保された領域にドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域（取付領域）が含まれている。液晶パネル１１における短辺方向が各図面のＸ軸方向と一致し、長辺方向が各図面のＹ軸方向と一致している。なお、図１では、ＣＦ基板１１ａよりも一回り小さな枠状の一点鎖線が表示部ＡＡの外形を表しており、当該実線よりも外側の領域が非表示部ＮＡＡとなっている。

続いて、液晶パネル１１に接続される部材について説明する。制御回路基板１２は、図１及び図２に示すように、バックライト装置１４におけるシャーシ１４ａの裏面（液晶パネル１１側とは反対側の外面）にネジなどにより取り付けられている。この制御回路基板１２は、紙フェノールないしはガラスエポキシ樹脂製の基板上に、ドライバ２１に各種入力信号を供給するための電子部品が実装されるとともに、図示しない所定のパターンの配線（導電路）が配索形成されている。この制御回路基板１２には、フレキシブル基板１３の一方の端部（一端側）が図示しないＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して電気的に且つ機械的に接続されている。

フレキシブル基板（ＦＰＣ基板）１３は、図２に示すように、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材を備え、その基材上に多数本の配線パターン（図示せず）を有しており、長さ方向についての一方の端部が既述した通りシャーシ１４ａの裏面側に配された制御回路基板１２に接続されるのに対し、他方の端部（他端側）が液晶パネル１１におけるアレイ基板１１ｂに接続されているため、液晶表示装置１０内では断面形状が略Ｕ型となるよう折り返し状に屈曲されている。フレキシブル基板１３における長さ方向についての両端部においては、配線パターンが外部に露出して端子部（図示せず）を構成しており、これらの端子部がそれぞれ制御回路基板１２及び液晶パネル１１に対して電気的に接続されている。これにより、制御回路基板１２側から供給される入力信号を液晶パネル１１側に伝送することが可能とされている。

ドライバ２１は、図１に示すように、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなるものとされ、信号供給源である制御回路基板１２から供給される信号に基づいて作動することで、信号供給源である制御回路基板１２から供給される入力信号を処理して出力信号を生成し、その出力信号を液晶パネル１１の表示部ＡＡへ向けて出力するものとされる。このドライバ２１は、平面に視て横長の方形状をなす（液晶パネル１１の短辺に沿って長手状をなす）とともに、液晶パネル１１（後述するアレイ基板１１ｂ）の非表示部ＮＡＡに対して直接実装され、つまりＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。なお、ドライバ２１の長辺方向がＸ軸方向（液晶パネル１１の短辺方向）と一致し、同短辺方向がＹ軸方向（液晶パネル１１の長辺方向）と一致している。

改めて液晶パネル１１について説明する。液晶パネル１１は、図３に示すように、一対の基板１１ａ，１１ｂと、両基板１１ａ，１１ｂ間に介在し、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層１１ｃとを備え、両基板１１ａ，１１ｂが液晶層１１ｃの厚さ分のギャップを維持した状態で図示しないシール剤によって貼り合わせられている。本実施形態に係る液晶パネル１１は、動作モードがＩＰＳ（In-Plane Switching）モードをさらに改良したＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードであり、一対の基板１１ａ，１１ｂのうちのアレイ基板１１ｂ側に後述する画素電極１８及び共通電極２２を共に形成し、且つこれら画素電極１８と共通電極２２とを異なる層に配してなるものである。一対の基板１１ａ，１１ｂのうち表側（正面側）がＣＦ基板（対向基板）１１ａとされ、裏側（背面側）がアレイ基板（半導体装置）１１ｂとされる。これらＣＦ基板１１ａ及びアレイ基板１１ｂは、ほぼ透明な（高い透光性を有する）ガラス基板ＧＳを備えており、当該ガラス基板ＧＳ上に各種の膜を積層形成してなるものとされる。このうち、ＣＦ基板１１ａは、図１及び図２に示すように、短辺寸法がアレイ基板１１ｂと概ね同等であるものの、長辺寸法がアレイ基板１１ｂよりも小さなものとされるとともに、アレイ基板１１ｂに対して長辺方向についての一方（図１に示す上側）の端部を揃えた状態で貼り合わせられている。従って、アレイ基板１１ｂのうち長辺方向についての他方（図１に示す下側）の端部は、所定範囲にわたってＣＦ基板１１ａが重なり合うことがなく、表裏両板面が外部に露出した状態とされており、ここにドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域が確保されている。なお、両基板１１ａ，１１ｂの内面側には、液晶層１１ｃに含まれる液晶分子を配向させるための配向膜１１ｄ，１１ｅがそれぞれ形成されている。また、両基板１１ａ，１１ｂの外面側には、それぞれ偏光板１１ｆ，１１ｇが貼り付けられている。

まず、アレイ基板１１ｂの内面側（液晶層１１ｃ側、ＣＦ基板１１ａとの対向面側）に既知のフォトリソグラフィ法によって積層形成された各種の膜について説明する。アレイ基板１１ｂには、図４に示すように、下層（ガラス基板ＧＳ）側から順に第１金属膜（ゲート金属膜）３４、ゲート絶縁膜（絶縁膜）３５、半導体膜３６、保護膜３７、第２金属膜（ソース金属膜）３８、第１層間絶縁膜３９、有機絶縁膜４０、第１透明電極膜２３、第２層間絶縁膜４１、第２透明電極膜２４が積層形成されている。

第１金属膜３４は、チタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成されている。この第１金属膜３４は、表示部ＡＡにおいては後述するゲート配線１９やＴＦＴ１７のゲート電極１７ａなど構成するのに対し、非表示部ＮＡＡにおいては後述する共通配線２５、ゲート配線１９の端部（ゲート配線側接続部４８）、静電気保護回路部２６が有するダイオード２９，３０の一部（ゲート電極部２９ｅ，３０ｅ）などを構成している。ゲート絶縁膜３５は、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）からなる下層側ゲート絶縁膜３５ａと、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる上層側ゲート絶縁膜３５ｂとの積層膜により形成されている。半導体膜３６は、酸化物半導体の一種であるインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜からなるものとされる。半導体膜３６をなすインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜は、非晶質または結晶質とされている。この半導体膜３６は、表示部ＡＡにおいては後述するＴＦＴ１７のチャネル部１７ｄなどを構成するのに対し、非表示部ＮＡＡにおいては後述する静電気保護回路部２６が有するダイオード２９，３０の一部（半導体部２９ｄ，３０ｄ）などを構成している。保護膜３７は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなるものとされている。

第２金属膜３８は、チタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成されている。この第２金属膜３８は、表示部ＡＡにおいては後述するソース配線２０やＴＦＴ１７のソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃを構成するのに対し、非表示部ＮＡＡにおいては後述する第１短絡配線部３１、第２短絡配線部３３、静電気保護回路部２６が有するダイオード２９，３０の一部（電極部２９ａ，３０ａ，２９ｂ，３０ｂ）などを構成している。第１層間絶縁膜３９は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる。有機絶縁膜４０は、有機材料であるアクリル樹脂（例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ））やポリイミド樹脂からなる。第１透明電極膜２３及び第２透明電極膜２４は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）或いはＺｎＯ（Zinc Oxide）といった透明電極材料からなる。第２層間絶縁膜４１は、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）からなる。上記した各膜のうち、第１透明電極膜２３及び第２透明電極膜２４は、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡにのみ形成され、非表示部ＮＡＡには形成されていないのに対し、ゲート絶縁膜３５、保護膜３７、第１層間絶縁膜３９、有機絶縁膜４０及び第２層間絶縁膜４１といった絶縁材料からなる膜については、アレイ基板１１ｂのほぼ全面にわたるベタ状のパターンとして形成されている。また、第１金属膜３４、半導体膜３６及び第２金属膜３８は、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡ及び非表示部ＮＡＡの双方に所定のパターンでもって形成されている。

続いて、アレイ基板１１ｂにおける表示部ＡＡ内に存在する構成について順次に詳しく説明する。アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡには、図３に示すように、スイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）１７及び画素電極１８が多数個ずつマトリクス状に並んで設けられるとともに、これらＴＦＴ１７及び画素電極１８の周りには、格子状をなすゲート配線（信号配線部、行制御線、走査線）１９及びソース配線（列制御線、データ線）２０が取り囲むようにして配設されている。言い換えると、格子状をなすゲート配線１９及びソース配線２０の交差部に、ＴＦＴ１７及び画素電極１８が行列状に並列配置されている。ゲート配線１９は、第１金属膜３４からなるのに対し、ソース配線２０は、第２金属膜３８からなり、相互の交差部位間にはゲート絶縁膜３５及び保護膜３７が介在する形で配されている。ゲート配線１９とソース配線２０とが、図４に示すように、それぞれＴＦＴ１７のゲート電極１７ａとソース電極１７ｂとに接続され、画素電極１８がＴＦＴ１７のドレイン電極１７ｃに接続されている。このＴＦＴ１７は、ソース電極１７ｂとドレイン電極１７ｃとを架け渡して両電極１７ｂ，１７ｃ間での電子の移動を可能とする半導体膜３６からなるチャネル部１７ｄを有する。ここで、チャネル部１７ｄをなす半導体膜３６は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜であり、このインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜は、電子移動度がアモルファスシリコン薄膜などに比べると、例えば２０倍〜５０倍程度と高くなっているので、ＴＦＴ１７を容易に小型化して画素電極１８の透過光量を極大化することができ、もって高精細化及び低消費電力化などを図る上で好適とされる。このようなインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜を有するＴＦＴ１７は、ゲート電極１７ａが最下層に配され、その上層側にゲート絶縁膜３５を介してチャネル部１７ｄが積層されてなる、逆スタガ型とされており、一般的なアモルファスシリコン薄膜を有するＴＦＴと同様の積層構造とされる。その一方、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜は、酸化物であるために酸化または還元され易く、さらにはソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃを形成する際に行われるエッチング処理によってエッチングされ易い、といった性質を有している。そこで、本実施形態に係るＴＦＴ１７は、半導体膜３６（インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜）からなるチャネル部１７ｄと、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃとの間に酸化シリコン（ＳｉＯ_２）からなる保護膜３７を備えており、それによりチャネル部１７ｄが酸化または還元されて電気的特性が変化するのを抑制することができるとともに、ソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃを形成する際にエッチングされ難くすることができる。なお、保護膜３７のうちソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃと平面視重畳する位置には、開口部が形成されており、この開口部を通してソース電極１７ｂ及びドレイン電極１７ｃがチャネル部１７ｄに接続されている。

画素電極１８は、第２透明電極膜２４からなり、ゲート配線１９とソース配線２０とに囲まれた領域において全体として平面に視て縦長の方形状（矩形状）をなすとともに、図示しないスリットが複数本設けられることで略櫛歯状に形成されている。この画素電極１８は、図４に示すように、第２層間絶縁膜４１上に形成されており、次述する共通電極２２との間に第２層間絶縁膜４１が介在している。画素電極１８は、第１層間絶縁膜３９、有機絶縁膜４０及び第２層間絶縁膜４１に形成されたコンタクトホールＣＨを通してＴＦＴ１７のドレイン電極１７ｃに接続されているので、ＴＦＴ１７を駆動させることで、画素電極１８に所定の電位を印加することができる。共通電極２２は、第１透明電極膜２３からなり、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡにおけるほぼ全面にわたる、いわゆるベタ状のパターンとされる。共通電極２２は、有機絶縁膜４０上に形成されている。共通電極２２には、後述する共通配線（静電気逃がし配線部）２５から共通電位（基準電位）が印加されるので、上記のようにＴＦＴ１７により画素電極１８に印加する電位を制御することで、両電極１８，２２間に所定の電位差を生じさせることができる。両電極１８，２２間に電位差が生じると、液晶層１１ｃには、画素電極１８のスリットによってアレイ基板１１ｂの板面に沿う成分に加えて、アレイ基板１１ｂの板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が印加されるので、液晶層１１ｃに含まれる液晶分子のうち、スリットに存在するものに加えて、画素電極１８上に存在するものもその配向状態を適切にスイッチングすることができる。もって、液晶パネル１１の開口率が高くなって十分な透過光量が得られるとともに、高い視野角性能を得ることができる。なお、アレイ基板１１ｂには、ゲート配線１９に並行するとともに画素電極１８を横切りつつ、ゲート絶縁膜３５、保護膜３７、第１層間絶縁膜３９、有機絶縁膜４０及び第２層間絶縁膜４１を介して重畳する容量配線（図示せず）を設けることも可能である。

続いて、ＣＦ基板１１ａにおける表示部ＡＡ内に存在する構成について詳しく説明する。ＣＦ基板１１ａには、図３に示すように、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）等の各着色部が、アレイ基板１１ｂ側の各画素電極１８と平面に視て重畳するよう多数個マトリクス状に並列して配置されたカラーフィルタ１１ｈが設けられている。カラーフィルタ１１ｈをなす各着色部間には、混色を防ぐための略格子状の遮光層（ブラックマトリクス）１１ｉが形成されている。遮光層１１ｉは、上記したゲート配線１９及びソース配線２０と平面に視て重畳する配置とされる。カラーフィルタ１１ｈ及び遮光層１１ｉの表面には、配向膜１１ｄが設けられている。なお、当該液晶パネル１１においては、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の３色の着色部及びそれらと対向する３つの画素電極１８の組によって表示単位である１つの表示画素が構成されている。表示画素は、Ｒの着色部を有する赤色画素と、Ｇの着色部を有する緑色画素と、Ｂの着色部を有する青色画素とからなる。これら各色の画素は、液晶パネル１１の板面において行方向（Ｘ軸方向）に沿って繰り返し並べて配されることで、画素群を構成しており、この画素群が列方向（Ｙ軸方向）に沿って多数並んで配されている。

次に、アレイ基板１１ｂにおける非表示部ＮＡＡ内に存在する構成について詳しく説明する。アレイ基板１１ｂの非表示部ＮＡＡには、図５に示すように、表示部ＡＡを取り囲む形で環状（枠状、リング状）をなす共通配線２５が設けられている。この共通配線２５は、共通電極２２に対して図示しないコンタクト部位を介して接続されることで、ドライバ２１から供給される共通電位を共通電極２２に印加することができる。アレイ基板１１ｂの非表示部ＮＡＡのうち、表示部ＡＡにおける短辺部に隣り合う位置には、列制御回路部２７が設けられているのに対し、表示部ＡＡにおける長辺部に隣り合う位置には、静電気保護回路部２６及び行制御回路部２８が設けられている。列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、ドライバ２１からの出力信号をＴＦＴ１７に供給するための制御を行うことが可能とされている。静電気保護回路部２６は、表示部ＡＡのＴＦＴ１７を静電破壊から保護することが可能とされる。静電気保護回路部２６、列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、ＴＦＴ１７と同じインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜（半導体膜３６）をベースとしてアレイ基板１１ｂ上にモノリシックに形成されており、それによりＴＦＴ１７への出力信号の供給を制御するための制御回路や静電気保護回路（後述するダイオード２９，３０）を有している。これら共通配線２５、静電気保護回路部２６、列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、アレイ基板１１ｂの製造工程においてＴＦＴ１７などをパターニングする際に既知のフォトリソグラフィ法により同時にアレイ基板１１ｂ上にパターニングされている。

このうち、列制御回路部２７は、図５に示すように、表示部ＡＡにおける図５に示す下側の短辺部に隣り合う位置、言い換えるとＹ軸方向について表示部ＡＡとドライバ２１との間となる位置に配されており、Ｘ軸方向に沿って延在する横長な方形状の範囲に形成されている。この列制御回路部２７は、表示部ＡＡに配されたソース配線２０に接続されるとともに、ドライバ２１からの出力信号に含まれる画像信号を、各ソース配線２０に振り分けるスイッチ回路（ＲＧＢスイッチ回路）を有している。具体的には、ソース配線２０は、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡにおいてＸ軸方向に沿って多数本が並列配置されるとともに、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の各色の画素をなす各ＴＦＴ１７にそれぞれ接続されているのに対して、列制御回路部２７は、スイッチ回路によってドライバ２１からの画像信号をＲ，Ｇ，Ｂの各ソース配線２０に振り分けて供給している。また、列制御回路部２７は、レベルシフタ回路などの付属回路を備えることも可能である。

これに対し、行制御回路部２８は、図５に示すように、表示部ＡＡにおける図５に示す左側の長辺部との間で静電気保護回路部２６を挟み込む位置に配されており、Ｙ軸方向に沿って延在する縦長な範囲に形成されている。行制御回路部２８は、表示部ＡＡに配されたゲート配線１９に接続されるとともに、ドライバ２１からの出力信号に含まれる制御信号を、各ゲート配線１９に所定のタイミングで供給して各ゲート配線１９を順次に走査する走査回路を有している。具体的には、ゲート配線１９は、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡにおいてＹ軸方向に沿って多数本が並列配置されているのに対して、行制御回路部２８は、走査回路によってドライバ２１からの制御信号（走査信号）を、表示部ＡＡにおいて図５に示す上端位置のゲート配線１９から下端位置のゲート配線１９に至るまで順次に供給することで、ゲート配線１９の走査を行っている。また、行制御回路部２８には、レベルシフタ回路やバッファ回路などの付属回路を備えることも可能である。なお、列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、アレイ基板１１ｂ上に形成された接続配線によってドライバ２１に接続されている。

静電気保護回路部２６は、図５に示すように、表示部ＡＡにおける図５に示す左側の長辺部に対して隣り合う位置に配されており、行制御回路部２８と同様にＹ軸方向に沿って延在する縦長な範囲に形成されている。静電気保護回路部２６は、ゲート配線１９、共通配線２５及び行制御回路部２８に対して電気的に接続されている。詳しくは、静電気保護回路部２６は、図６に示すように、各ゲート配線１９毎に、静電気保護回路として２つずつのダイオード２９，３０をリング状に配置して備えており、この２つのダイオード２９，３０がそれぞれ有する２つの一方の電極部２９ａ，３０ａが各ゲート配線１９及び行制御回路部２８に対してそれぞれ接続されるとともに、２つの他方の電極部２９ｂ，３０ｂが共通配線２５にそれぞれ接続されることで、ゲート配線１９や行制御回路部２８にて発生した静電気（ＥＳＤ（Electro-Static Discharge））を共通配線２５へと逃がして表示部ＡＡのＴＦＴ１７が静電破壊されるのを防ぐことが可能とされる。従って、静電気保護回路をなす２つのダイオード２９，３０の組は、ゲート配線１９の並び方向であるＹ軸方向に沿って、ゲート配線１９の本数分並んで配されている。

さらに詳しくは、静電気保護回路部２６は、図６に示すように、２つのダイオード２９，３０における一方の電極部２９ａ，３０ａ同士が第１短絡配線部（半導体機能部接続配線部）３１によって短絡されており、この第１短絡配線部３１の一端側（図６に示す左端側）が図６では図示されない行制御回路部２８に、他端側（図６に示す右端側）がゲート配線１９にそれぞれ接続されている。第１短絡配線部３２とゲート配線１９との接続箇所には、コンタクト部３２が設けられている。コンタクト部３２は、静電気保護回路部２６に対して共通配線２５を挟んで図６では図示しない表示部ＡＡ側（行制御回路部２８側とは反対側）の位置に配されている。静電気保護回路部２６は、２つのダイオード２９，３０における他方の電極部２９ｂ，３０ｂ同士が第２短絡配線部（第２の半導体機能部接続配線部）３３によって短絡されており、この第２短絡配線部３３が共通配線２５に接続されている。

続いて、静電気保護回路部２６、各短絡配線部３１，３３、コンタクト部３２、共通配線２５などの詳しい構造について順次に説明する。静電気保護回路部２６は、図６に示すように、リング状に相互に接続される２つのダイオード２９，３０の組をゲート配線１９の本数分有している。２つのダイオード２９，３０のうち、一方（図６に示す下側）が第１ダイオード（半導体機能部）２９とされるのに対し、他方（図６に示す上側）が第２ダイオード（第２の半導体機能部）３０とされる。これら第１ダイオード２９と第２ダイオード３０との並び方向は、アレイ基板１１ｂを構成するガラス基板ＧＳの板面に沿うとともにＹ軸方向（ゲート配線１９の並び方向、共通配線２５の延在方向）と一致している。

第１ダイオード２９は、図７に示すように、第２金属膜３８からなる２つの第１電極部（電極部）２９ａ，２９ｂと、保護膜３７からなり第１電極部２９ａ，２９ｂと平面視重畳する位置に２つの第１ダイオード側開口部（半導体機能部側開口部）２９ｃ１，２９ｃ２が貫通形成された第１保護部（保護部）２９ｃと、半導体膜３６からなり第１ダイオード側開口部２９ｃ１，２９ｃ２を通して２つの第１電極部２９ａ，２９ｂにそれぞれ接続される第１半導体部（半導体部）２９ｄとを有する。２つの第１電極部２９ａ，２９ｂの並び方向及び第１半導体部２９ｄの長さ方向は、アレイ基板１１ｂを構成するガラス基板ＧＳの板面に沿うとともにＸ軸方向（２つのダイオード２９，３０の並び方向と直交する方向）と一致している。さらには、第１ダイオード２９は、第１金属膜３４からなり２つの第１電極部２９ａ，２９ｂ及び第１半導体部２９ｄと平面視重畳する第１ゲート電極部（ゲート電極部）２９ｅと、ゲート絶縁膜３５からなり第１ゲート電極部２９ｅと第１半導体部２９ｄとを絶縁する第１絶縁層２９ｆとを有する。第１ゲート電極部２９ｅには、第２金属膜３８からなる第１短絡配線部３１と平面視重畳する第１短絡配線部側接続部（半導体機能部接続配線部側接続部）４２が連ねられており、この第１短絡配線部側接続部４２が第１短絡配線部３１に対して接続されている。第１短絡配線部側接続部４２は、第１ゲート電極部２９ｅと同じ第１金属膜３４からなり、図９に示すように、第１短絡配線部３１との間に介在する第１ゲート電極部側絶縁部（ゲート電極部側絶縁部）４３に貫通形成された第１ゲート電極部側開口部（ゲート電極部側開口部）４３ａを通して第１短絡配線部３１に接続されている。なお、第１ゲート電極部側絶縁部４３は、ゲート絶縁膜３５及び保護膜３７からなる。第１ダイオード２９が有する一方（図６に示す左側）の第１電極部２９ａは、同じ第２金属膜３８からなる第１短絡配線部３１に連ねられている。つまり、第１ダイオード２９は、一方の第１電極部２９ａと第１ゲート電極部２９ｅとが第１短絡配線部３１によって短絡されているので、構造としてはトランジスタ型であるものの、電気的にはダイオードとして機能するようになっている。

第１短絡配線部３１は、第２金属膜３８からなり、図６に示すように、Ｘ軸方向について行制御回路部２８側からコンタクト部３２側へと引き回されるとともにその途中で静電気保護回路部２６及び共通配線２５を横切っている。第１短絡配線部３１は、その一端側が行制御回路部２８に、他端側がコンタクト部３２を介してゲート配線１９にそれぞれ接続されている。第１短絡配線部３１のうち、静電気保護回路部２６が有する２つのダイオード２９，３０に対して図６に示す左側に隣り合う部分が、第１ゲート電極部２９ｅに連なる第１短絡配線部側接続部４２に対して平面視重畳していて第１ゲート電極部側絶縁部４３の第１ゲート電極部側開口部４３ａを通して接続されるとともに、２つのダイオード２９，３０が有する一方の電極部２９ａ，３０ａが連ねられている。

第２ダイオード３０は、図８に示すように、第２金属膜３８からなる２つの第２電極部（第２の電極部）３０ａ，３０ｂと、保護膜３７からなり第２電極部３０ａ，３０ｂと平面視重畳する位置に２つの第２ダイオード側開口部（第２の半導体機能部側開口部）３０ｃ１，３０ｃ２が貫通形成された第２保護部（第２の保護部）３０ｃと、半導体膜３６からなり第２ダイオード側開口部３０ｃ１，３０ｃ２を通して２つの第２電極部３０ａ，３０ｂにそれぞれ接続される第２半導体部（第２の半導体部）３０ｄとを有する。２つの第２電極部３０ａ，３０ｂの並び方向及び第２半導体部３０ｄの長さ方向は、Ｙ軸方向、つまり第１電極部２９ａ，２９ｂの並び方向及び第１半導体部２９ｄの長さ方向と一致している。さらには、第２ダイオード３０は、第１金属膜３４からなり２つの第２電極部３０ａ，３０ｂ及び第２半導体部３０ｄと平面視重畳する第２ゲート電極部（第２のゲート電極部）３０ｅと、ゲート絶縁膜３５からなり第２ゲート電極部３０ｅと第２半導体部３０ｄとを絶縁する第２絶縁層３０ｆとを有する。第２ゲート電極部３０ｅには、第２金属膜３８からなる第２短絡配線部３３の一部と平面視重畳する第２短絡配線部側接続部（第２の半導体機能部接続配線部側接続部）４４が連ねられており、この第２短絡配線部側接続部４４が第２短絡配線部３３に対して接続されている。第２短絡配線部側接続部４４は、第２ゲート電極部３０ｅと同じ第１金属膜３４からなり、図１０に示すように、第２短絡配線部３３との間に介在する第２ゲート電極部側絶縁部（第２のゲート電極部側絶縁部）４５に貫通形成された第２ゲート電極部側開口部（第２のゲート電極部側開口部）４５ａを通して第２短絡配線部３３に接続されている。なお、第２ゲート電極部側絶縁部４５は、ゲート絶縁膜３５及び保護膜３７からなる。第２ダイオード３０が有する他方（図６に示す右側）の第２電極部３０ｂは、同じ第２金属膜３８からなる第２短絡配線部３３に連ねられている。つまり、第２ダイオード３０は、他方の第２電極部３０ａと第２ゲート電極部３０ｅとが第２短絡配線部３３によって短絡されているので、構造としてはトランジスタ型であるものの、電気的にはダイオードとして機能するようになっている。

第２短絡配線部３３は、第２金属膜３８からなり、図６に示すように、Ｘ軸方向について共通配線２５に対してコンタクト部３２側とは反対側に隣り合う形で配されており、またＹ軸方向については隣り合う２本の第１短絡配線部３１の間に挟み込まれる形で配されている。第２短絡配線部３３は、静電気保護回路部２６が有する２つのダイオード２９，３０と共通配線２５との間に配されるとともに、第２ゲート電極部３０ｅに連なる第２短絡配線部側接続部４４に対して平面視重畳していて第２ゲート電極部側絶縁部４５の第２ゲート電極部側開口部４５ａを通して接続され、さらには２つのダイオード２９，３０が有する他方の電極部２９ｂ，３０ｂが連ねられている。この第２短絡配線部側接続部４４は、共通配線２５には直接連なることがないものとされる。詳しくは、共通配線２５のうち静電気保護回路部２６側の側縁からは、共通配線側接続部（静電気逃がし配線側接続部）４６が張り出す形で設けられており、この共通配線側接続部４６が第２短絡配線部３３のうち第２短絡配線部側接続部４４とは非重畳となる部分に対して平面視重畳する形で配されている。共通配線側接続部４６と第２短絡配線部３３との間に介在する第２短絡配線側絶縁部（第２の半導体機能部接続配線部側絶縁部）４７には、第２短絡配線側開口部（第２の半導体機能部接続配線部側開口部）４７ａが貫通して形成されているので、この第２短絡配線側開口部４７ａを通して第２短絡配線部３３が共通配線側接続部４６に対して接続されている。

改めて静電気保護回路部２６が有する２つのダイオード２９，３０の接続態様について、図１３に示される回路図を用いて説明する。第１ダイオード２９の一方の第１電極部２９ａ、第１ゲート電極部２９ｅ及び第２ダイオード３０の一方の第２電極部３０ａは、図１３に示すように、第１短絡配線部３１により短絡されるとともにゲート配線１９に接続されている。一方、第１ダイオード２９の他方の第１電極部２９ｂ、第２ダイオード３０の他方の第２電極部３０ｂ及び第２ゲート電極部３０ｅは、第２短絡配線部３３により短絡されるとともに共通配線２５に接続されている。そして、共にトランジスタ型をなす２つのダイオード２９，３０は、その閾値電圧が、行制御回路部２８から第１短絡配線部３１を介してゲート配線１９に伝送される信号に係る電圧値よりも高いものの、静電気が発生した際に印加される電圧値よりは低くなるよう設定されている。これにより、液晶パネル１１を駆動する際には、２つのダイオード２９，３０が作動せず、行制御回路部２８からの信号がゲート配線１９へと正常に伝送されるものの、例えば静電気がゲート配線１９に印加されてゲート配線１９側が共通配線２５側よりも高電位となった際には、２つのダイオード２９，３０が作動することで、静電気を共通配線２５へと逃がすことができるものとされる。なお、共通配線２５に静電気が印加されてゲート配線１９側が共通配線２５側よりも低電位になった場合も、上記と同様に２つのダイオード２９，３０が作動することで、静電気を逃がすことができる。

次に、コンタクト部３２について説明する。コンタクト部３２は、図６に示しように、Ｘ軸方向について共通配線２５と表示部ＡＡとの間に挟み込まれる位置に配されている。コンタクト部３２は、図１１に示すように、第１金属膜３４からなりゲート配線１９の端部に形成されるゲート配線側接続部（信号配線側接続部）４８と、ゲート絶縁膜３５及び保護膜３７からなりゲート配線側接続部４８と平面視重畳する位置に貫通形成されるコンタクト部側開口部４９ａを有するコンタクト部側絶縁部４９と、第２金属膜３８からなり第１短絡配線部３１の他端側に形成されるとともにコンタクト部側開口部４９ａを通してゲート配線側接続部４８に接続されるダイオード側接続部（半導体機能部側接続部）５０とを有している。このダイオード側接続部５０は、第１短絡配線部３１を介して静電気保護回路部２６が有する２つのダイオード２９，３０の一方の電極部２９ａ，３０ａ及び第１ゲート電極部２９ｅに短絡されている。ゲート配線側接続部４８及びダイオード側接続部５０は、共にゲート配線１９及び第１短絡配線部３１から図６に示す上側に向けて延出する形で設けられており、静電気保護回路部２６に対して共通配線２５を挟んでＸ軸方向に沿って並んでいる。コンタクト部側開口部４９ａは、ゲート配線側接続部４８及びダイオード側接続部５０と重畳する位置に３つ設けられており、それによりゲート配線側接続部４８及びダイオード側接続部５０の接続箇所が３箇所とされている。

続いて、共通配線２５について説明する。共通配線２５は、第１金属膜３４からなり、図６に示すように、Ｘ軸方向について静電気保護回路部２６とコンタクト部３２との間を仕切る位置に配されるとともに、多数本の第１短絡配線部３１を横切るようＹ軸方向に沿って延在している。この共通配線２５には、既述した第２短絡配線部３３の一部と平面視重畳する共通配線側接続部４６が連ねられている。言い換えると、共通配線２５は、静電気保護回路部２６と対向状をなす側縁が静電気保護回路部２６側（コンタクト部３２側とは反対側）に向けて部分的に張り出しており、その張出部分によって共通配線側接続部４６が構成されている。また、共通配線２５は、上記した張出部分をＹ軸方向について図６に示す上下から挟み込む形で配された第１短絡配線部３１に対して交差しており、そこに交差部位ＣＰＴを形成している。

ところで、静電気保護回路部２６が有する２つのダイオード２９，３０には、アレイ基板１１ｂの製造過程において発生する静電気が直接印加することで、静電破壊が生じるおそれがある。具体的には、第１ダイオード２９は、図６及び図１４に示すように、２つの第１電極部２９ａ，２９ｂにおけるＸ軸方向に沿って延在する一対ずつの外縁部２９ａ１，２９ｂ１と、第１半導体部２９ｄにおけるＹ軸方向に沿って延在する一対の外縁部２９ｄ１と、が２箇所にて平面に視て直交（交差）しており、互いに交差する外縁部２９ａ１，２９ｂ１，２９ｄ１がなす内角が約２７０度となっている。このように、半導体膜３６と第２金属膜３８とが互いに交差するとともにその内角が１８０度以上とされると、その交差位置ＣＰ１において下層側に配されたゲート絶縁膜３５のカバレッジが局所的に悪化して絶縁性が低下する可能性がある。そして、絶縁性が低下した交差位置ＣＰ１には、アレイ基板１１ｂの製造過程で発生した静電気が選択的に直接印加される可能性が高くなっており、静電気が交差位置ＣＰ１に印加されると、第１金属膜３４からなる第１ゲート電極部２９ｅと、第１電極部２９ａ，２９ｂ及び第１半導体部２９ｄと、が短絡するおそれがあった。上記した静電破壊は、第２ダイオード３０を構成する第２電極部３０ａ，３０ｂにおける外縁部３０ａ１，３０ｂ１と、第２半導体部３０ｄにおける外縁部３０ｄ１との交差位置ＣＰ１にも同様に生じるおそれがある。なお、各ダイオード２９，３０の各電極部２９ａ，２９ｂ，３０ａ，３０ｂが上記した交差位置ＣＰ１を２箇所ずつ有していることから、静電気保護回路部２６は、上記交差位置ＣＰ１を合計８箇所有していることになる。

そこで、共通配線２５に対して少なくとも一部が平面に視て（ガラス基板ＧＳの板面に対する法線方向から視て）重畳し、且つ第１短絡配線部３１と共通配線２５との交差部位ＣＰＴよりも相対的に静電気保護回路部２６の近くとなる位置には、図６に示すように、アレイ基板１１ｂの製造過程において発生した静電気から静電気保護回路部２６を保護するための静電気保護部５１が設けられている。なお、共通配線２５は、静電気保護部５１と平面に視て重畳する部分が非重畳とされる部分よりも拡幅されている。静電気保護部５１は、図７，図８及び図１２に示すように、半導体膜３６からなる静電気誘引部５２と、第２金属膜３８からなる第２の静電気誘引部５３とを有しており、これらの静電気誘引部５２，５３によってアレイ基板１１ｂの製造過程で発生する静電気を誘引することで、静電気保護回路部２６をなすダイオード２９，３０に静電気が直接印加する確率を低下させることができる。以下、静電気誘引部５２及び第２の静電気誘引部５３の構成について詳しく説明する。

半導体膜３６からなる静電気誘引部５２は、図１４に示すように、共通配線２５の延在方向であるＹ軸方向に沿って所定長さにわたって延在するとともに平面に視て縦長の方形状をなしており、合計４辺の外縁部５２ａ〜５２ｄ（一対の長辺側の外縁部５２ａ，５２ｂ及び一対の短辺側の外縁部５２ｃ，５２ｄ）を有している。静電気誘引部５２は、その全域が共通配線２５の拡幅部分と平面視重畳する形で配されており、４辺の外縁部５２ａ〜５２ｄが全て共通配線２５の拡幅部分上に配されている。静電気誘引部５２のＹ軸方向（長さ方向）についての形成範囲は、静電気保護回路部２６が有するダイオード２９，３０の第１電極部２９ａ，２９ｂ（第１ダイオード側開口部２９ｃ１，２９ｃ２）及び第２電極部３０ａ，３０ｂ（第２ダイオード側開口部３０ｃ１，３０ｃ２）の同形成範囲とほぼ同じかそれよりもやや広いものとされる。静電気誘引部５２のＸ軸方向（幅方向）についての形成範囲は、共通配線２５の拡幅部分よりもやや狭い程度とされ、一対の長辺側の外縁部５２ａ，５２ｂが上記拡幅部分の両側縁よりも内側に配されている。このような構成の静電気誘引部５２が共通配線２５と平面に視て重畳する形で配されることで、静電気誘引部５２と共通配線２５との間に挟まれるゲート絶縁膜３５のカバレッジが静電気誘引部５２との重畳部位についてのみ局所的に悪化して絶縁性が低下するようになっており、もって発生した静電気を誘引することが可能とされる。ここでいう「ゲート絶縁膜３５のカバレッジの悪化」とは、例えばゲート絶縁膜３５の段差部分において、膜厚が薄くなるなどして膜厚の均一性が損なわれたり、下地（共通配線２５）に対する付着力が低下する（剥離し易くなる）ことを意味する。

第２金属膜３８からなる第２の静電気誘引部５３は、図１４に示すように、共通配線２５及び静電気誘引部５２の双方に対して平面に視て重畳する形で配されている。第２の静電気誘引部５３は、共通配線２５及び静電気誘引部５２の延在方向であるＹ軸方向に沿って所定長さにわたって延在するとともに平面に視て縦長の方形状をなす方形状部５４と、当該方形状部５４から静電気保護回路部２６側に向けて突出して第２短絡配線部３３に連ねられる突出部５５とを有しており、全体として平面に視て略鉤型をなしている。第２の静電気誘引部５３は、方形状部５４をなす４辺の外縁部５４ａ〜５４ｄ（一対の長辺側の外縁部５４ａ，５４ｂ及び一対の短辺側の外縁部５４ｃ，５４ｄ）と、突出部５５をなす２辺の外縁部５５ａ，５５ｂとを有しており、このうち方形状部５４をなす図１４に示す下側の外縁部５４ｄと突出部５５における図１４に示す下側の外縁部５５ｂとが一直線状をなしている。つまり、突出部５５は、方形状部５４における図１４に示す下側の端部寄りに偏在している。方形状部５４をなす一対の長辺側の外縁部５４ａ，５４ｂは、静電気誘引部５２をなす一対の長辺側の外縁部５２ａ，５２ｂに並行しているのに対し、方形状部５４をなす一対の短辺側の外縁部５４ｃ，５４ｄ及び突出部５５をなす一対の外縁部５５ａ，５５ｂは、静電気誘引部５２をなす一対の短辺側の外縁部５２ｃ，５２ｄに並行している。

そして、第２の静電気誘引部５３は、方形状部５４のＸ軸方向（幅方向）についての形成範囲が、静電気誘引部５２の同形成範囲よりも狭いものの、方形状部５４のＹ軸方向（長さ方向）についての形成範囲が静電気誘引部５２の同形成範囲よりも広くなっている。言い換えると、方形状部５４をなす一対の長辺側の外縁部５４ａ，５４ｂ間の距離は、静電気誘引部５２をなす一対の長辺側の外縁部５２ａ，５２ｂ間の距離よりも小さくなっているのに対し、方形状部５４をなす一対の短辺側の外縁部５４ｃ，５４ｄ間の距離は、静電気誘引部５２をなす一対の短辺側の外縁部５２ｃ，５２ｄ間の距離よりも大きくなっている。従って、方形状部５４が有する四隅の角部と、静電気誘引部５２が有する四隅の角部と、が互いに平面に視てずれた配置とされている。さらには、第２の静電気誘引部５３は、突出部５５が方形状部５４に対して図１４に示す下側の外縁部５４ｄ，５５ｂ同士が面一状に揃えられる配置とされている。これにより、第２の静電気誘引部５３の方形状部５４が有する一対の長辺側の外縁部５４ａ，５４ｂが、静電気誘引部５２が有する図１４に示す上側の短辺側の外縁部５２ｃに対してそれぞれ交差するとともに、方形状部５４が有する同図右側の長辺側の外縁部５４ｂが、静電気誘引部５２が有する同図右側の長辺側の外縁部５２ｂと交差し、さらには、突出部５５が有する同図上側の外縁部５５ａが、静電気誘引部５２が有する同図左側の長辺側の外縁部５２ａと交差している。つまり、静電気誘引部５２と第２の静電気誘引部５３とは、合計４箇所の交差位置ＣＰ２を有していることになる。これら４箇所の交差位置ＣＰ２において互いに交差する外縁部５２ａ，５２ｃ，５２ｄ，５４ａ，５４ｂ，５５ａがなす内角が約２７０度（１８０度以上）となっているので、当該交差位置ＣＰ２において下層側に配されたゲート絶縁膜３５及び保護膜３７のカバレッジが局所的に悪化して絶縁性が低下している。従って、４箇所の交差位置ＣＰ２には、アレイ基板１１ｂの製造過程で発生した静電気が誘引され易くなっている。また、４箇所の交差位置ＣＰ２は、Ｙ軸方向について非対称となる配置となっている。

一方、共通配線２５におけるコンタクト部３２との対向部位と、コンタクト部３２を構成するゲート配線側接続部４８における共通配線２５との対向部位とには、図６に示すように、互いに接近するよう突出する突出型静電気誘引部５６がそれぞれ対をなす形で形成されている。この突出型静電気誘引部５６によってアレイ基板１１ｂの製造過程のうち第２金属膜３８を成膜する前の段階において静電気保護回路部２６とコンタクト部３２とのいずれか一方にて発生した静電気から他方側を保護することが可能とされている。突出型静電気誘引部５６は、共に第１金属膜３４からなり、その突出基端側から突出先端側に向けて先細り状に形成されており、平面に視て略三角形状をなしている。対をなす突出型静電気誘引部５６における突出先端部は、互いにＹ軸方向についての位置がほぼ一致するとともに、Ｘ軸方向について僅かな距離を空けつつ対向状に配されている。対をなす突出型静電気誘引部５６は、Ｘ軸方向に沿って並んで配されていると言える。一対の突出型静電気誘引部５６のうち、共通配線２５に連なる突出型静電気誘引部５６は、静電気誘引部５２に対して隣接する位置に配されている。突出型静電気誘引部５６は、Ｙ軸方向について静電気誘引部５２における延在方向のほぼ中央位置に配されている。

上記のような構成の静電気保護部５１が有する静電気誘引部５２及び突出型静電気誘引部５６により次の作用及び効果を得ることができる。すなわち、アレイ基板１１ｂの製造は、既知のフォトリソグラフィ法によってガラス基板ＧＳ上に既述した各膜を下層側から順に成膜することで行われる。この成膜を繰り返し行うに際しては、各種製造装置へとガラス基板ＧＳを搬送する必要があり、その過程では、ガラス基板ＧＳ及びそれまでに成膜された膜の最外表面に剥離帯電などによって静電気が生じる場合がある。特に、第２金属膜３８を成膜し終えた段階では、静電気保護回路部２６は、図６に示すように、２つのダイオード２９，３０が有する第２金属膜３８からなる各電極部２９ａ，２９ｂ，３０ａ，３０ｂの各外縁部２９ａ１，２９ｂ１，３０ａ１，３０ｂ１と、半導体膜３６からなる各半導体部２９ｄ，３０ｄの各外縁部２９ｄ，３０ｄと、がそれぞれ交差することで、合計８箇所の各交差位置ＣＰ１を有しているため、これらの交差位置ＣＰ１のいずれかに静電気が直接印加されることが懸念される。

その点、本実施形態では、共通配線２５に対して少なくとも一部が平面に視て重畳し、且つ第１短絡配線部３１と共通配線２５との交差部位ＣＰＴよりも相対的に静電気保護回路部２６の近くとなる位置には、図６及び図１４に示すように、静電気誘引部５２，５３を有する静電気保護部５１が設けられているから、アレイ基板１１ｂの製造過程において静電気が発生した場合でも、その静電気を静電気誘引部５２，５３へと誘引することで、静電気が静電気保護回路部２６をなす各ダイオード２９，３０に直接印加される確率を低下させることができる。詳しくは、静電気誘引部５２は、半導体膜３６からなるとともに、第１金属膜３４からなる共通配線２５と平面に視て重畳する形で配されているので、その間に介在するゲート絶縁膜３５のカバレッジを局所的に悪化させて絶縁性を低下させることができる。これにより、アレイ基板１１ｂの製造過程において発生した静電気を、静電気誘引部５２及び共通配線２５のうちの静電気誘引部５２との重畳部位へと好適に誘引することができる。しかも、静電気保護部５１は、静電気誘引部５２の外縁部５２ａ，５２ｃ，５２ｄと、第２金属膜３８からなる第２の静電気誘引部５３の外縁部５４ａ，５４ｂ，５５ａと、が交差することで、合計４箇所の交差位置ＣＰ２を有しており、これらの交差位置ＣＰ２では、下層側に配されたゲート絶縁膜３５及び保護膜３７のカバレッジが局所的に悪化して絶縁性が低下することになる。これにより、アレイ基板１１ｂの製造過程において発生した静電気を、４箇所の交差位置ＣＰ２のいずれかへと好適に誘引することができる。以上により、アレイ基板１１ｂの製造過程において発生した静電気が、静電気保護回路部２６の各ダイオード２９，３０が有する各交差位置ＣＰ１に直接印加する確率が低下し、もって静電気保護回路部２６に静電破壊に伴う不良が生じ難くなっている。さらには、静電気保護部５１が有する静電気誘引部５２，５３は、第１短絡配線部３１と共通配線２５との交差部位ＣＰＴよりも相対的に静電気保護回路部２６の近くとなる位置に配されているから、各ダイオード２９，３０へと向かう静電気をより好適に誘引して各ダイオード２９，３０に静電気が直接印加するのを一層生じ難くすることができるとともに、静電気が第１短絡配線部３１と共通配線２５との交差部位ＣＰＴに直接印加し難くすることができる。

以上説明したように本実施形態のアレイ基板（半導体装置）１１ｂは、基板（ガラス基板）ＧＳと、ガラス基板ＧＳ上に形成される第１金属膜３４と、少なくとも第１金属膜３４上に形成されるゲート絶縁膜（絶縁膜）３５と、ゲート絶縁膜３５上に形成される半導体膜３６と、少なくとも半導体膜３６上に形成されて半導体膜３６を保護する保護膜３７と、保護膜３７上に形成される第２金属膜３８と、第２金属膜３８からなる２つの第１電極部（電極部）２９ａ，２９ｂと、保護膜３７からなり２つの第１電極部２９ａ，２９ｂと重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの第１ダイオード側開口部（半導体機能部側開口部）２９ｃ１，２９ｃ２を有する第１保護部（保護部）２９ｃと、半導体膜３６からなり２つの第１ダイオード側開口部２９ｃ１，２９ｃ２を通して２つの第１電極部２９ａ，２９ｂにそれぞれ接続されるとともに平面に視て第１電極部２９ａ，２９ｂの外縁部２９ａ１，２９ｂ１に対して交差する外縁部２９ｄ１を有する第１半導体部（半導体部）２９ｄとを少なくとも有する第１ダイオード（半導体機能部）２９と、第１金属膜３４からなり平面に視て第１ダイオード２９に対して隣り合う位置に配されガラス基板ＧＳの板面に沿い且つ２つの第１電極部２９ａ，２９ｂの並び方向と交差する方向に沿って延在するとともに静電気を逃がすことが可能な共通配線（静電気逃がし配線部）２５と、第２金属膜３８からなり２つの第１電極部２９ａ，２９ｂのうちの一方に連なるとともにガラス基板ＧＳの板面に沿い且つ２つの第１電極部２９ａ，２９ｂの並び方向に沿って延在することで共通配線２５と交差する第１短絡配線部（半導体機能部接続配線部）３１と、第２金属膜３８または半導体膜３６からなり平面に視て共通配線２５に対して少なくとも一部が重畳し且つ共通配線２５と第１短絡配線部３１との交差部位ＣＰＴよりも相対的に第１ダイオード２９の近くに配されるとともに静電気を誘引するための静電気誘引部５２を少なくとも有する静電気保護部５１と、が備えられる。

このように、第１ダイオード２９は、２つの第１電極部２９ａ，２９ｂに接続された第１半導体部２９ｄが平面に視て第１電極部２９ａ，２９ｂの外縁部２９ａ１，２９ｂ１に対して交差する外縁部２９ｄ１を有しているため、第１半導体部２９ｄの外縁部２９ｄ１と第１電極部２９ａ，２９ｂの外縁部２９ａ１，２９ｂ１との交差位置ＣＰ１において下層側に配されたゲート絶縁膜３５のカバレッジが局所的に悪化して絶縁性が低下してしまい、上記交差位置ＣＰ１に当該アレイ基板１１ｂの製造過程で発生した静電気が印加されるおそれがある。その点、第１金属膜３４からなり平面に視て第１ダイオード２９に対して隣り合う位置には、ガラス基板ＧＳの板面に沿い且つ２つの第１電極部２９ａ，２９ｂの並び方向と交差する方向に沿って延在する共通配線２５が配されるとともに、その共通配線２５に対して平面に視て少なくとも一部が重畳するよう第２金属膜３８または半導体膜３６からなる静電気誘引部５２が配されているから、静電気誘引部５２と共通配線２５との間に挟まれるゲート絶縁膜３５のカバレッジが局所的に悪化して絶縁性が低くなる。これにより、当該アレイ基板１１ｂの製造過程で静電気が発生しても、その静電気を静電気誘引部５２へと誘引することができ、もって第１ダイオード２９に静電気が直接印加され難くすることができる。しかも、静電気保護部５１が有する静電気誘引部５２は、第２金属膜３８からなり２つの第１電極部２９ａ，２９ｂのうちの一方に連なるとともにガラス基板ＧＳの板面に沿い且つ２つの第１電極部２９ａ，２９ｂの並び方向に沿って延在する第１短絡配線部３１と共通配線２５との交差部位ＣＰＴよりも相対的に第１ダイオード２９の近くに配されているので、第１ダイオード２９へと向かう静電気をより好適に誘引することができ、もって第１ダイオード２９に静電気が直接印加するのをより抑制することができる。本実施形態によれば、静電気に起因する不良の発生を抑制することができる。

また、半導体膜３６は、酸化物半導体からなる。このようにすれば、半導体膜３６を酸化物半導体とすると、製造過程において第２金属膜３８を成膜する際にエッチングされ易くなったり、また成膜後においても酸化または還元され易い傾向にあるものの、半導体膜３６と第２金属膜３８との間には保護膜３７が介在しており、半導体膜３６が保護膜３７によって保護されるので、第２金属膜３８を成膜する際にエッチングされ難くなり、また成膜後において半導体膜３６が酸化または還元され難くなる。

また、静電気誘引部５２は、半導体膜３６からなる。このようにすれば、静電気誘引部５２の直下に配されるゲート絶縁膜３５のカバレッジがより悪化することになるので、静電気誘引効果をより高めることができる。また、静電気誘引部５２を半導体膜３６からなるものとすれば、仮に静電気誘引部を第２金属膜３８により構成した場合に比べると、例えば下層側の共通配線２５の線幅を十分に確保できなかった場合でも、共通配線２５に対して短絡が生じ難くなるので、歩留まりを向上させることができる。

また、静電気保護部５１は、第２金属膜３８からなり静電気誘引部５２に対して少なくとも一部が平面に視て重畳するよう配されるとともに静電気誘引部５２の外縁部５２ａ，５２ｃ，５２ｄと交差する外縁部５４ａ，５４ｂ，５５ａを有する第２の静電気誘引部５３を有する。このようにすれば、第２の静電気誘引部５３が平面に視て静電気誘引部５２の外縁部５２ａ，５２ｃ，５２ｄに対して交差する外縁部５４ａ，５４ｂ，５５ａを有しているため、第２の静電気誘引部５３の外縁部５４ａ，５４ｂ，５５ａと静電気誘引部５２の外縁部５２ａ，５２ｃ，５２ｄとの交差位置ＣＰ２において下層側に配された保護膜３７及びゲート絶縁膜３５のカバレッジが局所的に悪化して絶縁性が低下することから、上記交差位置ＣＰ２へと静電気を誘引することができる。これにより、第１ダイオード２９に静電気が直接印加されるのを一層抑制することができる。

また、静電気誘引部５２は、平面に視て方形状をなしているのに対し、第２の静電気誘引部５３は、その外縁部５４ａ，５４ｂ，５５ａが静電気誘引部５２の外縁部５２ａ，５２ｃ，５２ｄに対して少なくとも４位置にて交差するよう配されている。このようにすれば、平面に視て方形状をなす静電気誘引部５２の外縁部５２ａ，５２ｃ，５２ｄと、第２の静電気誘引部５３の外縁部５４ａ，５４ｂ，５５ａと、が少なくとも４位置にて交差することになるから、第１ダイオード２９へと向かう静電気を一層好適に誘引することができ、もって第１ダイオード２９に静電気が直接印加する確率をより一層低下させることができる。

また、第２の静電気誘引部５３は、静電気誘引部５２における４辺の各外縁部５２ａ〜５２ｄに対してそれぞれ並行する４つの外縁部５４ａ〜５４ｄを少なくとも有するとともに、互いに並行する外縁部５２ａ，５２ｂ（５２ｃ，５２ｄ）間の距離が、静電気誘引部５２における互いに並行する外縁部５４ａ，５４ｂ（５４ｃ，５４ｄ）間の距離とは異なるよう形成されている。このようにすれば、第２の静電気誘引部５３における平面に視た形状が簡単なものとなるから、製造に際して歩留まりが良好なものとなる、などの効果を得ることができる。

また、第２金属膜３８からなり第１ダイオード２９が有する２つの第１電極部２９ａ，２９ｂのうちの他方に連なる第２短絡配線部（第２の半導体機能部接続配線部）３３と、ゲート絶縁膜３５及び保護膜３７からなり第２短絡配線部３３と平面に視て重畳する位置に貫通して形成される第２短絡配線側開口部（第２の半導体機能部接続配線部側開口部）４７ａを有する第２短絡配線側絶縁部（第２の半導体機能部接続配線部側絶縁部）４７と、第１金属膜３４からなり共通配線２５に連なるとともに平面に視て第２短絡配線部３３と少なくとも一部が重畳するよう配されるとともに第２短絡配線側開口部４７ａを通して第２短絡配線部３３に接続される共通配線側接続部（静電気逃がし配線側接続部）４６と、を備える。このようにすれば、第１ダイオード２９が有する２つの第１電極部２９ａ，２９ｂのうち一方が第１短絡配線部３１に、他方が第２短絡配線部３３にそれぞれ接続され、そのうち第２短絡配線部３３が第２短絡配線側開口部４７ａを通して共通配線２５に連なる共通配線側接続部４６に接続されているから、例えば静電気に起因して第１短絡配線部３１側が共通配線２５側よりも高電位になった場合には、第１ダイオード２９の第１半導体部２９ｄを通して共通配線２５側に電流が流されることで、生じた電位差を解消することができる。

また、第２金属膜３８からなる２つの第２電極部（第２の電極部）３０ａ，３０ｂと、保護膜３７からなり２つの第２電極部３０ａ，３０ｂと重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの第２ダイオード側開口部（第２の半導体機能部側開口部）３０ｃ１，３０ｃ２を有する第２保護部（第２の保護部）３０ｃと、半導体膜３６からなり２つの第２ダイオード側開口部３０ｃ１，３０ｃ２を通して２つの第２電極部３０ａ，３０ｂにそれぞれ接続される第２半導体部（第２の半導体部）３０ｄとを少なくとも有する第２ダイオード（第２の半導体機能部）３０を備えており、第１短絡配線部３１が２つの第１電極部２９ａ，２９ｂのうちの一方と２つの第２電極部３０ａ，３０ｂのうちの一方とを短絡させるのに対し、第２短絡配線部３３が２つの第１電極部２９ａ，２９ｂのうちの他方と２つの第２電極部３０ａ，３０ｂのうちの他方とを短絡させている。このようにすれば、第１ダイオード２９及び第２ダイオード３０は、一方の第１電極部２９ａと一方の第２電極部３０ａとが第１短絡配線部３１により短絡されるのに対し、他方の第１電極部２９ｂと他方の第２電極部３０ｂとが第２短絡配線部３３により短絡されている。従って、静電気に起因して共通配線２５側と第１短絡配線部３１側との間に大きな電位差が生じた場合には、第１ダイオード２９の第１半導体部２９ｄまたは第２ダイオード３０の第２半導体部３０ｄに電流が流されることで、電位差を解消することができる。

また、保護膜３７及びゲート絶縁膜３５からなり第１短絡配線部３１と重畳する位置に貫通して形成される第１ゲート電極部側開口部（ゲート電極部側開口部）４３ａを有する第１ゲート電極部側絶縁部（ゲート電極部側絶縁部）４３と、第１ダイオード２９に備えられるものであって、第１金属膜３４からなり平面に視て２つの第１電極部２９ａ，２９ｂ、第１半導体部２９ｄ及び第１短絡配線部３１の少なくとも一部と重畳するよう配されるとともに第１ゲート電極部側開口部４３ａを通して第１短絡配線部３１に接続される第１ゲート電極部（ゲート電極部）２９ｅと、保護膜３７及びゲート絶縁膜３５からなり第１短絡配線部３１と重畳する位置に貫通して形成される第２ゲート電極部側開口部（第２のゲート電極部側開口部）４５ａを有する第２ゲート電極部側絶縁部（第２のゲート電極部側絶縁部）４５と、第２ダイオード３０に備えられるものであって、第１金属膜３４からなり平面に視て２つの第２電極部３０ａ，３０ｂ、第２半導体部３０ｄ及び第２短絡配線部３３の少なくとも一部と重畳するよう配されるとともに第２ゲート電極部側開口部４５ａを通して第２短絡配線部３３に接続される第２ゲート電極部（第２のゲート電極部）３０ｅと、を備える。このようにすれば、第１ゲート電極部２９ｅは、第１短絡配線部３１によって一方の第１電極部２９ａ及び一方の第２電極部３０ａに短絡されるのに対し、第２ゲート電極部３０ｅは、第２短絡配線部３３によって他方の第１電極部２９ｂ及び他方の第２電極部３０ｂに短絡されている。従って、第１ダイオード２９及び第２ダイオード３０は、それぞれトランジスタ型のダイオードを構成していると言え、その閾値電圧を、例えば信号配線部に伝送される信号に係る電圧値よりも高いものの、静電気が発生した際に印加される電圧値よりも低くすることで、静電気が発生した場合にのみその静電気を共通配線２５に逃がすことができる。しかも、第２ゲート電極部３０ｅが共通配線側接続部４６に対して第２短絡配線部３３を介して間接的に接続されているので、仮に第２ゲート電極部が共通配線側接続部４６に直接的に連なる構成とした場合に比べると、静電気が静電気誘引部５２に誘引されたときに、誘引された静電気に起因して第１ダイオード２９及び第２ダイオード３０に不良が生じ難くなる。

また、第１金属膜３４からなり共通配線２５に対して第１ダイオード２９側とは反対側に配されるゲート配線（信号配線部）１９と、第１金属膜３４からなりゲート配線１９の端部に形成されるゲート配線側接続部（信号配線側接続部）４８と、保護膜３７及びゲート絶縁膜３５からなりゲート配線側接続部４８と重畳する位置に貫通して形成されるコンタクト部側開口部４９ａを有するコンタクト部側絶縁部４９と、第２金属膜３８からなり第１短絡配線部３１の端部に形成されてゲート配線側接続部４８と平面に視て重畳するとともにコンタクト部側開口部４９ａを通してゲート配線側接続部４８に接続されるダイオード側接続部（半導体機能部側接続部）５０とを少なくとも有するコンタクト部３２と、を備える。このようにすれば、第１金属膜３４からなるゲート配線１９は、コンタクト部３２において端部に形成されたゲート配線側接続部４８が第２金属膜３８からなり第１ダイオード２９が有する第１電極部２９ａ，２９ｂのいずれか一方に連なる第１短絡配線部３１の端部に形成されたダイオード側接続部５０に対してコンタクト部側絶縁部４９を貫通するコンタクト部側開口部４９ａを通して接続され、それにより第１ダイオード２９側からの信号がゲート配線１９側に供給されるようになっている。

また、コンタクト部３２を構成するゲート配線側接続部４８と、共通配線２５とにおける対向部位には、互いに接近するよう突出することで静電気を誘引することが可能な突出型静電気誘引部５６がそれぞれ形成されている。このようにすれば、当該アレイ基板１１ｂの製造過程において、第１ダイオード２９とコンタクト部３２とのいずれか一方側にて静電気が発生した場合でも、その静電気を、他方側に至る途中に存在する突出型静電気誘引部５６へと誘引することができる。これにより、第１ダイオード２９またはコンタクト部３２に静電気に起因する不良がより発生し難くすることができる。

さらには、本実施形態に係る液晶パネル（表示装置）１１は、上記したアレイ基板１１ｂと、アレイ基板１１ｂと対向するように配置されたＣＦ基板（対向基板）１１ａと、アレイ基板１１ｂと対向基板１１ａとの間に配置された液晶層１１ｃと、アレイ基板１１ｂに設けられるとともに少なくとも第１ダイオード２９に接続されたＴＦＴ（スイッチング素子）１７とを備える。このような液晶パネル１１によると、上記したアレイ基板１１ｂが静電気に起因する不良の発生を抑制されたものであるから、動作信頼性などに優れる。

＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を図１５によって説明する。この実施形態２では、ダイオード１２９，１３０がゲート非重畳型静電気誘引部５７，５８を備える構成としたものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係るダイオード１２９，１３０は、図１５に示すように、各半導体部１２９ｄ，１３０ｄに連なり平面に視て各ゲート電極部１２９ｅ，１３０ｅとは非重畳となる位置にて各電極部１２９ｂ，１３０ａの外縁部１２９ｂ１，１３０ａ１に対して平面に視て交差する外縁部５７ｂ，５８ｂを有するゲート非重畳型静電気誘引部５７，５８を備えている。詳しくは、第１ダイオード１２９が有する第１ゲート非重畳型静電気誘引部５７は、第１半導体部１２９ｄのうち他方の第１電極部１２９ｂと平面に視て重畳する端部、つまり第１ゲート電極部１２９ｅにおける第１短絡配線部側接続部１４２側とは反対側（図１５に示す右側）の端部からＸ軸方向（第１半導体部１２９ｄの長さ方向）に沿って延出することで、第１ゲート電極部１２９ｅとは非重畳となる位置にまで達している。第１ゲート非重畳型静電気誘引部５７は、第１半導体部１２９ｄにおける幅方向（Ｙ軸方向）の両端部に連なる形で一対設けられており、平面に視て二股状をなしている。一対の第１ゲート非重畳型静電気誘引部５７は、その長さ方向（Ｘ軸方向）に沿った一対の外縁部５７ａが第１半導体部１２９ｄの端部における両外縁部と一直線状をなすのに対し、幅方向（Ｙ軸方向）に沿った外縁部５７ｂが他方の第１電極部１２９ｂにおけるＸ軸方向に沿った外縁部１２９ｂ１と直交（交差）しており、その交差位置ＣＰ３が平面に視て第１ゲート配線部１２９ｅとは重ならず、非重畳となる配置とされている。

一方、第２ダイオード１３０が有する第２ゲート非重畳型静電気誘引部５８は、第２半導体部１３０ｄのうち一方の第２電極部１３０ａと平面に視て重畳する端部、つまり第２ゲート電極部１３０ｅにおける第２短絡配線部側接続部１４４側とは反対側（図１５に示す左側）の端部からＸ軸方向（第２半導体部１３０ｄの長さ方向）に沿って延出することで、第２ゲート電極部１３０ｅとは非重畳となる位置にまで達している。第２ゲート非重畳型静電気誘引部５８は、第２半導体部１３０ｄにおける幅方向（Ｙ軸方向）の両端部に連なる形で一対設けられており、平面に視て二股状をなしている。一対の第２ゲート非重畳型静電気誘引部５８は、その長さ方向（Ｘ軸方向）に沿った一対の外縁部５８ａが第２半導体部１３０ｄの端部における両外縁部と一直線状をなすのに対し、幅方向（Ｙ軸方向）に沿った外縁部５８ｂが一方の第２電極部１３０ａにおけるＸ軸方向に沿った外縁部１３０ａ１と直交（交差）しており、その交差位置ＣＰ３が平面に視て第２ゲート配線部１３０ｅとは重ならず、非重畳となる配置とされている。

上記したように半導体膜３６からなる各ゲート非重畳型静電気誘引部５７，５８の外縁部５７ｂ，５８ｂが、各ゲート電極部１２９ｅ，１３０ｅとは平面に視て非重畳となる位置において、各電極部１２９ｂ，１３０ａの外縁部１２９ｂ１，１３０ａ１に対して平面に視て交差する配置構成とされているので、その交差位置ＣＰ３において下層側に配された保護膜３７及びゲート絶縁膜３５（共に図示は省略する）のカバレッジが局所的に悪化して絶縁性が低下する。これにより、アレイ基板の製造過程で発生した静電気を上記した交差位置ＣＰ３にも誘引することができる。この交差位置ＣＰ３に静電気が印加されたとしても、交差位置ＣＰ３が各ゲート電極部１２９ｅ，１３０ｅとは平面に視て非重畳となる配置とされているので、各電極部１２９ｂ，１３０ａが各ゲート電極部１２９ｅ，１３０ｅと短絡される事態が回避されている。

以上説明したように本実施形態によれば、保護膜３７及びゲート絶縁膜３５からなり第１短絡配線部１３１と重畳する位置に貫通して形成される第１ゲート電極部側開口部１４３ａを有する第１ゲート電極部側絶縁部（図示せず）と、第１ダイオード１２９に備えられるものであって、第１金属膜３４からなり平面に視て２つの第１電極部１２９ａ，１２９ｂ、第１半導体部１２９ｄ及び第１短絡配線部１３１の少なくとも一部と重畳するよう配されるとともに第１ゲート電極部側開口部１４３ａを通して第１短絡配線部１３１に接続される第１ゲート電極部１２９ｅと、第１半導体部１２９ｄに連なり平面に視て第１ゲート電極部１２９ｅとは非重畳となる位置にて、２つの第１電極部１２９ａ，１２９ｂのうちの他方における外縁部１２９ｂ１に対して平面に視て交差する外縁部５７ｂを有する第１ゲート非重畳型静電気誘引部（ゲート非重畳型静電気誘引部）５７と、を備える。このようにすれば、第１ダイオード１２９が有する２つの第１電極部１２９ａ，１２９ｂのうちの他方における外縁部１２９ｂ１と、半導体膜３６からなる第１ゲート非重畳型静電気誘引部５７の外縁部５７ｂと、が平面に視て交差すると、その交差位置ＣＰ３において下層側に配された保護膜３７及びゲート絶縁膜３５のカバレッジが局所的に悪化して絶縁性が低下することから、上記交差位置ＣＰ３へと静電気を誘引することができる。そして、他方の電極部１２９ｂにおける外縁部１２９ｂ１と、第１ゲート非重畳型静電気誘引部５７の外縁部５７ｂとの交差位置ＣＰ３が、第１ゲート電極部１２９ｅとは平面に視て非重畳となる位置とされているから、上記交差位置ＣＰ３において静電気が印加されたとしても、他方の電極部１２９ｂと第１ゲート電極部１２９ｅとが短絡されるのを避けることができる。

＜実施形態３＞
本発明の実施形態３を図１６から図１９によって説明する。この実施形態３では、第２金属膜３８を成膜する前の段階において生じた静電気を静電気誘引部２５２により誘引できるようにしたものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る静電気誘引部２５２と第２の静電気誘引部２５３との間に介在する形で配される保護膜３７は、図１６及び図１７に示すように、静電気誘引開口部５９ａが貫通して形成された誘引部保護部５９とされている。第２の静電気誘引部２５３は、静電気誘引開口部５９ａを通されることで静電気誘引部２５２に対して接続されている。これにより、静電気誘引部２５２が静電気誘引開口部５９ａを通して第１層間絶縁膜３９側に露出するのが避けられている。

誘引部保護部５９は、図１６及び図１７に示すように、静電気誘引開口部５９ａの形成部位を除いて静電気誘引部２５２の大部分を覆う形で配される。静電気誘引開口部５９ａは、静電気誘引部２５２の延在方向（Ｙ軸方向）に沿って４つが間欠的に並んで配されている。静電気誘引開口部５９ａの配列間隔は、ほぼ等間隔とされる。４つの静電気誘引開口部５９ａのうち、Ｙ軸方向についての両端に位置する２つの静電気誘引開口部５９ａは、静電気保護回路部２２６が有するダイオード２２９，２３０の第１電極部２２９ａ，２２９ｂ（第１ダイオード側開口部２２９ｃ１，２２９ｃ２）及び第２電極部２３０ａ，２３０ｂ（第２ダイオード側開口部２３０ｃ１，２３０ｃ２）よりもＹ軸方向について外寄り（第１短絡配線部２３１におけるＸ軸方向に沿って延在する部分寄り）に配されている。図１６に示される平面図において、上記した４つの静電気誘引開口部５９ａを結んだ線分は、静電気保護回路部２２６が有する各ダイオード側開口部２２９ｃ１，２２９ｃ２，２３０ｃ１，２３０ｃ２と、コンタクト部２３２が有する３つの各コンタクト部側開口部２４９ａとを結んだ線分のいずれに対しても交差する関係とされる。

上記のように静電気誘引部２５２と第２の静電気誘引部２５３との間に介在する形で配される保護膜３７に静電気誘引開口部５９ａを貫通形成することで次の作用及び効果を得ることができる。すなわち、アレイ基板２１１ｂの製造は、既知のフォトリソグラフィ法によってガラス基板ＧＳ上に既述した各膜を下層側から順に成膜することで行われる。ガラス基板ＧＳ上に第１金属膜３４、ゲート絶縁膜３５、半導体膜３６及び保護膜３７を成膜した状態では、図１８及び図１９に示すように、非表示部ＮＡＡにおいては、静電気保護回路部２２６の各半導体部２２９ｄ，２３０ｄが各保護部２２９ｃ，２３０ｃの各ダイオード側開口部２２９ｃ１，２２９ｃ２，２３０ｃ１，２３０ｃ２を通して外部に露出するとともに、コンタクト部２３２のゲート配線側接続部２４８がコンタクト部側絶縁部（図示せず）の３つのコンタクト部側開口部２４９ａを通して外部に露出している（図１１を参照）。この状態から第２金属膜３８を成膜するまでの間に各製造装置へとガラス基板ＧＳを搬送する際には、ガラス基板ＧＳ及びそれまでに成膜された膜の最外表面に剥離帯電などによって静電気が生じる場合がある。このとき、ガラス基板ＧＳの表面は、大部分が絶縁材料からなる保護膜３７により覆われているものの、非表示部ＮＡＡにおいては上記した各開口部２２９ｃ１，２２９ｃ２，２３０ｃ１，２３０ｃ２，２４９ａを通して、導電材料からなる各半導体部２２９ｄ，２３０ｄ及びゲート配線側接続部２４８が露出しているため、各半導体部２２９ｄ，２３０ｄとゲート配線側接続部２４８とのいずれか一方側から他方側へと静電気が印加されることが懸念される。

その点、本実施形態では、図１８に示すように、静電気保護回路部２２６とコンタクト部２３２との間に静電気保護部２５１が設けられており、図１９に示すように、静電気保護部２５１の静電気誘引部２５２が静電気誘引開口部２５３ａを通して外部に露出しているから、各半導体部２２９ｄ，２３０ｄとゲート配線側接続部２４８とのいずれか一方側から他方側へ向かう静電気をその途中で静電気誘引開口部２５３ａを通して静電気誘引部２５２へと誘引することができる。これにより、各ダイオード２２９，２３０が静電破壊されて各半導体部２２９ｄ，２３０ｄが各ゲート電極部２２９ｅ，２３０ｅに短絡される事態や、コンタクト部２３２が静電破壊されてゲート配線側接続部２４８とダイオード側接続部２５０とが接続不能とされる事態が生じるのを抑制することができる。特に、静電気誘引部２５２は、各ダイオード２２９，２３０が有する各半導体部２２９ｄ，２３０ｄと同じ半導体膜３６からなるものとされているから、コンタクト部２３２のゲート配線側接続部２４８側にて静電気が発生した場合にその静電気を静電気誘引部２５２により効果的に誘引することができ、もって静電気が各半導体部２２９ｄ，２３０ｄに印加されるのをより好適に防ぐことができる。静電気誘引部２５２に静電気が誘引されると、そこで静電破壊が生じて静電気誘引部２５２と共通配線２２５とが短絡される場合があり、その場合は静電気を共通配線２２５へと逃がすことができる。

＜実施形態４＞
本発明の実施形態４を図２０または図２１によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態１から第２の静電気誘引部５３を除去し、静電気誘引部３５２の形状を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る静電気保護部３５１は、図２０に示すように、静電気誘引部３５２を有しているものの、上記した実施形態１に記載した第２の静電気誘引部５３については有さない構成とされる。静電気誘引部３５２は、平面に視て縦長の方形状をなす方形状部６０と、方形状部６０における一対の短辺側の外縁部６０ａ，６０ｂからＹ軸方向に沿って突出する一対の突出部６１とから構成されている。方形状部６０が有する短辺側の外縁部６０ａ，６０ｂは、Ｘ軸方向に並行するのに対し、各突出部６１が有する外縁部のうち上記方形状部６０の外縁部６０ａ，６０ｂに連なる外縁部６１ａ，６１ｂは、Ｙ軸方向に並行しており、上記方形状部６０の外縁部６０ａ，６０ｂに対して直交（交差）している。方形状部６０が有する短辺側の外縁部６０ａ，６０ｂと、各突出部６１が有する外縁部６１ａ，６１ｂとは、その交差位置ＣＰ４においてなす角度が約２７０度となっているので、当該交差位置ＣＰ４において下層側に配されたゲート絶縁膜３５及び保護膜３７のカバレッジが局所的に悪化して絶縁性が低下している。従って、これらの交差位置ＣＰ４には、アレイ基板３１１ｂの製造過程で発生した静電気が誘引され易くなっている。

＜実施形態５＞
本発明の実施形態５を図２２によって説明する。この実施形態５では、第２の静電気誘引部４５３が第２短絡配線部４３３から分離されたものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る第２の静電気誘引部４５３は、図２２に示すように、方形状部４５４のみからなり、上記した実施形態１に記載した突出部５５を有していない。従って、第２の静電気誘引部４５３は、第２短絡配線部４３３から分離されている。第２の静電気誘引部４５３は、その一対の長辺側の外縁部４５４ａ，４５４ｂが、静電気誘引部４５２における一対の短辺側の外縁部４５２ｃ，４５２ｄに対して２箇所ずつで交差している。従って、静電気誘引部４５２の外縁部４５２ｃ，４５２ｄと第２の静電気誘引部４５３の外縁部４５４ａ，４５４ｂとにおける４箇所の交差位置ＣＰ２は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向について共に対称となる配置とされている。

＜実施形態６＞
本発明の実施形態６を図２３または図２４によって説明する。この実施形態６では、上記した実施形態１から静電気誘引部５２を除去したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る静電気保護部５５１は、図２３及び図２４に示すように、第２の静電気誘引部５５３を有しているものの、上記した実施形態１に記載した静電気誘引部５２については有さない構成とされる。このような構成であっても、第２の静電気誘引部５５３によって静電気を好適に誘引することができる。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記した各実施形態では、静電気保護回路部に設ける静電気保護回路素子（半導体機能素子）としてＴＦＴ型のダイオードを例示したが、それ以外にも、例えばツェナーダイオードやバリスタなどを用いることも可能である。その場合、静電気保護回路素子（ツェナーダイオードまたはバリスタ）を２つの電極部、２つの半導体機能部側開口部を有する保護部、及び各半導体機能部側開口部を通して各電極部に接続される半導体部を有するものの、ゲート電極部を有さない構成とすることができる。

（２）上記した各実施形態以外にも、静電気誘引部及び第２の静電気誘引部の設置数、平面に視た大きさ（Ｘ軸方向についての形成範囲、Ｙ軸方向についての形成範囲）、平面形状、外縁部同士の交差位置の数などは適宜に変更可能である。具体的には、平面に視た大きさに関しては、例えば、静電気誘引部の幅寸法が第２の静電気誘引部の幅寸法よりも小さく、静電気誘引部の長さ寸法が第２の静電気誘引部の長さ寸法よりも大きい、といった設定とすることも可能である。また、平面形状に関しては、例えば、静電気誘引部の平面形状を三角形とし、第２の静電気誘引部の平面形状を方形とするなどとすることもできる。また、外縁部同士の交差位置の数に関しては、３つ以下としたり、５つ以上とすることも可能である。

（３）上記した各実施形態では、静電気誘引部の全域が共通配線に対して平面視重畳する構成のものを示したが、静電気誘引部が共通配線に対して平面視重畳する重畳部分と、共通配線とは平面視非重畳とされる非重畳部分とを有する構成としたものも本発明に含まれる。

（４）上記した実施形態３に記載した静電気誘引開口部の設置数、平面に視た大きさ（形成範囲）、平面形状などは適宜に変更可能である。

（５）上記した実施形態４において、静電気誘引部の平面形状を上記した実施形態１に記載した静電気誘引部と同一にすることも可能である。

（６）上記した各実施形態では、第２ゲート電極部に連なる第２短絡配線部側接続部が共通配線とは分離されており、第２短絡配線部側接続部が第２短絡配線部及び共通配線側接続部を介して共通配線に接続される構成のものを示したが、例えば、第２短絡配線部側接続部を共通配線に直接連ねる構成、つまり第２短絡配線部側接続部が共通配線側接続部を兼用する構成とすることも可能である。その場合、第２ゲート電極部側絶縁部が、第２短絡配線側絶縁部を兼用するとともに、第２ゲート電極部側開口部が、第２短絡配線側開口部を兼用することになる。

（７）上記した各実施形態では、静電気保護回路部を共通配線に対して電気的に接続する構成としたものを示したが、静電気保護回路部を共通配線に対して電気的に接続しない構成とすることも可能である。その場合、静電気保護回路部のうち、各ダイオードの一方の電極部が接続された第１短絡配線部とはＹ軸方向について反対側に配された異なる第１短絡配線部に対して他方の電極部を接続し、静電気を他の第１短絡配線部に逃がすようにすればよい。

（８）上記した各実施形態では、半導体膜に用いる酸化物半導体をインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜とした場合を示したが、他の種類の酸化物半導体を用いることも可能である。具体的には、インジウム（Ｉｎ）、シリコン（Ｓｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、錫（Ｓｎ）、シリコン（Ｓｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、錫（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、錫（Ｓｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、ガリウム（Ｇａ）、シリコン（Ｓｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、インジウム（Ｉｎ）、銅（Ｃｕ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物などを用いることができる。

（９）上記した各実施形態では、ＴＦＴ、列制御回路部及び行制御回路部が半導体膜としてインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜を有する構成のものを示したが、それ以外にも、例えば、アモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ）または多結晶シリコンなどからなる半導体膜を用いることも可能である。多結晶シリコンとしては、例えばＣＧシリコン（Continuous Grain Silicon）薄膜を用いることができる。

（１０）上記した各実施形態では、動作モードがＦＦＳモードとされた液晶パネルについて例示したが、それ以外にもＩＰＳ（In-Plane Switching）モードまたはＶＡ（Vertical Alignment：垂直配向）モードなどの他の動作モードとされた液晶パネルについても本発明は適用可能である。

（１１）上記した各実施形態では、第１金属膜及び第２金属膜がチタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成される場合を示したが、例えばチタンに代えてモリブデン（Ｍｏ）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン−チタン合金（ＭｏＴｉ）、モリブデン−タングステン合金（ＭｏＷ）などを用いることも可能である。それ以外にも、チタン、銅、アルミニウムなどの単層の金属膜を用いることも可能である。

（１２）上記した各実施形態以外にも、第１短絡配線部、第２短絡配線部、共通配線などの具体的な平面形状や配索経路などは適宜に変更可能である。また、各ダイオードのＸ軸方向及びＹ軸方向についての配置、各ダイオードが有する各電極部の配置、各ダイオードが有する各半導体部の幅寸法や長さ寸法なども適宜に変更可能である。また、コンタクト部における接続箇所の配置や数なども適宜に変更可能である。

（１３）上記した各実施形態では、ドライバをアレイ基板上に直接ＣＯＧ実装したものを示したが、アレイ基板に対してＡＣＦを介して接続したフレキシブル基板上にドライバを実装するようにしたものも本発明に含まれる。

（１４）上記した各実施形態では、アレイ基板の非表示部に列制御回路部及び行制御回路部を設けるようにした場合を示したが、列制御回路部及び行制御回路部を省略し、その機能をドライバに担わせることも可能である。

（１５）上記した各実施形態では、縦長な方形状をなす液晶パネルを例示したが、横長な方形状をなす液晶パネルや正方形状をなす液晶パネルにも本発明は適用可能である。

（１６）上記した各実施形態に記載した液晶パネルに対して、タッチパネルや視差バリアパネル（スイッチ液晶パネル）などの機能性パネルを積層する形で取り付けるようにしたものも本発明に含まれる。

（１７）上記した各実施形態では、液晶表示装置が備えるバックライト装置としてエッジライト型のものを例示したが、直下型のバックライト装置を用いるようにしたものも本発明に含まれる。

（１８）上記した各実施形態では、外部光源であるバックライト装置を備えた透過型の液晶表示装置を例示したが、本発明は、外光を利用して表示を行う反射型液晶表示装置にも適用可能であり、その場合はバックライト装置を省略することができる。

（１９）上記した各実施形態では、液晶表示装置のスイッチング素子としてＴＦＴを用いたが、ＴＦＴ以外のスイッチング素子（例えば薄膜ダイオード（ＴＦＤ））を用いた液晶表示装置にも適用可能であり、またカラー表示する液晶表示装置以外にも、白黒表示する液晶表示装置にも適用可能である。

（２０）上記した各実施形態では、表示パネルとして液晶パネルを用いた液晶表示装置を例示したが、他の種類の表示パネル（ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や有機ＥＬパネルなど）を用いた表示装置にも本発明は適用可能である。その場合、バックライト装置を省略することが可能である。

（２１）上記した各実施形態では、小型または中小型に分類され、携帯型情報端末、携帯電話、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、電子インクペーパなどの各種電子機器などに用いされる液晶パネルを例示したが、画面サイズが例えば２０インチ〜９０インチで、中型または大型（超大型）に分類される液晶パネルにも本発明は適用可能である。その場合、液晶パネルをテレビ受信装置、電子看板（デジタルサイネージ）、電子黒板などの電子機器に用いることが可能とされる。

１１…液晶パネル（表示装置）、１１ａ…ＣＦ基板（対向基板）、１１ｂ，３１１ｂ…アレイ基板（半導体装置）、１１ｃ…液晶層、１７…ＴＦＴ（スイッチング素子）、１９…ゲート配線（信号配線部）、２５，２２５…共通配線（静電気逃がし配線部）、２９，１２９，２２９，…第１ダイオード（半導体機能部）、２９ａ，２２９ａ…一方の第１電極部（一方の電極部）、２９ｂ，１２９ｂ，２２９ｂ…他方の第１電極部（他方の電極部）、２９ｃ，２２９ｃ…第１保護部（保護部）、２９ｃ１，２９ｃ２，２２９ｃ１，２２９ｃ２…第１ダイオード側開口部（半導体機能部側開口部）、２９ｄ，１２９ｄ…第１半導体部（半導体部）、２９ｅ，１２９ｅ…ゲート電極部（ゲート電極部）、３０，１３０，２３０，…第２ダイオード（第２の半導体機能部）、３０ａ，１３０ａ，２３０ａ…一方の第２電極部（一方の第２の電極部）、３０ｂ，２３０ｂ…他方の第２電極部（他方の第２の電極部）、３０ｃ，２３０ｃ…第２保護部（第２の保護部）、３０ｃ１，３０ｃ２，２３０ｃ１，２３０ｃ２…第２ダイオード側開口部（半導体機能部側開口部）、３０ｄ，１３０ｄ…第２半導体部（第２の半導体部）、３０ｅ，１３０ｅ…第２ゲート電極部（第２のゲート電極部）、３１，１３１，２３１…第１短絡配線部（半導体機能部側配線部）、３２，２３２…コンタクト部、３３，４３３…第２短絡配線部（第２の半導体機能部側配線部）、３４…第１金属膜、３５…ゲート絶縁膜（絶縁膜）、３６…半導体膜、３７…保護膜、３８…第２金属膜、４３…第１ゲート電極部側絶縁部（ゲート電極部側絶縁部）、４３ａ，１４３ａ…第１ゲート電極部側開口部（ゲート電極部側開口部）、４５…第２ゲート電極部側絶縁部（第２のゲート電極部側絶縁部）、４５ａ…第２ゲート電極部側開口部（第２のゲート電極部側開口部）、４６，１４６…共通配線側接続部（静電気逃がし配線側接続部）、４７…第２短絡配線側絶縁部（第２の半導体機能部接続配線部側絶縁部）、４７ａ…第２短絡配線側開口部（第２の半導体機能部接続配線部側開口部）、４８，２４８…ゲート配線側接続部（信号配線側接続部）、４９…コンタクト部側絶縁部、４９ａ，２４９ａ…コンタクト部側開口部、５０，２５０…ダイオード側接続部（半導体機能部側接続部）、５１，２５１，３５１，５５１…静電気保護部、５２，２５２，３５２，４５２…静電気誘引部、５２ａ，５２ｃ，５２ｄ，４５２ｃ，４５２ｄ…外縁部、５３，２５３，４５３，５５３…第２の静電気誘引部、５４ａ，５４ｂ，５５ａ，４５４ａ，４５４ｂ…外縁部、５６…突出型静電気誘引部、５７…第１ゲート非重畳型静電気誘引部（ゲート非重畳型静電気誘引部）、５７ｂ…外縁部、１２９ｂ１…外縁部、ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…交差位置、ＣＰＴ…交差部位、ＧＳ…ガラス基板（基板）

Claims (4)

1. 基板と、
   前記基板上に形成される第１金属膜と、
   少なくとも前記第１金属膜上に形成される絶縁膜と、
   前記絶縁膜上に形成される半導体膜と、
   少なくとも前記半導体膜上に形成されて前記半導体膜を保護する保護膜と、
   前記保護膜上に形成される第２金属膜と、
   前記第２金属膜からなる２つの電極部と、前記保護膜からなり２つの前記電極部と重畳する位置にそれぞれ貫通して形成された２つの半導体機能部側開口部を有する保護部と、前記半導体膜からなり２つの前記半導体機能部側開口部を通して２つの前記電極部にそれぞれ接続されるとともに平面に視て前記電極部の外縁部に対して交差する外縁部を有する半導体部とを少なくとも有する半導体機能部と、
   前記第１金属膜からなり平面に視て前記半導体機能部に対して隣り合う位置に配され前記基板の板面に沿い且つ２つの前記電極部の並び方向と交差する方向に沿って延在するとともに静電気を逃がすことが可能な静電気逃がし配線部と、
   前記第２金属膜からなり２つの前記電極部のうちの一方に連なるとともに前記基板の板面に沿い且つ２つの前記電極部の並び方向に沿って延在することで前記静電気逃がし配線部と交差する半導体機能部接続配線部と、
   前記第２金属膜または前記半導体膜からなり平面に視て前記静電気逃がし配線部に対して少なくとも一部が重畳し且つ前記静電気逃がし配線部と前記半導体機能部接続配線部との交差部位よりも相対的に前記半導体機能部の近くに配されるとともに静電気を誘引するための静電気誘引部を少なくとも有する静電気保護部と、が備えられる半導体装置。
2. 前記半導体膜は、酸化物半導体からなる請求項１記載の半導体装置。
3. 前記酸化物半導体は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含む請求項２記載の半導体装置。
4. 前記静電気誘引部は、前記半導体膜からなる請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。

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