JP2020160321A

JP2020160321A - 表示装置

Info

Publication number: JP2020160321A
Application number: JP2019060676A
Authority: JP
Inventors: 奥山　健太郎; Kentaro Okuyama; 健太郎奥山; 裕紀杉山; Hironori Sugiyama; 善英大植; Yoshihide Oue
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2019-03-27
Filing date: 2019-03-27
Publication date: 2020-10-01
Also published as: US20200310209A1; CN111752031A

Abstract

【課題】表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】一実施形態に係る表示装置は、第１上面と前記第１上面と反対側の第１下面とを有する第１透明基板と、画像を表示する第１領域の周囲の第２領域において第１配線から外側に間隔を置いて並んでいる複数の配線を含む配線群とを有する第１基板と、第２上面、前記第２上面と反対側で前記第１上面と対向する第２下面、及び側面を有する第２透明基板を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、前記第２領域に位置し、前記第１基板及び前記第２基板を接着しているシール材と、を備え、前記シール材は、前記第２領域において、前記第１配線に重畳している。【選択図】図５

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、様々な形態の表示装置が提案されている。導光板に接着された光変調素子内に、光学異方性を有したバルクおよび微粒子を含んだ光変調層を備える照明装置が開示されている。その他の例では、高分子分散型液晶層を含み、入射光の強度を変換する光変換部を備える光源装置が開示されている。

特開２０１０−９２６８２号公報特開２０１６−５７３３８号公報

本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態に係る表示装置は、第１上面と前記第１上面と反対側の第１下面とを有する第１透明基板と、画像を表示する第１領域の周囲の第２領域において第１配線から外側に間隔を置いて並んでいる複数の配線を含む配線群とを有する第１基板と、第２上面、前記第２上面と反対側で前記第１上面と対向する第２下面、及び側面を有する第２透明基板を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、前記第２領域に位置し、前記第１基板及び前記第２基板を接着しているシール材と、を備え、前記シール材は、前記第２領域において、前記第１配線に重畳している。

他の実施形態に係る表示装置は、第１上面と前記第１上面と反対側の第１下面とを有する第１透明基板と、画像を表示する第１領域の周囲の第２領域に複数の配線を含む配線群とを有する第１基板と、第２上面と前記第２上面と反対側で前記第１上面と対向する第２下面とを有する第２透明基板と共通電極とを有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、前記第２領域に位置し、前記第１基板及び前記第２基板を接着しているシール材と、を備え、前記共通電極は、前記第１領域に重畳し、前記配線群に重畳していない。

図１は、第１実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。図２は、図１に示した表示装置の主要部を示す斜視図である。図３は、図１に示した画素におけるスイッチング素子の構成例を示す拡大平面図である。図４は、図１に示した表示パネルの表示領域の一構成例を示す断面図である。図５は、第１実施形態に係る第１基板の構成例を模式的に示す平面図である。図６は、図５に示したＡ−Ａ線に沿った表示パネルの断面図である。図７は、図６に示した表示パネルの構成例を示す平面図である。図８は、第２実施形態に係る表示パネルの構成例を模式的に示す平面図である。図９は、図８に示したＡ―Ａ線に沿った表示パネルの断面図である。図１０は、図８に示したＢ−Ｂ線に沿った表示パネルの断面図である。図１１は、図５に示したＡ−Ａ線に沿った表示パネルの断面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を「上側」（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を「下側」（あるいは、単に下）と称する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよいし、第１部材から離間していてもよい。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。

本実施形態においては、表示装置ＤＳＰの一例として、高分子分散型液晶を適用した液晶表示装置について説明する。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、ＩＣチップ１と、配線基板２と、を備えている。
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、液晶層ＬＣと、シール材ＳＥと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、Ｘ−Ｙ平面と平行な平板状に形成されている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、平面視で、重畳している。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、シール材ＳＥによって接着されている。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持され、シール材ＳＥによって封止されている。図１において、液晶層ＬＣ及びシール材ＳＥは、異なる斜線で示している。

図１において拡大して模式的に示すように、液晶層ＬＣは、ポリマー３１と、液晶分子３２と、を含む高分子分散型液晶を備えている。一例では、ポリマー３１は、液晶性ポリマーである。ポリマー３１は、第１方向Ｘに沿って延出した筋状に形成されている。液晶分子３２は、ポリマー３１の隙間に分散され、その長軸が第１方向Ｘに沿うように配向される。ポリマー３１及び液晶分子３２の各々は、光学異方性あるいは屈折率異方性を有している。ポリマー３１の電界に対する応答性は、液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。

一例では、ポリマー３１の配向方向は、電界の有無にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子３２の配向方向は、液晶層ＬＣにしきい値以上の高い電圧が印加された状態では、電界に応じて変化する。液晶層ＬＣに電圧が印加されていない状態では、ポリマー３１及び液晶分子３２のそれぞれの光軸は互いに平行であり、液晶層ＬＣに入射した光は、液晶層ＬＣ内でほとんど散乱されることなく透過する（透明状態）。液晶層ＬＣに電圧が印加されていない状態では、ポリマー３１及び液晶分子３２のそれぞれの光軸は互いに交差し、液晶層ＬＣに入射した光は、液晶層ＬＣ内で散乱される（散乱状態）。

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＤＡと、を備えている。表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された画素ＰＸを備えている。シール材ＳＥは、非表示領域ＤＡに位置し、表示領域ＤＡの周囲を包囲するように配置されている。

図１において拡大して示すように、複数の走査線Ｇは、それぞれ、第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。複数の信号線Ｓは、それぞれ、第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。各画素ＰＸは、第１方向Ｘで連続して並んでいる２つの信号線Ｓと、第２方向Ｙで連続して並んでいる２つの走査線Ｇとで区画された領域に相当する。各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇと信号線Ｓとの交差部に配置されている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。第１方向Ｘに並んでいる複数のスイッチング素子ＳＷは、それぞれ、走査線Ｇと電気的に接続されている。第２方向Ｙに並んでいる複数のスイッチング素子ＳＷは、それぞれ、信号線Ｓと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。各画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣ（特に、液晶分子３２）を駆動している。容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極と画素電極ＰＥと同電位の電極との間に形成される。
より具体的には、まず複数の走査線Ｇのうちゲート信号が入力された走査線Ｇが選択され、選択された走査線Ｇに接続されたスイッチング素子ＳＷに信号線Ｓを介して画像信号が入力されることにより、画素電極ＰＥに電位が印加され、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界が発生する。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動するため、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、液晶を駆動するための配線といえる。

表示パネルＰＮＬは、第１方向Ｘに延出している側縁部（以下、端部又は側面と称する場合もある）ＥＳ１と、第２方向Ｙにおいて側縁部ＥＳ１と反対側の側縁部ＥＳ２と、第２方向Ｙに延出している側縁部ＥＳ３と、第１方向Ｘにおいて側縁部ＥＳ３と反対側の側縁部ＥＳ４とを有している。側縁部ＥＳ１及びＥＳ２は、それぞれ、側縁部ＥＳ３及びＥＳ４に交差している。

第１基板ＳＵＢ１は、第１方向Ｘに沿って延出している側縁部Ｅ１１と、第２方向Ｙにおいて側縁部Ｅ１１と反対側の側縁部Ｅ１２と、第２方向Ｙに沿って延出している側縁部Ｅ１３と、第１方向Ｘにおいて側縁部Ｅ１３と反対側の側縁部Ｅ１４とを有している。側縁部Ｅ１１及びＥ１２は、それぞれ、側縁部Ｅ１３及びＥ１４に交差している。第２基板ＳＵＢ２は、第１方向Ｘに沿って延出している側縁部Ｅ２１と、第２方向Ｙにおいて側縁部Ｅ２１と反対側の側縁部Ｅ２２と、第２方向Ｙに沿って延出している側縁部Ｅ２３と、第１方向Ｘにおいて側縁部Ｅ２３と反対側の側縁部Ｅ２４とを有している。側縁部Ｅ２１及びＥ２２は、それぞれ、側縁部Ｅ２３及びＥ２４に交差している。

図１に示した例では、平面視で、側縁部Ｅ１２及びＥ２２は、重畳している。側縁部Ｅ１２及びＥ２２は、側縁部ＥＳ２に相当する。なお、側縁部Ｅ１２及びＥ２２は、重畳していなくともよい。また、側縁部Ｅ１２及びＥ２２のいずれか一方が、側縁部ＥＳ２に相当していてもよい。平面視で、側縁部Ｅ１３及びＥ２３は、重畳している。側縁部Ｅ１３及びＥ２３は、側縁部ＥＳ３に相当する。なお、側縁部Ｅ１３及びＥ２３は、重畳していなくともよい。また、側縁部Ｅ１３及びＥ２３のいずれか一方が、側縁部ＥＳ３に相当していてもよい。平面視で、側縁部Ｅ１４及びＥ２４は、重畳している。側縁部Ｅ１４及びＥ２４は、側縁部ＥＳ４に相当する。なお、側縁部Ｅ１４及びＥ２４は、重畳していなくともよい。また、側縁部Ｅ１４及びＥ２４のいずれか一方が、側縁部ＥＳ４に相当していてもよい。平面視した場合、側縁部Ｅ１１及びＥ２１は、第２方向Ｙでずれている。側縁部Ｅ１１は、第２方向Ｙにおいて側縁部Ｅ２１よりも外側に位置している。側縁部Ｅ１１及びＥ１２の少なくとも一方は、側縁部ＥＳ１に相当する。第１基板ＳＵＢ１は、側縁部Ｅ１１と側縁部Ｅ２１との間に位置する延出部Ｅｘを有している。

ＩＣチップ１及び配線基板２は、それぞれ延出部Ｅｘに接続されている。ＩＣチップ１は、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバなどを内蔵している。配線基板２は、折り曲げ可能なフレキシブルプリント回路基板である。なお、ＩＣチップ１は、配線基板２に接続されていてもよい。ＩＣチップ１及び配線基板２は、表示パネルＰＮＬからの信号を読み出す場合もあるが、主として表示パネルＰＮＬに信号を供給する信号源として機能する。

図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの主要部を示す斜視図である。
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬの他に、複数の発光素子ＬＤを備えている。
第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、対向している。第１基板ＳＵＢ１は、透明基板１０を備えている。透明基板１０は、側縁部Ｅ１１乃至Ｅ１４を有している。第２基板ＳＵＢ２は、透明基板２０を備えている。透明基板２０は、透明基板１０に対向し、側縁部Ｅ２１乃至Ｅ２４を有している。複数の発光素子ＬＤは、第１方向Ｘに間隔をおいて並び、第２方向Ｙにおいて側縁部Ｅ２１に対向している。図示した例では、複数の発光素子ＬＤは、延出部Ｅｘに重畳している。複数の発光素子ＬＤは、配線基板Ｆに接続されている。発光素子ＬＤは、例えば、発光ダイオードである。発光素子ＬＤは、詳述しないが、赤発光部、緑発光部、及び、青発光部を備えている。発光素子ＬＤから出射される光は、第２方向Ｙを示す矢印の向きに沿って進行し、側縁部Ｅ２１から透明基板２０に入射する。なお、透明基板１０及び２０は、それぞれ、複数の透明基板で形成されていてもよい。

図３は、図１に示した画素ＰＸにおけるスイッチング素子ＳＷの構成例を示す拡大平面図である。
第１基板ＳＵＢ１は、容量電極ＣＰＥなどを備えている。容量電極ＣＰＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。例えば、容量電極ＣＰＥは、Ｘ−Ｙ平面において、第１基板ＳＵＢ１のほぼ全域に亘って配置されている。図３に示した例では、容量電極ＣＰＥは、スイッチング素子ＳＷ、走査線Ｇ、及び信号線Ｓに重畳している。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣと、ゲート電極ＧＥと、ソース電極ＳＯＥと、ドレイン電極ＤＥと、を備えている。ゲート電極ＧＥは、走査線Ｇと一体的に形成されている。言い換えると、ゲート電極ＧＥは、走査線Ｇに相当する。半導体層ＳＣは、ゲート電極ＧＥに重畳している。半導体層ＳＣは、ゲート電極ＧＥと電気的に接続されている。２つのソース電極ＳＯＥは、信号線Ｓと一体的に形成され、それぞれ半導体層ＳＣに接している。言い換えると、ソース電極ＳＯＥは、信号線Ｓに相当し、半導体層ＳＣに電気的に接続している。ドレイン電極ＤＥは、２つのソース電極ＳＯＥの間に位置し、半導体層ＳＣに接している。言い換えると、ドレイン電極ＤＥは、半導体層ＳＣに電気的に接続している。ドレイン電極ＤＥは、接続部ＤＥＡを有している。接続部ＤＥＡは、容量電極ＣＰＥに形成された開口部ＯＰ及びコンタクトホールＣＨを介して画素電極ＰＥと電気的に接続されている。

図４は、図１に示した表示パネルＰＮＬの表示領域ＤＡの一構成例を示す断面図である。
第１基板ＳＵＢ１は、透明基板１０、絶縁層１１、１２、１３、１４、容量電極ＣＰＥ、信号線Ｓ、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、及び配向膜ＡＬ１などを備えている。第１基板ＳＵＢ１は、さらに、図１に示した走査線Ｇなどを備えている。透明基板１０は、主面（上面）１０Ａと、主面１０Ａの反対側の対向面（下面）１０Ｂと、を備えている。

スイッチング素子ＳＷは、主面１０Ａ側に位置している。図４に示した例では、ゲート電極ＧＥ（走査線Ｇ）は、透明基板１０の主面１０Ａ側に位置している。絶縁層１１は、透明基板１０及びゲート電極ＧＥの上に位置し、透明基板１０及びゲート電極ＧＥを覆っている。言い換えると、ゲート電極ＧＥは、透明基板１０及び絶縁層１１の間に位置している。半導体層ＳＣは、絶縁層１１の上に位置している。接続部ＤＥＡ（ドレイン電極ＤＥ）は、絶縁層１１の上に位置している。言い換えると、信号線Ｓ、半導体層ＳＣ、ドレイン電極ＤＥは、主面１０Ａ側に位置し、同じ層に位置している。図４に示した例では、スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣの下にゲート電極ＧＥが位置するボトムゲート型である。なお、スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣの上にゲート電極が位置するトップゲート型であってもよい。信号線Ｓは、絶縁層１１の上に位置している。言い換えると、ゲート電極ＧＥは、半導体層ＳＣに対向している。絶縁層１２は、絶縁層１１の上に位置し、信号線Ｓ、半導体層ＳＣ、及び接続部ＤＥＡを覆っている。言い換えると、信号線Ｓ、半導体層ＳＣ、及び接続部ＤＥＡは、絶縁層１１及び絶縁層１２の間に位置している。絶縁層１３は、絶縁層１２の上に位置し、絶縁層１２を覆っている。言い換えると、絶縁層１３は、信号線Ｓ、半導体層ＳＣ、及び接続部ＤＥＡの上に位置している。

容量電極ＣＰＥは、絶縁層１３の上に位置している。言い換えると、絶縁層１３は、信号線Ｓ、半導体層ＳＣ、及び接続部ＤＥＡと容量電極ＣＰＥとの間に位置している。容量電極ＣＰＥは、上面から下面まで貫通する開口部ＯＰを有している。絶縁層１４は、容量電極ＣＰＥを覆っている。絶縁層１４は、開口部ＯＰでは、絶縁層１３を覆っている。言い換えると、容量電極ＣＰＥは、信号線Ｓ、半導体層ＳＣ、及び接続部ＤＥＡの上に位置している。画素電極ＰＥは、絶縁層１４の上に位置し、画素ＰＸ毎に配置されている。言い換えると、画素電極ＰＥは、信号線Ｓ、半導体層ＳＣ、接続部ＤＥＡ、及び容量電極ＣＰＥの上に位置している。画素電極ＰＥは、容量電極ＣＰＥの開口部ＯＰと絶縁層１２乃至１４を接続部ＤＥＡまで貫通するコンタクトホールＣＨとを介して、接続部ＤＥＡと電気的に接続されている。言い換えると、画素電極ＰＥは、開口部ＯＰ及びコンタクトホールＣＨを介して、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、絶縁層１４を挟んで、容量電極ＣＰＥと対向し、画素ＰＸの容量ＣＳを形成している。配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び絶縁層１４を覆っている。なお、第１基板ＳＵＢ１は、図示した例に限らず、他の絶縁層や他の各種層を含んでいてもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、透明基板２０、遮光層ＢＭ、共通電極ＣＥ、及び配向膜ＡＬ２などを備えている。透明基板２０は、主面（上面）２０Ａと、主面２０Ａの反対側の対向面（下面）２０Ｂと、を備えている。透明基板２０の対向面２０Ｂは、透明基板１０の主面１０Ａに対向している。遮光層ＢＭ及び共通電極ＣＥは、対向面２０Ｂ側に位置している。図４に示した例では、遮光層ＢＭは、透明基板２０の下に位置している。遮光層ＢＭは、例えば、信号線Ｓ及びスイッチング素子ＳＷ（半導体層ＳＣ、ゲート電極ＧＥ、及び接続部ＤＥＡ等）の直上に位置している。また、遮光層ＢＭは、図４に示していない走査線Ｇの直上にも位置している。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。共通電極ＣＥは、透明基板２０及び遮光層ＢＭの下に位置している。共通電極ＣＥは、例えば、遮光層ＢＭを直接覆っている。共通電極ＣＥは、例えば、遮光層ＢＭを覆っている領域以外の領域では、透明基板２０を覆っている。言い換えると、遮光層ＢＭは、透明基板２０及び共通電極ＣＥの間に位置している。共通電極ＣＥは、容量電極ＣＰＥと電気的に接続されており、容量電極ＣＰＥとは同電位である。配向膜ＡＬ２は、共通電極ＣＥを覆っている。

液晶層ＬＣは、主面１０Ａと対向面２０Ｂとの間に位置し、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２に接している。第１基板ＳＵＢ１において、絶縁層１１乃至１４、容量電極ＣＰＥ、信号線Ｓ、スイッチング素子ＳＷ（半導体層ＳＣ、ゲート電極ＧＥ、及び接続部ＤＥＡ等）、画素電極ＰＥ、及び、配向膜ＡＬ１は、主面１０Ａと液晶層ＬＣとの間に位置している。第２基板ＳＵＢ２において、遮光層ＢＭ、共通電極ＣＥ、及び、配向膜ＡＬ２は、対向面２０Ｂと液晶層ＬＣとの間に位置している。

透明基板１０及び２０は、ガラス基板やプラスチック基板などの絶縁基板である。主面１０Ａ、対向面１０Ｂ、主面２０Ａ、及び対向面２０Ｂは、Ｘ−Ｙ平面とほぼ平行な面である。絶縁層１１、１２、１４は、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸化物などの透明な無機絶縁材料によって形成されている。絶縁層１３は、例えば、アクリル樹脂などの透明な有機絶縁材料によって形成されている。走査線Ｇ及び信号線Ｓは、例えば、複数の導電層が積層された積層体である。一例では、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、モリブデン（Ｍｏ）を含む導電層、アルミニウム（Ａｌ）を含む導電層、及び、モリブデン（Ｍｏ）を含む導電層がこの順に積層された積層体である。また、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、前述した例に限らず、チタン（Ｔｉ）を含む導電層、アルミニウム（Ａｌ）を含む導電層、及び、チタン（Ｔｉ）を含む導電層がこの順に積層された積層体であってもよい。なお、走査線Ｇは、モリブデン（Ｍｏ）を含む導電層、及び、アルミニウム（Ａｌ）を含む導電層の積層体であってもよい。例えば、アルミニウム（Ａｌ）を含む導電層が主面１０Ａに接するように走査線Ｇが配置されることが好ましい。アルミニウム（Ａｌ）は、モリブデン（Ｍｏ）より光の反射率が高い。そのため、走査線Ｇのモリブデン（Ｍｏ）を含む導電層が主面１０Ａに接するように走査線Ｇを配置した場合と比較して、アルミニウム（Ａｌ）を含む導電層が主面１０Ａに接するように走査線Ｇを配置することにより、透明基板１０を伝播してきた光が走査線Ｇで吸収されることを抑制することができる。容量電極ＣＰＥ、画素電極ＰＥ、及び、共通電極ＣＥは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成された透明電極である。半導体層ＳＣは、例えば、アモルファスシリコンによって形成されている。なお、半導体層ＳＣは、多結晶シリコンや酸化物半導体によって形成されていてもよい。遮光層ＢＭは、例えば、共通電極ＣＥよりも低抵抗な導電層である。一例では、遮光層ＢＭは、モリブデン、アルミニウム、タングステン、チタン、銀などの不透明な金属材料によって形成されている。共通電極ＣＥは、遮光層ＢＭに接しているため、遮光層ＢＭと電気的に接続される。これにより、共通電極ＣＥが低抵抗化される。配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、Ｘ−Ｙ平面に略平行な配向規制力を有する水平配向膜である。一例では、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、第１方向Ｘに沿って配向処理されている。なお、配向処理とは、ラビング処理であってもよいし、光配向処理であってもよい。

図５は、本実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１の構成例を模式的に示す平面図である。図５には、説明に必要な構成のみを示している。
図５に示した例では、複数の走査線Ｇは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。複数の信号線Ｓは、表示領域ＤＡにおいて、第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。複数の走査線Ｇ、及び複数の信号線Ｓは、表示領域ＤＡから非表示領域ＮＤＡに引き出されている。以下、表示領域ＤＡから非表示領域ＮＤＡに引き出された複数の走査線Ｇを配線群ＷＧあるいは第１配線と称する場合もある。配線群ＷＧは、非表示領域ＮＤＡにおいて、第２方向Ｙに延出し、表示領域ＤＡ側（内側）に位置する配線ＩＷから側縁部に位置する配線ＯＷまで第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる複数の配線を含む。例えば、配線ＩＷの第２方向Ｙの長さは、配線ＯＷの第２方向Ｙの長さよりも短い。配線群ＷＧは、配線群ＷＧ１及びＷＧ２を含む。配線群ＷＧ１は、例えば、表示領域ＤＡから側縁部Ｅ１３及び表示領域ＤＡの間に位置する非表示領域ＮＤＡ１に引き出された奇数番目の複数の走査線Ｇに相当する。配線群ＷＧ１は、非表示領域ＮＤＡ１において、第２方向Ｙに延出し、内側に位置する配線ＩＷ１から側縁部Ｅ１３側に位置する配線ＯＷ１まで第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる複数の配線を含む。つまり、配線ＩＷ１は、配線群ＷＧ１に含まれる複数の配線の内で表示領域ＤＡに最も近い位置に配置されている。配線ＯＷ１は、配線群ＷＧ１に含まれる複数の配線の内で表示領域ＤＡから最も遠い位置に配置されている。配線群ＷＧ２は、例えば、表示領域ＤＡから側縁部Ｅ１４及び表示領域ＤＡの間に位置する非表示領域ＮＤＡ２に引き出された偶数番目の複数の走査線Ｇに相当する。配線群ＷＧ２は、非表示領域ＮＤＡ２において、第２方向Ｙに延出し、内側に位置する配線ＩＷ２から側縁部Ｅ１４側に位置するＯＷ２まで第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる複数の配線を含む。つまり、配線ＩＷ２は、配線群ＷＧ２に含まれる複数の配線の内で表示領域ＤＡに最も近い位置に配置されている。配線ＯＷ２は、配線群ＷＧ２に含まれる複数の配線の内で表示領域ＤＡから最も遠い位置に配置されている。

電源線Ｐは、例えば、コモン電圧（Ｖｃｏｍ）を供給するための配線である。電源線Ｐは、図４に示した容量電極ＣＰＥに電気的に接続されている。また、電源線Ｐは、第１基板ＳＵＢ１の角部において、給電端子ＰＴに接続されている。給電端子ＰＴは、第２基板ＳＵＢ２の共通電極ＣＥと電気的に接続されている。つまり、容量電極ＣＰＥ及び共通電極ＣＥは、同電位であり、例えば、コモン電圧を印加されている。図５に示した例では、電源線Ｐ及び給電端子ＰＴは、非表示領域ＤＡにおいて、配線群ＷＧよりも外側に位置している。
複数の走査線Ｇ、複数の信号線Ｓ、及び、電源線Ｐは、図１に示したＩＣチップ１又は配線基板２と電気的に接続されている。図５に示した例では、配線群ＷＧ１は、ＩＣチップ１に設けられたゲートドライバＧＤ１に電気的に接続されている。配線群ＷＧ２は、ＩＣチップ１に設けられたゲートドライバＧＤ２に電気的に接続されている。複数の信号線Ｓは、非表示領域ＮＤＡに引き出され、ＩＣチップ１に設けられたソースドライバＳＤに電気的に接続されている。なお、ゲートドライバＧＤ１、ゲートドライバＧＤ２、及びソースドライバＳＤは、配線基板２に設けられていてもよい。ゲートドライバＧＤ１、ゲートドライバＧＤ２、及びソースドライバＳＤは、それぞれ、延出部Ｅｘに接続された異なるＩＣチップ又は異なる配線基板に設けられていてもよい。電源線Ｐは、ＩＣチップ１に接続されている。

シール材ＳＥは、表示領域ＤＡを周囲に配置されている。図５に示した例では、シール材ＳＥは、矩形枠状である。なお、シール材ＳＥは、表示領域ＤＡの周囲を包囲していれば、矩形枠状以外の形状であってもよい。シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡにおいて、配線群ＷＧに重畳している。図５に示した例では、シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡ１において配線群ＷＧ１の全体に重畳し、非表示領域ＮＤＡ２において配線群ＷＧ２の全体に重畳している。言い換えると、シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡ１において配線ＩＷ１から配線ＯＷ１まで重畳し、非表示領域ＮＤＡ２において配線ＩＷ１から配線ＯＷ２まで重畳している。なお、シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡにおいて、配線群ＷＧで内側に位置するいくつかの配線に重畳するように配置されていてもよい。例えば、シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡ１において、配線ＩＷ１に重畳し、配線ＩＷ１に沿って第２方向Ｙに延長していてもよい。シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡ２において、配線ＩＷ２に重畳し、配線ＩＷ２に沿って第２方向Ｙに延長していてもよい。また、シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡにおいて、配線群ＷＧよりも内側に位置していてもよい。例えば、シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡ１において、配線ＩＷ１に沿って第２方向Ｙに延長する延長線よりも第１方向Ｘの内側に位置していてもよい。シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡ２において、配線ＩＷ２に沿って第２方向Ｙに延長する延長線よりも第１方向Ｘの内側に位置していてもよい。

液晶、例えば、液晶層ＬＣに含まれる高分子分散型液晶を真空注入法によりシール材ＳＥで接着した第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に注入する場合、液晶が非表示領域ＮＤＡにおいてシール材ＳＥよりも側縁部側（外側）の領域に付着する可能性がある。そのため、液晶を真空注入法によりシール材ＳＥで接着した第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に注入する場合、シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡにおいて、配線群ＷＧの全体に重畳していることが望ましい。また、液晶を滴下注入法により第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に注入する場合、液晶が非表示領域ＮＤＡにおいてシール材ＳＥよりも外側の領域に付着する可能性が低い。そのため、液晶を滴下注入法により第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に注入する場合、シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡにおいて、配線群ＷＧ内の外側に位置するいくつかの配線に重畳していなくともよい。

図５に示した例では、シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡにおいて、給電端子ＰＴ及び電源線Ｐよりも内側に位置し、給電端子ＰＴ及び電源線Ｐに重畳していない。言い換えると、給電端子ＰＴ及び電源線Ｐは、非表示領域ＮＤＡにおいて、シール材ＳＥよりも外側に位置している。なお、シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡにおいて、電源線Ｐに重畳していてもよい。また、シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡにおいて、電源線Ｐのよりも外側に位置していてもよい。言い換えると、電源線Ｐは、非表示領域ＮＤＡにおいて、シール材ＳＥよりも内側に位置していてもよい。
第１基板ＳＵＢ１は、シール材ＳＥよりも内側に位置する凸部ＢＫをさらに備えている。図５に示した例では、凸部ＢＫは、シール材ＳＥと表示領域ＤＡとの間に位置し、表示領域ＤＡの周囲に配置されている。

図５に示した第１基板ＳＵＢ１を有する表示装置ＤＳＰによれば、配線群ＷＧと共通電極ＣＥとにシール材ＳＥが重畳するために、配線群ＷＧと共通電極ＣＥとに液晶層ＬＣが重畳しない。そのため、この表示装置ＤＳＰは、配線群ＷＧ及び共通電極ＣＥの間に生じ得る電解により液晶層ＬＣが駆動することを抑制できる。したがって、非表示領域ＮＤＡに遮光層などが配置されていない全面が透明な表示装置においても、非表示領域ＮＤＡで液晶層ＬＣが駆動することにより表示品位が低下することを抑制することができる。

図６は、図５に示したＡ−Ａ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。図６に示した非表示領域ＮＤＡ１における表示パネルＰＮＬの断面は、非表示領域ＮＤＡ２における表示パネルＰＮＬの断面にも適用できる。図６には、説明に必要な構成のみを示している。
第１基板ＳＵＢ１は、電源線Ｐ、配線群ＷＧ１、及び凸部ＢＫなどをさらに備えている。図６に示した例では、電源線Ｐ及び配線群ＷＧ１は、透明基板１０の主面１０Ａ側に位置し、絶縁層１１により覆われている。言い換えると、電源線Ｐ及び配線群ＷＧ１は、透明基板１０及び絶縁層１１の間に位置している。つまり、電源線Ｐ及び配線群ＷＧ１は、ゲート電極ＧＥ（走査線Ｇ）と同じ層に位置している。配線群ＷＧ１は、第１方向Ｘにおいて、電源線Ｐよりも内側に位置している。なお、電源線Ｐ及び配線群ＷＧ１と透明基板１０との間に、他の絶縁層や各種層が位置していてもよい。電源線Ｐ及び配線群ＷＧ１の上に、他の絶縁層や各種層が位置していてもよい。また、電源線Ｐ及び配線群ＷＧ１の上に、絶縁層１１、絶縁層１２、及び配光膜ＡＬ１の内の少なくとも１つがなくともよい。凸部ＢＫは、第２基板ＳＵＢ２に向かって突出している。凸部ＢＫは、絶縁層１２の上に位置している。凸部ＢＫは、絶縁層１３と同じ層に位置している。凸部ＢＫは、例えば、絶縁層１３と同じ材料で形成されている。凸部ＢＫは、例えば、配光膜ＡＬ１により覆われている。言い換えると、凸部ＢＫは、絶縁層１２及び配光膜ＡＬ１の間に位置している。凸部ＢＫは、第１方向Ｘにおいて、配線群ＷＧ１よりも内側に位置している。なお、凸部ＢＫの下に、他の絶縁層及び他の各種層が位置していてもよい。凸部ＢＫの下に、絶縁層１１及び１２の内の少なくとも一方がなくともよい。また、凸部ＢＫは、絶縁層１３と一体に形成されていてもよい。このように凸部ＢＫを配置することにより、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２をシール材ＳＥにより接着する工程において、シール材ＳＥが表示領域ＤＡ内に広がることを抑制できる。また、凸部ＢＫよりも外側における第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間の第３方向Ｚの間隔は、凸部ＢＫ、絶縁層１３、絶縁層１４、や容量電極ＣＰＥなどが配置されていないため、凸部ＢＫよりも内側における第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間の第３方向Ｚの間隔よりも大きい。このようにシール材ＳＥを配置する領域における第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間の第３方向Ｚの間隔を大きくすることで、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２をシール材ＳＥにより接着する工程において、シール材ＳＥが表示領域ＤＡ内に広がることを抑制できる。

第２基板ＳＵＢ２は、スペーサＰＳなどをさらに備えている。スペーサＰＳは、共通電極ＣＥの下に位置している。スペーサＰＳは、例えば、配光膜ＡＬ１により覆われている。言い換えると、スペーサＰＳは、共通電極ＣＥ及び配光膜ＡＬ２の間に位置している。スペーサＰＳは、凸部ＢＫに対向している。図６に示した例では、スペーサＰＳの先端は、凸部ＢＫに接触している。
シール材ＳＥは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置している。図６に示した例では、シール材ＳＥは、配光膜ＡＬ１及びＡＬ２の間に位置している。シール材ＳＥは、配線群ＷＧ１の直上に位置している。シール材ＳＥは、電源線Ｐの直上には位置していない。言い換えると、シール材ＳＥは、電源線Ｐに対向していない。なお、シール材ＳＥは、電源線Ｐに対向していてもよい。シール材ＳＥは、第１方向Ｘにおいて、電源線Ｐよりも内側で、且つ凸部ＢＫよりも外側に位置している。

図７は、図６に示した表示パネルＰＮＬの構成例を示す平面図である。図７には、表示パネルＰＮＬの表示領域ＮＤＡ１の構成例のみを示しているが、非表示領域ＮＤＡ１の構成例は、非表示領域ＮＤＡ２にも適用できる。図７には、説明に必要な構成のみを示している。
図７に示した例では、非表示領域ＮＤＡ１において、複数のスペーサＰＳは、凸部ＢＫに重畳し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。

本実施形態によれば、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を接着しているシール材ＳＥとを備えている。第１基板ＳＵＢ１は、非表示領域ＮＤＡにおいて、表示領域ＤＡから非表示領域ＮＤＡに引き出された複数の走査線Ｇに相当する配線群ＷＧと、第２基板ＳＵＢ２に向かって突出している凸部ＢＫとを有する。シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡにおいて、配線群ＷＧの全体に重畳している。そのため、表示装置ＤＳＰは、非表示領域ＮＤＡにおいて配線群ＷＧ及び共通電極ＣＥの間に生じ得る電解により液晶層ＬＣが駆動することを抑制できる。したがって、表示品位の低下を抑制することができる。
また、凸部ＢＫは、非表示領域ＮＤＡにおいて、配線群ＷＧよりも内側に位置している。そのため、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２をシール材ＳＥにより接着する工程において、シール材ＳＥが表示領域ＤＡ内に広がることを抑制できる。したがって、表示装置ＤＳＰの信頼性を向上できる。

次に、他の実施形態や変形例に係る表示装置ＤＳＰについて説明する。以下に説明する他の実施形態や変形例において、前述した第１実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付しその詳細な説明を省略あるいは簡略化し、第１実施形態と異なる部分を中心に詳細に説明する。なお、他の実施形態や変形例においても、前述の第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第２実施形態）
第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、第２基板ＳＵＢ２の構成が第１実施形態の表示装置ＤＳＰと相違する。
図８は、第２実施形態に係る表示パネルＰＮＬの構成例を模式的に示す平面図である。図８には、説明に必要な構成のみを示している。
第２基板ＳＵＢ２は、共通電極ＣＥと、延出部ＥＰとを備えている。共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡに重畳し、配線群ＷＧに重畳していない。言い換えると、共通電極ＣＥは、第１方向Ｘにおいて、配線ＩＷよりも内側に位置している。図８に示した例では、共通電極ＣＥは、第１方向Ｘにおいて、配線ＩＷ１及びＩＷ２よりも内側に位置している。また、共通電極ＣＥは、第２方向Ｙにおいて、シール材ＳＥよりも内側に位置している。なお、共通電極ＣＥは、第２方向Ｙにおいて、側縁部Ｅ２１から側縁部Ｅ２２に亘って延出していてもよい。

延出部ＥＰは、給電端子ＰＴを介して共通電極ＣＥ及び電源線Ｐを電気的に接続している。延出部ＥＰの端部ＥＤ１は、共通電極ＣＥに接続され、延出部ＥＰの端部ＥＤ２は、給電端子ＰＴに重畳している。図８に示した例では、延出部ＥＰは、共通電極ＣＥの角部から給電端子ＰＴの直上まで延出している。端部ＥＤ１は、共通電極ＣＥの角部に接続され、端部ＥＤ２は、給電端子ＰＴに重畳している。なお、延出部ＥＰは、共通電極ＣＥの角部以外の部分から給電端子ＰＴの直上まで延出していてもよい。シール材ＳＥは、少なくとも端部ＥＤ１に重畳している。なお、シール材ＳＥは、延出部ＥＰの全体に重畳していてもよい。言い換えると、シール材ＳＥは、端部ＥＤ１から端部ＥＤ２まで重畳していてもよい。

図９は、図８に示したＡ―Ａ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。図９に示した非表示領域ＮＤＡ１における表示パネルＰＮＬの断面は、非表示領域ＮＤＡ２における表示パネルＰＮＬの断面にも適用できる。図９には、説明に必要な構成のみを示している。
共通電極ＣＥは、第１方向Ｘにおいて、配線群ＷＧ１よりも内側に位置している。言い換えると、共通電極ＣＥは、第１方向Ｘにおいて、配線群ＷＧ１から内側に離間している。図９に示した例では、共通電極ＣＥは、配線ＩＷ１よりも内側に位置している。言い換えると、共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡから配線ＩＷ１の直上まで延出していない。つまり、共通電極ＣＥは、配線群ＷＧ１と対向していない。図９に示した例では、シール材ＳＥは、配線群ＷＧに含まれる複数の配線の内の外側に位置するいくつかの配線に対向している。例えば、シール材ＳＥは、配線ＯＷ１に対向し、配線ＩＷ１に対向していない。なお、シール材ＳＥは、配線群ＷＧの全体に対向していてもよい。

図１０は、図８に示したＢ−Ｂ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。図１０には、説明に必要な構成のみを示している。
第１基板ＳＵＢ１は、給電端子ＰＴなどをさらに備えている。図１０に示した例では、給電端子ＰＴは、透明基板１０の主面１０Ａ側に位置している。言い換えると、給電端子ＰＴは、透明基板１０の上に位置している。給電端子ＰＴは、シール材ＳＥよりも外側に位置している。給電端子ＰＴは、絶縁層１１、絶縁層１２、及び配光膜ＡＬ１から露出している。給電端子ＰＴは、例えば、電源線Ｐや配線群ＷＧ１と同じ層に位置している。なお、給電端子ＰＴは、電源線Ｐや配線群ＷＧ１と異なる層に位置していてもよい。透明基板１０及び給電端子ＰＴの間に、他の絶縁層や各種層が位置していてもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、延出部ＥＰなどをさらに備えている。延出部ＥＰは、導電材で形成されている。図１０に示した例では、延出部ＥＰは、透明基板２０の対向面２０Ｂ側に位置している。言い換えると、延出部ＥＰは、透明基板２０と配光膜ＡＬ２及び共通電極ＣＥとの間に位置している。例えば、延出部ＥＰは、遮光層ＢＭと同じ層に位置している。延出部ＥＰは、遮光層ＢＭと同じ材料で形成されていてもよい。つまり、延出部ＥＰは、遮光層ＢＭで形成されていてもよい。延出部ＥＰは、共通電極ＣＥから給電端子ＰＴの直上まで延出している。延出部ＥＰの端部ＥＤ１は、透明基板２０及び共通電極ＣＥとの間に位置し、共通電極ＣＥに接触している。延出部ＥＰの端部ＥＤ２は、給電端子ＰＴの直上に位置し、配光膜ＡＬ２及び共通電極ＣＥから露出している。共通電極ＣＥは、配線群ＷＧ１よりも内側に位置している。言い換えると、共通電極ＣＥは、配線群ＷＧ１から内側に離間している。配光膜ＡＬ２は、共通電極ＣＥ及び延出部ＥＰを覆っている。配光膜ＡＬ２は、端部ＥＤ２を覆っていない。なお、透明基板２０及び延出部ＥＰの間に、他の絶縁層や各種層が位置していてもよい。延出部ＥＰと配光膜ＡＬ２及び共通電極ＣＥとの間に、他の絶縁層や各種装置を位置していてもよい。

図１０に示した例では、シール材ＳＥは、配線群ＷＧ１に含まれる複数の配線の内の内側に位置するいくつかの配線に対向している。シール材ＳＥは、少なくとも配線ＩＷ１に対向している。なお、シール材ＳＥは、配線群ＷＧ１の全体に対向していてもよい。接続部材ＣＮＴは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置している。図１０に示した例では、接続部材ＣＮＴは、シール材ＳＥよりも外側に位置している。接続部材ＣＮＴは、延出部ＥＰの端部ＥＤ２と給電端子ＰＴとの間に位置している。接続部材ＣＮＴは、端部ＥＤ２及び給電端子ＰＴに接触し、端部ＥＤ２及び給電端子ＰＴを電気的に接続している。接続部材ＣＮＴは、導電材で形成されている。

第２実施形態によれば、第２基板ＳＵＢ２は、共通電極ＣＥを備えている。共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡに重畳し、配線群ＷＧに重畳していない。言い換えると、共通電極ＣＥは、配線群ＷＧから内側に離間している。そのため、配線群ＷＧ及び共通電極ＣＥの間に電解が生じることを抑制できる。したがって、このような第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。

（変形例１）
第１実施形態及び第２実施形態に係る変形例１に係る表示装置ＤＳＰは、前述した第１実施形態及び第２実施形態を組み合わせた構成である。
図１１は、図５又は図８に示したＡ−Ａ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。図１１に示した非表示領域ＮＤＡ１に係る表示パネルＰＮＬの断面は、非表示領域ＮＤＡ２における表示パネルＰＮＬの断面にも適用できる。図１１には、説明に必要な構成のみを示している。変形例１に係る表示装置ＤＳＰは、第１実施形態及び第２実施形態を組み合わせた構成例に相当する。そのため、変形例１に係る表示装置ＤＳＰは、前述した第１実施形態及び第２実施形態と同様の効果が得られる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。
（１）
第１上面と前記第１上面と反対側の第１下面とを有する第１透明基板と、画像を表示する第１領域の周囲の第２領域において間隔を置いて並んでいる複数の第１配線とを有する第１基板と、
第２上面、前記第２上面と反対側で前記第１上面と対向する第２下面、及び側面を有する第２透明基板を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、
前記第２領域に位置し、前記第１基板及び前記第２基板を接着しているシール材と、を備え、
前記シール材は、前記第２領域において前記第１配線に重畳している、表示装置。
（２）
前記第１配線は、走査線である、（１）に記載の表示装置。
（３）
前記シール材は、前記第２領域において前記第１配線に沿って延出している、（１）又は（２）に記載の表示装置。
（４）
前記シール材は、前記第２領域において前記第１配線の全体に重畳している、（１）乃至（３）のいずれか１に記載の表示装置。
（５）
前記第２基板は、前記第１領域において前記第１配線と重畳し、前記第２領域において前記第１配線に重畳していない共通電極を有する、（１）乃至（４）のいずれか１に記載の表示装置。
（６）
前記第１基板は、前記第１領域において、前記スイッチング素子上に位置する有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上に位置する容量電極と、前記容量電極の上に位置する画素電極とを有し、
前記共通電極は、前記第１領域において、前記第２下面側に位置し、前記容量電極と電気的に接続されている、（１）乃至（４）のいずれか１に記載の表示装置。
（７）
前記第１基板は、前記第２領域において前記第１配線よりも外側に位置している電源線と、前記第２領域において前記第１配線よりも外側に位置し、前記電源線に接続された端子とを有し、
前記第２基板は、前記共通電極から前記端子の直上まで延出し、前記共通電極及び前記端子を電気的に接続する導電材を有する、（５）又は（６）に記載の表示装置。
（８）
前記第１基板は、前記シール材と前記第１領域との間に位置し、前記第２基板に向かって突出している凸部を有している、（４）乃至（７）のいずれか１に記載の表示装置。
（９）
前記凸部は、前記有機絶縁層と同じ材料で形成されている、（８）に記載の表示装置。
（１０）
前記側面に対向し、前記側面に向かって光を射出する発光素子をさらに備える、（１）乃至（９）のいずれか１に記載の表示装置。
（１１）
画像を表示するための信号を出力する回路をさらに備え、
前記第１配線は、前記回路に接続されている、（１）乃至（１０）のいずれか１に記載の表示装置。
（１２）
第１上面と前記第１上面と反対側の第１下面とを有する第１透明基板と、画像を表示する第１領域の周囲の第２領域に複数第１配線とを有する第１基板と、
第２上面と前記第２上面と反対側で前記第１上面と対向する第２下面とを有する第２透明基板と共通電極とを有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、
前記第２領域に位置し、前記第１基板及び前記第２基板を接着しているシール材と、を備え、
前記共通電極は、前記第１領域に重畳し、前記第１配線に重畳していない、表示装置。
（１３）
前記第１配線は、走査線である、（１２）に記載の表示装置。
（１４）
前記シール材は、前記第２領域において、前記第１配線の全体に重畳している、（１３）又は（１４）に記載の表示装置。
（１５）
前記側面に対向し、前記側面に向かって光を射出する発光素子をさらに備える、（１２）乃至（１４）のいずれか１に記載の表示装置。
（１６）
画像を表示するための信号を出力する回路をさらに備え、
前記第１配線は、前記回路に接続されている、（１２）乃至（１５）のいずれか１に記載の表示装置。

ＤＳＰ…表示装置ＰＮＬ…表示パネルＳＥ…シール材ＤＡ…表示部
ＮＤＡ、ＮＤＡ１、ＮＤＡ２…非表示部ＰＸ…画素ＬＣ…液晶層
３１…ポリマー３２…液晶分子ＬＤ…発光素子ＳＷ…スイッチング素子
ＰＥ…画素電極ＣＥ…共通電極Ｇ…走査線Ｓ…信号線
ＷＧ、ＷＧ１、ＷＧ２…配線群ＩＷ１、ＩＷ２、ＯＷ１、ＯＷ２…配線
Ｐ…電源線ＰＴ…給電端子１０…透明基板２０…透明基板
１１、１２、１３、１４…絶縁層ＢＫ…凸部。

Claims

第１上面と前記第１上面と反対側の第１下面とを有する第１透明基板と、画像を表示する第１領域の周囲の第２領域において間隔を置いて並んでいる複数の第１配線とを有する第１基板と、
第２上面、前記第２上面と反対側で前記第１上面と対向する第２下面、及び側面を有する第２透明基板を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、
前記第２領域に位置し、前記第１基板及び前記第２基板を接着しているシール材と、を備え、
前記シール材は、前記第２領域において前記第１配線に重畳している、表示装置。
前記第１配線は、走査線である、請求項１に記載の表示装置。
前記シール材は、前記第２領域において前記第１配線に沿って延出している、請求項１又は２に記載の表示装置。
前記シール材は、前記第２領域において前記第１配線の全体に重畳している、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
前記第２基板は、前記第１領域において前記第１配線と重畳し、前記第２領域において前記第１配線に重畳していない共通電極を有する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
前記第１基板は、前記第１領域において、前記スイッチング素子上に位置する有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上に位置する容量電極と、前記容量電極の上に位置する画素電極とを有し、
前記共通電極は、前記第１領域において、前記第２下面側に位置し、前記容量電極と電気的に接続されている、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
前記第１基板は、前記第２領域において前記第１配線よりも外側に位置している電源線と、前記第２領域において前記第１配線よりも外側に位置し、前記電源線に接続された端子とを有し、
前記第２基板は、前記共通電極から前記端子の直上まで延出し、前記共通電極及び前記端子を電気的に接続する導電材を有する、請求項５又は６に記載の表示装置。
前記第１基板は、前記シール材と前記第１領域との間に位置し、前記第２基板に向かって突出している凸部を有している、請求項４乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
前記凸部は、前記有機絶縁層と同じ材料で形成されている、請求項８に記載の表示装置。
前記側面に対向し、前記側面に向かって光を射出する発光素子をさらに備える、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。
画像を表示するための信号を出力する回路をさらに備え、
前記第１配線は、前記回路に接続されている、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。
第１上面と前記第１上面と反対側の第１下面とを有する第１透明基板と、画像を表示する第１領域の周囲の第２領域に複数第１配線とを有する第１基板と、
第２上面と前記第２上面と反対側で前記第１上面と対向する第２下面とを有する第２透明基板と共通電極とを有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持され、筋状のポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、
前記第２領域に位置し、前記第１基板及び前記第２基板を接着しているシール材と、を備え、
前記共通電極は、前記第１領域に重畳し、前記第１配線に重畳していない、表示装置。
前記第１配線は、走査線である、請求項１２に記載の表示装置。
前記シール材は、前記第２領域において、前記第１配線の全体に重畳している、請求項１３又は１４に記載の表示装置。
前記側面に対向し、前記側面に向かって光を射出する発光素子をさらに備える、請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の表示装置。
画像を表示するための信号を出力する回路をさらに備え、
前記第１配線は、前記回路に接続されている、請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の表示装置。