JP4419414B2 - 半透過型液晶表示装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は半透過型の液晶表示装置に関し、特に透明電極としてＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）を、反射層としてアルミニウムを含む金属を使用し、しかも、反射部の反射面積を大きくした明るい半透過型の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示装置の適用が急速に普及している。特に、携帯型のものについては消費電力を減少させるためにバックライトを必要としない反射型の液晶表示装置が多く用いられているが、この反射型液晶表示装置は、外光を光源として用いるために、暗い室内などでは見えにくくなってしまう。そこで、近年に至り特に透過型と反射型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示装置の開発が進められてきている。
【０００３】
この半透過型液晶表示装置は、一つの画素内に透明電極を備えた透過部と反射電極を備えた反射部を有しており、暗い場所においてはバックライトを点灯して画素領域の透過部を利用して画像を表示し、明るい場所においてはバックライトを点灯することなく反射部において外光を利用して画像を表示しているため、常時バックライトを点灯する必要がなくなるので、消費電力を大幅に低減させることができるという利点を有している。
【０００４】
図６は、下記特許文献１に従来例として記載されている半透過型液晶表示装置のアレイ基板１０の簡略化した断面図である。
【０００５】
図６において、ガラス基板１２上にはそれぞれの画素ごとにゲート電極Ｇ、補助容量電極Ｃｓが配置され、その表面を含むガラス基板１２全体が窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜１４で被覆され、次いでゲート電極Ｇの周囲にアモルファスシリコン層１５、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが順次形成されてスイッチング素子であるＴＦＴ素子１６が形成されている。
【０００６】
そして、ＴＦＴ素子１６を覆うように酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜１８が形成され、この層間絶縁膜１８の上部にはスキャタリング層及び平坦化層からなる層間膜２０が形成され、この層間絶縁膜１８と層間膜２０には、ＴＦＴ素子１６のドレイン電極Ｄに対応する部分にコンタクトホール２２が、また、ＴＦＴ素子１６から離れた場所には溝部２４が設けられている。
【０００７】
また、透明電極１７用の材料としてＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）を一画素全体に積層し、次いで透明電極１７上に反射電極２６用の材料を溝部２４を除いた部分に積層してそれぞれの画素ごとにそれぞれ画素電極を形成させる。画素電極のうち、透明電極１７が反射電極２６に覆われていない溝部２４の領域が透過部となり、アレイ基板１０の下方に配置されたバックライト（図示省略）からの光はこの透過部を通過し、また反射電極２６が形成されている領域が反射部２８となり、外光はこの反射部２８で反射される。
【０００８】
このアレイ基板１０は、周知のように、対向電極３０、液晶材料、カラーフィルタ、バックライト等（図示省略）と組み合わされて半透過型液晶表示装置が作成される。
【０００９】
なお、下記特許文献１に記載の発明では、反射電極２６用の材料としてアルミニウムを使用すると、ＩＴＯとアルミニウムの間にチタンを介在させないとオーミックなコンタクトを形成しないため、反射電極２６用の材料としては従来から広く使用されているアルミニウムに換えて高価な銀を用いている。
【００１０】
一方、透明電極の材料としては、一般的に用いられているＩＴＯの他にＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）も知られている。このＩＺＯとアルミニウムとはオーミックなコンタクトを形成するため、反射電極として高価な銀を使用する必要はない。しかしながら、通常アルミニウムとＩＴＯとは同じエッチング溶液でエッチングされることはないために、上記特許文献１に記載されているアレイ基板１０のように、画素電極を作成する際にまずＩＴＯを用いて透明電極１７を設けた後、その上にアルミニウムを用いて反射電極２６を設ける場合は、アルミニウムのエッチングの際に透明電極１７はエッチングされることがないため、何等の問題は生じない。しかしながら、ＩＺＯはアルミニウムと同じエッチング溶液でエッチングされてしまうため、ＩＺＯを用いて透明電極１７を設けた後、その上に直接アルミニウムを用いて反射電極を設けると、アルミニウムのエッチングの際に透明電極１７もエッチングされてしまうという問題点が存在している。
【００１１】
このとき、ＩＺＯがエッチングされないようにするために、透過部の透明電極１７を形成するＩＺＯの上に更にＩＺＯを保護するための膜を形成し、そしてアルミニウムを用いて反射電極を形成することも考えられなくはないが、その場合だと更に製造工程が増加してしまい、コストも上昇してしまうので、透明電極１７としてＩＺＯを用いることは実用的でなくなってしまう。
【００１２】
そこで、本発明者等は、透明電極としてＩＺＯを使用できるようにアレイ基板の構成について種々検討を重ねた結果、既に特願２００２−１４６３６０号として、透明電極としてＩＺＯを使用し得るようになした半透過型液晶表示装置に関する第１の特許出願（以下、「先願１」という。）を行った。
【００１３】
上記先願１の明細書及び図面に開示されている半透過型液晶表示装置のアレイ基板の断面図を図７に示す。なお、以下においては上記特許文献１に記載のものと同じ構成の部分には同じ符号を付して具体的説明は省略することとする。
【００１４】
図７に示された半透過型液晶表示装置のアレイ基板１０が図６に示された従来例のものと相違している点は、次の（１）及び（２）のとおりである。
（１）ＩＺＯからなる透明電極１７がドレイン電極Ｄと電気的に接触するように形成され、更にＴＦＴ素子１６及び透明電極１７を覆うように無機絶縁膜からなる層間絶縁膜（保護膜）１８が形成され、この層間絶縁膜１８の上部には層間膜２０が形成され、この層間絶縁膜１８と層間膜２０には、ＴＦＴ素子１６のドレイン電極Ｄに対応する部分にコンタクトホール２２が、また、ＴＦＴ素子１６から離れた場所には溝部２４が設けられている点。
（２）層間膜２０上には、透明電極が設けられておらず、反射電極２６としてのアルミニウムが積層されており、この反射電極２６はコンタクトホール２２を介してドレイン電極Ｄと電気的に接続されているとともに、このドレイン電極Ｄを介して透明電極１７と電気的に接続されている点。
【００１５】
上記先願１に係る半透過型液晶表示装置のアレイ基板１０は、上述の構成を備えることにより、反射電極としてのアルミニウムをエッチングする際に透明電極がエッチング液に露出されることがないため、工程数を増やすことなく、透明電極としてＩＺＯを用いることができるようになる。
【００１６】
しかしながら、先願１に係る半透過型液晶表示装置のアレイ基板１０においては、以下の（ａ）及び（ｂ）の問題点が存在していた。
（ａ）透明電極１７及び反射電極２６がそれぞれ個別にＴＦＴ素子１６のドレイン電極Ｄと接触しているため、それぞれの電極とドレイン電極Ｄとの間の異種物質接触による接触電位の差に基いて反射電極２６と透明電極１７との間の電位が異なってしまうので、透過部と反射部２８とでは画素電極に電圧の差異が生じてしまうため、透過モードと反射モードとでは表示状態が異なるものとなってしまい、フリッカが発生する点。
（ｂ）透明電極１７上に層間絶縁膜１８が存在するため、透明電極１７により供給される電圧値が変化して透過モードの最適Ｖ_COM値が変化してしまうので、液晶層に焼き付きが生じてしまう点。
【００１７】
そこで、本発明者等は、別途特願２００２−２７５０６０号としてこの先願１に係る半透過型液晶表示装置のアレイ基板の透明電極１７及び反射電極２６とドレイン電極Ｄとの間の異種物質接触による接触電位差の発生を抑制すると共に、液晶層の焼き付きを低減した半透過型液晶表示素子に関する第２の特許出願（以下、「先願２」という。）を行っている。
【００１８】
この先願２の明細書及び図面に開示されている半透過型液晶表示装置のアレイ基板を図８〜図１０を用いて説明する。なお、図８は先願２の明細書及び図面に開示されている液晶パネルを構成するアレイ基板１０の１画素の拡大平面図であり、図９は図８のＡ−Ａ'線に沿った概略断面拡大図、図１０は図８のＢ−Ｂ'線に沿った概略断面拡大図である。なお、以下においては上記特許文献１に記載のものと同じ構成の部分には同じ符号を付して具体的に説明することとする。
【００１９】
透明な絶縁性を有するガラス基板１２上に、アルミニウムやクロム等の金属からなる複数の走査線３２が略等間隔で平行に形成されており、また、隣り合う走査線３２間の略中央には走査線３２と同時に補助容量電極Ｃｓが平行して形成されている。そして、走査線３２からはゲート電極Ｇが延設されている。
【００２０】
ガラス基板１２上には、走査線３２、補助容量電極Ｃｓ、ゲート電極Ｇを覆うようにして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜１４が積層され、このゲート電極Ｇの上には、ゲート絶縁膜１４を介して非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる半導体層１５が形成され、またゲート絶縁膜１４上には複数の映像線３４が走査線３２と直交するようにして形成されている。なお、この映像線３４は図示しないが下部をＡｌとし、上部をＣｒにより形成した２層構造をしている。また、映像線３４からはソース電極Ｓが延設され、このソース電極Ｓは半導体層１５と接続している。
【００２１】
さらに、映像線３４、ソース電極Ｓと同一の材料でかつ同時形成されたドレイン電極Ｄがゲート絶縁膜１４上に設けられており、半導体層１５と接続している。
【００２２】
ここで、走査線３２と映像線３４とに囲まれた領域が１画素に相当する。そしてゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜１４、半導体層１５、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってスイッチング素子となるＴＦＴ素子１６が構成され、それぞれの画素にこのＴＦＴ素子１６が形成される。
【００２３】
この場合、ドレイン電極Ｄと補助容量電極Ｃｓによって各画素の補助容量を形成することになる。
【００２４】
映像線３４、ＴＦＴ素子１６、ゲート絶縁膜１４を覆うようにして例えば無機の絶縁膜からなる層間絶縁膜１８（保護膜）が積層され、この層間絶縁膜１８上には有機絶縁膜からなる層間膜２０が積層されている。そして層間絶縁膜１８と層間膜２０には、ＴＦＴ素子１６のドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２２が、またＴＦＴ素子１６から離れた位置に溝部２４が長方形状に形成されている。
【００２５】
それそれの画素において、層間膜２０上及びコンタクトホール２２にはアルミニウムからなる反射電極２６が、層間絶縁膜１８とは接触しているがＴＦＴ素子１６のドレイン電極には接触しないように、設けられている。アルミニウムは、反射率が高くかつ低抵抗であるため、反射電極の材料として一般的に用いられている。この他反射電極２６の材料としてはアルミニウムを含む合金などでもよい。
【００２６】
アレイ基板１０の底面方向から見た場合、図８のＢ−Ｂ'線に沿った概略断面拡大図（図１０）からしても明らかなように、反射電極２６は隣接する反射電極２６と接しないで、かつ走査線３２、映像線３４とに若干重なるようにして形成され、また、溝部２４の周囲を囲むようにして形成されている。
【００２７】
この反射電極２６の上、コンタクトホール２２及び溝部２４には一画素分全体にわたって透明電極１７が設けられ、この透明電極１７はコンタクトホール２２の底部でドレイン電極Ｄと接触するように設けられている。この際、透明電極１７の材料としては、この透明電極１７をエッチングして反射電極２６を露出させる必要がないため、透明電極１７と反射電極２６が同じエッチング液でエッチングされてしまうような組み合わせでも使用することができるので、反射電極として安価なアルミニウムを含む金属を使用しても、透明電極としてＩＺＯを使用することができるようになる。
【００２８】
そして、アレイ基板１０の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバックライト装置が配置されており、また、アレイ基板１０の上方には全ての画素を覆うように配向膜（図示せず）が積層され、そして、画素に対応して形成されるＲ、Ｇ、Ｂ３色のカラーフィルタ、対向電極３０等が設けられているカラーフィルタ基板（図示せず）をこのアレイ基板１０と対向させ、両基板を貼り合せ、両基板間に液晶を注入することにより半透過型の液晶パネルとなる。
【００２９】
このアレイ基板１０において、溝部２４より透明電極１７が覗いている範囲が透過部であり、この透過部においてバックライト装置から出射してきた光が通過し、また反射電極２６が積層されている範囲が反射部２８であり、この反射部２８において外光が反射される。
【００３０】
このような構成とすることで、透明電極１７はコンタクトホール２２の底部でのみドレイン電極Ｄと電気的に接触していることになり、しかも、反射電極２６の表面は全て透明電極１７により被覆されているので、たとえ反射電極２６と透明電極１７との間に接触電位差が生じているとしても、反射部２８の電位は全て透明電極１７の電位によって定まるため、前記接触電位差は外部に何等の影響も与えることはなく、しかも反射部の透明電極の電位と透過部の透明電極の電位は同じになるから、従来技術のような透明電極１７と反射電極２６との間の電位の差異により生じるフリッカを有効に防止することができるようになるとともに、焼き付きも少なくなるという効果を奏するものである。
【００３１】
【特許文献１】
特開２００１−３５０１５８号公報（２〜３頁、図４）
【００３２】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように先願２の明細書及び図面に開示されている半透過型液晶表示装置は、フリッカの防止及び液晶層の焼き付き防止という観点では優れた効果を奏するものであるが、それでも反射型として使用する際により明るくすることが望まれていた。従来技術では、アルミニウムを含む反射電極２６を走査線３２及び映像線３４の上部にまで設けて反射電極２６の面積を大きくして反射率を向上させようとしているが、反射電極２６が電極としての機能をも有しているため、この反射電極２６の面積を大きくしすぎると隣り合う画素の反射電極と短絡してしまう可能性が大きくなるので、反射電極２６の面積を大きくするにも限界があった。
【００３３】
そこで、本発明者等は、更に実験を重ね、上記特許文献１、先願１及び先願２に開示されている半透過型液晶表示装置は、いずれもアルミニウムを含む金属層を反射層を兼ねる反射電極として使用しているが、このアルミニウムを含む金属層を電気的に絶縁して反射層のみの機能を奏するものとして使用すれば、
（１）この反射層を透過部及びコンタクトホール以外の全ての部分に設けることができるので反射率が向上すること、
（２）透明電極の構成材料としてＩＺＯを使用することができること、
（３）このＩＺＯを透過部及び反射部に共通の画素電極として使用し得るので、透過部と反射部とで画素電極の電圧を同一になるようにすることができるだけでなく透明電極により供給される電圧値も安定となること、
を見出し、本発明を完成するに至ったものである。
【００３４】
すなわち、本発明は、透明電極の材料としてＩＺＯを使用することができ、反射部の反射面積が大きく明るい、かつ、フリッカ及び焼き付きを防止した半透過型液晶表示装置を提供することを目的とする。本発明の上記目的は以下の構成により達成することができる。
【００３５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の態様によれば、平行に配置された複数の走査線と、前記走査線と直交する複数の映像線に囲まれた領域に形成される画素であって、バックライトからの光を透過する透明電極を備える透過部と、外光を反射する反射層を備える反射部とを備えた画素とを有している半透過型液晶表示装置において、前記画素にはスイッチング素子が形成されており、前記透過部と前記反射部には層間膜が設けられ、前記反射層は、前記層間膜上に形成され、前記透過部及びコンタクトホールを除く全領域にわたって、前記スイッチング素子及び前記透明電極とは電気的に絶縁して設けられ、前記透明電極は、前記反射層の上部の透明絶縁層を介して画素全体にわたって被覆されていると共に、前記スイッチング素子と電気的に接続されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置が提供される。
【００３６】
係る構成においては、反射層は透過部を除く画素全体に設けることができるので、反射部の面積が広くなって明るい半透過型液晶表示装置を得ることができ、更に透明電極電位が反射部及び透過部で同一となるため、フリッカ及び液晶層の焼き付きが少なくなる。
【００３７】
係る態様においては、前記透明電極をＩＺＯで形成することが好ましい。本発明によれば、透明電極をエッチング処理する際には反射層が露出することはないので、透明電極材料がＩＺＯのように反射層材料と同じエッチング溶液に溶解する性質のものであっても有効に使用することができるようになる。
【００３８】
また、係る態様においては、反射層をアルミニウム金属、アルミニウム合金等のアルミニウムを含む金属から形成することが好ましい。このような構成となせば、従来例で使用されている銀と対比すると、アルミニウムを含む金属は非常に安価であるため、本発明の半透過型液晶表示装置も非常に安価に製造できるようになる。
【００３９】
更に、係る態様においては、反射層で覆われる層間膜が前記透過部にも設けられ、前記透明電極は該層間膜上に設けられていることが好ましい。係る構成によれば、透過部のセルギャップ及び反射部のセルギャップがほとんど等しくなるため、透過部画素容量Ｃ１と反射部画素容量Ｃ２をほぼ等しくすることができ、係るＣ１及びＣ２の差異に基づく画素内での透明電極の駆動電圧と反射電極の駆動電圧との差異が生じないので、フリッカが生じにくくなり、加えて透過部と反射部との境界の段差が少なくなるため、この段差に起因する液晶の配向の乱れが少なくなるため、表示ムラを低減することができる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体例を図面を用いて説明するが、図８〜図１０の先願２に開示された半透過型液晶表示装置と同じ構成の部分には同じ符号を付してその具体的説明は省略する。図１は本発明の第１の具体例の液晶パネルを構成するアレイ基板１０の１画素の拡大平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ'線に沿った概略断面拡大図、図３は図１のＢ−Ｂ'線に沿った概略断面拡大図である。
【００４１】
本願発明の第１の具体例に係る半透過型液晶表示装置のアレイ基板１０が、図６〜図８の先願２の半透過型液晶表示装置のアレイ基板の構成と相違している部分は、（１）アルミニウムを含む金属からなる反射層３６が、ドレイン電極Ｄとのコンタクトホール２２及び透過部２４の部分を除いて、層間膜２０の上部に、アレイ基板１０の全体にわたって、設けられている点（図１及び図３参照）、（２）この反射層３６の表面には、無機の絶縁膜からなる層間絶縁膜１９により被覆され、この層間絶縁膜１９の上部、コンタクトホール２２及び透過部２４を含む一画素分の表面が全て透明電極１７で覆われており、反射膜は、透明電極１７、ドレイン電極Ｄ共に電気的に絶縁されている点（図２及び図３参照）、である。
【００４２】
すなわち、先願２に係る半透過型液晶表示装置のアレイ基板１０は、図８〜図１０の記載から明らかなように、ＩＺＯからなる透明電極１７を用いる場合、透過部、反射部共に透明電極（ＩＺＯ）で被覆されているから、反射電極２６は実質的に反射機能しか利用されていないことになる。したがって、本願発明では電極機能は透明電極１７のみに発揮させて、アルミニウム金属を含む層３６は純然たる反射機能のみを利用するようにしたものである。このような構成となせば、アルミニウム金属を含む層３６（反射層）は、電極としての機能がないため、従来例のような隣の画素の電極との短絡を考慮することなしに走査線３２及び映像線３４の上まで設けることができるようになるので、その面積を大きくして反射率を向上させることができるようになる。
【００４３】
なお、図示はしていないが層間膜２０の表面にパターニング等によって凹凸を設けておき、その上の反射層３６を凹凸状に形成してもよい。とくに層間膜２０は通常有機絶縁膜であるために凹凸形成を比較的容易に行える。このようにすることにより反射部２８での外光の反射量を増加させることが可能となる。また一画素における透過部の占める割合は調整可能であるが、あまり透過部の占める割合が多くなってしまうと反射部２８の割合が少なくなるので、外光の反射量は減ってしまう。逆に透過部の占める割合が少なすぎると外光の不足をバックライトの光で補うには不十分となってしまう。本実施例においては透過部の占める割合が約２０％となっている。
【００４４】
このように透明電極１７の材料としてＩＺＯを、反射層３６の材料として安価なアルミニウムを含む金属を使用することができ、しかもフリッカ及び焼き付きを有効に防止することができる半透過型の液晶表示装置が得られる。
【００４５】
なお、上述の第１の具体例では、溝部２４は透明電極１７を設ける際に層間膜２０が取り除かれており、このような構成であると、既に従来技術について述べたように、透過部の透明電極１７の部分と対向電極３０との間の距離（透過部のセルギャップ）及び反射部２８の透明電極１７の部分と対向電極３０との間の距離（反射部のセルギャップ）が異なるため、透過部画素容量Ｃ１と反射部画素容量Ｃ２が異なることとなるため、これによっても、１つの画素内で透明電極の駆動電圧と反射電極の駆動電圧とが異なる原因となり、フリッカの原因となってしまう。
【００４６】
すなわち、半透過型液晶表示装置の１画素の等価回路図は図４に示すとおりであって、ＴＦＴ素子のドレイン電極には、補助容量電極Ｃｓとの間に形成される補助容量Ｃ_COM以外に、透明電極１７と対向電極３０の間に形成される透過部画素容量Ｃ１及び反射電極２６と対向電極３０の間に形成される反射部画素容量Ｃ２が存在している。したがって、上述の従来技術においては、反射部２８の反射電極２６と対向電極３０の間の距離及び透過部の透明電極１７と対向電極３０の間の距離が異なるので、Ｃ１及びＣ２が異なる値となるため、これによっても、１つの画素内で透明電極の駆動電圧と反射電極の駆動電圧とが異なる原因となり、フリッカが生じてしまうわけである。
【００４７】
そこで、以下においてはこの問題点を解決した第２の具体例について図５を用いて説明する。図５は、第１の具体例における図２に対応するものであって、図２に示された第１の具体例と異なっている部分は、図１の溝２４に対応する部分にも層間膜２０が設けられており、透過部の透明電極１７はこの層間膜２０の上部に設けられている点のみであるので、その他の構成要件の詳細な説明は省略する。
【００４８】
このような構成となすことにより、透過部のセルギャップ及び反射部のセルギャップがほとんど等しくなるため、透過部画素容量Ｃ１と反射部画素容量Ｃ２をほぼ等しくすることができ、係るＣ１及びＣ２の差異に基づく画素内での透明電極の駆動電圧と反射電極の駆動電圧との差異が生じにくくなって、フリッカが生じにくくなり、加えて透過部と反射部との境界の段差が少なくなるため、この段差に起因する液晶の配向の乱れが少なくなるため、表示ムラを低減することができる。
【００４９】
なお、前記第２の具体例では透過部にも層間膜２０が形成されているため、前記第１の具体例と比すると透過部での透過率が劣ることとなるが、係る点はフリッカ及び表示ムラの減少の程度を勘案の上で適宜好ましい厚さの層間膜を作成する等、当業者が任意に決定することができる。
【００５０】
さらに、この透過部の層間膜は、エッチングの際にわずかに着色することがあるが、この着色は透過率の低下及び透過光の品質劣化に繋がるので、望ましくはない。しかし、この着色は基板全体を層間膜が劣化しない程度に加熱しながら紫外線を照射することにより容易に除去することができる。
【００５１】
なお、上述の実施例では反射層が完全に絶縁された場合を説明したが、反射層に対向電極に供給されている電圧と同電位を供給し、反射層と透明電極間で補助容量を形成するようにしてもよい。また本発明は透明電極にＩＴＯ等のＩＺＯ以外の材料を用いた場合にも有効である。
【００５２】
【発明の効果】
以上述べたように、フリッカ及び焼き付きを有効に防止すると共に、反射部の反射面積を大きくした明るい半透過型の液晶表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の第１の具体例の液晶パネルを構成するアレイ基板の１画素の拡大平面図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ'線に沿った概略断面拡大図である。
【図３】図３は、図１のＢ−Ｂ'線に沿った概略断面拡大図である。
【図４】図４は、半透過型液晶表示装置の１画素の等価回路図である。
【図５】図５は、本発明の第２の具体例の図２に対応する概略断面拡大図である。
【図６】図６は、特許文献１に従来例として記載されている半透過型液晶表示装置の前記図２に対応する概略拡大断面図である。
【図７】図７は、特願２００２−１４６３６０号の発明に係る半透過型液晶表示装置の前記図２に対応する概略拡大断面図である。
【図８】図８は、特願２００２−２７５０６０号の発明に係る半透過型液晶表示装置の液晶パネルを構成するアレイ基板の１画素の拡大平面図である。
【図９】図９は、図８のＡ−Ａ'線に沿った概略断面拡大図である。
【図１０】図１０は、図８のＢ−Ｂ'線に沿った概略断面拡大図である。
【符号の説明】
１０ アレイ基板
１２ ガラス基板
１４ ゲート絶縁膜、
１５ 半導体層
１６ ＴＦＴ素子
１７ 透明電極
１８ 層間絶縁膜
１９ 層間絶縁膜
２０ 有機層間膜
２２ コンタクトホール
２４ 透過部
２６ 反射電極
２８ 反射部
３０ 対向電極
３２ 走査線
３４ 映像線
３６ 反射層

Claims (3)

1. 平行に配置された複数の走査線と、
   前記走査線と直交する複数の映像線に囲まれた領域に形成される画素であって、
   バックライトからの光を透過する透明電極を備える透過部と、
   外光を反射する反射層を備える反射部とを備えた画素とを有している半透過型液晶表示装置において、
   前記画素にはスイッチング素子が形成されており、
   前記透過部と前記反射部には層間膜が設けられ、
   前記反射層は、前記層間膜上に形成され、前記透過部及びコンタクトホールを除く全領域にわたって、前記スイッチング素子及び前記透明電極とは電気的に絶縁して設けられ、
   前記透明電極は、前記反射層の上部の透明絶縁層を介して画素全体にわたって被覆されていると共に、
   前記スイッチング素子と電気的に接続されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
2. 前記透明電極はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）からなることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
3. 前記反射層はアルミニウムを含む金属からなる請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。

Images