JP2003149638A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JP2003149638A JP2003149638A JP2001351757A JP2001351757A JP2003149638A JP 2003149638 A JP2003149638 A JP 2003149638A JP 2001351757 A JP2001351757 A JP 2001351757A JP 2001351757 A JP2001351757 A JP 2001351757A JP 2003149638 A JP2003149638 A JP 2003149638A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射板として機能する画素電極の表面の凹凸
を適当な形状とする。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に有機材料からなる保護膜と
この保護膜の上面に反射膜を形成するものであって、前
記保護膜の形成後に、少なくともその上面に界面活性剤
を含む溶液に浸すことによって凹凸を形成する。
を適当な形状とする。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に有機材料からなる保護膜と
この保護膜の上面に反射膜を形成するものであって、前
記保護膜の形成後に、少なくともその上面に界面活性剤
を含む溶液に浸すことによって凹凸を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、たとえば部分透過型、反射型と称される液晶表示装
置に関する。
り、たとえば部分透過型、反射型と称される液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】部分透過型と称される液晶表示装置は、
たとえば携帯電話用の小型液晶表示装置等として用いら
れ、必要に応じて太陽の反射光あるいは内蔵するバック
ライトの光によって表示面の映像を認識できるようにな
っている。
たとえば携帯電話用の小型液晶表示装置等として用いら
れ、必要に応じて太陽の反射光あるいは内蔵するバック
ライトの光によって表示面の映像を認識できるようにな
っている。
【０００３】すなわち、液晶を介して対向配置される各
透明基板のうち、その一方の透明基板の液晶側の面に
は、ｘ方向に延在されｙ方向に並設されるゲート信号線
とｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線
とで囲まれた領域を画素領域とし、これら各画素領域に
は一方のゲート信号線からの走査信号の供給により駆動
される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介
して一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される
画素電極とが形成されている。
透明基板のうち、その一方の透明基板の液晶側の面に
は、ｘ方向に延在されｙ方向に並設されるゲート信号線
とｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線
とで囲まれた領域を画素領域とし、これら各画素領域に
は一方のゲート信号線からの走査信号の供給により駆動
される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介
して一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される
画素電極とが形成されている。
【０００４】この画素電極は、画素領域において、たと
えばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）のような透光性の電極
からなる部分と金属層のような非透光性の電極からなる
部分とを有し、他方の透明基板の液晶側の面にて、各画
素領域に共通に形成された透光性の電極からなる対向電
極との間に電界を発生せしめ、その電界によって画素領
域内の液晶を挙動させるようになっている。この場合、
前記透光性の画素電極が形成された部分を光透過領域と
して用い、前記非透光性の画素電極が形成された部分を
光反射領域として用いている。
えばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）のような透光性の電極
からなる部分と金属層のような非透光性の電極からなる
部分とを有し、他方の透明基板の液晶側の面にて、各画
素領域に共通に形成された透光性の電極からなる対向電
極との間に電界を発生せしめ、その電界によって画素領
域内の液晶を挙動させるようになっている。この場合、
前記透光性の画素電極が形成された部分を光透過領域と
して用い、前記非透光性の画素電極が形成された部分を
光反射領域として用いている。
【０００５】そして、画素電極のうち非透光性の材料で
形成するものは、それが形成される絶縁膜の表面に多数
の凹凸を形成することによって、その表面に該凹凸を顕
在化させたものが知られている。このようにすることに
より、該非透光性の材料で反射される光は該凹凸によっ
て散乱されるようになるからである。
形成するものは、それが形成される絶縁膜の表面に多数
の凹凸を形成することによって、その表面に該凹凸を顕
在化させたものが知られている。このようにすることに
より、該非透光性の材料で反射される光は該凹凸によっ
て散乱されるようになるからである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような液
晶表示装置は、非透光性の画素電極が形成される絶縁膜
の表面に多数の凹凸を形成するのに煩雑な作業を必要と
することが指摘されていた。すなわち、転写型ロール、
あるいは型プレートを用い、また、印刷方式、さらには
フォトリソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法を
用いて前記絶縁膜の表面に凹凸を形成していた。また、
上述した方法で形成された絶縁膜の表面の凹凸は一般に
規則性がある形状となるため、該凹凸による反射光の一
部に干渉を起こすというような不都合が生じていた。
晶表示装置は、非透光性の画素電極が形成される絶縁膜
の表面に多数の凹凸を形成するのに煩雑な作業を必要と
することが指摘されていた。すなわち、転写型ロール、
あるいは型プレートを用い、また、印刷方式、さらには
フォトリソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法を
用いて前記絶縁膜の表面に凹凸を形成していた。また、
上述した方法で形成された絶縁膜の表面の凹凸は一般に
規則性がある形状となるため、該凹凸による反射光の一
部に干渉を起こすというような不都合が生じていた。
【０００７】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、その目的は、反射板として機能する画素電
極の表面の凹凸を適当な形状とすることのできる液晶表
示装置を提供することにある。また、本発明の他の目的
は、煩雑な作業を必要とすることなく前記液晶表示装置
を得ることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する
ことにある。
れたもので、その目的は、反射板として機能する画素電
極の表面の凹凸を適当な形状とすることのできる液晶表
示装置を提供することにある。また、本発明の他の目的
は、煩雑な作業を必要とすることなく前記液晶表示装置
を得ることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段１．本発明による液晶表示装置の製造方法は、たと
えば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の
基板の液晶側の面に有機材料からなる保護膜とこの保護
膜の上面に反射膜を形成するものであって、前記保護膜
の形成後に、少なくともその上面に界面活性剤を含む溶
液に浸すことによって凹凸を形成することを特徴とする
ものである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段１．本発明による液晶表示装置の製造方法は、たと
えば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の
基板の液晶側の面に有機材料からなる保護膜とこの保護
膜の上面に反射膜を形成するものであって、前記保護膜
の形成後に、少なくともその上面に界面活性剤を含む溶
液に浸すことによって凹凸を形成することを特徴とする
ものである。
【０００９】手段２．本発明による液晶表示装置の製造
方法は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板
のうち一方の基板の液晶側の面に有機材料からなる保護
膜とこの保護膜の上面に反射膜を形成するものであっ
て、前記保護膜の形成後に、少なくともその上面に界面
活性剤を含む溶液に浸し、その際の温度を４０℃以上１
５０℃以下にすることによって凹凸を形成することを特
徴とするものである。
方法は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板
のうち一方の基板の液晶側の面に有機材料からなる保護
膜とこの保護膜の上面に反射膜を形成するものであっ
て、前記保護膜の形成後に、少なくともその上面に界面
活性剤を含む溶液に浸し、その際の温度を４０℃以上１
５０℃以下にすることによって凹凸を形成することを特
徴とするものである。
【００１０】手段３．本発明による液晶表示装置の製造
方法は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板
のうち一方の基板の液晶側の面に有機材料からなる保護
膜とこの保護膜の上面に反射膜を形成するものであっ
て、前記保護膜の形成後に、少なくともその上面に酸お
よび界面活性剤を含む溶液に浸し、その際の温度を４０
℃以上１５０℃以下にすることによって凹凸を形成する
ことを特徴とするものである。
方法は、たとえば、液晶を介して対向配置される各基板
のうち一方の基板の液晶側の面に有機材料からなる保護
膜とこの保護膜の上面に反射膜を形成するものであっ
て、前記保護膜の形成後に、少なくともその上面に酸お
よび界面活性剤を含む溶液に浸し、その際の温度を４０
℃以上１５０℃以下にすることによって凹凸を形成する
ことを特徴とするものである。
【００１１】手段４．本発明による液晶表示装置の製造
方法は、たとえば、手段３の構成を前提として、前記酸
は蓚酸であることを特徴とするものである。
方法は、たとえば、手段３の構成を前提として、前記酸
は蓚酸であることを特徴とするものである。
【００１２】手段５．本発明による液晶表示装置の製造
方法は、手段１ないし３のうちいずれかの構成を前提と
して、保護膜の有機材料は感光性樹脂材料であることを
特徴とするものである。
方法は、手段１ないし３のうちいずれかの構成を前提と
して、保護膜の有機材料は感光性樹脂材料であることを
特徴とするものである。
【００１３】手段６．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基
板の液晶側の面の画素領域に、光反射領域と光透過領域
とを有し、該光反射領域は有機材料層の上面に形成され
た光反射機能を有する第１の画素電極を有し、前記光透
過領域は前記有機材料層に形成された開口部を被って光
透過機能を有する第２の画素電極を有するとともに、前
記有機材料層の前記第１の画素電極が形成される面には
界面活性剤と蓚酸を含む溶液に浸すことにより形成され
た凹凸が形成され、前記第２の画素電極は前記有機材料
層に形成された開口部の縁を乗り越えて第１の画素電極
と電気的に接続されていることを特徴とするものであ
る。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基
板の液晶側の面の画素領域に、光反射領域と光透過領域
とを有し、該光反射領域は有機材料層の上面に形成され
た光反射機能を有する第１の画素電極を有し、前記光透
過領域は前記有機材料層に形成された開口部を被って光
透過機能を有する第２の画素電極を有するとともに、前
記有機材料層の前記第１の画素電極が形成される面には
界面活性剤と蓚酸を含む溶液に浸すことにより形成され
た凹凸が形成され、前記第２の画素電極は前記有機材料
層に形成された開口部の縁を乗り越えて第１の画素電極
と電気的に接続されていることを特徴とするものであ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例１． 《等価回路》図２は、たとえば携帯電話に搭載される液
晶表示装置の一実施例を示す等価回路図である。同図は
等価回路であるが実際の幾何学的配置に対応させて描い
ている。
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例１． 《等価回路》図２は、たとえば携帯電話に搭載される液
晶表示装置の一実施例を示す等価回路図である。同図は
等価回路であるが実際の幾何学的配置に対応させて描い
ている。
【００１５】液晶を介して互いに対向配置される一対の
透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透
明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定
を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透
明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定
を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
【００１６】シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
【００１７】各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線Ｄ
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
【００１８】また、ｘ方向に並設される各画素領域のそ
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の容量
信号線ＣＬが形成されている。この容量信号線ＣＬは各
画素領域の後述する容量素子Ｃｓｔｇの一方の電極に基
準となる信号を供給する信号線となるものである。
れぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の容量
信号線ＣＬが形成されている。この容量信号線ＣＬは各
画素領域の後述する容量素子Ｃｓｔｇの一方の電極に基
準となる信号を供給する信号線となるものである。
【００１９】各画素領域には、その片側のゲート信号線
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
【００２０】この画素電極ＰＸは、ここで説明する液晶
表示装置が部分透過型であることから、反射を兼ねる非
透光性の導電膜とたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
のように透光性の導電膜とから構成され、これら導電膜
は互いに同電位となるように電気的に接続されたものと
して構成されている。
表示装置が部分透過型であることから、反射を兼ねる非
透光性の導電膜とたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
のように透光性の導電膜とから構成され、これら導電膜
は互いに同電位となるように電気的に接続されたものと
して構成されている。
【００２１】この画素電極ＰＸは、他方の透明基板ＳＵ
Ｂ２の液晶側の面に各画素領域に共通に形成された透光
性の対向電極ＣＴとの間に電界を発生させ、この電界に
よって液晶の光透過率を制御させるようになっている。
Ｂ２の液晶側の面に各画素領域に共通に形成された透光
性の対向電極ＣＴとの間に電界を発生させ、この電界に
よって液晶の光透過率を制御させるようになっている。
【００２２】前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖに接続されるようになっている。垂直走
査駆動回路Ｖは透明基板ＳＵＢ１の表面に形成された多
数の多結晶Ｓｉ（poly-Si）の半導体装置とそれらを接
続させる配線層とから構成されている。
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖに接続されるようになっている。垂直走
査駆動回路Ｖは透明基板ＳＵＢ１の表面に形成された多
数の多結晶Ｓｉ（poly-Si）の半導体装置とそれらを接
続させる配線層とから構成されている。
【００２３】同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅに接続されるようになって
いる。映像信号駆動回路Ｈｅも透明基板ＳＵＢ１の表面
に形成された多数の多結晶Ｓｉ（poly-Si）の半導体装
置とそれらを接続させる配線層とから構成されている。
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅに接続されるようになって
いる。映像信号駆動回路Ｈｅも透明基板ＳＵＢ１の表面
に形成された多数の多結晶Ｓｉ（poly-Si）の半導体装
置とそれらを接続させる配線層とから構成されている。
【００２４】このため、液晶表示部ＡＲ内の前記各薄膜
トランジスタＴＦＴも多結晶Ｓｉの半導体装置から構成
され、これら半導体装置は、その製造過程において、垂
直走査駆動回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅを構成す
る半導体装置と並行して形成されるようになっている。
トランジスタＴＦＴも多結晶Ｓｉの半導体装置から構成
され、これら半導体装置は、その製造過程において、垂
直走査駆動回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅを構成す
る半導体装置と並行して形成されるようになっている。
【００２５】また、前記容量信号線ＣＬはたとえば図中
右側の端部で共通に接続され、その接続線はシール材Ｓ
Ｌを超えて延在され、その延在端において信号が供給さ
れるようになっている。
右側の端部で共通に接続され、その接続線はシール材Ｓ
Ｌを超えて延在され、その延在端において信号が供給さ
れるようになっている。
【００２６】前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査回路
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。また、前記各ドレイン信号線ＤＬの
それぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲ
ート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号
が供給されるようになっている。
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。また、前記各ドレイン信号線ＤＬの
それぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲ
ート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号
が供給されるようになっている。
【００２７】《画素構成》図３は本発明による液晶表示
装置の画素領域の一実施例を示す平面図であり、そのIV
−IV線における断面を図４に示している。図３は、図２
に示した液晶表示部ＡＲを構成する各画素領域のうち一
の画素領域の構成を示している。
装置の画素領域の一実施例を示す平面図であり、そのIV
−IV線における断面を図４に示している。図３は、図２
に示した液晶表示部ＡＲを構成する各画素領域のうち一
の画素領域の構成を示している。
【００２８】まず、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には
たとえばＳｉＯ２あるいはＳｉ３Ｎ ４からなる下地層Ｇ
Ｗが形成されている。この下地層ＧＷは透明基板ＳＵＢ
１に含まれるイオン性不純物が後述の薄膜トランジスタ
ＴＦＴに影響を及ぼすのを回避するために形成されてい
る。
たとえばＳｉＯ２あるいはＳｉ３Ｎ ４からなる下地層Ｇ
Ｗが形成されている。この下地層ＧＷは透明基板ＳＵＢ
１に含まれるイオン性不純物が後述の薄膜トランジスタ
ＴＦＴに影響を及ぼすのを回避するために形成されてい
る。
【００２９】そして、この下地層ＳｉＯ２の表面には、
たとえばポリシリコン層からなる半導体層ＰＳが形成さ
れている。この半導体層ＰＳはたとえばプラズマＣＶＤ
装置によって成膜したアモルファスＳｉ膜をエキシマレ
ーザによって多結晶化したものである。
たとえばポリシリコン層からなる半導体層ＰＳが形成さ
れている。この半導体層ＰＳはたとえばプラズマＣＶＤ
装置によって成膜したアモルファスＳｉ膜をエキシマレ
ーザによって多結晶化したものである。
【００３０】この半導体層ＰＳは、後述するゲート信号
線ＧＬに隣接して形成される帯状の部分とこの部分と一
体となって画素領域のほぼ半分（図中上側）を占める矩
形状の部分とで構成されている。
線ＧＬに隣接して形成される帯状の部分とこの部分と一
体となって画素領域のほぼ半分（図中上側）を占める矩
形状の部分とで構成されている。
【００３１】帯状の部分の半導体層ＰＳは後述する薄膜
トランジスタＴＦＴの半導体層として形成され、矩形状
の部分の半導体層ＰＳは後述する容量素子Ｃｓｔｇの各
電極のうち一の電極として形成されるようになってい
る。
トランジスタＴＦＴの半導体層として形成され、矩形状
の部分の半導体層ＰＳは後述する容量素子Ｃｓｔｇの各
電極のうち一の電極として形成されるようになってい
る。
【００３２】そして、このように半導体層ＰＳが形成さ
れた透明基板ＳＵＢ１の表面には、該半導体層ＰＳをも
覆ってたとえばＳｉＯ２あるいはＳｉ３Ｎ４からなる絶
縁膜ＧＩが形成されている。
れた透明基板ＳＵＢ１の表面には、該半導体層ＰＳをも
覆ってたとえばＳｉＯ２あるいはＳｉ３Ｎ４からなる絶
縁膜ＧＩが形成されている。
【００３３】この第１絶縁膜ＧＩは前記薄膜トランジス
タＴＦＴのゲート絶縁膜として機能するともに、後述す
る容量素子Ｃｓｔｇの誘電体膜の一つとして機能するよ
うになっている。
タＴＦＴのゲート絶縁膜として機能するともに、後述す
る容量素子Ｃｓｔｇの誘電体膜の一つとして機能するよ
うになっている。
【００３４】そして、絶縁膜ＧＩの上面には、図中ｘ方
向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成
され、このゲート信号線ＧＬは後述するドレイン信号線
ＤＬとともに矩形状の画素領域を画するようになってい
る。
向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成
され、このゲート信号線ＧＬは後述するドレイン信号線
ＤＬとともに矩形状の画素領域を画するようになってい
る。
【００３５】なお、このゲート信号線ＧＬは耐熱性を有
する導電膜であればよく、たとえばＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、
ＴｉＷ等が選択される。この実施例ではゲート信号線Ｇ
ＬとしてＴｉＷが用いられている。
する導電膜であればよく、たとえばＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、
ＴｉＷ等が選択される。この実施例ではゲート信号線Ｇ
ＬとしてＴｉＷが用いられている。
【００３６】このゲート信号線ＧＬはその一部が画素領
域内に延在され、前記帯状の半導体層ＰＳに交差するよ
うにして重畳されている。このゲート信号線ＧＬの延在
部ＧＬは薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＴとし
て形成されている。
域内に延在され、前記帯状の半導体層ＰＳに交差するよ
うにして重畳されている。このゲート信号線ＧＬの延在
部ＧＬは薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＴとし
て形成されている。
【００３７】なお、このゲート信号線ＧＬの形成後は、
絶縁膜ＧＩを介して不純物のイオン打ち込みをし、前記
半導体層ＰＳにおいて前記ゲート電極ＧＴの直下を除く
領域を導電化させることによって、薄膜トランジスタＴ
ＦＴのソース領域およびドレイン領域が形成されるとと
もに、前記容量素子Ｃｓｔｇの各電極のうち一の電極が
形成されるようになっている。
絶縁膜ＧＩを介して不純物のイオン打ち込みをし、前記
半導体層ＰＳにおいて前記ゲート電極ＧＴの直下を除く
領域を導電化させることによって、薄膜トランジスタＴ
ＦＴのソース領域およびドレイン領域が形成されるとと
もに、前記容量素子Ｃｓｔｇの各電極のうち一の電極が
形成されるようになっている。
【００３８】また、画素領域の中央における第１絶縁膜
ＧＩの上面には図中ｘ方向に延在する容量信号線ＰＬが
形成され、この容量信号線ＰＬは画素領域の図中上側の
領域に延在する容量電極ＰＴと一体に形成されるように
なっている。この容量信号線ＰＬ（容量電極ＰＴ）はた
とえばゲート信号線ＧＬと同層でかつ同一の材料で形成
されている。
ＧＩの上面には図中ｘ方向に延在する容量信号線ＰＬが
形成され、この容量信号線ＰＬは画素領域の図中上側の
領域に延在する容量電極ＰＴと一体に形成されるように
なっている。この容量信号線ＰＬ（容量電極ＰＴ）はた
とえばゲート信号線ＧＬと同層でかつ同一の材料で形成
されている。
【００３９】前記ゲート信号線ＧＬおよび容量信号線Ｐ
Ｌ（容量電極ＰＴ）をも覆って前記絶縁膜ＧＩの上面に
は保護膜ＰＳＶが有機材料層によって形成されている。
この有機材料層としてはたとえばアクリル樹脂が選択さ
れている。また、たとえば感光性のものから構成されて
いる。
Ｌ（容量電極ＰＴ）をも覆って前記絶縁膜ＧＩの上面に
は保護膜ＰＳＶが有機材料層によって形成されている。
この有機材料層としてはたとえばアクリル樹脂が選択さ
れている。また、たとえば感光性のものから構成されて
いる。
【００４０】この保護膜ＰＳＶは、その表面の全域にわ
たって微細な凹凸が形成されているとともに、光透過領
域において開口部ＰＳＶ（ＨＬ）が形成されている。保
護膜ＰＳＶの表面の前記凹凸は、たとえば界面活性剤を
含む溶液に浸すことにより形成されたものとなってい
る。
たって微細な凹凸が形成されているとともに、光透過領
域において開口部ＰＳＶ（ＨＬ）が形成されている。保
護膜ＰＳＶの表面の前記凹凸は、たとえば界面活性剤を
含む溶液に浸すことにより形成されたものとなってい
る。
【００４１】さらに、この保護膜ＰＳＶの上面には、画
素領域のほぼ半分の領域（図中上側の領域）を占めるよ
うにしてたとえばアルミニュウム（Ａｌ）からなる金属
膜が形成され、この金属膜は反射膜として機能するとも
に画素電極ＰＸ（Ｒ）を構成するようになっている。
素領域のほぼ半分の領域（図中上側の領域）を占めるよ
うにしてたとえばアルミニュウム（Ａｌ）からなる金属
膜が形成され、この金属膜は反射膜として機能するとも
に画素電極ＰＸ（Ｒ）を構成するようになっている。
【００４２】この画素電極ＰＸ（Ｒ）は、保護膜ＰＳＶ
および絶縁膜ＧＩに形成されたスルーホールＴＨ１を通
して前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース領域に接続さ
れるようになっている。
および絶縁膜ＧＩに形成されたスルーホールＴＨ１を通
して前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース領域に接続さ
れるようになっている。
【００４３】また、この画素電極ＰＸ（Ｒ）の形成と同
時にドレイン信号線ＤＬが図中ｙ方向に延在しｘ方向に
並設して形成されている。この場合、保護膜ＰＳＶおよ
び絶縁膜ＧＩに形成されたスルーホールＴＨ２を通して
前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン領域に接続され
るようになっている。
時にドレイン信号線ＤＬが図中ｙ方向に延在しｘ方向に
並設して形成されている。この場合、保護膜ＰＳＶおよ
び絶縁膜ＧＩに形成されたスルーホールＴＨ２を通して
前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン領域に接続され
るようになっている。
【００４４】なお、該ドレイン信号線ＤＬは必ずしも画
素電極ＰＸ（Ｒ）の形成と同時に形成しなくてもよい。
画素電極ＰＸは光反射効率の良い材料を選定しなくては
ならない一方において、ドレイン信号線ＤＬはその必要
がないことから他の適当な材料で形成したい場合がある
からである。
素電極ＰＸ（Ｒ）の形成と同時に形成しなくてもよい。
画素電極ＰＸは光反射効率の良い材料を選定しなくては
ならない一方において、ドレイン信号線ＤＬはその必要
がないことから他の適当な材料で形成したい場合がある
からである。
【００４５】ここで、画素電極ＰＸ（Ｒ）および容量電
極ＰＴとの間には２段構成の容量素子Ｃｓｔｇを構成す
るようになっている。すなわち、画素電極ＰＸ（Ｒ）と
接続された半導体層ＰＳと容量電極ＰＴとの間には絶縁
膜ＧＩを誘電体膜とする第１の容量素子と、画素電極Ｐ
Ｘ（Ｒ）と容量電極ＰＴとの間には保護膜ＰＳＶを誘電
体膜とする第２の容量素子とが並列接続された構成とな
っている。
極ＰＴとの間には２段構成の容量素子Ｃｓｔｇを構成す
るようになっている。すなわち、画素電極ＰＸ（Ｒ）と
接続された半導体層ＰＳと容量電極ＰＴとの間には絶縁
膜ＧＩを誘電体膜とする第１の容量素子と、画素電極Ｐ
Ｘ（Ｒ）と容量電極ＰＴとの間には保護膜ＰＳＶを誘電
体膜とする第２の容量素子とが並列接続された構成とな
っている。
【００４６】これにより、占有面積が小さく容量の大き
な容量素子Ｃｓｔｇを構成することができる。この容量
素子Ｃｓｔｇは、たとえば画素電極ＰＸ（Ｒ）に供給さ
れた映像信号を比較的長い時間蓄積させるためのもので
ある。
な容量素子Ｃｓｔｇを構成することができる。この容量
素子Ｃｓｔｇは、たとえば画素電極ＰＸ（Ｒ）に供給さ
れた映像信号を比較的長い時間蓄積させるためのもので
ある。
【００４７】また、保護膜ＰＳＶの開口部ＰＳＶ（Ｈ
Ｌ）を被うようにしてたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxi
de）膜からなる透光性の導電膜が形成され、この導電膜
は光透過領域の画素電極ＰＸ（Ｔ）として機能するよう
になっている。
Ｌ）を被うようにしてたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxi
de）膜からなる透光性の導電膜が形成され、この導電膜
は光透過領域の画素電極ＰＸ（Ｔ）として機能するよう
になっている。
【００４８】この画素電極ＰＸ（Ｔ）は、前記開口部Ｐ
ＳＶ（ＨＬ）の側壁面をも被うようにして延在され、前
記画素電極ＰＸ（Ｒ）に電気的に接続されるようになっ
ている。
ＳＶ（ＨＬ）の側壁面をも被うようにして延在され、前
記画素電極ＰＸ（Ｒ）に電気的に接続されるようになっ
ている。
【００４９】なお、このように構成された透明基板ＳＵ
Ｂ１の表面には前記画素電極ＰＸ（Ｒ）および画素電極
ＰＸ（Ｔ）等も被って配向膜（図示せず）が形成されて
いる。この配向膜は液晶と直接に当接する膜で、その表
面に形成されたラビングによって該液晶の分子の初期配
向方向を決定づけるようになっている。このように構成
された透明基板ＳＵＢ１は液晶を介して透明基板ＳＵＢ
２と対向配置されている。
Ｂ１の表面には前記画素電極ＰＸ（Ｒ）および画素電極
ＰＸ（Ｔ）等も被って配向膜（図示せず）が形成されて
いる。この配向膜は液晶と直接に当接する膜で、その表
面に形成されたラビングによって該液晶の分子の初期配
向方向を決定づけるようになっている。このように構成
された透明基板ＳＵＢ１は液晶を介して透明基板ＳＵＢ
２と対向配置されている。
【００５０】透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、その
各画素領域を画するようにしてブラックマトリクスＢＭ
が形成されている。すなわち、少なくとも液晶表示部に
形成されたブラックマトリクスＢＭは各画素領域の周辺
部を残す領域に開口が形成されたパターンをなし、これ
により表示のコントラストの向上を図っている。
各画素領域を画するようにしてブラックマトリクスＢＭ
が形成されている。すなわち、少なくとも液晶表示部に
形成されたブラックマトリクスＢＭは各画素領域の周辺
部を残す領域に開口が形成されたパターンをなし、これ
により表示のコントラストの向上を図っている。
【００５１】また、このブラックマトリクスＢＭは透明
基板ＳＵＢ１側の薄膜トランジスタＴＦＴを充分被うよ
うにして形成され、該薄膜トランジスタＴＦＴへの外来
光の照射を妨げることによって該薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの特性劣化を回避するようになっている。
基板ＳＵＢ１側の薄膜トランジスタＴＦＴを充分被うよ
うにして形成され、該薄膜トランジスタＴＦＴへの外来
光の照射を妨げることによって該薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの特性劣化を回避するようになっている。
【００５２】ブラックマトリクスＢＭが形成された透明
基板ＳＵＢ２の面には該ブラックマトリクスＢＭの開口
を被ってカラーフィルタＦＩＬが形成されている。この
カラーフィルタＦＩＬはたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、
青（Ｂ）の各色のフィルタからなり、ｙ方向に並設され
る各画素領域群にたとえば赤色のフィルタが共通に形成
され、ｘ方向に順次隣接する画素領域群に共通に赤
（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色、赤（Ｒ）色、…
…、というような配列で形成されている。
基板ＳＵＢ２の面には該ブラックマトリクスＢＭの開口
を被ってカラーフィルタＦＩＬが形成されている。この
カラーフィルタＦＩＬはたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、
青（Ｂ）の各色のフィルタからなり、ｙ方向に並設され
る各画素領域群にたとえば赤色のフィルタが共通に形成
され、ｘ方向に順次隣接する画素領域群に共通に赤
（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色、赤（Ｒ）色、…
…、というような配列で形成されている。
【００５３】ブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィ
ルタＦＩＬが形成された透明基板ＳＵＢ２の表面にはこ
れらブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＦＩ
Ｌをも被って平坦化膜ＯＣが形成されている。この平坦
化膜ＯＣは塗布によって形成できる樹脂膜からなり、前
記ブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬ
の形成によって顕在化する段差をなくすために設けられ
る。
ルタＦＩＬが形成された透明基板ＳＵＢ２の表面にはこ
れらブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＦＩ
Ｌをも被って平坦化膜ＯＣが形成されている。この平坦
化膜ＯＣは塗布によって形成できる樹脂膜からなり、前
記ブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬ
の形成によって顕在化する段差をなくすために設けられ
る。
【００５４】この平坦膜ＯＣの上面には、たとえばＩＴ
Ｏ膜からなる透光性の導電膜が形成され、この導電膜に
よって各画素領域に共通の対向電極ＣＴが形成されてい
る。この平坦化膜ＯＣの表面には配向膜（図示せず）が
形成され、この配向膜は液晶と直接に当接する膜で、そ
の表面に形成されたラビングによって該液晶の分子の初
期配向方向を決定づけるようになっている。
Ｏ膜からなる透光性の導電膜が形成され、この導電膜に
よって各画素領域に共通の対向電極ＣＴが形成されてい
る。この平坦化膜ＯＣの表面には配向膜（図示せず）が
形成され、この配向膜は液晶と直接に当接する膜で、そ
の表面に形成されたラビングによって該液晶の分子の初
期配向方向を決定づけるようになっている。
【００５５】《製造方法》図１は、前記液晶表示装置の
製造方法の一実施例を示す工程図である。同図は図４の
断面図の部分と対応しているが、保護膜ＰＳＶの部分を
強調して示し、他の部分の材料層等は省略している。
製造方法の一実施例を示す工程図である。同図は図４の
断面図の部分と対応しているが、保護膜ＰＳＶの部分を
強調して示し、他の部分の材料層等は省略している。
【００５６】工程１．（図１（ａ））
透明基板ＳＵＢ１を用意し、この透明基板ＳＵＢ１はそ
の表面に容量信号線ＰＬ（容量電極ＰＴ）の形成が完了
した時点のものである。なお、図１（ａ）では簡略化の
ため、該容量信号線ＰＬ（容量電極ＰＴ）は省略し、半
導体層ＰＳが形成されたものを示している。
の表面に容量信号線ＰＬ（容量電極ＰＴ）の形成が完了
した時点のものである。なお、図１（ａ）では簡略化の
ため、該容量信号線ＰＬ（容量電極ＰＴ）は省略し、半
導体層ＰＳが形成されたものを示している。
【００５７】工程２．（図１（ｂ））
透明基板ＳＵＢ１の表面にたとえば感光性の有機材料層
を塗布して保護膜ＰＳＶを形成する。この実施例では前
記有機材料層としてアクリル樹脂を用いた。
を塗布して保護膜ＰＳＶを形成する。この実施例では前
記有機材料層としてアクリル樹脂を用いた。
【００５８】工程３．（図１（ｃ））
前記保護膜ＰＳＶに直接ホトマスクを介して露光、現像
することにより、前記半導体層ＰＳのソース領域の一部
を露出させるスルーホールＴＨ１を形成する。
することにより、前記半導体層ＰＳのソース領域の一部
を露出させるスルーホールＴＨ１を形成する。
【００５９】工程４．（図１（ｄ））
保護膜ＰＳＶが形成された前記透明基板ＳＵＢ１を溶液
ＳＯＬに浸漬する。同図では透明基板ＳＵＢ１の全体を
浸漬しているが、たとえば、透明基板ＳＵＢ１の上方か
ら溶液ＳＯＬをシャワー状に流す方法を採用してもよ
い。
ＳＯＬに浸漬する。同図では透明基板ＳＵＢ１の全体を
浸漬しているが、たとえば、透明基板ＳＵＢ１の上方か
ら溶液ＳＯＬをシャワー状に流す方法を採用してもよ
い。
【００６０】この工程は、前記保護膜ＰＳＶの表面に凹
凸を形成する重要な作業となる。この場合、溶液ＳＯＬ
あるいは透明基板ＳＵＢ１を４０℃以上１５０℃以下の
温度に加熱する。この実施例では４５℃とした。
凸を形成する重要な作業となる。この場合、溶液ＳＯＬ
あるいは透明基板ＳＵＢ１を４０℃以上１５０℃以下の
温度に加熱する。この実施例では４５℃とした。
【００６１】この温度範囲の加熱により、前記保護膜Ｐ
ＳＶの表面に形成される凹凸は、その後に形成される反
射膜に顕在化される凹凸の程度を光反射にとって適当な
ものとすることができる。
ＳＶの表面に形成される凹凸は、その後に形成される反
射膜に顕在化される凹凸の程度を光反射にとって適当な
ものとすることができる。
【００６２】また、前記溶液ＳＯＬには界面活性剤を含
ませた水溶液であることが望ましい。水分による保護膜
ＰＳＶの膨潤を利用して界面活性剤を有効に機能させ該
保護膜ＰＳＶとの反応を促進できるからである。
ませた水溶液であることが望ましい。水分による保護膜
ＰＳＶの膨潤を利用して界面活性剤を有効に機能させ該
保護膜ＰＳＶとの反応を促進できるからである。
【００６３】また、保護膜ＰＳＶの表面の凹凸の形状を
制御するため、溶液ＳＯＬにたとえば塩酸、硝酸、ある
いは酢酸等の酸を添加することが望ましい。本実施例で
は蓚酸を用いた。特に、蓚酸を用いたのは、液晶表示装
置の電極としてＩＴＯが形成されており、それを選択エ
ッチングする際のエッチング液だからである。
制御するため、溶液ＳＯＬにたとえば塩酸、硝酸、ある
いは酢酸等の酸を添加することが望ましい。本実施例で
は蓚酸を用いた。特に、蓚酸を用いたのは、液晶表示装
置の電極としてＩＴＯが形成されており、それを選択エ
ッチングする際のエッチング液だからである。
【００６４】工程５．（図１（ｅ））
透明基板ＳＵＢ１を溶液ＳＯＬから取り出す。その保護
膜ＰＳＶの表面には凹凸が形成されている。この凹凸
は、その深さが０．３μｍ〜２μｍの範囲内にあり、保
護膜ＰＳＶの膜厚の９０％〜２０％の範囲となる。図５
は、該保護膜ＰＳＶの表面のＳＥＭ写真を示すもので、
同図（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
膜ＰＳＶの表面には凹凸が形成されている。この凹凸
は、その深さが０．３μｍ〜２μｍの範囲内にあり、保
護膜ＰＳＶの膜厚の９０％〜２０％の範囲となる。図５
は、該保護膜ＰＳＶの表面のＳＥＭ写真を示すもので、
同図（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【００６５】工程６．（図１（ｆ））
保護膜ＰＳＶの表面の全域にたとえばＡｌからなる金属
層を形成し、この金属層をフォトリソグラフィ技術を用
いてパターニングすることにより、画素電極ＰＸ（Ｒ）
を兼ねる反射膜を形成する。
層を形成し、この金属層をフォトリソグラフィ技術を用
いてパターニングすることにより、画素電極ＰＸ（Ｒ）
を兼ねる反射膜を形成する。
【００６６】この反射膜は、その表面に保護膜ＰＳＶの
表面の凹凸がほぼそのままのパターンで顕在し、光を反
射させる場合にその反射光は充分に散乱されて反射され
るようになる。なお、この場合、該反射膜は保護膜ＰＳ
Ｖに予め形成されたスルーホールＴＨ１を通して薄膜ト
ランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２と接続されるよう
になる。
表面の凹凸がほぼそのままのパターンで顕在し、光を反
射させる場合にその反射光は充分に散乱されて反射され
るようになる。なお、この場合、該反射膜は保護膜ＰＳ
Ｖに予め形成されたスルーホールＴＨ１を通して薄膜ト
ランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２と接続されるよう
になる。
【００６７】《考察》上述した製造方法では、保護膜Ｐ
ＳＶのスルーホールＴＨの形成（図１（ｃ））を保護膜
ＰＳＶの表面の凹凸の形成（図１（ｄ））よりも前の段
階で行うことが必要となる。先に保護膜ＰＳＶを露光、
固化することにより、その後の保護膜ＰＳＶに形成する
凹凸の制御が可能となるからである。これらを逆にした
場合、保護膜ＰＳＶが未だ未硬化のため剥がれが生じる
ともに、反応速度が速すぎ適切な形状を得ることが困難
となる。
ＳＶのスルーホールＴＨの形成（図１（ｃ））を保護膜
ＰＳＶの表面の凹凸の形成（図１（ｄ））よりも前の段
階で行うことが必要となる。先に保護膜ＰＳＶを露光、
固化することにより、その後の保護膜ＰＳＶに形成する
凹凸の制御が可能となるからである。これらを逆にした
場合、保護膜ＰＳＶが未だ未硬化のため剥がれが生じる
ともに、反応速度が速すぎ適切な形状を得ることが困難
となる。
【００６８】図６は、図１（ｄ）の工程で、溶液ＳＯＬ
の温度を１５０℃以上にして処理した場合の保護膜ＰＳ
Ｖの凹凸を示す断面写真（ＳＥＭ）である。同図から明
らかなように、針状の巨大結晶の生成を招来しているこ
とが判る。過剰に反応が生じたものと推定される。また
同様の現象は１００℃で３時間の反応でも発生した。
の温度を１５０℃以上にして処理した場合の保護膜ＰＳ
Ｖの凹凸を示す断面写真（ＳＥＭ）である。同図から明
らかなように、針状の巨大結晶の生成を招来しているこ
とが判る。過剰に反応が生じたものと推定される。また
同様の現象は１００℃で３時間の反応でも発生した。
【００６９】一般に、このような結晶は有機材料による
ものであることから、洗浄工程を経ることにより多少の
除去が可能であり、液晶表示装置の液晶のギャップがた
とえば４μｍ以下であればギャップ不良とはならない
が、図６に示す程度まで結晶が成長した場合ギャップ不
良につながり、前記溶液ＳＯＬの温度調整が必要とな
る。
ものであることから、洗浄工程を経ることにより多少の
除去が可能であり、液晶表示装置の液晶のギャップがた
とえば４μｍ以下であればギャップ不良とはならない
が、図６に示す程度まで結晶が成長した場合ギャップ不
良につながり、前記溶液ＳＯＬの温度調整が必要とな
る。
【００７０】実施例２．この実施例では、保護膜ＰＳＶ
の溶液ＳＯＬへの浸漬に要する時間を実施例１の場合と
比較して２倍にしたことにある。図７は、このようにし
た場合のＳＥＭ写真で、図５（ａ）に対応したものとな
っている。実施例１の場合と比較して凹凸の深さが１．
７倍になっていることが確かめられた。
の溶液ＳＯＬへの浸漬に要する時間を実施例１の場合と
比較して２倍にしたことにある。図７は、このようにし
た場合のＳＥＭ写真で、図５（ａ）に対応したものとな
っている。実施例１の場合と比較して凹凸の深さが１．
７倍になっていることが確かめられた。
【００７１】実施例３．この実施例では、溶液ＳＯＬと
して関東化学製溶液（商品名：ＩＴＯ−０５Ｎ）を用
い、実施例１に示す工程で保護膜ＰＳＶの表面に凹凸を
形成した。また、溶液ＳＯＬの温度を４５℃とし約１０
分間の浸漬を行った。図８は、このようにした場合のＳ
ＥＭ写真で、保護膜ＰＳＶの表面を上方から観察したも
のとなっている。凹凸は紐状のパターンに形成され、こ
のようなパターンは鏡面反射の防止および視野角の拡大
に効果的となる。この場合も、該凹凸は、その深さが
０．３μｍ〜２μｍの範囲内にあり、保護膜ＰＳＶの膜
厚の９０％〜２０％の範囲となることが確かめられた。
して関東化学製溶液（商品名：ＩＴＯ−０５Ｎ）を用
い、実施例１に示す工程で保護膜ＰＳＶの表面に凹凸を
形成した。また、溶液ＳＯＬの温度を４５℃とし約１０
分間の浸漬を行った。図８は、このようにした場合のＳ
ＥＭ写真で、保護膜ＰＳＶの表面を上方から観察したも
のとなっている。凹凸は紐状のパターンに形成され、こ
のようなパターンは鏡面反射の防止および視野角の拡大
に効果的となる。この場合も、該凹凸は、その深さが
０．３μｍ〜２μｍの範囲内にあり、保護膜ＰＳＶの膜
厚の９０％〜２０％の範囲となることが確かめられた。
【００７２】実施例４．実施例１に示した製造方法に示
した保護膜ＰＳＶは有機材料層を塗布により形成したも
のである。これに対して本実施例は図９に示す工程を経
ることにより形成している。
した保護膜ＰＳＶは有機材料層を塗布により形成したも
のである。これに対して本実施例は図９に示す工程を経
ることにより形成している。
【００７３】工程１．（図９（ａ））
透明基板ＳＵＢ１を用意し、この透明基板ＳＵＢ１はそ
の表面に容量信号線ＰＬ（容量電極ＰＴ）の形成が完了
した時点のものである。なお、図１（ａ）では簡略化の
ため、該容量信号線ＰＬ（容量電極ＰＴ）は省略し、半
導体層ＰＳが形成されたものを示している。
の表面に容量信号線ＰＬ（容量電極ＰＴ）の形成が完了
した時点のものである。なお、図１（ａ）では簡略化の
ため、該容量信号線ＰＬ（容量電極ＰＴ）は省略し、半
導体層ＰＳが形成されたものを示している。
【００７４】工程２．（図９（ｂ））
透明基板ＳＵＢ１の表面に有機材料フィルムを対向させ
る。この有機材料フィルムはベースフィルムＢＦの透明
基板ＳＵＢ１側の面に有機材料層ＦＩＬが形成されたも
のとなっている。なお、ベースフィルムＢＦと有機材料
層ＦＩＬとの間にはクッション層あるいは酸素遮断層が
介在されていてもよい。フィルム段階での該フィルムの
信頼性を向上させるためである。
る。この有機材料フィルムはベースフィルムＢＦの透明
基板ＳＵＢ１側の面に有機材料層ＦＩＬが形成されたも
のとなっている。なお、ベースフィルムＢＦと有機材料
層ＦＩＬとの間にはクッション層あるいは酸素遮断層が
介在されていてもよい。フィルム段階での該フィルムの
信頼性を向上させるためである。
【００７５】工程３．（図９（ｃ））
透明基板ＳＵＢ１に対して有機材料フィルムを接触さ
せ、該有機材料フィルムの表面にローラＲＬを加圧させ
ながら図中矢印方向へ移動させる。この際に熱を加え、
該有機材料フィルムを透明基板ＳＵＢ１面に加熱圧着す
る。
せ、該有機材料フィルムの表面にローラＲＬを加圧させ
ながら図中矢印方向へ移動させる。この際に熱を加え、
該有機材料フィルムを透明基板ＳＵＢ１面に加熱圧着す
る。
【００７６】工程４．（図９（ｄ））
ベースフィルムＢＦを剥離することにより、透明基板Ｓ
ＵＢ１の表面に前記有機材料層ＦＩＬからなる保護膜Ｐ
ＳＶを形成し、実施例１に示した工程（ｃ）以降を経る
ことになる。
ＵＢ１の表面に前記有機材料層ＦＩＬからなる保護膜Ｐ
ＳＶを形成し、実施例１に示した工程（ｃ）以降を経る
ことになる。
【００７７】透明基板ＳＵＢ１の表面に有機材料層を塗
布によって形成した場合、透明基板ＳＵＢ１のサイズが
大きくなるほど、該有機材料層の塗布の均一性を確保す
ることが困難となり、また有機材料を溶液として塗布後
加熱乾燥させなくてはならないことから、有機材料の種
類が限定されるとともに、溶剤が有機材料層内に残留す
る場合がある。しかし、この実施例に示した製法によれ
ば、このような憂いはなく、また機能性の付与も容易と
なり、たとえば着色材料を用いることもできる。
布によって形成した場合、透明基板ＳＵＢ１のサイズが
大きくなるほど、該有機材料層の塗布の均一性を確保す
ることが困難となり、また有機材料を溶液として塗布後
加熱乾燥させなくてはならないことから、有機材料の種
類が限定されるとともに、溶剤が有機材料層内に残留す
る場合がある。しかし、この実施例に示した製法によれ
ば、このような憂いはなく、また機能性の付与も容易と
なり、たとえば着色材料を用いることもできる。
【００７８】実施例５．この実施例では、前記実施例５
で示した構成において、ベースフィルムＢＦと有機材料
層ＦＩＬからなる有機材料フィルムとしてドライフィル
ムを用いることにある。このようなドライフィルムとし
て、富士フィルム製カラーフィルタ用ドライフィルム
（商品型番Ｇ４３）があり、その有機材料を非着色のも
のとしたものも用いることができる。このようなベース
フィルムを用い、さらに溶液ＳＯＬとして関東化学製溶
液（商品型番ＩＴＯ−０５Ｎ）を用い、４５℃１０分間
浸漬することにより、該保護膜ＰＳＶの表面に適度な凹
凸を形成できる。このようにした場合にも、保護膜ＰＳ
Ｖの表面の凹凸パターンは前記図８のように形成でき
た。
で示した構成において、ベースフィルムＢＦと有機材料
層ＦＩＬからなる有機材料フィルムとしてドライフィル
ムを用いることにある。このようなドライフィルムとし
て、富士フィルム製カラーフィルタ用ドライフィルム
（商品型番Ｇ４３）があり、その有機材料を非着色のも
のとしたものも用いることができる。このようなベース
フィルムを用い、さらに溶液ＳＯＬとして関東化学製溶
液（商品型番ＩＴＯ−０５Ｎ）を用い、４５℃１０分間
浸漬することにより、該保護膜ＰＳＶの表面に適度な凹
凸を形成できる。このようにした場合にも、保護膜ＰＳ
Ｖの表面の凹凸パターンは前記図８のように形成でき
た。
【００７９】実施例６．図１０は、保護膜ＰＳＶに上述
した凹凸を形成する場合に、それに適した構造とした液
晶表示装置の一実施例を示す構成図で、図４の図を簡略
化して描いた図である。
した凹凸を形成する場合に、それに適した構造とした液
晶表示装置の一実施例を示す構成図で、図４の図を簡略
化して描いた図である。
【００８０】該液晶表示装置は部分透過型のもので、光
反射領域と別な領域に光透過領域を有し、この光透過領
域には該保護膜ＰＳＶに開口が設けられているととも
に、この開口部には前記画素電極ＰＸ（Ｒ）と同電位と
なる透光性の画素電極ＰＸ（Ｔ）が形成されている。
反射領域と別な領域に光透過領域を有し、この光透過領
域には該保護膜ＰＳＶに開口が設けられているととも
に、この開口部には前記画素電極ＰＸ（Ｒ）と同電位と
なる透光性の画素電極ＰＸ（Ｔ）が形成されている。
【００８１】この場合、保護膜ＰＳＶの表面に凹凸を形
成する際の前記溶液ＳＯＬは前記透光性の画素電極ＰＸ
（Ｔ）の材料をエッチングしてしまうことになる。この
ため、前記透光性の画素電極ＰＸ（Ｔ）は、該保護膜Ｐ
ＳＶの表面に凹凸を形成した後に形成するのが望まし
い。
成する際の前記溶液ＳＯＬは前記透光性の画素電極ＰＸ
（Ｔ）の材料をエッチングしてしまうことになる。この
ため、前記透光性の画素電極ＰＸ（Ｔ）は、該保護膜Ｐ
ＳＶの表面に凹凸を形成した後に形成するのが望まし
い。
【００８２】図１０は、このようにして形成した液晶表
示装置の断面を示す図で、保護膜ＰＳＶの開口に透光性
の画素電極ＰＸ（Ｔ）を形成し、その周辺は該開口の縁
を乗り上げ、さらに画素電極ＰＸ（Ｒ）の一部に重畳さ
れて該画素電極ＰＸ（Ｒ）と電気的に接続されている。
示装置の断面を示す図で、保護膜ＰＳＶの開口に透光性
の画素電極ＰＸ（Ｔ）を形成し、その周辺は該開口の縁
を乗り上げ、さらに画素電極ＰＸ（Ｒ）の一部に重畳さ
れて該画素電極ＰＸ（Ｒ）と電気的に接続されている。
【００８３】また、このように構成した場合、前記透光
性の画素電極ＰＸ（Ｔ）の形成時には、既に画素電極Ｐ
Ｘ（Ｒ）が形成されているので、保護膜ＰＳＶの表面に
形成された凹凸の形状が変化してしまうことがないとい
う効果を奏する。
性の画素電極ＰＸ（Ｔ）の形成時には、既に画素電極Ｐ
Ｘ（Ｒ）が形成されているので、保護膜ＰＳＶの表面に
形成された凹凸の形状が変化してしまうことがないとい
う効果を奏する。
【００８４】仮に、該画素電極ＰＸ（Ｒ）が形成されて
いない時点で透光性の画素電極ＰＸ（Ｔ）を形成した場
合、そのエッチング液によって、保護膜ＰＳＶの表面に
形成された凹凸の形状が変化してしまうことになる。
いない時点で透光性の画素電極ＰＸ（Ｔ）を形成した場
合、そのエッチング液によって、保護膜ＰＳＶの表面に
形成された凹凸の形状が変化してしまうことになる。
【００８５】実施例７．図１１は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す構成図で、図１０と対応した
図となっている。図１０と比較して、透光性の画素電極
ＰＸ（Ｔ）は図１０の場合と同様に画素電極ＰＸ（Ｒ）
に接続されているが、薄膜トランジスタＴＦＴのソース
領域はそのまま保護膜ＰＳＶの開口部の周辺に至るまで
延在され、該透光性の画素電極ＰＸ（Ｔ）と電気的に接
続されていることにある。透光性の画素電極ＰＸ（Ｔ）
と薄膜トランジスタＴＦＴのソース領域との接続を信頼
性あらしめるためである。
示装置の他の実施例を示す構成図で、図１０と対応した
図となっている。図１０と比較して、透光性の画素電極
ＰＸ（Ｔ）は図１０の場合と同様に画素電極ＰＸ（Ｒ）
に接続されているが、薄膜トランジスタＴＦＴのソース
領域はそのまま保護膜ＰＳＶの開口部の周辺に至るまで
延在され、該透光性の画素電極ＰＸ（Ｔ）と電気的に接
続されていることにある。透光性の画素電極ＰＸ（Ｔ）
と薄膜トランジスタＴＦＴのソース領域との接続を信頼
性あらしめるためである。
【００８６】実施例８．この実施例は、保護膜ＰＳＶの
表面に凹凸を形成する溶液ＳＯＬとして、それに含まれ
る酸成分を減少させ、あるいは酸成分を有しない界面活
性剤の水溶液を適用させた場合、透光性の画素電極ＰＸ
（Ｔ）をエッチングさせることはなくなる。この場合に
は、液晶表示装置の構成の他の実施例として、図１２に
示すように、透光性の画素電極ＰＸ（Ｔ）は保護膜ＰＳ
Ｖの形成の前の段階で形成してもよい。
表面に凹凸を形成する溶液ＳＯＬとして、それに含まれ
る酸成分を減少させ、あるいは酸成分を有しない界面活
性剤の水溶液を適用させた場合、透光性の画素電極ＰＸ
（Ｔ）をエッチングさせることはなくなる。この場合に
は、液晶表示装置の構成の他の実施例として、図１２に
示すように、透光性の画素電極ＰＸ（Ｔ）は保護膜ＰＳ
Ｖの形成の前の段階で形成してもよい。
【００８７】実施例９．この実施例では、透光性の画素
電極をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＴＺＯ（Indium
Tin Zinc Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）以外
の透光性の導電材料とし、これにより、これらをエッチ
ングすることのない前記溶液ＳＯＬを用いるとともに、
該画素電極をできるだけ透明基板ＳＵＢ１側に近づく層
として形成することにある。透光性の画素電極ＰＸ
（Ｔ）は、それを透明基板ＳＵＢ１と遠ざかる層として
形成した場合、その下地層の凹凸によって、導電性異物
からなる残渣が生じやすくなる。このため、たとえば図
１３および図１４に示すように、透光性の画素電極ＰＸ
（Ｔ）を保護膜ＰＳＶの下層に形成することによって、
該導電性異物からなる残渣の発生をできるだけ少なくす
るようにしている。
電極をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＴＺＯ（Indium
Tin Zinc Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）以外
の透光性の導電材料とし、これにより、これらをエッチ
ングすることのない前記溶液ＳＯＬを用いるとともに、
該画素電極をできるだけ透明基板ＳＵＢ１側に近づく層
として形成することにある。透光性の画素電極ＰＸ
（Ｔ）は、それを透明基板ＳＵＢ１と遠ざかる層として
形成した場合、その下地層の凹凸によって、導電性異物
からなる残渣が生じやすくなる。このため、たとえば図
１３および図１４に示すように、透光性の画素電極ＰＸ
（Ｔ）を保護膜ＰＳＶの下層に形成することによって、
該導電性異物からなる残渣の発生をできるだけ少なくす
るようにしている。
【００８８】実施例１０．上述した各実施例は、そのい
ずれも部分透過型と称される液晶表示装置について説明
したものである。しかし、反射型のもの、あるいは半透
過型と称されるもの等においても適用できることはいう
までもない。要は、光の反射を起こさせる膜を形成する
場合において、該反射光を散乱させる機能をもたせる場
合の全てに適用できる。
ずれも部分透過型と称される液晶表示装置について説明
したものである。しかし、反射型のもの、あるいは半透
過型と称されるもの等においても適用できることはいう
までもない。要は、光の反射を起こさせる膜を形成する
場合において、該反射光を散乱させる機能をもたせる場
合の全てに適用できる。
【００８９】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、反射板として機能
する画素電極の表面の凹凸を適当な形状とすることがで
きる。また、本発明による液晶表示装置の製造方法によ
れば、煩雑な作業を必要とすることなく前記液晶表示装
置を得ることができる。
本発明による液晶表示装置によれば、反射板として機能
する画素電極の表面の凹凸を適当な形状とすることがで
きる。また、本発明による液晶表示装置の製造方法によ
れば、煩雑な作業を必要とすることなく前記液晶表示装
置を得ることができる。
【図１】 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
工程図である。
工程図である。
【図２】 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
等価回路図である。
等価回路図である。
【図３】 本発明による液晶表示装置の画素の一実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４】 図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】 本発明の一実施例によって形成された保護膜
の平面および断面のＳＥＭ写真である。
の平面および断面のＳＥＭ写真である。
【図６】 適切でない保護膜の断面を示したＳＥＭ写真
である。
である。
【図７】 本発明の他の実施例によって形成された保護
膜の平面のＳＥＭ写真である。
膜の平面のＳＥＭ写真である。
【図８】 本発明の他の実施例によって形成された保護
膜の平面のＳＥＭ写真である。
膜の平面のＳＥＭ写真である。
【図９】 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す工程図である。
す工程図である。
【図１０】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図１１】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図１２】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図１３】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図１４】 本発明による液晶表示装置の画素の他の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
ＳＵＢ…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイ
ン信号線、ＰＬ…容量信号線、ＴＦＴ…薄膜トランジス
タ、ＰＳ…半導体層、ＧＩ…絶縁膜、ＰＴ…容量電極、
ＰＸ（Ｒ）…画素電極（反射電極）、ＰＸ（Ｔ）…画素
電極（透過電極）、ＰＳＶ…保護膜。
ン信号線、ＰＬ…容量信号線、ＴＦＴ…薄膜トランジス
タ、ＰＳ…半導体層、ＧＩ…絶縁膜、ＰＴ…容量電極、
ＰＸ（Ｒ）…画素電極（反射電極）、ＰＸ（Ｔ）…画素
電極（透過電極）、ＰＳＶ…保護膜。
フロントページの続き
(72)発明者 園田 大介
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立
製作所ディスプレイグループ内
(72)発明者 金子 寿輝
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立
製作所ディスプレイグループ内
Ｆターム(参考） 2H042 BA03 BA13 BA15 BA20
2H090 HA03 HA04 HD05 JC03 LA20
2H091 FA16Y FB02 FC26 FD04
GA02 GA16 LA01 LA16 LA19
2H092 JA24 JB08 JB57 KB04 KB24
MA18 NA01 NA27 PA12
Claims (6)
- 【請求項１】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に有機材料からなる保護膜と
この保護膜の上面に反射膜を形成するものであって、 前記保護膜の形成後に、少なくともその上面に界面活性
剤を含む溶液に浸すことによって凹凸を形成することを
特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に有機材料からなる保護膜と
この保護膜の上面に反射膜を形成するものであって、 前記保護膜の形成後に、少なくともその上面に界面活性
剤を含む溶液に浸し、その際の温度を４０℃以上１５０
℃以下にすることによって凹凸を形成することを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に有機材料からなる保護膜と
この保護膜の上面に反射膜を形成するものであって、 前記保護膜の形成後に、少なくともその上面に酸および
界面活性剤を含む溶液に浸し、その際の温度を４０℃以
上１５０℃以下にすることによって凹凸を形成すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記酸は蓚酸であることを特徴とする請
求項３に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 保護膜の有機材料は感光性樹脂材料であ
ることを特徴とする請求項１ないし３のうちいずれかに
記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 液晶を介して対向配置される各基板の一
方の基板の液晶側の面の画素領域に、光反射領域と光透
過領域とを有し、 該光反射領域は有機材料層の上面に形成された光反射機
能を有する第１の画素電極を有し、前記光透過領域は前
記有機材料層に形成された開口部を被って光透過機能を
有する第２の画素電極を有するとともに、 前記有機材料層の前記第１の画素電極が形成される面に
は界面活性剤と蓚酸を含む溶液に浸すことにより形成さ
れた凹凸が形成され、 前記第２の画素電極は前記有機材料層に形成された開口
部の縁を乗り越えて第１の画素電極と電気的に接続され
ていることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001351757A JP2003149638A (ja) | 2001-11-16 | 2001-11-16 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001351757A JP2003149638A (ja) | 2001-11-16 | 2001-11-16 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003149638A true JP2003149638A (ja) | 2003-05-21 |
Family
ID=19164025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001351757A Pending JP2003149638A (ja) | 2001-11-16 | 2001-11-16 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003149638A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006003534A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Sony Corp | 対向基板及びその製造方法、並びに液晶表示装置 |
| US7379136B2 (en) | 2003-12-29 | 2008-05-27 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Transflective type liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| US7423712B2 (en) | 2003-12-30 | 2008-09-09 | Lg Display Co., Ltd. | Transflective type liquid crystal display fabrication method with first half-tone mask for selectively removing insulating interlayer/transparent conductive layer and second half-tone mask for selectively removing insulating layer for uneven surface |
-
2001
- 2001-11-16 JP JP2001351757A patent/JP2003149638A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7379136B2 (en) | 2003-12-29 | 2008-05-27 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Transflective type liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| US7423712B2 (en) | 2003-12-30 | 2008-09-09 | Lg Display Co., Ltd. | Transflective type liquid crystal display fabrication method with first half-tone mask for selectively removing insulating interlayer/transparent conductive layer and second half-tone mask for selectively removing insulating layer for uneven surface |
| JP2006003534A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Sony Corp | 対向基板及びその製造方法、並びに液晶表示装置 |
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