CN202421682U - 一种阵列基板及液晶显示器 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种阵列基板及液晶显示器，其中基板包括：栅线和数据线，栅线和数据线限定的子像素区域内覆盖有第一透明电极和第二透明电极，栅线和栅电极连接，数据线与源电极连接；第二透明电极的处于所述子像素区域底部的第一位置具有相对于水平方向的第一倾斜角度，第二位置具有相对于水平方向的第二倾斜角度，第三位置具有相对于水平方向的第三倾斜角度。该方案可以减小暗态时液晶分子的漏光。

Description

一种阵列基板及液晶显示器
技术领域
本实用新型涉及液晶显示技术领域，特别是指一种阵列基板及液晶显示器。
背景技术
AD-SDS(Advanced Super Dimension Switch)，简称ADS，即高级超维场开关技术，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(Push Mura)等优点。
现有的3.5inch单畴的ADS模式的产品在暗态的时候出现较明显的漏光。
3.5inch单畴的ADS模式下的产品，其rubbing方向为97度。所以在L0的时候液晶分子大部分以rubbing的方向进行排列，能达到较好的暗态。而像素的周边由于数据线(data)相连的源电极、栅线(gate)连接的栅电极等电极的存在，在这些电极之间会产生较复杂的电场。在这些电场的影响下，像素边缘处的液晶分子将按照电场方向排列，而不是rubbing的方向排列。所以在这些位置处会产生漏光。
如果将黑矩阵(BM)的面积变大，则因为液晶分子偏离rubbing方向而产生的漏光会减少。但同时也损失了开口率，从而影响透过率和对比度。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种阵列基板及液晶显示器，通过改变漏光位置处的第二ITO(ITO的中文全称是：氧化铟锡透明导电膜或者透明电极)和栅线的形状，以及栅线和第二ITO的距离，达到改善电场的方向，改善暗态时液晶分子排列的情况，从而改善暗态漏光。
为解决上述技术问题，本实用新的实施例提供一种阵列基板，包括：栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定的子像素区域内覆盖有第一透明电极和第二透明电极，所述栅线和栅电极连接，所述数据线与源电极连接；
所述第二透明电极的处于所述子像素区域底部的第一位置具有相对于水平方向的第一倾斜角度，第二位置具有相对于水平方向的第二倾斜角度，第三位置具有相对于水平方向的第三倾斜角度；其中，所述第一倾斜角度使所述第二透明电极在其第一位置处的电场方向与摩擦方向的偏差小于第一预设角度，所述第二倾斜角度使所述第二透明电极在其第二位置处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第二预设角度，所述第三倾斜角度使所述第二透明电极在其第三位置处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第三预设角度。
其中，所述栅线的处于所述子像素区域底部的第一位置具有相对于水平方向的第四倾斜角度，第二位置具有相对水平方向的第五倾斜角度，第三位置具有相对于水平方向的第六倾斜角度；其中，所述第四倾斜角度使所述栅线在其第一位置处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第四预设角度，所述第五倾斜角度使所述栅线在其第二位置处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第五预设角度，所述第六倾斜角度使所述栅线在其第三位置处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第六预设角度。
其中，所述第二透明电极的所述第一倾斜角度为20～40度。
其中，所述第二透明电极的所述第二倾斜角度为7度。
其中，所述第二透明电极的所述第三倾斜角度为40～80度。
其中，所述栅线的所述第四倾斜角度为40～80度。
其中，所述栅线的所述第五倾斜角度为20～50度。
其中，所述栅线的所述第六倾斜角度为83度。
本实用新型的实施例还提供一种液晶显示器，包括彩膜基板，液晶层，还包括如上所述的阵列基板，所述阵列基板与所述彩膜基板相对设置，所述液晶层位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间。
本实用新型的上述技术方案的有益效果如下：
上述方案中，通过改变漏光位置处的第二透明电极和栅线的相关位置的角度，以及栅线和第二透明电极的距离，达到改善电场的方向，改善暗态时液晶分子排列的情况，从而改善暗态漏光。
附图说明
图1为本实用新型的阵列基板的俯视图；
[主要元件符号说明]
11：第一透明电极    12：第二透明电极    13：栅线    14：数据线
15：黑矩阵  21：第二透明电极的第一位置   22：第二透明电极的第二位置
23：第二透明电极的第三位置   24：栅线的第一位置
25：栅线的第二位置   26：栅线的第三位置
具体实施方式
为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
如图1所示，本实用新型的实施例阵列基板，包括：栅线13(Gate)和数据线(Data)14，所述栅线13和所述数据线14限定的子像素区域内覆盖有第一透明电极(如第一ITO)11和第二透明电极(如第二ITO)12，所述栅线13和栅电极(图中未示出该栅电极)连接，所述数据线14与源电极(图中未示出该源电极)连接；其中，
所述第二透明电极12的处于所述子像素区域底部的第一位置21具有相对于水平方向的第一倾斜角度，所述第二透明电极12的处于所述子像素区域底部的第二位置22具有相对于水平方向的第二倾斜角度，所述第二透明电极12的处于所述子像素区域底部的第三位置23具有相对于水平方向的第三倾斜角度；其中，所述第一倾斜角度使所述第二透明电极12在其第一位置21处的电场方向与摩擦方向的偏差小于第一预设角度(其中，该第一预设角度可以是接近于0的一个角度，也就是说，使所述第二透明电极12在其第一位置21处的电场方向与摩擦方向相近或者相同)，所述第二倾斜角度使所述第二透明电极在其第二位置22处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第二预设角度(其中，该第二预设角度可以是接近于0的一个角度，也就是说，使所述第二透明电极12在其第二位置22处的电场方向与摩擦方向相近或者相同)，所述第三倾斜角度使所述第二透明电极12在其第三位置23处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第三预设角度(其中，该第三预设角度可以是接近于0的一个角度，也就是说，使所述第二透明电极12在其第三位置23处的电场方向与摩擦方向相近或者相同)；
进一步地，所述栅线13的处于所述子像素区域底部第一位置24具有相对于水平方向的第四倾斜角度，所述栅线13的处于所述子像素区域底部第二位置25具有相对水平方向的第五倾斜角度，所述栅线13的处于所述子像素区域底部第三位置26具有相对于水平方向的第六倾斜角度；其中，所述第四倾斜角度使所述栅线13在其第一位置24处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第四预设角度(其中，该第四预设角度可以是接近于0的一个角度，也就是说，使所述栅线13在其第一位置24处的电场方向与摩擦方向相近或者相同)，所述第五倾斜角度使所述栅线13在其第二位置25处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第五预设角度(其中，该第五预设角度可以是接近于0的一个角度，也就是说，使所述栅线13在其第二位置25处的电场方向与摩擦方向相近或者相同)，所述第六倾斜角度使所述栅线13在其第三位置处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第六预设角度(其中，该第六预设角度可以是接近于0的一个角度，也就是说，使所述栅线13在其第三位置26处的电场方向与摩擦方向相近或者相同)。
优选的，上述实施例中，阵列基板还包括有置于子像素区域间的黑矩阵15；
其中，所述第二透明电极12的第一位置21的相对于水平方向(如平面坐标系的X方向)的第一倾斜角度为20～40度；目的是使暗态的液晶分子按照接近于摩擦(rubbing)的方向排列。
其中，所述第一位置21的所述第二透明电极12的长度为20μm，当然不同的液晶显示面板，该第一位置21的所述第二透明电极的长度也可以是其它数值，该第一位置21的第二透明电极12设置为20μm，可以使该第一位置处的电场方向趋近于rubbing方向，最终使该第一位置处的液晶分子的排列按照该电场方向排列。
其中，所述第二透明电极12的第二位置22的相对于水平方向(如平面坐标系的X方向)的第二倾斜角度为7度，从而使得此处的电场方向发生改变，使其接近摩擦(rubbing)的方向。
其中，所述第二位置22的所述第二透明电极12的向下拉升的长度为3μm，使得在黑矩阵15边缘的电场减小，当然该第二位置22的所述第二透明电极12的向下拉升的长度在不同的液晶面板中，可以有不同的向下拉升长度，目的同样是使得在黑矩阵15边缘的电场减小。
其中，所述第二透明电极12的第三位置23的相对于水平方向(如平面坐标系的X方向)的第三倾斜角度为40～80度，使得此处的电场方向发生改变，使其接近摩擦(rubbing)的方向。
其中，所述栅线13的第一位置24的相对于水平方向的第四倾斜角度为40～80度，从而使得此处的电场方向发生改变，使其接近摩擦取向的方向。
其中，所述栅线13的第二位置25的相对水平方向的第五倾斜角度为20～50度，从而使得此处的电场方向发生改变，使其接近摩擦取向的方向。
其中，所述栅线13的第三位置26的相对于水平方向的第六倾斜角度为83度，从而使得此处的电场方向发生改变，使其接近摩擦取向的方向。
本实用新型的实施例还提供一种液晶显示器，包括如上所述的阵列基板以及与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，以及位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层。
在显示器处于工作状态时，栅线13的电压为--8V和+20V的脉冲信号。第一透明电极为一个持续的DC电压，第二透明电极为随数据线14的电压变化的脉冲信号。所以栅线13和第一透明电极11之间，栅线13和第二透明电极12之间，第一透明电极11和第二透明电极12之间会产生较复杂的电场；现有技术中，在黑矩阵边缘附近液晶分子的排列不是完全按照摩擦取向(rubbing)的方向，而是有一定的偏转。所以在液晶发生偏转的地方产生了漏光。
而本实用新型的上述实施例中的其它部分，如阵列基板的漏电极、钝化层等与现有技术中相同，在此不再赘述；本实用新型的上述实施例通过在子像素区域的底部的第二透明电极12以及栅线13的形状发生改变，具体是上述各自的相应位置处发生一倾斜角度，使得在黑矩阵15的边缘处的电场方向与rubbing方向一致或者接近一致，从而使液晶分子在原有漏光处的排列能够按照rubbing的方向排列，所以漏光减少。
以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.一种阵列基板，包括：栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定的子像素区域内覆盖有第一透明电极和第二透明电极，所述栅线和栅电极连接，所述数据线与源电极连接；其特征在于，
所述第二透明电极的处于所述子像素区域底部的第一位置具有相对于水平方向的第一倾斜角度，第二位置具有相对于水平方向的第二倾斜角度，第三位置具有相对于水平方向的第三倾斜角度；其中，所述第一倾斜角度使所述第二透明电极在其第一位置处的电场方向与摩擦方向的偏差小于第一预设角度，所述第二倾斜角度使所述第二透明电极在其第二位置处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第二预设角度，所述第三倾斜角度使所述第二透明电极在其第三位置处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第三预设角度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线的处于所述子像素区域底部的第一位置具有相对于水平方向的第四倾斜角度，第二位置具有相对水平方向的第五倾斜角度，第三位置具有相对于水平方向的第六倾斜角度；其中，所述第四倾斜角度使所述栅线在其第一位置处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第四预设角度，所述第五倾斜角度使所述栅线在其第二位置处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第五预设角度，所述第六倾斜角度使所述栅线在其第三位置处的电场方向与所述摩擦方向的偏差小于第六预设角度。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二透明电极的所述第一倾斜角度为20~40度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二透明电极的所述第二倾斜角度为7度。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二透明电极的所述第三倾斜角度为40~80度。
6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线的所述第四倾斜角度为40~80度。
7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线的所述第五 倾斜角度为20~50度。
8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线的所述第六倾斜角度为83度。
9.一种液晶显示器，包括彩膜基板，液晶层，其特征在于，还包括如权利要求1－8任一项所述的阵列基板，所述阵列基板与所述彩膜基板相对设置，所述液晶层位于所述彩膜基板与所述阵列基板之间。 
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