CN103323988A - 透明电极、阵列基板和液晶显示装置 - Google Patents

透明电极、阵列基板和液晶显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种透明电极、阵列基板和液晶显示装置，涉及液晶显示技术领域，提高了液晶显示面板的透过率。一种透明电极，包括相邻的第一畴显示区域和第二畴显示区域，透明电极在第一畴显示区域和第二畴显示区域中设置有镂空结构，使透明电极在第一畴显示区域和第二畴显示区域中分别具有不同方向的狭缝，透明电极在第一畴显示区域和第二畴显示区域的交界处设置有镂空结构，所述交界处的镂空结构与第一畴显示区域和第二畴显示区域中的镂空结构相结合形成不同方向的狭缝。一种阵列基板，包括像素电极和公共电极，像素电极或公共电极包括多个上述的透明电极，每个透明电极对应一个子像素。一种液晶显示装置，包括上述的阵列基板。

Description

透明电极、阵列基板和液晶显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种透明电极、阵列基板和液晶显示装置。
背景技术
高级超维场开关(Advanced-Super Dimensional Switching，简称ADS)模式是平面电场宽视角核心技术，具体为通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率。
现有技术应用ADS模式的液晶显示面板的阵列基板中，每个子像素对应一个透明电极，如图1所示，该透明电极1包括相邻的第一畴显示区域11和第二畴显示区域12，在第一畴显示区域11和第二畴显示区域12中设置有镂空结构，使该透明电极1在第一畴显示区域11和第二畴显示区域12分别具有不同方向的狭缝2，即形成上述的狭缝电极。然而，现有技术中应用ADS模式的液晶显示面板由于透明电极中相邻的两个筹区间的电极为一整块结构，从而导致该处的液晶排列不规则，使得现有技术中显示面板的透过率较低。
发明内容
本发明提供一种透明电极、阵列基板和液晶显示装置，提高了液晶显示面板的透过率。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一方面，提供了一种透明电极，包括相邻的第一畴显示区域和第二畴显示区域，所述透明电极在所述第一畴显示区域和第二畴显示区域中设置有镂空结构，使所述透明电极在所述第一畴显示区域和第二畴显示区域中分别具有不同方向的狭缝，
所述透明电极在所述第一畴显示区域和第二畴显示区域的交界处设置有镂空结构，所述交界处的镂空结构与所述第一畴显示区域和第二畴显示区域中的镂空结构相结合形成不同方向的狭缝。
具体地，所述透明电极为像素电极或公共电极。
进一步地，在所述透明电极的宽度方向上，所述透明电极任意一侧的边缘与同一侧的狭缝边缘之间的距离小于4.1μm。
优选地，在所述透明电极的宽度方向上，所述透明电极任意一侧的边缘与同一侧的狭缝边缘之间的距离等于3.5μm。
优选地，所述透明电极为氧化铟锡。
另一方面，提供了一种阵列基板，包括像素电极和公共电极，所述像素电极或公共电极包括多个上述的透明电极，每个所述透明电极对应一个子像素。
另一方面，提供一种液晶显示装置，包括上述的阵列基板。
本发明提供的透明电极、阵列基板和液晶显示装置，将相邻的两畴显示区域交界处的透明电极设置为镂空结构并与两畴显示区域中的镂空结构相结合形成不同方向的狭缝，使相邻的两畴显示区域中不同方向的狭缝更紧密的结合，使不规则排列的液晶区域面积缩小，从而提高了液晶显示面板的透过率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种透明电极的结构示意图；
图2为本发明实施例中一种透明电极的结构示意图；
图3为图2中A处的局部放大示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图2所示，本发明实施例提供了一种透明电极1，包括相邻的第一畴显示区域11和第二畴显示区域12，该透明电极在第一畴显示区域11和第二畴显示区域12中设置有镂空结构，使该透明电极在第一畴显示区域11和第二畴显示区域12中分别具有不同方向的狭缝2，该透明电极1在第一畴显示区域11和第二畴显示区域12的交界处设置有镂空结构，上述交界处的镂空结构与第一畴显示区域11和第二畴显示区域12中的镂空结构相结合形成不同方向的狭缝，图2中的空白区域为镂空结构。
上述透明电极具体可以由氧化铟锡（Indium Tin Oxides，ITO）等透明导电材料制成。
如图1所示，现有技术中相邻的两畴显示区域交界处为一块完整的透明电极，因此该处的液晶呈不规则排列。本实施例中的透明电极，将相邻的两畴显示区域交界处的透明电极设置为镂空结构并与两畴显示区域中的镂空结构相结合形成不同方向的狭缝，使相邻的两畴显示区域中不同方向的狭缝更紧密的结合，使不规则排列的液晶区域面积缩小，从而提高了液晶显示面板的透过率。
具体地，上述透明电极可以为像素电极或公共电极。
如图3所示，进一步地，在该透明电极1的宽度方向上，透明电极1任意一侧的边缘与同一侧的狭缝2边缘之间的距离L小于4.1μm，由于工艺限制，L通常大于2.9μm。
优选地，在该透明电极1的宽度方向上，透明电极1任意一侧的边缘与同一侧的狭缝2边缘之间的距离L等于3.5μm。
通过测试，本实施例中的透明电极在保持原有显示特性的前提下，透过率提升3%～5%。
需要说明的是，图2中只示意了每个透明电极包括两畴显示区域的结构示意，实际也可能包括更多畴显示区域，同样可以应用本发明实施例中的透明电极，只要相邻的两畴显示区域交界处设置为镂空结构即可。
本实施例中的透明电极，将相邻的两畴显示区域交界处的透明电极设置为镂空结构并与两畴显示区域中的镂空结构相结合形成不同方向的狭缝，使相邻的两畴显示区域中不同方向的狭缝更紧密的结合，使不规则排列的液晶区域缩小，从而提高了液晶显示面板的透过率。另外，通过将透明电极边缘宽度变窄，减少了子像素与子像素之间不规则排列的液晶区域面积，从而进一步提高了液晶显示面板的透过率。
本发明实施例还提供一种阵列基板，包括像素电极和公共电极，该像素电极或公共电极包括多个上述的透明电极，每个透明电极对应一个子像素。当像素电极为包括多个上述的透明电极以形成狭缝电极时，则公共电极为板状电极；当公共电极包括多个上述的透明电极以形成狭缝电极时，则像素电极为板状电极。
需要说明的是，该透明电极的具体结构和原理与上述实施例相同，在此不再赘述。该阵列基板适用于各种应用狭缝电极的显示装置中，例如采用ADS模式的液晶显示面板，针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。
本实施例中的阵列基板，将相邻的两畴显示区域交界处的透明电极设置为镂空结构并与两畴显示区域中的镂空结构相结合形成不同方向的狭缝，使相邻的两畴显示区域中不同方向的狭缝更紧密的结合，使不规则排列的液晶区域面积缩小，从而提高了液晶显示面板的透过率。
本发明实施例还提供一种液晶显示装置，包括上述的阵列基板。
该阵列基板的具体结构和原理与上述实施例相同，在此不再赘述。该液晶显示装置具体可以为：液晶面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例中的液晶显示装置，将相邻的两畴显示区域交界处的透明电极设置为镂空结构并与两畴显示区域中的镂空结构相结合形成不同方向的狭缝，使相邻的两畴显示区域中不同方向的狭缝更紧密的结合，使不规则排列的液晶区域面积缩小，从而提高了液晶显示面板的透过率。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种透明电极，包括相邻的第一畴显示区域和第二畴显示区域，所述透明电极在所述第一畴显示区域和第二畴显示区域中设置有镂空结构，使所述透明电极在所述第一畴显示区域和第二畴显示区域中分别具有不同方向的狭缝，其特征在于，
所述透明电极在所述第一畴显示区域和第二畴显示区域的交界处设置有镂空结构，所述交界处的镂空结构与所述第一畴显示区域和第二畴显示区域中的镂空结构相结合形成不同方向的狭缝。
2.根据权利要求1所述的透明电极，其特征在于，
所述透明电极为像素电极或公共电极。
3.根据权利要求1所述的透明电极，其特征在于，
在所述透明电极的宽度方向上，所述透明电极任意一侧的边缘与同一侧的狭缝边缘之间的距离小于4.1μm。
4.根据权利要求3所述的透明电极，其特征在于，
在所述透明电极的宽度方向上，所述透明电极任意一侧的边缘与同一侧的狭缝边缘之间的距离等于3.5μm。
5.根据权利要求1所述的透明电极，其特征在于，所述透明电极为氧化铟锡。
6.一种阵列基板，包括像素电极和公共电极，其特征在于，所述像素电极或公共电极包括多个如权利要求1至5中任意一项所述的透明电极，每个所述透明电极对应一个子像素。
7.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的阵列基板。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014206005A1 (zh) * 2013-06-27 2014-12-31 京东方科技集团股份有限公司 透明电极、阵列基板和液晶显示装置
WO2017059825A1 (en) * 2015-10-10 2017-04-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and semiconductor device containing the same, and method for fabricating the same
US9965087B2 (en) 2015-05-08 2018-05-08 Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Touch array substrate, liquid crystal display panel and liquid crystal display device
US10108039B2 (en) 2015-05-08 2018-10-23 Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Touch array substrate, liquid crystal display panel and liquid crystal display device
CN113991032A (zh) * 2021-10-28 2022-01-28 湖南恒显坤光电科技有限公司 一种新型透明oled器件
CN115561937A (zh) * 2022-09-29 2023-01-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI614556B (zh) * 2016-04-28 2018-02-11 群創光電股份有限公司 電晶體基板及使用此電晶體基板所製得之顯示裝置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101097333A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
US20090185125A1 (en) * 2008-01-22 2009-07-23 Yoshito Hida Liquid crystal display device
JP2009223099A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Epson Imaging Devices Corp 液晶装置及び電子機器
CN102629060A (zh) * 2012-02-22 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN203287663U (zh) * 2013-06-27 2013-11-13 京东方科技集团股份有限公司 透明电极、阵列基板和液晶显示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100482720B1 (ko) * 2000-03-21 2005-04-13 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정 표시 장치
TWI388909B (zh) * 2008-06-11 2013-03-11 Chimei Innolux Corp 薄膜電晶體陣列基板及其應用與製造方法
CN103323988B (zh) 2013-06-27 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 透明电极、阵列基板和液晶显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101097333A (zh) * 2006-06-30 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
US20090185125A1 (en) * 2008-01-22 2009-07-23 Yoshito Hida Liquid crystal display device
JP2009223099A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Epson Imaging Devices Corp 液晶装置及び電子機器
CN102629060A (zh) * 2012-02-22 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN203287663U (zh) * 2013-06-27 2013-11-13 京东方科技集团股份有限公司 透明电极、阵列基板和液晶显示装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014206005A1 (zh) * 2013-06-27 2014-12-31 京东方科技集团股份有限公司 透明电极、阵列基板和液晶显示装置
US9395588B2 (en) 2013-06-27 2016-07-19 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Transparent electrode, array substrate and liquid crystal display device
US9965087B2 (en) 2015-05-08 2018-05-08 Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Touch array substrate, liquid crystal display panel and liquid crystal display device
US10108039B2 (en) 2015-05-08 2018-10-23 Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Touch array substrate, liquid crystal display panel and liquid crystal display device
WO2017059825A1 (en) * 2015-10-10 2017-04-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and semiconductor device containing the same, and method for fabricating the same
US10048559B2 (en) 2015-10-10 2018-08-14 Boe Technology Group Co., Ltd Array substrate and semiconductor device containing the same, and method for fabricating the same
CN113991032A (zh) * 2021-10-28 2022-01-28 湖南恒显坤光电科技有限公司 一种新型透明oled器件
CN115561937A (zh) * 2022-09-29 2023-01-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置

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Publication number Publication date
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