JP2007102226A - 薄膜トランジスタ表示板 - Google Patents

Abstract

【課題】セル間隔が実質的に同じでるとともに反射モードのガンマ曲線を透過モードのガンマ曲線に一致させることができる薄膜トランジスタ表示板及びこれを備える液晶表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板は、基板と、基板上に形成され、入力端子、出力端子及び制御端子を有するスイッチング素子と、出力端子に接続される透明電極と、出力端子に接続される第１反射電極と、出力端子の下に層を異にして形成され、出力端子と絶縁され、出力端子との間にストレージキャパシタを形成する維持電極と、出力端子の上に層を異にして形成され、出力端子と絶縁され、出力端子との間に補助キャパシタを形成する第２反射電極とを備える。
【選択図】図５

Description

本発明は、薄膜トランジスタに関し、特に半透過型（transflective)薄膜トランジスタ表示板に関する。

一般に、液晶表示装置は、電界生成電極と偏光板を備える一対の表示板の間に位置する液晶層を含む。電界生成電極は、液晶層に電界を生成し、このような電界の強度が変化することによって液晶分子の配列が変化する。例えば、電界が印加された状態で液晶層の液晶分子は、その配列が変化して、液晶層を通過する光の偏光を変化させる。偏光板は、偏光された光を適切に遮断または透過することにより、明るい領域と暗い領域を形成することによって所望の画像を表示する。

液晶表示装置は、自ら発光できない受光型表示装置であるため、別途設けられたバックライトユニット（backlight unit）のランプから出て液晶層を通過した光により画像表示を行うか、または自然光などの外部から入り液晶層を一旦通過した後再び反射されて液晶層を再び通過した光を用いて画像表示を行うように構成される。前者を透過型（transmissive）液晶表示装置と言い、後者を反射型（reflective）液晶表示装置と言うが、後者は、主に中小型表示装置に使用される。また、環境によってバックライトユニットを使用したり外部光を使用することが可能な半透過型または反射−透過型液晶表示装置が開発され、主に中小型表示装置に適用されている。

半透過型液晶表示装置の場合、各画素に透過領域と反射領域を設けており、透過領域においては、光が液晶層を１回だけ通過し、反射領域においては、２回通過するために、透過領域におけるガンマ曲線と反射領域におけるガンマ曲線とが一致せず２つの領域で画像が異なって表示される。
したがって、これを解消するために、透過領域と反射領域の液晶層の厚さ、つまり、セルの間隔を異なるように構成できる。これとは異なって、透過領域を主に使用する透過モードであるときと、反射領域を主に使用する反射モードであるときにおいて、互いに異なる電圧で駆動することが行われる。

しかし、透過領域および反射領域においてセル間隔を異なるように構成する方式においては、反射領域に厚い膜を形成する工程が必要であり、これによって工程が複雑になる。また、透過領域と反射領域との境界で大きな段差を有するため、液晶配向が乱れ（disclination）、残像が発生するおそれがある。さらに、反射電極に印加される電圧が大きくなるにつれて反射輝度が減少する現象も発生する。一方、透過領域と反射領域で互いに異なる電圧を印加する方式においては、反射輝度の臨界電圧が透過輝度の臨界電圧と異なることから、２つの領域のガンマ曲線を一致させることができない。

本発明は、従来の問題点に鑑みてなされたもので、セルの間隔が実質的に同じであるとともに反射モードのガンマ曲線を透過モードのガンマ曲線に一致させることのできる薄膜トランジスタ表示板及びこれを備える液晶表示装置を提供することを目的とする。

上述した技術的な課題を達成するために、本発明に係る薄膜トランジスタ表示板において、基板と、前記基板上に形成され入力端子、出力端子、及び制御端子を有するスイッチング素子と、前記出力端子に電気的に接続される透明電極と、前記出力端子に電気的に接続される第１反射電極と、前記出力端子の下に層を異にして形成され前記出力端子と絶縁され前記出力端子との間でストレージキャパシタを形成する維持電極と、前記出力端子の上に層を異にして形成され前記出力端子と絶縁され前記出力端子との間で補助キャパシタを形成する第２反射電極とを含むことを特徴とする。

本発明の一実施形態によると、前記補助キャパシタは、前記出力端子の延長部と前記第２反射電極とが重畳してなり、前記出力端子の延長部は、前記透明電極と同一物質からなり、前記透明電極と同一層に形成されることを特徴とする。
本発明の一実施形態によると、前記補助キャパシタは、前記出力端子と前記第２反射電極の延長部とが重畳してなり、前記第２反射電極の延長部は、前記透明電極と同一物質で同一層に形成され前記透明電極と電気的に分離されることを特徴とする。

本発明の一実施形態によると、前記維持電極と前記出力端子は、両方とも前記第１反射電極及び前記第２反射電極と重畳することを特徴とする。
または、本発明に係る薄膜トランジスタ表示板において、基板と、前記基板上に形成されゲート電極を含むゲート線と、前記基板上に形成され維持電極を含む維持電極線と、前記維持電極線及びゲート線を覆っているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と重畳する位置に形成される半導体と、前記ゲート絶縁膜上に形成され前記半導体上まで延びているソース電極を含み前記ゲート線と交差するデータ線と、前記半導体上で前記ソース電極と対向し、前記維持電極と重畳する拡張部を有するドレイン電極と、前記データ線と前記ドレイン電極上に形成され前記ドレイン電極の一部を露出する第１コンタクトホールを有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続される透明電極と、前記透明電極と電気的に接続される第１反射電極と、前記透明電極及び前記第１反射電極と分離され、前記ドレイン電極と静電容量性で結合される第２反射電極とを備えており、前記維持電極と前記ドレイン電極は、両方とも前記第１反射電極及び前記第２反射電極と重畳する部分を含むことを特徴とする。

本発明の一実施形態によると、前記透明電極と前記第１及び第２反射電極の間に形成される第２絶縁膜をさらに含み、前記第２絶縁膜は、前記第２コンタクトホールを有し、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に形成され、前記第２反射電極と前記第２絶縁膜が有する第２コンタクトホールを介して接続されており、前記ドレイン電極の拡張部と重畳する補助電極をさらに含むことを特徴とする。

本発明の一実施形態によると、前記透明電極は、前記第２反射電極と重畳する部分を含み、前記第２絶縁膜上の表面は、凹凸パターンが形成されていることを特徴とする。
または、 本発明に係る薄膜トランジスタ表示板において、基板と、前記基板上に形成されゲート電極を含むゲート線と、前記基板上に形成され維持電極を含む維持電極線と、前記維持電極線及びゲート線を覆っているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され前記ゲート電極と重畳する位置に形成される半導体と、前記ゲート絶縁膜上に形成され前記半導体上まで延びているソース電極を含み前記ゲート線と交差するデータ線と、前記半導体上で前記ソース電極と対向し、前記維持電極と重畳する拡張部を有するドレイン電極と、前記データ線と前記ドレイン電極上に形成され、前記ドレイン電極の一部を露出する第１コンタクトホールを有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成される透明電極と、前記透明電極と接続され、前記第１コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続される第１反射電極と、前記透明電極及び前記第１反射電極と分離され、前記ドレイン電極と静電容量性結合される第２反射電極とを備えており、前記維持電極と前記ドレイン電極は、両方とも前記第１反射電極及び前記第２反射電極と重畳する部分を含むことを特徴とする。

本発明の一実施形態によると、前記第１絶縁膜と前記第１及び第２反射電極との間に形成される第２絶縁膜をさらに備えており、前記第２絶縁膜は、前記第１コンタクトホールを介して露出した前記ドレイン電極を露出させる第２コンタクトホールを有し、前記第１反射電極は、前記第１及び第２コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続されることを特徴とする。

本発明によれば、反射領域を２つに分け、そのうち一方には透過領域と同一のデータ電圧を印加し、もう一方には、データ電圧より小さい電圧を印加することによって、セル間隔を実質的に同じにしながら反射モードのガンマ曲線を透過モードのガンマ曲線に一致させることができる。
また、ストレージキャパシタと補助キャパシタを出力端子電極を中心として上下に形成することによって、一方の容量の増大がもう一方の容量の減少をもたらすことを防止する。これは、保持容量を十分に大きく形成することを可能にし、フリッカー不良を防止する。

添付した図面を参照して本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書の全体をを通して類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。

次に、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板及びこれを備える液晶表示装置について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図であり、図２は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の１つの画素に対する概略図である。

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、等価回路によれば、複数の表示信号線（ＤＬ、ＧＬ）とこれに接続されほぼ行列状に配列された複数の画素を含む。図１及び図２に示したように、液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板である下部表示板１００と、これと対向している共通電極表示板である上部表示板２００、及びこれらの間に挟持された液晶層３を含む。表示信号線は、下部表示板１００に設けられ、ゲート信号（走査信号とも言う）を伝達する複数のゲート線（ＧＬ）とデータ信号を伝達するデータ線（ＤＬ）を含む。ゲート線（ＧＬ）は、ほぼ行方向に延びて互いにほぼ平行であり、データ線（ＤＬ）は、ほぼ列方向に延びて互いにほぼ平行である。

図１に示したように、各画素は、ゲート線（ＧＬ）及びデータ線（ＤＬ）に接続されるスイッチング素子（Ｑ）と、これに接続された透過型液晶キャパシタ（liquid crystal capacitor）（Ｃ_LC0）と、第１反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC1）、補助キャパシタ（Ｃ_AUX）、及びストレージキャパシタ（storage capacitor）（Ｃ_ST）と補助キャパシタ（auxiliary capacitor）（Ｃ_AUX）に接続されている第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC2）とを含む。ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）は、必要に応じて省略してもよい。

スイッチング素子（Ｑ）は、下部表示板１００に設けられる薄膜トランジスタなどからなり、それぞれゲート線（ＧＬ）に接続される制御端子、データ線（ＤＬ）に接続される入力端子、並びに、透過型液晶キャパシタ（Ｃ_LC0）、第１反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC1）、補助キャパシタ（Ｃ_AUX）、及びストレージキャパシタ（Ｃ_ST）に接続される出力端子を有する三端子素子である。

図２に示したように、透過型液晶キャパシタ（Ｃ_LC0）は、下部表示板１００の透明電極１９２と上部表示板２００の共通電極２７０を２つの端子とし、２つの電極１９２、２７０の間の液晶層３が誘電体として機能する。透明電極１９２は、スイッチング素子（Ｑ）に接続され、共通電極２７０は、上部表示板２００の全面に形成され共通電圧（Ｖ_com）が印加される。図２とは異なって、共通電極２７０が下部表示板１００に設けられる場合もあり、この際、２つの電極１９２、２７０のうちの少なくとも１つを線状または棒状に形成してもよい。

第１反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC1）は、下部表示板１００の第１反射電極１９４と上部表示板２００の共通電極２７０を２つの端子とし、２つの電極１９４、２７０の間の液晶層３が誘電体として機能する。第１反射電極１９４は、ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）に接続されている。
第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC2）は、下部表示板１００の第２反射電極１９６と上部表示板２００の共通電極２７０を２つの端子とし、２つの電極１９６、２７０の間の液晶層３が誘電体として機能する。第２反射電極１９６は、補助キャパシタ（Ｃ_AUX）に接続されているが、透明電極１９２及び第１反射電極１９４とは分離される。

補助キャパシタ（Ｃ_AUX）は、第２反射電極１９６またはこれと接続された導体（図示せず）が透明電極１９２、第１反射電極１９４及びこれらと接続された導体（図示せず）のうちの少なくとも１つと重畳してなり、この２つの間には、絶縁体が介在している。補助キャパシタ（Ｃ_AUX）は、第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC2）と共にスイッチング素子（Ｑ）からの電圧を分圧し、これにより、第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC2）の両端にかかる電圧が透過型液晶キャパシタ（Ｃ_LC0）及び第１反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC1）の両端にかかる電圧より小さくなる。

透明電極１９２によって定義される透過領域（ＴＡ）においては、下部表示板１００の下に位置するバックライトユニット（図示せず）のランプから出る光を、液晶層３側に通過して画像を表示する。第１及び第２反射電極１９４、１９６によってそれぞれ定義される第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）においては、自然光など外部から上部表示板２００を介して入る光を一旦液晶層３に通過させてから、第１及び第２反射電極１９４、１９６によって反射して液晶層３に再び通過させて画像を表示する。

液晶キャパシタ（Ｃ_LC0、Ｃ_LC1、Ｃ_LC2）の補助的な役割を果たすストレージキャパシタ（Ｃ_ST）は、下部表示板１００に設けられる維持電極（図示せず）と透明電極１９２または第１反射電極１９４が絶縁体を介在して重畳してなり、維持電極には、共通電圧（Ｖ_com）などの定められた電圧が印加される。しかし、ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）は、透明電極１９２または第１反射電極１９４が絶縁体を媒介としてすぐ上の前段のゲート線と重畳することにより形成することができる。

次に、図３を参照して本発明の実施形態に係る液晶表示装置の断面構造について詳細に説明する。
図３は、図２に示した液晶表示装置の断面構造の一例を示した図面である。
本発明の液晶表示装置の断面構造の一例であって、図３に示したように、下部表示板１００には、維持電極１３３が絶縁基板１１０上に形成されており、その上にゲート絶縁膜１４０が形成されており、スイッチング素子（Ｑ）の出力端子電極１７０がゲート絶縁膜１４０上に形成されている。ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）は、維持電極１３３と出力端子電極１７０とが重畳してなる。第１絶縁膜８０１が出力端子電極１７０上に形成され、第１絶縁膜８０１にはコンタクトホール１８３が形成され、第１絶縁膜８０１上には透明電極１９２と補助電極１９３が形成されている。透明電極１９２は、コンタクトホール１８３を介して出力端子電極１７０と物理的・電気的に接続されており、補助電極１９３とは分離されている。凹凸パターンを有する第２絶縁膜８０２が第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）で透明電極１９２及び補助電極１９３上に形成されており、その上に第１及び第２反射電極１９４、１９６が形成されている。第１反射電極１９４は、透明電極１９２と接続されており、第２反射電極１９６と分離されている。第２反射電極１９６は、第２絶縁膜８０２に形成されるコンタクトホール１８５を介して補助電極１９３と接続されている。補助キャパシタ（Ｃ_AUX）は、出力端子電極１７０と補助電極１９３が第１絶縁膜８０１を介して重畳してなる。ここで、出力端子電極１７０は、維持電極１３３とストレージキャパシタ（Ｃ_ST）を形成すると同時に、補助電極１９３と重畳して補助キャパシタ（Ｃ_AUX）を形成する。ところが、維持電極１３３は、出力端子電極１７０の下層に位置し、補助電極１９３は、出力端子電極１７０の上層に位置するため、補助電極１９３の配置に関係なく維持電極１３３を出力端子電極１７０の全体と重畳するように広く形成してもよい。また、出力端子電極１７０は、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）にまたがって広く形成しても透過領域（ＴＡ）の開口率に影響を与えないため、十分に広く形成してもよい。したがって、ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）の容量を十分に増加させてキックバック（kick back）電圧を下げることができる。これによって、キックバック電圧によるフリッカー（flicker）現象を防止することができる。

上部表示板２００には、カラーフィルタ２３０及び共通電極２７０が絶縁基板２１０上に形成されている。
透過型液晶キャパシタ（Ｃ_LC0）と第１及び第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC1、Ｃ_LC2）は、それぞれ透明電極１９２、第１及び第２反射電極１９４、１９６と共通電極２７０を２つの端子として構成される。透過領域（ＴＡ）と第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）は、第２絶縁膜１８２の厚さだけ段差を有する。

次に、本発明の実施形態に係る液晶表示装置における反射率曲線を透過率曲線に一致させる方法について図４を参照して詳細に説明する。
図４は、図２に示した液晶表示装置の第１及び第２反射電極の反射率曲線を透過率曲線と共に示した図面である。
スイッチング素子（Ｑ）を介して画像信号に対応するデータ電圧が印加されると、データ電圧と共通電圧（Ｖ_com）との差電圧（以下、画素電圧（Ｖ）と言う）が透過型液晶キャパシタ（Ｃ_LC0）及び第１反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC1）の両端にかかる。しかし、第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC2）の両端にかかる電圧（Ｖ２）は、補助キャパシタ（Ｃ_AUX）によって画素電圧（Ｖ）より小さく、数式１で表される。

ここで、キャパシタとそのキャパシタの容量は、同一の符号を使用した。
図４に示した透過率曲線（ＶＴ）は、画素電圧（Ｖ）による透過領域（ＴＡ）における輝度を表示し、第１反射率曲線（ＶＲ１）は、画素電圧（Ｖ）による反射領域（ＲＡ）における輝度を表示したものである。透過率曲線（ＶＴ）及び第１反射率曲線（ＶＲ１）は、テスト表示板から測定したデータを使用して示した。このとき、テスト表示板における反射領域は、第２反射領域（ＲＡ２）を除去し、その代わりに第１反射領域（ＲＡ１）を拡張したものである。第２反射率曲線（ＶＲ２）は、第１反射率曲線（ＶＲ１）を数式１の電圧によって示し、第３反射率曲線（ＶＲ３）は、第１反射率曲線（ＶＲ１）と第２反射率曲線（ＶＲ２）とを合成したもので、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の第１反射領域（ＲＡ１）と第２反射領域（ＲＡ２）との面積比によって決定される。

第１反射率曲線（ＶＲ１）、第２反射率曲線（ＶＲ２）、及び第３反射率曲線（ＶＲ３）の関数をそれぞれＲ１（Ｖ）、Ｒ２（Ｖ）、及びＲ３（Ｖ）とすれば、Ｒ３（Ｖ）は、数式２で表される。

面積比（ＡＲ）及び電圧比（ｋ）を変化させて第３反射率曲線（ＶＲ３）が透過率曲線（ＶＴ）に最大限近似するようにシミュレーションを行い、その結果、面積比（ＡＲ）が０．６であり、電圧比（ｋ）が０．８２であるときに最適の第３反射率曲線（ＶＲ３）を得ることができ、図４に示されている。図４に示したように、第３反射率曲線（ＶＲ３）と透過率曲線（ＶＴ）がほぼ一致することが確認できた。

一方、電圧比（ｋ）を０．８２にするための補助容量（Ｃ_AUX）値は、次の通りである。

つまり、補助容量（Ｃ_AUX）は、第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC2）容量の４．５６倍であることが必要である。
キャパシタの容量（Ｃ）は、電極面積がＡ、距離がｄ、誘電率がεであるとき、次の数式で表される。

液晶表示装置で絶縁膜として主に用いられる窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の誘電率（ε_SiNx）と、液晶分子の誘電率（ε_LC）とが類似しているため、第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC2）と補助キャパシタ（Ｃ_AUX）との電極面積が同一である場合、補助キャパシタ（Ｃ_AUX）の絶縁膜の厚さ（ｄ_SiNx）は、ほぼ次式により求めることができる。

ここで、ｄ_LCは、第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC2）の液晶層の厚さである。
液晶層の厚さ（ｄ_LC）が３μｍであるとき、絶縁膜の厚さ（ｄ_SiNx）は０．６６μｍである。このような絶縁膜の厚さは、工程時に無理があることもあるから、必要に応じて絶縁膜の厚さを減らし、補助キャパシタ（Ｃ_AUX）の電極面積も減らして数式３の補助容量値を生成してもよい。例えば、図３に示したように、出力端子電極１７０と補助電極１９３とが重畳する面積と、第１絶縁膜８０１の厚さを調節することによって、必要な補助容量（Ｃ_AUX）を形成することができる。

次に、一例として、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の構造について図５及び図６を参照して詳細に説明する。
図５は、図３に示した液晶表示装置の配置図の一例であり、図６は、図５に示した液晶表示装置のVI-VI線断面図である。
本実施形態に係る液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００とこれと対向する共通電極表示板２００と、並びに、これらの間に挿入され２つの表示板１００、２００の表面に対して垂直または水平に配向される液晶分子を含む液晶層３から構成されている。

まず、薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。
図５及び図６に示したように、透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１とが形成されている。
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し主に横方向に延びており、各ゲート線１２１は、上方に突出した複数のゲート電極１２４と他の層または外部の駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に取り付けられる可撓性印刷回路膜（flexible printed circuit film）（図示せず）上に装着するか、または基板１１０上に直接装着するか、または基板１１０に集積してもよい。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積する場合には、ゲート線１２１を延長してこれと直接接続してもよい。維持電極線１３１は、所定の電圧が印加されゲート線１２１とほぼ並行に延びる。各維持電極線１３１は、隣接した２つのゲート線１２１の間に位置し、２つのゲート線１２１のうち下側に近い。維持電極線１３１は、複数の維持電極１３３を含む。維持電極１３３は、第１反射領域（ＲＡ１）に位置する第１維持電極１３３ａと、第２反射領域（ＲＡ２）に位置する第２維持電極１３３ｂとを含む。第１維持電極１３３ａと第２維持電極１３３ｂとを接続する部分は、第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂに比べて幅が狭く形成され、第１維持電極１３３ａと第２維持電極１３３ｂとが区分されるように形成されているが、維持電極１３３を第１維持電極１３３ａと第２維持電極１３３ｂとに区分することなく、第１反射領域（ＲＡ１）と第２反射領域（ＲＡ２）にまたがって広く形成してもよい。維持電極線１３１には、共通電極表示板２００の共通電極２７０に印加される共通電圧など予め定められた電圧が印加される。維持電極線１３１の形状及び配置は、多様に変更してもよい。

ゲート線１２１とアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などで構成することができる。しかし、これらは、物理的な性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。このうちの１つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗（resistivity）のが低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これとは異なって、もう１つの導電膜は、他の物質、特に、ＩＴＯ（indium tin oxide）及びＩＺＯ（indium zinc oxide）との物理的、化学的、電気的な接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどからなる。このような組み合わせの好適な例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、その他にも様々の金属または導電体で構成することができる。

ゲート線１２１と維持電極線１３１の側面は、基板１１０の面に対して傾斜しており、その傾斜角は、約３０〜８０゜であることが好ましい。
ゲート線１２１と維持電極線１３１上には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０の上部には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは ａ-Ｓｉと略記する）または多結晶シリコンなどからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は、主に縦方向に延びてゲート電極１２４に向かって延びる複数の突出部１５４を含む。線状半導体１５１は、ゲート線１２１に出会う地点の付近で幅が大きくなりゲート線１２１を幅広く覆っている。

半導体１５１上には、複数の線状及びオーミック接触部材（ohmic contact）１６１、１６５が形成されている。オーミック接触部材１６１、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることができる。線状オーミック接触部材１６１は、複数の突出部１６３を有し、この突出部１６３とオーミック接触部材１６５は、対を成して半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。

半導体１５１とオーミック接触部材１６１、１６５の側面も基板１１０の面に対して傾斜しており、傾斜角は３０〜８０゜である。
オーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５が形成されている。
データ線１７１は、データ電圧を伝達し主に縦方向に延びてゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延びる複数のソース電極１７３と他の層または外部の駆動回路との接続のために面積の広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に取り付けられる可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着するか、または基板１１０上に直接装着するか、または基板１１０に集積してもよい。データ駆動回路を基板１１０上に集積する場合、データ線１７１を延長してこれと直接接続してもよい。

ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されてゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。
各ドレイン電極１７５は、ソース電極１７３によって部分的に囲まれた狭い端部と拡張部１７７とを含む。拡張部１７７は、第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂとそれぞれ重畳する２つの部分と、これら２つの部分を接続し、他の部分に比べて幅の狭い接続部とを含めて維持電極１３３と類似する形状を有する。しかし、拡張部１７７も第１及び第２維持電極１３３ａ、１３３ｂとそれぞれ重畳する２つの部分に区分することなく、第１反射領域（ＲＡ１）と第２反射領域（ＲＡ２）にまたがって広く形成してもよい。

１つのゲート電極１２４、１つのソース電極１７３、及び１つのドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の突出部１５４に形成される。データ線１７１及びドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなどの耐火性金属（refractory metal）またはこれらの合金からなることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造とすることもできる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ線１７１及びドレイン電極１７５は、その他にも様々の金属または導電体からなることができる。データ線１７１とドレイン電極１７５もその側面が基板１１０面に対して約３０〜８０゜の傾斜角で傾斜していることが好ましい。

オーミック接触部材１６１、１６５は、その下部の半導体１５１とその上部のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、接触抵抗を低くする役割を果たす。ほとんどの部分で線状半導体１５１がデータ線１７１よりその幅が狭く形成されているが、前述したように、ゲート線１２１と出会う部分で幅を広く形成して表面のプロファイルを滑らかにすることによって、データ線１７１の断線を防止している。線状半導体１５１は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間をはじめとしてデータ線１７１及びドレイン電極１７５でで覆われずに露出された部分を有している。

データ線１７１、ドレイン電極１７５及び露出された半導体１５１部分の上には、第１保護膜８０１が形成されている。第１保護膜８０１は、窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機絶縁物で構成することができる。保護膜８０１には、データ線１７１の端部１７９を露出させるコンタクトホール１８２が形成されており、ゲート絶縁膜１４０と共にゲート線１２１の端部１２９を露出させるコンタクトホール１８１が形成されている。また、保護膜８０１には、ドレイン電極１７５の拡張部１７７を露出させるコンタクトホール１８５が形成されている。

第１保護膜８０１の上には、互いに分離される透明電極１９２と補助電極１９３とが形成されている。透明電極１９２と補助電極１９３は、透明な導電物質であるＩＴＯ、ＩＺＯまたは導電性ポリマーからなる。透明電極１９２は、コンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５の拡張部１７７と接続されており、透過領域（ＴＡ）及び第１反射領域（ＲＡ１）にまたがって形成されている。補助電極１９３は、第２反射領域（ＲＡ２）に形成されている。

透明電極１９２と補助電極１９３上には、平坦化特性に優れ感光性を有する有機物質からなる第２保護膜８０２が形成されている。ここで、第２保護膜８０２の表面は、凹凸パターンを有している。
ゲート線１２１及びデータ線１７１の端部１２９、１７９が形成されているパッド部には、有機絶縁膜８０２が除去され第１保護膜８０１のみが残っている。有機絶縁膜８０２は、補助電極１９３の一部を露出させるコンタクトホール１８３を有し、透過領域（ＴＡ）においては、透明電極１９２を露出させる透過窓１８７を有する。

コンタクトホール１８１、１８２、１８３、１８５は、多角形または円形など多様な形状に形成することができ、有機絶縁膜８０２のコンタクトホール１８３の側壁は、３０〜８０゜の角度で傾斜しているか、または階段状に形成される。
有機絶縁膜８０２上には、互いに分離される複数の第１及び第２反射電極１９４、１９６がそれぞれ形成されている。第１反射電極１９４は、透過窓１８７の下まで延びて透明電極１９２と電気的に接続されており、第２反射電極１９６は、コンタクトホール１８３を介して補助電極１９３と接続されている。有機絶縁膜８０２上に形成される第１及び第２反射電極１９４、１９６に凹凸パターンを誘導して反射電極１９４、１９６における光の乱反射を誘導し、画面に物体が映る現象を防止する。

反射電極１９４、１９６は、不透明で反射度を有するアルミニウムまたはアルミニウム合金、銀または銀合金などからなる。
１つの画素は、透過領域（ＴＡ）と第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）とに区分される。透過領域（ＴＡ）は、透過窓１８７を介して透明電極１９２が露出されている領域であり、第１反射領域（ＲＡ１）は、第１反射電極１９４が存在する領域である。第２反射領域（ＲＡ２）は、第２反射電極１９６が存在する領域である。１つの画素で前段のゲート線１２１から透過領域（ＴＡ）、第１反射領域（ＲＡ１）及び第２反射領域（ＲＡ２）が順に配置されている。透過窓１８７のため透過領域（ＴＡ）のセルギャップが第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）のセルギャップに比べてほぼ２倍程度大きい。

透明電極１９２は、コンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５の拡張部１７７と物理的・電気的に接続されドレイン電極１７５からデータ電圧が印加され、第１反射電極１９４は、透明電極１９２を介してデータ電圧が印加される。データ電圧が印加された透明電極１９２及び第１反射電極１９４は、共通電極２７０と共に電場を生成することによって両者間の液晶層３の液晶分子を再配列させる。露出された透明電極１９２と共通電極２７０は、透過型液晶キャパシタ（Ｃ_LC0）を構成し、第１反射電極１９４と共通電極２７０は、第１反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC1）を構成して薄膜トランジスタが非導通状態になって後も印加された電圧を維持するが、電圧維持能力を強化するために液晶キャパシタ（Ｃ_LC0、Ｃ_LC1）と並列に接続されるストレージキャパシタ（Ｃ_ST）を設ける。ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）は、ドレイン電極１７５の拡張部１７７と維持電極１３３とが重畳してなる。ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）は、透明電極１９２及びこれと隣接するゲート線１２１が重畳することで構成することもでき、このとき、維持電極線１３１は省略してもよい。本発明においては、維持電極１３３とドレイン電極１７５の拡張部１７７を第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）にまたがって広く形成することによって、ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）の静電容量を十分に大きくすることができる。

補助キャパシタ（Ｃ_AUX）は、ドレイン電極１７５の拡張部１７７と補助電極１９３とが重畳してなり、ドレイン電極１７５からのデータ電圧より低い電圧を補助電極１９３に印加する。
第２反射電極１９６は、コンタクトホール１８３を介して補助電極１９３と物理的・電気的に接続され補助電極１９３からデータ電圧より低い電圧が印加される。このような電圧が印加される第２反射電極１９６は、共通電極２７０と共に電場を生成することによって、両者間の液晶層３の液晶分子を再配列させる。第２反射電極１９６と共通電極２７０は、第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC2）を構成し、第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC2）は、補助キャパシタ（Ｃ_AUX）と直列に接続される。

第２反射電極１９６は、ゲート線１２１と重畳して反射率を高めているが、重ならないこともある。これと逆に、透明電極１９２と、第１及び第２反射電極１９４、１９６は、隣接するデータ線１７１と重畳していないが、それぞれ開口率及び反射率を高めるために重畳することもできる。
パッド部の保護膜８０１上には、コンタクトホール１８１、１８２を介してそれぞれゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の拡張部１７９と接続される複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１及びデータ線１７１の端部１２９、１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する役割を有するものであって、これらの採用は必須ではなく選択的である。なお、これらは、透明電極１９２、１９３または反射電極１９４、１９６と同一層に形成してもよい。

一方、薄膜トランジスタ表示板１００と対向する共通電極表示板２００には、透明なガラスなどの絶縁物質からなる基板２１０上にブラックマトリックスと言う遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、透明電極１９２と第１及び第２反射電極１９４、１９６とからなる画素電極の間の光漏洩を防止し、画素電極と対向する開口領域を定義する。

複数のカラーフィルタ２３０が基板２１０と遮光部材２２０上に形成されており、遮光部材２２０が定義する開口領域内にほぼ入るように配置されている。隣接する２つのデータ線１７１の間に位置し縦方向に配列された各カラーフィルタ２３０は、互いに接続されて１つの帯として形成することができる。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色などの三原色のうちの１つを表示できる。

各カラーフィルタ２３０は、透過領域（ＴＡ）における厚さと、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）における厚さとが実質的に同一に形成されている。反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）には、ライトホール（light hole）２４０が形成されている。これによって透過領域（ＴＡ）と反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）で光がカラーフィルタ２３０を通過する数の差による色相トーンの差を補償することができる。これと異なって、透過領域（ＴＡ）と反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）でカラーフィルタ２３０の厚さを異にして色相トーンの差を補償することもできる。ライトホール２４０の内部には、充填材が充填されていてカラーフィルタ２３０の表面を平坦化し、これによってライトホール２４０のため形成され得る段差を減らす。

遮光部材２２０及びカラーフィルタ２３０上には、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなる共通電極２７０が形成されている。
表示板１００、２００の内側には、配向膜（図示せず）が形成されており、外側には、偏光子（図示せず）を形成することもできる。
図７〜図１０は、図２に示した液晶表示装置の断面構造の他の例を示した図面である。

本発明の液晶表示装置の断面構造の他の例として、図７に示したように、下部表示板１００には、維持電極１３３が絶縁基板１１０上に形成され、その上にゲート絶縁膜１４０が形成されており、スイッチング素子（Ｑ）の出力端子電極１７０がゲート絶縁膜１４０上に形成されている。ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）は、維持電極１３３と出力端子電極１７０とが重畳することにより構成される。凹凸パターンを有する絶縁膜８０１が出力端子電極１７０上に形成されており、絶縁膜８０１には、コンタクトホール１８３が形成されている。絶縁膜８０１上には、透明電極１９２と第１及び第２反射電極１９４、１９６が形成されている。第１反射電極１９４は、コンタクトホール１８３を介して出力端子電極１７０と物理的・電気的に接続され、透明電極１９２とも接続されているが、第２反射電極１９６とは分離されている。補助キャパシタ（Ｃ_AUX）は、第２反射電極１９６と出力端子電極１７０とが絶縁膜８０１を介して重畳してなる。

上部表示板２００には、カラーフィルタ２３０及び共通電極２７０が絶縁基板２１０上に形成されている。
透過型液晶キャパシタ（Ｃ_LC0）と、第１及び第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC1、Ｃ_LC2）は、それぞれ透明電極１９２、第１及び第２反射電極１９４、１９６と共通電極２７０を２つの端子として構成される。透過領域（ＴＡ）と、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）におけるセル間隔は、実質的に同一である。

ここで、維持電極１３３は出力端子電極１７０の下層に位置し、第２反射電極１９６は出力端子電極１７０の上層に位置するため、第２反射電極１９６の配置に関係なく、維持電極１３３を出力端子電極１７０の全体と重畳するように広く形成してもよい。また、出力端子電極１７０は、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）にまたがって広く形成しても透過領域（ＴＡ）の開口率に影響を与えないため、十分に広く形成してもよい。したがって、ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）の容量を十分に増加させてキックバック電圧を減少することができる。これによって、キックバック電圧によるフリッカー現象を防止することができる。

本発明の液晶表示装置の断面構造の他の例として、図８に示したように、下部表示板１００には、維持電極１３３が絶縁基板１１０上に形成されており、その上にゲート絶縁膜１４０が形成されており、スイッチング素子（Ｑ）の出力端子電極１７０がゲート絶縁膜１４０上に形成されている。ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）は、維持電極１３３と出力端子電極１７０とが重畳してなる。第１絶縁膜８０１が出力端子電極１７０上に形成されており、第１絶縁膜８０１には、コンタクトホール１８３が形成されており、第１絶縁膜８０１上には、透明電極１９２が形成されている。透明電極１９２は、コンタクトホール１８３を介して出力端子電極１７０と物理的・電気的に接続されている。凹凸パターンを有する第２絶縁膜８０２が第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）に透明電極１９２上に形成されており、その上に第１及び第２反射電極１９４、１９６が形成されている。第１反射電極１９４は、透明電極１９２と接続され第２反射電極１９６と分離されている。補助キャパシタ（Ｃ_AUX）は、透明電極１９２と第２反射電極１９６とが第２絶縁膜８０２を介して重畳してなる。

上部表示板２００には、カラーフィルタ２３０及び共通電極２７０が絶縁基板２１０上に形成されている。
透過型液晶キャパシタ（Ｃ_LC0）と、第１及び第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC1、Ｃ_LC2）は、それぞれ透明電極１９２、第１及び第２反射電極１９４、１９６と共通電極２７０を２つの端子として構成される。透過領域（ＴＡ）と、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）は、第２絶縁膜８０２の厚さだけ段差を有する。

維持電極１３３は、出力端子電極１７０の下層に位置し、透明電極１９２は、出力端子電極１７０の上層に位置するため、透明電極１９２の配置に関係なく維持電極１３３を出力端子電極１７０の全体と重畳するように広く形成してもよい。また、出力端子電極１７０は、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）にまたがって広く形成しても透過領域（ＴＡ）の開口率に影響を与えないため、十分に広く形成してもよい。したがって、ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）の容量を十分に増加させてキックバック電圧を減少することができる。これによって、キックバック電圧によるフリッカー現象を防止することができる。

本発明の液晶表示装置の断面構造の他の例として、図９に示したように、下部表示板１００には、維持電極１３３が絶縁基板１１０上に形成されており、その上にゲート絶縁膜１４０が形成されており、スイッチング素子（Ｑ）の出力端子電極１７０がゲート絶縁膜１４０上に形成されている。ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）は、維持電極１３３と出力端子電極１７０とが重畳してなる。第１絶縁膜８０１が出力端子電極１７０上に形成されており、第１絶縁膜８０１上には、透明電極１９２が形成されている。透明電極１９２は、透過領域（ＴＡ）と第１反射領域（ＲＡ１）の一部にのみ形成されており、第２反射領域（ＲＡ２）には形成されていない。第１反射領域（ＲＡ１）と第２反射領域（ＲＡ２）の第１絶縁膜８０１上には、凹凸パターンを有する第２絶縁膜８０２が形成されており、その上に、第１及び第２反射電極１９４、１９６が形成されている。第１及び第２絶縁膜８０１、８０２には、コンタクトホール１８３が形成されており、第１反射電極１９４は、コンタクトホール１８３を介して出力端子電極１７０と物理的・電気的に接続されている。第１反射電極１９４は、透明電極１９２と接続され、第２反射電極１９６と分離される。補助キャパシタ（Ｃ_AUX）は、出力端子電極１７０と第２反射電極１９６とが、第１及び第２絶縁膜８０１、８０２を介在して重畳することによって構成される。

上部表示板２００には、カラーフィルタ２３０及び共通電極２７０が絶縁基板２１０上に形成されている。
透過型液晶キャパシタ（Ｃ_LC0）と、第１及び第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC1、Ｃ_LC2）は、それぞれ透明電極１９２、第１及び第２反射電極１９４、１９６と共通電極２７０を２つの端子として構成される。透過領域（ＴＡ）と第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）は、第２絶縁膜８０２の厚さだけ段差を有する。

維持電極１３３は、出力端子電極１７０の下層に位置し、第２反射電極１９６は、出力端子電極１７０の上層に位置するため、第２反射電極１９６の配置に関係なく維持電極１３３を出力端子電極１７０の全体と重畳するように広く形成してもよい。また、出力端子電極１７０は、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）にまたがって広く形成しても透過領域（ＴＡ）の開口率に影響を与えないため、十分に広く形成してもよい。したがって、ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）の容量を十分に増加させてキックバック電圧を減少することができる。これによって、キックバック電圧によるフリッカー現象を防止することができる。

本発明の液晶表示装置の断面構造の他の例として、図１０に示したように、下部表示板１００には、維持電極１３３が絶縁基板１１０上に形成されており、その上にゲート絶縁膜１４０が形成されており、スイッチング素子（Ｑ）の出力端子電極１７０がゲート絶縁膜１４０上に形成されている。ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）は、維持電極１３３と出力端子電極１７０とが重畳してなる。第１絶縁膜８０１が出力端子電極１７０上に形成されており、第１絶縁膜８０１には、コンタクトホール１８３が形成されており、第１絶縁膜８０１上には、透明電極１９２が形成されている。透明電極１９２は、コンタクトホール１８３を介して出力端子電極１７０と物理的・電気的に接続されている。凹凸パターンを有する第２絶縁膜８０２が第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）に透明電極１９２及び第１絶縁膜８０１上に形成されており、その上に第１及び第２反射電極１９４、１９６が形成されている。第１反射電極１９４は、透明電極１９２と接続され、第２反射電極１９６と分離されている。補助キャパシタ（Ｃ_AUX）は、出力端子電極１７０と第２反射電極１９６とが第１及び第２絶縁膜８０１、８０２を介在して重畳してなる。

上部表示板２００には、カラーフィルタ２３０及び共通電極２７０が絶縁基板２１０上に形成されている。
透過型液晶キャパシタ（Ｃ_LC0）と第１及び第２反射型液晶キャパシタ（Ｃ_LC1、Ｃ_LC2）は、それぞれ透明電極１９２、第１及び第２反射電極１９４、１９６と共通電極２７０を２つの端子として構成される。透過領域（ＴＡ）と第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）は、第２絶縁膜８０２の厚さだけ段差を有する。

維持電極１３３は、出力端子電極１７０の下層に位置し、第２反射電極１９６は、出力端子電極１７０の上層に位置するため、第２反射電極１９６の配置に関係なく維持電極１３３を出力端子電極１７０の全体と重畳するように広く形成してもよい。また、出力端子電極１７０は、第１及び第２反射領域（ＲＡ１、ＲＡ２）にまたがって広く形成しても透過領域（ＴＡ）の開口率に影響を与えないため、十分に広く形成してもよい。したがって、ストレージキャパシタ（Ｃ_ST）の容量を十分に増加させてキックバック電圧を減少することができる。これによって、キックバック電圧によるフリッカー現象を防止することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の１つの画素に対する概略図である。 図２に示した液晶表示装置の断面構造の一例を示した図面である。 図２に示した液晶表示装置の第１及び第２反射電極の反射率曲線を透過率曲線と共に示した図面である。 図３に示した液晶表示装置の配置図の一例である。 図５に示した液晶表示装置のVI-VI'線断面図である。 図２に示した液晶表示装置の断面構造の他の例を示した図面である。 図２に示した液晶表示装置の断面構造の他の例を示した図面である。 図２に示した液晶表示装置の断面構造の他の例を示した図面である。 図２に示した液晶表示装置の断面構造の他の例を示した図面である。

符号の説明

１００ 下部表示板
２００ 上部表示板
３ 液晶層
１９２、１９３ 透明電極
２７０ 共通電極
１９４、１９６ 反射電極
１３３ 維持電極
１４０ ゲート絶縁膜
１７０ 出力端子電極
１８１、１８２、１８３、１８５ コンタクトホール
２３０ カラーフィルタ
８０１、８０２ 保護膜
１２１ ゲート線
１３１ 維持電極線
１２４ ゲート電極
１５１ 半導体
１６１、１６５ オーミック接触部材
１７１ データ線
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極
２２０ 遮光部材

Claims (14)

1. 基板と、
   前記基板上に形成され、入力端子、出力端子、及び制御端子を有するスイッチング素子と、
   前記出力端子に接続される透明電極と、
   前記出力端子に接続される第１反射電極と、
   前記出力端子の下に層を異にして形成され、前記出力端子と絶縁されて前記出力端子との間にストレージキャパシタを形成する維持電極と、
   前記出力端子の上に層を異にして形成され、前記出力端子と絶縁されて前記出力端子との間に補助キャパシタを形成する第２反射電極と、
   を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
2. 前記補助キャパシタは、前記出力端子の延長部と前記第２反射電極とが重畳することで形成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
3. 前記出力端子の延長部は、前記透明電極と同一物質からなり、前記透明電極と同一層に形成されることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
4. 前記補助キャパシタは、前記出力端子と前記第２反射電極の延長部とが重畳することで形成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
5. 前記第２反射電極の延長部は、前記透明電極と同一物質で同一層に形成され、前記透明電極と電気的に分離されることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
6. 前記維持電極と前記出力端子は、両方とも前記第１反射電極及び前記第２反射電極と重畳することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
7. 基板と、
   前記基板上に形成されゲート電極を含むゲート線と、
   前記基板上に形成され維持電極を含む維持電極線と、
   前記維持電極線及びゲート線を覆っているゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と重畳する位置に形成される半導体と、
   前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体の上まで延びているソース電極を含み前記ゲート線と交差するデータ線と、
   前記半導体上で前記ソース電極と対向し、前記維持電極と重畳する拡張部を有するドレイン電極と、
   前記データ線と前記ドレイン電極上に形成され、前記ドレイン電極の一部を露出させる第１コンタクトホールを有する第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜上に形成され、前記第１コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続される透明電極と、
   前記透明電極と電気的に接続される第１反射電極と、
   前記透明電極及び前記第１反射電極と分離され、前記ドレイン電極と静電容量性結合される第２反射電極と、
   を備えており、前記維持電極と前記ドレイン電極は、両方とも前記第１反射電極及び前記第２反射電極と重畳する部分を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
8. 前記透明電極と前記第１及び第２反射電極の間に形成される第２絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板。
9. 前記第２絶縁膜は、前記第２コンタクトホールを有し、
   前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に形成され、前記第２反射電極と前記第２絶縁膜が有する第２コンタクトホールを介して接続されており、前記ドレイン電極の拡張部と重畳する補助電極をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
10. 前記透明電極は、前記第２反射電極と重畳する部分を含むことを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
11. 前記第２絶縁膜上の表面は、凹凸パターンが形成されることを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
12. 基板と、
    前記基板上に形成されゲート電極を含むゲート線と、
    前記基板上に形成され維持電極を含む維持電極線と、
    前記維持電極線及びゲート線を覆っているゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と重畳する位置に形成される半導体と、
    前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体上まで延びているソース電極を含み前記ゲート線と交差するデータ線と、
    前記半導体の上で前記ソース電極と対向し、前記維持電極と重畳する拡張部を有するドレイン電極と、
    前記データ線と前記ドレイン電極上に形成され、前記ドレイン電極の一部を露出させる第１コンタクトホールを有する第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜上に形成される透明電極と、
    前記透明電極と接続され、前記第１コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続される第１反射電極と、
    前記透明電極及び前記第１反射電極と分離され、前記ドレイン電極と静電容量性結合される第２反射電極と、
    を備えており、前記維持電極と前記ドレイン電極は、両方とも前記第１反射電極及び前記第２反射電極と重畳する部分を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
13. 前記第１絶縁膜と前記第１及び第２反射電極との間に形成される第２絶縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
14. 前記第２絶縁膜は、前記第１コンタクトホールを介して露出した前記ドレイン電極を露出させる第２コンタクトホールを有し、前記第１反射電極は、前記第１及び第２コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続されることを特徴とする請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。

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