JP2005196172A - 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】各画素領域が反射領域と透過領域とに定義される半透過型液晶表示装置において、基板上に形成された半導体パターンと、半導体パターンにゲート電極がオーバーラップするように基板上に形成されたゲートライン及びゲート電極と、ゲート電極の両側の半導体パターンに形成されたソース/ドレイン領域と、ソース/ドレイン領域にコンタクトホールを有し、ゲートラインを含む基板の全面に形成された層間絶縁膜と、画素領域の層間絶縁膜上に形成された透過電極と、ソース/ドレイン領域にコンタクトホールを有し、透過領域に透過ホールを有するように透過電極を含む基板の全面に形成された絶縁膜と、ソース領域に電気的に連結されるデータライン及びソース電極と、ドレイン領域と透過電極に電気的に連結されるように反射領域に形成されるドレイン電極及び反射電極とを含む。
【選択図】図4
Description
第二に、反射領域に凸凹構造を有するように別途の熱処理工程を進めなくて良いため、熱処理によってフォトアクリルで構成された有機絶縁膜の特性が悪くなるという問題を防止できる。
第三に、反射電極が透過電極の上部に形成されるので、従来対比反射電極が透過電極の下部に形成され、反射効率が落ちるという問題を防止できる。
まず、本発明の実施の形態に係る半透過型液晶表示装置の構成について述べる。
図4は、本発明の実施の形態に係る半透過型液晶表示装置の平面図で、図5は、本発明の実施の形態に係る図4のI−I´線上の半透過型液晶表示装置の構造断面図である。
Claims (21)
- 各画素領域が反射領域と透過領域とに定義される半透過型液晶表示装置において、
基板上に形成された半導体パターンと、
前記半導体パターンにゲート電極がオーバーラップするように前記基板上に形成されたゲートライン及びゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の前記半導体パターンに形成されたソース/ドレイン領域と、
前記ソース/ドレイン領域にコンタクトホールを有し、前記ゲートラインを含む基板の全面に形成された層間絶縁膜と、
前記画素領域の前記層間絶縁膜上に形成された透過電極と、
前記ソース/ドレイン領域にコンタクトホールを有し、前記透過領域に透過ホールを有するように前記透過電極を含む基板の全面に形成された絶縁膜と、
前記ソース領域に電気的に連結されるデータライン及びソース電極と、
前記ドレイン領域と前記透過電極に電気的に連結されるように前記反射領域に形成されるドレイン電極及び反射電極と
を含むことを特徴とする半透過型液晶表示装置。 - 前記ゲートラインと同一層に前記データラインに平行し、且つ前記半導体パターンにオーバーラップするように形成された共通ラインを更に含む
ことを特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶表示装置。 - 前記反射電極が凸凹状に形成されるように前記絶縁膜はその表面に凸凹部を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶表示装置。 - 前記データライン、ソース電極、ドレイン電極及び反射電極は同一層に同一の物質で形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶表示装置。 - 前記ドレイン電極と反射電極とが一体に形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶表示装置。 - 前記反射電極は、前記透過ホールの部分で前記透過電極と直接コンタクトする
ことを特徴とする請求項1に記載の半透過型液晶表示装置。 - 各画素領域が反射領域と透過領域とに定義される液晶表示装置の製造方法において、
基板上に半導体パターンを形成する第1段階と、
前記半導体パターンにゲート電極がオーバーラップするように前記基板上にゲートライン及びゲート電極を形成すると同時に、前記ゲートラインと平行に配列され、前記半導体パターンにオーバーラップするように共通ラインを形成する第2段階と、
前記ゲート電極の両側の前記半導体パターンにソース/ドレイン領域を形成する第3段階と、
前記ゲートラインを含む基板の全面に層間絶縁膜の透明導電層を形成する第4段階と、
第1ハーフトーンマスクを用いて前記層間絶縁膜及び透明導電層を選択的に除去して、前記ソース/ドレイン領域に第1、第2コンタクトホールを形成し、前記画素領域に透過電極を形成する第5段階と、
前記透過電極を含む基板の全面に絶縁膜を蒸着する第6段階と、
第2ハーフトーンマスクを用いて前記絶縁膜を選択的に除去して、前記ソース/ドレイン領域にソース/ドレインコンタクトホールを形成し、前記透過領域に透過ホールを形成し、前記反射領域の前記絶縁膜の表面に凸凹構造を形成する第7段階と、
前記絶縁膜上に金属層を蒸着し、選択的に除去して前記ソース領域に電気的に連結されるデータライン及びソース電極を形成し、前記ドレイン領域と前記透過電極とに電気的に連結されるように前記反射領域にドレイン電極及び反射電極を形成する第8段階と
を含むことを特徴とする半透過型液晶表示装置の製造方法。 - 前記半導体パターンを形成する段階は、
前記基板上に非晶質シリコン層を蒸着する段階と、
前記非晶質シリコンをポリシリコン層に結晶化する段階と、
前記ポリシリコン層を選択的に除去する段階とを含む
ことを特徴とする請求項7に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1ハーフトーンマスクは、
画素領域に相応する遮光部と、
前記第1、第2コンタクトホールに相応する透過部と、
前記遮光部と透過部を除いた領域に相応する半透過部とを備えて構成される
ことを特徴とする請求項7に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。 - 前記第5段階は、
前記透明導電層上にフォトレジストを蒸着する段階と、
前記第1ハーフトーンマスクを用いた露光及び現像工程で前記遮光部に相応する部分は残っており、前記透過部に相応する部分は前記透明導電層が露出するように除去され、前記半透過部に相応する部分は一定の厚さが除去されるように前記フォトレジストをパターニングする段階と、
前記パターニングされたマスクを用いて、露出された前記透明導電膜及び層間絶縁膜を選択的に除去して、前記第1、第2コンタクトホールを形成する段階と、
前記遮光部にのみ残るように前記フォトレジストをアッシングする段階と、
前記アッシングされたフォトレジストをマスクに用いて前記透明導電膜を選択的に除去して、前記透過電極を形成する段階と
を含むことを特徴とする請求項9に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1、第2コンタクトホールの形成時、前記透明導電膜は湿式食刻で除去し、前記層間絶縁膜は乾式食刻工程で除去する
ことを特徴とする請求項10に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。 - 前記透過電極の形成時、前記透明導電層は湿式食刻工程で除去する
ことを特徴とする請求項10に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。 - 前記透明導電膜は、インジウム−スズ−オキサイド(ITO)、スズーオキサイド(TO)、インジウム−ジンクーオキサイド(IZO)、またはインジウム−スズ−ジンクーオキサイド(ITZO)で形成する
ことを特徴とする請求項7に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。 - 前記第2ハーフトーンマスクは、
前記ソース/ドレインコンタクトホールに対応する透過部と、
前記反射領域の凹部及び前記透過ホールに対応する半透過部と、
前記反射領域の凸部に対応する遮光部とを含む
ことを特徴とする請求項7に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。 - 前記第7段階は、
前記絶縁膜上にフォトレジストを形成する段階と、
前記第2ハーフトーンマスクを用いた露光及び現像工程で前記遮光部に相応する部分は残っており、前記透過部に相応する部分は前記有機絶縁膜が露出するように除去され、前記半透過部に相応する部分は一定の厚さが除去されるように前記フォトレジストをパターニングする段階と、
前記パターニングされたフォトレジストをマスクに用いて、前記露出した絶縁膜を選択的に除去して前記ソース/ドレインコンタクトホールを形成する段階と、
前記透過電極及びソース/ドレイン領域が現れるまでパターニングしたフォトレジストと前記絶縁膜とを同時に食刻して透過領域に透過ホールを形成し、前記反射領域の絶縁膜の表面に凸凹部を形成する段階と
を含むことを特徴とする請求項14に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。 - 前記パターニングしたフォトレジストと前記絶縁膜とを同時に食刻する段階は、乾式食刻で食刻する
ことを特徴とする請求項15に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。 - 前記凸凹部が曲線型の凸凹となるようにリフローする段階を更に含む
ことを特徴とする請求項15に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。 - 前記絶縁膜は、フォトアクリルのような有機物質で形成する
ことを特徴とする請求項7に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。 - 前記金属層はAlまたはAlネオジムまたはAgのような金属を使用するか、或いは抵抗の小さい第1金属と、反射度の高い第2金属とを積層して形成する
ことを特徴とする請求項7に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1金属はMoを使用し、前記第2金属はAlまたはAlネオジムまたはAgのような金属を使用する
ことを特徴とする請求項19に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。 - 前記層間絶縁膜は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜で形成する
ことを特徴とする請求項7に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006330733A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2007102226A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板 |
JP2007183556A (ja) * | 2006-01-02 | 2007-07-19 | Quanta Display Inc | 画素構造の製造方法 |
JP2007311741A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに表示基板 |
JP2008122941A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-05-29 | Kobe Steel Ltd | 反射電極および表示デバイス |
JP2010199554A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Lg Display Co Ltd | 逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法 |
JP2011061212A (ja) * | 2006-05-15 | 2011-03-24 | Lg Display Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに表示基板 |
JP5009362B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-08-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US8384280B2 (en) | 2007-12-26 | 2013-02-26 | Kobe Steel, Ltd. | Reflective electrode, display device, and method for producing display device |
US8440486B2 (en) | 2008-12-23 | 2013-05-14 | Lg Display Co., Ltd. | Electrophoretic display device and method of fabricating the same |
JP2018513413A (ja) * | 2015-06-24 | 2018-05-24 | 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 薄膜トランジスタ配列基板及其製作方法 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7914971B2 (en) * | 2005-08-12 | 2011-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same |
WO2007026783A1 (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | スパッタリングターゲット、透明導電膜及び透明電極 |
WO2007029859A1 (en) * | 2005-09-08 | 2007-03-15 | Showa Denko K.K. | Electrode for semiconductor light emitting device |
US7768604B2 (en) * | 2005-09-20 | 2010-08-03 | Au Optronics Corporation | Transflective liquid crystal display with partially shifted reflectivity curve |
CN100371817C (zh) * | 2005-11-29 | 2008-02-27 | 友达光电股份有限公司 | 半穿透半反射式像素结构及其制造方法 |
CN100410746C (zh) * | 2006-04-06 | 2008-08-13 | 友达光电股份有限公司 | 液晶驱动电极构造 |
US20080024702A1 (en) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Pixel structure and fabrication method thereof |
TWI309889B (en) * | 2006-09-01 | 2009-05-11 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display structure and method for manufacturing the same |
KR20080044050A (ko) * | 2006-11-15 | 2008-05-20 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 이를 구비하는액정 표시 장치 |
CN101617352B (zh) * | 2007-04-24 | 2012-04-04 | 夏普株式会社 | 显示装置用基板、显示装置以及配线基板 |
US8045082B2 (en) * | 2008-03-20 | 2011-10-25 | Chimei Innolux Corporation | System for display images and fabrication method thereof |
CN101552241B (zh) * | 2008-04-03 | 2010-11-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法和液晶显示装置 |
TWI328862B (en) * | 2008-07-07 | 2010-08-11 | Au Optronics Corp | Method for fabricating pixel structure |
CN101661907B (zh) * | 2008-08-27 | 2011-12-28 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示装置的阵列基板制造方法 |
TWI405017B (zh) * | 2008-12-18 | 2013-08-11 | Lg Display Co Ltd | 顯示裝置之陣列基板及其製造方法 |
US8237163B2 (en) | 2008-12-18 | 2012-08-07 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate for display device and method for fabricating the same |
KR101300035B1 (ko) | 2010-05-05 | 2013-08-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사형 및 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
CN102621753B (zh) * | 2011-01-28 | 2015-02-18 | 联胜(中国)科技有限公司 | 像素结构以及显示面板 |
TWI561894B (en) * | 2015-05-29 | 2016-12-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Manufacturing method of making electronic connection structure, tft substrate, and insulation layer |
TWI597830B (zh) * | 2016-05-13 | 2017-09-01 | 群創光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
CN110703515A (zh) * | 2019-09-29 | 2020-01-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000002872A (ja) * | 1998-06-16 | 2000-01-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその作製方法 |
JP3564358B2 (ja) | 1999-03-29 | 2004-09-08 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2000305099A (ja) | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
KR100372579B1 (ko) * | 2000-06-21 | 2003-02-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
JP2002311424A (ja) | 2001-04-12 | 2002-10-23 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
TW490858B (en) | 2001-04-26 | 2002-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Polycrystalline thin film transistor for liquid crystal device(LCD) and method of manufacturing the same |
KR100776756B1 (ko) | 2001-08-01 | 2007-11-19 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법 |
JP2003149638A (ja) | 2001-11-16 | 2003-05-21 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2003195275A (ja) | 2001-12-25 | 2003-07-09 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP3977099B2 (ja) * | 2002-02-25 | 2007-09-19 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP4087620B2 (ja) | 2002-03-01 | 2008-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP4117169B2 (ja) * | 2002-09-09 | 2008-07-16 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
KR100770472B1 (ko) | 2003-03-27 | 2007-10-26 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법 |
US7072012B2 (en) | 2003-05-12 | 2006-07-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device including data line divided into first and second branch lines and method of fabricating the same |
US7379136B2 (en) | 2003-12-29 | 2008-05-27 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Transflective type liquid crystal display device and method for fabricating the same |
-
2003
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Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006330733A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2007102226A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板 |
JP2007183556A (ja) * | 2006-01-02 | 2007-07-19 | Quanta Display Inc | 画素構造の製造方法 |
JP2007311741A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに表示基板 |
US8927995B2 (en) | 2006-05-15 | 2015-01-06 | Lg Display Co., Ltd. | Thin film transistor with anti-diffusion area that prevents metal atoms and/or ions from source/drain electrodes from shortening the channel length and display substrate having the thin film transistor |
JP2011061212A (ja) * | 2006-05-15 | 2011-03-24 | Lg Display Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに表示基板 |
JP4713433B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2011-06-29 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ |
JP2008122941A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-05-29 | Kobe Steel Ltd | 反射電極および表示デバイス |
JP5009362B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-08-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US8384280B2 (en) | 2007-12-26 | 2013-02-26 | Kobe Steel, Ltd. | Reflective electrode, display device, and method for producing display device |
US8440486B2 (en) | 2008-12-23 | 2013-05-14 | Lg Display Co., Ltd. | Electrophoretic display device and method of fabricating the same |
KR101283366B1 (ko) * | 2008-12-23 | 2013-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전기영동 표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
KR101319096B1 (ko) * | 2009-02-24 | 2013-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 탑 에미션 인버티드형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의제조방법 |
US8803172B2 (en) | 2009-02-24 | 2014-08-12 | Lg Display Co., Ltd. | Top emission inverted organic light emitting diode display device having electrode patterns formed from a same material as a conductive pattern contacting the TFT |
JP2010199554A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Lg Display Co Ltd | 逆構造トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置及びその製造方法 |
JP2018513413A (ja) * | 2015-06-24 | 2018-05-24 | 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 薄膜トランジスタ配列基板及其製作方法 |
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