JP2007156482A - 表示パネル、それを含む液晶表示装置、及び、その表示パネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による表示パネルは各画素に反射電極を含む。反射電極は上部膜と下部膜との二重膜である。下部膜は、モリブデンを含む銀合金で形成されている。上部膜は透明な導電性物質を含む。好ましくは、上部膜がIZOまたはa−ITOを含む。上部膜の屈折率は液晶層の屈折率より高い。上部膜の厚さの設定により、上部膜の表面で反射される光を下部膜の表面で反射される光と干渉させ、反射電極全体での反射光を強める。
【選択図】図1
Description
本発明の目的は、透明電極に対する密着性が良く、かつ反射率の高い反射電極を有する表示パネル、を提供することにある。
好ましくは、第2膜の厚さdと、波長λの可視光に対する第2膜の屈折率n2とが、関係式:d=(1/2)×(λ/n2)を実質的に満たす。すなわち、第2膜の表面で反射される光が第1膜の表面で反射される光と干渉し、それにより、反射電極で反射される光が強まる
第1基板、
その第1基板の上に形成されているゲート線とデータ線、
それらのゲート線とデータ線とに接続されている薄膜トランジスタ、
その薄膜トランジスタに接続されている、反射電極を含む画素電極、
第1基板と対向している第2基板、
その第2基板の上に形成されている共通電極、及び、
第1基板と第2基板との間に挟まれている液晶層、を有する。この液晶表示装置では特に、反射電極が、モリブデンを含有する銀合金から成る第1膜、及び、透明な導電性物質から成る第2膜を含む。第2膜は、外部光で照らされる側の第1膜の表面を覆っている。第2膜は好ましくはIZOまたはa−ITOを含む。第2膜の屈折率は液晶層の屈折率より高くても良い。更に好ましくは、第2膜の厚さdと、波長λの可視光に対する第2膜の屈折率n2とが、上記の関係式を満たす。すなわち、第2膜の表面で反射される光が第1膜の表面で反射される光と干渉し、それにより、反射電極で反射される光が強まる。
基板の上にゲート線を形成する段階、
その基板の上にゲート絶縁膜を積層する段階、
そのゲート絶縁膜の上に半導体層を形成する段階、
その半導体層の上にデータ線とドレイン電極とを形成する段階、及び、
透明電極と反射電極とを含み、ドレイン電極に電気的に接続される画素電極、を形成する段階を有する。特に、反射電極が、モリブデンを含有する銀合金から成る第1膜と、透明な導電性物質から成る第2膜とを有する。第2膜は、外部光で照らされる側の第1膜の表面を覆っている。好ましくは、第2膜がIZOまたはa−ITOを含む。好ましくは、第2膜の厚さdと、波長λの可視光に対する第2膜の屈折率n2とが関係式:d=(1/2)×(λ/n2)を実質的に満たす。すなわち、第2膜の表面で反射される光が第1膜の表面で反射される光と干渉し、それにより、反射電極で反射される光が強まる。
透明電極を形成する段階、
透明電極の上に反射電極の第1膜を積層する段階、
その第1膜の上に反射電極の第2膜を積層する段階、
その第2膜の上に感光膜を積層する段階、及び、
フォトエッチングにより反射電極にパターンを形成する段階、を含む。
更に好ましくは、第2膜を積層した後にアニーリングを行うことなく、感光膜を積層し、感光膜を積層した後にハードベークを行うことなく、上記のフォトエッチングを行う。
本発明による表示パネルの製造方法では、反射電極が、アルミニウム合金膜とモリブデン合金膜とを含む従来の反射電極とは異なるので、反射電極に対するアニーリング、及び、反射電極の上に積層された感光膜に対するハードベークが行われなくても良い。それにより、表示パネルの製造工程がさらに簡単化し、かつ製造コストが節減される。その上、反射電極の反射特性が更に向上する。
本発明の一実施形態による表示パネルは好ましくは、半透過型液晶表示装置に搭載される。図1はその液晶表示装置の概略的な断面図である。図1に示したように、その液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示パネル100と共通電極表示パネル200、及び、それらの間に挟まれている液晶層3を有する 。
共通電極表示パネル200では、絶縁基板210の上に色フィルター220及び共通電極270が形成されている。
まず、薄膜トランジスタ表示パネル100について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどから成る絶縁基板110の上に、複数のゲート線121、及び複数の維持電極線131が形成されている。
ゲート線121及び維持電極線131の側面は基板110の表面に対して傾いていて、その傾斜角は約30゜〜約80゜であるのが好ましい。
線状半導体151、154、157と抵抗性接触部材161、163、165との各側面は基板110の表面に対して傾いていて、その傾斜角は30゜〜80゜程度である。
データ線171は主に縦方向に延びてゲート線121及び維持電極線131と交差し、データ信号を伝達する。各データ線171は、通過する画素ごとに、ゲート電極124に向かってC字型に拡がっているソース電極173を有する。各データ線171の端部179は面積が広く、他の層または外部のデータ駆動回路(図示せず)に接続されている。ここで、データ駆動回路は好ましくは、基板110に接続されている可撓性印刷回路膜(図示せず)の上に実装されている。その他に、基板110の上に直接実装されていても、基板110に集積化されていても良い。後者の場合、データ線171がデータ駆動回路に直結していても良い。
各画素では、ゲート電極124、ソース電極173、及びドレイン電極175が、線状半導体151の突出部154と共に、一つの薄膜トランジスタ(TFT)を構成している。その薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極173とドレイン電極175との間から露出している突出部154の部分に形成される。
データ線171及びドレイン電極175の各側面は、基板110の表面に対して30゜〜80゜程度の角度で傾いているのが好ましい。
保護膜180には複数の接触孔182、185が形成され、それぞれからデータ線171の端部179とドレイン電極175とを露出させている。保護膜180とゲート絶縁膜140とには複数の接触孔181が形成され、ゲート線121の端部129を露出させている。
透明なガラスまたはプラスチックなどから成る絶縁基板210の上に遮光部材220が形成されている。遮光部材220は黒色層(ブラックマトリックス)とも呼ばれ、画素電極191と対向する複数の開口領域を囲み、画素電極191の間からの光漏れを防止する。
オーバーコート膜250の上には共通電極270が形成されている。共通電極270はITOやIZOなどの透明な導電体から成るのが好ましい。
液晶層3は垂直配向型のものでも、水平配向型のものでも良い。液晶層3は複数のスペーサ(図示せず)を含み、それにより、薄膜トランジスタ表示パネル100と共通電極表示パネル200とを支持して両者の間隙を所定の距離に保つ。
液晶表示装置ではさらに、密封材(図示せず)が薄膜トランジスタ表示パネル100と共通電極表示パネル200とを結合させていても良い。密封材は共通電極表示パネル200の周縁に位置する。
前述のように、反射電極の下部膜194pは銀−モリブデン合金から成り、上部膜194qはIZOまたはa−ITOから成る。それに対し、従来の液晶表示装置では一般に、反射電極が、モリブデン合金から成る下部膜とアルミニウム合金から成る上部膜とで形成されている。その場合、モリブデン合金から成る下部膜が、反射電極と透明電極との間の接触性を向上させている。
まず、透明電極192の上に反射電極の下部膜と上部膜とを順番に蒸着する。その後、下部膜と上部膜との間の接触性を向上させるために、それらの蒸着膜に対し、高温(例えば210℃)下で約1時間、アニーリングを行う。このアニーリング工程を通じて下部膜と上部膜との間の接触が強化される。
次に、上部膜の上に感光膜を積層し、その感光膜をフォトエッチングによりパターニングする。ここで、反射電極の上部膜の上に感光剤を塗布した後に、フォトエッチングに先立ち、感光膜に対してハードベークを行う。それにより、反射電極と感光膜との間の密着性を高め、フォトエッチングによる反射電極の上部膜の過食刻(オーバーエッチング)を防止する。
まず、本発明の実施形態による二重膜構造の反射電極を積層し、その後、その反射電極に対してアニーリング工程を実施する前とアニーリング工程を実施した後との各々で、反射電極の反射率とその反射光の色座標値とを測定した。ここで、アニーリング工程の前後で実験条件は共通であった。また、アニーリング工程の前後のそれぞれで同一の測定を8回ずつ行った。更に、各測定は、表示パネルから偏光板を除去した状態で行った。表2はその実験結果を示す。
例えば、入射光の波長λの基準値を可視光領域のほぼ中間に位置する値500nmとした場合、ITOで形成された上部膜194qの屈折率n2は、その基準波長λに対しては約2.0である。従って、上部膜194qの厚さdが、d=(1/2)×(λ/n2)=(1/2)×(500nm/2)=125nm=1250Åであれば、その基準波長λに対する反射電極の反射率が高い。尚、基準波長は、画面の視認性に最も大きな影響を与える特定の波長に決めても良い。または、可視光領域の中間に位置する緑色の波長を基準波長として決めても良い。
81、82 接触補助部材、
100 薄膜トランジスタ表示パネル、
110 基板、
121、129 ゲート線、
124 ゲート電極、
131 維持電極線、
133 維持電極、
140 ゲート絶縁膜、
151、154、157 半導体、
161、163、165 抵抗性接触層、
171、179 データ線、
173 ソース電極、
175 ドレイン電極、
180 保護膜、
181、182、185 接触孔、
191 画素電極、
192 透明電極、
194、194p、194q 反射電極、
195 透過窓、
200 色フィルター表示パネル、
210 基板、
220 遮光部材、
230 色フィルター、
250 オーバーコート膜、
270 共通電極。
Claims (18)
- 基板、及び、前記基板の上に形成されている反射電極、を有する表示パネルであり、
前記反射電極が、モリブデンを含有する銀合金から成る第1膜、及び、透明な導電性物質から成る第2膜、を含む、表示パネル。 - 前記第2膜が、IZO(酸化インジウム亜鉛)またはa−ITO(非晶質酸化インジウム錫)を含む、請求項1に記載の表示パネル。
- 前記第2膜の厚さdと、波長λの可視光に対する前記第2膜の屈折率n2とが、関係式:d=(1/2)×(λ/n2)、を実質的に満たす、請求項1に記載の表示パネル。
- 前記第2膜の表面で反射される光が、前記第1膜の表面で反射される光と干渉することにより、前記反射電極で反射される光が強まる、請求項1に記載の表示パネル。
- 第1基板、
前記第1基板の上に形成されているゲート線とデータ線、
前記ゲート線と前記データ線とに接続されている薄膜トランジスタ、
前記薄膜トランジスタに接続されている、反射電極を含む画素電極、
前記第1基板と対向している第2基板、
前記第2基板の上に形成されている共通電極、及び、
前記第1基板と前記第2基板との間に挟まれている液晶層、
を有する液晶表示装置であり、
前記反射電極が、モリブデンを含有する銀合金から成る第1膜、及び、透明な導電性物質から成る第2膜、を含む、液晶表示装置。 - 前記第2膜が前記第1膜の上に形成されている、請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記第2膜がIZOまたはa−ITOを含む、請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記第2膜の屈折率が前記液晶層の屈折率より高い、請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記第2膜の厚さdと、波長λの可視光に対する前記第2膜の屈折率n2とが、関係式:d=(1/2)×(λ/n2)、を実質的に満たす、請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記第2膜の表面で反射される光が、前記第1膜の表面で反射される光と干渉することにより、前記反射電極で反射される光が強まる、請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記液晶表示装置が透過領域及び反射領域を有し、
前記画素電極が、前記透過領域及び前記反射領域に形成された透明電極、を有し、
前記反射電極が前記反射領域に形成されている、
請求項5に記載の液晶表示装置。 - 前記反射電極が前記透明電極の上に形成されている、請求項11に記載の液晶表示装置。
- 基板の上にゲート線を形成する段階、
前記基板の上にゲート絶縁膜を積層する段階、
前記ゲート絶縁膜の上に半導体層を形成する段階、
前記半導体層の上にデータ線とドレイン電極とを形成する段階、
透明電極と反射電極とを含み、前記ドレイン電極に電気的に接続される画素電極、を形成する段階、
を有する表示パネルの製造方法であり、
前記反射電極が、モリブデンを含有する銀合金から成る第1膜と、透明な導電性物質から成る第2膜と、を有する、表示パネルの製造方法。 - 前記第2膜がIZOまたはa−ITOを含む、請求項13に記載の表示パネルの製造方法。
- 前記第2膜の厚さdと、波長λの可視光に対する前記第2膜の屈折率n2とが、関係式:d=(1/2)×(λ/n2)、を実質的に満たす、請求項13に記載の表示パネルの製造方法。
- 前記第2膜の表面で反射される光が、前記第1膜の表面で反射される光と干渉することにより、前記反射電極で反射される光が強まる、請求項13に記載の表示パネルの製造方法。
- 前記画素電極を形成する段階が、
前記透明電極を形成する段階、
前記透明電極の上に前記第1膜を積層する段階、
前記第1膜の上に前記第2膜を積層する段階、
前記第2膜の上に感光膜を積層する段階、及び、
フォトエッチングにより前記反射電極にパターンを形成する段階、
を含む、請求項13に記載の表示パネルの製造方法。 - 前記第2膜を積層した後にアニーリングを行うことなく前記感光膜を積層し、
前記感光膜を積層した後にハードベークを行うことなく前記フォトエッチングを行う、
請求項15に記載の表示パネルの製造方法。
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