JP7217305B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
ン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。特
に、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、それらの駆動方法
、または、それらの製造方法に関する。特に、本発明の一態様は、表示装置及びその作製
方法に関する。
装置(液晶ディスプレイ)は幅広い分野のディスプレイにおいて用いられている。
界方式がある。横電界方式の液晶表示パネルとしては、画素電極及びコモン電極が同一絶
縁膜上に設けられるIPS(In-Plane Switching)モードと、絶縁膜
を介して画素電極及びコモン電極が重なるFFS(Fringe Field Swit
ching)モードとがある。
いて画素電極及びコモン電極の間で生じる電界を液晶分子に印加することで、液晶分子の
配向を制御する。
に画像コントラストを改善できるという効果があり、近年、多く用いられるようになって
きている(特許文献1参照。)。
、本発明の一態様は、光漏れが少なく、コントラストの優れた表示装置を提供する。また
は、本発明の一態様は、開口率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容量素子
を有する表示装置を提供する。または、本発明の一態様は、消費電力が低減された表示装
置を提供する。または、本発明の一態様は、電気特性の優れたトランジスタを有する表示
装置を提供する。または、本発明の一態様は、新規な表示装置を提供する。または、本発
明の一態様は、少ない工程数で、高開口率であり、広い視野角が得られる表示装置の作製
方法を提供する。または、本発明の一態様は、新規な表示装置の作製方法を提供する。
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
、トランジスタと接続する信号線と、トランジスタと接続し、且つ信号線と交差する走査
線と、画素電極及び信号線上に絶縁膜を介して設けられるコモン電極とを有し、コモン電
極は、信号線と交差する方向に延伸した縞状の領域を有する表示装置である。
る半導体膜と、ゲート電極及び半導体膜の間のゲート絶縁膜と、信号線及び半導体膜に電
気的に接続される第1の導電膜と、画素電極及び半導体膜に電気的に接続される第2の導
電膜と、を有し、第2の導電膜は、走査線及びコモン電極の縞状の領域と平行な領域を有
する。
電極、及び容量素子を有する表示装置である。トランジスタは、走査線と電気的に接続さ
れるゲート電極と、ゲート電極と重なる半導体膜と、ゲート電極及び半導体膜の間のゲー
ト絶縁膜と、信号線及び半導体膜に電気的に接続される第1の導電膜と、画素電極及び半
導体膜に電気的に接続される第2の導電膜と、を有する。容量素子は、画素電極と、コモ
ン電極と、画素電極及びコモン電極の間に設けられる窒化物絶縁膜と、を有する。コモン
電極は、信号線と交差する方向に延伸した縞状の領域を有する。
電極に、またがって延伸していてもよい。
好ましい。
差し、且つ縞状の領域と接続される領域を有する。また、半導体膜及び画素電極は、ゲー
ト絶縁膜と接する。
M-Zn酸化物(MはAl、Ga、Y、Zr、La、Ce、またはNd)を有する。
膜は、第2の膜と金属元素の原子数比が異なる。
ができる。または、本発明の一態様により、光漏れが少なく、コントラストの優れた表示
装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、開口率が高く、且つ電荷
容量を増大させることが可能な容量素子を有する表示装置を提供することができる。また
は、本発明の一態様により、消費電力が低減された表示装置を提供することができる。本
発明の一態様により、電気特性の優れたトランジスタを有する表示装置を提供することが
できる。または、本発明の一態様により、少ない工程数で、高開口率であり、広い視野角
が得られる表示装置を作製することができる。
は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は
、以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。また
、以下に説明する実施の形態及び実施例において、同一部分または同様の機能を有する部
分には、同一の符号または同一のハッチパターンを異なる図面間で共通して用い、その繰
り返しの説明は省略する。
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
めに付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第1の」を
「第2の」または「第3の」などと適宜置き換えて説明することができる。
合などには入れ替わることがある。このため、本明細書においては、「ソース」や「ドレ
イン」の用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
の中にある単位電荷が持つ静電エネルギー(電気的な位置エネルギー)のことをいう。た
だし、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位(例えば接地電位)との電位差
のことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多
い。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし
、電圧を電位と読み替えてもよいこととする。
の」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するも
の」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない
。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジス
タなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有
する素子などが含まれる。
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置について、図面を用いて説明する。
装置に含まれる表示部の一画素10の上面図である。なお、図1(A)は、図1(B)の
一点鎖線A-Bの断面図に相当する。また、図1(B)において、基板1、絶縁膜3、絶
縁膜8、絶縁膜60、基板61、遮光膜62、着色膜63、絶縁膜64、絶縁膜65、及
び液晶層66を省略する。
示装置であり、表示部に設けられる画素10ごとにトランジスタ102及び画素電極7を
有する。
ジスタ102に接続する画素電極7と、トランジスタ102及び画素電極7に接する絶縁
膜8と、絶縁膜8に接するコモン電極9と、絶縁膜8及びコモン電極9に接し、且つ配向
膜として機能する絶縁膜60と、を有する。
色膜63に接する絶縁膜64と、絶縁膜64に接し、且つ配向膜として機能する絶縁膜6
5とを有する。また、絶縁膜60及び絶縁膜65の間に液晶層66を有する。なお、図示
しないが、基板1及び基板61の外側に偏光板が設けられる。
宜用いることができる。また、逆スタガ型の場合、チャネルエッチ構造、チャネル保護構
造等を適宜用いることができる。
造のトランジスタである。トランジスタ102は、基板1上の、ゲート電極として機能す
る導電膜2と、基板1及び導電膜2上のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜3と、絶縁膜
3を介して導電膜2と重なる半導体膜4と、半導体膜4と接する導電膜5及び導電膜6と
、を有する。なお、導電膜2は、ゲート電極と共に、走査線として機能する。即ち、ゲー
ト電極は走査線の一部である。また、導電膜5は、信号線として機能する。また、導電膜
5、6はソース電極及びドレイン電極として機能する。即ち、ソース電極及びドレイン電
極の一方は、信号線の一部である。これらのため、トランジスタ102は、走査線及び信
号線と電気的に接続される。なお、ここでは、導電膜2は、ゲート電極と共に走査線とし
て機能するが、ゲート電極及び走査線を、別々に形成してもよい。また、導電膜5は、ソ
ース電極及びドレイン電極の一方、並びに信号線として機能するが、ソース電極及びドレ
イン電極の一方、並びに信号線を、別々に形成してもよい。
、酸化物半導体等の半導体材料を適宜用いることができる。また、半導体膜4は適宜、非
晶質構造、微結晶構造、多結晶構造、単結晶構造等とすることができる。
実施の形態に示す表示装置は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置であるため、画素
電極7がマトリクス状に配置される。画素電極7及びコモン電極9は透光性を有する膜で
形成される。
状とすることができる。なお、画素電極7は、画素10において、走査線として機能する
導電膜2及び信号線として機能する導電膜5に囲まれる領域において、広く形成されるこ
とが好ましい。この結果、画素10における開口率を高めることができる。
の領域)を複数有する。すなわち、信号線として機能する導電膜5と交差する方向に延伸
した縞状の領域(複数の第1の領域)を有する。なお、該縞状の領域は、信号線として機
能する導電膜5と平行または略平行な方向に延伸した領域(第2の領域)と接続する。す
なわち、コモン電極9は、縞状の領域(複数の第1の領域)と、該縞状の領域に接続する
接続領域(第2の領域)とで構成される。
行または略平行な方向に延伸する領域(第1の領域)を複数有する。すなわち、走査線と
して機能する導電膜2と平行または略平行な方向に延伸した縞状の領域(複数の第1の領
域)を有する。なお、該縞状の領域は、走査線として機能する導電膜2と交差する方向に
延伸した領域(第2の領域)と接続する。
て機能する導電膜5が延伸する方向とが交差する角度は、70°以上110°以下が好ま
しい。このような角度で交差することで、光漏れを低減することが可能である。また、基
板1において全面のコモン電極9が形成されず、縞状の領域(複数の第1の領域)を有す
るため、走査線として機能する導電膜2及び信号線として機能する導電膜5と、コモン電
極9との間に発生する寄生容量を低減することが可能である。
できる。または、コモン電極9において縞状の領域(複数の第1の領域)は、ジグザグ状
の折れ線、波状等の曲線が繰り返された形状とすることができる。コモン電極9において
、縞状の領域(複数の第1の領域)が、折れ線または曲線が繰り返された形状の場合、液
晶分子の配向状態がマルチドメイン化し視野角改善効果が得られる。
モン電極9の間において、図1(A)の破線矢印で示すように、放物線状の電界が発生す
る。この結果、液晶層66に含まれる液晶分子を配向させることができる。
びコモン電極9が容量素子として機能する。画素電極7及びコモン電極9は透光性を有す
る膜で形成されるため、開口率が高まるとともに、容量素子に蓄積される電荷容量を高め
ることができる。また、画素電極7及びコモン電極9の間の絶縁膜8を比誘電率の高い材
料を用いて形成することで、容量素子において、大きな電荷容量を蓄積させることが可能
である。比誘電率の高い材料としては、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ガリウム
、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート(HfSiOx)、窒素が
添加されたハフニウムシリケート(HfSixOyNz)、窒素が添加されたハフニウム
アルミネート(HfAlxOyNz)等がある。
して機能する。なお、着色膜63は、必ずしも設ける必要はなく、例えば、液晶表示装置
が白黒表示の場合は、着色膜63を設けない構成としてもよい。
色の波長帯域の光を透過する赤色(R)の膜、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)
の膜、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)の膜などを用いることができる。
または黒色顔料等を含んだ有機絶縁膜などを用いることができる。
子側へ拡散するのを抑制する機能を有する。
1、基板61、及びシール材により液晶層66を封止している。また、絶縁膜60及び絶
縁膜64の間に液晶層66の厚さ(セルギャップともいう)を維持するスペーサを設けて
もよい。
う2つの画素10a、10bを示す。図2(A)及び図2(B)において、コモン電極9
は、走査線として機能する導電膜2と平行または略平行な方向に延伸している。すなわち
、画素10a、10bにまたがっている。
に延伸する縞状の領域を有するコモン電極9を設けた画素10a、10bであり、図2(
C)及び図2(D)は、走査線として機能する導電膜2と交差する方向に延伸する縞状の
領域を有するコモン電極9を設けた画素10a、10bである。各画素において、初期状
態を黒表示とし、画素電極に電圧を印加することで白表示とする画素における表示素子の
駆動方法、すなわちノーマリー・ブラックモードの表示素子の駆動方法について説明する
。なお、ここで、表示素子とは、画素電極7、コモン電極9、及び液晶層に含まれる液晶
分子のことをいう。なお、本実施の形態では、ノーマリー・ブラックモードの駆動方法を
用いて説明するが、適宜ノーマリー・ホワイトモードの駆動方法を用いることもできる。
及びコモン電極に0V印加する。この結果、画素電極に0V印加される。すなわち、画素
電極及びコモン電極の間に電界が発生せず、液晶分子は動作しない。
分子を動作させる電圧、たとえば6V印加し、コモン電極に0V印加する。この結果、画
素電極に6V印加される。すなわち、画素電極及びコモン電極の間に電界が発生し、液晶
分子が動作する。
子はコモン電極と直交する方向に配向させる。このように、初期状態における液晶分子の
配向を初期配向という。また、画素電極及びコモン電極間に電圧を印加することで、基板
に対して平行な面内において、液晶分子を回転動作させる。なお、本実施の形態では、ネ
ガ型の液晶材料を用いて説明するが、適宜ポジ型の液晶材料を用いることもできる。
側に設けられる偏光板に含まれる偏光子と、基板61の外側に設けられる偏光板に含まれ
る偏光子は互いに直交するように配置されたクロスニコルである。このため、走査線とし
て機能する導電膜2または信号線として機能する導電膜5a、5bと平行な方向に、液晶
分子が配向すると、偏光板において光が吸収され、黒表示となる。なお、本実施の形態で
は、偏光子の位置をクロスニコルとして説明するが、適宜パラレルニコルとすることもで
きる。
導電膜5a、導電膜6a、画素電極7a、及びコモン電極9を有する画素を画素10aと
し、走査線として機能する導電膜2、半導体膜4b、信号線として機能する導電膜5b、
導電膜6b、画素電極7b、及びコモン電極9を有する画素を画素10bとする。また、
図2(A)及び図2(C)は、初期状態を示し、図2(B)及び図2(D)は、画素10
bを白表示とする状態を示す。
機能する導電膜5a、5bと平行または略平行な方向に延伸するため、図2(C)に示す
初期状態(黒表示)では、液晶分子Lは、信号線として機能する導電膜5a、5bと垂直
な方向に配向する。
て説明する。信号線として機能する導電膜5a及びコモン電極9に0V印加する。また、
信号線として機能する導電膜5bに6V印加する。この結果、画素10bにおいて、画素
電極7bに6V印加され、図の矢印で示すように、画素電極7b及びコモン電極9の間に
電界が発生し、それに合わせて液晶分子Lが配向する。ここでは、液晶分子Lが45°回
転した状態を示す。
設けられる信号線として機能する導電膜5bの電位は6Vである。このため、画素10a
においても、図の矢印で示すように、画素電極7a及び信号線として機能する導電膜5b
の間に電界が発生し、それに合わせて液晶分子Lが配向してしまう。この結果、黒表示す
るべき画素10aにおいて、一部液晶分子Lの配向状態が変化し、光漏れが生じてしまう
。
として機能する導電膜5a、5bと直交する方向に延伸するため、初期状態(黒表示)で
は、液晶分子Lは、信号線として機能する導電膜5a、5bと平行または略平行な方向に
配向する。
て説明する。信号線として機能する導電膜5a及びコモン電極9に0V印加する。また、
信号線として機能する導電膜5bに6V印加する。この結果、画素10bにおいて、画素
電極7bに6V印加され、図の矢印で示すように、画素電極7b及びコモン電極9の間に
電界が発生し、それに合わせて液晶分子Lが配向する。ここでは、液晶分子Lが-45°
回転した状態を示す。
設けられる信号線として機能する導電膜5bの電位が6Vである。しかしながら、信号線
として機能する導電膜5b及びコモン電極9が交差するため、画素電極7a及び信号線と
して機能する導電膜5bの間に発生する第1の電界F1が液晶分子Lの長軸と直交する。
この結果、液晶分子Lはネガ型液晶であるため、液晶分子Lが動作せず、光漏れを抑制す
ることができる。
したコモン電極を設けることで、コントラストの優れた表示装置を作製することができる
。
ため、信号線として機能する導電膜5a、5bと重なる領域を減らすことが可能であり、
信号線とコモン電極9の間に発生する寄生容量を低減することが可能である。この結果、
大面積基板を用いて形成される表示装置において、配線遅延を低減することが可能である
。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置について、図面を用いて説明する。
また、本実施の形態では、トランジスタに含まれる半導体膜として酸化物半導体膜を用い
て説明する。
回路106と、各々が平行または略平行に配設され、且つ走査線駆動回路104によって
電位が制御されるm本の走査線107と、各々が平行または略平行に配設され、且つ信号
線駆動回路106によって電位が制御されるn本の信号線109と、を有する。さらに、
画素部101はマトリクス状に配設された複数の画素103を有する。また、信号線10
9に沿って、各々が平行または略平行に配設されたコモン線115を有する。また、走査
線駆動回路104及び信号線駆動回路106をまとめて駆動回路部という場合がある。
ずれかの行に配設されたn個の画素103と電気的に接続される。また、各信号線109
は、m行n列に配設された画素103のうち、いずれかの列に配設されたm個の画素10
3に電気的と接続される。m、nは、ともに1以上の整数である。また、各コモン線11
5は、m行n列に配設された画素103のうち、いずれかの列に配設されたm個の画素1
03と電気的に接続される。
の一例を示している。
105と、を有する。
03の仕様に応じて適宜設定される。液晶素子121の一対の電極の他方は、コモン線1
15と接続し、電位は共通の電位(コモン電位)が与えられる。液晶素子121は、トラ
ンジスタ102に書き込まれるデータにより、液晶分子の配向状態が制御される。
制御する素子である。なお、液晶分子の光学的変調作用は、液晶分子にかかる電界(横方
向の電界、縦方向の電界又は斜め方向の電界を含む)によって制御される。なお、液晶素
子121に用いる液晶材料としては、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチッ
ク液晶、サーモトロピック液晶、ライオトロピック液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶等が
挙げられる。
成物により液晶素子を構成してもよい。ブルー相を示す液晶は、応答速度が1msec以
下と短く、光学的等方性であるため、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。
レイン電極の一方は、信号線109に電気的に接続され、他方は液晶素子121の一対の
電極の一方に電気的に接続される。また、トランジスタ102のゲート電極は、走査線1
07に電気的に接続される。トランジスタ102は、オン状態またはオフ状態になること
により、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
トランジスタ102に接続される。容量素子105の一対の電極の他方は、コモン線11
5に電気的に接続される。コモン線115の電位の値は、画素103の仕様に応じて適宜
設定される。容量素子105は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を
有する。なお、本実施の形態において、容量素子105の一対の電極の一方は、液晶素子
121の一対の電極の一方である。また、容量素子105の一対の電極の他方は、液晶素
子121の一対の電極の他方である。
の画素103a、103b、103cの上面図を図4に示す。
右方向)に延伸して設けられている。信号線として機能する導電膜21aは、走査線に略
直交する方向(図中上下方向)に延伸して設けられている。なお、走査線として機能する
導電膜13は、走査線駆動回路104(図3を参照。)と電気的に接続されており、信号
線として機能する導電膜21aは、信号線駆動回路106(図3(A)を参照。)に電気
的に接続されている。
スタ102は、ゲート電極として機能する導電膜13、ゲート絶縁膜(図4に図示せず。
)、ゲート絶縁膜上に形成されたチャネル領域が形成される酸化物半導体膜19a、ソー
ス電極及びドレイン電極として機能する導電膜21a、21bにより構成される。なお、
導電膜13は、走査線としても機能し、酸化物半導体膜19aと重畳する領域がトランジ
スタ102のゲート電極として機能する。また、導電膜21aは、信号線としても機能し
、酸化物半導体膜19aと重畳する領域がトランジスタ102のソース電極またはドレイ
ン電極として機能する。また、図4において、走査線は、上面形状において端部が酸化物
半導体膜19aの端部より外側に位置する。このため、走査線はバックライトなどの光源
からの光を遮る遮光膜として機能する。この結果、トランジスタに含まれる酸化物半導体
膜19aに光が照射されず、トランジスタの電気特性の変動を抑制することができる。
9b上において、絶縁膜を介してコモン電極29が設けられている。画素電極19b上に
設けられる絶縁膜には、一点鎖線で示す開口部40が設けられている。開口部40におい
て、画素電極19bは、窒化物絶縁膜(図4に図示せず。)と接する。
を有する。また、該複数の第1の領域は、信号線と平行または略平行な方向に延伸した第
2の領域と接続される。このため、縞状の領域(複数の第1の領域)を有するコモン電極
29は、複数の第1の領域のそれぞれが同電位である。
素電極19b及びコモン電極29は透光性を有する。即ち、容量素子105は透光性を有
する。
信号線と交差する方向に延伸した縞状の領域を有するコモン電極29が設けられるため、
コントラストの優れた表示装置を作製することができる。
(大面積に)形成することができる。従って、開口率を高めつつ、代表的には50%以上
、好ましくは60%以上とすることが可能であると共に、電荷容量を増大させた表示装置
を得ることができる。例えば、解像度の高い表示装置、例えば液晶表示装置においては、
画素の面積が小さくなり、容量素子の面積も小さくなる。このため、解像度の高い表示装
置において、容量素子に蓄積される電荷容量が小さくなる。しかしながら、本実施の形態
に示す容量素子105は透光性を有するため、当該容量素子を画素に設けることで、各画
素において十分な電荷容量を得つつ、開口率を高めることができる。代表的には、画素密
度が200ppi以上、さらには300ppi以上、更には500ppi以上である高解
像度の表示装置に好適に用いることができる。
において、液晶素子の液晶分子の配向を一定に保つ期間を長くすることができる。静止画
を表示させる場合、当該期間を長くできるため、画像データを書き換える回数を削減する
ことが可能であり、消費電力を低減することができる。また、本実施の形態に示す構造に
より、高解像度の表示装置においても、開口率を高めることができるため、バックライト
などの光源の光を効率よく利用することができ、表示装置の消費電力を低減することがで
きる。
ことができる。例えば、図19のように、コモン電極29において、接続領域が各信号線
として機能する導電膜上に形成されてもよい。
ンジスタ102は、チャネルエッチ型のトランジスタである。なお、一点鎖線A-Bは、
トランジスタ102のチャネル長方向、及び容量素子105の断面図であり、C-Dにお
ける断面図は、トランジスタ102のチャネル幅方向の断面図である。
1上に設けられるゲート電極として機能する導電膜13を有する。また、基板11及びゲ
ート電極として機能する導電膜13上に形成される窒化物絶縁膜15と、窒化物絶縁膜1
5上に形成される酸化物絶縁膜17と、窒化物絶縁膜15及び酸化物絶縁膜17を介して
、ゲート電極として機能する導電膜13と重なる酸化物半導体膜19aと、酸化物半導体
膜19aに接する、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜21a、21bと
を有する。また、酸化物絶縁膜17、酸化物半導体膜19a、及びソース電極及びドレイ
ン電極として機能する導電膜21a、21b上には、酸化物絶縁膜23が形成され、酸化
物絶縁膜23上には酸化物絶縁膜25が形成される。酸化物絶縁膜23、酸化物絶縁膜2
5、導電膜21b上には窒化物絶縁膜27が形成される。また、画素電極19bが、酸化
物絶縁膜17上に形成される。画素電極19bは、ソース電極及びドレイン電極として機
能する導電膜21a、21bの一方、ここでは導電膜21bに接続する。また、コモン電
極29が、窒化物絶縁膜27上に形成される。
素子105として機能する。
ことができる。例えば、画素電極19bは、スリットを有してもよい。または、画素電極
19bは櫛歯形状でもよい。その場合の断面図の例を、図20に示す。または、図21に
示すように、窒化物絶縁膜27の上に、絶縁膜26bが設けられてもよい。例えば、絶縁
膜26bとして、有機樹脂膜を設けてもよい。これにより、絶縁膜26bの表面を平坦に
することができる。つまり、絶縁膜26bは、一例としては、平坦化膜としての機能を有
することができる。または、コモン電極29と、導電膜21bとが重なるようにして、容
量素子105bを形成してもよい。その場合の断面図の例を、図22、図23に示す。
耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サフ
ァイア基板等を、基板11として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンなどを材
料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体
基板、SOI基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けら
れたものを、基板11として用いてもよい。なお、基板11として、ガラス基板を用いる
場合、第6世代(1500mm×1850mm)、第7世代(1870mm×2200m
m)、第8世代(2200mm×2400mm)、第9世代(2400mm×2800m
m)、第10世代(2950mm×3400mm)等の大面積基板を用いることで、大型
の表示装置を作製することができる。
を形成してもよい。または、基板11とトランジスタ102の間に剥離層を設けてもよい
。剥離層は、その上に表示装置を一部あるいは全部完成させた後、基板11より分離し、
他の基板に転載するのに用いることができる。その際、トランジスタ102は耐熱性の劣
る基板や可撓性の基板にも転載できる。
ン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分と
する合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。ま
た、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いても
よい。また、ゲート電極として機能する導電膜13は、単層構造でも、二層以上の積層構
造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアル
ミニウム膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チ
タン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン
膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタ
ン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する
三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデ
ン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた1または複数の元素を組み合わせた合
金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
ンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタン
を含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物
、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を適用する
こともできる。また、上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とする
こともできる。
には、酸素、水素、及び水の透過性の低い窒化物絶縁膜を用いることが可能である。酸素
の透過性の低い窒化物絶縁膜、酸素、水素、及び水の透過性の低い窒化物絶縁膜としては
、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜
等がある。また、酸素の透過性の低い窒化物絶縁膜、酸素、水素、及び水の透過性の低い
窒化物絶縁膜の代わりに、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ガリウム
膜、酸化窒化ガリウム膜、酸化イットリウム膜、酸化窒化イットリウム膜、酸化ハフニウ
ム膜、酸化窒化ハフニウム膜等の酸化物絶縁膜を用いることができる。
80nm以下とするとよい。
化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはGa-Zn系金属酸化物などを用
いればよく、積層または単層で設ける。
されたハフニウムシリケート(HfSixOyNz)、窒素が添加されたハフニウムアル
ミネート(HfAlxOyNz)、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどの比誘電率の
高い材料を用いることでトランジスタのゲートリークを低減できる。
300nm以下、より好ましくは50nm以上250nm以下とするとよい。
M-Zn酸化物(MはAl、Ga、Y、Zr、La、Ce、またはNd)がある。
を100atomic%としたとき、InとMの原子数比率は、Inが25atomic
%より高く、Mが75atomic%未満、好ましくはInが34atomic%より高
く、Mが66atomic%未満とする。
上、より好ましくは3eV以上である。このように、エネルギーギャップの広い酸化物半
導体を用いることで、トランジスタ102のオフ電流を低減することができる。
00nm以下、さらに好ましくは3nm以上50nm以下とする。
Ce、またはNd)の場合、In-M-Zn酸化物膜を成膜するために用いるスパッタリ
ングターゲットの金属元素の原子数比は、In≧M、Zn≧Mを満たすことが好ましい。
このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比として、In:M:Zn=1
:1:1、In:M:Zn=1:1:1.2、In:M:Zn=3:1:2が好ましい。
なお、成膜される酸化物半導体膜19aの原子数比はそれぞれ、誤差として上記のスパッ
タリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス40%の変動を含む
。
、酸化物半導体膜19aは、キャリア密度が1×1017個/cm3以下、好ましくは1
×1015個/cm3以下、さらに好ましくは1×1013個/cm3以下、より好まし
くは1×1011個/cm3以下の酸化物半導体膜を用いる。
果移動度、しきい値電圧等)に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とす
るトランジスタの半導体特性を得るために、酸化物半導体膜19aのキャリア密度や不純
物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとする
ことが好ましい。
導体膜を用いることで、さらに優れた電気特性を有するトランジスタを作製することがで
き好ましい。ここでは、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い(酸素欠損量の少ない)
ことを高純度真性または実質的に高純度真性とよぶ。高純度真性または実質的に高純度真
性である酸化物半導体は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることが
できる場合がある。従って、当該酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジス
タは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性(ノーマリーオンともいう。)になること
が少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準
位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。また、高純度真性または実
質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、オフ電流が著しく小さく、チャネル幅が1×
106μmでチャネル長Lが10μmの素子であっても、ソース電極とドレイン電極間の
電圧(ドレイン電圧)が1Vから10Vの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータ
アナライザの測定限界以下、すなわち1×10-13A以下という特性を得ることができ
る。従って、当該酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジスタは、電気特性
の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる場合がある。不純物としては、水素、
窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属等がある。
酸素が脱離した格子(または酸素が脱離した部分)に酸素欠損が形成される。当該酸素欠
損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部
が金属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある
。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性
となりやすい。
ことが好ましい。具体的には、酸化物半導体膜19aにおいて、二次イオン質量分析法(
SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)により
得られる水素濃度を、5×1019atoms/cm3以下、好ましくは1×1019a
toms/cm3以下、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、好ましくは1
×1018atoms/cm3以下、より好ましくは5×1017atoms/cm3以
下、さらに好ましくは1×1016atoms/cm3以下とする。
と、酸化物半導体膜19aにおいて酸素欠損が増加し、n型化してしまう。このため、酸
化物半導体膜19aにおけるシリコンや炭素の濃度(二次イオン質量分析法により得られ
る濃度)を、2×1018atoms/cm3以下、好ましくは2×1017atoms
/cm3以下とする。
金属またはアルカリ土類金属の濃度を、1×1018atoms/cm3以下、好ましく
は2×1016atoms/cm3以下にする。アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、
酸化物半導体と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増
大してしまうことがある。このため、酸化物半導体膜19aのアルカリ金属またはアルカ
リ土類金属の濃度を低減することが好ましい。
ャリア密度が増加し、n型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を用
いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。従って、当該酸化物半導体膜にお
いて、窒素はできる限り低減されていることが好ましい、例えば、二次イオン質量分析法
により得られる窒素濃度は、5×1018atoms/cm3以下にすることが好ましい
。
ば、後述するCAAC-OS(C Axis Aligned Crystalline
Oxide Semiconductor)、多結晶構造、後述する微結晶構造、また
は非晶質構造を含む。非単結晶構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、C
AAC-OSは最も欠陥準位密度が低い。
、例えば、原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さない。
領域、CAAC-OSの領域、単結晶構造の領域の二種以上の領域を有する混合膜であっ
てもよい。混合膜は、例えば、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域
、CAAC-OSの領域、単結晶構造の領域のいずれか二種以上の領域を有する単層構造
の場合がある。また、混合膜は、例えば、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶
構造の領域、CAAC-OSの領域、単結晶構造の領域のいずれか二種以上の領域の積層
構造を有する場合がある。
て形成される。このため、画素電極19bは、酸化物半導体膜19aと同様の金属元素を
有する膜である。また、酸化物半導体膜19aと同様の結晶構造、または異なる結晶構造
を有する膜である。しかしながら、酸化物半導体膜19aと同時に形成された酸化物半導
体膜に、不純物または酸素欠損を有せしめることで、導電性を有する膜となり、画素電極
19bとして機能する。酸化物半導体膜に含まれる不純物としては、水素がある。なお、
水素の代わりに不純物として、ホウ素、リン、スズ、アンチモン、希ガス元素、アルカリ
金属、アルカリ土類金属等が含まれていてもよい。または、画素電極19bは、酸化物半
導体膜19aと同時に形成された膜であり、プラズマダメージ等により酸素欠損が形成さ
れ、導電性が高められた膜である。または、画素電極19bは、酸化物半導体膜19aと
同時に形成された膜であり、且つ不純物を含むと共に、プラズマダメージ等により酸素欠
損が形成され、導電性が高められた膜である。
成されるが、不純物濃度が異なる。具体的には、酸化物半導体膜19aと比較して、画素
電極19bの不純物濃度が高い。例えば、酸化物半導体膜19aに含まれる水素の濃度は
、5×1019atoms/cm3以下、好ましくは1×1019atoms/cm3以
下、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、好ましくは1×1018atom
s/cm3以下、より好ましくは5×1017atoms/cm3以下、さらに好ましく
は1×1016atoms/cm3以下であり、画素電極19bに含まれる水素の濃度は
、8×1019atoms/cm3以上、好ましくは1×1020atoms/cm3以
上、より好ましくは5×1020atoms/cm3以上である。また、酸化物半導体膜
19aと比較して、画素電極19bに含まれる水素の濃度は2倍、好ましくは10倍以上
である。
により、酸化物半導体膜にダメージを与え、酸素欠損を形成することができる。例えば、
酸化物半導体膜上に、プラズマCVD法またはスパッタリング法で膜を成膜すると、酸化
物半導体膜がプラズマに曝され、酸素欠損が生成される。または、酸化物絶縁膜23及び
酸化物絶縁膜25を形成するためのエッチング処理において酸化物半導体膜がプラズマに
曝されることで、酸素欠損が生成される。または、酸化物半導体膜が、酸素及び水素の混
合ガス、水素、希ガス、アンモニア等のプラズマに曝されることで、酸素欠損が生成され
る。この結果、酸化物半導体膜は導電性が高くなり、画素電極19bとして機能する。
、画素電極19bは、導電性の高い金属酸化物膜で形成されるともいえる。
を含む。このため、窒化物絶縁膜27の水素が酸化物半導体膜19aと同時に形成された
酸化物半導体膜に拡散すると、該酸化物半導体膜において水素は酸素と結合し、キャリア
である電子が生成される。また、窒化シリコン膜をプラズマCVD法またはスパッタリン
グ法で成膜すると、酸化物半導体膜がプラズマに曝され、酸素欠損が生成される。当該酸
素欠損に、窒化シリコン膜に含まれる水素が入ることで、キャリアである電子が生成され
る。これらの結果、酸化物半導体膜は導電性が高くなり、画素電極19bとなる。
伝導帯近傍にドナー準位が形成される。この結果、酸化物半導体は、導電性が高くなり、
導電体化する。導電体化された酸化物半導体を酸化物導電体ということができる。すなわ
ち、画素電極19bは、酸化物導電体膜で形成されるということができる。一般に、酸化
物半導体は、エネルギーギャップが大きいため、可視光に対して透光性を有する。一方、
酸化物導電体は、伝導帯近傍にドナー準位を有する酸化物半導体である。したがって、該
ドナー準位による吸収の影響は小さく、可視光に対して酸化物半導体と同程度の透光性を
有する。
が、酸化物半導体膜19aの抵抗率の1×10-8倍以上1×10-1倍未満であること
が好ましく、代表的には1×10-3Ωcm以上1×104Ωcm未満、さらに好ましく
は、抵抗率が1×10-3Ωcm以上1×10-1Ωcm未満であるとよい。
チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタ
ル、またはタングステンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造ま
たは積層構造として用いる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン
膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層す
る二層構造、銅-マグネシウム-アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタ
ン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン
膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜ま
たは銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モ
リブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重
ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブ
デン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含
む透明導電材料を用いてもよい。
多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。ここでは、酸化物絶縁膜23と
して、酸素を透過する酸化物絶縁膜を形成し、酸化物絶縁膜25として、化学量論的組成
を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を形成する。
3上に設けられる、酸化物絶縁膜25から脱離する酸素を、酸化物絶縁膜23を介して酸
化物半導体膜19aに移動させることができる。また、酸化物絶縁膜23は、後に形成す
る酸化物絶縁膜25を形成する際の、酸化物半導体膜19aへのダメージ緩和膜としても
機能する。
50nm以下の酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等を用いることができる。なお、本
明細書中において、酸化窒化シリコン膜とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量
が多い膜を指し、窒化酸化シリコン膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が
多い膜を指す。
により、g=2.001に現れる信号のスピン密度が3×1017spins/cm3以
下であることが好ましい。なお、g=2.001に現れる信号はシリコンのダングリング
ボンドに由来する。これは、酸化物絶縁膜23に含まれる欠陥密度が多いと、当該欠陥に
酸素が結合してしまい、酸化物絶縁膜23における酸素の透過量が減少してしまうためで
ある。
が好ましく、代表的には、ESR測定により、酸化物半導体膜19aの欠陥に由来するg
=1.93に現れる信号のスピン密度が1×1017spins/cm3以下、さらには
検出下限以下であることが好ましい。
化物絶縁膜23の外部に移動する場合がある。または、外部から酸化物絶縁膜23に入っ
た酸素の一部が、酸化物絶縁膜23にとどまる場合もある。また、外部から酸化物絶縁膜
23に酸素が入ると共に、酸化物絶縁膜23に含まれる酸素が酸化物絶縁膜23の外部へ
移動することで、酸化物絶縁膜23において酸素の移動が生じる場合もある。
5は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いて形成す
る。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、加熱により酸
素の一部が脱離する。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜
は、TDS分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が1.0×1018atoms
/cm3以上、好ましくは3.0×1020atoms/cm3以上である酸化物絶縁膜
である。なお、上記TDS分析時における膜の表面温度としては100℃以上700℃以
下、または100℃以上500℃以下の範囲が好ましい。
以上400nm以下の、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等を用いることができる。
により、g=2.001に現れる信号のスピン密度が1.5×1018spins/cm
3未満、更には1×1018spins/cm3以下であることが好ましい。なお、酸化
物絶縁膜25は、酸化物絶縁膜23と比較して酸化物半導体膜19aから離れているため
、酸化物絶縁膜23より、欠陥密度が多くともよい。
いることが可能である。更には、酸素、水素、及び水の透過性の低い窒化物絶縁膜を用い
ることが可能である。
m以上200nm以下の、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、
窒化酸化アルミニウム膜等がある。
も多くの酸素を含む酸化物絶縁膜が含まれると、酸化物絶縁膜23または酸化物絶縁膜2
5に含まれる酸素の一部を酸化物半導体膜19aに移動させ、酸化物半導体膜19aに含
まれる酸素欠損量を低減することが可能である。
しきい値電圧がマイナス方向に変動しやすく、ノーマリーオン特性となりやすい。これは
、酸化物半導体膜に含まれる酸素欠損に起因して電荷が生じ、低抵抗化するためである。
トランジスタがノーマリーオン特性を有すると、動作時に動作不良が発生しやすくなる、
または非動作時の消費電力が高くなるなどの、様々な問題が生じる。また、経時変化やス
トレス試験により、トランジスタの電気特性、代表的にはしきい値電圧の変動量が増大す
るという問題がある。
設けられる酸化物絶縁膜23または酸化物絶縁膜25が、化学量論的組成を満たす酸素よ
りも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜である。この結果、酸化物絶縁膜23または酸化物絶
縁膜25に含まれる酸素が、効率よく酸化物半導体膜19aに移動し、酸化物半導体膜1
9aの酸素欠損量を低減することが可能である。この結果、ノーマリーオフ特性を有する
トランジスタとなる。また、経時変化やストレス試験による、トランジスタの電気特性、
代表的にはしきい値電圧の変動量を低減することができる。
ングステンを含むインジウム酸化物膜、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物膜
、酸化チタンを含むインジウム酸化物膜、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物膜、イン
ジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)膜、インジウム亜鉛酸化物膜、酸化ケイ素を添
加したインジウム錫酸化物膜等がある。
する領域を有する。このため、画素電極19b及び導電膜21a近傍において、液晶分子
の意図しない配向を防ぐことが可能であり、光漏れを抑制することができる。この結果、
コントラストの優れた表示装置を作製することができる。
時に、画素電極が形成される。画素電極は容量素子の一方の電極として機能する。また、
コモン電極は容量素子の他方の電極として機能する。これらのため、容量素子を形成する
ために、新たに導電膜を形成する工程が不要であり、作製工程を削減できる。また、容量
素子は透光性を有する。この結果、容量素子の占有面積を大きくしつつ、画素の開口率を
高めることができる。
至図8を用いて説明する。
膜12は、スパッタリング法、化学気相堆積(CVD)法(有機金属化学気相堆積(MO
CVD)法、メタル化学気相堆積法、原子層成膜(ALD)法あるいはプラズマ化学気相
堆積(PECVD)法を含む。)、蒸着法、パルスレーザー堆積(PLD)法等により形
成する。有機金属化学気相堆積(MOCVD)法、メタル化学気相堆積法、原子層成膜(
ALD)法を用いることで、プラズマによるダメージの少ない導電膜を形成することがで
きる。
nmのタングステン膜をスパッタリング法により形成する。
スクを形成する。次に、該マスクを用いて導電膜12の一部をエッチングして、図6(B
)に示すように、ゲート電極として機能する導電膜13を形成する。この後、マスクを除
去する。
法、印刷法、インクジェット法等で形成してもよい。
して機能する導電膜13を形成する。
縁膜15と、後に酸化物絶縁膜17となる酸化物絶縁膜16を形成する。次に、酸化物絶
縁膜16上に、後に酸化物半導体膜19a、画素電極19bとなる酸化物半導体膜18を
形成する。
)法(有機金属化学気相堆積(MOCVD)法、メタル化学気相堆積法、原子層成膜(A
LD)法あるいはプラズマ化学気相堆積(PECVD)法を含む。)、蒸着法、パルスレ
ーザー堆積(PLD)法、塗布法、印刷法等により形成する。有機金属化学気相堆積(M
OCVD)法、メタル化学気相堆積法、原子層成膜(ALD)法を用いることで、プラズ
マによるダメージの少ない窒化物絶縁膜15及び酸化物絶縁膜16を形成することができ
る。また、原子層成膜(ALD)法を用いることで、窒化物絶縁膜15及び酸化物絶縁膜
16の被覆性を高めることが可能である。
、窒化物絶縁膜15として、厚さ300nmの窒化シリコン膜を形成する。
ン膜を形成する場合、原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体及び酸化性気体を用
いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、
トリシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素
、二酸化窒素等がある。
ることができる。
物絶縁膜16として、厚さ50nmの酸化窒化シリコン膜を形成する。
気相堆積(MOCVD)法、原子層成膜(ALD)法あるいはプラズマ化学気相堆積(P
ECVD)法を含む)、パルスレーザー蒸着法、レーザーアブレーション法、塗布法等を
用いて形成することができる。有機金属化学気相堆積(MOCVD)法、原子層成膜(A
LD)法を用いることで、プラズマによるダメージの少ない酸化物半導体膜18を形成す
ることができるとともに、酸化物絶縁膜16へのダメージを低減することができる。また
、原子層成膜(ALD)法を用いることで、酸化物半導体膜18の被覆性を高めることが
可能である。
装置は、RF電源装置、AC電源装置、DC電源装置等を適宜用いることができる。
混合ガスを適宜用いる。なお、希ガス及び酸素の混合ガスの場合、希ガスに対して酸素の
ガス比を高めることが好ましい。
。
ー内を高真空排気するのみならずスパッタガスの高純度化も必要である。スパッタガスと
して用いる酸素ガスやアルゴンガスは、露点が-40℃以下、好ましくは-80℃以下、
より好ましくは-100℃以下、より好ましくは-120℃以下にまで高純度化したガス
を用いることで酸化物半導体膜に水分等が取り込まれることを可能な限り防ぐことができ
る。
いたスパッタリング法により、酸化物半導体膜として厚さ35nmのIn-Ga-Zn酸
化物膜を形成する。
によりマスクを形成した後、該マスクを用いて酸化物半導体膜の一部をエッチングするこ
とで、図6(D)に示すような、素子分離された酸化物半導体膜19a、19cを形成す
る。この後、マスクを除去する。
物半導体膜18の一部を選択的にエッチングすることで、酸化物半導体膜19a、19c
を形成する。
する。
ング法により積層する。
クを形成する。次に、該マスクを用いて導電膜20をエッチングして、図7(B)に示す
ように、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜21a、21bを形成する。
この後、マスクを除去する。
クを用いてタングステン膜及び銅膜をエッチングして、導電膜21a、21bを形成する
。なお、ウエットエッチング法を用いて銅膜をエッチングする。次に、SF6を用いたド
ライエッチング法により、タングステン膜をエッチングすることで、該エッチングにおい
て、銅膜の表面にフッ化物が形成される。該フッ化物により、銅膜からの銅元素の拡散が
低減され、酸化物半導体膜19aにおける銅濃度を低減することができる。
21b上に、後に酸化物絶縁膜23となる酸化物絶縁膜22、及び後に酸化物絶縁膜25
となる酸化物絶縁膜24を形成する。酸化物絶縁膜22及び酸化物絶縁膜24は、窒化物
絶縁膜15及び酸化物絶縁膜16と同様の方法を適宜用いて形成することができる。
4を形成することが好ましい。酸化物絶縁膜22を形成した後、大気開放せず、原料ガス
の流量、圧力、高周波電力及び基板温度の一以上を調整して、酸化物絶縁膜24を連続的
に形成することで、酸化物絶縁膜22及び酸化物絶縁膜24における界面の大気成分由来
の不純物濃度を低減することができると共に、酸化物絶縁膜24に含まれる酸素を酸化物
半導体膜19aに移動させることが可能であり、酸化物半導体膜19aの酸素欠損量を低
減することができる。
た基板を280℃以上400℃以下に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内にお
ける圧力を20Pa以上250Pa以下、さらに好ましくは100Pa以上250Pa以
下とし、処理室内に設けられる電極に高周波電力を供給する条件により、酸化シリコン膜
または酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、
トリシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素
、二酸化窒素等がある。
することができる。また、酸化物絶縁膜22を設けることで、後に形成する酸化物絶縁膜
25の形成工程において、酸化物半導体膜19aへのダメージ低減が可能である。
が強くなる。この結果、酸化物絶縁膜22として、酸素が透過し、緻密であり、且つ硬い
酸化物絶縁膜、代表的には、25℃において0.5重量%のフッ酸を用いた場合のエッチ
ング速度が10nm/分以下、好ましくは8nm/分以下である酸化シリコン膜または酸
化窒化シリコン膜を形成することができる。
体膜19aに含まれる水素、水等を脱離させることができる。酸化物半導体膜19aに含
まれる水素は、プラズマ中で発生した酸素ラジカルと結合し、水となる。酸化物絶縁膜2
2の成膜工程において基板が加熱されているため、酸素及び水素の結合により生成された
水は、酸化物半導体膜から脱離する。即ち、プラズマCVD法によって酸化物絶縁膜22
を形成することで、酸化物半導体膜19aに含まれる水及び水素の含有量を低減すること
ができる。
が露出された状態での加熱時間が少なく、加熱処理による酸化物半導体膜からの酸素の脱
離量を低減することができる。即ち、酸化物半導体膜中に含まれる酸素欠損量を低減する
ことができる。
酸化物絶縁膜22に含まれる水素含有量を低減することが可能である。この結果、酸化物
半導体膜19aに混入する水素量を低減できるため、トランジスタのしきい値電圧のマイ
ナスシフトを抑制することができる。
cmの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を200Pa、基板温度を220℃と
し、27.12MHzの高周波電源を用いて150Wの高周波電力を平行平板電極に供給
したプラズマCVD法により、厚さ50nmの酸化窒化シリコン膜を形成する。当該条件
により、酸素が透過する酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
た基板を180℃以上280℃以下、さらに好ましくは200℃以上240℃以下に保持
し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を100Pa以上250Pa以下
、さらに好ましくは100Pa以上200Pa以下とし、処理室内に設けられる電極に0
.17W/cm2以上0.5W/cm2以下、さらに好ましくは0.25W/cm2以上
0.35W/cm2以下の高周波電力を供給する条件により、酸化シリコン膜または酸化
窒化シリコン膜を形成する。
いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン、
トリシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素
、二酸化窒素等がある。
波電力を供給することで、プラズマ中で原料ガスの分解効率が高まり、酸素ラジカルが増
加し、原料ガスの酸化が進むため、酸化物絶縁膜24中における酸素含有量が化学量論比
よりも多くなる。一方、基板温度が、上記温度で形成された膜では、シリコンと酸素の結
合力が弱いため、後の工程の加熱処理により膜中の酸素の一部が脱離する。この結果、化
学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸
化物絶縁膜を形成することができる。また、酸化物半導体膜19a上に酸化物絶縁膜22
が設けられている。このため、酸化物絶縁膜24の形成工程において、酸化物絶縁膜22
が酸化物半導体膜19aの保護膜となる。この結果、酸化物半導体膜19aへのダメージ
を低減しつつ、パワー密度の高い高周波電力を用いて酸化物絶縁膜24を形成することが
できる。
ccmの一酸化二窒素を原料ガスとし、処理室の圧力を200Pa、基板温度を220℃
とし、27.12MHzの高周波電源を用いて1500Wの高周波電力を平行平板電極に
供給したプラズマCVD法により、厚さ400nmの酸化窒化シリコン膜を形成する。な
お、プラズマCVD装置は電極面積が6000cm2である平行平板型のプラズマCVD
装置であり、供給した電力を単位面積あたりの電力(電力密度)に換算すると0.25W
/cm2である。
、導電膜のエッチングによって、酸化物半導体膜19aはダメージを受け、酸化物半導体
膜19aのバックチャネル(酸化物半導体膜19aにおいて、ゲート電極として機能する
導電膜13と対向する面と反対側の面)側に酸素欠損が生じる。しかし、酸化物絶縁膜2
4に化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を適用することで
、加熱処理によって当該バックチャネル側に生じた酸素欠損を修復することができる。こ
れにより、酸化物半導体膜19aに含まれる欠陥を低減することができるため、トランジ
スタ102の信頼性を向上させることができる。
よりマスクを形成する。次に、該マスクを用いて酸化物絶縁膜22及び酸化物絶縁膜24
の一部をエッチングして、図7(D)に示すように、開口部40を有する酸化物絶縁膜2
3及び酸化物絶縁膜25を形成する。この後、マスクを除去する。
4をエッチングすることが好ましい。この結果、酸化物半導体膜19cはエッチング処理
においてプラズマに曝されるため、酸化物半導体膜19cの酸素欠損量を増加させること
が可能である。
、好ましくは300℃以上400℃以下、好ましくは320℃以上370℃以下とする。
で、短時間に限り、基板の歪み点以上の温度で熱処理を行うことができる。そのため加熱
処理時間を短縮することができる。
pm以下、好ましくは10ppb以下の空気)、または希ガス(アルゴン、ヘリウム等)
の雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガスに水素、水
等が含まれないことが好ましい。
に移動させ、酸化物半導体膜19aに含まれる酸素欠損量を低減することができる。
窒化物絶縁膜26が、さらに水、水素等に対するバリア性を有する場合、窒化物絶縁膜2
6を後に形成し、加熱処理を行うと、酸化物絶縁膜23及び酸化物絶縁膜25に含まれる
水、水素等が、酸化物半導体膜19aに移動し、酸化物半導体膜19aに欠陥が生じてし
まう。しかしながら、当該加熱により、酸化物絶縁膜23及び酸化物絶縁膜25に含まれ
る水、水素等を脱離させることが可能であり、トランジスタ102の電気特性のばらつき
を低減すると共に、しきい値電圧の変動を抑制することができる。
物半導体膜19aに酸素を移動させ、酸化物半導体膜19aに含まれる酸素欠損量を低減
することが可能であるため、当該加熱処理を行わなくともよい。
もよいが、酸化物絶縁膜23及び酸化物絶縁膜25を形成した後の加熱処理の方が、酸化
物半導体膜19cへの酸素の移動が生じないと共に、酸化物半導体膜19cが露出されて
いるため酸化物半導体膜19cから酸素が脱離し、酸素欠損が形成されるため、より導電
性を有する膜を形成でき、好ましい。
て形成することができる。窒化物絶縁膜26をスパッタリング法、CVD法等により形成
することで、酸化物半導体膜19cがプラズマに曝されるため、酸化物半導体膜19cの
酸素欠損量を増加させることができる。
絶縁膜26として、プラズマCVD法により窒化シリコン膜を形成すると、窒化シリコン
膜に含まれる水素が酸化物半導体膜19cに拡散するため、画素電極19bの導電性を高
めることができる。
CVD装置の真空排気された処理室内に載置された基板を300℃以上400℃以下、さ
らに好ましくは320℃以上370℃以下に保持することで、緻密な窒化シリコン膜を形
成できるため好ましい。
原料ガスとして用いることが好ましい。原料ガスとして、窒素と比較して少量のアンモニ
アを用いることで、プラズマ中でアンモニアが解離し、活性種が発生する。当該活性種が
、シリコンを含む堆積性気体に含まれるシリコン及び水素の結合、及び窒素の三重結合を
切断する。この結果、シリコン及び窒素の結合が促進され、シリコン及び水素の結合が少
なく、欠陥が少なく、緻密な窒化シリコン膜を形成することができる。一方、原料ガスに
おいて、窒素に対するアンモニアの量が多いと、シリコンを含む堆積性気体及び窒素それ
ぞれの分解が進まず、シリコン及び水素結合が残存してしまい、欠陥が増大した、且つ粗
な窒化シリコン膜が形成されてしまう。これらのため、原料ガスにおいて、アンモニアに
対する窒素の流量比を5以上50以下、好ましくは10以上50以下とすることが好まし
い。
sccmの窒素、及び流量100sccmのアンモニアを原料ガスとし、処理室の圧力を
100Pa、基板温度を350℃とし、27.12MHzの高周波電源を用いて1000
Wの高周波電力を平行平板電極に供給したプラズマCVD法により、窒化物絶縁膜26と
して、厚さ50nmの窒化シリコン膜を形成する。なお、プラズマCVD装置は電極面積
が6000cm2である平行平板型のプラズマCVD装置であり、供給した電力を単位面
積あたりの電力(電力密度)に換算すると1.7×10-1W/cm2である。
0℃以下、好ましくは300℃以上400℃以下、好ましくは320℃以上370℃以下
とする。この結果、しきい値電圧のマイナスシフトを低減することができる。また、しき
い値電圧の変動量を低減することができる。
ラフィ工程によりマスクを形成した後、該マスクを用いて、窒化物絶縁膜26をエッチン
グして、導電膜21a、21bと同時に形成される導電膜を露出させると共に窒化物絶縁
膜27を形成する。該導電膜は、後に形成されるコモン電極29と接続される。
電膜28を形成する。
スクを形成する。次に、該マスクを用いて導電膜28の一部をエッチングして、図8(C
)に示すように、コモン電極29を形成する。なお、図示しないが、コモン電極29は、
導電膜13と同時に形成された接続端子、または導電膜21a、21bと同時に形成され
た接続端子と接続する。この後、マスクを除去する。
ことができる。
域を有するコモン電極が形成される。このため、コントラストの優れた表示装置を作製す
ることができる。
時に、画素電極が形成されるため、6枚のフォトマスクを用いてトランジスタ102及び
容量素子105を作製することが可能である。画素電極は容量素子の一方の電極として機
能する。また、コモン電極は、容量素子の他方の電極として機能する。これらのため、容
量素子を形成するために、新たに導電膜を形成する工程が不要であり、作製工程を削減で
きる。また、容量素子は透光性を有する。この結果、容量素子の占有面積を大きくしつつ
、画素の開口率を高めることができる。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
実施の形態1に示す表示装置において、コモン電極に接続するコモン線を有する構造に
ついて、図9を用いて説明する。
、図9(A)の一点鎖線A-B、C-Dの断面図を図9(B)に示す。
向に延伸するコモン線21cが形成される。ここで、コモン電極29の構成を分かりやす
くするため、ハッチングを用いてコモン電極29の形状を説明する。コモン電極29は、
左下がりハッチングで示した複数の第1の領域と、右下がりハッチングで示した第2の領
域とを有する。なお、複数の第1の領域は、縞状の領域である。第2の領域は、信号線と
して機能する導電膜21aと平行または略平行な方向に延伸する。また、第2の領域は、
複数の第1の領域(縞状の領域)と接続するため、接続領域ともいえる。コモン線21c
は、コモン電極29の接続領域(第2の領域)と重なる。
素ごとに設けてもよい。たとえば、図9(A)に示すように、3つの画素に対して1本の
コモン線21cを設けることで、表示装置においてコモン線の専有面積を低減することが
可能である。この結果、画素の面積及び画素の開口率を高めることが可能である。
コモン電極29の接続領域(第2の領域)との間で発生する電界では、液晶分子が駆動さ
れにくい。このため、コモン電極29の接続領域において、画素電極19bと重なる領域
を低減することで、液晶分子が駆動される領域を増加させることが可能となり、開口率を
向上することができる。例えば、図9(A)に示すように、コモン電極29の接続領域を
、画素電極19bと重ならない位置に設けることで、画素電極19bとコモン電極29の
接続領域との重なる面積を低減することが可能であり、画素の開口率を高めることが可能
である。
コモン線21cを設けているが、2つの画素に対して1本のコモン線を設けてもよい。ま
たは、4以上の画素に対して1本のコモン線を設けてもよい。
時に形成することができる。また、コモン電極29は、酸化物絶縁膜23、酸化物絶縁膜
25、及び窒化物絶縁膜27に形成される開口部42において、コモン線21cと接続す
る。
いため、コモン電極29及びコモン線21cの抵抗を低減することが可能である。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態2と異なる表示装置及びその作製方法について図面を参
照して説明する。本実施の形態では、高精細な表示装置に含まれるトランジスタにおいて
、光漏れを低減することが可能なソース電極及びドレイン電極を有する点が、実施の形態
2と異なる。なお、実施の形態2と重複する構成は説明を省略する。
の一方として機能する導電膜21bの上面形状がL字であることを特徴とする。すなわち
、導電膜21bは、走査線として機能する導電膜13と垂直な方向に延伸する領域21b
_1と、該導電膜13と平行または略平行な方向に延伸する領域21b_2とが接続した
平面形状を有し、且つ該領域21b_2が、上面図において、導電膜13、画素電極19
b、及びコモン電極29の一以上と重なることを特徴とする。または、導電膜21bは、
該導電膜13と平行または略平行な方向に延伸する領域21b_2を有し、該領域21b
_2が、上面図において、導電膜13と、画素電極19bまたはコモン電極29との間に
位置することを特徴とする。
膜13及びコモン電極29の間隔が狭まる。黒表示の画素において、トランジスタがオン
状態となる電圧が、走査線として機能する導電膜13に印加されると、画素電極19b及
び走査線として機能する導電膜13との間に、電界が発生してしまう。この結果、液晶分
子が意図しない方向に回転してしまい、光漏れの原因となる。
電極及びドレイン電極の一方として機能する導電膜21bにおいて、導電膜13、画素電
極19b、及びコモン電極29の一以上と重なる領域21b_2を有する、または、上面
図において、導電膜13と、画素電極19bまたはコモン電極29との間に位置する領域
21b_2を有する。この結果、領域21b_2が、走査線として機能する導電膜13の
電界を遮蔽するため、該導電膜13及び画素電極19bの間に発生する電界を抑制するこ
とが可能であり、光漏れを低減することが可能である。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態2及び実施の形態3と異なる表示装置及びその作製方法
について図面を参照して説明する。本実施の形態では、高精細な表示装置において、光漏
れを低減することが可能なコモン電極を有する点が実施の形態2と異なる。なお、実施の
形態2と重複する構成は説明を省略する。
として機能する導電膜21aと交差する方向に延伸する縞状の領域29a_1と、該縞状
の領域と接続し、且つ走査線として機能する導電膜13と重なる領域29a_2を有する
ことを特徴とする。
膜13及び画素電極19bの間隔が狭まる。走査線として機能する導電膜13に電圧が印
加されると、該導電膜13及び画素電極19bの間に電界が発生してしまう。この結果、
液晶分子が意図しない方向に動作してしまい、光漏れの原因となる。
差する領域29a_2を有するコモン電極29aを有する。この結果、走査線として機能
する導電膜13とコモン電極29aの間に発生する電界を抑制することが可能であり、光
漏れを低減することが可能である。
ことができる。例えば、コモン電極29aは、図24や図25のように、走査線として機
能する導電膜13の一部と重なる領域を有してもよい。トランジスタの酸化物半導体膜1
9aに形成されるチャネル領域は、コモン電極29aと重ならない。この結果、チャネル
領域へコモン電極29aの電界が加わらないため、トランジスタのリーク電流を低減する
ことができる。また、図25に示すコモン電極29aは、走査線として機能する導電膜1
3及び信号線として機能する導電膜21aと重なる領域を有するため、導電膜13及び導
電膜21aの電界をコモン電極29aで遮蔽することができるため、液晶分子の配向乱れ
を低減することができる。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態2と異なる表示装置及びその作製方法について図面を参
照して説明する。本実施の形態では、トランジスタにおいて異なるゲート電極の間に酸化
物半導体膜が設けられている構造、即ちデュアルゲート構造のトランジスタである点が実
施の形態2と異なる。なお、実施の形態2と重複する構成は説明を省略する。
子基板は、図12に示すように、ゲート電極として機能する導電膜13、酸化物半導体膜
19a、導電膜21a、21b、及び酸化物絶縁膜25それぞれの一部または全部に重な
るゲート電極として機能する導電膜29bを有する点が実施の形態2と異なる。ゲート電
極として機能する導電膜29bは、開口部41a及び41bにおいて、ゲート電極として
機能する導電膜13と接続する。
る。なお、A-Bは、トランジスタ102aのチャネル長方向、及び容量素子105aの
断面図であり、C-Dにおける断面図は、トランジスタ102aのチャネル幅方向、及び
ゲート電極として機能する導電膜13及びゲート電極として機能する導電膜29bの接続
部における断面図である。
板11上に設けられるゲート電極として機能する導電膜13を有する。また、基板11及
びゲート電極として機能する導電膜13上に形成される窒化物絶縁膜15と、窒化物絶縁
膜15上に形成される酸化物絶縁膜17と、窒化物絶縁膜15及び酸化物絶縁膜17を介
して、ゲート電極として機能する導電膜13と重なる酸化物半導体膜19aと、酸化物半
導体膜19aに接する、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜21a、21
bとを有する。また、酸化物絶縁膜17、酸化物半導体膜19a、及びソース電極及びド
レイン電極として機能する導電膜21a、21b上には、酸化物絶縁膜23が形成され、
酸化物絶縁膜23上には酸化物絶縁膜25が形成される。窒化物絶縁膜15、酸化物絶縁
膜23、酸化物絶縁膜25、導電膜21b上には窒化物絶縁膜27が形成される。また、
画素電極19bが、酸化物絶縁膜17上に形成される。画素電極19bは、ソース電極及
びドレイン電極として機能する導電膜21a、21bの一方、ここでは導電膜21bに接
続する。また、コモン電極29、及びゲート電極として機能する導電膜29bが窒化物絶
縁膜27上に形成される。
れる開口部41a及び41bにおいて、ゲート電極として機能する導電膜29bは、ゲー
ト電極として機能する導電膜13と接続する。即ち、ゲート電極として機能する導電膜1
3及びゲート電極として機能する導電膜29bは同電位である。
期特性バラつきの低減、-GBTストレス試験の劣化の抑制及び異なるドレイン電圧にお
けるオン電流の立ち上がり電圧の変動の抑制が可能である。また、酸化物半導体膜19a
においてキャリアの流れる領域が膜厚方向においてより大きくなるため、キャリアの移動
量が増加する。この結果、トランジスタ102aのオン電流が大きくなると共に、電界効
果移動度が高くなり、代表的には電界効果移動度が20cm2/V・s以上となる。
形成される。分離された酸化物絶縁膜23、25が酸化物半導体膜19aと重畳する。ま
た、チャネル幅方向の断面図において、酸化物半導体膜19aの外側に酸化物絶縁膜23
及び酸化物絶縁膜25の端部が位置する。また、図12に示すチャネル幅方向において、
ゲート電極として機能する導電膜29bは、酸化物絶縁膜23及び酸化物絶縁膜25を介
して、酸化物半導体膜19aの側面と対向する。
より欠陥が形成されると共に、不純物付着などにより汚染される。このため、電界などの
ストレスが与えられることによって活性化しやすく、それによりn型(低抵抗)となりや
すい。そのため、ゲート電極として機能する導電膜13と重なる酸化物半導体膜19aの
端部において、n型化しやすくなる。当該n型化された端部が、ソース電極及びドレイン
電極として機能する導電膜21a、21bの間に設けられると、n型化された領域がキャ
リアのパスとなってしまい、寄生チャネルが形成される。しかしながら、C-Dの断面図
に示すように、チャネル幅方向において、ゲート電極として機能する導電膜29bが、酸
化物絶縁膜23、25を介して、酸化物半導体膜19aの側面と対向すると、ゲート電極
として機能する導電膜29bの電界の影響により、酸化物半導体膜19aの側面、または
側面及びその近傍を含む領域における寄生チャネルの発生が抑制される。この結果、しき
い値電圧におけるドレイン電流の上昇が急峻である、電気特性の優れたトランジスタとな
る。
電極19b及び導電膜21a近傍において、液晶分子の意図しない配向を防ぐことが可能
であり、光漏れを抑制することができる。この結果、コントラストの優れた表示装置を作
製することができる。
形成された膜であり、且つ不純物を含むことにより導電性が高められた膜である。または
、画素電極19bは、酸化物半導体膜19aと同時に形成された膜であり、プラズマダメ
ージ等により酸素欠損が形成され、導電性が高められた膜である。または、画素電極19
bは、酸化物半導体膜19aと同時に形成された膜であり、且つ不純物を含むと共に、プ
ラズマダメージ等により酸素欠損が形成され、導電性が高められた膜である。
画素電極が形成される。画素電極は容量素子の一方の電極として機能する。また、コモン
電極は容量素子の他方の電極として機能する。これらのため、容量素子を形成するために
、新たに導電膜を形成する工程が不要であり、作製工程を削減できる。また、容量素子は
透光性を有する。この結果、容量素子の占有面積を大きくしつつ、画素の開口率を高める
ことができる。
同じ符号の構成については、説明を省略する。
の材料を適宜用いることができる。
図6乃至図8、及び図13を用いて説明する。
して機能する導電膜13、窒化物絶縁膜15、酸化物絶縁膜16、酸化物半導体膜19a
、画素電極19b、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜21a、21b、
酸化物絶縁膜22、酸化物絶縁膜24、及び窒化物絶縁膜26をそれぞれ形成する。当該
工程においては、第1のフォトマスク乃至第4のフォトマスクを用いたフォトリソグラフ
ィ工程を行う。
りマスクを形成した後、該マスクを用いて窒化物絶縁膜26の一部をエッチングして、図
13(A)に示すように、開口部41a及び41bを有する窒化物絶縁膜27を形成する
。
b、及び窒化物絶縁膜27上に、後にコモン電極29、ゲート電極として機能する導電膜
29bとなる導電膜28を形成する。
スクを形成する。次に、該マスクを用いて導電膜28の一部をエッチングして、図13(
C)に示すように、コモン電極29及びゲート電極として機能する導電膜29bを形成す
る。この後、マスクを除去する。
することができる。
能するコモン電極29が、酸化物絶縁膜23、25を介して、酸化物半導体膜19aの側
面と対向するため、ゲート電極として機能する導電膜29bの電界の影響により、酸化物
半導体膜19aの側面、または側面及びその近傍を含む領域における寄生チャネルの発生
が抑制される。この結果、しきい値電圧におけるドレイン電流の上昇が急峻である、電気
特性の優れたトランジスタとなる。
域を有するコモン電極が形成される。このため、コントラストの優れた表示装置を作製す
ることができる。
時に、画素電極が形成される。画素電極は容量素子の一方の電極として機能する。また、
コモン電極は、容量素子の他方の電極として機能する。これらのため、容量素子を形成す
るために、新たに導電膜を形成する工程が不要であり、作製工程を削減できる。また、容
量素子は透光性を有する。この結果、容量素子の占有面積を大きくしつつ、画素の開口率
を高めることができる。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
実施の形態2乃至実施の形態5に示すトランジスタに設けられるソース電極及びドレイ
ン電極として機能する導電膜21a、21bとして、タングステン、チタン、アルミニウ
ム、銅、モリブデン、クロム、またはタンタル単体若しくはこれらの合金等の酸素と結合
しやすい導電材料を用いることができる。この結果、酸化物半導体膜19aに含まれる酸
素とソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜21a、21bに含まれる導電材
料とが結合し、酸化物半導体膜19aにおいて、酸素欠損領域が形成される。また、酸化
物半導体膜19aにソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜21a、21bを
形成する導電材料の構成元素の一部が混入する場合もある。これらの結果、酸化物半導体
膜19aにおいて、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜21a、21bと
接する領域近傍に、低抵抗領域が形成される。低抵抗領域は、ソース電極及びドレイン電
極として機能する導電膜21a、21bに接し、且つ酸化物絶縁膜17と、ソース電極及
びドレイン電極として機能する導電膜21a、21bの間に形成される。低抵抗領域は、
導電性が高いため、酸化物半導体膜19aとソース電極及びドレイン電極として機能する
導電膜21a、21bとの接触抵抗を低減することが可能であり、トランジスタのオン電
流を増大させることが可能である。
と結合しやすい導電材料と、窒化チタン、窒化タンタル、ルテニウム等の酸素と結合しに
くい導電材料との積層構造としてもよい。このような積層構造とすることで、ソース電極
及びドレイン電極として機能する導電膜21a、21bと酸化物絶縁膜23との界面にお
いて、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜21a、21bの酸化を防ぐこ
とが可能であり、ソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜21a、21bの高
抵抗化を抑制することが可能である。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、実施の形態2乃至実施の形態5と比較して、酸化物半導体膜の欠陥
量をさらに低減することが可能なトランジスタを有する表示装置について図面を参照して
説明する。本実施の形態で説明するトランジスタは、実施の形態2乃至実施の形態5と比
較して、複数の酸化物半導体膜を有する多層膜を有する点が異なる。ここでは、実施の形
態2を用いて、トランジスタの詳細を説明する。
B、C-D間の断面図に相当する。
を介して、ゲート電極として機能する導電膜13と重なる多層膜37aと、多層膜37a
に接するソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜21a、21bとを有する。
また、窒化物絶縁膜15及び酸化物絶縁膜17、多層膜37a、及びソース電極及びドレ
イン電極として機能する導電膜21a、21b上には、酸化物絶縁膜23、酸化物絶縁膜
25、及び窒化物絶縁膜27が形成される。
bと、多層膜37bに接する窒化物絶縁膜27と、窒化物絶縁膜27に接するコモン電極
29とを有する。多層膜37bは、酸化物半導体膜19f及び酸化物半導体膜39bを有
する。即ち、多層膜37bは2層構造である。また、多層膜37bは画素電極として機能
する。
19a及び酸化物半導体膜39aを有する。即ち、多層膜37aは2層構造である。また
、酸化物半導体膜19aの一部がチャネル領域として機能する。また、酸化物半導体膜3
9aに接するように、酸化物絶縁膜23が形成されており、酸化物絶縁膜23に接するよ
うに酸化物絶縁膜25が形成されている。即ち、酸化物半導体膜19aと酸化物絶縁膜2
3との間に、酸化物半導体膜39aが設けられている。
れる酸化物膜である。このため、酸化物半導体膜19aと酸化物半導体膜39aとの界面
において、界面散乱が起こりにくい。従って、該界面においてはキャリアの動きが阻害さ
れないため、トランジスタの電界効果移動度が高くなる。
n-M-Zn酸化物膜(Mは、Al、Ga、Y、Zr、La、Ce、またはNd)であり
、且つ酸化物半導体膜19aよりも伝導帯の下端のエネルギーが真空準位に近く、代表的
には、酸化物半導体膜39aの伝導帯の下端のエネルギーと、酸化物半導体膜19aの伝
導帯の下端のエネルギーとの差が、0.05eV以上、0.07eV以上、0.1eV以
上、または0.15eV以上、且つ2eV以下、1eV以下、0.5eV以下、または0
.4eV以下である。即ち、酸化物半導体膜39aの電子親和力と、酸化物半導体膜19
aの電子親和力との差が、0.05eV以上、0.07eV以上、0.1eV以上、また
は0.15eV以上、且つ2eV以下、1eV以下、0.5eV以下、または0.4eV
以下である。
るため好ましい。
より高い原子数比で有することで、以下の効果を有する場合がある。(1)酸化物半導体
膜39aのエネルギーギャップを大きくする。(2)酸化物半導体膜39aの電子親和力
を小さくする。(3)外部からの不純物の拡散を低減する。(4)酸化物半導体膜19a
と比較して、絶縁性が高くなる。(5)Al、Ga、Y、Zr、La、Ce、またはNd
は、酸素との結合力が強い金属元素であるため、酸素欠損が生じにくくなる。
0atomic%としたとき、InとMの原子数比率は、好ましくは、Inが50ato
mic%未満、Mが50atomic%以上、さらに好ましくは、Inが25atomi
c%未満、Mが75atomic%以上とする。
Mは、Al、Ga、Y、Zr、La、Ce、またはNd)の場合、酸化物半導体膜19a
と比較して、酸化物半導体膜39aに含まれるM(Al、Ga、Y、Zr、La、Ce、
またはNd)の原子数比が大きく、代表的には、酸化物半導体膜19aに含まれる上記原
子と比較して、1.5倍以上、好ましくは2倍以上、さらに好ましくは3倍以上高い原子
数比である。
MはAl、Ga、Y、Zr、La、Ce、またはNd)の場合、酸化物半導体膜39aを
In:M:Zn=x1:y1:z1[原子数比]、酸化物半導体膜19aをIn:M:Z
n=x2:y2:z2[原子数比]とすると、y1/x1がy2/x2よりも大きく、好
ましくは、y1/x1がy2/x2よりも1.5倍以上である。さらに好ましくは、y1
/x1がy2/x2よりも2倍以上大きく、より好ましくは、y1/x1がy2/x2よ
りも3倍以上大きい。
、Ce、またはNd)の場合、酸化物半導体膜19aを成膜するために用いるターゲット
において、金属元素の原子数比をIn:M:Zn=x1:y1:z1とすると、x1/y
1は、1/3以上6以下、さらには1以上6以下であって、z1/y1は、1/3以上6
以下、さらには1以上6以下であることが好ましい。なお、z1/y1を1以上6以下と
することで、酸化物半導体膜19aとしてCAAC-OS膜が形成されやすくなる。ター
ゲットの金属元素の原子数比の代表例としては、In:M:Zn=1:1:1、In:M
:Zn=1:1:1.2、In:M:Zn=3:1:2等がある。
、Ce、またはNd)の場合、酸化物半導体膜39aを成膜するために用いるターゲット
において、金属元素の原子数比をIn:M:Zn=x2:y2:z2とすると、x2/y
2<x1/y1であって、z2/y2は、1/3以上6以下、さらには1以上6以下であ
ることが好ましい。なお、z2/y2を1以上6以下とすることで、酸化物半導体膜39
aとしてCAAC-OS膜が形成されやすくなる。ターゲットの金属元素の原子数比の代
表例としては、In:M:Zn=1:3:2、In:M:Zn=1:3:4、In:M:
Zn=1:3:6、In:M:Zn=1:3:8、In:M:Zn=1:4:4、In:
M:Zn=1:4:5、In:M:Zn=1:6:8等がある。
して上記の原子数比のプラスマイナス40%の変動を含む。
体膜19aへのダメージ緩和膜としても機能する。
0nm以下とする。
でもよい。非単結晶構造は、例えば、後述するCAAC-OS(C Axis Alig
ned-Crystalline Oxide Semiconductor)、多結晶
構造、後述する微結晶構造、または非晶質構造を含む。
、例えば、原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さない。
の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、CAAC-OSの領域、及び単結晶構造
の領域の二種以上の領域を有する混合膜を構成してもよい。混合膜は、例えば、非晶質構
造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、CAAC-OSの領域、単結晶構造の
領域のいずれか二種以上の領域を有する単層構造の場合がある。また、混合膜は、例えば
、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造の領域、CAAC-OSの領域、単
結晶構造の領域のいずれか二種以上の領域が積層した積層構造を有する場合がある。
が設けられている。このため、酸化物半導体膜39aと酸化物絶縁膜23の間において、
不純物及び欠陥によりキャリアトラップが形成されても、当該キャリアトラップと酸化物
半導体膜19aとの間には隔たりがある。この結果、酸化物半導体膜19aを流れる電子
がキャリアトラップに捕獲されにくく、トランジスタのオン電流を増大させることが可能
であると共に、電界効果移動度を高めることができる。また、キャリアトラップに電子が
捕獲されると、該電子がマイナスの固定電荷となってしまう。この結果、トランジスタの
しきい値電圧が変動してしまう。しかしながら、酸化物半導体膜19aとキャリアトラッ
プとの間に隔たりがあるため、キャリアトラップにおける電子の捕獲を削減することが可
能であり、しきい値電圧の変動量を低減することができる。
外部から酸化物半導体膜19aへ移動する不純物量を低減することが可能である。また、
酸化物半導体膜39aは、酸素欠損を形成しにくい。これらのため、酸化物半導体膜19
aにおける不純物濃度及び酸素欠損量を低減することが可能である。
なく連続接合(ここでは特に伝導帯の下端のエネルギーが各膜の間で連続的に変化する構
造)が形成されるように作製する。すなわち、各膜の界面にトラップ中心や再結合中心の
ような欠陥準位を形成する不純物が存在しないような積層構造とする。仮に、積層された
酸化物半導体膜19a及び酸化物半導体膜39aの間に不純物が混在していると、エネル
ギーバンドの連続性が失われ、界面でキャリアがトラップされ、あるいは再結合して、消
滅してしまう。
置(スパッタリング装置)を用いて各膜を大気に触れさせることなく連続して積層するこ
とが必要となる。スパッタリング装置における各チャンバーは、酸化物半導体膜にとって
不純物となる水等を可能な限り除去すべくクライオポンプのような吸着式の真空排気ポン
プを用いて高真空排気(5×10-7Pa乃至1×10-4Pa程度まで)することが好
ましい。または、ターボ分子ポンプとコールドトラップを組み合わせて排気系からチャン
バー内に気体、特に炭素または水素を含む気体が逆流しないようにしておくことが好まし
い。
多層膜38aを有してもよい。
膜38bを有してもよい。
39aを有する。即ち、多層膜38aは3層構造である。また、酸化物半導体膜19aが
チャネル領域として機能する。
ることができる。
39bを有する。即ち、多層膜38bは3層構造である。また、多層膜38bは画素電極
として機能する。
ができる。酸化物半導体膜49bは、酸化物半導体膜39bと同様の材料及び形成方法を
適宜用いることができる。
と酸化物半導体膜19aとの間に、酸化物半導体膜49aが設けられている。
酸化物絶縁膜23が接する。即ち、酸化物半導体膜19aと酸化物絶縁膜23との間に、
酸化物半導体膜39aが設けられている。
半導体膜49aの厚さを1nm以上5nm以下、好ましくは1nm以上3nm以下とする
ことで、トランジスタのしきい値電圧の変動量を低減することが可能である。
に、酸化物半導体膜39aが設けられている。このため、酸化物半導体膜39aと酸化物
絶縁膜23の間において、不純物及び欠陥によりキャリアトラップが形成されても、当該
キャリアトラップと酸化物半導体膜19aとの間には隔たりがある。この結果、酸化物半
導体膜19aを流れる電子がキャリアトラップに捕獲されにくく、トランジスタのオン電
流を増大させることが可能であると共に、電界効果移動度を高めることができる。また、
キャリアトラップに電子が捕獲されると、該電子がマイナスの固定電荷となってしまう。
この結果、トランジスタのしきい値電圧が変動してしまう。しかしながら、酸化物半導体
膜19aとキャリアトラップとの間に隔たりがあるため、キャリアトラップにおける電子
の捕獲を削減することが可能であり、しきい値電圧の変動量を低減することができる。
外部から酸化物半導体膜19aへ移動する不純物量を低減することが可能である。また、
酸化物半導体膜39aは、酸素欠損を形成しにくい。これらのため、酸化物半導体膜19
aにおける不純物濃度及び酸素欠損量を低減することが可能である。
けられており、酸化物半導体膜19aと酸化物絶縁膜23との間に、酸化物半導体膜39
aが設けられているため、酸化物半導体膜49aと酸化物半導体膜19aとの界面近傍に
おけるシリコンや炭素の濃度、酸化物半導体膜19aにおけるシリコンや炭素の濃度、ま
たは酸化物半導体膜39aと酸化物半導体膜19aとの界面近傍におけるシリコンや炭素
の濃度を低減することができる。これらの結果、多層膜38aにおいて、一定光電流測定
法で導出される吸収係数は、1×10-3/cm未満、好ましくは1×10-4/cm未
満となり、局在準位が極めて少ない。
少ないため、トランジスタの電気特性を向上させることが可能であり、代表的には、オン
電流の増大及び電界効果移動度の向上が可能である。また、ストレス試験の一例であるB
Tストレス試験及び光BTストレス試験におけるしきい値電圧の変動量が少なく、信頼性
が高い。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した表示装置に含まれているトランジスタに
おいて、酸化物半導体膜に適用可能な一態様について説明する。
、多結晶構造の酸化物半導体(以下、多結晶酸化物半導体という。)、微結晶構造の酸化
物半導体(以下、微結晶酸化物半導体という。)、及び非晶質構造の酸化物半導体(以下
、非晶質酸化物半導体という。)の一以上で構成されてもよい。また、酸化物半導体膜は
、CAAC-OS膜で構成されていてもよい。また、酸化物半導体膜は、非晶質酸化物半
導体及び結晶粒を有する酸化物半導体で構成されていてもよい。以下に、代表例として、
CAAC-OS及び微結晶酸化物半導体について説明する。
CAAC-OS膜は、複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つである。また、CA
AC-OS膜に含まれる結晶部は、c軸配向性を有する。平面TEM像において、CAA
C-OS膜に含まれる結晶部の面積が2500nm2以上、さらに好ましくは5μm2以
上、さらに好ましくは1000μm2以上である。また、断面TEM像において、該結晶
部を50%以上、好ましくは80%以上、さらに好ましくは95%以上有することで、単
結晶に近い物性の薄膜となる。
tron Microscope)によって観察すると、結晶部同士の明確な境界、即ち
結晶粒界(グレインバウンダリーともいう。)を確認することが困難である。そのため、
CAAC-OS膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
察)すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原
子の各層は、CAAC-OS膜の膜を形成する面(被形成面ともいう。)または上面の凹
凸を反映した形状であり、CAAC-OS膜の被形成面または上面と平行に配列する。な
お、本明細書において、「平行」とは、二つの直線が-10°以上10°以下の角度で配
置されている状態をいう。従って、-5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「垂直
」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。従っ
て、85°以上95°以下の場合も含まれる。
EM観察)すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列している
ことを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られ
ない。
が観測される。
いることがわかる。
装置を用いて構造解析を行うと、CAAC-OS膜のout-of-plane法による
解析では、回折角(2θ)が31°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、I
n-Ga-Zn酸化物の結晶の(00x)面(xは整数)に帰属されることから、CAA
C-OS膜の結晶がc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に概略垂直な方向を向
いていることが確認できる。
lane法による解析では、2θが56°近傍にピークが現れる場合がある。このピーク
は、In-Ga-Zn酸化物の結晶の(110)面に帰属される。In-Ga-Zn酸化
物の単結晶酸化物半導体膜であれば、2θを56°近傍に固定し、試料面の法線ベクトル
を軸(φ軸)として試料を回転させながら分析(φスキャン)を行うと、(110)面と
等価な結晶面に帰属されるピークが6本観察される。これに対し、CAAC-OS膜の場
合は、2θを56°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
規則であるが、c軸配向性を有し、かつc軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平行
な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面TEM観察で確認された層状に配
列した金属原子の各層は、結晶のa-b面に平行な面である。
った際に形成される。上述したように、結晶のc軸は、CAAC-OS膜の被形成面また
は上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、CAAC-OS膜の形
状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のc軸がCAAC-OS膜の被形成面
または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
膜の結晶部が、CAAC-OS膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上
面近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、CA
AC-OS膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部
分的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現れる場合がある。2θが36°近
傍のピークは、CAAC-OS膜中の一部に、c軸配向性を有さない結晶部が含まれるこ
とを示している。CAAC-OS膜は、2θが31°近傍にピークを示し、2θが36°
近傍にピークを示さないことが好ましい。
、シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリ
コンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸
化物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させ
る要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半
径(または分子半径)が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜
の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不
純物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
物半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによっ
てキャリア発生源となることがある。
たは実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導
体膜は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。従って、
当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性(
ノーマリーオンともいう。)になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純
度真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導
体膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとな
る。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要す
る時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が
高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定と
なる場合がある。
性の変動が小さい。
微結晶酸化物半導体膜は、TEMによる観察像では、明確に結晶部を確認することが困
難な場合がある。微結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部は、1nm以上100nm以下
、または1nm以上10nm以下の大きさであることが多い。特に、1nm以上10nm
以下、または1nm以上3nm以下の微結晶であるナノ結晶(nc:nanocryst
al)を有する酸化物半導体膜を、nc-OS(nanocrystalline Ox
ide Semiconductor)膜と呼ぶ。また、nc-OS膜は、例えば、TE
Mによる観察像では、結晶粒界を明確に確認することが困難な場合がある。
上3nm以下の領域)において原子配列に周期性を有する。また、nc-OS膜は、異な
る結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。
従って、nc-OS膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かない
場合がある。例えば、nc-OS膜に対し、結晶部よりも大きい径のX線を用いるXRD
装置を用いて構造解析を行うと、out-of-plane法による解析では、結晶面を
示すピークが検出されない。また、nc-OS膜に対し、結晶部よりも大きいプローブ径
(例えば50nm以上)の電子線を用いる電子線回折(制限視野電子線回折ともいう。)
を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、nc-OS膜に対
し、結晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径(例えば1nm以上30nm以
下)の電子線を用いる電子線回折(ナノビーム電子線回折ともいう。)を行うと、スポッ
トが観測される。また、nc-OS膜に対しナノビーム電子線回折を行うと、円を描くよ
うに(リング状に)輝度の高い領域が観測される場合がある。また、nc-OS膜に対し
ナノビーム電子線回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが観測される場合が
ある。
のため、nc-OS膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし
、nc-OS膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、nc-
OS膜は、CAAC-OS膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
次に、酸化物半導体で形成される膜(以下、酸化物半導体膜(OS)という。)、及び
画素電極19bとして用いることが可能な酸化物導電体で形成される膜(以下、酸化物導
電体膜(OC)という。)それぞれにおける、導電率の温度依存性について、図26を用
いて説明する。図26において、横軸に測定温度(下横軸は1/T、上横軸はT)を示し
、縦軸に導電率(1/ρ)を示す。また、酸化物半導体膜(OS)の測定結果を三角印で
示し、酸化物導電体膜(OC)の測定結果を丸印で示す。
:Zn=1:1:1.2のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により厚
さ35nmのIn-Ga-Zn酸化物膜を形成し、原子数比がIn:Ga:Zn=1:4
:5のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により厚さ20nmのIn-
Ga-Zn酸化物膜を形成し、450℃の窒素雰囲気で加熱処理した後、450℃の窒素
及び酸素の混合ガス雰囲気で加熱処理し、さらにプラズマCVD法で酸化窒化シリコン膜
を形成して、作製された。
:Zn=1:1:1のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により厚さ1
00nmのIn-Ga-Zn酸化物膜を形成し、450℃の窒素雰囲気で加熱処理した後
、450℃の窒素及び酸素の混合ガス雰囲気で加熱処理し、プラズマCVD法で窒化シリ
コン膜を形成して、作製された。
化物半導体膜(OS)における導電率の温度依存性より小さい。代表的には、80K以上
290K以下における酸化物導電体膜(OC)の導電率の変化率は、±20%未満である
。または、150K以上250K以下における導電率の変化率は、±10%未満である。
即ち、酸化物導電体は、縮退半導体であり、伝導帯下端とフェルミ準位とが一致または略
一致していると推定される。このため、酸化物導電体膜(OC)を、抵抗素子、配線、電
極、画素電極、コモン電極等に用いることが可能である。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
上記実施の形態に示すトランジスタの作製方法において、ソース電極及びドレイン電極
として機能する導電膜21a、21bを形成した後、酸化物半導体膜19aを酸化雰囲気
で発生させたプラズマに曝し、酸化物半導体膜19aに酸素を供給することができる。酸
化雰囲気としては、酸素、オゾン、一酸化二窒素、二酸化窒素等の雰囲気がある。さらに
、当該プラズマ処理において、基板11側にバイアスを印加しない状態で発生したプラズ
マに酸化物半導体膜19aを曝すことが好ましい。この結果、酸化物半導体膜19aにダ
メージを与えず、且つ酸素を供給することが可能であり、酸化物半導体膜19aに含まれ
る酸素欠損量を低減することができる。また、エッチング処理により酸化物半導体膜19
aの表面に残存する不純物、例えば、フッ素、塩素等のハロゲン等を除去することができ
る。また、当該プラズマ処理を300℃以上で加熱しながら行うことが好ましい。プラズ
マ中の酸素と酸化物半導体膜19aに含まれる水素が結合し、水となる。基板が加熱され
ているため、当該水は酸化物半導体膜19aから脱離する。この結果、酸化物半導体膜1
9aに含まれる水素及び水の含有量を低減することができる。
どと適宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置が適用された電子機器の構成例について
説明する。また、本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を適用した表示モジュー
ルについて、図15を用いて説明を行う。
の間に、FPC8003に接続されたタッチパネル8004、FPC8005に接続され
た表示パネル8006、バックライトユニット8007、フレーム8009、プリント基
板8010、バッテリー8011を有する。なお、バックライトユニット8007、バッ
テリー8011、タッチパネル8004などは、設けられない場合もある。
8006のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
8006に重畳して用いることができる。また、表示パネル8006の対向基板(封止基
板)に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。または、表示パネル
8006の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
または、表示パネル8006の各画素内にタッチセンサ用電極を設け、静電容量方式のタ
ッチパネルとすることも可能である。
トユニット8007の端部に設け、光拡散板を用いる構成としてもよい。
作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレ
ーム8009は、放熱板としての機能を有していてもよい。
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリー8011による電源であってもよい。バッテリー801
1は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
追加して設けてもよい。
もいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカ
メラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯
型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げら
れる。
03a、1003bなどによって構成されている。表示部1003bはタッチパネルとな
っており、表示部1003bに表示されるキーボードボタン1004を触れることで画面
操作や、文字入力を行うことができる。勿論、表示部1003aをタッチパネルとして構
成してもよい。上記実施の形態で示したトランジスタをスイッチング素子として液晶パネ
ルや有機発光パネルを作製して表示部1003a、1003bに適用することにより、信
頼性の高い携帯型の情報端末とすることができる。
ど)を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に
表示した情報を操作又は編集する機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理
を制御する機能、等を有することができる。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子
(イヤホン端子、USB端子など)、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。
もよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロー
ドする構成とすることも可能である。
に装着するための固定部1022と、スピーカー、操作ボタン1024、外部メモリスロ
ット1025等が設けられている。上記実施の形態で示したトランジスタをスイッチング
素子として液晶パネルや有機発光パネルを作製して表示部1023に適用することにより
、より信頼性の高い携帯音楽プレイヤーとすることができる。
持たせ、携帯電話と連携させれば、乗用車などを運転しながらワイヤレスによるハンズフ
リーでの会話も可能である。
されている。筐体1031には、表示パネル1032、スピーカー1033、マイクロフ
ォン1034、ポインティングデバイス1036、カメラ1037、外部接続端子103
8などを備えている。また、筐体1030には、携帯電話の充電を行う太陽電池1040
、外部メモリスロット1041などを備えている。また、アンテナは筐体1031内部に
内蔵されている。上記実施の形態で説明するトランジスタを表示パネル1032に適用す
ることにより、信頼性の高い携帯電話とすることができる。
れている複数の操作キー1035を点線で示している。なお、太陽電池1040で出力さ
れる電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
ル1032と同一面上にカメラ1037を備えているため、テレビ電話が可能である。ス
ピーカー1033及びマイクロフォン1034は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、
再生などが可能である。さらに、筐体1030と筐体1031は、スライドし、図16(
C)のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小
型化が可能である。
能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外
部メモリスロット1041に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応で
きる。
もよい。
、筐体1051に表示部1053が組み込まれている。表示部1053により、映像を表
示することが可能である。また、筐体1051を支持するスタンド1055にCPUが内
蔵されている。上記実施の形態で説明するトランジスタを表示部1053及びCPUに適
用することにより、信頼性の高いテレビジョン装置1050とすることができる。
モートコントローラにより行うことができる。また、リモートコントローラに、当該リモ
ートコントローラから出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線
による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方
向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である
。
052、外部メモリスロットを備えている。外部接続端子1054は、USBケーブルな
どの各種ケーブルと接続可能であり、パーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能
である。記憶媒体再生録画部1052では、ディスク状の記録媒体を挿入し、記録媒体に
記憶されているデータの読み出し、記録媒体への書き込みが可能である。また、外部メモ
リスロットに差し込まれた外部メモリ1056にデータ保存されている画像や映像などを
表示部1053に映し出すことも可能である。
、当該トランジスタを外部メモリ1056やCPUに適用することにより、消費電力が十
分に低減された信頼性の高いテレビジョン装置1050とすることができる。
とができる。
て、計算により評価した。
延伸した走査線201及びコモン線203と、縦方向(走査線及びコモン線と直交する方
向)に延伸した信号線205と、その内側の領域である。画素1つの大きさは、縦84μ
m、横28μmである。
配置され、且つコモン線203と電気的に接続されたコモン電極207と、コモン電極2
07上に配置されたくし歯状の画素電極209と、を有する。なお、画素電極209にお
いて信号線205と交差する方向に歯が延伸している。また、試料1において、走査線2
01と電気的に接続されたゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極と重なり、
コモン電極207と同一工程を経て形成された半導体膜211と、該半導体膜211と電
気的に接続し、信号線205と電気的に接続するソース電極及び画素電極209と電気的
に接続するドレイン電極213と、を有するトランジスタが、画素に設けられる。
素は、横方向に延伸した走査線221と、縦方向に延伸した信号線225と、その内側の
領域である。画素1つの大きさは、縦84μm、横28μmである。
の走査線に囲まれた領域の内側に配置された画素電極229と、画素電極229上に配置
された、コモン電極227と、を有する。コモン電極227は、信号線225と交差する
方向に縞状に延伸する。また、試料2において、走査線221と電気的に接続されたゲー
ト電極と、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極と重なり、画素電極229と同一工程を経
て形成された半導体膜231と、該半導体膜231と電気的に接続し、信号線225と電
気的に接続するソース電極及び画素電極229と電気的に接続するドレイン電極233と
、を有するトランジスタが、画素に設けられる。なお、トランジスタの断面形状は、実施
の形態2及び図5に示すトランジスタ102を参照することができる。
素電極とコモン電極との間に印加される横電界によって、液晶の透過率を制御することが
できる。
Master 3-Dを用い、FEM-Staticモードにて行った。なお、計算では
、サイズを縦84μm、横28μm、奥行(高さ)4μmとし、境界条件をperiod
icとしている。また、ゲート電極の厚さを200nm、ゲート絶縁膜の厚さを400n
m、信号線の厚さを300nm、層間絶縁膜の厚さを500nmとした。また、試料1は
、コモン電極の厚さを0nm、コモン電極と画素電極との間の窒化物絶縁膜の厚さを10
0nm、画素電極の厚さを100nmとした。また、試料2は、画素電極の厚さを0nm
、画素電極とコモン電極との間の窒化物絶縁膜の厚さを100nm、コモン電極の厚さを
100nmとした。また、液晶のラビング方向を85°、ツイスト角を0°、プレチルト
角を3°とした。なお、計算の負荷を軽くするために、試料1のコモン電極、試料2の画
素電極の厚さを0nmとした。該条件において、走査線に-9V、コモン線に0V、信号
線及び画素電極に6Vを印加した際の透過率の分布を評価した。
過率の分布を図17(C)に、試料2の透過率の分布を図17(D)に、それぞれ示す。
に試料2において、画素内の広い範囲で透過率の高い領域が形成されることがわかった。
これは、試料2に形成されるコモン電極において、信号線と平行な方向に延伸する領域を
有さず、試料2が試料1と比べて、画素電極及びコモン電極の間において電界が発生する
領域が広いためである。
であることがわかる。
を表示した際の黒表示領域における光漏れについて計算により評価した。
241と、縦方向に延伸した信号線243と、その内側の領域である。横方向に隣接する
画素2つを併せた大きさは、縦49.5μm、横30μmである。
の走査線に囲まれた領域の内側に配置された画素電極249と、画素電極249上に配置
された、コモン電極247と、を有する。なお、コモン電極247は信号線243と交差
する方向に縞状に延伸している。また、試料3において、走査線241と電気的に接続さ
れたゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極と重なり、画素電極249と同一
工程を経て形成された半導体膜251と、該半導体膜251と電気的に接続し、信号線2
43と電気的に接続するソース電極、及び画素電極と電気的に接続するドレイン電極25
3と、を有するトランジスタが、画素に設けられる。なお、トランジスタの断面形状は、
実施の形態2及び図5に示すトランジスタ102を参照することができる。
ドレイン電極及びコモン電極の形状が異なる。具体的には、試料4では、ドレイン電極2
63はL字型であり、画素電極249の端部と重なる領域を有することで、走査線241
及び画素電極249間における電界の影響を抑制している。同様に、コモン電極267を
、走査線241上をまたいで、縦方向に隣接する画素と繋がる形状とすることで、走査線
241及び画素電極249間における電界の影響を抑制している。
素電極とコモン電極との間に印加される横電界によって、液晶素子の透過率を制御するこ
とができる。
Master 3-Dを用い、FEM-Staticモードにて行った。なお、計算では
、サイズを縦49.5μm、横30μm、奥行(高さ)4μmとし、境界条件をperi
odicとしている。また、ゲート電極の厚さを200nm、ゲート絶縁膜の厚さを40
0nm、画素電極の厚さを0nm、信号線の厚さを300nm、層間絶縁膜の厚さを50
0nm、コモン電極の厚さを100nmとした。また、画素電極とコモン電極との間の窒
化物絶縁膜の厚さを100nmとした。また、液晶のラビング方向を90°、ツイスト角
を0°、プレチルト角を3°とした。なお、計算の負荷を軽くするために、画素電極の厚
さを0nmとした。該条件において、走査線に-9V、コモン線に0Vを印加した状態で
、左側の画素の信号線及び画素電極には6Vを、右側の画素の信号線及び画素電極には0
Vを印加した際の透過率の分布を評価した。
過率の分布を図18(C)に、試料4の透過率の分布を図18(D)に、それぞれ示す。
また、試料3の黒表示では、一部に透過率の高い領域(光漏れ)が確認された。一方、試
料4の黒表示では、画素全体に渡って透過率の高い領域は確認されなかった。試料4にお
いて、ドレイン電極263がL字型であり、画素電極249の端部と重なる領域を有する
ことで、試料3と比べて、走査線及び画素電極間における電界が発生しにくく、黒表示に
おける光漏れが低減していることがわかる。
造であることがわかる。
Claims (1)
- 第1の画素と、前記第1の画素と隣接して配置された第2の画素とを有し、
前記第1の画素は、第1の絶縁膜を介して走査線上に位置し、第1のトランジスタのチャネル形成領域を有する第1の半導体膜と、前記第1の絶縁膜上に接する領域を有する画素電極と、前記第1の半導体膜と電気的に接続された、導電膜及び第1の信号線と、を有し、
前記第2の画素は、前記第1の絶縁膜を介して前記走査線上に位置する第2の半導体膜と、前記第2の半導体膜と電気的に接続された第2の信号線と、を有し、
前記導電膜上、前記第1の信号線上及び前記第2の信号線上に位置する第2の絶縁膜を有し、
前記第2の絶縁膜の上面に接する領域を有し、開口部を有するコモン電極と、を有し、
前記コモン電極は、前記第1の信号線と重なる領域と、前記第2の信号線と重なる領域と、前記画素電極と重なる領域とを有し、且つ、前記第1のトランジスタのチャネル形成領域とは重ならず、
平面視における前記第1の信号線と前記第2の信号線との間に位置する領域において、前記開口部は、第1の方向に延伸する部分と、前記第1の方向に延伸する部分と接続し、且つ前記第1の方向と交差する第2の方向に延伸する部分と、を有し、
平面視において、前記第1の方向に延伸する部分の少なくとも一部と、前記第2の方向に延伸する部分との少なくとも一部は、前記第1の信号線と、前記第1の信号線と対向する前記画素電極の端部との間に位置する領域を有し、
前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜は、それぞれ全面が前記走査線と重なりを有し、
前記導電膜は、前記第1の半導体膜上に接する第1の領域と、前記画素電極上に接する第2の領域と、前記第1の領域と前記第2の領域との間の第3の領域と、を有し、
前記第2の領域は、前記走査線と平行又は略平行な第3の方向に延伸し、且つ前記走査線と対向する前記画素電極の端部との重なりを有し、
前記第3の領域は、前記第3の方向と交差する第4の方向に延伸することを特徴とする液晶表示装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US9964799B2 (en) | 2015-03-17 | 2018-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
WO2016181261A1 (ja) * | 2015-05-14 | 2016-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、電子機器 |
JP6501879B2 (ja) * | 2015-06-05 | 2019-04-17 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、液晶パネル、および、アクティブマトリクス基板の製造方法 |
KR102619052B1 (ko) | 2015-06-15 | 2023-12-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP2017003976A (ja) * | 2015-06-15 | 2017-01-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9852926B2 (en) | 2015-10-20 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor device |
JP6796086B2 (ja) * | 2016-02-05 | 2020-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN114725172A (zh) * | 2019-11-28 | 2022-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板和装置 |
TWM611365U (zh) * | 2020-01-22 | 2021-05-01 | 台灣愛司帝科技股份有限公司 | 顯示模組及其影像顯示器 |
JP7494538B2 (ja) * | 2020-04-06 | 2024-06-04 | Toppanホールディングス株式会社 | 液晶表示装置 |
CN114582256A (zh) * | 2020-12-02 | 2022-06-03 | 台湾爱司帝科技股份有限公司 | 显示模块及其图像显示器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009192932A (ja) | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
JP2009237233A (ja) | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置 |
JP2010160382A (ja) | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
US20130033665A1 (en) | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Te-Chen Chung | Liquid crystal display |
Family Cites Families (142)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
KR100299381B1 (ko) | 1998-08-24 | 2002-06-20 | 박종섭 | 고개구율 및 고투과율을 갖는 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
TW575775B (en) * | 2001-01-29 | 2004-02-11 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
KR101078509B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-10-31 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
KR20070085879A (ko) | 2004-11-10 | 2007-08-27 | 캐논 가부시끼가이샤 | 발광 장치 |
CA2585071A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
WO2006051993A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI481024B (zh) | 2005-01-28 | 2015-04-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US7600135B2 (en) | 2005-04-14 | 2009-10-06 | Mips Technologies, Inc. | Apparatus and method for software specified power management performance using low power virtual threads |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP4813842B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-11-09 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4623464B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2011-02-02 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
EP1998374A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR20090130089A (ko) | 2005-11-15 | 2009-12-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 다이오드 및 액티브 매트릭스 표시장치 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
US8332760B2 (en) | 2006-01-18 | 2012-12-11 | International Business Machines Corporation | Dynamically mapping chat session invitation history |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
KR101246756B1 (ko) * | 2006-02-03 | 2013-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP5148912B2 (ja) | 2006-04-06 | 2013-02-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及び半導体装置、並びに電子機器 |
EP1843194A1 (en) | 2006-04-06 | 2007-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
EP2096489A1 (en) * | 2006-07-21 | 2009-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Area-division type transflective active matrix LCD with both IPS and FFS electrode configurations in a pixel |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
US8274078B2 (en) | 2007-04-25 | 2012-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxynitride semiconductor containing zinc |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5235363B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2013-07-10 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP5578393B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2014-08-27 | Nltテクノロジー株式会社 | 横電界方式の液晶表示装置 |
US7876387B2 (en) * | 2008-01-18 | 2011-01-25 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Lateral electric field type liquid crystal display device |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
KR101257573B1 (ko) | 2008-11-12 | 2013-04-23 | 가부시키가이샤 브리지스톤 | 태양 전지용 밀봉막 및 이를 사용한 태양 전지 |
JP5646162B2 (ja) | 2009-01-23 | 2014-12-24 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び液晶表示装置 |
KR101275069B1 (ko) * | 2009-03-02 | 2013-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 |
US8115883B2 (en) * | 2009-08-27 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR101506124B1 (ko) | 2009-09-04 | 2015-03-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR101182471B1 (ko) | 2009-11-12 | 2012-09-12 | 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP5497417B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-05-21 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 |
KR101709530B1 (ko) * | 2009-12-22 | 2017-02-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 및 그 제조방법 |
JP5589408B2 (ja) | 2010-01-28 | 2014-09-17 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
JP5103494B2 (ja) | 2010-03-05 | 2012-12-19 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置 |
JP5585127B2 (ja) | 2010-03-08 | 2014-09-10 | 三菱電機株式会社 | アレイ基板、および液晶表示装置 |
JP5002668B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2012-08-15 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置 |
KR101730552B1 (ko) * | 2010-04-13 | 2017-05-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정표시장치 및 그 구동방법 |
DE112011101410B4 (de) | 2010-04-23 | 2018-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
KR101242033B1 (ko) * | 2010-05-05 | 2013-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
KR101642346B1 (ko) * | 2010-08-06 | 2016-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
JP5351118B2 (ja) * | 2010-10-05 | 2013-11-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
TWI439777B (zh) * | 2011-01-26 | 2014-06-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 液晶顯示面板之薄膜電晶體基板 |
KR101844015B1 (ko) | 2011-02-24 | 2018-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR101784447B1 (ko) * | 2011-05-23 | 2017-10-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 |
JP2013051328A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Japan Display Central Co Ltd | アクティブマトリックス型表示素子およびその製造方法 |
KR101970550B1 (ko) * | 2011-12-08 | 2019-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
JP2013177345A (ja) | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | キシリレンジアミンの製造方法 |
CN102790012A (zh) | 2012-07-20 | 2012-11-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板的制造方法及阵列基板、显示装置 |
KR20150040873A (ko) | 2012-08-03 | 2015-04-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8937307B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5924683B2 (ja) | 2012-08-31 | 2016-05-25 | 前山 勝也 | 高分子ゲルとその製造方法並びにフッ化物イオン捕集剤 |
KR102250010B1 (ko) | 2012-09-13 | 2021-05-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102459007B1 (ko) | 2012-12-25 | 2022-10-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
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2014
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2024
- 2024-02-27 KR KR1020240027962A patent/KR20240031997A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009192932A (ja) | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
JP2009237233A (ja) | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置 |
JP2010160382A (ja) | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
US20130033665A1 (en) | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Te-Chen Chung | Liquid crystal display |
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