JP2002365664A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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- JP2002365664A JP2002365664A JP2001170027A JP2001170027A JP2002365664A JP 2002365664 A JP2002365664 A JP 2002365664A JP 2001170027 A JP2001170027 A JP 2001170027A JP 2001170027 A JP2001170027 A JP 2001170027A JP 2002365664 A JP2002365664 A JP 2002365664A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光照射により発生するフリッカーを抑制して
画像品質の良好な反射型液晶表示装置を製造することが
可能な反射型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の信号配
線２および走査配線７と、これら両配線の各交差部に配
置されたＴＦＴ３と、ＴＦＴ３を介して信号配線２およ
び走査配線７に接続された反射画素電極１４とが設けら
れた薄膜トランジスタアレイ基板と、前記薄膜トランジ
スタアレイ基板に対向して配置された、対向透明電極２
３を有する対向基板とを具備する反射型液晶表示装置に
おいて、反射画素電極１４上に対向透明電極２３と同じ
材料にて透明画素電極１５を設ける。
画像品質の良好な反射型液晶表示装置を製造することが
可能な反射型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の信号配
線２および走査配線７と、これら両配線の各交差部に配
置されたＴＦＴ３と、ＴＦＴ３を介して信号配線２およ
び走査配線７に接続された反射画素電極１４とが設けら
れた薄膜トランジスタアレイ基板と、前記薄膜トランジ
スタアレイ基板に対向して配置された、対向透明電極２
３を有する対向基板とを具備する反射型液晶表示装置に
おいて、反射画素電極１４上に対向透明電極２３と同じ
材料にて透明画素電極１５を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話、ＰＤＡ
（Personal Digital Assistance）、ノートパソコン
などの携帯端末機器などのディスプレイとして用いるこ
とのできる反射型液晶表示装置に関する。
（Personal Digital Assistance）、ノートパソコン
などの携帯端末機器などのディスプレイとして用いるこ
とのできる反射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の反射型液晶表示装置の薄膜トラン
ジスタアレイ基板における一画素部分の構成を図３
（ａ）に示す。図３（ｂ）は、前記従来の反射型液晶表
示装置を図３（ａ）に示すＣ−Ｃの一点鎖線で切断した
場合の断面構成を示す概略断面図である。
ジスタアレイ基板における一画素部分の構成を図３
（ａ）に示す。図３（ｂ）は、前記従来の反射型液晶表
示装置を図３（ａ）に示すＣ−Ｃの一点鎖線で切断した
場合の断面構成を示す概略断面図である。
【０００３】図３（ａ）に示すように、従来の反射型液
晶表示装置には、複数の走査配線２および信号配線７が
設けられており、走査配線２と信号配線７とは互いに直
交するように配置されている。また、走査配線２と信号
配線７との各交差部には、各画素のスイッチング素子で
ある薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ（Thin Film Tran
sistor）と記す）３が設けられている。また、走査配線
２上には付加容量電極９が形成されている。反射画素電
極１４は、その周縁部分の一部が走査配線２および信号
配線７上に掛かるように形成されており、コンタクトホ
ール１１，１３を介してドレイン電極８および付加容量
電極９と電気的に接続している。
晶表示装置には、複数の走査配線２および信号配線７が
設けられており、走査配線２と信号配線７とは互いに直
交するように配置されている。また、走査配線２と信号
配線７との各交差部には、各画素のスイッチング素子で
ある薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ（Thin Film Tran
sistor）と記す）３が設けられている。また、走査配線
２上には付加容量電極９が形成されている。反射画素電
極１４は、その周縁部分の一部が走査配線２および信号
配線７上に掛かるように形成されており、コンタクトホ
ール１１，１３を介してドレイン電極８および付加容量
電極９と電気的に接続している。
【０００４】次に、図３（ｂ）を参照しながら、前記従
来の反射型液晶表示装置の製造工程について説明する。
来の反射型液晶表示装置の製造工程について説明する。
【０００５】まず、ガラス基板１の上にアルミニウム
（Ａｌ）を積層させ、フォトリソグラフィ法によって走
査配線２をパターン形成する。
（Ａｌ）を積層させ、フォトリソグラフィ法によって走
査配線２をパターン形成する。
【０００６】次に、走査配線２上に、窒化シリコン（Ｓ
ｉＮｘ）からなる第１絶縁体層４を積層させる。この第
１絶縁体層４は、後に、ＴＦＴ３のゲート絶縁膜として
機能する。
ｉＮｘ）からなる第１絶縁体層４を積層させる。この第
１絶縁体層４は、後に、ＴＦＴ３のゲート絶縁膜として
機能する。
【０００７】次に、第１絶縁体層４上に、ＴＦＴ３のス
イッチ機能を司る、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）
からなる半導体層５と、この半導体層５とソース電極７
（信号配線７と一体的に形成されているので、ここでは
同じ部材番号にて示す）およびドレイン電極８とをそれ
ぞれオーミックコンタクトさせるｎ+半導体層６とを、
連続して成膜する。そして、ＴＦＴ３部分に、半導体層
５とｎ+半導体層６とからなるパターンを形成する。
イッチ機能を司る、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）
からなる半導体層５と、この半導体層５とソース電極７
（信号配線７と一体的に形成されているので、ここでは
同じ部材番号にて示す）およびドレイン電極８とをそれ
ぞれオーミックコンタクトさせるｎ+半導体層６とを、
連続して成膜する。そして、ＴＦＴ３部分に、半導体層
５とｎ+半導体層６とからなるパターンを形成する。
【０００８】その後、チタン（Ｔｉ）およびアルミニウ
ム（Ａｌ）の２層を連続成膜して、一括パターン形成に
より、信号配線７、ドレイン電極８、および付加容量電
極９を、図に示すように形成する。この時、ソース電極
７およびドレイン電極８をマスクとして、ソース電極７
とドレイン電極８の間に存在するｎ+半導体層５と半導
体層４の一部とをエッチングによって除去する。
ム（Ａｌ）の２層を連続成膜して、一括パターン形成に
より、信号配線７、ドレイン電極８、および付加容量電
極９を、図に示すように形成する。この時、ソース電極
７およびドレイン電極８をマスクとして、ソース電極７
とドレイン電極８の間に存在するｎ+半導体層５と半導
体層４の一部とをエッチングによって除去する。
【０００９】次に、絶縁保護膜として機能する第２絶縁
体層１０を成膜する。このとき、ドレイン電極８および
付加容量電極９上の第２絶縁体層１０に、後にコンタク
トホール１１，１３となる開口部を形成しておく。
体層１０を成膜する。このとき、ドレイン電極８および
付加容量電極９上の第２絶縁体層１０に、後にコンタク
トホール１１，１３となる開口部を形成しておく。
【００１０】次に、感光性樹脂を塗布して平坦化膜１２
を形成する。その後、第２絶縁体層１０に形成した前記
開口部上の平坦化膜１２をフォトリソグラフィ法によっ
て除去し、コンタクトホール１１，１３を形成する。
を形成する。その後、第２絶縁体層１０に形成した前記
開口部上の平坦化膜１２をフォトリソグラフィ法によっ
て除去し、コンタクトホール１１，１３を形成する。
【００１１】最後に、反射率の高いアルミニウム、銀等
からなる反射画素電極１４を形成する。反射画素電極１
４は、コンタクトホール１１を介してドレイン電極８と
接続され、コンタクトホール１３を介して付加容量電極
９と接続される。
からなる反射画素電極１４を形成する。反射画素電極１
４は、コンタクトホール１１を介してドレイン電極８と
接続され、コンタクトホール１３を介して付加容量電極
９と接続される。
【００１２】以上のような方法により、薄膜トランジス
タアレイ基板が完成する。
タアレイ基板が完成する。
【００１３】次に、完成した薄膜トランジスタアレイ基
板と対向基板とを貼り合わせる。対向基板は、ガラス基
板２１上にカラーフィルタ２２およびＩＴＯ（ＩｎＯｘ
−ＳｎＯｘ）からなる対向透明電極２３が具備された構
成である。前記薄膜トランジスタアレイ基板および対向
基板に配向膜（図示せず）を塗布してラビング処理を行
った後、４μｍのギャップを形成して貼り合わせる。そ
の後、両基板間に誘電率異方性が正の液晶を注入し、さ
らに対向基板の外側の面（光の入射面）に偏光位相差板
を配置して、反射型液晶表示装置を作製する。
板と対向基板とを貼り合わせる。対向基板は、ガラス基
板２１上にカラーフィルタ２２およびＩＴＯ（ＩｎＯｘ
−ＳｎＯｘ）からなる対向透明電極２３が具備された構
成である。前記薄膜トランジスタアレイ基板および対向
基板に配向膜（図示せず）を塗布してラビング処理を行
った後、４μｍのギャップを形成して貼り合わせる。そ
の後、両基板間に誘電率異方性が正の液晶を注入し、さ
らに対向基板の外側の面（光の入射面）に偏光位相差板
を配置して、反射型液晶表示装置を作製する。
【００１４】その後、検査工程において、走査配線２、
信号配線７、対向透明電極２３に駆動電位を供給して画
面を表示させ、対向透明電極２３の平均電位もしくは反
射画素電極１４の平均電位を、画像がちらつく現象（フ
リッカー）が最小になるように調整する。
信号配線７、対向透明電極２３に駆動電位を供給して画
面を表示させ、対向透明電極２３の平均電位もしくは反
射画素電極１４の平均電位を、画像がちらつく現象（フ
リッカー）が最小になるように調整する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】一般に、電極などの金
属と配向膜などの有機膜とが接触すると、接触界面で電
子の授受が起こり、界面分極が発生する。この界面分極
の大きさは、同じ有機膜の場合、接している金属の仕事
関数に依存する。さらに、この界面分極には、光照射を
行うと分極量が経時的に変化していくという現象がみら
れる。前記従来の反射型液晶表示装置は、薄膜トランジ
スタアレイ基板側にアルミニウム、銀などの反射画素電
極１４、対向基板側にＩＴＯなどの対向透明電極２３が
配置されている非対称電極構成である。従って、液晶セ
ル内部に、アルミニウムあるいは銀と配向膜とが接触す
る系と、ＩＴＯと配向膜とが接触する系との、２種類の
系が存在することになる。アルミニウムとＩＴＯとは仕
事関数が異なるため、アルミニウム側界面とＩＴＯ側界
面とで配向膜の分極量が異なり、セル内部にＤＣ成分が
重畳する（暗状態）。また、光照射を行うことにより界
面分極量が変化するが、アルミニウム側界面とＩＴＯ側
界面とで分極変化量が異なるため、セル内部のＤＣ成分
量も変化していく。
属と配向膜などの有機膜とが接触すると、接触界面で電
子の授受が起こり、界面分極が発生する。この界面分極
の大きさは、同じ有機膜の場合、接している金属の仕事
関数に依存する。さらに、この界面分極には、光照射を
行うと分極量が経時的に変化していくという現象がみら
れる。前記従来の反射型液晶表示装置は、薄膜トランジ
スタアレイ基板側にアルミニウム、銀などの反射画素電
極１４、対向基板側にＩＴＯなどの対向透明電極２３が
配置されている非対称電極構成である。従って、液晶セ
ル内部に、アルミニウムあるいは銀と配向膜とが接触す
る系と、ＩＴＯと配向膜とが接触する系との、２種類の
系が存在することになる。アルミニウムとＩＴＯとは仕
事関数が異なるため、アルミニウム側界面とＩＴＯ側界
面とで配向膜の分極量が異なり、セル内部にＤＣ成分が
重畳する（暗状態）。また、光照射を行うことにより界
面分極量が変化するが、アルミニウム側界面とＩＴＯ側
界面とで分極変化量が異なるため、セル内部のＤＣ成分
量も変化していく。
【００１６】セル内部にＤＣ成分が重畳した場合の液晶
表示装置の駆動波形を図４（ａ）に示す。交流駆動のた
め、対向透明電極２３の電位（対向電極電位）と反射画
素電極１４の電位（画素電極電位）との間に印加される
液晶印加電圧（Ｖｌｃ）には正側（Ｖｌｃ＋）と負側
（Ｖｌｃ−）とがあるが、セル内部にＤＣ成分が重畳し
た場合、Ｖｌｃ＋、Ｖｌｃ−の大きさが異なってしま
い、画像がちらつく現象（フリッカー）が発生する。セ
ル内部のＤＣ成分が一定ならば、対向電極電位もしくは
画素電極電位を調整することにより、図４（ｂ）に示す
ようにＶｌｃ＋、Ｖｌｃ−の大きさを等しくすることも
可能である、しかしながら、上述したように、光照射を
行うとＤＣ成分量が変化してＶｌｃ＋、Ｖｌｃ−の大き
さが異なってしまいフリッカーが発生するので、その都
度電位を調整しなければならないという不具合が発生す
る。
表示装置の駆動波形を図４（ａ）に示す。交流駆動のた
め、対向透明電極２３の電位（対向電極電位）と反射画
素電極１４の電位（画素電極電位）との間に印加される
液晶印加電圧（Ｖｌｃ）には正側（Ｖｌｃ＋）と負側
（Ｖｌｃ−）とがあるが、セル内部にＤＣ成分が重畳し
た場合、Ｖｌｃ＋、Ｖｌｃ−の大きさが異なってしま
い、画像がちらつく現象（フリッカー）が発生する。セ
ル内部のＤＣ成分が一定ならば、対向電極電位もしくは
画素電極電位を調整することにより、図４（ｂ）に示す
ようにＶｌｃ＋、Ｖｌｃ−の大きさを等しくすることも
可能である、しかしながら、上述したように、光照射を
行うとＤＣ成分量が変化してＶｌｃ＋、Ｖｌｃ−の大き
さが異なってしまいフリッカーが発生するので、その都
度電位を調整しなければならないという不具合が発生す
る。
【００１７】本発明はこれらの問題を解決するために、
光照射により発生するフリッカーを抑制して画像品質の
良好な反射型液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
光照射により発生するフリッカーを抑制して画像品質の
良好な反射型液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の反射型液晶表示装置は、マトリクス状に
配置された複数の信号配線および走査配線、前記両配線
の各交差部に配置されて前記両配線に接続されたスイッ
チング素子、および前記スイッチング素子を介して前記
両配線に接続された反射画素電極を有するアレイ基板
と、前記アレイ基板に対向して配置された、対向透明電
極を有する対向基板とを備えた反射型液晶表示装置にお
いて、前記反射画素電極上に、前記対向透明電極と同じ
材料からなる透明画素電極を設けたことを特徴とする。
めに、本発明の反射型液晶表示装置は、マトリクス状に
配置された複数の信号配線および走査配線、前記両配線
の各交差部に配置されて前記両配線に接続されたスイッ
チング素子、および前記スイッチング素子を介して前記
両配線に接続された反射画素電極を有するアレイ基板
と、前記アレイ基板に対向して配置された、対向透明電
極を有する対向基板とを備えた反射型液晶表示装置にお
いて、前記反射画素電極上に、前記対向透明電極と同じ
材料からなる透明画素電極を設けたことを特徴とする。
【００１９】この構成によれば、薄膜トランジスタアレ
イ基板側と対向基板側とで配向膜に接触する金属が同じ
になる。すなわち、薄膜トランジスタアレイ基板側の金
属と配向膜との界面、および対向基板側の金属と配向膜
との界面での分極量が等しくなり、セル内部にＤＣ成分
が重畳せず、さらに、光照射を行った場合に界面分極は
変化するものの分極変化量に差がないため、ＤＣ成分量
の変化も生じない。これにより、光照射により発生する
フリッカーを抑制して画像品質を向上させることができ
る。
イ基板側と対向基板側とで配向膜に接触する金属が同じ
になる。すなわち、薄膜トランジスタアレイ基板側の金
属と配向膜との界面、および対向基板側の金属と配向膜
との界面での分極量が等しくなり、セル内部にＤＣ成分
が重畳せず、さらに、光照射を行った場合に界面分極は
変化するものの分極変化量に差がないため、ＤＣ成分量
の変化も生じない。これにより、光照射により発生する
フリッカーを抑制して画像品質を向上させることができ
る。
【００２０】また、前記反射画素電極に光を透過させる
透過部を設けることも可能である。これにより、光照射
により発生するフリッカーを抑制して画像品質が向上し
た半透過型の液晶表示装置を提供することができる。
透過部を設けることも可能である。これにより、光照射
により発生するフリッカーを抑制して画像品質が向上し
た半透過型の液晶表示装置を提供することができる。
【００２１】また、本発明の携帯端末機器は、前記反射
型液晶表示装置を備えたことを特徴としている。この構
成によれば、画像品位の良好な表示部を備えた携帯端末
機器を提供することが可能となる。
型液晶表示装置を備えたことを特徴としている。この構
成によれば、画像品位の良好な表示部を備えた携帯端末
機器を提供することが可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
実施の形態１について、図１を参照しながら説明する。
実施の形態１について、図１を参照しながら説明する。
【００２３】図１（ａ）は、反射型液晶表示装置の薄膜
トランジスタアレイ基板における一画素部分の構成を示
している。図１（ｂ）は、前記従来の反射型液晶表示装
置を図１（ａ）に示すＡ−Ａの一点鎖線で切断した場合
の断面構成を示す概略断面図である。
トランジスタアレイ基板における一画素部分の構成を示
している。図１（ｂ）は、前記従来の反射型液晶表示装
置を図１（ａ）に示すＡ−Ａの一点鎖線で切断した場合
の断面構成を示す概略断面図である。
【００２４】図１（ａ）に示すように、従来の反射型液
晶表示装置には、複数の走査配線２および信号配線７が
設けられており、走査配線２と信号配線７とは互いに直
交するように配置されている。また、走査配線２と信号
配線７との各交差部には、各画素のスイッチング素子で
ある薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ（Thin Film Tran
sistor）と記す）３が設けられている。また、走査配線
２上には付加容量電極９が形成されている。反射画素電
極１４は、その周縁部分の一部が走査配線２および信号
配線７上に掛かるように形成されており、コンタクトホ
ール１１，１３を介してドレイン電極８および付加容量
電極９と電気的に接続している。さらに、反射電極１４
上には透明画素電極１５が積層されている。
晶表示装置には、複数の走査配線２および信号配線７が
設けられており、走査配線２と信号配線７とは互いに直
交するように配置されている。また、走査配線２と信号
配線７との各交差部には、各画素のスイッチング素子で
ある薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ（Thin Film Tran
sistor）と記す）３が設けられている。また、走査配線
２上には付加容量電極９が形成されている。反射画素電
極１４は、その周縁部分の一部が走査配線２および信号
配線７上に掛かるように形成されており、コンタクトホ
ール１１，１３を介してドレイン電極８および付加容量
電極９と電気的に接続している。さらに、反射電極１４
上には透明画素電極１５が積層されている。
【００２５】次に、図１（ｂ）を参照しながら、前記従
来の反射型液晶表示装置の製造工程について説明する。
来の反射型液晶表示装置の製造工程について説明する。
【００２６】まず、ガラス基板１の上にアルミニウム
（Ａｌ）を積層させ、フォトリソグラフィ法によって走
査配線２をパターン形成する。
（Ａｌ）を積層させ、フォトリソグラフィ法によって走
査配線２をパターン形成する。
【００２７】次に、走査配線２上に、窒化シリコン（Ｓ
ｉＮｘ）からなる第１絶縁体層４を積層させる。この第
１絶縁体層４は、後に、ＴＦＴ３のゲート絶縁膜として
機能する。
ｉＮｘ）からなる第１絶縁体層４を積層させる。この第
１絶縁体層４は、後に、ＴＦＴ３のゲート絶縁膜として
機能する。
【００２８】次に、第１絶縁体層４上に、ＴＦＴ３のス
イッチ機能を司る、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）
からなる半導体層５と、この半導体層５とソース電極７
（信号配線７と一体的に形成されているので、ここでは
同じ部材番号にて示す）およびドレイン電極８とをそれ
ぞれオーミックコンタクトさせるｎ+半導体層６とを、
連続して成膜する。そして、ＴＦＴ３部分に、半導体層
５とｎ+半導体層６とからなるパターンを形成する。
イッチ機能を司る、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）
からなる半導体層５と、この半導体層５とソース電極７
（信号配線７と一体的に形成されているので、ここでは
同じ部材番号にて示す）およびドレイン電極８とをそれ
ぞれオーミックコンタクトさせるｎ+半導体層６とを、
連続して成膜する。そして、ＴＦＴ３部分に、半導体層
５とｎ+半導体層６とからなるパターンを形成する。
【００２９】その後、チタン（Ｔｉ）およびアルミニウ
ム（Ａｌ）の２層を連続成膜して、一括パターン形成に
より、信号配線７、ドレイン電極８、および付加容量電
極９を、図に示すように形成する。この時、ソース電極
７およびドレイン電極８をマスクとして、ソース電極７
とドレイン電極８の間に存在するｎ+半導体層５と半導
体層４の一部とをエッチングによって除去する。
ム（Ａｌ）の２層を連続成膜して、一括パターン形成に
より、信号配線７、ドレイン電極８、および付加容量電
極９を、図に示すように形成する。この時、ソース電極
７およびドレイン電極８をマスクとして、ソース電極７
とドレイン電極８の間に存在するｎ+半導体層５と半導
体層４の一部とをエッチングによって除去する。
【００３０】次に、絶縁保護膜として機能する第２絶縁
体層１０を成膜する。このとき、ドレイン電極８および
付加容量電極９上の第２絶縁体層１０に、後にコンタク
トホール１１，１３となる開口部を形成しておく。
体層１０を成膜する。このとき、ドレイン電極８および
付加容量電極９上の第２絶縁体層１０に、後にコンタク
トホール１１，１３となる開口部を形成しておく。
【００３１】次に、感光性樹脂を塗布して平坦化膜１２
を形成する。その後、第２絶縁体層１０に形成した前記
開口部上の平坦化膜１２をフォトリソグラフィ法によっ
て除去し、コンタクトホール１１，１３を形成する。
を形成する。その後、第２絶縁体層１０に形成した前記
開口部上の平坦化膜１２をフォトリソグラフィ法によっ
て除去し、コンタクトホール１１，１３を形成する。
【００３２】最後に、反射率の高いアルミニウム、銀等
からなる反射画素電極１４を形成する。反射画素電極１
４は、コンタクトホール１１を介してドレイン電極８と
接続され、コンタクトホール１３を介して付加容量電極
９と接続される。その後、透明画素電極１５としてＩＴ
Ｏ（ＩｎＯｘ−ＳｎＯｘ）膜をパターン形成する。な
お、本実施の形態においては反射画素電極１４がドレイ
ン電極８に接続されているが、透明画素電極１５がドレ
イン電極８に接続される構成としてもよい。
からなる反射画素電極１４を形成する。反射画素電極１
４は、コンタクトホール１１を介してドレイン電極８と
接続され、コンタクトホール１３を介して付加容量電極
９と接続される。その後、透明画素電極１５としてＩＴ
Ｏ（ＩｎＯｘ−ＳｎＯｘ）膜をパターン形成する。な
お、本実施の形態においては反射画素電極１４がドレイ
ン電極８に接続されているが、透明画素電極１５がドレ
イン電極８に接続される構成としてもよい。
【００３３】以上のような方法により、薄膜トランジス
タアレイ基板が完成する。
タアレイ基板が完成する。
【００３４】次に、完成した薄膜トランジスタアレイ基
板と対向基板とを貼り合わせる。対向基板は、ガラス基
板２１上にカラーフィルタ２２およびＩＴＯからなる対
向透明電極２３が具備され、さらに対向透明電極２３上
に対向絶縁膜２４として無機物の絶縁膜が積層された構
成である。前記薄膜トランジスタアレイ基板および対向
基板に配向膜（図示せず）を塗布してラビング処理を行
った後、４μｍのギャップを形成して貼り合わせる。そ
の後、両基板間に誘電率異方性が正の液晶を注入し、さ
らに対向基板の外側の面（光の入射面）に偏光位相差板
を配置して、反射型液晶表示装置を作製する。
板と対向基板とを貼り合わせる。対向基板は、ガラス基
板２１上にカラーフィルタ２２およびＩＴＯからなる対
向透明電極２３が具備され、さらに対向透明電極２３上
に対向絶縁膜２４として無機物の絶縁膜が積層された構
成である。前記薄膜トランジスタアレイ基板および対向
基板に配向膜（図示せず）を塗布してラビング処理を行
った後、４μｍのギャップを形成して貼り合わせる。そ
の後、両基板間に誘電率異方性が正の液晶を注入し、さ
らに対向基板の外側の面（光の入射面）に偏光位相差板
を配置して、反射型液晶表示装置を作製する。
【００３５】その後、前記反射型液晶表示装置の対向透
明電極２３の電位を最適調整してフリッカーを最小（発
生しない状態）にする。
明電極２３の電位を最適調整してフリッカーを最小（発
生しない状態）にする。
【００３６】以上のような構成の本実施の形態にかかる
反射型液晶表示装置に対して光照射を行ったところ、フ
リッカーが発生せず、対向透明電極２３の電位の再調整
が不要であった。これは、反射画素電極１４上に対向透
明電極２３と同じ材料（ＩＴＯ）で透明画素電極１５が
形成される構成とすることで、薄膜トランジスタアレイ
基板側と対向基板側とで配向膜に接触する金属を同じに
なるためである。すなわち、薄膜トランジスタアレイ基
板側の金属と配向膜との界面、および対向基板側の金属
と配向膜との界面での分極量が等しくなり、セル内部に
ＤＣ成分が重畳せず、さらに、光照射を行った場合に界
面分極は変化するものの、分極変化量に差がないため、
ＤＣ成分量の変化も生じないためである。
反射型液晶表示装置に対して光照射を行ったところ、フ
リッカーが発生せず、対向透明電極２３の電位の再調整
が不要であった。これは、反射画素電極１４上に対向透
明電極２３と同じ材料（ＩＴＯ）で透明画素電極１５が
形成される構成とすることで、薄膜トランジスタアレイ
基板側と対向基板側とで配向膜に接触する金属を同じに
なるためである。すなわち、薄膜トランジスタアレイ基
板側の金属と配向膜との界面、および対向基板側の金属
と配向膜との界面での分極量が等しくなり、セル内部に
ＤＣ成分が重畳せず、さらに、光照射を行った場合に界
面分極は変化するものの、分極変化量に差がないため、
ＤＣ成分量の変化も生じないためである。
【００３７】なお、本実施の形態においては透明画素電
極１５を反射画素電極１４上全面（１００％）に形成し
たが、反射画素電極１４に対する透明画素電極１５の面
積比は、光照射によるセル内のＤＣ成分変化が抑制され
る程度に設定されていればよい。
極１５を反射画素電極１４上全面（１００％）に形成し
たが、反射画素電極１４に対する透明画素電極１５の面
積比は、光照射によるセル内のＤＣ成分変化が抑制され
る程度に設定されていればよい。
【００３８】（実施の形態２）本発明の実施の形態２に
ついて、図２を参照しながら以下に説明する。なお、実
施の形態１で説明した構成と同一の構成については同じ
参照番号を付記し、その説明を省略する。
ついて、図２を参照しながら以下に説明する。なお、実
施の形態１で説明した構成と同一の構成については同じ
参照番号を付記し、その説明を省略する。
【００３９】図２（ａ）は、反射型液晶表示装置の薄膜
トランジスタアレイ基板における一画素部分の構成を示
している。図２（ｂ）は、前記従来の反射型液晶表示装
置を図２（ａ）に示すＢ−Ｂの一点鎖線で切断した場合
の断面構成を示す概略断面図である。
トランジスタアレイ基板における一画素部分の構成を示
している。図２（ｂ）は、前記従来の反射型液晶表示装
置を図２（ａ）に示すＢ−Ｂの一点鎖線で切断した場合
の断面構成を示す概略断面図である。
【００４０】本実施の形態にかかる反射型液晶表示装置
は、実施の形態１の反射型液晶表示装置において、薄膜
トランジスタアレイ基板の反射画素電極１４にバックラ
イト光を透過させるための開口部を設けて透過部１６を
形成した構成となっている。また、透明画素電極１６
は、反射画素電極１４および透過部１６を共に覆うよう
に設けられている。なお、薄膜トランジスタアレイ基板
と対向基板との貼り合わせ方法、および対向透明電極２
３の電位の調整については、実施の形態１の場合と同じ
である。
は、実施の形態１の反射型液晶表示装置において、薄膜
トランジスタアレイ基板の反射画素電極１４にバックラ
イト光を透過させるための開口部を設けて透過部１６を
形成した構成となっている。また、透明画素電極１６
は、反射画素電極１４および透過部１６を共に覆うよう
に設けられている。なお、薄膜トランジスタアレイ基板
と対向基板との貼り合わせ方法、および対向透明電極２
３の電位の調整については、実施の形態１の場合と同じ
である。
【００４１】以上のような半透過型の液晶表示装置に対
して光照射を行ったところ、フリッカーが発生せず、対
向透明電極２３の電位の再調整が不要であった。これ
は、透明画素電極１５が、実施の形態１の場合と同様に
機能したためである。
して光照射を行ったところ、フリッカーが発生せず、対
向透明電極２３の電位の再調整が不要であった。これ
は、透明画素電極１５が、実施の形態１の場合と同様に
機能したためである。
【００４２】また、本実施の形態１〜３で説明した反射
型液晶表示装置を携帯端末機器に対して用いることによ
り、画像品位の良好な表示部を備えた携帯端末機器を実
現することができる。
型液晶表示装置を携帯端末機器に対して用いることによ
り、画像品位の良好な表示部を備えた携帯端末機器を実
現することができる。
【００４３】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の反射型
液晶表示装置によれば、光照射によるフリッカーの発生
が抑制された画像品質の良好な反射型液晶表示装置を提
供することができる。
液晶表示装置によれば、光照射によるフリッカーの発生
が抑制された画像品質の良好な反射型液晶表示装置を提
供することができる。
【図１】 （ａ）は実施の形態１の反射型液晶表示装置
を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの
平面図であり、（ｂ）は前記反射型液晶表示装置の一画
素当りの断面図である。
を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの
平面図であり、（ｂ）は前記反射型液晶表示装置の一画
素当りの断面図である。
【図２】 （ａ）は実施の形態２の反射型液晶表示装置
を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの
平面図であり、（ｂ）は前記反射型液晶表示装置の一画
素当りの断面図である。
を構成する薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの
平面図であり、（ｂ）は前記反射型液晶表示装置の一画
素当りの断面図である。
【図３】 （ａ）は従来の反射型液晶表示装置を構成す
る薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの平面図で
あり、（ｂ）は前記反射型液晶表示装置の一画素当りの
断面図である。
る薄膜トランジスタアレイ基板の一画素当りの平面図で
あり、（ｂ）は前記反射型液晶表示装置の一画素当りの
断面図である。
【図４】 （ａ）および（ｂ）は液晶表示装置に印加さ
れる駆動電圧の波形図である。
れる駆動電圧の波形図である。
１ ガラス基板 ２ 信号配線 ３ ＴＦＴ ４ 第１絶縁体層 ５ 半導体層 ６ ｎ+半導体層 ７ 信号配線（ソース電極） ８ ドレイン電極 ９ 付加容量電極 １０ 第２絶縁体層 １１ コンタクトホール １２ 平坦化膜 １３ コンタクトホール １４ 反射画素電極 １５ 透明画素電極 １６ 透過部 ２１ ガラス基板 ２２ カラーフィルタ ２３ 対向透明電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA14Y FB08 FC10 GA03 GA07 GA13 LA03 LA16 2H092 HA04 HA05 JA24 JA46 JB07 JB56 JB58 KB22 KB24 KB25 MA13 NA01 NA25
Claims (3)
- 【請求項１】 マトリクス状に配置された複数の信号配
線および走査配線、前記両配線の各交差部に配置されて
前記両配線に接続されたスイッチング素子、および前記
スイッチング素子を介して前記両配線に接続された反射
画素電極を有するアレイ基板と、前記アレイ基板に対向
して配置された、対向透明電極を有する対向基板とを備
えた反射型液晶表示装置において、 前記反射画素電極上に、前記対向透明電極と同じ材料か
らなる透明画素電極を設けたことを特徴とする反射型液
晶表示装置。 - 【請求項２】 前記反射画素電極に光を透過させる透過
部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の
反射型液晶表示装置。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の反射型液晶表
示装置を備えたことを特徴とする携帯端末機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001170027A JP2002365664A (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 反射型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001170027A JP2002365664A (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 反射型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002365664A true JP2002365664A (ja) | 2002-12-18 |
Family
ID=19012019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001170027A Pending JP2002365664A (ja) | 2001-06-05 | 2001-06-05 | 反射型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002365664A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1324109A1 (en) * | 2001-12-28 | 2003-07-02 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Display device and manufacturing method therefor |
| JP2004302174A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| EP1482572A1 (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-01 | Sony Corporation | Method of manufacturing a laminated structure, laminated structure, display device and display unit with laminated structure |
| EP1592050A1 (en) * | 2003-02-05 | 2005-11-02 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method for manufacturing semi-transparent semi-reflective electrode substrate, reflective element substrate, method for manufacturing same, etching composition used for the method for manufacturing the reflective electrode substrate |
| US7038748B2 (en) | 2003-07-16 | 2006-05-02 | Victor Company Of Japan, Ltd | Reflective liquid crystal display and method of assembling the same |
| US7133094B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-11-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display apparatus having a transparent layer covering a reflective layer |
| EP1795950A1 (en) | 2005-12-06 | 2007-06-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method therefor |
| US7259813B2 (en) | 2001-12-28 | 2007-08-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display apparatus having insulated reflective layer and manufacturing method thereof |
| JP2011191795A (ja) * | 2004-05-21 | 2011-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 半透過型液晶表示装置 |
| US9696577B2 (en) | 2014-11-10 | 2017-07-04 | Japan Display Inc. | Reflective type display device |
| US9835900B2 (en) | 2015-09-07 | 2017-12-05 | Japan Display Inc. | Display device |
| US10197847B2 (en) | 2015-12-18 | 2019-02-05 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
-
2001
- 2001-06-05 JP JP2001170027A patent/JP2002365664A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7502083B2 (en) | 2001-12-28 | 2009-03-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Display apparatus and manufacturing method thereof |
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| US7482746B2 (en) | 2002-03-04 | 2009-01-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display apparatus having reflective layer |
| EP1592050A1 (en) * | 2003-02-05 | 2005-11-02 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method for manufacturing semi-transparent semi-reflective electrode substrate, reflective element substrate, method for manufacturing same, etching composition used for the method for manufacturing the reflective electrode substrate |
| EP1592050A4 (en) * | 2003-02-05 | 2007-10-17 | Idemitsu Kosan Co | PROCESS FOR PRODUCING SEMI-TRANSPARENT AND SEMI-REFLECTIVE ELECTRODE SUBSTRATE, SUBSTRATE FOR REFLECTIVE MEMBER, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ETCHING COMPOSITION FOR USE IN THE METHOD OF MANUFACTURING REFLECTING ELECTRODE SUBSTRATE |
| JP2004302174A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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| US9835900B2 (en) | 2015-09-07 | 2017-12-05 | Japan Display Inc. | Display device |
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