KR102632118B1 - 베젤이 감소된 표시장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 베젤을 최소화할 수 있는 표시장치에 관한 것으로, 복수의 화소영역을 포함하는 표시영역 및 표시영역의 외곽에 배치된 더미영역을 포함하는 기판; 화소영역 각각에 형성된 제1전극 및 제2전극, 제1전극 및 제2전극 사이에 형성된 영상구현부를 포함하는 발광소자; 더미영역에 형성되어 입력되는 신호를 표시영역으로 전달하는 복수의 신호배선; 신호배선과 다른 층에 형성되고 일부가 신호배선과 오버랩되도록 연장되는 Vss컨택전극; 및 Vss컨택전극과 접속되어 표시영역의 발광소자에 Vss전압을 인가하는 Vss전극으로 구성된다.
Description
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 특히 Vss 컨택전극의 폭을 감소시킴으로써 베젤을 최소화할 수 있는 표시장치에 관한 것이다.
근래 사회가 본격적인 정보화시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리하고 표시하는 표시장치(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 최근에는 특히 경량화, 박형화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD), 유기전계발광 표시장치, PDP(Plasma Display Panel), 전기영동 표시장치(electrophoretic display device) 등과 같은 평판표시장치가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube)을 대체하고 있다.
근래, 표시영역이 아닌 영역을 최소화하여 표시장치의 전체 무게 및 크기를 감소시키고 표시장치와 외관을 미려하게 하기 위해, 표시장치의 베젤의 폭을 최소화하기 위한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 이러한 베젤을 최소화하는 방법으로는 여러가지가 있을 수 있지만, 가장 효율적인 방법은 표시장치 외곽의 더미영역의 면적을 감소시키는 방법이다.
더미영역은 실제 화상이 구현되는 영역이 아니며, 표시장치의 베젤이 위치하는 영역이다. 따라서, 이 더미영역을 감소시키면 감소된 면적만큼 베젤의 면적이 감소하므로, 더미영역의 면적을 감소시키는 것이 베젤의 면적을 감소시키는 최선의 방법이다.
그러나, 상기 더미영역에는 표시장치를 구동시키기 위한 구동소자가 실장되거나 신호배선 등과 같은 필수적인 구성들이 배치되는 영역이므로, 이들 필수 구성요소들을 제거하여 면적을 감소시키는 데에도 현실적으로 한계가 있었다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, Vss컨택전극과 신호배선을 다른 층에 형성하여 Vss컨택전극의 면적을 동일하게 유지하면서 Vss컨택전극의 폭을 감소시킴으로써 베젤의 면적을 감소시킬 수 있는 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 표시장치는 복수의 화소영역을 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역의 외곽에 배치된 더미영역을 포함하는 기판; 상기 화소영역 각각에 형성된 제1전극 및 제2전극, 상기 제1전극 및 제2전극 사이에 형성된 화상구현부를 포함하는 표시소자; 상기 더미영역에 형성된 복수의 신호배선; 상기 신호배선과 다른 층에 형성되고 일부가 상기 신호배선과 오버랩되도록 연장되는 Vss컨택전극; 및 상기 더미영역에 형성되고 상기 Vss컨택전극과 접속되어 상기 표시영역의 상기 발광소자에 Vss전압을 인가하는 Vss전극으로 구성된다.
신호배선은 상기 기판 위에 광차단층과 동일한 금속으로 구성된다. 상기 제1Vss컨택전극은 게이트절연층 위에 소스전극 및 드레인전극과 동일한 금속된다. 또한, 제2Vss컨택전극은 층간절연층 위에 형성된다.
제2Vss컨택전극은 상기 제1Vss컨택전극과 전기적으로 접촉하는 제1영역과 상기 제1영역으로부터 상기 신호배선 상부로 연장되는 제2영역을 포함하며, Vss전극은 보호층 위에 형성된다.
본 발명에서는 Vss컨택전극과 신호배선을 서로 다른 층에 형성하고, Vss컨택전극의 일부를 신호배선과 오버랩되도록 형성함으로써, Vss컨택전극의 폭을 감소시켜도 Vss전극과 Vss컨택전극 사이의 컨택면적의 감소가 발생하지 않게 된다.
따라서, Vss컨택전극과 Vss전극 사이의 컨택면적 감소에 따른 신호지연이나 발열 등이 발생하지 않고도 Vss컨택전극의 폭을 감소시킬 수 있게 되어, 표시장치의 베젤의 면적을 최소화할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 유기전계발광 표시장치의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 A 영역 확대도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치의 구조를 구체적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 비교예에 따른 일반적인 구조의 표시장치의 더미영역을 나타내는 확대도이다.
도 6은 본 발명의 비교예에 따른 일반적인 구조의 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 A 영역 확대도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치의 구조를 구체적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 비교예에 따른 일반적인 구조의 표시장치의 더미영역을 나타내는 확대도이다.
도 6은 본 발명의 비교예에 따른 일반적인 구조의 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
본 발명에서는 베젤을 최소화할 수 있는 표시장치를 제공한다. 특히, 본 발명에서는 표시장치의 더미영역의 면적을 감소시킴으로써 베젤을 최소화할 수 있게 된다. 이러한 본 발명은 특정한 표시장치에 적용되는 것이 아니라, 유기전계발광 표시장치, 액정표시장치, 전기영동 표시장치와 같은 다양한 표시장치에 적용될 수 있을 것이다.
이하에서는 표시장치로서 유기전계발광 표시장치를 예를 들어 설명하지만, 본 발명이 이러한 특정 종류의 표시장치에만 한정되는 것이 아니라 다양한 표시장치에 적용될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 회로도이다.
본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 표시영역과 더미영역으로 구성되며, 상기 표시영역에는 복수의 서브-화소(SPX) 들을 포함한다. 각각의 서브-화소(SPX)들은 유기전계발광 표시장치에서 단색을 표시한다. 예를 들어, 각 서브-화소(SPX)는 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나의 색을 표시한다. 이 경우, 적색, 녹색, 청색 및 백색의 서브-화소(SPX)가 하나의 화소로 정의 될 수 있다. 복수의 서브-화소(SPX)들은 유기전계발광 표시장치의 기판 상에 매트릭스로 배열되며, 표시영역 내의 복수의 서브-화소(SPX)들 사이에 복수의 배선들이 배치될 수 있다.
또한, 더미영역에도 상기 표시영역에 배치된 배선과 전기적으로 접속되고 유기전계발광 표시장치의 발광소자에 신호를 인가하는 각종 배선들이 배치될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 각 서브화소(SPX)는 스위칭 박막트랜지스터(T1), 구동 박막트랜지스터(T2), 스토리지 커패시터(Cst), 센싱 박막트랜지스터(T3), 보조박막트랜지스터(T4) 및 발광소자(E)를 포함한다. 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 서브화소(SPX)는 4개의 박막 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함하므로, 4T1C구조로 지칭될 수 있다. 그러나, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 서브화소(SPX)의 구조는 이에 한정되는 것은 아니며, 4개의 박막트랜지스터와 2개의 커패시터를 포함하는 4T2C구조, 5개의 박막트랜지스터와 2개의 커패시터를 포함하는 5T2C구조, 6개의 박막트랜지스터와 2개의 커패시터를 포함하는 6T2C구조, 7개의 박막트랜지스터와 2개의 커패시터를 포함하는 7T2C 등 다양한 보상구조로 형성될 수 있다.
상기 서브화소(SPX)에 포함된 4개의 박막트랜지스터는 각각 반도체층, 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극을 포함하며, P형 박막트랜지스터 또는 N형 박막트랜지스터일 수 있다. 도 1에는 설명의 편의를 위해 N형 박막트랜지스터를 도시하였다.
스위칭 박막트랜지스터(T1)는 데이터배선과 연결된 드레인전극, 제1노드(N1)에 연결된 소스전극 및 게이트배선에 연결된 게이트전극을 포함한다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(T1)는 게이트구동부로부터 게이트배선에 인가되는 게이트 전압(Vg)에 기초하여 턴-온(turn-on)되며, 데이터구동부로부터 데이터배선에 인가되는 데이터전압(Vdata)을 제1노드(N1)에 충전한다.
상기 구동 박막트랜지스터(T2)는 고전위 배선(즉, Vdd배선)과 연결된 드레인전극, 발광소자(E)의 애노드와 연결된 소스전극 및 제1노드(N1)와 연결된 게이트전극을 포함한다. 상기 구동 박막트랜지스터(T2)는 제1노드(N1) 전압이 문턱전압(threshold voltage; Vth)보다 높은 경우 턴온되고, 제1노드(N1) 전압이 문턱전압 보다 낮은 경우 턴-오프(turn-off)되며, Vdd배선으로부터 전달받은 구동전류를 발광소자(E)로 전달한다.
상기 스토리지 커패시터(Cst)는 제1노드(N1)와 연결된 전극 및 구동 박막트랜지스터(T2)의 소스전극에 연결된 전극을 포함한다. 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 발광소자(E)가 발광하는 발광시간(emission time) 동안 구동 박막트랜지스터(T2)의 게이트전극과 소스전극 사이의 전위차를 유지시킴으로써, 발광소자(E)에 일정한 구동전류가 전달되도록 한다.
상기 센싱 박막트랜지스터(T3)는 구동 박막트랜지스터(T2)의 소스전극과 연결된 드레인전극, 기준(reference)배선과 연결된 소스전극 및 센싱 게이트배선과 연결된 게이트전극을 포함한다. 센싱 박막트랜지스터(T3)는 구동 박막트랜지스터(T2)의 문턱전압을 센싱하기 위한 박막트랜지스터이다.
보조 박막트랜지스터(T4)는 발광소자(E)의 캐소드와 전기적으로 연결된 드레인전극, 기준배선과 전기적으로 연결된 소스전극 및 보조게이트배선과 전기적으로 연결된 게이트전극을 포함한다. 보조 박막트랜지스터(T4)는 발광구간에서 턴온되고, 발광소자(E)의 캐소드에 저전위전압(즉, Vss 전압)을 전달한다.
도 2는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 실제 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치(100)는 표시영역(AA)과 상기 표시영역(AA)의 외곽에 형성된 더미영역(NA)을 포함한다.
도면에는 도시하지 않았지만, 상기 표시영역(AA)은 복수의 게이트라인과 데이터라인에 의해 정의되는 복수의 서브화소가 형성되며, 각각의 서브화소에는 스위칭소자인 구동 박막트랜지스터 및 스위칭 박막트랜지스터가 배치된다. 또한, 각각의 서브화소에는 영상구현부가 형성되어 박막트랜지스터를 통해 외부로부터 입력되는 화상신호에 의해 실제 영상을 구현한다.
상기 표시장치(100)가 유기전계발광 표시장치인 경우 상기 영상구현부는 유기발광층이며, 상기 표시장치(100)가 액정표시장치인 경우 상기 영상구현부는 액정층이다. 또한, 상기 표시장치(100)가 전기영동 표시장치인 경우 상기 영상구현부는 전기영동층이다. 이와 같이, 본 발명의 표시장치(100)는 특정 종류의 표시장치에 한정되는 것이 아니라 다양한 표시장치에 적용될 수 있을 것이다.
표시장치(100)의 더미영역(NA)의 상단측에는 복수의 FPC(Flexible Printed Circuit;182)가 부착되며, 각각의 FPC(182)에는 데이터구동부(184)가 실장되어 타이밍제어부(도면표시하지 않음)으로부터 입력되는 데이터제어신호에 따라 기준감마전압을 이용하여 상기 타이밍제어부로부터 입력되는 화소데이터를 아날로그형태의 데이터전압으로 변환하고, 변환된 데이터전압을 해당 화소의 데이터라인을 통해 표시영역(AA)으로 공급한다.
도면에는 도시하지 않았지만, 상기 더미영역(NA)의 상단측에는 복수의 데이터패드가 형성되어 FPC(182)가 표시장치(100)에 부착될 때 FPC(182)의 회로배선이 상기 데이터패드와 전기적으로 접속된다. 상 FPC(182)에 실장된 데이터구동부(184)로부터 출력된 제어신호는 상기 FPC(182)에 형성된 회로배선 및 표시장치(100)의 더미영역(NA)에 형성된 패드를 통해 입력된 후 표시영역(AA)으로 전달된다.
상기 표시장치(100)의 더미영역(NA)에는 패드와 표시영역(AA)을 전기적으로 접속하는 각종 신호배선(148)이 형성되어, 상기 데이터구동부(184)로부터 출력되는 제어신호를 표시영역(AA)으로 전달한다. 상기 신호배선(148)은 고전위 전압을 인가하는 Vdd배선, 구동전압을 인가하는 Vdata배선, 기준전압을 인가하는 Vref배선일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 더미영역(NA)에는 표시영역(110)의 화소영역 각각에 배치된 발광소자(E)의 캐소드전극에 저전위의 Vss전압, 즉 캐소드전압 또는 공통전압을 인가하는 Vss전극(146)이 배치된다.
이때, 도면에서는 상기 Vss전극(146)이 설정된 폭으로 표시영역(AA)의 둘레를 따라 형성되어 있지만, 상기 Vss전극(146)은 더미영역(NA) 전체 영역에 걸쳐 형성될 수 있다.
표시영역(AA) 내의 서브화소에 형성되는 발광소자(E)의 애노드전극과 유기발광층은 서브화소 내에만 형성되어 서브화소 별로 각각 다른 신호가 인가되어 서브화소 별로 다른 컬러가 표시된다. 그러나, 캐소드전극은 서브화소 별로 형성되는 것이 아니라, 표시영역(AA) 전체에 걸쳐 일체로 형성되어 표시영역(AA) 내의 모든 서브화소에 동일한 저전위전압(즉, Vss)이 인가된다.
한편, 상기 Vss전극(146)은 표시영역(AA)의 캐소드전극과 전기적으로 접속되어 저전위의 Vss전압이 상기 Vss전극(146)을 통해 표시영역(AA) 내의 캐소드전극으로 입력된다. 따라서, Vss전극(146) 역시 캐소드전극과 마찬가지로 더미영역(NA) 전체에 걸쳐 형성되어 상기 Vss전극(146)이 캐소드전극의 외곽 전체 영역과 접속되어 표시영역(AA) 내에 Vss전압이 인가된다.
상기 더미영역(NA)에는 제2Vss컨택전극(144)이 형성되어 상기 제2Vss전극(146)과 전기적으로 접속되어 패드(도면표시하지 않음)를 통해 입력되는 Vss전압을 상기 Vss전극(146)으로 공급한다. 이후 자세히 설명되지만, 상기 제2Vss전극(146)의 하부에는 제1Vss컨택전극이 형성되어 상기 제2Vss컨택전극(144)과 전기적으로 접속된다.
상기 제2Vss컨택전극(144)은 신호배선(148) 사이에 배치된다. 특히, 상기 제2Vss컨택전극(144)의 일부가 신호배선(148) 상부로 연장되어 신호배선(148)과 오버랩된다.
도면에는 도시하지 않았지만, 상기 더미영역(NA)의 좌우측에는 게이트구동부가 배치되어 외부로부터 인가되는 게이트제어신호에 따라 게이트신호를 출력하여 표시영역(AA)의 게이트라인으로 입력한다.
상기 게이트구동부는 IC칩형태로 더미영역(NA)에 부착될 수 있다(Chip On Glass). 또한, 상기 게이트구동부는 GIP(Gate In Panel)회로부 형태로 더미영역(NA)에 직접 형성될 수 있다. 상기 GIP회로부는 쉬프트레지스터(shift resister)를 포함하는 복수의 스테이지(stage)부로 구성되며, 상기 스테이지부는 게이트구동신호를 출력하는 풀-업 트랜지스터, 풀-다운 트랜지스터, 상기 풀-업 트랜지스터와 풀-다운 트랜지스터에 각종 신호를 입력하고 출력하는 GIP배선으로 구성되어 표시영역(AA)의 게이트라인을 통해 게이트신호를 입력한다.
게이트제어신호는 더미영역(NA)의 상단측에 부착된 FPC(182)를 통해 게이트구동부로 입력될 수 있다.
도 3은 도 2의 A영역 확대도로서, 제2Vss컨택전극(144)의 형상을 구체적으로 나타내는 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치(100)의 제2Vss컨택전극(144)은 데이터구동부(182)로부터 Vdd전압, Vref전압, Vdata전압 등의 신호가 인가되는 신호배선(148) 사이에 배치된 제1영역(144a) 및 더미영역(NA)의 상단측에서 가로방향을 따라 상기 제1영역(144a)으로부터 상기 신호배선(148) 측으로 연장되는 제2영역(144b)으로 구성된다.
상기 제2Vss컨택전극(144)의 제1영역(144a)은 신호배선(148) 사이의 빈 공간에 형성된다. 도면에서는 상기 제1영역(144a)의 형상이 대략 삼각형상으로 이루어지지만, 상기 제1영역(144a)이 이러한 형상에 한정되는 것이 아니라 복수의 신호배선(148)의 배치형상에 따라 결정된다.
상기 제2Vss컨택전극(144)의 제2영역(144b)은 상기 제1영역(144a)으로부터 연장되어 복수의 신호배선(148)을 가로지르도록 배치된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제2Vss컨택전극(144)의 제2영역(144b)과 신호배선(148)은 절연층을 사이에 두고 배치된다.
상기 제2Vss컨택전극(144)의 제1영역(144a) 및 제2영역(144b)의 상부에는 컨택홀(128a)이 형성되어, 상기 제2Vss컨택전극(144)의 일부가 상기 컨택홀(128a)을 통해 외부로 노출된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 컨택홀(128a) 내부의 제2Vss컨택전극(144)의 상부에는 Vss전극(146)이 형성되어, 상기 컨택홀(128a)을 통해 상기 제2Vss컨택전극(144)이 Vss전극(146)과 전기적으로 접속된다.
상기 컨택홀(128a)은 제2Vss컨택전극(144)의 제1영역(144a) 및 제2영역(144b)에 걸쳐 형성되어 제2Vss컨택전극(144)과 Vss전극(146)의 컨택이 신호배선(148) 배선 상부에서도 이루어진다.
이와 같이, 본 발명에서는 제2Vss컨택전극(144)이 신호배선(148)과 오버랩되는 제2영역(144b)을 포함하며, Vss전극(146)과 제2Vss컨택전극(144)의 전기적 접촉이 제1영역(144a) 뿐만 아니라 제2영역(144b)에서도 이루어진다. 따라서, 제2Vss컨택전극(144)이 제1영역(144a)만으로 이루어진 경우에 비해, 상기 Vss전극(146)과 제2Vss컨택전극(144)의 컨택면적이 제2영역(144b) 만큼 증가하게 된다. 따라서, 제2Vss컨택전극(144)의 제1영역(144a)의 폭(ℓ1)을 감소시켜도 Vss전극(146)과 제2Vss컨택전극(144)의 컨택면적이 감소하지 않으므로, 제2Vss컨택전극(144)의 폭을 감소시킬 수 있게 되며, 그 결과 더미영역(NA)의 상단의 폭을 감소시킬 수 있게 되어 표시장치(100)의 베젤 면적을 감소시킬 수 있게 된다.
도 4는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치(100)의 구조를 구체적으로 나타내는 단면도로서, 이 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치(100)를 좀더 자세히 설명한다. 이때, 도면에서는 유기전계발광 표시장치를 예를 들어 설명하지만, 본 발명이 유기전계발광 표시장치에 한정되는 것이 아니라 액정표시장치나 전기영동 표시장치에도 적용될 수 있을 것이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 표시장치(100)는 표시영역(AA) 및 그 외곽에 배치된 더미영역(NA)으로 구성된다.
상기 표시영역(AA)의 제1기판(110) 위에는 광차단층(111)이 형성되며, 상기 광차단층(light shielding layer;111)이 형성된 제1기판(110) 전체에 걸쳐(즉, 표시영역(AA) 및 더미영역(NA) 전체에 걸쳐) 버퍼층(122)이 형성된다. 상기 버터층(122) 위에는 구동 박막트랜지스터가 배치된다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 표시영역(AA)에는 스위칭 박막트랜지스터와, 센싱 박막트랜지스터 및 보조박막트랜지스터 등의 박막트랜지스터가 형성될 수 있다.
상기 제1기판(110)으로는 유리와 같이 단단한 투명물질을 사용할 수도 있고 폴리이미드(polyimide)와 같이 투명하고 플렉서블(flexible)한 플라스틱물질을 사용할 수도 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
광차단층(111)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등과 같은 금속으로 형성되지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 광차단층(111)은 구동 박막트랜지스터로 입력되는 광을 차단하여, 광전효과에 의해 구동 박막트랜지스터에 오프전류(off current)가 발생하는 것을 방지한다.
상기 버퍼층(122)은 무기층으로 이루어진 단일층 또는 무기층과 유기층으로 이루어진 복수의 층으로 구성될 수 있다. 이때, 무기층으로는 SiOx나 SiNx와 같은 무기물을 사용할 수 있고 유기층으로는 포토아크릴과 같은 유기물을 사용할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 구동 박막트랜지스터는 표시영역(AA)에 형성된 복수의 화소영역 각각에 배치된다. 상기 구동 박막트랜지스터는 상기 버퍼층(122) 위에 형성된 반도체층(112)과, 상기 반도체층(112)이 형성된 제1기판(110) 전체에 걸쳐 형성된 게이트절연층(124)과, 상기 게이트절연층(124) 위에 형성된 게이트전극(114)과, 상기 게이트전극(114)을 덮도록 제1기판(110) 전체에 걸쳐 형성된 층간절연층(126)과, 상기 층간절연층(126)에 형성된 컨택홀을 통해 각각 반도체층(112)과 접촉하는 소스전극(116) 및 드레인전극(117)으로 구성된다.
상기 반도체층(112)은 결정질 실리콘 또는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)와 같은 산화물반도체로 형성할 수 있으며, 이때 상기 산화물반도체층은 중앙영역의 채널층과 양측면의 도핑층으로 이루어져 소스전극(116) 및 드레인전극(117)이 상기 도핑층과 접촉한다. 또한, 상기 반도체층(112)은 비정질실리콘(amorphous silicon) 또는 유기반도체물질로 구성될 수도 있다.
상기 게이트전극(114)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등과 같은 금속으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, 게이트절연층(124)은 SiOx나 SiNx와 같은 무기물로 이루어진 단일층 또는 SiOx과 SiNx의 2층 구조의 무기층으로 이루어질 수 있다. 도면에서는 상기 게이트절연층(124)이 제1기판(110) 전체에 걸쳐 형성되지만, 상기 게이트전극(114)의 하부에만 형성될 수도 있다. 또한, 층간절연층(126)은 SiOx과 SiNx와 같은 무기물로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 소스전극(116) 및 드레인전극(117)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금으로 구성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 도면 및 상술한 설명에서는 구동 박막트랜지스터가 특정 구조로 구성되지만, 본 발명의 구동 박막트랜지스터가 도시된 구조에 한정되는 것이 아니라, 현재 알려진 모든 구조의 박막트랜지스터가 적용될 수 있다.
상기 구동 박막트랜지스터가 형성된 제1기판(111) 전체에 걸쳐 보호층(128)이 형성된다. 상기 보호층(128)은 무기물로 이루어진 단일층, 무기물과 유기물로 이루어진 복수의 층으로 구성될 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 보호층(128) 위에는 유기물로 이루어진 평탄화층이 형성될 수도 있다.
상기 보호층(128) 위에는 유기발광소자(E)가 형성되어 상기 보호층(128)에 형성된 컨택홀을 통해 박막트랜지스터의 드레인전극(117)과 전기적으로 접속된다.
상기 유기발광소자(E)는 컨택홀을 통해 박막트랜지스터의 드레인전극(117)과 접속되는 제1전극(132)과, 상기 제1전극(132) 위에 형성된 유기발광층(134)과, 상기 유기발광층(134) 위에 형성된 제2전극(136)으로 구성된다.
상기 제1전극(132)은 Ca, Ba, Mg, Al, Ag 등과 같은 금속이나 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 이루어져 박막트랜지스터의 드레인전극(117)과 접속되어 외부로부터 화상신호가 인가된다. 이때, 상기 제1전극(132)은 반사막으로 작용하여, 유기발광층(134)에서 발광된 광을 상부방향(즉, 제1기판(111)의 반대방향)으로 반사할 수 있다. 또한, 상기 제1전극(132)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 금속산화물로 구성될 수도 있다.
상기 제2전극(136)은 ITO나 IZO와 같은 투명한 금속산화물로 구성되지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 제2전극(136)은 Ca, Ba, Mg, Al, Ag 등과 같은 금속이나 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있다. 이때, 상기 제2전극(136)은 반사막으로 작용하여, 유기발광층(154)에서 발광된 광을 하부방향(즉, 제1기판(111)의 방향)으로 반사할 수 있다.
본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치가 유기발광층(134)에서 발광된 광이 하부방향, 즉 제1기판(110)측으로 출력되는 하부발광 표시장치인 경우 상기 제1전극(132)은 투명한 금속산화물로 구성되고 제2전극(136)은 광을 반사하는 금속이나 금속화합물로 구성되며, 유기전계발광 표시장치가 유기발광층(134)에서 발광된 광이 상부방향으로 출력되는 상부발광 표시장치인 경우, 상기 제1전극(132)이 반사막의 역할을 하는 금속이나 금속화합물로 구성되고 제2전극(136)이 투명한 금속산화물로 구성된다.
상기 유기발광층(134)은 R, G, B화소에 형성되어 적색광을 발광하는 R-유기발광층, 녹색광을 발광하는 G-유기발광층, 청색광을 발광하는 B-유기발광층일 수 있으며, 표시장치 전체에 걸쳐 형성되어 백색광을 발광하는 백색 유기발광층일 수 있다. 유기발광층(134)이 백색 유기발광층인 경우, R, G, B 화소의 백색 유기발광층의 상부 영역에는 R, G, B 컬러필터층이 형성되어 백색 유기발광층에서 발광되는 백색광을 적색광, 녹색광, 청색광으로 변환시킨다. 백색 유기발광층은 R, G, B의 단색광을 각각 발광하는 복수의 유기물질이 혼합되어 형성되거나 R, G, B의 단색광을 각각 발광하는 복수의 유기발광층이 적층되어 형성될 수 있다.
상기 유기발광층은 유기발광물질이 아닌 무기발광물질, 예를 들면 퀀텀닷(quantum dot) 등을 구성된 무기발광층일 수 있다.
유기발광층(134)에는 발광층뿐만 아니라 발광층에 전자 및 정공을 각각 주입하는 전자주입층 및 정공주입층과 주입된 전자 및 정공을 유기층으로 각각 수송하는 전자수송층 및 정공수송층 등이 형성될 수도 있다.
상기 보호층(128) 위의 화소의 경계영역에는 뱅크층(bank layer;130)이 형성된다. 상기 뱅크층(130)은 일종의 격벽으로서, 각 화소를 구획하여 인접하는 화소에서 각각 출력되는 다른 컬러의 광이 서로 혼합되어 출력되는 것을 방지할 수 있다.
도면에서는 상기 뱅크층(130)의 일부가 제1전극(132) 위에 형성되지만, 상기 뱅크층(130)이 평탄화층(128) 위에만 형성되고 제1전극(132)이 상기 뱅크층(130)의 측면 위로 연장되어 형성될 수도 있다. 이와 같이, 제1전극(132)을 뱅크층(130)의 측면위에 연장하는 경우, 뱅크층(130)과 보호층(128)의 경계의 모서리영역에도 제1전극(132)이 형성되므로, 이 영역의 유기발광층(134)에도 신호가 인가되어 모서리 영역에서도 발광이 일어나, 이 영역에서도 화상이 구현될 수 있게 된다. 따라서, 화소내의 화상이 표시되지 않는 비표시영역을 최소화할 수 있게 된다.
상기 발광소자(E)와 뱅크층(130)의 상부에는 봉지층(152)이 형성된다. 상기 봉지층(152)은 SiNx와 SiX 등의 무기층로 구성된 단층으로 구성될 수도 있지만, 무기층 및 포토아크릴, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌,폴리아릴레이트 등과 같은 유기층의 이중으로 층으로 구성될 수도 있고 무기층/유기층/무기층의 복수의 층으로 구성될 수도 있다.
상기 봉지층(152) 위에는 투명한 접착제(도면표시하지 않음)에 의해 제2기판(150)이 부착된다. 상기 접착제로는 부착력이 좋고 내열성 및 내수성이 좋은 물질이라면 어떠한 물질을 사용할 수 있지만, 본 발명에서는 에폭시계 화합물, 아크릴레이트계 화합물 또는 아크릴계 러버과 같은 열경화성 수지를 사용할 수 있다. 그리고, 상기 접착제로서 광경화성 수지 또는 열경화성수지를 사용할 수도 있으며, 이 경우 접착제에 자외선과 같은 광 또는 열을 인가함으로써 경화시킨다.
상기 제2기판(150)은 전계발광 표시장치를 봉지하기 위한 봉지캡(encapsulation cap)으로서, PS(Polystyrene)필름, PE(Polyethylene)필름, PEN(Polyethylene Naphthalate)필름 또는 PI(Polyimide)필름 등과 같은 보호필름을 사용할 수 있다.
한편, 상기 더미영역(NA)의 제1기판(110)에는 복수의 신호배선(148)이 배치된다. 상기 복수의 신호배선(148)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등과 같은 금속으로 구성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 상기 신호배선(148)은 표시영역(AA)에 형성된 광차단층(111)과 동일한 층(즉, 제1기판) 위에 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있지만, 다른 물질로 다른 공정에 의해 형성될 수도 있다.
더미영역(Na)의 게이트절연층(124) 위에는 제1Vss컨택전극(142)이 형성된다. 상기 제1Vss컨택전극(142)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등과 같은 금속으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 상기 제1Vss컨택전극(142)은 구동 박막트랜지스터의 게이트전극(114)과 동일 층위에 동일한 금속으로 동시에 형성될 수 있지만, 다른 금속으로 다른 공정에 의해 형성될 수도 있다.
이때, 상기 제1Vss컨택전극(142)은 신호배선(148)과는 버퍼층(122) 및 게이트절연층(124)을 사이에 두고 배치되며(게이트절연층(124)이 게이트전극(114) 하부에만 배치되는 경우에는 버퍼층(122)만을 사이에 두고 배치됨), b1의 간격을 두고 서로 이격되어 배치된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 제1Vss컨택전극(142)이 더미영역(NA)의 상단에 형성된 Vss패드를 통해 외부와 전기적으로 접속되어 외부로부터 저전위전압이 인가된다.
상기 더미영역(NA)의 층간절연층(126) 위에는 제2Vss컨택전극(144)이 형성된다. 이때, 상기 제2Vss컨택전극(144)은 박막트랜지스터의 소스전극(116) 및 드레인전극(117)과 동일층 위에 동일한 금속으로 동일 공정에서 형성될 수 있지만, 다른 금속으로 다른 공정에 의해 형성될 수도 있다. 상기 제2Vss컨택전극(144)은 층간절연층(126)에 형성된 제1컨택홀(126a)을 통해 제1Vss컨택전극(142)과 전기적으로 접속된다.
상기 제2Vss컨택전극(144)은 제1영역(144a) 및 제2영역(144b)을 포함한다. 상기 제1영역(144a)은 제1컨택홀(126a) 내부에 형성되어 제1Vss컨택전극(142)과 전기적으로 접속되고, 제2영역(144b)은 층간절연층(126) 위에 배치되어 신호배선(148)의 상부측으로 연장되어, 상기 신호배선(148)과 오버랩된다.
이때, 제2Vss컨택전극(144)의 제1영역(144a)은 신호배선(148)과 설정된 이격거리(b1)를 두고 배치되며, 제2Vss컨택전극(144)의 제2영역(144b)은 버퍼층(122), 게이트절연층(124) 및 층간절연층(126)(또는 버퍼층(122) 및 층간절연층(126))을 사이에 두고 상기 복수의 신호배선(148)과 오버랩된다.
상기 보호층(128) 위에는 더미영역(NA) 전체에 걸쳐 Vss전극(146)이 형성된다. 이때, 상기 Vss전극(146)은 발광소자(E)의 제1전극(132)과 동일 층 위에 동일한 물질로 동일한 공정에 의해 형성될 수 있지만, 다른 금속으로 다른 공정에 의해 형성될 수도 있다. 즉, 상기 Vss전극(146)은 ITO나 IZO와 같은 투명한 금속산화물로 구성될 수도 있고 Ca, Ba, Mg, Al, Ag 등과 같은 금속이나 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수도 있다.
상기 Vss전극(146)은 일측이 보호층(128)에 형성된 제2컨택홀(128a)의 내부로 연장되어 제2Vss컨택전극(144)과 전기적으로 접속되며, 타측이 표시영역(AA)으로 연장되어 발광소자(E)의 제2전극(136)과 전기적으로 접속된다. 따라서, 외부로부터 상기 제1Vss컨택전극(142)과 제2Vss컨택전극(144)을 통해 Vss전극(146)으로 전달된 저전위의 Vss전압(즉, 캐소드전압 또는 공통전압)이 발광소자(E)의 제2전극(136)으로 인가된다.
상기 더미영역(NA)의 Vss전극(146) 위에는 뱅크층(130)이 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것이 아니라 뱅크층(130) 없이 그 상부에 봉지층(152)이 직접 형성될 수도 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치에서는 제1Vss컨택전극(142) 및 제2Vss컨택전극(144)이 각각 게이트절연층(124) 및 층간절연층(126)에 형성되며, 신호배선(148)은 제1기판(110)에 형성된다. 즉, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치에서는 제1Vss컨택전극(142)과 제2Vss컨택전극(144)이 신호배선(148)과는 다른 층에 형성되므로, 상기 제2Vss컨택전극(144)이 상기 버퍼층(122)과 게이트절연층(124) 및 층간절연층(126)(또는 버퍼층(122) 및 층간절연층(126))을 사이에 두고 오버랩되도록 형성될 수 있게 된다. 그 결과, 상기 제2Vss컨택전극(144)의 폭을 감소시키면서도 Vss전극(146)과 제2Vss컨택전극(144)과의 컨택면적을 일정 크기 이상으로 유지할 수 있게 되므로, 더미영역(NA)의 상단 폭(d)을 감소시킬 수 있게 되어 베젤을 최소화할 수 있게 된다.
도 5a는 본 발명의 비교예에 따른 일반적인 구조의 유기전계발광 표시장치의 Vss컨택전극(244)의 형상을 나타내는 도면이고, 도 5b는 일반적인 구조의 유기전계발광 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다. 이하에서는 도 3 및 도 4에 도시된 본 발명의 유기전계발광 표시장치와 동일한 구조에 대해서는 설명을 생략하거나 간략하게 하고 다른 구조에 대해서만 자세히 설명한다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 일반적인 구조의 유기전계발광 표시장치에서는 더미영역(NA)에 패드와 연결되어 표시영역(AA)에 Vdd, Vdata, Vref 등의 전압을 인가하는 복수의 신호배선(248)이 형성되며, 상기 신호배선(248) 사이에 제2Vss컨택전극(244)이 형성된다.
도 3에 도시된 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치에서는 제2Vss컨택전극(144)의 일부(즉, 제2영역(144b))이 신호배선(148) 측으로 연장되는데 반해, 이 구조의 유기전계발광 표시장치에서는 제2Vss컨택전극(244)이 신호배선(248) 사이에만 배치되고 신호배선(248)과는 오버랩되지 않는다.
따라서, Vss전극과 제2Vss컨택전극(144)의 컨택면적을 설정된 이상으로 확보하기 위해서는 상기 제2Vss컨택전극(244)의 폭(ℓ2)이 도 3에 도시된 본 발명의 유기전계발광 표시장치의 제2Vss컨택전극(144)의 폭(ℓ1) 보다 크게 된다(ℓ2>ℓ1). 즉, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치에서는 제2Vss컨택전극(144)의 폭(ℓ1)을 일반적인 구조의 유기전계발광 표시장치의 제2Vss컨택전극(244)의 폭(ℓ2) 보다작게 할 수 있다. 따라서, 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 더미영역(NA)의 상단의 폭(d)을 일반적인 구조의 유기전계발광 표시장치의 더미영역(NA)의 폭보다 작게 할 수 있게 되므로, 일반적인 구조의 유기전계발광 표시장치에 비해 베젤의 폭을 감소시킬 수 있게 된다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 일반적인 구조의 유기전계발광 표시장치(200)에서는 더미영역(NA)의 게이트절연층(224) 위에 제1Vss컨택전극(242) 및 신호배선(248)이 배치된다. 즉, 이 구조의 유기전계발광 표시장치(200)에서는 제1Vss컨택전극(242) 및 신호배선(248)이 동일층 위에 형성되므로, 이들의 단락을 방지하기 위해 상기 제1Vss컨택전극(242) 및 신호배선(248)은 설정 거리(b2) 이격되어 형성되어야만 한다.
또한, 상기 층간절연층(226) 위에는 제2Vss컨택전극(244)이 형성되고 보호층(228) 위에는 Vss전극(246)이 형성된다. 상기 제1Vss컨택전극(242) 상부의 층간절연층(226) 및 보호층(228)에는 각각 정렬된 제1컨택홀(226a) 및 제2컨택홀(228a)이 형성되어, 상기 제2Vss컨택전극(244)이 제1컨택홀(226a)을 통해 제1Vss컨택전극(242)과 전기적으로 접속되고 제2컨택홀(228a)을 통해 Vss전극(246)과 전기적으로 접속된다.
이때, 상기 제2Vss컨택전극(244)과 신호배선(248)은 층간절연층(226)을 사이데 두고 배치되지만, 제2Vss컨택전극(244)과 신호배선(248)은 오버랩되지 않고 일정 거리 이격되어 배치된다.
도 3에 도시된 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치와 도 5b에 도시된 비교예의 일반적인 구조의 유기전계발광 표시장치를 비교하면 다음과 같다.
첫째, 본 발명에서는 제1Vss컨택전극(142)과 신호배선(148)이 버퍼층(122)과 게이트절연층(124)을 사이에 두고 배치되는 반면에, 비교예에서는 상기 제1Vss컨택전극(242)과 신호배선(248)이 모두 게이트절연층(224) 위에 형성된다.
따라서, 본 발명의 제1Vss컨택전극(142)과 신호배선(148) 사이의 간격(b1)을 비교예의 제1Vss컨택전극(242)과 신호배선(248) 사이의 간격(b2) 보다 작게 할 수 있게 된다(b1<b2). 제1Vss컨택전극(142)과 신호배선(148) 사이의 간격(b1)을 작게 함에 따라 신호배선(148) 사이 영역의 면적이 증가되므로, 신호배선(148) 사이에서 제1Vss컨택전극(142)의 면적을 더 크게 할 수 있게 된다.
둘째, 본 발명에서는 제2Vss컨택전극(144)의 제2영역(144b)이 버퍼층(122)과 게이트절연층(124) 및 층간절연층(126)을 사이에 두고 신호배선(148)과 오버랩되도록 배치되는 반면에, 비교예에서는 상기 제2Vss컨택전극(244)과 신호배선(248)이 층간절연층(226)만을 사이에 두고 배치된다.
본 발명의 구조와 같이, 비교예의 유기전계발광 표시장치(200)에서 제2Vss컨택전극(244)과 신호배선(248)이 오버랩되도록 배치하는 경우, 단지 한층의 층간절연층(226)만이 제2Vss컨택전극(244)과 신호배선(248)의 사이에 배치된다. 따라서, 제2Vss컨택전극(244)을 통해 인가되는 저전위의 Vss전압과 신호배선(248)을 통해 흐르는 제어신호 사이에 상대적으로 큰 용량의 기생용량이 발생하게 된다. 이러한 큰 용량의 기생용량은 신호배선(248)을 통해 흐르는 제어신호에 잡음을 발생시키며, 그 결과 표시장치에 표시되는 화상의 품질을 저하시키는 중요한 원인이 된다.
반면에, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치(100)에서는 제2Vss컨택전극(144)과 신호배선(148)이 오버랩되어도, 버퍼층(122), 게이트절연층(124) 및 층간절연층(126)의 3층의 절연층이 제2Vss컨택전극(144)과 신호배선(148)의 사이에 배치되므로, 제2Vss컨택전극(144)과 신호배선(148) 사이에는 상대적으로 작은 용량의 기생용량이 발생하게 된다. 따라서, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치(100)에서는 제2Vss컨택전극(144)과 신호배선(148)이 오버랩시키는 경우에도 제어신호에 잡음이 발생하지 않게 된다.
이러한 이유로 인해, 비교예의 일반적인 유기전계발광 표시장치(200)에서는 제2Vss컨택전극(244)이 신호배선(248)과 오버랩될 수 없는 반면에, 본 발명에서는 제2Vss컨택전극(144)의 제2영역(144b)이 신호배선(148)과 오버랩될 수 있다.
다시 도 3과 도 5a를 참조하면, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치(100)에서는 제2Vss컨택전극(144)의 제2영역(144b)이 신호배선(148)측으로 연장되어 신호배선(148)과 오버랩될 수 있는데 반해, 일반적인 구조의 유기전계발광 표시장치(200)에서는 제2Vss컨택전극(244)이 신호배선(248)과 오버랩될 수 없다.
따라서, 본 발명의 제2Vss컨택전극(144)의 면적을 일반적인 구조의 제2Vss컨택전극(244)의 면적보다 크게 할 수 있게 되므로, 제2Vss컨택전극(144)의 폭(ℓ1)을 일반적인 구조의 제2Vss컨택전극(144)의 폭(ℓ2) 보다 작게 하는 경우에도(ℓ1<ℓ2), 본 발명의 제2Vss컨택전극(144)의 면적을 일반적인 구조의 제2Vss컨택전극(244)의 면적과 동일하게 할 수 있게 된다.
다시 말해서, 본 발명에서는 제2Vss컨택전극(144)의 폭(ℓ1)을 감소시켜 외곽영역(NA)의 폭을 감소시키는 경우에도, 제2Vss컨택전극(144)과 Vss전극(146)의 컨택면적의 감소에 의한 신호지연이나 발열 등의 문제가 발행하지 않게 된다.
전술한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.
110,150 : 기판 130 : 뱅크층
132 : 제1전극 134 : 유기발광층
136 : 제2전극 142,144 : Vss컨택전극
146 : Vss 전극
132 : 제1전극 134 : 유기발광층
136 : 제2전극 142,144 : Vss컨택전극
146 : Vss 전극
Claims (14)
- 복수의 화소영역을 포함하는 표시영역 및 상기 표시영역의 외곽에 배치된 더미영역을 포함하는 기판;
상기 화소영역 각각에 형성된 제1전극 및 제2전극, 상기 제1전극 및 제2전극 사이에 형성된 영상구현부를 포함하는 발광소자;
상기 더미영역에 형성되어 입력되는 신호를 상기 표시영역으로 전달하는 복수의 신호배선;
상기 신호배선과 다른 층에 형성되고 일부가 상기 신호배선과 오버랩되도록 연장되는 Vss컨택전극; 및
상기 Vss컨택전극과 접속되어 상기 표시영역의 상기 발광소자에 Vss전압을 인가하는 Vss전극으로 구성된 표시장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판의 화소영역 각각에 형성된 광차단층;
상기 광차단층이 형성된 상기 기판 전체에 걸쳐 형성된 버퍼층;
상기 버퍼층 위의 화소영역 각각에 형성된 반도체층;
상기 반도체층 위에 형성된 상기 기판 전체에 걸쳐 형성된 게이트절연층;
상기 게이트절연층 위의 화소영역 각각에 형성된 게이트전극;
상기 게이트전극이 형성된 상기 기판 전체에 걸쳐 형성된 층간절연층;
상기 층간절연층 위의 화소영역 각각에 형성된 소스전극 및 드레인전극;
상기 소스전극 및 상기 드레인전극이 형성된 상기 기판 전체에 걸쳐 형성된 보호층을 더 포함하는 표시장치. - 제2항에 있어서, 상기 신호배선은 광차단층과 동일한 층에서 동일한 금속으로 구성된 표시장치.
- 제3항에 있어서, 상기 Vss컨택전극이 상기 신호배선과 오버랩되어, 상기 Vss컨택전극과 상기 Vss전극의 컨택면적이 증가되는 표시장치.
- 제3항에 있어서, 상기 Vss컨택전극은,
상기 게이트절연층 위에 형성된 제1Vss컨택전극; 및
상기 층간절연층 위에 형성되어 컨택홀을 통해 상기 제1Vss컨택전극 및 Vss전극과 전기적으로 접속되는 제2Vss컨택전극을 포함하는 표시장치. - 제5항에 있어서, 상기 제1Vss컨택전극은 게이트전극과 동일한 층에서 동일한 금속으로 구성된 표시장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제2Vss컨택전극은,
상기 제1Vss컨택전극과 전기적으로 접촉하는 제1영역; 및
상기 제1영역으로부터 상기 신호배선 상부로 연장되는 제2영역을 포함하는 표시장치. - 제6항에 있어서, 상기 제2Vss컨택전극은 소스전극 및 드레인전극과 동일한 층에서 동일한 금속으로 구성된 표시장치.
- 제2항에 있어서, 상기 Vss전극은 보호층 위에 형성되고, 상기 Vss전극은 상기 발광소자의 제1전극과 동일한 층에서 동일한 물질로 구성되는 표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 영상구현부는 유기발광층, 액정층 및 전기영동층 중 어느 하나인 표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 신호배선은 고전위 전압을 인가하는 Vdd배선, 구동전압을 인가하는 Vdata배선, 기준전압을 인가하는 Verf배선중 어느 하나인 표시장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제1Vss컨택전극은 상기 신호배선과 설정된 간격 이격되어 배치된 표시장치.
- 제12항에 있어서, 상기 제1Vss컨택전극과 상기 제2Vss컨택전극 및 상기 신호배선은 서로 다른 층에 배치된 표시장치.
- 제7항에 있어서, 상기 제1영역은 상기 신호배선 사이에 배치되고 상기 제2영역은 상기 신호배선을 가로질러 배치되는 표시장치.
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