TW573172B - Active-matrix liquid crystal display - Google Patents

Description

573172 五、發明說明（1) 本發明係 別是有關於一 具有較佳的視 習知上已 矩障式液晶顯 示裝置包括： 晝素電極，用 極，且相對於 光板。一液晶 在此液晶顯示 未施加電壓時 該表面上棑列 致使液晶扭轉 板之間的液晶 此使用T N型液 中偏光狀態的 子的配向方向 視性之視角範 為了克服 液晶以代替TN 性不足的問題 向具有負介電 板之間所形成 在基板上向上 有關於一種主動矩陣式的液晶顯示裝置，特 種多區域型之主動矩陣式的液晶顯示裝置， 角特性。 廣泛地使同採兩i N (扭轉向列）型液晶之主動 不裝置。使罔TN型液商之主動矩陣式液晶顯 一 i F !( >專膜電晶體）基板，_驅動周τ ρ τ和一 於各畫素；一相對基板，其上具有相對雷 該TFT基板放置；一彩色濾光片；以及一偏 層’填充在該TFT基板和該相對基板之間。 I置中’當在該晝素電極與該相對電極之間 ，TN液晶分子平行於該TFT基板的表面而在 ，且排列方向沿著垂直於表面的方向變化， 排列。另一方面，當施加電壓時，在該等基 分子昇起而改變在液晶層中的偏光狀態。而 晶的液ί顯示裝置，藉由利用前述在液晶層 改變’實現選擇性的顯#，可視性依液晶分 和觀察者的位置而定，因而出現得到最佳可 5小的，題，i導致視角特性不足的問題。 运個，題’提出並實際使两VA(垂直配向）型 型液晶，來改善1^型液晶顯示襄置之視角特 。VA型液晶顯示裝置包括一由等向（垂直）配 常數，f向性的液晶，在TFT基板與相對基 ，液a曰早元，其中液晶分子當未施加電壓時 计起，且當施加電壓時，液晶分子受到在畫 573172

五、發明說明（2) 素電極與相對電極之間產生 方向上，藉以實行顯示。在 割成複數個分割區域，且液 區域變化，造成寬廣視角和 稱作配向區域。此液晶顯示 裝置。 · 的斜向電$，而躺在基板平面 此情况下，—晝素的區域被分 晶分子所躺下的方向在各分割 車又佳的視角特性。分割區域也 裝置稱為VA型多區域液晶顯示 在VA型多區域液晶顯示裝置中，當—畫素區域根據其 中液^分子如上述所躺下的方向被分割成複數個分割區域 時，提供穩定的分割（區分）位置，亦即， 邊界位置’是重要的…割位置是分割區域的邊界：且 是其中發生所謂反傾斜（diSClination)的位置，且若在不 期望的位置製成分割，會破壞顯示品質。 為了使在VA型多區域液晶顯示裝置中各畫素分割成分 割區域的位置穩定，在日本專利公開申諳編號 7 - 31 1 383(JP，A，073 1 1 83 )中揭露了一種顯^器，其包括 各TFT基板和相對基板之一配向控制堤部份，使得配向控 制堤部份所在的位置穩定，而作為分割位置。第1圖係顯 不包括各TFT基板和相對基板之一配向控制堤部份的VA型 多區域液晶顯不裝置架構之一例的剖面圖。第2圖係綱要 地顯示作為第4圖中所示之液晶顯示裝置的配向控制堤部 份之突出物的排列之平面圖。 在第1圖中所示之VA型多區域液晶顯示裝置中，液晶 層8 3包括一液晶材料，具有負的介電常數非等向性，位在 彼此相對放置的TFT基板81和相對基板82之間。了η基板μ

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肢） 和旦…％極88各電性地連接至對應TFT 87之 電極：在各個晝素電極88上，提供線狀突击物Μ各具二·： J地三角形剖面，作為配向控制堤部份1 -方面：：钭 基，具有-結構，其中彩色濾光片92 極= =堆疊在透？支持元件9}上。在相對電極93上， ^犬出物94合兴有一般地三角形剖面，作為配向控制堤躬 份。如第2圖中所示’線狀突出物89，94交互地以鑛齒形 狀各自在TFT基板81和相對基板82上延伸。 當未施加電壓時，液晶分子95傾向被配向在垂直於晝 素電極88的表面和相對電極93的表面。然而，因突出物^泰 丨=94的表面傾斜於畫素電極88和相對電極93的表面液晶| 分子95 T向被配向在稍微偏離垂直於畫素電極88和相對電I 極9 3的表面的方向之方向上。此影響整個液晶層83，並導p 致即使當未施加電壓時，液晶分子95被配向在稍微偏離垂Ιέ方向之方向上 ，如第 1 圖中所示 。 當施加 電壓在畫素電 極88和相對電極93之間時，液晶分子95的配向被改變成使 得其在進一步偏離垂直方向的方向上傾斜。當未施加電壓 時’此傾斜的方向依據液晶分子9 5和線狀突出物8 9，9 4之i 間的位置關係而定，如第2圖中所示。

所以’犬出物8 9和9 4決定分割區域A和B之間的分舌彳位 P 置’以使在此VA型多區域液晶顯示裝置中的分割穩定。 I 本發明之上述及其他目的，特徵，和優點，將祝後文j 作更明白的說明。 |

573172 五、發明說明（4) \

以下將參照所附圖式，對本發明作更詳細的說明。 I

圖式簡單說明 I | 第i圖係顯示習知VA (垂直配向）型多區域液晶顯示裝 |

置架構之一例的剖面圖； I

| 第2圖係綱要地顯示作為第1圖中所示之液晶顯示裝置 I |的配向控制堤部份之叙狀突ώ物的排列之平面圖； j I 第3圖係顯示習知VA(垂直配向）型多區域液晶顯示裝 ； | i ί置架構之另一例的剖面圖； ί

I I \ 第4圖所示為根據本發明之第一實施例的主動矩陣式 |

液晶顯示裝置架構之剖面圖； I £

第5圖所示為用以說明在液晶顯示裝置中當未施加電 I 壓時液晶分子配向之剖面圖； 丨 第6A和6B圖所示為用以說明在第4圖中所示之液晶顯 | r 示裝置中當施加電壓時液晶分子配向之簡要平面圖； i 丨 第7圖所示為用以說明四陷之斜面角度之圖； i 第8圖係顯示用以說明在凹陷產生的節點造成的反傾 |

斜之簡要平面圖； I 第9圖係顯示凹陷的平面形狀之另一例的簡要平面 j @ ; | 第1 0圖係顯示凹陷的平面形狀之又一例的簡要平面 i 圖； i 第11圖係顯示凹陷的平面形狀之另一例的簡要早面 j 圖， ！ 第1 2圖所示為根據本發明之第二實施例的主動矩陣式

2138-3658-P.ptd 第10頁 573172 五、發明說明（5) 液晶顯示裝置架構之剖面圖； 第1 3圖所示為用以說明在第1 2圖中所示之液晶顯示裝 置中當施加電壓時液晶分子配向之簡要平面圖； 第1 4圖係顯示根據本發明之第三實施例的主動矩陳式 液晶顯示裝置架構之剖靣圖； 第1 5圖係顯示用以說明在第1 4圖中所示之液晶顯示裝 置中當施加電壓時液晶分子配向之簡要平面圖； 第1 6圖所示為在TFT基板包括彩色濾光片和黑色矩障 之主動矩陣式液晶顯示裝置簡要剖面圖；以及

第1 7圖係顯示在相對基板包括彩色濾光片和黑色矩陣 之主動矩陳弍液晶顯示裝置簡要剖面圖。 [符號說明] TFT基板〜1 ; 相對基板〜2 ; 液晶層〜3 ; 支持元侉〜11 ; TFT〜12 ; 鈍化層〜1 3 ; 覆蓋層〜1 4 ; 晝素電極〜1 5 ; 凹陷〜16 ; 接觸孔〜〗.7 ; 引導〜18 ; 支持元件〜2 1 ; 相對電極〜2 2 ; 液晶分子〜31 ; 過渡區域〜31’ ； 節點〜32 ; 反傾斜線〜33 ; 黑色矩陣〜41 ; 彩色濾光片〜42 ; 閘極排線〜5 1 ; 氧化獏〜5 2 ; 通道區域〜53 ; 汲極電極〜5 4 ; 源極電極〜5 5 ;

2138-3658-P.ptd 第11頁 573172 五、發明說明（6) 相對基板〜82 ; 透明支持元件〜86 晝素電極〜8 8 ; 透明支持元件〜9 1 相對電極〜9 3 ; 液晶分子〜95 ; TFT基板〜81 ; 液晶層〜8 3 ; 薄膜電晶體〜87 線狀突出物〜89 彩色濾光片〜92 線狀突出物〜‘94 裂縫〜9 6。 實施例 叫參照第4圖，所示為椒接》丄a . # ^ , ^ π 丁為根據本發明第一實施例的主動 θ θ ^ 衣 朱構為VA型多區域液晶顯示裝置， ς複數個晝素。該液晶顯示裝置包括㈣基板i，其作 $第一基板，相對基板2，其作為第二基板，且以一預設 ，隔於其間而相對TFT基板！放置，以及液晶層3，夾置並 填充於TFT基板1和相對基板2之間。液晶層3包括一具有負 的w電常數非等向性及等向配向的液晶材料。 TFT基板1包括：支持元件丨丨，由透明元件如玻璃基板 製成；TFT 12，位在支持元件n上的各畫素；鈍化層13， 由氮化石夕形成’以保護TFT 12;覆蓋層14，位在鈍化層13 上且由例如丙，烯酸樹脂製成；以及晝素電極15，位在各畫 素覆蓋層14上，且包括一如IT〇(銦氧化物加錫氧化物）之 導電層。TFT 1 2用作為驅動元件，闬以驅動對應的畫素。 鈍化層13在TFT 12所形成範圍以外的區域，直接形成在支 持元件11上。在此架構中，在覆蓋層14中形成的溝槽提供

2138-3658-P.ptd 第12頁 573172 、發明說明（7) 一溝槽形狀之凹陷1 6在各個晝夸啻，r丄 β 15在凹陷16的底部，直接沈積在錄化二5中丄各而固：素電極 的側表面上連續地形成。因&，凹ρ】曰 择：凹陷16 蓋層14的厚度。在此例中，凹 的冰度大，々等於覆 rur Ρ ·! R从一 t 凹丨曰1 6的剖面為一般的矩形。 M = = ’且—般約為iQum較佳。 ;/ϊΐ 亦即覆蓋屢14的厚度，以ium或更太動 ::乂 t第6A和⑽圖中所示，晝素電極15具有-嗖矩 =二且溝槽形狀的凹陷16在其縱向方向上，延伟：ϊ 的兩埃，且-般分割晝素電極!5成二部份：一旦 ς : : ,15經由穿越鈍化層13和覆蓋層14的 π，連接至相關TFT 12的源極電極。 护，畫素電極15的形狀在本實施例中為-般矩 形在本發明中的晝素電極並不於一般矩形形狀。晝素電 極以具有一般矩形包括方形或長方形較佳，但亦可使用^ 角形，平行四邊形，或各種多邊形。 〜u— 、TFT 12包括閘極排線η，氧化膜（閘極絕緣膜）52，形 成用以覆蓋閘極排線51，通道區域53，位於自閘極排線“ 跨過氧化膜52，汲極電極54和源極電極55，位在通道區域 53的兩端。汲極電極53連接至汲極排線，未示出。 接者’相對基板2 ’包括支持元件21，由透明元件如 玻璃基板製成，以及相對電極22，位在支持元件21，由例 如I TO形成。相對電極22均勻地形成在整個相對基板2的一 表面上。 ' 雖未示出’垂直配向膜施加在畫素電極15的表面和相

573172 五、發明說明（8)

對電極22的表面上，以垂直地配向汤B &曰3分子31。此々k，法s 似於一般VA型液晶顯示裝置，提供釤 ^ 黑色矩陣等等。 ，心色遽光片，偏光板， 然後，將對在主動矩障式液晶顯示裝置中的液曰八工 之配向的改變作一說明。第4圖所示A •、日日刀 r ‘ .為，液晶分子3 1的岬 向。第5圖所示為用以說明當未施加雷 、 J义 ^ ’液S3分子的 配向之剖自目。第6A和6B圖所示為^說明#施加雷^ 時’在基板平面方向中的液晶分子配向之簡要孕面藏；^ _圖以棒狀顯示液晶分子31 ’其極相似於分子的真實形 狀’而第6B圖以角椎符號表示液晶分子3ΐ，白括分工 下的方向，第6Α和6Β圖主要顯示相同内交。。^ 田未軛加電壓時，液晶分子31被垂吉 對基板2而配向，如第5.一 ^ 15和相對電極22之間^圖广。當電壓施加在晝素電極 躺下在凹陷16的縱在凹陷16中的液晶分子31均勻地 端，因產生如第4圖/向。另一方面，在晝素電極15的末 31的配向方向，在凌之箭號所示之環繞電場’液晶分子 右端部份向左改變圖* ’在左端部份向右改變，而在 平面的方向觀察時。因此’當如第^和⑽圖中所示在基板 在大致垂直於，晝+命液·晶分子31在晝素電極的末端’躺不 方向連續地朝的縱向方向之方向上’而所㈣ 向方向。所以，7 16改變’且在凹陷16中’分子躺在縱 形狀的凹陷〗6，而分割區域八和8之間的邊界被固定在溝槽 以使其可能得到穩：需在相對基板2上實行特別製程，藉

2138-3658-P.ptd 第14頁 心疋的顯示狀況。因其Φ液晶分子3 1所躺 573172 五、發明說明 圖Λ所示H曰曰分子31之躺下方向可在節點3 2的相 .…。因此，產生如第8圖中之组線33所示之反娟级 =道此外，㈣點32所出現的位置不穩定，此節點32的 ::阳^配向缺陷’且可能造成顯示品質的破壞。所以， 3二：液晶分子31在凹陷所鱗下的方向，改變凹險 1 6的平面形狀。 … 第9圖係顯示一例，其中形成凹陷以以具有斜面洚媽 形狀丄使得3陷ι6在為一殼矩形形狀之晝素電極15的一笄 SI小寬度’而在晝素電極15的-另短側具有大寬唐二 此¥構限制液晶分子31躺下在具有小寬度之凹陷16的一 側，其傳遞至具有大寬度之凹陷16的另一侧。所以，整體 而言，液晶分子31在凹陷16中所躺下的方向，可被決定在 一預設方向，而不會產生任何節點。

第1 0圖係顯示一例，其中容許節點3 2的產生，但其中 位置固定。明確地說，形成凹陷i6為具有均勻寬度的^ 溝槽，除了只在節點32所要產生的位置以階梯狀降低寬度 以外。此架構在此位置穩定地形成節點。 ^ X 第11圖亦顯示另一例，其中節點32的產生位置固定。 形成凹陷16，使得其在節點32的發生位置之寬度最小，且 朝向畫素電極〗5的二短側逐漸増加。此架構在此位置穩定 地形成節點。 〜 在本發明之主動矩陣式液晶顯示裝置中，可提供至少 一光學補償板在偏光板和液晶單元之間，以進一步改進視 角特性。因在本實施例之液晶顯示裝置中，當未施加電壓

2138-3658-P.ptd 第16頁 573172 五、發明說明（π) "—' 〜^ j時，，在各個液晶單元中的液晶分子被垂直配向，由消除卷| |自斜向方向時觀察之遲滯改變的觀點來看，以使甩負的ζ | j償板作為光學補償板較佳。此光學補償板可為以如雙軸扣! 方法形成的單一膜，或可為主要以疊合二或多單軸配向暖| .而=成之光聲負單軸補償板較佳。當此使甩雙軸配向膜晤j 或畜使周此疊合之單軸配向膜時，二者可得到相似的嗲、| 果。 〜j ，在某些液晶顯示裝置中，液晶分子對應於電壓的施加j 而知下，在其中液晶分子在不同方向躺下的區域之間、菸I 生過渡區域。如第6A圖中所示，過渡區域31，參照至一區3" | |域，其中液晶分子的躺下方向，例如，在圖中自垂亩地衣\β j平地連續地改變。此過渡區域在正交偏光板下被觀察= ^黑色區域，且造成液晶顯示裝置的亮度降低。在某些^ ^况下，在過渡區域中的•移動缓慢，而減少明顯的反應速月" 度。在此情況下，特別地當使用前述單軸配向膜作為四分 之一波長板時，使在邊界部份中的移動看不見，以得到明i 顯地快速反應。該四分之一波長板以置於液晶單元的二 j 側’且排列成彼此垂直，以使得四分之一波長板各光軸， 與正交偏光板對的各個吸收轴，形成45度的角度較佳。 接著，將參照第1 2和1 3圖，說明根據本發明之第二實 _ 施例的主動矩陣式液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置具有一 j 木構’大致類似於第4，5，5 A和6 B圖中所示之液晶顯示裝j 置’但不同於沿著晝素電極丨5的二長側，提供一堤狀引導| 1 8。&供引導1 8 ’以當T F T基板1和相對基板2被排列成彼

573172 五、發明說明（12) 此相對時，在各畫素電極15的區域中在一方向上， 畫素電極1 5填充液晶，且接著液晶材料在製造液曰3各匈 置中被填充在其間。明確地說，該液晶在一方向=顯禾敦 沿著一溝槽狀凹陷1 6所延伸的方向。 ° ’賓充， 當垂直配向型之液晶材料被以此方式在一方向$ 至基板中的間隙時，已知液晶分子當施加電壓眸二Φ填充 方向躲r "所以’在此液晶顯示焚琶φ 即使 以培 勻寬 度線狀地形成凹陷16時，在凹陷16中，當施加士、 晶分子3 1被躺下在一方向上，而不會產生節點。2，液 顯示而沒有配向缺陷。 之影像 然後，將參照第14和15圖，說明根據太發明々脅— 施例的主動矩陣式液晶顯示裝置。該液晶_示裝^三實 架構，大致類似於第4，5，6Α和6Β圖申所示之今曰§、有〜 置，但*肖於畫素電極15的導電層並非形成在溝=示袭 16的側邊和底部。畫素電極15中在溝槽狀凹陷16二=凹陷 域，彼此電性地連接。 j的 區 第1 4和1 5圖係顯示當施加電壓時， 向。在液晶顯示裝置中，因書素電極=二子31之配 u -常電極U的導電層不形屮i 溝槽狀凹陷16的侧邊和底部，來自相對電極22 成在 凹陷16中沒有’影響。此外，因凹陷以的寬度一般在 度，即使當電壓施加在畫素電極15和相對電極22之其深 時，在凹陷16中的液晶分子31保持垂直於二基板。在凹 i"的液晶分子31垂直於二基板的配向， .雪陷 時，造成在凹陷16上方的液晶分子3!被配向成垂直 573172 五、發明說明（13) 板。相對地，因在晝素電極1 5的左和右端產生環繞電場， 如第14圖中之箭號所示。該處的液晶分子31各自向右和向 j左傾斜。所以’在此液晶顯示裝置，一晝素電極1 5的區域 |也被分割成二個具有不同配向方向的分割區域A和B，而在 |凹陷16的位置之邊界。然而，因液晶分子μ在凹陷16的位 I置上被配向風垂直於基板，沒有配向的方向連續改變的區 i域存在，且液晶分子31的配向方向在各個分割區域中大致 !是均勻的。 在本發明的主動矩陣式液晶顯示裝置中，可在了ft某 板或相對基板中併入彩色濾光片。第丨6圖係顯示一例，一其 丨中彩色濾光片和黑色矩陣被併入如第4，5，6 A和6B圖中所 i π之液晶顯示裝置中的TFT基板。彩色濾光片42被插置在 :鈍化=13和覆蓋層14之間，在TFT基板}中晝素電極15的區 域之卜。晝素電極1 5直接形成於彩色濾光片4 2上在凹矜y 的底部。黑色矩陣41位在鈍化層13和覆蓋層丨4之間，;遮 蔽TFT 1 2的通道區域免受光照射。 、 另一方面，第1 7圖係顯示一例，其中黑色矩陳4丨和 色濾光片42位在相對基板2中。彩色濾光片42位在乡待开/ 件21和相對電極22之間，在相對基板2上相對於畫夸電極 15的位置。此外，黑色矩陣41位在支持元件21和相 22之間，在相對基板2上相對於打了 12的位置，以 12免受光照射。 疋敝Ui

i 雖然太發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限疋本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神

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I 五、發明說明（14) 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 j範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

i b

2138-3658-P.ptd 第20頁

Claims (1)

1. 573172——— 贯- 驅動元 電極； 其2. 裝置， 陷，使 以分割3. 裝置， 之間， 朝向該4. 裝置，之間， 朝向該 5. 裝置 6. 裝置 7. 一種主 第一基 件，芾 第二基 以及 液晶層 中該畫 如申請 其中〃 其自該 該畫素 如申請 其中， 在該液 凹陷的 如申請 其中， 在該液 凹陷的 如申請 其中5 如申請 其中， 如申請 動矩陣式液晶顯示裝置，包括·· 板’包括一晝素電極，用於各畫素，以及一 於各該畫素電極； 板5相對於該第一基板放置5且包括一相對 5夾置 素電極 專利範 該晝素 晝素電 電極成 專利範 當施加 晶層中 縱向方 專利範 當施加 晶層中 縱向方 專利範 該畫素 專利範 該畫素 專利範 於該第一基板和該第二基板之間， 具有一溝槽狀凹陷形成於其中C 圍第1項所述之主動矩陣式液晶顯示 電極具有一般矩形形狀·，且提供該四 極的一對相對側之一，延伸至另一， 二部份。 圍第1項所述之主動矩陣式液晶顯 電壓時，在該畫素電極和該相對電極 的液晶分子，根據該電壓的大小，被 向躺下。 ' 圍第2項所述之主動矩陳式液晶顯示 電壓時’在該畫素電極和該 的液晶分子，根據該電壓的大小f被 向躺下。 圍第1項所述之主動矩陣式液晶顯干 電極跨越該凹陷而連續地形成。、 圍第2項所逑之主動矩 電極跨越該凹陷而連續地形戍 圍第1項所述之主動矩陣式液晶顯示

   2138-3658-P.ptd 第21胃 573172 六、申請專利範^ -— ------ 一" M 一—* 1 ，該畫素電極的導電層在讜凹陷中被移除。 步置·如申請專利範圍第2項所述之主動矩陣式液晶顯示 "9’其中，該晝素電極的導電層在該凹陷中被移除。 穿置，.如申請專利範圍第2項所述之主動矩障式液晶顯示 ^丨其中5該凹陷以固定寬度線狀地形成。 裝置，·如申請專利範圍第2頊所述之主動矩陳式液晶顯示 的一對：中，该凹陷形成為斜面形狀，使其在4畫素電極 办、相對側之一具有一較小寬度，而在另一具有一較大 ▲1 ·如申請專利範圍第2頊所述之主動矩陣式液晶顯巧 裝置，JL tb · '’該凹陷除了在縱向方向在其中央部份具有- 較小寬度外，且古 —+ ^ r 具有一定的寬度。 1 2·如申請專利範圍第2項所述之主動矩陣式液晶顯六 裝置’其中’形成該凹陷，使其在該凹陷的縱向方向在| 中央部份其寬度較小，且朝向該畫素電極的一對相對側 一逐漸變大。 、 1 4 ·如申清專利範圍第2項所述之主動矩陣式液晶顯〜 裝置，其中該凹陷具有一般矩形剖面。 ' 不 I 丨5·如申請專利範圍第2項所述之主動矩陣式液晶 裝置，其中該凹陷具有一般反轉梯形剖面，且在該書 I極對應於該凹陷的其部份以外之表面所形成的角度 I ^ '於

   1 3 ·如申請專利範圍第2項所述之主動矩陣式液晶顯示 f置，進一步包括一堤狀引導，形成於該第一基板上，、^ 著該畫素電極的一側，平行於該凹陷的縱向方向。

   573172 六 或 裝 申請專利範圍 大於60度，I小於90度。 16·如申請專利範圍第1頊所述之主♦拓_^曰 進一步包括： t動矩陣式液晶顯示 置 以及 第 液 裝 第 液 裝 等 素 裝 等 素 示 一偏光板 至少一光：負：”與一光學正補償膜之一， -基板或該第：基板：該偏光板之間，因而使在包扛:: 晶層和該補償膜之一層的折射係數為笼向性。 、"咚 i 7•如申請專利範圍第2頊所逑之念為祐 置，進一步包括： 。動…液晶顯示 一偏光板·，以及 至少一光學負補償琪與-光學正補償膜之一，位^ 一基板或該第=基板和該偏光板之間，因而使在包括二 晶層和該補償膜之一層的折射係數為等向性。 〜 18·如申請專利範圍第1項所述之主動矩陣式液晶顯示 置，其中該液晶層包括一液晶材料，具有負介電常數非 向性，且在該液晶層中的液晶分子當未施加電壓在該書 電極和該相對電極之間時，被配向成垂直於各該基板了 1 9 ·如申請專利範圍第2項所述之主動矩陣式液晶顯示 置’其中該液晶層包括一液晶材料，具有負介電常數非 向性，且在該液晶層中的液晶分子當未施加電壓在該畫 電極和該相對電極之間時，被配向成垂直於各該基板。 2 0 ·如申請專利範圍第1 8項所述之主動矩陣式液晶顯 裝置’進一步包括四分之一波長板，各自在該液晶層的 側，該四分之一波長板具有光轴彼此正交。 I·

   2138-3658-P.ptd 第23頁 573172 六、申請專利範圍 2 1 ·如申請專利範圍第1 9項所述之主動矩障式液晶顯 示裝置，進一步包括四分之一波長板，各自在該液晶層的 二側，該四分之一波長板具有光軸彼此正交。 1 丨·

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