JP4604145B2

JP4604145B2 - Ｉｐｓ液晶ディスプレイ及び輝点の滅点化方法

Info

Publication number: JP4604145B2
Application number: JP2003207988A
Authority: JP
Inventors: 裕宣澤田; 真吾前川; 和由永山
Original assignee: Chimei Innolux Corp; Innolux Corp
Current assignee: Innolux Corp
Priority date: 2003-08-20
Filing date: 2003-08-20
Publication date: 2010-12-22
Anticipated expiration: 2023-08-20
Also published as: TWI241428B; TW200510829A; JP2005062276A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、輝点画素を滅点化可能な構造を持つＩＰＳ液晶ディスプレイ及び当該輝点を滅点化する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
テレビやコンピュータのディスプレイに用いられる液晶ディスプレイの液晶表示方法は種々あり、ＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ）方式、ＧＨ（ｇｕｅｓｔ−ｈｏｓｔ）方式、ＥＣＢ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ−ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）方式等が知られている。これらの液晶表示方法はすべて、印加される電場が液晶層を挟む両基板面に垂直となる対向電極構造をとる。
【０００３】
これに対して広視野角を得るＩＰＳ（Ｉｎ−ＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式では印加電場は基板面に平行であり、横電界方式とも呼ばれる。即ち基板に沿った電場のｏｎ／ｏｆｆにより液晶分子の配列が基板面内で変化し、この特有な分子配列の変化がＴＮ方式等には見られない画期的な広視野角を生む。このＩＰＳ方式の正負両電極は１枚の基板内にあり櫛歯形をしているため、ＩＰＳ方式は古くは櫛歯電極方式とも呼ばれていた。
【０００４】
ＩＰＳ液晶ディスプレイの構造は種々考案されているが、特開平１１−１２５８４０号公報（特許文献１）には、図４に示すような構造のＩＰＳ液晶ディスプレイ２１０が開示されている。図４において、ＩＰＳ液晶ディスプレイ２１０の画素２１１は隣り合うゲート線２１９・２１９と、隣り合うシグナル線２２１・２２１に囲まれる領域に対応する。長方形の画素２１１は、シグナル線２２１・２２１の成す辺の方がゲート線２１９・２１９の成す辺より長くなっている。
【０００５】
ゲート線２１９上にゲート電極を有するＴＦＴ２２３（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のドレイン電極からは、画素電極２０１・２０１が画素２１１の長手方向に伸張して形成される。長手方向に対する中央付近においては、画素電極２０１・２０１に接続され、長手方向に対して垂直な方向に伸張したコンデンサーの一方の電極であるパッド電極２１７が形成されている。又、このコンデンサーのもう一方の電極が、誘電体を介してパッド電極２１７に対向してＣＳ（ＣａｐａｃｉｔａｎｃｅＳｔｒａｇｅ）電極２１５上に形成されている。また、画素電極２０１・２０１の間及びシグナル線２２１と画素電極２０１との間には、CS電極２１５から分岐して共通電極２１３・２１３・２１３が単位画素の長手方向に伸張して形成される。図４に示すように、画素２１１は共通電極２１３によって４つの領域に略分割される。
【０００６】
図５は図４のＡ−Ａ断面図である。一般にＩＰＳ液晶ディスプレイ２１０では、画素電極２０１及び共通電極２１３上に液晶層２２５が形成されている。画素電極２０１に電圧を印加することによって画素電極２０１と共通電極２１３間に電場２２９を発生させる。この電場２２９により液晶層２２５中の液晶分子２２７のアレイ基板と平行なプレチルト角を制御し、表示を行なう。以下便宜のため、本明細書においてＩＰＳ液晶ディスプレイ２１０は、画素電極２０１に電圧を印加しない状態で画素２１１は暗表示となり、電圧を印加した状態で画素２１１が輝点となるノーマリブラック型の液晶ディスプレイとする。
【０００７】
上記ＩＰＳ液晶ディスプレイ２１０の画素２１１は、一方の基板上に画素電極２０１、共通電極２１３、ゲート線２１９、シグナル線２２１、CS電極２１５、スイッチング素子２２３等を形成するため、非常に構造が複雑である。従って画素電極２０１とシグナル線２２１との短絡、ＴＦＴ２２３のゲート電極とドレイン電極の短絡又はソース電極とドレイン電極の短絡等によって輝点画素欠陥が発生することがある。輝点画素欠陥は、液晶ディスプレイの駆動または非駆動時に正常画素と比較して輝度が高くなる欠陥である。輝点画素欠陥は、液晶ディスプレイの表示品質を著しく低下させる。
【０００８】
従って、このような輝点画素を滅点画素にして、画素の欠陥を目立たなくする必要がある。例えば図４（ｂ）のように、ＩＰＳ液晶ディスプレイ２１０の製造中に異物２３１が混入し、画素電極２０１ｂとシグナル線２２１が短絡して輝点画素欠陥が生じたとする。この場合画素２１１全体が輝点画素欠陥となる。しかし画素電極２０１ｂを例えばレーザーを用いて切断すれば、輝点画素欠陥は解消される。また、画素電極２０１に電圧を印加した場合、表示不能領域は画素２１１の右上の領域、即ち共通電極２１３ｂと２１３ｃに挟まれる領域のみとなる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００９】
図６に示すＩＰＳ液晶ディスプレイ１１０は、上記のタイプのＩＰＳ液晶ディスプレイ２１０とはやや異なる構造を有する。画素１１１を山形にすると、液晶分子の配向方向が２方向となり、ディスプレイの視野角がより広がることとなる。
【００１０】
ＩＰＳ液晶ディスプレイ１１０は、絶縁基板の上に互いに平行に形成された複数のゲート線１１９と、ゲート線１１９と絶縁層を介してゲート線１１９と対向して形成された複数の第５共通電極１１４・１１４’と、第５共通電極１１４・１１４’間を接続する第６共通電極１１３ａ・１１３ｃとを含み、隣接する２本の第５共通電極１１４、１１４’と、１つおきに隣り合う２本の第６共通電極１１３ａと１１３ｃとを境界とする領域に形成される画素１１１が、マトリクス状に配列して構成される。
【００１１】
画素１１１は以下の構成を含んで形成される。第６共通電極１１３ａと１１３ｃの間には、図６において第６共通電極１１３ｂが下側の第５共通電極１１４に、第６共通電極１１３ｂ’が上側の第５共通電極１１４’に接続されて、両側の第６共通電極１１３ａ、１１３ｃと平行に形成される。第５共通電極１１４、１１４’間には、第５共通電極１１４・１１４’と平行にCS電極１１５が形成される。また、第６共通電極１１３ａと１１３ｃは画素１１１の中央で第６共通電極１１３ｄで接続される。
【００１２】
更に、第６共通電極１１３ｄとCS電極１１５が重なる位置には、誘電体を介してCS電極１１５と対向してパッド電極１１７が配置され、CS電極１１５を対電極としてコンデンサを形成する。パッド電極１１７には画素電極１０１ａ・１０１ｂ・１０１ｃ・１０１ｄが第６共通電極１１３ａ・１１３ｃと平行に伸張して接続される。絶縁層を介して第６共通電極１１３ａ、１１３ｃと対向してこれと平行にシグナル線１２１が形成され、リペア線１０３が画素電極１０１と対向して平行にパッド電極１１７に接続される。また、ＴＦＴ１２３は、ゲート線１１９をゲート電極とし、ソース電極又はドレイン電極がシグナル線１２１と接続され、ドレイン電極又はソース電極がリペア線１０３と接続される。第６共通電極１１３と画素電極１０１上には、液晶層が積層される。
【００１３】
上記ＩＰＳ液晶ディスプレイ１１０の画素１１１も、ＩＰＳ液晶ディスプレイ２１０の画素２１１と同様に、単位画素は第６共通電極１１３によって４つの領域に略分割される。以下便宜のため、第６共通電極１１３ａと第６共通電極１１３ｂ’に挟まれる領域を領域Ａ、第６共通電極１１３ｂ’と第６共通電極１１３ｃに挟まれる領域を領域Ｂ、第６共通電極１１３ａと第６共通電極１１３ｂに挟まれる領域を領域Ｃとする。また、第６共通電極１１３ｂと画素電極１０１に挟まれる領域を領域Ｄ１、画素電極１０１と第６共通電極１１３ｃに挟まれる領域を領域Ｄ２と定義する。
【００１４】
ＩＰＳ液晶ディスプレイ１１０においては、上記液晶ディスプレイ２１０の両端の第６共通電極２１３に対応する第６共通電極１１３ａ、１１３ｃを、絶縁層を介してシグナル線１２１と重畳して配している。一方図６に示すように、ＩＰＳ液晶ディスプレイ２１０では、シグナル線２２１と画素電極２０１との間にCS電極２１５から分岐して第６共通電極２１３が画素２１１の長手方向に伸張している。従ってＩＰＳ液晶ディスプレイ１１０の構造は、ＩＰＳ液晶ディスプレイ２１０に比べて開口率を高くとることができる。また、リペア線１０３は画素電極１０１ｄと重畳してパッド電極１１７に接続するため、リペア線１０３が画素１１１の開口率を下げることはない。また、画素電極１０１及び第６共通電極１１３は、開口率を低下させないようにＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の透明素材で形成される場合が多い。
【００１５】
上記の画素１１１も、画素２１１と同じように同一基板上に複雑な構造をとるため、製造の際に輝点画素欠陥が発生しやすい。例えばスイッチング素子１２３のゲート電極とドレイン電極の短絡が起こった場合、画素１１１全体は輝点画素となる。この場合、図２（ａ）に示すように、点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３において画素電極１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃをレーザーカットすることによって領域Ａ，Ｂ，Ｃを滅点化することができる。又、Ｐ４で第６共通電極１１３ｂをレーザーカットすることによって、領域Ｄ１も滅点化することができる。
【００１６】
しかし、上述のように、リペア線１０３は画素電極１０１ｄと重畳してパッド電極１１７に接続されるため、点Ｐ５で画素電極１０１ｄをレーザーカットすると、同時にリペア線１０３を破壊してしまう。Ａｌ等の金属で形成されるリペア線１０３を破壊すると、破壊の際に飛散して他の画素１１１の配向不良や電極間の短絡等を引き起こす。そのため点Ｐ５で第６共通電極１１３ｃをレーザーカットすることはできず、領域Ｄ２は輝点として残ることとなる。従って従来技術では、ソース−コンデンサ間配線と重なる櫛歯電極は切断不可能なため、完全な滅点化処理は不可能だった。
【００１７】
一方、リペア線１０３を画素電極１０１ｄと重畳させずにパッド電極１１７に接続すると、リペア線１０３を破損することなく画素電極１０１ｄを切断して領域Ｄ２を滅点化することが可能である。しかしこの場合はリペア線１０３と画素電極１０１ｄの重ならない面積分だけ画素１１１の開口率を下げることとなる。
【００１８】
【特許文献１】
特開平１１−１２５８４０号公報（５〜６頁、図１）
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明は、ＩＰＳ液晶ディスプレイの開口率を減少させることなくディスプレイに生じた輝点画素欠陥を滅点化することが可能なＩＰＳ液晶ディスプレイ、及び当該輝点の滅点化方法を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るＩＰＳ液晶ディスプレイは、絶縁基板と、前記絶縁基板上で第１共通電極に囲まれて形成された画素とを有するＩＰＳ液晶ディスプレイであって、前記画素は、前記第１共通電極と接続されたＣＳ電極と、前記ＣＳ電極と対向するパッド電極と、前記パッド電極から伸張した画素電極と、前記第１共通電極から前記画素電極を挟んで伸張する第２共通電極と、接続部と開口部を有し、前記パッド電極に該接続部で接続されたリペア線と、前記リペア線の開口部と接続されたスイッチング素子と、前記第２共通電極と画素電極の上に積層された液晶と、を含み、前記リペア線は、前記開口部が直線であり、絶縁層を介して前記開口部が前記画素電極と対向して該画素電極と平行に形成され、前記接続部はＬ字形状であり、前記接続部は該画素電極と対向せずに前記パッド電極と接続され、前記画素電極のリペア線と対向しない部分をレーザーでカットできる位置としている。
【００２１】
本発明に係るＩＰＳ液晶ディスプレイは、絶縁基板の上に、互いに平行に形成された複数のゲート線と、前記ゲート線と絶縁層を介して該ゲート線と対向して形成された複数の第３共通電極と、前記複数の第３共通電極間を接続し互いに平行に形成された第４共通電極と、を含み、１つおきに隣接する２本の前記第３共通電極と、１つおきに隣り合う２本の前記第４共通電極とを境界とする領域に形成される画素が複数配列されたＩＰＳ液晶ディスプレイであって、前記画素は、前記ゲート線間に該ゲート線と平行に形成されたＣＳ電極と、前記画素の境界となる２本の第４共通電極間に位置する中央の第４共通電極と前記ＣＳ電極の交差する位置に該ＣＳ電極と対向して形成されたパッド電極と、前記パッド電極に接続して形成され、前記画素の境界となる第４共通電極と中央の第４共通電極間に配置されて該第４共通電極と平行に伸張する画素電極と、前記画素の境界となる第４共通電極と対向して該第４共通電極と平行に形成されたシグナル線と、接続部と開口部からなり、前記パッド電極に該接続部で接続されたリペア線と、前記ゲート線をゲート電極とし、ソース電極が前記シグナル線と接続され、ドレイン電極が前記リペア線の開口部と接続されたスイッチング素子と、前記第４共通電極と画素電極の間に注入された液晶と、を含み、前記リペア線は、前記開口部が直線であり、絶縁層を介して前記開口部が前記画素電極と対向して該画素電極と平行に形成され、前記接続部はＬ字形状であり、前記接続部は該画素電極と対向せずに前記パッド電極と接続され、前記画素電極のリペア線と対向しない部分をレーザーでカットできる位置としている。
【００２２】
本発明に係るＩＰＳ液晶ディスプレイは、前記第３共通電極に接続され、第４共通電極と平行である第２共通電極を備え、前記画素電極と第２共通電極とが入れ子となる櫛歯電極構造であり、両電極の角部近傍が液晶のディスクリネーション発生位置となり、前記リペア線の接続部は前記液晶のディスクリネーション発生位置にの一つ配置されるのが好ましい。
【００２３】
本発明に係るＩＰＳ液晶ディスプレイは、前記画素の境界となる第４共通電極は山形であってよい。
【００２４】
本発明に係る輝点の滅点化方法は、前記リペア線と対向しない画素電極の部分を切断することによりＩＰＳ液晶ディスプレイに生じた輝点を滅点化する。
【００２５】
以下本明細書の発明の実施の形態においては、ＩＰＳ液晶ディスプレイは、画素電極に電圧を印加しない状態で画素が黒く、印加した状態で明るくなるノーマリーブラック方式の液晶ディスプレイとし、又、スイッチング素子は便宜上ＴＦＴとするが、本発明に係るＩＰＳ液晶ディスプレイを限定するものではない。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態に係るＩＰＳ液晶ディスプレイは図１に示すように、絶縁基板の上に互いに平行に形成された複数のゲート線１９と、ゲート線１９と絶縁層を介してこれと対向して形成された第１共通電極１４、１４’と、第１共通電極１４、１４’間を接続する第２共通電極１３ａ，１３ｃとを含み、第１共通電極１４、１４’と第２共通電極１３ａ，１３ｃで囲まれる領域に画素１１が形成される。第２共通電極１３ａ，１３ｃは、例えば従来例で説明した山形であり得る。また、第２共通電極１３ａ，１３ｃは画素１１の略中央の山頂の部分で第２共通電極１３ｄにより接続されてよい。
【００２７】
画素１１内には、第１共通電極１４、１４’間の例えば画素１１の略中央にこれと平行にCS電極１５が形成される。第２共通電極１３ａ，１３ｃ間で第１共通電極１４、１４’から第２共通電極１３ａ，１３ｃと平行に中央の第２共通電極１３ｂ、１３ｂ’が各々伸張する。又、CS電極１５の上方にCS電極１５と対向してパッド電極１７が形成され、CS電極１５とパッド電極１７はコンデンサーを形成する。更にパッド電極１７からは画素電極１ａ，１ｂ、１ｃ、１ｄがそれぞれ第２共通電極１３ａ，１３ｃと平行に伸張する。画素電極１ａ，１ｂ、１ｃ、１ｄ及び第２共通電極１３ａ、１３ｂ、１３ｂ’、１３ｄは、例えばＩＴＯ等で形成される透明電極である。
【００２８】
また、画素１１内には、第２共通電極１３ａ，１３ｃと対向してこれと平行にシグナル線２１が形成される。例えばＬ字型の接続部５と直線の開口部７とから構成されるリペア線３が接続部５でパッド電極１７に接続される。更にゲート線１９をゲート電極とし、ソース電極又はドレイン電極がシグナル線２１と接続され、ドレイン電極又はソース電極がリペア線３の開口部７と接続されたＴＦＴ２３が形成され、第２共通電極と画素電極上に液晶層が形成される。シグナル線２１及びリペア線３は、例えばＡｌ等の導体金属で形成される。
【００２９】
本発明のＩＰＳ液晶ディスプレイでは、リペア線３の開口部７が画素電極１３ｂと対向してこれと平行に配置され、接続部５は例えばＬ字型となっているため、画素電極１３ｂと対向しない位置でパッド電極１７と接続される。従って図２（ｂ）に示すように、Ｐ５の位置でリペア線３を破壊することなく画素電極１をカットすることができる。
【００３０】
即ち、上述のように画素電極１とシグナル線２１との短絡、スイッチング素子２３のゲート電極とドレイン電極の短絡又はソース電極とドレイン電極の短絡等が起こった場合、画素１１全体は輝点画素となる。本実施形態の場合図２（ｂ）に示すように、画素電極１ａ，１ｂ，１ｃを点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３において例えばレーザーにより切断することよって領域Ａ，Ｂ，Ｃを滅点化することができるのは上記例と同様である。しかし本実施形態のＩＰＳ液晶ディスプレイでは、リペア線３の接続部５がパッド電極１７の近傍で画素電極１３ｂと重ならずにパッド電極１７と接続されるため、画素電極１ｄのみをレーザーカットすることができる。図２（ｃ）にレーザーカットするＰ５近傍の拡大図を示す。
【００３１】
従って、リペア線３を破壊することなく領域Ｄ１及びＤ２を同時に滅点化することができる。リペア線３を破壊しないので、従来画素電極１ｄのレーザーカットの際に生じたリペア線３の破片の飛散による他の画素１１の配向不良や電極間の短絡等を回避することができる。
【００３２】
しかし上述のようにリペア線３の接続を図２（ｃ）のように画素電極１３ｂと重ならないように配置すると、開口率が低下する。開口率が低下すると液晶ディスプレイに必要とされる輝度を得るのが困難となる。
【００３３】
一方、上述のようにＩＰＳ液晶ディスプレイでは印加電場は基板面に平行であり、電場のｏｎ／ｏｆｆにより液晶分子の配向が基板面内で変化する。しかし液晶分子の配向は、電極との境界電極近傍で配向欠陥の一種であるディスクリネーションを発生しやすい。
【００３４】
図３は図２（ｂ）の山形のＩＰＳ液晶ディスプレイ１０における画素電極１の領域Ｃ及びＤ１の拡大図である。ディスクリネ−ションを説明するため、図３ではリペア線３の接続部５は表示せず、画素電極１及び第２共通電極１３及び液晶分子２７のみ表示する。画素電極１と第２共通電極１３間に電圧を印加すると、大部分の液晶分子は例えば左矢印方向に回転して一方向に配向する。しかし画素電極１の図３右上の位置では他の領域とは別方向に電圧がかかり、他の液晶分子とは方向の揃わない液晶分子２７が生じる。
【００３５】
このように山形のＩＰＳ液晶ディスプレイ１０では、構造上領域Ｄ１のパッド電極１７と画素電極１の接続部５付近にディスクリネ−ションが発生して輝度を生じない領域ができやすい。従って上述のようにリペア線３の接続部５を図２（ｃ）のようにディスクリネ−ションの発生する位置に配置すると、見かけ上開口率は低下するが輝度の低下は回避することができる。
【００３６】
以上のように本発明の山形のＩＰＳ液晶ディスプレイ１０は、リペア線３を画素電極１ｄと対向させずにパッド電極１７に接続し、接続部５をＬ字型としてディスクリネ−ション発生位置に配置した。このため開口率を実質低下させることなく画素電極１ｄを例えばレーザーカットして、画素１１の全領域を滅点化することができる。
【００３７】
ここで本発明のＩＰＳ液晶ディスプレイ１０の画素１１の形状は図１の山形の形状に限定されない。画素電極と第２共通電極が入れ子となる櫛歯電極構造では、一般に電極の角部近傍で液晶中にディスクリネ−ションを発生じ易い。従って本発明に係るＩＰＳ液晶ディスプレイ１０の画素１１自身の形状は四角形、三角形その他の多角形状であり得る。
【００３８】
本発明のＩＰＳ液晶ディスプレイ１０の画素１１は、リペア線３の開口部７が画素電極１ｄと対向し、接続部５が画素電極１ｄと対向せずにパッド電極１７に接続され、かつ接続部５が液晶のディスクリネ−ション発生位置に配されれば、大きさ、形状、材質その他の限定を特に受けない。また、上記実施形態において接続部５はＬ字型であったが、接続部５は開口部７とパッド電極１７を接続しディスクリネ−ション発生位置に配されれば形状は限定されない。接続部５はＵ字型、Ｖ字型、弧型その他のあらゆる形状であり得る。
【００３９】
本発明のＩＰＳ液晶ディスプレイ１０において電極間に電圧を印加するスイッチング素子はTFTに限定されず、その他手段で置き換えてもよい。また、画素電極及び共通電極はITO透明電極に限らず、その他の材料で形成されてもよい。
【００４０】
また、本発明に係る輝点の滅点化方法において、切断方法はレーザー照射によるレーザ−カットに限定されない。
【００４１】
その他、本発明は、その主旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々の改良、修正、変更を加えた態様で実施できるものである。
【００４２】
【発明の効果】
本発明のＩＰＳ液晶ディスプレイは、通常重ね合わせて配線しているソース又はドレイン−コンデンサ電極（本明細書においてパッド電極１７）間の配線（本明細書においてリペア線３）と櫛歯電極ＩＴＯ（本明細書において画素電極１）を、コンデンサ電極に近いところで一部重ならないように配置した。そのため画素１１が輝点画素欠陥となった場合、リペア線３を破損することなく例えばＩＴＯ電極である画素電極１を切断することができる。従って画素１１の輝点画素欠陥を、画素１１の全領域で滅点化処理することができる。
【００４３】
また、本発明のＩＰＳ液晶ディスプレイは、画素電極１と一部重ならないリペア線３のパッド電極１７との接続部５が液晶のディスクリネ−ション発生位置に配置される。そのため本発明のＩＰＳ液晶ディスプレイの滅点化方法は、リペア線３の接続部５は画素１１の開口率を低下させることなく従来滅点化処理が不可能だった領域の滅点化を可能とし、点欠規格外品の救済に貢献する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る櫛歯型のＩＰＳ液晶ディスプレイの平面図。
【図２】（ａ）従来の櫛歯型のＩＰＳ液晶ディスプレイの平面図。画素における滅点化可能領域を表す。
（ｂ）本発明の櫛歯型のＩＰＳ液晶ディスプレイの平面図。画素における滅点化可能領域を表す。
（ｃ）図２（ｂ）におけるリペア線とパッド電極の接続部の拡大図。
【図３】本発明の櫛歯型のＩＰＳ液晶ディスプレイにおける液晶のディスクリネ−ションをあらわす概略図。
【図４】（ａ）従来の櫛歯型のＩＰＳ液晶ディスプレイの平面図。
（ｂ）異物が混入した従来の櫛歯型のＩＰＳ液晶ディスプレイの平面図。
【図５】図４（ａ）のＡ−Ａ断面図。
【図６】従来の櫛歯型のＩＰＳ液晶ディスプレイの平面図。
【コードの説明】
１、１０１、２０１：画素電極
３：リペア線
５：接続部
７：開口部
１０、１１０、２１０：ＩＰＳ液晶ディスプレイ
１１、１１１，２１１：画素
１３：第２共通電極
１４：第１共通電極
１５、１１５、２１５：CS電極
１７、１１７、２１７：パッド電極
１９、１１９、２１９：ゲート線
２１、１２１、２２１：シグナル線
２３、１２３、２２３：ＴＦＴ
２７、１２７、２２７：液晶分子
１１３：第６共通電極
１１４、１１４’：第５共通電極
２１３：共通電極
２２５：液晶層
２２９：電場
２３１：異物

Claims

絶縁基板と、
前記絶縁基板上で第１共通電極に囲まれて形成された画素とを有する
ＩＰＳ液晶ディスプレイであって、
前記画素は、
前記第１共通電極と接続されたＣＳ電極と、
前記ＣＳ電極と対向するパッド電極と、
前記パッド電極から伸張した画素電極と、
前記第１共通電極から前記画素電極を挟んで伸張する第２共通電極と、
接続部と開口部を有し、前記パッド電極に該接続部で接続されたリペア線と、
前記リペア線の開口部と接続されたスイッチング素子と、
前記第２共通電極と画素電極の上に積層された液晶と、を含み、
前記リペア線は、
前記開口部が直線であり、絶縁層を介して前記開口部が前記画素電極と対向して該画素電極と平行に形成され、
前記接続部はＬ字形状であり、前記接続部は該画素電極と対向せずに前記パッド電極と接続され、
前記画素電極のリペア線と対向しない部分をレーザーでカットできる位置とした、
ＩＰＳ液晶ディスプレイ。
絶縁基板の上に、互いに平行に形成された複数のゲート線と、前記ゲート線と絶縁層を介して該ゲート線と対向して形成された複数の第３共通電極と、前記複数の第３共通電極間を接続し互いに平行に形成された第４共通電極と、を含み、
１つおきに隣接する２本の前記第３共通電極と、１つおきに隣り合う２本の前記第４共通電極とを境界とする領域に形成される画素が複数配列されたＩＰＳ液晶ディスプレイであって、
前記画素は、
前記ゲート線間に該ゲート線と平行に形成されたＣＳ電極と、
前記画素の境界となる２本の第４共通電極間に位置する中央の第４共通電極と前記ＣＳ電極の交差する位置に該ＣＳ電極と対向して形成されたパッド電極と、
前記パッド電極に接続して形成され、前記画素の境界となる第４共通電極と中央の第４共通電極間に配置されて該第４共通電極と平行に伸張する画素電極と、
前記画素の境界となる第４共通電極と対向して該第４共通電極と平行に形成されたシグナル線と、
接続部と開口部からなり、前記パッド電極に該接続部で接続されたリペア線と、
前記ゲート線をゲート電極とし、ソース電極が前記シグナル線と接続され、ドレイン電極が前記リペア線の開口部と接続されたスイッチング素子と、
前記第４共通電極と画素電極の間に注入された液晶と、
を含み、
前記リペア線は、
前記開口部が直線であり、絶縁層を介して前記開口部が前記画素電極と対向して該画素電極と平行に形成され、
前記接続部はＬ字形状であり、前記接続部は該画素電極と対向せずに前記パッド電極と接続され、
前記画素電極のリペア線と対向しない部分をレーザーでカットできる位置とした、
ＩＰＳ液晶ディスプレイ。
前記第３共通電極に接続され、第４共通電極と平行である第２共通電極を備え、前記画素電極と第２共通電極とが入れ子となる櫛歯電極構造であり、両電極の角部近傍が液晶のディスクリネーション発生位置となり、
前記リペア線の接続部は前記液晶のディスクリネーション発生位置にの一つ配置された請求項１又は請求項２に記載のＩＰＳ液晶ディスプレイ。
前記画素の境界となる第４共通電極は山形である請求項２又は請求項３に記載のＩＰＳ液晶ディスプレイ。
前記リペア線と対向しない画素電極の部分を切断することにより請求項１乃至請求項４に記載のＩＰＳ液晶ディスプレイに生じた輝点を滅点化する、輝点の滅点化方法。