CN1979276A - 液晶显示器及其显示板 - Google Patents

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Abstract

一种LCD制造方法包括形成栅极线，在该基板上形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层上形成半导体层，在该半导体层上形成数据线和漏电极，形成与该漏电极相连并包括透明电极和设置在该透明电极一部分上的反射电极的像素电极。该反射电极的下层包括含Mo的Ag合金，该反射电极的上层包括例如IZO或ITO等透明导电材料。第二层的折射率大于LC层的折射率，在第二层的表面反射的光和在第一层的表面反射的光彼此相长干涉。

Description

液晶显示器及其显示板
本申请要求于2005年12月6日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2005-0117983的优选权和利益，其全部内容合并在此，作为参考。
技术领域
本发明涉及一种透反式(transflective)液晶显示器(LCD)及其显示板，以及该显示板的制造方法。
背景技术
LCD是使用最广泛的平板显示器之一。LCD包括介于两个具有场致(field-generating)电极的板之间的液晶(LC)层。LCD通过向场致电极施加电压以产生确定LC分子取向的电场来显示图像，LC分子取向改变入射光的偏振。该具有变化偏振的光或被截止、或被允许通过偏振薄膜，从而显示图像。
LCD归入非发射(non-emissive)显示器的类别，即，它们自身不产生任何光，而利用来自分离背光单元的灯的光或入射的环境光。根据使用的光源，LCD分类为透射式或反射式。透射式LCD的光源是背光，而反射式LCD的光源是外部光。反射式LCD通常用于小型或中型显示设备。同时使用背光和外部光作为光源的透反式LCD通常用于小型或中型显示设备。
透反式LCD的像素包括透射区域和反射区域。透明电极形成在透射区域中，而透明电极及设置在其上的反射电极形成在反射区域中。反射电极必须具有高的反射率和与透明电极的良好接触特性。
具有与ITO和IZO等制成的透明电极的良好接触特性的铝-钕(AlNd)或其合金具有相对低的反射率，而具有高反射率的银(Ag)与ITO和IZO的接触特性较差。
发明内容
根据本发明实施例的液晶显示器的显示板包括基板和形成在基板上的反射电极，该反射电极具有包括上层和下层的双层结构，该反射电极的下层包括包含Mo的Ag合金，该反射电极的上层包括透明导电材料。该反射电极的上层可以包括IZO或ITO。
当上层的厚度为d、可见光波长为λ、上层在该预定波长处的折射率为n2时，该厚度基本上满足关系：d＝1/2×(λ/n2)。
根据本发明实施例的液晶显示器包括第一基板、形成在第一基板上的栅极线和数据线、与栅极线和数据线相连的薄膜晶体管、与薄膜晶体管相连并包括反射电极的像素电极、面向第一基板的第二基板、形成在第二基板上的公共电极、以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层。反射电极包括具有含Mo的Ag合金的第一层。该反射电极还可以包括设置在第一层上并由导电材料制成的第二层。该反射电极的第二层可以包括IZO或ITO。第二层的折射率可以比LC层的大。从第二层的表面反射的光和从第一层的表面反射的光可以彼此相长干涉。
该LCD可以具有透射区域和反射区域，该像素电极还可以包括透明电极，该透明电极可以设置在透射区域和反射区域中，反射电极可以设置在反射区域中。该反射电极可以设置在透明电极上。
根据本发明实施例的LCD制造方法包括：形成栅极线、在基板上沉积栅极绝缘层、在栅极绝缘层上形成半导体层、在半导体层上形成数据线和漏电极、以及形成与漏电极相连并包括透明电极和设置在透明电极一部分上的反射电极的像素电极。反射电极的下层包括含Mo的Ag合金，反射电极的上层包括透明导电材料。反射电极的上层可以包括IZO或ITO。
像素电极的形成方法可以包括：形成透明电极、在透明电极上沉积反射电极的下层、在下层上沉积反射电极的上层、在反射电极的上层上涂布光敏膜、以及利用光刻和蚀刻使反射电极的上层和下层形成图案，并且反射电极的上层包括IZO或ITO。
在上层沉积和光敏膜涂布之间不需要退火，在光敏膜涂布和上层和下层形成图案之间不需要硬烤(hard-bake)处理。
附图说明
图1是根据本发明实施例的LCD的示意性截面图；
图2是根据本发明实施例的LCD的版图；
图3和图4分别是图2中沿III-III’线和IV-IV’线的TFT阵列板的截面图；以及
图5是根据本发明实施例的反射电极的示意性截面图。
具体实施方式
在附图中，为了清楚显示，放大了层、膜、板、区域等的厚度。说明书中相同的参考数字表示相同的元件。可以理解，当指出例如层、膜、区域、或基板之类的元件位于另一元件“上”时，其可以直接位于另一元件上，或可以存在中间元件。相反，当指出元件“直接”位于另一元件“上”时，则不存在中间元件。
现在，将参照附图详细描述根据本发明实施例的LCD。
图1中，LCD包括TFT阵列板100、面向TFT阵列板100的公共电极板200、和介于二者之间的LC层3。
TFT阵列板100包括绝缘基板110、形成在绝缘层110上的多个开关元件(未示出)和钝化层180、形成在钝化层180上的像素电极191。每个像素电极191包括透明电极192和设置在透明电极192的一部分上的反射电极194。反射电极194具有包括下层194p和上层194q的双层结构。
公共电极板200包括绝缘基板210、滤色镜220和形成在绝缘基板210上的公共电极270。
该透反式LCD液晶显示器包括分别由透明电极192和反射电极194限定的透射区域TA和反射区域RA。
详细地，设置在透明电极192的外露部分的上下方的区域是透射区域TA，设置在反射电极194的上下方的区域是反射区域RA。在透射区域TA中，来自设置在TFT阵列板100下方的背光单元(未示出)的光通过LC层3以显示所需图像。在反射区域RA中，入射在其上的例如阳光或环境光等外部光通过公共电极板200和LC层3，到达反射电极194。接着，外部光被反射电极194反射，再次通过LC层3，以显示所需图像。
设置在反射区域RA中的滤色镜230的平均厚度大约是设置在透射区域TA中的滤色镜的一半，从而在反射区域RA和透射区域TA之间的色调基本上一致。
现在，将参照图2至图4描述根据本发明的LCD实施例的结构。
图2是根据本发明实施例的LCD的版图，图3和图4分别是图2中沿III-III’线和IV-IV’线的TFT阵列板的截面图。
根据本发明实施例的LCD包括TFT阵列板100、面向TFT阵列板100的公共电极板200、和介于二者之间的LC层3。
首先，将描述TFT阵列板100。
在由例如透明玻璃或塑料等材料制成的绝缘基板110上形成多根栅极线121和多根存储电极线131。
栅极线121传输栅极信号，并基本上沿水平方向延伸。每根栅极线121包括：多个栅电极124，从栅极线向上突起；以及端部129，具有用于与另一层或外部驱动电路接触的较大面积。用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未示出)可以安装在柔性印刷电路(“FPC”)膜(未示出)上，其可以与基板110接触，直接安装在基板110上，或与基板110集成。栅极线121可以延伸到与驱动电路相连，该驱动电路可以与基板110集成。
存储电极线131被提供预定电压，并基本上平行于栅极线121而延伸。每根存储电极线131设置在两根相邻栅极线121之间，并设置成更靠近两根栅极线121的下栅极线。每根存储电极线131包括向上和向下延伸的存储电极133。然而，存储电极线131可以具有多种形状和配置。
栅极线121和存储电极线131优选地由例如Al和Al合金等含Al金属、例如Ag和Ag合金等含Ag金属、例如Cu和Cu合金等含Cu金属、例如Mo和Mo合金等含Mo金属、Cr、Ta、或Ti制成。然而，它们可以具有包括两个具有不同物理特性的导电膜(未示出)的多层结构。两个膜之一优选地由包括含Al金属、含Ag金属和含Cu金属的低电阻率金属制成，以减少信号延迟或压降。另一个膜优选地由例如含Mo金属、Cr、Ta或Ti等材料制成，其具有良好的物理、化学和与其它例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等材料电接触特性。这两个膜的组合的优选示例是下方是Cr膜、上方是Al(合金)膜、以及下方是Al(合金)膜、上方是Mo(合金)膜。然而，栅极线121和存储电极线131可由多种金属或导体制成。
栅极线121和存储电极线131的横侧相对于基板110的表面倾斜，其倾斜角度在大约30至80度的范围内。
优选地由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。
优选地由氢化非晶硅(简写成“a-Si”)或多晶硅制成的多个半导体层151形成在栅极绝缘层140上。每个半导体层151基本上沿纵向延伸，并包括朝栅电极124伸出的多个突起154、和朝存储电极137伸出多个突起157。半导体层151在栅极线121和存储电极线131附近变宽，从而半导体层151覆盖栅极线121和存储电极线131的较大面积。
多个欧姆接触片以及岛161和165形成在半导体层151上。欧姆接触片以及岛161和165优选地由重度掺杂有例如磷等n型杂质n+氢化a-Si制成，或者它们由硅化物制成。每个欧姆接触片161包括多个突起163，突起163和欧姆接触岛165成对位于半导体层151的突起154上。
半导体层151和欧姆接触161和165的横侧相对于基板110的表面倾斜，并且其倾斜角度优选在大约30-80度的范围内。
多根数据线171和多个漏电极175形成在欧姆接触161和165以及栅极绝缘层140上。
数据线171传输数据信号，并基本上沿纵向延伸以与栅极线121和存储电极线131交叉。每根数据线171包括朝栅电极124突起的多个源电极173、和具有用于与另一层或外部驱动电路接触的较大面积的端部179。用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可以安装在FPC膜(未示出)上，其可以与基板110接触，直接安装在基板110上，或与基板110集成。数据线171可以延伸到与可以与基板110集成的驱动电路相连。
漏电极175与数据线171分离，并关于栅电极124与源电极173相对设置。每个漏电极175包括宽端部177和窄端部。宽端部177与存储电极线131的存储电极137交迭，窄端部由源电极173部分地包围。
栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体层151的突起154一起形成TFT，TFT具有在源电极173和漏电极175之间设置的突起154中形成的沟槽。
数据线171和漏电极175优选地由例如Cr、Mo、Ta、Ti等难熔金属或其合金制成。然而，它们可以具有包括难熔金属膜(未示出)和低电阻率膜(未示出)的多层结构。该多层结构的优选示例是包括下方Cr/Mo(合金)膜和上方Al(合金)膜的双层结构，以及下方Mo(合金)膜、中间Al(合金)膜和上方Mo(合金)膜的三层结构。然而，数据线171和漏电极175可以由多种金属或导体制成。
数据线171和漏电极175具有倾斜的边缘轮廓，并且其倾斜角度在大约30-80度的范围内。
欧姆接触161和165仅介于下方半导体层151与其上方导体171和175之间，并减小两者之间的接触电阻。虽然在大部分位置处半导体层151比数据线171窄，但是半导体层151的宽度在栅极线121和存储电极线131附近变大，以平滑表面轮廓，从而防止数据线171断开。半导体层151包括一些未被数据线171和漏电极175覆盖的外露部分，，例如位于源电极173和漏电极175之间的部分。
钝化层180形成在数据线171、漏电极175、和半导体层151的外露部分上。钝化层180包括：下钝化膜180p，优选地由例如氮化硅或氧化硅等无机绝缘体制成；以及上钝化膜180q，优选地由有机绝缘体制成。优选地，上钝化膜180q可以具有小于大约4.0的介电常数和光敏性。上钝化膜180q具有浮凸表面。上钝化膜180q具有使下钝化膜180p的一部分外露的开口，以作为透射窗195。然而，钝化层180可以具有单层结构，优选地由无机或有机绝缘体制成。
钝化层180具有分别使数据线171的端部179和漏电极175外露的多个接触孔182和185。钝化层180和栅极绝缘层140具有使栅极线121的端部129外露的多个接触孔181。
多个像素电极191以及多个接触辅助81和82形成在钝化层180上。
每个像素电极191沿着上钝化膜180q的浮凸表面弯曲，并包括透明电极192和其上的反射电极194。透明电极192优选地由例如ITO或IZO等透明导体制成。
反射电极194具有双层结构，该双层结构具有包括反射金属的下层194p和包括透明导电材料的上层194q。反射电极194的下层194p可以由银钼合金(Ag-Mo合金)制成，其上层194q可以由铟锌氧化物(IZO)或非晶体铟锡氧化物(a-ITO)制成。
反射电极194的下层194p可以由基本上具有与纯Ag相同的反射率的Ag-Mo合金制成，并具有与由ITO或IZO制成的透明电极192的良好接触特性。
如果反射电极194的上层194q具有与光刻中使用的用于使反射电极194形成图案的光敏材料的良好接触特性，则可以在反射电极194的下层194p中形成倒锥形结构。然而，由IZO或a-ITO制成的反射电极194的上层194q防止形成倒锥形结构。
反射电极194设置在透明电极192的一部分上，从而透明电极192的剩余部分外露。外露的透明电极192设置在与透射窗195相对应的区域中。
像素电极191通过接触孔185与漏电极175在物理和电气上相连，从而像素电极191接收来自漏电极175的数据电压。被提供数据电压的像素电极191与被提供公共电压的公共电极板200的公共电极270协作，产生电场，这确定在两个电极191和270之间设置的LC层3的LC分子(未示出)的取向，以调整通过LC层3的入射光的偏振。
像素电极191和公共电极270形成称作“液晶电容器”的电容器，该电容器在TFT关闭后存储施加的电压。
根据本发明实施例、包括TFT阵列板100、公共电极板200和LC层3的透反式LCD包括分别由透明电极192和反射电极194限定的多个透射区域TA和多个反射区域RA。设置在透射窗195上下方的区域是透射区域TA，设置在反射电极194上下方的区域是反射区域RA。
在透射区域TA中，来自设置在TFT阵列板100下方的背光单元(未示出)的光通过LC层3，以显示所需图像。在反射区域RA中，例如阳光等入射在其上的外部光通过公共电极板200和LC层3，到达该反射电极194。接着，外部光被反射电极194反射并再次通过LC层3，以显示所需图像。此时，反射电极194的浮凸表面增强了反射效率。
在透射区域TA中消除上钝化层180q，从而透射区域TA中的单元间隙(cell gap)比反射区域RA中的单元间隙大。透射区域TA中的单元间隙是反射区域RA中的单元间隙的两倍大。
反射电极194的上层194q的折射率可以大于LCD的对准层或LC层3。反射电极194的上层194q的厚度可以满足关系(光的波长)/(2×上层194q的折射率)，从而从反射电极194的上层194q表面反射的光和从反射电极194的下层194p表面反射的光彼此相长干涉，以增强反射率。这里，光的波长可以依赖于光的颜色而变化，光的波长可以设为基本上影响可见度的预定波长、或位于可见光的中间波长中的绿色波长。
像素电极191和漏电极175的宽端部177覆盖存储电极133，以形成称作“存储电容器”的附加电容器，该电容器增强了液晶电容器的电压存储容量。
接触辅助81和82通过接触孔181和182分别与栅极线121的端部129和数据线171的端部179相连。接触辅助81和82保护端部129和179，并增强端部129和179与外部设备之间的附着力。
接下来描述公共电极板200。
光阻组件220形成在由例如透明玻璃或塑料等材料制成的绝缘基板210上。光阻组件220称作黑矩阵，防止光泄漏。光阻组件200具有多个面向像素电极191的孔径区域。
多个滤色镜230也形成在基板210上，它们基本上放置在由光阻组件220包围的孔径区域内。滤色镜230可以基本上在纵向上沿着像素电极191延伸。滤色镜230可以基本在纵向上沿着像素电极191延伸。滤色镜230可以表示例如红、绿和蓝色的原色之一。
设置在反射区域RA中的滤色镜230的平均厚度大约是设置在透射区域TA中的一半，以在反射区域RA和透射区域TA之间提供基本上一致的色调。
由有机材料制成的外涂层250形成在光阻组件220和滤色镜230上，以保护滤色镜230。可以省略外涂层250。
公共电极270形成在该外涂层250上，并可以由例如ITO或IZO等透明导电材料制成。
对准层(未示出)可以涂布在板100和200的内表面上，偏振器(未示出)可以设置在板100和200的外表面上。
将LC层3垂直对准或水平对准。
LCD还可以包括多个弹性间隔物(未示出)，用于支持TFT阵列板100和公共电极板200，以保持一致的单元间隙。
可以用密封剂密封LCD的TFT阵列板100和公共电极板200。密封剂设置在公共电极板200的边界上。
接下来，将描述根据本发明实施例的LCD的反射电极194的制造方法。
如上所述，根据本发明实施例的LCD的反射电极194可以具有双层结构，双层结构包括由银钼合金(Ag-Mo合金)制成的下层194p和由铟锌氧化物(IZO)或非晶铟锡氧化物(a-ITO)制成的上层194q。公知的LCD反射电极包括由钼合金(Mo合金)制成的下层和由铟铝合金(Al合金)制成的上层。这里，由Mo合金制成的下层增强了由Al合金制成的上层与由例如ITO或IZO等透明导电材料制成的下方透明电极之间的接触特性。
过去用如下制造方法制造LCD的反射电极。
在透明电极上沉积反射电极的下层和上层，然后在大约210℃退火大约一小时，以提高反射电极的下层与上层的接触特性。在退火后，在上层上沉积光敏膜，接着执行硬烤处理以提高光敏膜与上层之间的接触特性，使上层的表面不被过度蚀刻。接着，用光刻和蚀刻使上层和下层形成图案。
然而，根据本发明的方案，LCD反射电极194的制造方法包括：在透明电极192上沉积包括Ag-Mo合金的反射电极194的下层194p，沉积包括IZO或ITO的上层194q，在上层194q上沉积光敏膜，以及用光刻使上层194q和下层194p形成图案。
根据本发明的前述方案，不需要上层194q沉积与形成图案之间的退火，不需要光敏膜沉积与上层194q和下层194p形成图案之间的硬烤处理。
现在，将参照表1至表3描述与根据本发明实施例的LCD的反射电极的反射特性相关的实验示例。
表1示出了根据本发明实施例、包括Ag-Mo合金的反射电极194和公知的包括Al-Nd合金的反射电极的反射特性的代表性结果。
在该实验示例中，公知的反射电极用包括退火和硬烤处理的制造方法形成，而反射电极194用根据本发明实施例的制造方法形成，如上所述，其不包括退火和硬烤处理。接着分别测量反射率。反射率测量四次，并且反射率是在包括反射电极的LCD中没有偏振器的情况下测量的。
                                表1
              反射电极   平均值
Al-Nd合金(有退火和硬烤) 14.3 14.4 14.4 14.4 14.4
Ag-Mo合金(无退火和硬烤) 15.7  15.6  15.9  15.8  15.8
参考表1，根据本发明实施例的反射电极194的反射率比公知的反射电极高大约12％。
接着，将描述与依赖于退火和硬烤处理的反射电极的反射特性相关的实验示例。
首先，在具有包括由Ag-Mo合金制成的下层的双层结构的反射电极194的制造方法中，在透明电极192上沉积由Ag-Mo合金制成的下层之后，对有退火或无退火的反射电极194的反射率和颜色坐标进行测量。这里，除了退火之外，其它条件相同。
反射率和颜色坐标测量八次，反射率是在包括反射电极的LCD中没有偏振器的情况下测量。表2中示出了实验结果。
                       表2
    反射率 Wx Wy
无退火 情况1     15.7     0.339     0.351
情况2     15.6     0.341     0.353
情况3     15.9     0.339     0.351
情况4     15.8     0.338     0.351
情况5     15.3     0.341     0.349
情况6     15.4     0.339     0.351
情况7     15.8     0.338     0.350
情况8     15.7     0.336     0.348
平均值     15.7     0.339     0.351
有退火 情况1     14.0     0.343     0.352
情况2     14.3     0.343     0.352
情况3     14.4     0.344     0.354
情况4     13.7     0.347     0.356
情况5     13.3     0.345     0.353
情况6     13.9     0.344     0.353
情况7     13.9     0.345     0.354
情况8     13.2     0.348     0.356
平均值     13.8     0.345     0.354
参考表2，无退火的反射电极194的反射率比有退火的反射电极194的反射率高大约13％。颜色坐标Wx和Wy表示有退火的反射电极194变得略带黄色。
接着，在具有包括由Ag-Mo合金制成的下层的双层结构的反射电极194的制造方法中，在反射电极194的上层194q上沉积光敏膜之后以及执行光刻之前，对有硬烤处理或无硬烤处理的反射电极194的反射率和颜色坐标进行测量。这里，除了硬烤处理之外，其它条件相同。
反射率和颜色坐标测量八次，在包括反射电极的LCD中没有偏振器的情况下测量反射率。表3中示出了实验结果。
                        表3
    反射率 Wx Wy
无硬烤处理 情况1     15.7     0.339     0.351
情况2     15.6     0.341     0.353
情况3     15.9     0.339     0.351
情况4     15.8     0.338     0.351
平均值     15.8     0.339     0.352
有硬烤处理 情况1     16.0     0.338     0.351
情况2     15.9     0.338     0.351
情况3     15.6     0.340     0.352
情况4     16.0     0.338     0.350
平均值     15.9     0.339     0.351
参考表3，无硬烤处理的反射电极194的反射率高于有硬烤处理的反射电极194的反射率，颜色坐标Wx和Wy表示有硬烤处理的反射电极194变得略带黄色。
如上所述，根据本发明实施例的LCD的反射电极194具有高于公知的反射电极的反射率。此外，利用根据本发明实施例、在形成反射电极194中无退火或硬烤处理的LCD制造方法制造的反射电极194具有高反射率，由反射电极194反射的光变得略带少许黄色。
现在，将参考图5详细描述根据本发明实施例的LCD的反射电极194的结构。
图5是根据本发明实施例的反射电极的示意性截面图。
参考图5，反射电极194具有双层结构，包括下层194p和上层194q。
反射电极194的下层194p可以由Ag-Mo合金制成，反射电极194的上层194q可以由IZO或非晶体ITO制成。
下层194p的Ag-Mo合金具有与纯Ag一样高的反射率，并具有与下方透明电极192的ITO或IZO的良好接触特性。同时，Ag-Mo合金具有与反射电极194形成图案中通常使用的光敏膜的非常好的接触特性。
因此，如果根据本发明实施例的反射电极194具有Ag-Mo合金的单层，在用光刻使反射电极194形成图案中，反射电极194的边缘可能具有倒锥形结构，或者在抛光光敏膜时在反射电极194的表面可能部分地受到光敏膜损坏。
根据本发明实施例的反射电极194还包括由IZO或非晶ITO制成的上层194q，以防止倒锥形结构或表面损坏。
参见图5，在根据本发明实施例的LCD中，当反射电极194的上层194q的折射率为n2、沉积在反射电极194上的定位层(未示出)或LC层3的折射率为n1时，优选n2大于n1，即，n2＞n1。
如上所述，根据本发明实施例的LCD的反射电极194的上层194q的厚度可以满足(光的波长)/(2×上层194q的折射率)，从而在反射电极194的上层194q表面上反射的光和反射电极194的下层194p表面上反射的光彼此相长干涉，以增强反射率。如图5中所示箭头，如果通过反射电极194的上层194q并在反射电极194的下层194p表面上反射的光(a)和在反射电极194的上层194q表面上反射的光(b)彼此相长干涉，则增强反射电极194的反射率。
根据本发明实施例的LCD，满足n2＞n1。因此，如果满足2d＝λ/n2，那么光(a)和光(b)将彼此相长干涉。这里，2d是光(a)路和光(b)路之差，λ为入射光的波长。
这里，2d’，即光(a)路和光(b)路之差，可以基本上等于上层194q厚度的两倍，上层194q厚度可以等于1/2×(λ/n2)。因此，当根据本发明实施例的LCD的反射电极194的上层194q厚度满足(光的波长)/(2×上层194q的折射率)、并且厚度d如上所述，那么可以通过相长干涉增强反射电极194的反射率。
反射电极194的上层194q的折射率依赖于入射光的波长而变化，折射率与波长成反比。
因此，可以限定反射电极194的上层194q的厚度，从而可以依赖于从大约400nm到大约700nm的范围内可见光区的波长和上层194q的折射率，增强反射电极194的反射率。
例如，如果波长λ设为大约500nm，上层194q由ITO制成，那么上层194q的折射率大约为2.0。因此，反射电极194的上层194q的厚度可以是d＝1/2×(λ/n2)＝1/2×(500nm/2)＝125nm＝1250，以增强反射电极194的反射率。波长可以设为基本上影响可见度的预定波长，或位于可见光中间波长中的绿色波长。
根据本发明实施例的反射电极194具有双层结构，包括由Ag-Mo合金制成的下层194p和由IZO或非晶体ITO制成的上层194q，可以设置反射电极194的上层194q的厚度，从而增强强反射电极194的反射率。
如上所述，根据本发明实施例的LCD包括反射电极194，该反射电极194包括由Ag-Mo合金制成的下层194p和由IZO或非晶体ITO制成的上层194q，从而获得下层194p与上层194q之间的良好接触特性，并增强反射电极194的反射率。
此外，根据本发明实施例的LCD制造方法可以省略沉积上层194q与形成图案之间的退火、以及沉积光敏膜与上层194q和下层194p形成图案之间的硬烤处理，以节省制造成本。
虽然结合目前认为具有实用性的典型实施例描述了本发明，但是要理解，本发明不限于这些公开的实施例，相反，本发明是要涵盖包括在所附权利要求的精神和范围中的多种改变和等同配置。

Claims (18)

1.一种液晶显示器的显示板，包括：
基板；以及形成在所述基板上的反射电极，
其中所述反射电极具有包括上层和下层的双层结构，所述反射电极的下层包括含Mo的Ag合金，所述反射电极的上层包括透明导电材料。
2.根据权利要求1所述的显示板，其中所述反射电极的上层包括IZO或ITO。
3.根据权利要求2所述的显示板，其中当所述上层的厚度为d、可见光的预定波长为λ、针对预定波长的所述上层的折射率为n2时，所述厚度基本上满足d＝1/2×(λ/n2)。
4.一种液晶显示器，包括：
第一基板；
栅极线和数据线，形成在所述第一基板上；
薄膜晶体管，与所述栅极线和所述数据线相连；
像素电极，与所述薄膜晶体管相连，并包括反射电极；
第二基板，面向所述第一基板；
公共电极，形成在所述第二基板上；以及
液晶层，位于所述第一基板与所述第二基板之间，
所述反射电极包括第一层，所述第一层包括含Mo的Ag合金。
5.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中所述反射电极还包括设置在所述第一层上的第二层。
6.根据权利要求5所述的液晶显示器，其中所述反射电极的第二层包括IZO或ITO。
7.根据权利要求5所述的液晶显示器，其中所述第二层的折射率大于LC层的折射率。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中在所述第二层的表面上反射的光和在所述第一层的表面上反射的光彼此相长干涉。
9.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中所述液晶显示器具有透射区域和反射区域，所述像素电极还包括透明电极，所述透明电极设置在透射区域和反射区域中，所述反射电极设置在反射区域中。
10.根据权利要求9所述的液晶显示器，其中所述反射电极设置在透明电极上。
11.一种LCD的制造方法，包括：
形成栅极线；
在基板上沉积栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成半导体层；
在半导体层上形成数据线和漏电极；以及
形成像素电极，所述像素电极与漏电极相连，并包括透明电极和设置在所述透明电极的一部分上的反射电极，
其中所述反射电极的下层包括含Mo的Ag合金，所述反射电极的上层包括透明导电材料。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述反射电极的上层包括IZO或ITO。
13.根据权利要求12所述的方法，其中当所述上层的厚度为d、可见光的预定波长为λ、针对预定波长的所述上层的折射率为n2时，所述厚度基本上满足d＝1/2×(λ/n2)。
14.根据权利要求13所述的方法，其中在所述上层的表面上反射的光和在所述下层的表面上反射的光彼此相长干涉。
15.根据权利要求11所述的方法，其中所述像素电极的形成包括：
形成所述透明电极；
在所述透明电极上沉积所述反射电极的下层；
在所述下层上沉积所述反射电极的上层；
在所述反射电极的上层上涂布光敏膜；以及
用光刻和蚀刻使所述反射电极的上层和下层形成图案，
其中所述反射电极的上层包括IZO或ITO。
16.根据权利要求12所述的方法，其中在被涂布光敏膜之前，所沉积的上层不经过退火，以及在使所述上层和所述下层形成图案之前，不对所述光敏膜进行硬烤。
17.根据权利要求15所述的方法，其中当所述上层的厚度为d、可见光的预定波长为λ、针对预定波长的所述上层的折射率为n2时，所述厚度基本上满足d＝1/2×(λ/n2)。
18.根据权利要求16所述的方法，其中在所述上层的表面上反射的光和在所述下层的表面上反射的光彼此相长干涉。
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