KR102655483B1 - 터치잡음을 감소시킬 수 있는 터치방식 표시장치 - Google Patents

터치잡음을 감소시킬 수 있는 터치방식 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102655483B1
KR102655483B1 KR1020180154484A KR20180154484A KR102655483B1 KR 102655483 B1 KR102655483 B1 KR 102655483B1 KR 1020180154484 A KR1020180154484 A KR 1020180154484A KR 20180154484 A KR20180154484 A KR 20180154484A KR 102655483 B1 KR102655483 B1 KR 102655483B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
touch
area
electrode
display device
vss
Prior art date
Application number
KR1020180154484A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200067523A (ko
Inventor
이민호
오창석
배연경
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180154484A priority Critical patent/KR102655483B1/ko
Publication of KR20200067523A publication Critical patent/KR20200067523A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102655483B1 publication Critical patent/KR102655483B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/0418—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers for error correction or compensation, e.g. based on parallax, calibration or alignment
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 커플링용량에 의한 터치검출신호의 잡음을 감소할 수 있는 표시장치에 관한 것으로, 표시영역 및 외곽영역을 포함하는 표시패널과 터치영역 및 외곽영역을 포함하는 터치패널; 상기 표시패널의 외곽영역에 형성된 GIP(Gate In Panel)회로부; 상기 표시패널의 외곽영역에 상기 GIP회로부와 적어도 1층의 절연층을 사이에 두고 오버랩되는 Vss전극; 및 상기 터치패널의 외곽영역에 배치된 터치검출배선으로 구성되며, 상기 Vss전극은 적어도 일부가 적어도 하나의 배선으로 이루어진다.

Description

터치잡음을 감소시킬 수 있는 터치방식 표시장치{DISPLAY DEVICE INCLUDING TOUCH PANEL FOR DECREASING TOUCH NOISE}
본 발명은 터치방식 표시장치에 관한 것으로, 특히 표시패널과 터치패널에 발생하는 커플링용량을 최소화함으로써 터치잡음을 감소시킬 수 있는 터치방식 표시장치에 관한 것이다.
근래 사회가 본격적인 정보화시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리하고 표시하는 표시장치(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 최근에는 특히 경량화, 박형화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD), 유기전계발광 표시장치, PDP(Plasma Display Panel), 전기영동 표시장치(electrophoretic display device) 등과 같은 평판표시장치가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube)을 대체하고 있다.
또한, 최근에는 글씨나 그림을 보다 편하고 정교하게 입력할 수 있는 장점을 갖는 터치패널(touch panel)이 스마트폰이나 태블릿PC 등의 정보처리 장치에 많이 사용되고 있는데, 최근에는 상기 표시장치에 상기 터치패널을 구비한 표시장치가 제공되고 있다.
그러나, 이러한 터치패널을 구비한 표시장치에서는 다음과 같은 문제가 있다.
터치패널에서는 표시영역에 매트릭스 형태로 배치된 터치블럭이 정의되고, 터치블럭 단위로 터치전극이 배치되며, 각 터치전극에는 센싱배선이 연결된다.
상기 센싱배선은 터치패널의 외곽영역에 형성되므로, 이러한 센싱배선이 표시장치의 외곽영역에 형성되는 각종신호배선, 전원신호선, GIP회로부 등과 오버랩되어 커플링용량(coupling capacitance)을 형성되어 용량성 부하(capacitive load)가 발생되므로, 이러한 용량성 부하에 의해 터치구동신호에 RC 지연(delay)이 유발되고, 이에 따라 터치 감도가 저하되어 터치 성능이 저하되는 문제가 발생하게 된다.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 표시패널에 캐소드전압을 인가하는 Vss전극의 적어도 일부를 설정된 폭의 배선으로 형성하여, 상기 Vss전극과 GIP배선 및 터치검출배선과의 오버랩영역을 최소화하여 터치검출신호의 잡음을 최소화할 수 있는 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 표시장치는 표시영역 및 외곽영역을 포함하는 표시패널과 터치영역 및 외곽영역을 포함하는 터치패널; 상기 표시패널의 외곽영역에 형성된 GIP(Gate In Panel)회로부; 상기 표시패널의 외곽영역에 상기 GIP회로부와 적어도 1층의 절연층을 사이에 두고 오버랩되는 Vss전극; 및 상기 터치패널의 외곽영역에 배치된 터치검출배선으로 구성되며, 상기 Vss전극은 적어도 일부가 적어도 하나의 배선으로 이루어진다.
이때, 상기 Vss전극은 적어도 하나의 더미금속층으로 이루어진 제1영역과 배선으로 이루어진 제2영역을 포함할 수 있으며, Vss전극은 수평방향에서 일정 각도로 기울어진 적어도 하나의 배선을 포함한다.
상기 GIP회로부는 적어도 하나의 트랜지스터과, 상기 트랜지스터의 입출력배선 및 GIP배선을 포함하며, 상기 Vss전극은 상기 입출력배선 및 상기 GIP배선중 직류전압을 인가하는 배선과 중첩되도록 배치된다.
상기 표시패널은 제1기판 및 제2기판과, 상기 제1기판 및 상기 제2기판 사이에 배치되는 영상구현부로 구성되며, 상기 터치검출배선은 상기 제2기판의 영상구현부가 배치되는 면의 반대면에 배치된다. 이때, 상기 터치검출배선은 GIP회로부와는 상기 제1기판의 표면방향으로 설정 거리 이격되어 배치된다.
본 발명에서는 Vss전극이 외곽영역의 Vss영역 및 GIP영역 전체영역에 걸쳐 하나의 금속층으로 형성되는 것이 아니라, 설정된 폭을 가진 복수의 배선으로 형성되므로, Vss전극이 외곽영역 전체에 더미형상으로 형성되는 경우에 비해 그 면적이 대폭 감소하게 된다. 따라서, 상기 GIP배선이 Vss전극의 일부 영역과 오버랩되며, 상기 터치검출배선이 Vss전극의 일부 영역과 오버랩되므로, 오버랩 면적의 감소에 의해 커플링용량을 감소시킬 수 있게 되어 터치검출신호의 잡음이 감소하게 된다. 그 결과 RC지연의 발생을 감소하고 터치성능이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다.
또한, 본 발명에서는 제2기판에 형성되는 터치검출배선이 GIP회로부와는 일정 거리 이격되어 배치된다. 따라서, 터치검출배선과 GIP회로부 사이의 커플링용량 및 터치검출배선과 Vss전극 사이의 커플링용량을 감소시킬 수 있게 되므로, 터치검출신호에 발생하는 잡음을 더욱 효과적으로 감소시킬 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치를 개념적으로 나타내는 도면.
도 2는 본 발명에 따른 표시장치의 외곽부의 구조를 구체적으로 나타내는 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 표시장치의 외곽부의 구조를 구체적으로 나타내는 단면도.
도 4는 일반적인 구조의 외곽부의 구조를 나타내는 평면도.
도 5a 및 도 5b는 각각 일반적인 구조의 표시장치와 본 발명에 따른 표시장치의 터치검출신호의 잡음의 세기를 나타내는 그래프.
도 6a-도 6c는 본 발명에 따른 표시장치의 Vss전극의 다른 형상을 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 외곽부의 구조를 구체적으로 나타내는 평면도.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치(100)를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치(100)는 표시영역(AA)과 상기 표시영역(AA)의 외곽에 형성된 외곽영역(NA)을 포함하는 표시패널(110)과, 상기 표시패널(110) 상부에 배치되고 터치영역(TA)과 외곽영역(NA)을 포함하는 터치패널(150)과, 상기 표시패널(110)을 구동하는 구동IC(DIC)를 포함한다.
도면에는 도시하지 않았지만, 상기 표시패널(110)은 복수의 게이트라인과 데이터라인에 의해 정의되는 복수의 화소영역이 형성되며, 각각의 화소영역에는 스위칭소자인 박막트랜지스터가 배치된다. 또한, 각각의 화소영역에는 영상구현부가 형성되어 박막트랜지스터를 통해 외부로부터 입력되는 화상신호에 의해 실제 영상을 구현한다.
상기 표시패널(110)이 유기전계발광 표시패널인 경우 상기 영상구현부는 유기발광층이며, 상기 표시패널(110)이 액정표시패널인 경우 상기 영상구현부는 액정층이다. 또한, 상기 표시패널(110)이 전기영동 표시패널인 경우 상기 영상구현부는 전기영동층이다. 이와 같이, 본 발명의 표시패널(110)은 특정 종류의 표시패널에 한정되는 것이 아니라 다양한 표시패널에 적용될 수 있을 것이다.
표시패널(110)의 외곽영역(NA)에는 복수의 FPC(Flexible Printed Circuit;142)이 부착되며, 각각의 FPC(142)에는 데이터구동부(DIC)가 실장되어 타이밍제어부(도면표시하지 않음)으로부터 입력되는 데이터제어신호에 따라 기준감마전압을 이용하여 상기 타이밍제어부로부터 입력되는 화소데이터를 아날로그형태의 데이터전압으로 변환하고, 변환된 데이터전압을 해당 화소의 데이터라인을 통해 표시영역(AA)으로 공급한다.
또한, 표시패널(110)의 외곽영역(NA)에는 GIP(Gate In Panel)회로부(160)가 형성된다. 상기 GIP회로부(160)는 쉬프트레지스터(shift resist)를 포함하는 복수의 스테이지(stage)부로 구성되며, 상기 스테이지부는 게이트구동신호를 출력하는 풀-업 트랜지스터(Q1)와 풀-다운 트랜지스터(Q2), 상기 풀-업 트랜지스터와 풀-다운 트랜지스터에 각종 신호를 입력하고 출력하는 GIP배선으로 구성된다.
도면에는 도시하지 않았지만, 상기 GIP회로부(160)의 복수의 쉬프트레지스터 각각은 표시패널(110)의 게이트라인을 통해 게이트신호를 출력하여 박막트랜지스터에 인가한다.
한편, 상기 데이터구동부(DIC)는 GIP회로부(160)와 연결되어, 상기 GIP회로부(160)에 GIP회로부(160)를 구동하기 위한 구동신호를 인가한다. 예를 들어, 이러한 구동신호로는 게이트스타트신호(Vst)와 서로 다른 위상을 가진 다수의 클럭신호(CLK) 등을 포함할 수 있다. 이때, 상기 데이터구동부(DIC)로부터 출력되는 각종 신호는 외곽영역(NA)에 형성된 신호배선(LL1,LL2)을 통해 GIP회로부(160)로 전달된다.
여기서, 게이트스타트신호(Vst)를 전달하는 제1신호배선(LL1)은 GIP회로(160)의 첫번째 스테이지와 연결되도록 구성될 수 있다. 또한, 클럭신호(CLK)를 전달하는 다수의 제2신호배선(LL2)은 GIP회로(160)의 길이방향을 따라 연장되어 대응되는 스테이지와 연결될 수 있다.
상기 표시패널(110)의 상부에는 터치패널(150)이 배치된다. 도면에서는 설명의 편의를 위해 상기 터치패널(150)이 표시패널(110)과 동일한 면적으로 도시되어 있지만, 상기 터치패널(150)은 표시패널(110) 보다 작은 면적으로 형성될 수도 있고 큰 면적으로 형성될 수도 있다.
또한, 상기 터치패널(150)에는 실제 표시장치(100)의 화면으로의 접촉을 검출하는 터치영역(TA)이 형성된다. 도면에서는 상기 터치영역(TA)이 표시패널(110)의 표시영역(AA) 보다 작은 면적으로 형성되지만, 실제로는 상기 터치패널(150)의 터치영역(TA)이 표시패널(110)의 표시영역(AA)과 거의 동일한 면적으로 형성될 것이다.
상기 터치패널(150)의 터치영역(TA)의 외곽에도 외곽영역(NA)이 형성되며, 이 외곽영역(N)은 표시패널(110)의 외곽영역(NA)이 동일한 면적으로 형성될 수 있다. 도면에서는 설명의 편의를 위해, 표시패널(110)의 외곽영역과 터치패널(150)의 외곽영역을 동일한 기호인 'NA'로 표시하였다.
도면에는 도시하지 않았지만, 상기 터치패널(150)의 터치영역(TA)에는 복수의 터치블록(touch block)이 배치되어 화면에 접촉되는 터치를 터치블록 단위로 감지한다. 이때, 터치블록은 터치영역(TA)내에 매트릭스형상으로 복수개 배치될 수 있다. 하나의 터치블록은 화면상에 접촉되는 하나의 터치영역을 정의하므로, 표시패널(110)의 표시영역(AA)에는 복수의 터치영역이 형성된다.
각각의 터치블록은 표시패널(110)의 복수의 화소에 대응한다. 다시 말해서, 복수의 화소를 포함하는 일군의 화소가 하나의 터치영역에 대응하므로, 이 일군의 영역에 포함된 화소들 각각에 접촉되는 터치는 동일한 터치신호로서 감지된다.
도면에는 도시하지 않았지만, 상기 터치패널(150)의 터치블록에는 터치전극이 형성되며, 터치패널(150)의 외곽영역(NA)에는 상기 터치영역(TA)으로 터치구동신호를 인가하는 터치구동배선(TL)과 터치를 검출하는 검출신호를 출력하는 터치검출배선(RL)과 같은 센싱배선이 형성된다. 또한, 상기 터치패널(150)의 외곽영역(NA)에는 터치구동배선(TL)과 터치검출배선(RL)을 통해 터치패널(150)의 터치영역(TA)과 접속되는 터치구동부(144)가 구비되어, 상기 터치영역(TA)에 구동신호를 인가함과 동시에 상기 터치영역(150)에서 검출된 검출신호가 입력되어 표시장치(100)의 화면에 접촉하는 터치를 인식한다.
이와 같이, 본 발명에 따른 표시장치(100)에서는 표시패널(110)의 표시영역(AA)에 신호를 인가하는 각종 배선 및 GIP회로부(160) 등이 표시패널(110)의 외곽영역(NA)에 형성되며, 터치패널(150)의 터치영역(TA)에 구동신호를 인가하고 터치패널(150)의 터치검출신호를 출력하는 각종 터치배선이 외곽영역(NA)에 형성된다. 따라서, 상기 표시패널(110)의 외곽영역(NA)에 형성되는 각종 신호배선 및 GIP 회로부(160)와 터치패널(150)의 외곽영역(NA)에 형성되는 터치배선 사이에 커플링용량이 형성된다. 이러한 용량성 부하가 잡음으로 작용하여 터치감도를 저하시키고 터치성능을 저하시킨다.
본 발명에서는 커플링용량에 의한 용량성 부하의 발생을 최소화하기 위해, 표시패널(110)과 터치패널(150)의 외곽영역에서 신호배선들과 터치배선들의 오버랩면적을 최소화한다.
도 2는 본 발명에 따른 표시장치의 외곽영역(NA)을 구체적으로 나타내는 도면이고 도 3은 도 2의 단면도이다. 이때, 도면에서는 유기전계발광 표시장치를 예를 들어 설명하지만, 본 발명이 유기전계발광 표시장치에 한정되는 것이 아니라 액정표시장치나 전기영동 표시장치에도 적용될 수 있을 것이다. 또한, 도 2에서는 혼선을 피하기 위해 터치패널의 구성은 생략하였다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 표시장치(100)의 표시패널(110)은 표시영역(AA) 및 그 외곽에 배치된 외곽영역(NA)으로 구성된다. 이때, 상기 외곽영역(NA)은 GIP회로부(160)가 배치된 GIP영역과 Vss전극(137)이 배치된 Vss영역을 포함할 수 있다.
상기 표시패널(110)의 표시영역(AA)의 제1기판(111) 위에는 버퍼층(122)이 형성되며, 상기 버퍼층(122) 위에 박막트랜지스터가 배치된다.
상기 제1기판(111)으로는 유리와 같이 단단한 투명물질을 사용할 수도 있고 폴리이미드(polyimide)와 같이 투명하고 플렉서블(flexible)한 플라스틱물질을 사용할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 버퍼층(122)은 무기층으로 이루어진 단일층 또는 무기층과 유기층으로 이루어진 복수의 층으로 구성될 수 있다. 이때, 무기층으로는 SiOx나 SiNx와 같은 무기물을 사용할 수 있고 유기층으로는 포토아크릴과 같은 유기물을 사용할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 박막트랜지스터는 표시영역(AA)에 형성된 복수의 화소영역 각각에 배치된다. 상기 박막트랜지스터는 상기 버퍼층(122) 위에 형성된 반도체층(112)과, 상기 반도체층(112)이 형성된 제1기판(111) 전체에 걸쳐 형성된 게이트절연층(124)과, 상기 게이트절연층(124) 위에 형성된 게이트전극(114)과, 상기 게이트전극(114)을 덮도록 제1기판(111) 전체에 걸쳐 형성된 층간절연층(126)과, 상기 층간절연층(126)에 형성된 컨택홀을 통해 각각 반도체층(112)과 접촉하는 소스전극(116) 및 드레인전극(117)으로 구성된다.
상기 반도체층(112)은 결정질 실리콘 또는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)와 같은 산화물반도체로 형성할 수 있으며, 이때 상기 산화물반도체층은 중앙영역의 채널층과 양측면의 도핑층으로 이루어져 소스전극(116) 및 드레인전극(117)이 상기 도핑층과 접촉한다. 또한, 상기 반도체층(112)은 비정질실리콘(amorphous silicon) 또는 유기반도체물질로 구성될 수도 있다.
상기 게이트전극(114)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등과 같은 금속으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, 게이트절연층(124)은 SiOx나 SiNx와 같은 무기물로 이루어진 단일층 또는 SiOx과 SiNx의 2층 구조의 무기층으로 이루어질 수 있다. 또한, 층간절연층(126)은 SiOx과 SiNx와 같은 무기물로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 소스전극(116) 및 드레인전극(117)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금으로 구성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 도면 및 상술한 설명에서는 박막트랜지스터가 특정 구조로 구성되지만, 본 발명의 박막트랜지스터가 도시된 구조에 한정되는 것이 아니라, 현재 알려진 모든 구조의 박막트랜지스터가 적용될 수 있다.
상기 박막트랜지스터가 형성된 제1기판(111) 전체에 걸쳐 보호층(127)이 형성되고 상기 보호층(127) 위에 평탄화층(128)이 형성된다.
상기 보호층(127)은 무기물로 이루어진 단일층, 무기물과 유기물로 이루어진 복수의 층으로 구성될 수 있으며, 평탄화층(128)은 포토아크릴과 같은 유기물로 구성되지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 평탄화층(128) 위에는 유기발광소자(E)가 형성되어 상기 보호층(127) 및 평탄화층(128)에 형성된 컨택홀을 통해 박막트랜지스터의 드레인전극(117)과 전기적으로 접속된다.
상기 유기발광소자(E)는 컨택홀을 통해 박막트랜지스터의 드레인전극(117)과 접속되는 제1전극(132)과, 상기 제1전극(132) 위에 형성된 유기발광층(134)과, 상기 유기발광층(134) 위에 형성된 제2전극(136)으로 구성된다.
상기 제1전극(132)은 Ca, Ba, Mg, Al, Ag 등과 같은 금속이나 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 이루어져 박막트랜지스터의 드레인전극(117)과 접속되어 외부로부터 화상신호가 인가된다. 이때, 상기 제1전극(132)은 반사막으로 작용하여, 유기발광층(134)에서 발광된 광을 상부방향(즉, 제1기판(111)의 반대방향)으로 반사할 수 있다. 또한, 상기 제1전극(132)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 금속산화물로 구성될 수도 있다.
상기 제2전극(136)은 ITO나 IZO와 같은 투명한 금속산화물로 구성되지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 제2전극(136)은 Ca, Ba, Mg, Al, Ag 등과 같은 금속이나 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있다. 이때, 상기 제2전극(136)은 반사막으로 작용하여, 유기발광층(154)에서 발광된 광을 하부방향(즉, 제1기판(111)의 방향)으로 반사할 수 있다.
본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치가 유기발광층(134)에서 발광된 광이 하부방향, 즉 제1기판(111)측으로 출력되는 하부발광 표시장치인 경우 상기 제1전극(132)은 투명한 금속산화물로 구성되고 제2전극(136)은 광을 반사하는 금속이나 금속화합물로 구성되며, 유기전계발광 표시장치가 유기발광층(134)에서 발광된 광이 상부방향으로 출력되는 상부발광 표시장치인 경우, 상기 제1전극(132)이 반사막의 역할을 하는 금속이나 금속화합물로 구성되고 제2전극(136)이 투명한 금속산화물로 구성된다.
상기 유기발광층(134)은 R,G,B화소에 형성되어 적색광을 발광하는 R-유기발광층, 녹색광을 발광하는 G-유기발광층, 청색광을 발광하는 B-유기발광층일 수 있으며, 표시장치 전체에 걸쳐 형성되어 백색광을 발광하는 백색 유기발광층일 수 있다. 유기발광층(154)이 백색 유기발광층인 경우, R,G,B 화소의 백색 유기발광층의 상부 영역에는 R,G,B 컬러필터층이 형성되어 백색 유기발광층에서 발광되는 백색광을 적색광, 녹색광, 청색광으로 변환시킨다. 백색 유기발광층은 R,G,B의 단색광을 각각 발광하는 복수의 유기물질이 혼합되어 형성되거나 R, G, B의 단색광을 각각 발광하는 복수의 유기발광층이 적층되어 형성될 수 있다.
상기 유기발광층은 유기발광물질이 아닌 무기발광물질, 예를 들면 퀀텀닷(quantum dot) 등을 구성된 무기발광층일 수 있다.
유기발광층(134)에는 발광층뿐만 아니라 발광층에 전자 및 정공을 각각 주입하는 전자주입층 및 정공주입층과 주입된 전자 및 정공을 유기층으로 각각 수송하는 전자수송층 및 정공수송층 등이 형성될 수도 있다.
상기 평탄화층(128) 위의 화소의 경계영역에는 뱅크층(bank lyaer;130)이 형성된다. 상기 뱅크층(130)은 일종의 격벽으로서, 각 화소를 구획하여 인접하는 화소에서 각각 출력되는 다른 컬러의 광이 서로 혼합되어 출력되는 것을 방지할 수 있다.
도면에서는 상기 뱅크층(130)의 일부가 제1전극(132) 위에 형성되지만, 상기 뱅크층(130)이 평탄화층(128) 위에만 형성되고 제1전극(132)이 상기 뱅크층(130)의 측면 위로 연장되어 형성될 수도 있다. 이와 같이, 제1전극(132)을 뱅크층(130)의 측면위에 연장하는 경우, 뱅크층(130)과 평탄화층(128)의 경계의 모서리영역에도 제1전극(132)이 형성되므로, 이 영역의 유기발광층(134)에도 신호가 인가되어 모서리 영역에서도 발광이 일어나, 이 영역에서도 화상이 구현될 수 있게 된다. 따라서, 화소내의 화상이 표시되지 않는 비표시영역을 최소화할 수 있게 된다.
상기 발광소자(E)와 뱅크층(130)의 상부에는 봉지층(138)이 형성된다. 상기 봉지층(138)은 SiNx와 SiX 등의 무기층로 구성된 단층으로 구성될 수도 있지만, 무기층 및 포토아크릴, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌,폴리아릴레이트 등과 같은 유기층의 이중으로 층으로 구성될 수도 있고 무기층/유기층/무기층의 복수의 층으로 구성될 수도 있다.
상기 봉지층(138) 위에는 투명한 접착제(도면표시하지 않음)에 의해 제2기판(152)이 부착된다. 상기 접착제로는 부착력이 좋고 내열성 및 내수성이 좋은 물질이라면 어떠한 물질을 사용할 수 있지만, 본 발명에서는 에폭시계 화합물, 아크릴레이트계 화합물 또는 아크릴계 러버과 같은 열경화성 수지를 사용할 수 있다. 그리고, 상기 접착제로서 광경화성 수지 또는 열경화성수지를 사용할 수도 있으며, 이 경우 접착제에 자외선과 같은 광 또는 열을 인가함으로써 경화시킨다.
상기 제2기판(152)은 전계발광 표시장치를 봉지하기 위한 봉지캡(encapsulation cap)으로서, PS(Polystyrene)필름, PE(Polyethylene)필름, PEN(Polyethylene Naphthalate)필름 또는 PI(Polyimide)필름 등과 같은 보호필름을 사용할 수 있다.
또한, 상기 제2기판(152)의 상면에는 터치전극(154)이 형성된다. 도면에서는 상기 터치전극(154)이 한 화소영역에 형성되는 것으로 도시되어 있지만, 실제 상기 터치전극(154)은 터치블록에 형성되므로 상기 터치전극(154)은 터치블록에 대응하는 복수의 화소영역에 걸쳐 형성될 것이다. 상기 터치전극(154)은 ITO나 IZO와 같은 투명한 금속성 산화물로 구성되지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 도면에서는 터치전극(154)이 제2기판(152)이 상면, 즉 표시패널(110)의 외면에 형성되지만, 상기 터치전극(154)이 제2기판(152)의 하면, 즉 표시패널(110)의 내면에 형성될 수도 있다.
상기 제1판(111)의 외곽영역(NA)의 GIP영역에는 GIP회로부(160)가 형성된다. 이때 상기 GIP회로부(160)는 복수의 스테이지부를 포함하며, 각각의 스테이지부는 풀-업 트랜지스터와 풀-다운 트랜지스터(도면표시하지 않음)와, 상기 풀-업 트랜지스터와 풀-다운 트랜지스터의 입출력배선을 형성하는 GIP배선(118)으로 구성된다. 이때, 상기 풀-업 트랜지스터와 풀-다운 트랜지스터는 표시영역(AA) 에 형성된 박막트랜지스터와 동일한 공정에 의해 동일한 구조로 형성될 수 있다. 또한, GIP회로(160)의 GIP배선(118)은 층간절연층(126) 위에 형성되지만, 이에 한정되는 것이 아니라 게이트절연층(124) 위에 형성될 수도 있다.
상기 GIP회로부(160)의 GIP배선(118)은 게이트라인(GL)을 통해 표시영역(AA)으로 게이트신호를 인가된다.
또한, 외곽영역(NA)의 Vss영역의 층간절연층(128) 위에는 금속층(119)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 금속층(119)은 게이트스타트신호(Vst)를 전송하는 제1신호배선(LL1)과, 리셋신호(RST)를 전송하는 제2신호배선(LL2)과, 클럭신호(CLK)를 전송하는 제3전송배선(LL3)일 수 있다.
또한, 상기 외곽영역(NA)의 Vss영역에는 표시패널(110)에 캐소드전압을 인가하는 Vss전극(137)이 형성될 수 있다. 상기 Vss전극(137)은 Vss영역에서 GIP영역을 거쳐 표시패널(110)의 표시영역(AA)으로 연장되어, 외부의 전압원(도면표시하지 않음)으로부터 표시패널(110)의 제2전극(136)으로 캐소드전압(또는 공통전압)을 인가한다.
상기 Vss전극(137)은 Vss영역에서 표시패널(110)까지 설정된 폭의 배선으로 복수개 배치된다. 도면에서는 상기 Vss전극(137)이 Vss영역 및 GIP영역 전체에 걸쳐 3개만 배치되지만, 본 발명의 Vss전극(137)이 이러한 개수에 한정되는 것이 아니라 1개나 2개 또는 4개 이상의 복수개로 형성될 수 있다. 상기 Vss전극(137)은 표시패널(110)의 제2전극(136)에 캐소드전압을 인가하기 위한 것이므로, 상기 Vss전극(137)은 표시패널(110)의 제2전극(136)에 캐소드전압을 원활히 인가할 수만 있다면 어떠한 폭이나 개수로 형성될 수 있을 것이다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 제2기판(152) 상면의 Vss영역에는 터치패널의 터치검출배선(156)이 형성된다. 상기 터치검출배선(156)은 터치전극(154)에서 감지한 터치를 검출신호로 터치구동부로 출력한다.
이와 같이, 본 발명에서는 Vss전극(137)이 설정된 폭을 가진 배선형상으로 형성되므로, 표시패널(110)과 터치패널(150)의 외곽영역에서 발생하는 커플링용량을 최소화하여 용량성 부하를 최소화함으로써 터치신호의 잡음을 최소화할 수 있는데, 이를 좀더 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 일반적인 구조의 표시장치에서의 외곽영역(NA)의 구조를 나타내는 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 이 구조의 표시장치에서는 외곽영역(NA)이 GIP영역 및 Vss영역을 포함하며, GIP영역에 GIP회로부(160)가 배치되고 Vss영역에 제1신호배선(LL1)과, 제2신호배선(LL2)과, 제3전송배선(LL3)과 같은 각종 신호배선이 형성된다. 또한, Vss전극(137)은 Vss영역 및 GIP영역을 거쳐 표시영역(AA)으로 연장된다.
이때, 상기 Vss전극(137)은 Vss영역 및 GIP영역의 전체 영역에 걸쳐 더미(dummy)형상으로 구성된다. 즉, Vss전극(137)은 Vss영역 및 GIP영역의 전체 영역에 하나의 사각형상의 금속판으로 형성된다.
표시영역(AA) 내의 복수의 화소 각각에 형성된 발광소자(E)의 제1전극(132)은 애노드전극(anode electrode)로서 각각의 화소영역에만 형성되고 인접하는 화소영역의 애노드전극과는 전기적으로 단선된다. 따라서, 각각의 화소영역에 형성된 제1전극(132)에는 대응하는 화상신호가 인가된다.
한편, 제2전극(136)은 캐소드전극으로서, 인접하는 화소영역 사이에서 전기적으로 단선되는 것이 아니라 전기적으로 접속된다. 즉, 상기 캐소드전극은 표시영역(AA) 전체에 걸쳐 연속적으로 형성된 하나의 금속층으로 형성되어, 모든 화소영역에 동일한 공통전압, 즉 캐소드전압이 인가된다.
즉, 표시영역(AA) 내의 복수의 화소영역에 형성되는 제2전극(136)은 모든 화소영역 내에 일체로 형성되어 동일한 전압이 인가된다. 따라서, 상기 제2전극(136)과 전기적으로 접속되어 상기 제2전극(136)에 캐소드전압을 인가하는 Vss전극(137)도 제2전극(136)과 마찬가지로 외곽영역(NA) 전체에 걸쳐 하나의 금속층, 즉 더미형상으로 형성된다. 다시 말해서, 표시영역(AA)의 제2전극(136)과 외곽영역(NA)의 Vss전극(137)은 전체가 더미형태의 하나의 연속적인 전극층으로 형성된다.
다시 도 3을 참조하면, Vss전극(137)과 GIP배선(118)은 보호층(127)과 평탄화층(128)을 사이에 두고 배치되어 일부 영역이 오버랩된다. 따라서, Vss전극(137)과 GIP배선(118) 사이에는 제1커플링용량(CGC)이 발생한다. 또한, 제1기판(111)의 Vss전극(137)과 제2기판(152)의 터치검출배선(156)은 뱅크층(130) 및 봉지층(138)을 사이에 두고 일부분이 오버랩되어, 상기 Vss전극(137)과 터치검출배선(156) 사이에는 제2커플링용량(CRC)이 발생한다.
그리고, 제1기판(111)의 GIP배선(118)과 제2기판(152)의 터치검출배선(156)은 보호층(127), 평탄화층(128), 뱅크층(130) 및 봉지층(138)을 사이에 두고 일부분이 오버랩되어, 상기 GIP배선(118)과 터치검출배선(156) 사이에는 제3커플링용량(CGR)이 발생한다.
상기 제1커플링용량(CGC)과 제2커플링용량(CRC) 및 제3커플링용량(CGR)은 용량성 부하를 발생시키며, 상기 용량성 부하는 터침검출신호의 잡음으로 작용하여 터치검출신호에 RC지연(delay)이 발생하여 터치감도가 저하되어 터치성능이 저하되는 원인이 된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 일반적인 구조의 유기전계발광 표시장치의 경우 Vss전극(137)이 외곽영역(NA)의 Vss영역 및 GIP영역의 전체에 걸쳐 하나의 연속적인 금속층으로 형성되므로 상기 Vss전극(137) 하부에 배치되는 GIP배선(118)이 모두 Vss전극(137)과 오버랩된다. 또한, 상기 Vss전극(137) 상부에 배치되는 터치검출배선(156)이 모두 Vss전극(137)과 오버랩된다.
따라서, 대면적의 오버랩 면적에 의해 제1커플링용량(CGC)과 제2커플링용량(CRC)의 세기가 증가하여 터치검출신호의 잡음이 증가하게 된다.
반면에, 본 발명의 유기전계발광 표시장치의 경우, Vss전극(137)이 외곽영역(NA)의 Vss영역 및 GIP영역의 전체에 걸쳐 하나의 연속적인 금속층으로 형성되는 것이 아니라, 설정된 폭을 가진 복수의 배선으로 형성된다. 따라서, Vss전극(137)의 면적이 대폭 감소하게 되므로, 상기 GIP배선(118)이 Vss전극(137)의 일부 영역과 오버랩되고 상기 터치검출배선(156)이 Vss전극(137)의 일부 영역과 오버랩된다. 그 결과, Vss전극(137)과의 오버랩 면적이 감소하게 되어 제1커플링용량(CGC)과 제2커플링용량(CRC)의 감소에 따라 터치검출신호의 잡음이 감소하게 되므로, RC지연의 발생이 감소하고 터치성능이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다.
도 5a 및 도 5b는 각각 Vss전극(137)이 더미형상으로 이루어진 경우와 Vss전극(137)이 설정된 폭의 배선으로 이루어진 경우의 터치검출신호에 발생하는 잡음을 나타내는 도면이다.
도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, Vss전극(137)이 더미형상으로 이루어진 경우에는 터치검출신호의 잡음이 약 33,62mV인데 반해, Vs 전극(137)이 배선형상으로 이루어진 경우에는 터치검출신호의 잡음이 약 18.09mV이다. 따라서, 일반적인 구조의 표시장치에 비해, 본 발명에 따른 표시장치에서 잡음이 대폭 감소되므로, 일반적인 구조의 표시장치에 비해 본 발명의 표시장치의 터치성능이 훨씬 향상됨을 알 수 있다.
한편, 본 발명에서는 제2기판(150)에 형성되는 터치검출배선(156)이 외곽영역(NA)의 Vss영역에 배치된다. 상기 터치검출배선(156)은 외곽영역(NA)의 GIP영역에 배치될 수도 있지만, 본 발명과 같이 터치검출배선(156)을 Vss영역에 배치함으로써, 터치검출신호에 발생하는 잡음을 더욱 효과적으로 감소시킬 수 있게 된다.
즉, 터치검출배선(156)이 GIP영역에 형성되는 경우에 비해, 터치검출배선(156)이 Vss영역에 형성되는 경우 터치검출배선(156)과 GIP회로부(118) 사이의 거리 및 터치검출배선(156)과 Vss전극(137) 사이의 거리가 증가하게 된다. 커플링용량은 두 금속층 사이의 거리에 반비례하므로, 터치검출배선(156)을 Vss영역에 형성함으로써 제2커플링용량(CRC) 및 제3커플링용량(CGR)을 더욱 감소할 수 있게 되며, 그 결과 터치검출신호에 발생하는 잡음을 더욱 감소시킬 수 있게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 Vss전극(137)을 설정된 폭의 띠형상을 가진 배선으로 형성함으로써, Vss전극(137)과 다른 제어배선의 오버랩 면적 및 Vss전극(137)과 터치검출전극(156)과의 오버랩 면적을 최소화하여 커플링용량에 의한 터치검출신호에 잡음이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.
따라서, 본 발명에서는 일반적인 구조의 표시장치와는 달리, Vss전극이 외곽영역(NA) 전체에 걸쳐 더미형상으로만 형성되지 않으면, Vss전극과 다른 제어배선의 오버랩 및 Vss전극과 터치검출전극과의 오버랩 면적을 최소화할 수 있으므로, 상기 Vss전극을 다양한 형상으로 형성할 수 있을 것이다.
도 6a-도 6c는 본 발명에 따른 표시장치에서의 Vss전극의 다른 구조를 나타내는 도면이다.
도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 표시장치에서는 Vss전극(237)은 표시장치의 외곽영역이 일측의 영역에 걸쳐 더미형태로 형성된 제1영역(237a)과 설정된 폭을 가진 복수의 배선형상으로 형성되어 상기 제1영역(237a)과 연결되는 제2영역(237b)으로 구성된다. 이때, 더미형태의 제1영역(237a)은 제2영역(237b)의 양측에 형성될 수도 있고(도 6a) 제2영역(237b)의 일측에만 형성될 수도 있다(도 6b).
이 형상의 표시장치에서는 배선형상의 제2영역(237b)에 의해 전체가 더미형상으로 구성된 경우에 비해, 상기 Vss전극(237)과 GIP회로의 오버랩영역 및 Vss전극(237)과 터치검출전극의 오버랩영역을 감소시킬 수 있게 되므로, 커플링용량을 감소시킬 수 있게 되어 터치검출신호의 잡음을 감소시킬 수 있게 된다.
도 6c에 도시된 바와 같이, 배선형상의 Vss전극(237)은 수직방향으로 배치되는 것이 아니라 일정 각도도 배치될 수 있다. 이때, 상기 Vss전극(237)의 각도는 다양하게 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치(300)의 구조를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 이때, 이 구조의 표시장치(300)는 Vss전극(337)의 구조만을 제외하고는 도 2의 구조와 동일하므로, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하거나 간략하게 하고 다른 구성에 대해서만 구체적으로 설명한다. 따라서, 설명의 편의를 위해 표시패널이 구조만을 도시하였다. 도면에는 도시하지 않았지만, 외곽영역에는 터치검출배선이 형성된다.
도 7에 도시된 바와 같이, 표시영역(AA)의 외곽에는 외곽영역(NA)이 형성되며, 상기 외곽영역(NA)에는 GIP회로부(360)가 형성된다. 이때, 상기 GIP회로(360)는 쉬프트레지스터를 포함하는 복수의 스테이지(stage)부로 구성되며, 상기 스테이지부는 게이트구동신호를 출력하는 풀-업 트랜지스터(Q1)와 풀-다운 트랜지스터(Q2), 상기 풀-업 트랜지스터(Q1)와 풀-다운 트랜지스터(Q2)에 신호를 입출력하는 제1 및 제2GIP배선(362,363)으로 구성된다
상기 외곽영역(NA)에는 게이트스타트신호(Vst)를 전송하는 제1신호배선(LL1)과, 리셋신호(RST)를 전송하는 제2신호배선(LL2)과, 클럭신호(CLK)를 전송하는 제3전송배선(LL3)이 형성된다.
상기 외곽영역(NA)에는 설정된 폭을 가진 Vss전극(337)이 복수의 배선으로 형성되어 표시영역(AA)에 캐소드전압을 인가한다. 이때, 상기 Vss전극(337)은 외곽영역(NA)의 전체에 걸쳐, 즉 GIP회로부(260) 및 신호배선(LL1,LL2,LL3)이 형성된 영역을 가로 질러 형성되어 표시영역(AA)의 제2전극 또는 캐소드전극과 전기적으로 접속된다.
특히, 본 발명에서는 Vss전극(237)이 풀-다운 트랜지스터(Q2)의 입력배선인 제1GIP배선(362)을 따라 배치되어, 상기 Vss전극(237)이 제1GIP배선(362)과 오버랩되도록 배치되고 제2GIP배선(363)을 포함하는 다른 신호배선과는 오버랩되지 않는다.
즉, 이 실시예에서는 상기 Vss전극(337)이 교류전압이 인가되는 배선, 예를 들어 Q노드 배선 및 클럭배선 등과는 오버랩되지 않고 직류전압이 인가되는 배선과만 오버랩되도록 배치된다. Vss전극(337)이 직류전압이 인가되는 배선과 오버랩되는 경우에 비해, Vss전극(337)이 교번하는 교류전압이 인가되는 배선과 오버랩되는 경우에 커플링용량이 크게 발생한다. 따라서, 이 실시예와 같이, Vss전극(337)이 교류전압이 인가되는 배선 등과는 오버랩되지 않고 직류전압이 인가되는 배선과만 오버랩되도록 배치함으로써, 커플링용량의 증가를 최대한 억제함으로써 터치검출신호의 잡음을 더욱 감소시킬 수 있게 되어 터치성능을 향상시킬 수 있게 된다.
전술한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.
AA : 표시영역 NA : 외곽영역
TA : 터치영역 110 : 표시패널
111,152 : 기판 118 : GIP배선
137 : Vss전극 156 : 터치검출배선
160 : GIP회로부

Claims (10)

  1. 표시영역 및 외곽영역을 포함하는 표시패널;
    상기 표시패널의 외면에 형성되고 터치영역 및 외곽영역을 포함하는 터치패널;
    상기 표시패널의 외곽영역에 형성되어 게이트신호를 상기 표시패널에 인가하는 GIP(Gate In Panel)회로부;
    상기 표시패널의 외곽영역에 상기 GIP회로부와 적어도 1층의 절연층을 사이에 두고 오버랩되어 외부의 전압원으로부터 상기 표시패널에 캐소드전압을 인가하는 Vss전극;
    상기 터치패널의 터치영역에 배치된 터치전극;
    상기 터치패널의 외곽영역에 배치되어 상기 터치전극에서 검출된 터치신호를 출력하는 터치검출배선으로 구성되며,
    상기 Vss전극은 적어도 일부가 상기 외곽영역에서 상기 표시영역으로 연장되는 적어도 하나의 배선으로 이루어진 표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 Vss전극은 적어도 하나의 더미금속층으로 이루어진 제1영역과 배선으로 이루어진 제2영역을 포함하는 표시장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 Vss전극은 수평방향에서 일정 각도로 기울어진 적어도 하나의 배선을 포함하는 표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 GIP회로부는,
    적어도 하나의 트랜지스터; 및
    상기 트랜지스터의 입출력에 배치된 GIP배선을 포함하며,
    상기 Vss전극은 상기 GIP배선중 직류전압을 인가하는 배선과 중첩되도록 배치되는 배선인 표시장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 표시패널은,
    제1기판 및 제2기판; 및
    상기 제1기판 및 상기 제2기판 사이에 배치되는 영상구현부로 구성된 표시장치.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서, 상기 터치검출배선은 GIP회로부와는 상기 표시패널의 두께 방향으로 이격되어 배치되는 표시장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 영상구현부는 유기발광층, 액정층 및 전기영동층을 포함하는 표시장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 Vss전극은 직류전압인 인가되는 배선과 오버랩되고 교류전압이 인가되지 않는 배선과는 오버랩되지 않는 표시장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 GIP회로부는 풀-업 트랜지스터 및 풀-다운 트랜지스터를 포함하며, 상기 Vss전극은 상기 풀-다운 트랜지스터의 입력배선과는 오버랩되고 상기 풀-업 트랜지스터의 입력배선과는 오버랩되지 않는 표시장치.

KR1020180154484A 2018-12-04 2018-12-04 터치잡음을 감소시킬 수 있는 터치방식 표시장치 KR102655483B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180154484A KR102655483B1 (ko) 2018-12-04 2018-12-04 터치잡음을 감소시킬 수 있는 터치방식 표시장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180154484A KR102655483B1 (ko) 2018-12-04 2018-12-04 터치잡음을 감소시킬 수 있는 터치방식 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200067523A KR20200067523A (ko) 2020-06-12
KR102655483B1 true KR102655483B1 (ko) 2024-04-05

Family

ID=71088187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180154484A KR102655483B1 (ko) 2018-12-04 2018-12-04 터치잡음을 감소시킬 수 있는 터치방식 표시장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102655483B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113778267B (zh) * 2021-09-13 2024-04-16 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
KR20230102376A (ko) 2021-12-30 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101705357B1 (ko) * 2009-12-21 2017-02-10 엘지디스플레이 주식회사 정전용량 방식 터치 센서 내장형 표시장치
KR101932993B1 (ko) * 2012-04-16 2018-12-27 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102159830B1 (ko) * 2013-12-30 2020-09-24 엘지디스플레이 주식회사 표시소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200067523A (ko) 2020-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102516938B1 (ko) 표시 장치
KR102602071B1 (ko) 터치 스크린 일체형 표시장치
KR102514449B1 (ko) 표시 장치
US11422652B2 (en) Display device with integrated touch screen
KR102577155B1 (ko) 표시장치
KR102388711B1 (ko) 표시 장치
US20160132148A1 (en) Organic light-emitting diode (oled) display
KR20210085033A (ko) 폴더블 표시 장치
KR102277705B1 (ko) 표시 장치
KR20200009654A (ko) 터치 센서를 가지는 표시 장치
KR102655483B1 (ko) 터치잡음을 감소시킬 수 있는 터치방식 표시장치
US10996778B2 (en) Display apparatus with integrated touch screen and method for fabricating the same
US11768415B2 (en) Display device
KR102632118B1 (ko) 베젤이 감소된 표시장치
KR20220091214A (ko) 표시 장치
KR20170071974A (ko) 플렉서블 표시장치
KR20160042362A (ko) 유기 발광 표시 장치
US11921945B2 (en) Touch display device
TWI840925B (zh) 觸控顯示裝置
KR102670355B1 (ko) 터치 스크린 일체형 표시장치
KR20190010327A (ko) 투명 표시 장치
US20230189573A1 (en) Touch display device
US20230122308A1 (en) Touch Display Device
KR20230101185A (ko) 유기전계발광 표시장치
KR20230100485A (ko) 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant