JP2009237233A - 液晶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】共通電極41の開口部41aは、画素電極11の各々の中央部11cから両側の端部11eの内側へ向けて延びる第一直線部411と、第一直線部411の両側の端部411eから画素電極11の形成領域の外側に延びる第二直線部412と、により形成され、第一直線部411及び第二直線部412は、初期配向方向Dから回転方向RDとは逆回転方向RIに鋭角θ1,θ2をなし、第二直線部412が初期配向方向Dとなす鋭角θ2が、第一直線部411が初期配向方向Dとなす鋭角θ1よりも大きいことを特徴とする。
【選択図】図4
Description
リバースチルトドメインRでは、電界Eが発生したときに液晶分子Mが初期配向方向Dから電界Eの方向に回転する回転方向RIが、画素電極11の中央部11cにおける回転方向RDと逆になる。このため、リバースチルトドメインRでは、電界Eの発生時に液晶分子Mの配向方向が画素電極11の中央部11cの近傍におけるそれと異なってしまい、液晶装置の表示品位を低下させる原因となっていた。
ここで、共通電極と画素電極との間に電界が発生すると、液晶分子は初期配向方向からできるだけ小さい回転角度で電界の方向に向こうとする。また、液晶分子が回転する角度が小さいほど、液晶分子を電界の方向に配向させる力が強くなる。
そのため、第一直線部において液晶分子を電界方向に配向させる力よりも、第二直線部において液晶分子を電界方向に配向させる力の方が大きくなる。また、第二直線部においては、第二直線部に略垂直な方向に配向された液晶分子が第二直線部の長さ方向に多数存在することとなる。
したがって、共通電極の開口部の形成領域内の画素電極の両端部付近において、第一直線部における電界の傾きとは逆の傾きの電界が発生した場合であっても、第二直線部と略垂直な方向に配向された多数の液晶分子によって、端部の液晶分子が第一直線部における液晶分子の回転方向とは逆の回転方向に回転することを抑制できる。
よって、本発明によれば、リバースチルトドメインを減少させ、より表示品位の高い液晶装置を提供することができる。
以下、本発明の第一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材により縮尺を適宜変更している。
本実施形態における液晶装置は、はFFS(Fringe-Field Switching)方式を用いたカラー液晶装置であって、(赤)、G(緑)、B(青)の各色光を出力する3個のサブ画素で1個の画素を構成する液晶装置である。
図1に示すように、液晶装置1においては、画素を構成するサブ画素がマトリックス状に配置されている。サブ画素の各々には、それぞれ画素電極11と、画素電極11をスイッチング制御するためのTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)素子12とが形成されている。このTFT素子12は、ソースが液晶装置1に設けられたデータ線駆動回路13から延在するデータ線14に接続され、ゲートが液晶装置1に設けられた走査線駆動回路15から延在する走査線16に接続され、ドレインが画素電極11に接続されている。
画素電極11を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1〜Snは、画素電極11と液晶を介して配置された後述する共通電極41との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号S1〜Snがリークすることを防止するため、画素電極11と後述する共通電極41との間に形成される液晶容量と並列接続されるように蓄積容量18が付与されている。この蓄積容量18は、TFT素子12のドレインと容量線19との間に設けられている。なお、容量線19は必ずしも必要というものではない。
図2及び図3に示すように、本実施形態の液晶装置1は、液晶層23を挟持する素子基板21と対向基板22とを備えている。素子基板21は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料からなる基板本体31を備えている。基板本体31上には、走査線16及び容量線19が形成されている。また、素子基板21上には、走査線16及び容量線19を覆って、例えば、SiO2等のシリコン酸化物からなるゲート絶縁膜32が形成されている。
また、容量電極45は、ゲート絶縁膜32上の容量線19と平面的に重なる領域に、容量線19の延在方向に延びる略矩形状に形成されている。また、容量電極45と容量線19とによって蓄積容量18が構成されている。
また、電極間絶縁膜33上には、共通電極41を覆って、例えばポリイミド等の有機材料や、シリコン酸化物などの無機材料からなる配向膜34が形成されている。
また、図3に示すように、素子基板21の外側(液晶層23の反対側)には、偏光板24が接合されている。
また、対向基板22の外側(液晶層23の反対側)には偏光板25が接合されている。偏光板24、25は、それぞれの透過軸が互いに直交するように設けられている。
本実施形態の液晶装置1では、配向膜34,53のラビング方向Rbが、図2に示すように、サブ画素の横方向(X軸方向)と略平行になっている。そのため、図4(a)及び図4(b)に示すように、液晶分子Mの初期配向方向Dもサブ画素の横方向(X軸方向)と略平行になっている。
ここで、画素電極11と共通電極41との間に電界E1,E2が発生すると、液晶分子Mは液晶分子Mの初期配向方向Dと電界E1,E2とがなす角θa1,θa2及び角θb1,θb2のうち、小さい方の角θa1、θa2を回転角として回転する。すなわち、本実施形態において、液晶分子Mは右回りの回転方向RDに回転するようになっている。
また、図2に示すように、共通電極41は、複数のサブ画素及び画素に跨って形成され、サブ画素の縦方向(Y軸方向)に同様の形状の開口部41aが均等な間隔で複数形成されている。
図1に示すように、TFT素子12に走査信号G1〜Gmを入力して一定期間オン状態にして、データ線14から供給される画像信号S1〜Snを所定のタイミングで画素電極11に書き込んで、蓄積容量18により保持する。
これにより、図4(a)及び図4(b)に示すように、共通電極41の開口部41aの形成領域において、画素電極11と共通電極41との間に電界E1,E2が発生し、液晶層23の液晶分子Mが右回りの回転方向RDに駆動される。
そのため、第一直線部411において液晶分子Mを電界E1の方向に配向させる力よりも、第二直線部412において液晶分子Mを電界E2の方向に配向させる力の方が大きくなる。また、第二直線部412においては、第二直線部412に略垂直な方向に配向された液晶分子Mが第二直線部412の長さ方向に多数存在することとなる。
また、本実施形態の共通電極41の開口部11aは、同様の形状でサブ画素の縦方向(Y軸方向)に配置されているので、共通電極41に効率よく開口部41aを配置することができる。これにより、共通電極41の開口面積を上昇させ、画素電極11と共通電極41との間に発生する電界により配向される液晶分子Mを増加させることができる。したがって、液晶装置1の表示品位を向上させることができる。
また、開口部の第一直線部及び第二直線部の傾きは、液晶分子の初期配向方向に対して逆の傾きとしてもよい。
また、開口部は第一直線部及び第二直線部と傾きの異なる直線部や曲線部等を組み合わせて形成してもよい。
Claims (3)
- 液晶層を挟持する一対の基板のうち一方の基板には画素電極が複数の画素の各々に形成され、前記画素電極上には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上には複数のスリット状の開口部を備えた共通電極が複数の画素に亘って形成され、前記開口部の形成領域において前記共通電極と前記画素電極との間に生じる電界によって前記液晶層を構成する液晶分子を初期配向方向から所定の回転方向に駆動させる液晶装置であって、
前記開口部は、前記画素電極の各々の中央部から両側の端部の内側へ向けて延びる第一直線部と、前記第一直線部の端部から前記画素電極の形成領域の外側に延びる第二直線部と、により形成され、
前記第一直線部及び前記第二直線部は、前記初期配向方向から前記回転方向とは逆回転方向に鋭角をなし、
前記第二直線部が前記初期配向方向となす鋭角が、前記第一直線部が前記初期配向方向となす鋭角よりも大きいことを特徴とする液晶装置。 - 前記第一直線部における前記電界の方向は、前記第一直線部に略直交し、前記第二直線部の少なくとも前記第一直線部側の前記電界の方向が前記第二直線部と略直交していることを特徴とする請求項1記載の液晶装置。
- 前記複数の開口部は同様の形状に形成され、前記初期配向方向と直交する方向に等間隔に配列されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の液晶装置。
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